TWI817542B - 半導體製造裝置 - Google Patents

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Abstract

實施形態是提供一種可控制基板的彎曲的半導體製造裝置。 實施形態的半導體製造裝置是具備處理容器、保持部、氣體導入部、第1電極及第2電極。保持部是被設在處理容器內，將具有第1面及對於該第1面而言位於相反側的第2面之基板從第1面側保持。保持部是包含被覆第1面的第1區域且露出該第1區域以外的第2區域的遮罩部。氣體導入部是將製程氣體導入至處理容器內。第1電極是被設在保持部與氣體導入部之間，朝基板的第1面供給製程氣體。第2電極是被設在基板的第2面側的第2電極，在第1及第2電極之間對製程氣體施加電場。遮罩部是具有接觸於基板的第1面的第1層(22_1U)及比第1層更離開基板的第2層(22_1L)。第1層是在區劃第1區域及第2區域的遮罩部的緣部比第2層更朝向第1區域的第1方向凹下。

Description

半導體製造裝置
本實施形態是關於半導體製造裝置。 [關聯申請案]
本申請案是享有以日本專利第2022-39499號(申請日：2022年3月14日)作為基礎申請案的優先權。本申請案是藉由參照此基礎申請案而包含其全部的內容。
NAND型快閃記憶體等的半導體記憶裝置是有具有將複數的記憶格立體地配列的立體型記憶格陣列的情況。具有如此的立體型記憶格陣列的半導體基板是有依字元線的延伸方向而彎曲的情況。半導體基板的彎曲是影響成品率，且有對半導體製造工程的半導體基板的搬送帶來障礙之虞。
實施形態是可高精度矯正或控制半導體基板的彎曲之半導體製造裝置。
根據本實施形態的半導體製造裝置是具備處理容器。保持部是被設在處理容器內，將具有第1面及對於該第1面而言位於相反側的第2面之基板從第1面側保持。保持部是包含被覆第1面的第1區域且露出該第1區域以外的第2區域的遮罩部。氣體導入部是將製程氣體導入至處理容器內。第1電極是被設在保持部與氣體導入部之間，朝基板的第1面供給製程氣體。第2電極是被設在基板的第2面側的第2電極，在第1及第2電極之間對製程氣體施加電場。遮罩部是具有接觸於基板的第1面的第1層及比第1層更離開基板的第2層。第1層是在區劃第1區域及第2區域的遮罩部的緣部比第2層更朝向第1區域的第1方向凹下。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。本實施形態是不限定本發明者。圖面是模式性或概念性者，各部分的比率等是不一定與現實者相同。在說明書與圖面中，有關已出現過的圖面，在與前述者同樣的要素是附上相同的符號而詳細的說明是適當省略。 (第1實施形態)
圖1是表示根據第1實施形態的半導體製造裝置1的構成例的概略圖。半導體製造裝置1(以下亦簡稱裝置1)是例如在基板W形成材料膜TF的CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置等。
裝置1是具備腔室10、載體環(carrier ring) 20、氣體導入部30、第1氣體分散板40、第2氣體分散板50、下部電極60、上部電極80、支柱90、控制器100、氣體供給源110、130及配管120、140。
腔室10是可收容基板W，可將其內部減壓。在腔室10的內部對基板W實行成膜處理。腔室10是例如可使用不鏽鋼等的耐熱性、耐壓性、耐腐蝕性的材料。
載體環20是在腔室10內可保持基板W的保持部。載體環20是例如具有圓環形狀，以被設在其內周的沉孔部分來支撐基板W的端部。載體環20的中心部是開口，可在基板W的第1面(背面)F1形成材料膜TF。載體環20是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。基板W是具有形成材料膜TF的第1面F1及位於與第1面F1相反側的第2面F2。基板W是例如矽基板等的半導體基板。在基板W的第2面F2是形成有立體型記憶格陣列等的半導體元件。基板W的第1面F1是基板W的背面，未形成半導體元件。有關載體環20的更詳細的構成是後述。
