JP3130908B2 - 基板用熱処理炉の温度測定方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、半導体基板やセラミックス基板といった各
種の基板に対して、酸化、アニーリング、CVD（化学気
相成長）、あるいは、拡散などの各種の熱処理を行う基
板用熱処理炉において、その炉芯管内の温度分布を測定
する温度測定方法に関し、特に、プロファイルデータを
取る際の温度測定方法に関する。

＜従来の技術＞ 基板用熱処理炉では、その炉内に挿入される基板群の
全体を均一に加熱する必要があり、炉芯管の周囲に設置
した加熱手段は、炉芯管長手方向に区画された幾つかの
部位ごとに調節して制御される。

ところで、加熱している基板の温度を直接に測ること
が困難なため、例えば、炉芯管内で基板の炉芯管の内周
面と基板との間に、炉芯管の長手方向における熱分布を
測定する温度センサ（以下、サイド用温度センサと称す
る）を挿入しておいて、基板群の近傍の温度を測る等の
ように、加熱状況を測定できるようにしておいて、基板
群を熱処理する際に、測定される加熱状況が、基板群の
全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件に合致するよ
うに、加熱手段を制御することが行われている。

例えば、基板群の全体を均一に加熱するような加熱状
況では、サイド用温度センサが測定する熱分布が、どの
ような熱分布であるのかを、予め、割り出しておいて、
基板を熱処理する際に、サイド用温度センサによって測
定される熱分布が、その予め割り出しておいた熱分布に
合致するように、加熱手段を制御する手法が知られてい
る。なお、この手法において、前記基板群の全体を均一
に加熱するのに適切な加熱条件に相当するのは、予め割
り出しておいた均一加熱の状況でのサイド用温度センサ
で測定される温度分布のことである。

ところで、基板群の全体を均一に加熱する加熱条件
は、次のようにして割り出される。

基板を熱処理する前準備として、基板ボートを炉芯管
に挿入しない、いわゆる空炉状態または、加熱処理する
基板と同種の基板を収容した基板ボートを炉芯管に挿入
した状態で、炉芯管の周囲に設置した加熱手段を駆動す
る駆動設定値（炉芯管長手方向におけるどの位置では加
熱手段をどのような出力で駆動するか等の値）を試行錯
誤的に変えて、プロファイルデータ、すなわち、様々に
変えた駆動設定値ごとに対応して得られる加熱状況のデ
ータ（例えば、サイド用温度センサで測定される温度分
布のデータや、その駆動設定値で熱処理された基板の表
面に形成した膜の厚さや拡散深さ等のような熱処理の仕
上がり具合いのデータ）を取る。

そして、プロファイルデータを分析して、基板群の全
体を均一に加熱するのに適切な加熱条件を割り出すので
ある。

＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、従来のプロファイルデータを取る際の
温度測定方法では、それで得たプロファイルデータ中に
基板群の温度分布を示すデータが無く、プロセスガスや
炉端で冷却されたガス流の影響を受けるので、プロファ
イルデータを分析しても、基板群の全体を均一に加熱す
るのに適切な加熱条件を割り出すことが困難である。あ
くまで、均一に加熱すると思われる適切な加熱条件を推
測するにとどまる。

このため、基板の熱処理時に、プロファイルデータか
ら割り出した適切な加熱条件に一致するように加熱条件
を制御しても、必ずしも、基板群の全体を均一に加熱す
ることが期待できなかった。

したがって、基板を熱処理する工程を立ち上げた後に
おいても、試験的な熱処理を幾度も行い、熱処理の仕上
がり具合いに基づいて、加熱手段の制御をたびたび修正
するといった面倒なことがなされている。

以上のような不都合が生じるのは、そもそも、従来の
プロファイルデータを取る際の温度測定方法では、測定
した得たプロファイルデータ中に基板群の温度分布のデ
ータが無いので、そのようなプロファイルデータの中か
ら、基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件
を正確に割り出すことが困難であったからに他ならな
い。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、プロファイルデータを取る際に、基板群の温度分
布に相当する温度分布データを入手することができる基
板用熱処理炉の温度測定方法を提供することを目的とす
る。

