JP2009127100A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】触媒線を利用した成膜処理において成膜ガスの供給状態を安定させた成膜装置を提供する。
【解決手段】一対の基板Ｓを立てた状態で保持して各基板Ｓを対向させる第一ステージと、各基板Ｓの間隙（反応空間）に配設された複数の触媒線１５と、反応空間へ成膜ガスを供給するガス供給部２０とを有し、ガス供給部２０が、反応空間の外側に配設されて基板Ｓの面方向に沿って延びる複数の噴射孔Ｎ１と、各噴射孔Ｎ１の開口を囲う遮蔽片２２ａとを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、成膜装置に関する。

大型ＦＰＤ（Flat Panel Display ）の製造技術においては、成膜ガスの化学反応を利
用することによって、ガラス基板に薄膜を成膜する化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）法が用いられている。

ＣＶＤ法としては、高温に加熱した基板表面で化学反応を進行させる熱ＣＶＤ法と、反応容器内に発生させたプラズマによって化学反応を進行させるプラズマＣＶＤ法とが知られている。熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とは、それぞれ基板をプラズマ空間に曝したり、あるいは基板を高温に加熱したりするため、基板や下地膜に電気的、熱的損傷を与え易い問題を有している。また、これらのＣＶＤ法は、膜厚や膜質の均一性を得るために、プラズマ密度や基板温度に高い均一性を要求することから、基板の大型化に対応し難い。そこで、ＣＶＤ技術では、従来から、上記問題を解決するため、加熱したタングステン等の触媒線に成膜ガスを接触させて成膜ガスを成膜種に分解する触媒ＣＶＤ法が注目されている。

触媒作用を成膜反応に利用する触媒ＣＶＤ法は、触媒線の表面が化学反応の進行を担い、基板へのプラズマ照射や基板の高温加熱を必要としないことから、基板や下地膜への電気的、熱的損傷を大幅に抑制できる。また、触媒ＣＶＤ法は、触媒線を増量するだけで反応系を拡張できるため、基板の大型化に対しても比較的容易に対応できる。

触媒ＣＶＤ法における触媒線と基板主面との間の距離は、基板へ供給する成膜種の量を規定する要素であるため、薄膜の成膜速度や膜厚均一性を大きく左右する。例えば、基板主面が触媒線に近づくと、成膜速度は速くなり、基板主面と触媒線との間の距離が均一になると、膜厚分布は均一になる。特許文献１は、成膜速度や膜厚均一性を向上させるため、基板主面の面方向と鉛直方向とを平行に配置させ、Ｕ字状を呈する触媒線を鉛直方向に沿って、すなわち基板主面に沿って吊下げる。これによれば、触媒線の熱膨張や触媒線の伸長による撓みが大幅に軽減されることから、基板主面を触媒線へ近づける場合であっても、基板主面と触媒線との間の距離の均一化を図ることができる。
特許２０００−３０３１８２号公報

ＣＶＤ法を用いて連続的に成膜処理を施す場合、成膜ガスの化学反応が成膜室内で繰り返されることから、成膜処理ごとに残存する成膜種が、成膜室の内部で堆積し続けてしまう。成膜室内に堆積する成膜残渣は、特に、成膜ガスを噴射する噴射ノズルの近傍に堆積することから、噴射ノズルの目詰まりを来たし、成膜ガスの供給量に変動を招いてしまう。こうした問題は、噴射ノズルを成膜室から定期的に取外して洗浄する、あるいは、ハロゲン等のクリーニングガスの活性種を成膜室内へ供給し、成膜残渣を化学的に除去する、いわゆるクリーニングを定期的に実施することによって解決可能と考えられる。

しかしながら、噴射ノズルを取り外す場合には、成膜室を一旦大気に曝すことから、成膜環境を再現させるために、多大なメンテナンス時間を要してしまう。また、クリーニングを実施する場合には、触媒ＣＶＤ法に用いる触媒線がクリーニングガスと反応して揮発性の化合物を生成することから、加熱温度の不安定化や断線等の問題を招いてしまう。そ
のため、触媒ＣＶＤ法を利用する成膜装置においては、噴射ノズルの交換や成膜室内のクリーニングを頻繁に実施し難い。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、触媒線を利用した成膜処理において成膜ガスの供給状態を安定させた成膜装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の成膜装置は、基板に薄膜を成膜する成膜装置であって、一対の基板を立てた状態で保持して各基板を対向させるステージと、前記各基板の間隙に配設された複数の触媒線と、前記間隙へ成膜ガスを供給するガス供給部とを有し、前記ガス供給部が、前記間隙の外側に配設されて前記基板の面方向に沿って延びる供給ノズルと、前記供給ノズルの開口を囲う遮蔽板とを有することを要旨とする。