氣體導入部30是將藉由配管120而被分歧的製程氣體予以經由氣體導入管Gin1來從基板W的第1面F1側導入至腔室10內。氣體導入部30是將製程氣體供給至第1氣體分散板40。氣體導入部30是例如可使用不鏽鋼、陶瓷等的耐熱性、耐腐蝕性的材料。
氣體導入管Gin1是將在配管120被分歧的製程氣體予以分別朝第1氣體分散板40與下部電極60之間的對應的區域引導供給。
第1氣體分散板40是被設在基板W與氣體導入部30之間，具有使製程氣體通過的複數的孔40h。孔40h是從氣體導入管Gin1連通至第1氣體分散板40與第2氣體分散板50之間的空間Ga，將來自氣體導入管Gin1的製程氣體導入至空間Ga。此時，複數的孔40h是具有使製程氣體分散於空間Ga的機能。第1氣體分散板40是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。
第2氣體分散板50是被設在第1氣體分散板40與下部電極60之間，具有使製程氣體通過的複數的孔50h。孔50h是具有使來自第1氣體分散板40的製程氣體分散於第2氣體分散板50與下部電極60之間的空間Gb的機能。第2氣體分散板50是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。另外，第2氣體分散板50是亦可不一定要設置，亦可省略。此情況，從第1氣體分散板40導入至空間Ga、Gb的製程氣體是不通過第2氣體分散板50，從下部電極60往基板W供給。
下部電極60是被設在基板W與第1及第2氣體分散板40、50之間，具有將製程氣體朝基板W的第1面F1供給的複數的孔60h。孔60h是在下部電極60行列狀地大略均等配列。孔60h是將來自第1及第2氣體分散板40、50的製程氣體供給至腔室10內的基板W的第1面F1。基板W的第1面F1與下部電極60之間的距離是比較窄，製程氣體是被供給至基板W的第1面F1之中與孔60h對向的區域。另外，孔40h、50h、60h的個數是為了使製程氣體分散導入至腔室10內，成為40h的個數＜50h的個數＜60h的個數為理想。
又，下部電極60是被連接至高頻電源RF1，從高頻電源RF1接受電力。藉此，下部電極60是為了對基板W與下部電極60之間的製程氣體施加電場，使製程氣體電離來使電漿產生而被使用。下部電極80是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。
上部電極80是被設在與基板W的第1面F1相反側的第2面F2側。上部電極80是被連接至高頻電源RF2，從高頻電源RF2接受電力。下部電極60與上部電極80是對基板W與下部電極60之間的製程氣體施加電場，使電離而成為電漿狀態。藉此，以製程氣體作為原料的材料膜TF會被成膜於基板W的第1面F1。
並且，在上部電極80是設有氣體導入管Gin2和複數的孔80h。氣體導入管Gin2是將在配管140被分歧的惰性氣體往腔室10內導入。複數的孔80h是被設在與基板W的第2面F2對向的上部電極80的面，將惰性氣體往基板W的第2面F2供給。在製程中，上部電極80是從孔80h供給惰性氣體至基板W的第2面F2，抑制根據製程氣體的材料膜被形成於基板W的第2面F2。惰性氣體是例如氦、氮、氬等即可。上部電極80是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。
在氣體導入部30、第1及第2氣體分散板40、50的下方設有加熱器HT1。例如，加熱器HT1是被設在氣體導入管Gin1所貫通的基體95的內部。並且，在上部電極80內是設有加熱器HT2。加熱器HT1、HT2是為了將基板W加熱至預定的溫度而設。
支柱90是被設在基體95與載體環20之間，支撐載體環20。
控制器100是控制氣體供給源110、130，而可控制製程氣體及惰性氣體的流量及/或導入時間。例如，控制器100是控制被導入至空間Ga、Gb的製程氣體的流量或導入時間。藉此，可使被形成於基板W的第1面F1的材料膜TF的厚度不同。亦即，控制器100是藉由變更被導入至空間Ga、Gb的製程氣體的供給量，可控制材料膜TF的膜厚。