＜課題を解決するための手段＞ 上記目的を達成するために、本発明に係る基板用熱処
理炉の温度測定方法は、基板ボートを、それに基板を支
持していない状態で炉芯管内へ挿入する挿入工程と、炉
芯管長手方向に複数箇所の温度を測る棒状のセンター用
温度センサを、基板ボートに基板を支持する際に基板中
央が位置する箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長手方
向の温度を検出する第１検出工程と、炉芯管長手方向に
複数箇所の温度を測る棒状のサイド用温度センサを、炉
芯管の内周面近い箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長
手方向の温度を検出する第２検出工程と、前記第１検出
工程により検出された第１検出温度および前記第２検出
工程により検出された第２検出温度に基づく加熱条件を
記憶する記憶工程と、を有することを特徴とするもので
ある。

また、本発明に係る基板用熱処理炉の温度測定方法に
おいて、前記第１検出工程が、センター用温度センサが
所定の目標温度としての第１検出温度を検出するよう
に、炉芯管の周囲に配置された加熱手段を加熱させる工
程を含み、前記第２検出工程が、前記第１検出工程にお
いてセンター用温度センサが所定の目標温度としての第
１検出温度を検出する際に、サイド用温度センサで第２
検出温度を検出する工程を含み、前記記憶工程が、前記
第２検出工程により検出された第２検出温度を加熱条件
として記憶する工程を含むようにしてもよい。

また、本発明に係る基板用熱処理炉の温度測定方法に
おいて、炉芯管外において加熱手段に対応させて設けら
れた温調用温度センサにより第３検出温度を検出する第
３検出工程をさらに有し、前記記憶工程は、前記第３検
出工程により検出された第３検出温度を加熱条件として
記憶する工程をさらに含むようにしてもい。

さらに、本発明に係る基板用熱処理炉の温度測定方法
において、前記第３検出工程が、前記第１検出工程にお
いてセンター用温度センサが所定の目標温度としての第
１検出温度を検出する際に、温調用温度センサで第３検
出温度を検出する工程を含むようにしてもよい。

＜作用＞ 本発明に係る基板用熱処理炉の温度測定方法によれ
ば、まず、基板ボートを、それに基板を支持していない
状態で炉芯管内へ挿入する（挿入工程）。次に、炉芯管
長手方向に複数箇所の温度を図る棒状のセンター用温度
センサを、基板ボートに基板を支持する際に基板中央が
位置する箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長手方向の
温度を検出する（第１検出工程）。次に、炉芯管長手方
向に複数箇所の温度を図る棒状のサイド用温度センサ
を、炉芯管の内周面近い箇所に挿入して、炉芯管内の炉
芯管長手方向の温度を検出する（第２検出工程）。最後
に、第１検出工程により検出された第１検出温度及び第
２検出工程により検出された第２検出温度に基づく加熱
条件を記憶する（記憶工程）。

＜実施例＞ 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。

縦型の基板用熱処理炉の概略構成について説明すれ
ば、第１図の（ａ）の概略縦断面図に示すように、石英
材料によって透明に形成された炉芯管１の周囲に、管軸
芯方向に短い第１のヒータ2aと長い第２のヒータ2bと短
い第３のヒータ2cとから成る加熱手段２が備えられてい
る。

炉芯管１の上端には、反応ガスを導入するガス導入管
部1aが一体的に形成され、一方、下方の炉口側には、排
気筒３がパッキング４を介してシールした状態で取り付
けられている。排気筒３には排気管（図示せず）に連通
接続する排気口５が形成されている。

次に、上述基板用熱処理炉を運転するに際しての温度
条件を求める上で必要な温度測定方法について説明す
る。

第１図の（ｂ）に示すように、炉芯管１内に、炉口か
ら、後述する基板ボート９を挿入し、基板ボート９に一
体的に取り付けた炉口キャップ10によって炉口を閉塞す
る。この際、基板ボート９には基板を支持しない。な
お、炉芯管１および加熱手段２は、基台（図示せず）に
組み付けられて固定され、炉口キャップ10は、取り外し
可能に炉口を閉塞する位置にロックされている。

次いで、第１図の（ｃ）に示すように、昇降可能な昇
降支持アーム11に、炉芯管１内の中心軸芯相当箇所と炉
芯管１の内周面に近い箇所それぞれに位置させて、セン
ター用温度センサ12とサイド用温度センサ13とを保持さ
せ、昇降支持アーム11を昇降することにより、炉口キャ
ップ10、後述する断熱板７…、および、基板ボート９の
下方側の後述する板体9aそれぞれの中心箇所に形成した
開口を通じてセンター用温度センサ12を挿入するととも
に、炉口キャップ10の周部近くに形成した開口を通じて
サイド用温度センサ13を挿入する。