請求項１に記載の成膜装置は、間隙から開口へ向けて飛散する成膜種が遮蔽板へ衝突することから、開口における成膜残渣の堆積量を低減できる。したがって、本成膜装置は、触媒線を利用した成膜処理において、成膜ガスの供給状態を安定させられる。

請求項２に記載の成膜装置は、請求項１に記載の成膜装置であって、前記供給ノズルが、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、前記遮蔽板が、前記開口から前記間隙へ向けて、前記面方向に沿って延びることを要旨とする。

請求項２に記載の成膜装置は、供給ノズルからの成膜ガスが基板の面方向に沿って流動することから、成膜ガスと触媒線との接触を効果的に実現させることができ、成膜ガスを有効に利用できる。

請求項３に記載の成膜装置は、請求項１又は２に記載の成膜装置であって、前記供給ノズルが、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、前記遮蔽板が、前記開口から見て前記間隙の側に配設されることを要旨とする。

請求項３に記載の成膜装置は、遮蔽板が開口の間隙の側を囲うことから、開口における成膜残渣の堆積量を、さらに低減できる。
請求項４に記載の成膜装置は、請求項１に記載の成膜装置であって、前記供給ノズルが、前記間隙の外側へ向けて配設され、前記遮蔽板が、前記開口から見て前記間隙の反対側に配設されることを要旨とする。

請求項４に記載の成膜装置は、ノズルの開口が間隙の外側に向くことから、開口における成膜残渣の堆積量を、より確実に低減できる。また、間隙の外側へ向けて供給される成膜ガスが遮蔽板に衝突し、その後、間隙へ供給されることから、成膜ガスの利用効率を損なうことが無い。

請求項５に記載の成膜装置は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の成膜装置であって、前記遮蔽板が前記間隙の外側に配設されることを要旨とする。
請求項５に記載の成膜装置は、遮蔽板が間隙へ進入しないことから、触媒線からの成膜種を、より円滑に基板へ飛散させられる。したがって、この成膜装置は、薄膜の膜厚均一性を損なうこと無く、成膜ガスの供給状態を安定させられる。

請求項６に記載の成膜装置は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の成膜装置であって、前記間隙の圧力を１０Ｐａ以下にする減圧手段を有することを要旨とする。
請求項６に記載の成膜装置は、分子流の圧力領域で成膜処理を実施することから、遮蔽板に起因した成膜ガスの流動変動に関し、成膜種の濃度分布への影響、すなわち薄膜の膜
厚分布への影響を抑制できる。したがって、この成膜装置は、遮蔽板の設計の自由度を向上できる。

上記したように、本発明によれば、触媒線を利用した成膜処理において成膜ガスの供給状態を安定させた成膜装置を提供する。

（第一実施形態）
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図面に従って説明する。図１は、成膜装置としての触媒ＣＶＤ装置１０を鉛直方向から見た図である。図１において、触媒ＣＶＤ装置１０は、搬入室１１と、第一成膜室１２と、第二成膜室１３と、搬出室１４とを、順にゲートバルブＧＶを介して連結させたインライン式の成膜装置である。

搬入室１１は、排気ラインＰに連結された真空槽であり、外部からの基板Ｓを受けて触媒ＣＶＤ装置１０へ搬入する。搬入室１１の内部には、基板Ｓを支持するための一対の搬入ステージ１１Ｓが配設されている。一対の搬入ステージ１１Ｓは、それぞれ搬入室１１に搬入された一対の基板Ｓを相対向するように列立させ、該一対の基板Ｓを第一成膜室１２へ搬送にする。本実施形態では、基板Ｓの搬送方向を＋Ｘ方向とし、基板Ｓの法線方向を＋Ｙ方向とし、鉛直方向上方を＋Ｚ方向と言う。