氣體供給源110是經由配管120來朝氣體導入管Gin1供給製程氣體。氣體供給源130是經由配管140來朝氣體導入管Gin2供給惰性氣體。
配管120是例如被構成能以任意的流量來將製程氣體運送至氣體導入管Gin1的集流腔(manifold)即可。配管140是被構成能以任意的流量來對於氣體導入管Gin2運送惰性氣體的集流腔即可。
控制器100是控制氣體供給源110及配管120，而可往氣體導入管Gin1的製程氣體的流量及導入時間。又，控制器100是控制氣體供給源130及配管140，而可控制往氣體導入管Gin2的惰性氣體的流量及導入時間。
被導入至腔室10的製程氣體及惰性氣體是被使用於材料膜TF的形成之後，從氣體排氣口Gout排氣。 (載體環20_1)
圖2是表示載體環20_1的構成例的平面圖。圖3是表示載體環20_1的構成例的剖面圖。圖3是表示沿著圖2的3-3線的剖面。
作為載體環20之一的載體環20_1是從對於基板W的第1面F1垂直方向(Z方向)來看時，具有與基板W的直徑相等或具有更大的直徑的大略圓形的形狀。因此，在將基板W搭載於載體環20_1時，若從Z方向看，則載體環20_1是重複於基板W，下部電極60的外緣是位於比基板W的外緣更外側。
載體環20_1是具備外緣部21_1及遮罩部22_1U、22_1L。外緣部21_1是被設在遮罩部22_1U、22_1L的外緣而包圍遮罩部22_1U、22_1L的外周，被形成比遮罩部22_1U、22_1L的合計厚度更厚，突出至被搭載於載體環20_1的基板W側。
作為第1層的遮罩部22_1U是搭載基板W的沉孔部，接觸於基板W的第1面F1(背面)來予以遮罩。遮罩部22_1U是具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_1內，被搭載於遮罩部22_1U。基板W的外緣是位於外緣部21_1與遮罩部22_1U的階差部附近。
作為第2層的遮罩部22_1L是被設在遮罩部22_1U之下的沉孔部，雖不直接接觸於基板W的第1面F1(背面)，但予以遮罩。遮罩部22_1L是比遮罩部22_1U更遠離基板W。遮罩部22_1L是具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_1內，被搭載於遮罩部22_1L的上方。
在遮罩部22_1U、22_1L的中心部是設有開口部23_1。開口部23_1是大略直線狀地延伸於對於基板W的第1面F1大略平行的Y方向。遮罩部22_1U、22_1L是被覆基板W的第1面F1的X方向兩側，開口部23_1是露出基板W的第1面F1的中心部。
在以遮罩部22_1L、22_1U被覆的基板W的第1面F1的第1區域與在開口部23_1露出的基板W的第1面F1的第2區域之間(區劃第1區域及第2區域的遮罩部22_1L、22_1U的緣部)，遮罩部22_1L是突出至比遮罩部22_1U更±X方向及±Y方向。亦即，在開口部23_1的周圍，遮罩部22_1L是比遮罩部22_1U更突出至開口部23_1的延伸方向(±Y方向)，且亦突出至對於開口部23_1的延伸方向大略垂直方向(±X方向)。因此，如圖3所示般，在開口部23_1的周圍的遮罩部22_1U、22_1L的緣部中，遮罩部22_1U及遮罩部22_1L具有被形成階梯狀的階差部ST。在階差部ST中，遮罩部22_1U是比遮罩部22_1L更凹下至±Y方向及±X方向。
並且，在開口部23_1的Y方向的兩端部的外緣部21_1的內緣部是設有遮罩部22_1L、22_1U的端部22_1Le、22_1Ue。端部22_1Le是比端部22_1Ue更往開口部23_1側突出。亦即，在開口部23_1的外周全體，設有階差部ST。
載體環20_1是例如可使用鋁、不鏽鋼、陶瓷等的材料。遮罩部22_1L、22_1U是亦可被個別形成，被層疊，亦可被一體形成。又，遮罩部22_1L、22_1U和外緣部21_1是亦可被個別形成，亦可被一體形成。