センター用温度センサ12およびサイド用温度センサ13
それぞれは、図示しないが、石英製の透明保護管内に、
長さの異なる３本の熱電対（センター用温度センサ12に
よる温度検知部を上から順にA1,A2,A3で示し、サイド用
温度センサ13による温度検知部を上から順にM1,M2,M3で
示す）を挿入して構成されていて、基板ボート９の長手
方向両端と中央箇所の３箇所の温度、すなわち、炉芯管
１内の温度分布を測定するようになっている。

前記第１ないし第３のヒータ2a,2b,2cそれぞれに、熱
電対などの温調用温度センサC1,C2,C3が付設されてい
る。

センター用温度センサ12、サイド用温度センサ13およ
び温調用温度センサC1,C2,C3それぞれは、温度制御部14
に接続され、その温度制御部14に、第１ないし第３のヒ
ータ2a,2b,2cそれぞれの電源15a,15b,15cとメモリ16と
が接続されている。

上記構成のもとで、温度制御部14において、各プロセ
ス条件｛温度、反応ガスの種類、定常状態（一定の加熱
温度を維持する状態）、非定常状態（温度上昇状態，温
度下降状態）など｝ごとに、センター用温度センサ12に
よる各温度検知部A1,A2,A3での検出温度T_A1,T_A2,T_A3の
いずれもが所定の目標温度T_Wになるように、第１ないし
第３のヒータ2a,2b,2cそれぞれの電源15a,15b,15cに供
給する電力を調整する。

その調整の結果、T_A1＝T_A2＝T_A3＝T_Wになったとき
に、サイド用温度センサ13による検出温度T_M1,T_M2,T_M3
と温調用温度センサC1,C2,C3による検出温度T_C1,T_C2,T
_C3とを、目標温度T_Wとその他のプロセス条件とのデータ
に関連づけてメモリ16に記憶させる。なお、このT_A1＝T
_A2＝T_A3＝T_Wの状況下におけるT_M1,T_M2,T_M3が、基板群の
全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件である。

各種のプロセス条件についての測定されたデータをす
べてメモリ16に記憶させた後、センター用温度センサ12
とサイド用温度センサ13を炉芯管１から抜き出すととも
に、基板ボート９を抜き出し、実際の熱処理に移行す
る。

すなわち、基板ボート９に、熱処理しようとする実際
の基板群を装填し、その基板ボート９を炉芯管１内に挿
入するとともに、監視用としてサイド用温度センサ13を
炉芯管１内に挿入する。そして、処理しようとするプロ
セス条件を温度制御部14に入力して熱処理を開始するこ
とにより、そのプロセス条件に対応するデータをメモリ
16から読み出し、温調用温度センサC1,C2,C3による検出
温度T_C1,T_C2,T_C3それぞれが、読み出されたデータ中の
設定温度になるように第１ないし第３のヒータ2a,2b,2c
それぞれの電源15a,15b,15cに供給する電力を制御す
る。このとき、サイド用温度センサ13による検出温度T
_M1,T_M2,T_M3と、それに対応する設定温度とを比較し、そ
れらの相違に基づいて、センター用温度センサ12、サイ
ド用温度センサ13および温調用温度センサC1,C2,C3、あ
るいは、第１ないし第３のヒータ2a,2b,2cなどの劣化に
伴う動作不良を検出し、不測に不良品が発生することを
早期に発見できるようになっている。

次に、上記温度測定方法に用いる基板ボート９につい
て説明する。

基板ボート９は、第２図の斜視図および第３図の断面
図それぞれに示すように、周方向に間隔を隔てて設けた
基板支持用の石英製で透明の３本の支柱9c…の長手方向
両端それぞれに石英製の板体9a,9bを一体的に設けて構
成されている。

支柱9c…それぞれには、長手方向に微小ピッチで基板
挿入溝17…が形成され、基板Ｗの半円部分を挿入して三
点で支持できるように構成されている。

両板体9a,9bそれぞれの内部には、輻射熱を遮蔽する
遮蔽部材18が埋設され、輻射熱が炉芯管１の長手方向両
端から逃げることを防止できるように構成されている。
遮蔽部材18としては、1000〜1200℃の輻射熱の中心波長
の光に対して遮蔽性能を有するものであれば良く、例え
ば、炭化硅素SiC、アルミナAl₂O₃、窒化ホウ素BN、セラ
ミックスなどが用いられる。なお、遮蔽部材18が、本発
明に係る基板用熱処理炉のプロファイルデータを取る際
の温度測定方法に用いる基板ボートの構成における「輻
射熱を遮蔽する板体」に相当する。