第一成膜室１２は、ゲートバルブＧＶを介して搬入室１１に連結される真空槽であり、ゲートバルブＧＶが開くときに搬入室１１と連通する。第一成膜室１２は、排気ラインＰに連結されて１０Ｐａ以下の低圧へ減圧され、分子流の領域で成膜プロセスを実施する。第一成膜室１２の内部には、基板Ｓを支持するための一対の第一ステージ１２Ｓが配設されている。一対の第一ステージ１２Ｓは、それぞれ搬入室１１からの基板Ｓを継続的に列立させて所定温度に昇温させるとともに、該一対の基板Ｓを第二成膜室１３へ搬送にする。各排気ラインＰは、それぞれ列立された一対の基板Ｓの間の空間を、各基板Ｓの裏面側から基板Ｓの主面に対して等方的に排気する。

第二成膜室１３は、ゲートバルブＧＶを介して第一成膜室１２に連結される真空槽であり、ゲートバルブＧＶが開くときに第二成膜室１３と連通する。第二成膜室１３は、排気ラインＰに連結されて１０Ｐａ以下の低圧へ減圧され、分子流の領域で成膜プロセスを実施する。第二成膜室１３の内部には、基板Ｓを支持するための一対の第二ステージ１３Ｓが配設されている。一対の第二ステージ１３Ｓは、それぞれ第一成膜室１２からの基板Ｓを継続的に列立させて所定温度に昇温させるとともに、該一対の基板Ｓを搬出室１４へ搬送にする。各排気ラインＰは、それぞれ列立された一対の基板Ｓの間の空間を、各基板Ｓの裏面側から基板Ｓの主面に対して等方的に排気する。

搬出室１４は、排気ラインＰに連結された真空槽であり、第二成膜室１３からの基板Ｓを外部へ搬出する。搬出室１４の内部には、基板Ｓを支持するための一対の搬出ステージ１４Ｓが配設されている。一対の搬出ステージ１４Ｓは、それぞれ搬出室１４に搬入された一対の基板Ｓの主面を水平方向へ倒し、該一対の基板Ｓを外部へ搬出する。

第一成膜室１２の内部であって、一対の第一ステージ１２Ｓの間には、鉛直方向に延びる複数の触媒線１５が、基板Ｓの搬送方向、すなわち＋Ｘ方向に沿って配列されている。また、第二成膜室１３の内部であって、一対の第二ステージ１３Ｓの間にも、同じく、鉛直方向に延びる複数の触媒線１５が、＋Ｘ方向に沿って配列されている。

各触媒線１５は、それぞれタングステン、タンタル、モリブデン等からなる線材であっ
て、列立された一対の基板Ｓの間に吊下げられている。各触媒線１５は、それぞれ図示しない電源に接続され、所定温度に加熱されることによって、成膜ガスを活性化させる。各触媒線１５は、活性化された成膜ガスを等方的に拡散させる。本実施形態では、列立された一対の基板Ｓの間の間隙であって、各触媒線１５を含む空間を、反応空間と言う。

第一成膜室１２及び第二成膜室１３における反応空間であって、触媒線１５と各基板Ｓとの間には、それぞれガス供給部２０が配設されている。図２（ａ）はガス供給部２０の位置を示す平面図であり、図２（ｂ）は図１のＡ−Ａ断面図である。また、図３はガス供給部を示す斜視図であり、図４はガス供給部２０の要部を示す端面図である。

図２（ａ）において、複数のガス供給部２０は、それぞれ基板Ｓの外周を囲うように、基板Ｓの各辺と対応する位置に配設されている。各ガス供給部２０は、それぞれ基板Ｓの一辺に沿って延びる配管２１と、配管２１の基板Ｓの側に取着されて基板Ｓの一辺に沿って延びる防着部材２２とを有する。

各配管２１は、例えば長手方向が１．５ｍで形成される配管であって、それぞれ触媒ＣＶＤ装置１０が設置される施設のガスラインに接続され、該ガスラインからの成膜ガスを配管の内部へ導入する。なお、成膜処理としてシリコン膜を成膜する場合には、成膜ガスにシラン（ＳｉＨ_４）と水素（Ｈ_２）を用いることができ、シリコン窒化膜を形成する場合には、シランとアンモニア（ＮＨ_３）を用いることができる。また、シリコン酸化窒化膜を形成する場合には、成膜ガスにシランと亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を用いることができる。