裝置1是如圖1所示般，從下部電極60往基板W的第1面F1側的載體環20供給製程氣體。使用載體環20_1作為載體環20時，基板W的第1面F1是藉由載體環20_1的遮罩部22_1L、22_1U來被覆，且從開口部23_1露出。因此，材料膜TF會被形成於基板W的第1面F1之中從開口部23_1露出的中心部。在基板W的第1面F1之中以遮罩部22_1L、22_1U被覆的區域是不被形成材料膜TF。因此，使用圖2及圖3所示的載體環20_1來形成材料膜TF時，材料膜TF會被形成於對應於開口部23_1的基板W的第1面F1的中心部。
在遮罩部22_1L、22_1U是設有裝置1的升降銷所通過的銷孔PH。雖未圖示，但升降銷是在將基板W搭載於載體環20時，或從載體環20搬送時，用以通過銷孔PH來將基板W升降的銷。藉由升降銷通過銷孔PH，可從第1面F1側頂起載體環20上的基板W而舉起。 (載體環20_2)
圖4是表示載體環20_2的構成例的平面圖。圖5是表示載體環20_2的構成例的剖面圖。圖5是表示沿著圖4的5-5線的剖面。
作為載體環20的1個的載體環20_2是在從Z方向看時，具有與基板W的直徑相等或具有更大的直徑的大略圓形的形狀。因此，在將基板W搭載於載體環20_2時，若從Z方向看，則載體環20_2是重複於基板W，下部電極60的外緣是位於比基板W的外緣更外側。
載體環20_2是具備外緣部21_2及遮罩部22_2U、22_2L。外緣部21_2、遮罩部22_2U、22_2L是分別對應於載體環20_1的外緣部21_1、遮罩部22_1U、22_1L。載體環20_2的構成是基本上與載體環20_1的構成即可。但，載體環20_2的開口部23_2的大小會與載體環20_1的開口部23_1的大小不同。
開口部23_2是比開口部23_1更寬廣露出基板W的第1面F1的中心部。在以遮罩部22_2L、22_2U被覆的基板W的第1面F1的第1區域與在開口部23_2露出的基板W的第1面F1的第2區域之間(區劃第1區域及第2區域的遮罩部22_2L、22_2U的緣部)，遮罩部22_2L是比遮罩部22_2U更突出至±X方向及±Y方向。亦即，在開口部23_2的周圍，遮罩部22_2L是比遮罩部22_2U更突出至開口部23_2的延伸方向(±Y方向)，且亦突出至對於開口部23_2的延伸方向大略垂直方向(±X方向)。因此，如圖5所示般，在開口部23_2的周圍的遮罩部22_2U、22_2L的緣部中，遮罩部22_2U與遮罩部22_2L具有階差部ST。亦即，在階差部ST中，遮罩部22_2U是比遮罩部22_2L更凹下至±Y方向及±X方向。
升降銷P是通過開口部23_2內來舉起基板W。因此，在遮罩部22_2L、22_2U是未設置銷孔PH。載體環20_2的其他的構成是與載體環20_1的構成同樣即可。
使用載體環20_2作為載體環20時，基板W的第1面F1是藉由載體環20_2的遮罩部22_2L、22_2U來被覆，且從開口部23_2露出。因此，材料膜TF會被形成於從基板W的第1面F1之中開口部23_2露出的中心部。在基板W的第1面F1之中以遮罩部22_2L、22_2U被覆的區域是不被形成材料膜TF。因此，使用圖4及圖5所示的載體環20_2來形成材料膜TF時，材料膜TF會被形成於對應於開口部23_2的基板W的第1面F1的中心部。 (載體環20_3)
圖6是表示載體環20_3的構成例的平面圖。圖7是表示載體環20_3的構成例的剖面圖。圖7是表示沿著圖6的7-7線的剖面。
作為載體環20之一的載體環20_3是從Z方向看時，具有與基板W的直徑相等或具有更大的直徑的大略圓形的形狀。因此，在將基板W搭載於載體環20_3時，若從Z方向看，則載體環20_3是與基板W重複，下部電極60的外緣是位於比基板W的外緣更外側。
載體環20_3是具備外緣部21_3及遮罩部22_3U、22_3L。外緣部21_3、遮罩部22_3U、22_3L是分別對應於載體環20_1(或20_2)的外緣部21_1(或21_2)、遮罩部22_1U、22_1L(或22_2U、22_2L)。載體環20_3的構成是基本上與載體環20_1(或20_2)的構成同樣即可。但，載體環20_3的開口部23_3的大小與載體環20_1(或20_2)的開口部23_1(或23_2)的大小不同。