一方の板体9aには、断熱支持部材８側に突出する脚19
…が設けられ、その板体9aにおいて、基板ボートに基板
Ｗを支持する際に基板の中央が位置する箇所、すなわ
ち、板体9aの中心箇所に、センター用温度センサ12を挿
入する開口20が形成されている。また、基板ボート９に
おいて、炉口キャップ10の近傍には、第１図（ｂ）に示
す如く、断熱板７が付設されている。

なお、本発明に係る基板用熱処理炉の温度測定方法
は、このような基板ボートを用いる場合に限定されるも
のでは無く、例えば、板体9a,9bに遮蔽部材18を埋設せ
ず、内部まで石英製に変更したものでもよい。

次に、比較実験結果について説明する。

＜比較実験例１＞ 上記実施例における板体9a,9bを石英材料のみによっ
て形成して基板ボートH1を構成し、その基板ボートH1に
基板Ｗ…を収容し、その基板ボートH1を炉芯管１内に挿
入するとともに、炉芯管１の内周面に近い箇所にサイド
用温度センサ13を挿入した。後述する特殊な手法によっ
て、予め求められている、実際の加熱処理時に基板Ｗを
炉芯管１の長手方向に関して均一な温度分布で加熱する
ための電力を、第１、第２および第３のヒータ2a,2b,2c
の電源15a,15b,15cそれぞれに温度制御部14を通じて供
給し、その状態（以下、理想加熱状態と称する）での温
度分布を、前記サイド用温度センサ13で測定した。

その結果、第４図の（ｄ）のグラフにおいて示すDsの
温度分布状態を得た。

＜実施例その１による実験例＞ 前記基板ボートH1を、それに基板Ｗを収容しないで炉
芯管１内に挿入するとともに、基板ボートH1に基板Ｗを
支持する際に基板中央が位置する箇所にセンター用温度
センサ12を、炉芯管１の内周面に近い箇所にサイド用温
度センサ13をそれぞれ挿入して、理想加熱状態で温度分
布を測定した。

その結果、第４図の（ｃ）のグラフにおいて、センタ
ー用温度センサ12の温度分布をCcで示し、サイド用温度
センサ13の温度分布をCsで示す。

《比較実験例１と、実施例その１による実験例とに対す
る考察》 比較実験例１は、先に従来技術として記載した温度測
定方法での実験例であり、理想加熱状態にて測定される
のは、サイド用温度センサ13のデータだけである。その
ため、どのように第1,第２および第３のヒータ2a,2b,2c
を制御すれば理想加熱状態にできるのかが未知の状況下
では、サイド用温度センサ13のデータがどのような温度
分布であるならば、基板群の全体が均一に加熱できるの
かを、割り出すことは困難である。つまり、基板群の全
体を均一に加熱するのに適切な加熱条件を割り出すこと
が困難である。

実施例その１による実験例は、どのように第1,第２お
よび第３のヒータ2a,2b,2cを制御すれば理想加熱状態に
できるのかが未知の状況下であっても、センター用温度
センサ12の測定結果が均一な分布である状態が理想加熱
状態であると判断できるので、センター用温度センサ12
の測定結果が均一な分布である状態におけるサイド用温
度センサ13のデータを、基板群の全体を均一に加熱する
のに適切な加熱条件と採用して支障無い。実際の加熱処
理時には、前述のように、サイド用温度センサ13の検出
値が、かかるプロファイルデータにおけるサイド用温度
センサ13のデータと一致するように、第1,第２および第
３のヒータ2a,2b,2cを制御すれば、基板を理想加熱状態
にできる。

＜比較実験例２＞ 上記基板ボート９、すなわち、基板ボート９における
板体9a,9bに前記遮蔽部材18を埋設した基板ボート９を
用い、その基板ボート９に基板Ｗ…を収容し、その基板
ボート９を炉心管１内に挿入するとともに、炉芯管１の
内周面に近い箇所にサイド用温度センサ13を挿入し、理
想加熱状態での温度分布を、前記サイド用温度センサ13
で測定した。

その結果、第４図の（ｂ）のグラフにおいて示すBsの
温度分布状態を得た。

＜実施例２による実験例＞ 基板ボート９における板体9a,9bに前記遮蔽部材18を
埋設した基板ボート９を用い、その基板ボート９に、基
板Ｗを収容しないで炉芯管１内に挿入するとともに、基
板ボートに基板を支持する際に基板中央が位置する箇所
にセンター用温度センサ12を、炉芯管１の内周面に近い
箇所にサイド用温度センサ13をそれぞれ挿入して、理想
加熱状態で温度分布を測定した。