図２（ｂ）において、各配管２１には、それぞれ反応空間へ向けて延びる複数の孔（以下単に、導出孔Ｎと言う。）が、基板Ｓの一辺に沿って等間隔に配列されている。各導出孔Ｎは、例えば、１ｍｍの孔径からなる円形孔であって、配管２１の長手方向に沿って１０ｍｍのピッチで配列されている。各導出孔Ｎは、それぞれ配管２１の内部へ導入した成膜ガスを、配管２１の長手方向に沿って分散させて外部へ導出する。

各防着部材２２には、それぞれ各導出孔Ｎと対応する位置に、各導出孔Ｎから反応空間へ向けて延びる貫通孔（以下単に、噴射孔Ｎ１と言う。）が形成されている。各噴射孔Ｎ１は、それぞれ基板Ｓの面方向（ＸＺ平面）に沿って形成され、配管２１から導出された成膜ガスを反応空間へ向けて開口から噴射する。本実施形態においては、導出孔Ｎと、該導出孔Ｎと対応する噴射孔Ｎ１とによって、供給ノズルが構成される。

図３において、防着部材２２には、基板Ｓの面方向（ＸＺ平面）に沿って延びる一対の遮蔽片２２ａが、それぞれ噴射孔Ｎ１の配列方向、すなわち、防着部材２２の長手方向の略全幅にわたり形成されている。一対の遮蔽片２２ａは、それぞれ反応空間から各噴射孔Ｎ１へ向かって飛散する成膜種の中で、触媒線１５から各噴射孔Ｎ１へ向けて飛散する成膜種と、基板Ｓから各噴射孔Ｎ１へ向けて飛散する成膜種とを、各噴射孔Ｎ１に対して遮蔽する。

図４において、一対の遮蔽片２２ａは、それぞれ遮蔽片２２ａの厚さ（図３の＋Ｚ方向の厚さ：遮蔽厚さＨ）が厚くなる分だけ、各噴射孔Ｎ１に対し、成膜種の入射角θｒを縮小することから、各噴射孔Ｎ１への成膜種の堆積を抑制できる。また、一対の遮蔽片２２ａは、それぞれ各噴射孔Ｎ１から噴射される成膜ガスの飛行方向を反応空間へ強制的に向けることから、成膜ガスの利用効率を向上できる。この一対の遮蔽片２２ａの遮蔽厚さＨは、それぞれ基板Ｓに成膜する薄膜の膜厚均一性に基づいて設定されている。

すなわち、第一成膜室１２及び第二成膜室１３においては、それぞれ分子流の圧力領域
で成膜処理を実行することから、反応空間における成膜ガス濃度が均一である場合、触媒線１５上の点から飛散する成膜種は、略等方的に飛散する。一対の遮蔽片２２ａは、触媒線１５と基板Ｓとの間に位置することから、遮蔽厚さＨが厚くなる場合には、基板Ｓの主面の外縁に対し、触媒線１５からの成膜種の入射を遮蔽してしまう。そこで、本実施形態においては、一対の遮蔽片２２ａの遮蔽厚さＨが、基板Ｓの法線方向（＋Ｙ方向）から見て、少なくとも基板Ｓと重畳しない厚さに設定されている。これによれば、基板Ｓの外縁において成膜種が十分に入射することから、基板Ｓに成膜する薄膜の膜厚均一性が確保できる。

上記第一実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）上記第一実施形態において、ガス供給部２０は、一対の基板Ｓの間の間隙の外側、すなわち反応空間の外側に配設されて基板Ｓの面方向に沿って延びる噴射孔Ｎ１と、噴射孔Ｎ１の開口を囲う遮蔽片２２ａとを有する。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、一対の基板Ｓの間隙から開口へ向けて飛散する成膜種が遮蔽片２２ａへ衝突することから、開口における成膜残渣の堆積量を低減できる。この結果、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５を利用した成膜処理において、成膜ガスの供給状態を安定させられる。

（２）上記第一実施形態において、噴射孔Ｎ１は、反応空間の外側から反応空間へ向けて配設され、遮蔽片２２ａは、噴射孔Ｎ１の開口から反応空間へ向けて、基板Ｓの面方向に沿って延びる形状を成す。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、噴射孔Ｎ１からの成膜ガスが基板Ｓの面方向に沿って流動することから、成膜ガスと触媒線１５との接触を効果的に実現させることができ、成膜ガスを有効に利用できる。