開口部23_3是比開口部23_1及23_2更寬廣露出基板W的第1面F1的中心部。在以遮罩部22_3L、22_3U被覆的基板W的第1面F1的第1區域與在開口部23_3露出的基板W的第1面F1的第2區域之間(區劃第1區域及第2區域的遮罩部22_3L、22_3U的緣部)，遮罩部22_3L是比遮罩部22_3U更突出至±X方向及±Y方向。亦即，在開口部23_3的周圍，遮罩部22_3L是比遮罩部22_3U更突出至開口部23_3的延伸方向(±Y方向)，且亦突出至對於開口部23_3的延伸方向大略垂直方向(±X方向)。因此，如圖7所示般，在開口部23_3的周圍的遮罩部22_3U、22_3L的緣部中，遮罩部22_3U及遮罩部22_3L具有階差部ST。亦即，在階差部ST，遮罩部22_3U是比遮罩部22_3L更凹下至±Y方向及±X方向。
升降銷P是通過開口部23_3內來舉起基板W。因此，在遮罩部22_3L、22_3U是未設銷孔PH。載體環20_3的其他的構成是與載體環20_1(或20_2)的構成同樣即可。使用載體環20_3作為載體環20時，基板W的第1面F1是藉由載體環20_3的遮罩部22_3L、22_3U來被覆，且從開口部23_3露出。因此，材料膜TF會被形成於從基板W的第1面F1之中開口部23_3露出的中心部。在基板W的第1面F1之中以遮罩部22_3L、22_3U被覆的區域是不被形成材料膜TF。因此，使用圖6及圖7所示的載體環20_3來形成材料膜TF時，材料膜TF會被形成於對應於開口部23_3的基板W的第1面F1的中心部。 (載體環20_4)
圖8是表示載體環20_4的構成例的平面圖。圖9是表示載體環20_4的構成例的剖面圖。圖9是表示沿著圖8的9-9線的剖面。
作為載體環20之一的載體環20_4是從對應於基板W的第1面F1垂直方向(Z方向)看時，具有與基板W的直徑相等或具有更大的直徑的大略圓形的形狀。因此，在將基板W搭載於載體環20_4時，若從Z方向看，則載體環20_4是與基板W重複，下部電極60的外緣是位於比基板W的外緣更外側。
載體環20_4是具備外緣部21_4及遮罩部22_4U、22_4L。外緣部21_4是被設在遮罩部22_4U、22_4L的外緣，被形成比遮罩部22_4U、22_4L更厚。
遮罩部22_4U是搭載基板W的沉孔部，接觸於基板W的第1面F1(背面)而予以遮罩。遮罩部22_4U是除了X方向的兩端，具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_4內，被搭載於遮罩部22_4U。基板W的外緣是位於外緣部21_4與遮罩部22_4U的階差部附近。
遮罩部22_4L是被設在遮罩部22_4U之下的沉孔部，雖不直接接觸於基板W的第1面F1(背面)，但予以遮罩。遮罩部22_4L是除了X方向的兩端，具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_4內，被搭載於遮罩部22_4L的上方。
在遮罩部22_4U、22_4L的±X方向的外側是設有開口部23_4a、23_4b。開口部23_4a、23_4b是延伸於對於基板W的第1面F1大略平行的Y方向。遮罩部22_4U、22_4L是被覆基板W的第1面F1的中心部，開口部23_4a、23_4b是露出基板W的±X方向的兩端部。
在以遮罩部22_4L、22_4U被覆的基板W的第1面F1的第1區域與在開口部23_4a、23_4b露出的基板W的第1面F1的第2區域之間，遮罩部22_4L是突出至比遮罩部22_4U更±X方向。亦即，在區劃第1區域及第2區域的遮罩部22_4L、22_4U的緣部，遮罩部22_4L是比遮罩部22_4U更突出至對於開口部23_4a、23_4b的延伸方向大略垂直方向(±X方向)。因此，如圖9所示般，在開口部23_4a、23_4b間的遮罩部22_4U、22_4L的X方向的兩緣部中，遮罩部22_4U及遮罩部22_4L具有階差部ST。在階差部ST中，遮罩部22_4U是比遮罩部22_4L更凹下至±X方向。