その結果、第４図の（ａ）のグラフに示す温度分布状
態を得た。Acはセンター用温度センサ12によって測定さ
れた温度分布を示し、Asはサイド用温度センサ13によっ
て測定された温度分布を示す。

《比較実験例２と、実施例その２による実験例とに対す
る考察》 比較実験例２は、先に従来技術として記載した温度測
定方法での実験例であり、先の比較実験例１と同様に、
理想加熱状態にて測定されるのは、サイド用温度センサ
13のデータだけである。そのため、どのように第1,第２
および第３のヒータ2a,2b,2cを制御すれば理想加熱状態
にできるのかが未知の状況下では、サイド用温度センサ
13のデータがどのような温度分布であるならば、基板群
の全体が均一に加熱できるのかを、割り出すことは困難
である。つまり、基板群の全体を均一に加熱するのに適
切な加熱条件を割り出すことが困難である。

実施例その２による実験例は、最良の実施の態様に該
当する実施例での実験例であり、どのように第1,第２お
よび第３のヒータ2a,2b,2cを制御すれば理想加熱状態に
できるのかが未知の状況下であっても、センター用温度
センサ12の測定結果が均一な分布である状態が理想加熱
状態であると判断できるので、センター用温度センサ12
の測定結果が均一な分布である状態におけるサイド用温
度センサ13のデータを、基板群の全体を均一に加熱する
のに適切な加熱条件と採用して支障無い。実際の加熱処
理時には、前述のように、サイド用温度センサ13の検出
値が、かかるプロファイルデータにおけるサイド用温度
センサ13のデータと一致するように、第1,第２および第
３のヒータ2a,2b,2cを制御すれば、基板を理想加熱状態
にできる。

《実施例その１による実験例と、実施例その２による実
験例とに対する考察》 実施例その２による実験例は、基板ボート９における
板体9a,9bに前記遮蔽部材18を埋設した基板ボート９を
用いているので、基板ボートに基板群を支持する熱処理
時においても、端の方に位置する基板も、熱平衡がとれ
ている。

したがって、かかる基板ボート９を用いて取ったプロ
ファイルデータに基づいて、熱処理時の温度制御をする
と、基板群の端の位置でも、プロファイルデータを取っ
た際の熱分布、すなわち、理想加熱状態での熱分布にで
きる。

実施例その１による実験例は、基板ボートH1における
板体9a,9bを石英材料のみによって形成した構成したの
で、その基板ボートに基板群を支持する熱処理時には、
端の方に位置する基板は、中程に位置する基板のよう
に、近くの基板との間で互いに輻射熱を及ぼし合って基
板相互間で輻射熱が平衡した関係にあるのと違って、他
の基板から受ける輻射熱よりも放出する輻射熱の方が多
いので、熱平衡が成り立っていない。

このため、基板ボートH1に基板を支持しない状態で測
定したプロファイルデータに基づいて、熱処理時の温度
制御をすると、熱処理時の温度分布は、基板群の中程の
位置では、プロファイルデータを取った際の熱分布を再
現できる。すなわち、理想加熱状態の温度分布にできる
が、しかし、基板群の端の方で温度が下がった熱分布と
なる。

なお、理想加熱状態を実現するには、次のようにし
た。

比較実験例１と実施例その１による実験例では、前記
基板ボートH1に、また、比較実験例２と実施例その２に
よる実験例では、前記基板ボート９に、中央に孔を形成
した孔空き基板Ｗ′…を収容し、その基板ボートH1ない
し基板ボート９を炉芯管１内に挿入するとともに、孔空
き基板Ｗ′の中央に形成された孔を通してセンター用温
度センサ12を挿入し、センター用温度センサ12で測定さ
れる炉芯管長手方向の温度分布が均一になるように、第
1,第２および第３のヒータ2a,2b,2cの駆動を制御した 上記実施例では、縦型の基板用熱処理炉に使用する縦
型用基板ボートについて説明したが、横型の基板用熱処
理炉に使用する横型用基板ボートにも適用でき、その横
型用基板ボートの場合には、両板体9a,9bそれぞれの中
間の支柱9cを挟んだ両側それぞれに、炉内で立設支持す
るための支持脚を連接して構成される。