（３）上記第一実施形態において、遮蔽片２２ａは反応空間の外側に配設される。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、遮蔽片２２ａが反応空間へ進入しないことから、触媒線１５からの成膜種を、より円滑に基板Ｓへ飛散させられる。この結果、触媒ＣＶＤ装置１０は、薄膜の膜厚均一性を損なうこと無く、成膜ガスの供給状態を安定させられる。

（４）上記第一実施形態において、排気ラインＰは反応空間の圧力を１０Ｐａ以下にする。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、分子流の圧力領域で成膜処理を実施することから、遮蔽片２２ａに起因した成膜ガスの流動変動に関し、成膜種の濃度分布への影響、すなわち薄膜の膜厚分布への影響を抑制できる。この結果、触媒ＣＶＤ装置１０は、遮蔽片２２ａの形状やサイズの設計に関し、自由度を向上できる。

（第二実施形態）
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図面に従って説明する。第二実施形態は、第一実施形態の防着部材２２を変更したものである。そのため、以下においては、その変更点について詳しく説明する。図５は、第二実施形態の防着部材２２を示す斜視図である。

図５において、防着部材２２には、各導出孔Ｎと対応する位置に、各導出孔Ｎから反応空間へ向けて延びる複数の噴射孔Ｎ１が形成され、各噴射孔Ｎ１の反応空間の側（図５の＋Ｚ方向）には、それぞれ複数の第一遮蔽片２２ｂが形成されている。各第一遮蔽片２２ｂは、それぞれ防着部材２２の長手方向から見て断面逆Ｌ字状を成し、各噴射孔Ｎ１の反射空間の側を覆うように形成されている。防着部材２２には、基板Ｓの面方向（ＸＺ平面）に沿って延びる第二遮蔽片２２ｃが、噴射孔Ｎ１の配列方向、すなわち、防着部材２２の長手方向の略全幅にわたり形成されている。

各第一遮蔽片２２ｂと一つの第二遮蔽片２２ｃは、それぞれ協働することによって、反応空間から各噴射孔Ｎ１へ向かって飛散する成膜種の中で、ＹＺ平面に沿って飛散する成膜種を、各噴射孔Ｎ１に対して遮蔽する。各第一遮蔽片２２ｂの厚さは、それぞれ第一実
施形態における遮蔽厚さＨによって形成され、基板Ｓの主面の外縁においても、成膜種を十分に入射させられるように設定されている。

なお、分子流の圧力領域で成膜処理を実行することから、反応空間における成膜ガスの分布は、各噴射孔Ｎ１の反応空間の側が第一遮蔽片２２ｂと第二遮蔽片２２ｃとで覆われることに関わらず、その均一性を得られる。

上記第二実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（５）上記第二実施形態において、噴射孔Ｎ１は、反応空間の外側から反応空間へ向けて配設され、第一遮蔽片２２ｂは、噴射孔Ｎ１の開口から見て、該開口の反応空間の側に配設される。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、第一遮蔽片２２ｂが噴射孔Ｎ１の反応空間の側を囲うことから、噴射孔Ｎ１の開口における成膜残渣の堆積量を、さらに低減できる。この結果、触媒ＣＶＤ装置は、触媒線１５を利用した成膜処理において、成膜ガスの供給状態を、さらに安定させられる。

（第三実施形態）
以下、本発明を具体化した第三実施形態を図面に従って説明する。第三実施形態は、第一実施形態のガス供給部２０を変更したものである。そのため、以下においては、その変更点について詳しく説明する。図６は、第三実施形態のガス供給部２０の要部を示す端面図である。

図６において、配管２１には、それぞれ反応空間の外側へ向かって延びる複数の供給ノズルとしての導出孔Ｎが、基板Ｓの一辺に沿って等間隔に配列されている。各導出孔Ｎは、第一実施形態あるいは第二実施形態と同じく、例えば、１ｍｍの孔径からなる円形孔であって、配管２１の長手方向に沿って１０ｍｍのピッチで配列されている。各導出孔Ｎは、それぞれ配管２１の内部へ導入した成膜ガスを、配管２１の長手方向に沿って分散させ、反応空間の外側（図６の下側）へ向けて導出する。