上述した基板ボートは、温度分布の測定時のみなら
ず、実際に基板Ｗを加熱処理するときにも用いることが
できる。

上記実施例では、センター用温度センサ12を炉芯管１
の中心軸芯の箇所に挿入したが、上記実施例の縦型熱処
理炉では基板ボート９に支持された基板Ｗの中央が炉芯
管１の中心軸芯の箇所と一致する構造であるから、その
箇所へ挿入したが、例えば、一部の横型熱処理炉にある
ように、炉芯管の内周面に基板ボートを載置する構造の
熱処理炉では、基板ボートに支持される基板の中央が炉
芯管の中心軸芯の箇所と一致しない場合があるが、その
ような場合には、センター用温度センサ12を挿入する箇
所を、炉芯管１の中心軸芯の箇所では無く、基板ボート
に基板を支持する際に基板の中央が位置する箇所にすれ
ばよい。

＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明の基板用熱処理炉の温度
測定方法によれば、第１検出工程において、炉芯管長手
方向に複数箇所の温度を測る棒状のセンター用温度セン
サを、基板ボートに基板を支持する際に基板中央が位置
する箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長手方向の温度
を検出し、第２検出工程において炉芯管長手方向に複数
箇所の温度を測る棒状のサイド用温度センサを、炉芯管
の内周面近い箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長手方
向の温度を検出し、さらに第１検出工程により検出され
た第１検出温度および第２検出工程により検出された第
２検出温度に基づく加熱条件を記憶しているので、基板
群の温度分布に相当する温度部分のデータ、すなわち、
基板群の全体を均一に加熱するのに適切な加熱条件を求
めることができる。

【図面の簡単な説明】

図面は、本発明に係る基板用熱処理炉のプロファイルデ
ータを取る際の温度測定方法およびそれに用いる基板ボ
ートの実施例を示し、第１図は、温度測定方法の手順を
説明する概略縦断面図、第２図は基板ボートの斜視図、
第３図は基板ボートの断面図、第４図は、比較実験結果
を示すグラフである。 １……炉芯管、２……加熱手段 ９……基板ボート 9a,9b……板体 9c……支柱 12……センター用温度センサ 18……遮蔽部材、20……開口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 小川 将之 (56)参考文献 特開 昭63−311722（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−217622（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−1228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−298107（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−102923（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−309318（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−174917（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/22 501 H01L 21/22 511

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板ボートを、それに基板を支持していな
   い状態で炉芯管内へ挿入する挿入工程と、 炉芯管長手方向に複数箇所の温度を測る棒状のセンター
   用温度センサを、基板ボートに基板を支持する際に基板
   中央が位置する箇所に挿入して、炉芯管内の炉芯管長手
   方向の温度を検出する第１検出工程と、 炉芯管長手方向に複数箇所の温度を測る棒状のサイド用
   温度センサを、炉芯管の内周面近い箇所に挿入して、炉
   芯管内の炉芯管長手方向の温度を検出する第２検出工程
   と、 前記第１検出工程により検出された第１検出温度および
   前記第２検出工程により検出された第２検出温度に基づ
   く加熱条件を記憶する記憶工程と、 を有することを特徴とする基板用熱処理炉の温度測定方
   法。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板用熱処理炉の温度測
   定方法において、 前記第１検出工程は、センター用温度センサが所定の目
   標温度としての第１検出温度を検出するように、炉芯管
   の周囲に配置された加熱手段を加熱させる工程を含み、 前記第２検出工程は、前記第１検出工程においてセンタ
   ー用温度センサが所定の目標温度としての第１検出温度
   を検出する際に、サイド用温度センサで第２検出温度を
   検出する工程を含み、 前記記憶工程は、前記第２検出工程により検出された第
   ２検出温度を加熱条件として記憶する工程を含むことを
   特徴とする基板用熱処理炉の温度測定方法。
3. 【請求項３】請求項２に記載の基板用熱処理炉の温度測
   定方法において、 炉芯管外において加熱手段に対応させて設けられた温調
   用温度センサにより第３検出温度を検出する第３検出工
   程をさらに有し、 前記記憶工程は、前記第３検出工程により検出された第
   ３検出温度を加熱条件として記憶する工程をさらに含む
   ことを特徴とする基板用熱処理炉の温度測定方法。
4. 【請求項４】請求項３に記載の基板用熱処理炉の温度測
   定方法において、 前記第３検出工程は、前記第１検出工程においてセンタ
   ー用温度センサが所定の目標温度としての第１検出温度
   を検出する際に、温調用温度センサで第３検出温度を検
   出する工程を含むことを特徴とする基板用熱処理炉の温
   度測定方法。