遮蔽板としての防着部材２２は、それぞれ反応空間の側を開放した箱体状に形成され、その内部に配管２１を収容している。各防着部材２２は、それぞれ配管２１から反応空間の外側へ導出された成膜ガスを受けて、反応空間へ向けて供給させる。各防着部材２２は、それぞれ反応空間から各導出孔Ｎへ向かって飛散する成膜種の全てを、各導出孔Ｎに対して遮蔽する。なお、各防着部材２２は、第一実施形態及び第二実施形態と同じく、基板Ｓの法線方向（＋Ｙ方向）から見て、少なくとも基板Ｓと重畳しないサイズに形成されている。

なお、分子流の圧力領域で成膜処理を実行することから、反応空間における成膜ガスの分布は、各導出孔Ｎの導出方向が防着部材２２で覆われることに関わらず、その均一性を得られる。

上記第三実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（６）上記第三実施形態において、導出孔Ｎは、反応空間の外側へ向けて配設され、防着部材２２は、導出孔Ｎの開口から見て、反応空間の反対側に配設される。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、導出孔Ｎの開口が反応空間の外側に向くことから、導出孔Ｎの開口における成膜残渣の堆積量を、確実に低減できる。また、導出孔Ｎの外側に向けて供給される成膜ガスは防着部材２２に衝突し、その後、反応空間へ供給されることから、触媒ＣＶＤ装置１０は、成膜ガスの利用効率を損なうことが無い。 尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。

・上記実施形態の遮蔽片２２ａ及び第二遮蔽片２２ｃは、それぞれ各噴射孔Ｎ１に共通
する構成であるが、これに限らず、噴射孔Ｎ１ごとに形成される構成であっても良い。また、第一遮蔽片２２ｂは、噴射孔Ｎ１ごとに形成される構成であるが、これに限らず、各噴射孔Ｎ１に共通する構成であっても良い。

・上記実施形態の触媒ＣＶＤ装置１０は、光電変換装置を製造するための成膜装置であっても良い。

触媒ＣＶＤ装置を模式的に示す図。 （ａ）、（ｂ）は、それぞれ成膜室の内部を示す平面図、端面図。 第一実施形態のガス供給部を示す斜視図。 第一実施形態のガス供給部を示す要部端面図。 第二実施形態のガス供給部を示す斜視図。 第三実施形態のガス供給部を示す要部端面図。

符号の説明

Ｐ…減圧手段としての排気ライン、Ｓ…基板、１０…成膜装置としての触媒ＣＶＤ装置、１２…第一成膜室、１２Ｓ…ステージを構成する第一ステージ、１３…第二成膜室、１３…ステージを構成する第二ステージ、１５…触媒線、２０…ガス供給部、２１…配管、２２…防着部材、２２ａ…遮蔽板としての遮蔽片、２２ｂ…遮蔽板としての第一遮蔽片、２２ｃ…遮蔽板としての第二遮蔽片、Ｎ…導出孔、Ｎ１…噴射孔。

Claims (6)

1. 基板に薄膜を成膜する成膜装置であって、
   一対の基板を立てた状態で保持して各基板を対向させるステージと、
   前記各基板の間隙に配設された複数の触媒線と、
   前記間隙へ成膜ガスを供給するガス供給部とを有し、
   前記ガス供給部は、
   前記間隙の外側に配設されて前記基板の面方向に沿って延びる供給ノズルと、
   前記供給ノズルの開口を囲う遮蔽板とを有することを特徴とする成膜装置。
2. 請求項１に記載の成膜装置であって、
   前記供給ノズルは、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、
   前記遮蔽板は、前記開口から前記間隙へ向けて、前記面方向に沿って延びることを特徴とする成膜装置。
3. 請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
   前記供給ノズルは、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、
   前記遮蔽板は、前記開口から見て前記間隙の側に配設されることを特徴とする成膜装置。
4. 請求項１に記載の成膜装置であって、
   前記供給ノズルは、前記間隙の外側へ向けて配設され、
   前記遮蔽板は、前記開口から見て前記間隙の反対側に配設されることを特徴とする成膜装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
   前記遮蔽板は前記間隙の外側に配設されることを特徴とする成膜装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
   前記間隙の圧力を１０Ｐａ以下にする減圧手段を有することを特徴とする成膜装置。

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