在遮罩部22_4L、22_4U是設有裝置1的升降銷所通過的銷孔PH。升降銷是在將基板W搭載於載體環20時，或從載體環20搬送時，用以通過銷孔PH來將基板W升降的銷。藉由升降銷通過銷孔PH，可將載體環20上的基板W從第1面F1側頂起而舉起。載體環20_4的其他的構成是與載體環20_1～20_3的任一的構成同樣即可。 (載體環20_5)
圖10是表示載體環20_5的構成例的平面圖。圖11是表示載體環20_5的構成例的剖面圖。圖11是表示沿著圖10的11-11線的剖面。
作為載體環20的1個的載體環20_5是在從對於基板W的第1面F1垂直方向(Z方向)來看時，具有與基板W的直徑相等或具有更大的直徑的大略圓形的形狀。因此，在將基板W搭載於載體環20_5時，若從Z方向看，則載體環20_5是與基板W重複，下部電極60的外緣是位於比基板W的外緣更外側。
載體環20_5是具備外緣部21_5及遮罩部22_5U、22_5L。外緣部21_5是被設在遮罩部22_5U、22_5L的外緣，被形成比遮罩部22_5U、22_5L更厚。
遮罩部22_5U是搭載基板W的沉孔部，接觸於基板W的第1面F1(背面)而予以遮罩。遮罩部22_5U是具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_5內，被搭載於遮罩部22_5U。基板W的外緣是位於外緣部21_5與遮罩部22_5U的階差部附近。
遮罩部22_5L是被設在遮罩部22_5U之下的沉孔部，不直接接觸於基板W的第1面F1(背面)，但予以遮罩。遮罩部22_5L是具有與基板W的直徑大略相等或大若干的直徑。藉此，基板W是被容納於外緣部21_5內，被搭載於遮罩部22_5L的上方。
在載體環20_5，除了遮罩部22_5U、22_5L的中心部及±X方向的兩端部，設有開口部23_5a、23_5b。開口部23_5a、23_5b是延伸於對於基板W的第1面F1大略平行的Y方向。遮罩部22_5U、22_5L是被覆基板W的第1面F1的中心部及±X方向的兩端部(第1區域)。開口部23_5a、23_5b是露出中心部及±X方向的兩端部以外的基板W的中間部(第2區域)。
在以遮罩部22_5L、22_5U被覆的基板W的第1面F1的第1區域與在開口部23_5a、23_5b露出的基板W的第1面F1的第2區域之間(區劃第1區域與第2區域的遮罩部22_5L、22_5U的緣部)，遮罩部22_5L是突出至比遮罩部22_5U更±X方向及±Y方向。亦即，在開口部23_5a、23_5b的周圍，遮罩部22_5L是比遮罩部22_5U更突出至開口部23_5a、23_5b的延伸方向(±Y方向)，且突出至對於開口部23_5a、23_5b的延伸方向大略垂直方向(±X方向)。因此，如圖10所示般，在開口部23_5a、23_5b的周圍的遮罩部22_5U、22_5L的緣部中，遮罩部22_5U與遮罩部22_5L具有階差部ST。在階差部ST中，遮罩部22_5U是比遮罩部22_5L更凹下至±Y方向及±X方向。
升降銷P是通過開口部23_5a、23_5b內，舉起基板W。因此，在遮罩部22_5L、22_5U是未設置銷孔PH。載體環20_5的其他的構成是與載體環20_1～20_4的任一的構成同樣即可。
使用載體環20_5作為載體環20時，基板W的第1面F1是藉由載體環20_5的遮罩部22_5L、22_5U來被覆，且從開口部23_5a、23_5b露出。因此，在基板W的第1面F1之中從開口部23_5a、23_5b露出的區域形成有材料膜TF。在基板W的第1面F1之中以遮罩部22_5L、22_5U被覆的區域是不被形成材料膜TF。因此，使用圖10及圖11所示的載體環20_5來形成材料膜TF時，材料膜TF會被形成於對應於開口部23_5a、23_5b的基板W的第1面F1。
其次，使用載體環20_1～20_5來說明有關將材料膜TF形成於基板W的第1面F1的方法。
圖12A～圖12D是表示使用了載體環20_5的材料膜TF的形成方法作為一例的剖面圖。
在裝置1的腔室10內，如圖12A所示般，被載置於升降銷P上的基板W是藉由升降銷P的下降，如圖12B所示般，被載置於載體環20_5的遮罩部22_5U上。
其次，藉由從下部電極60供給製程氣體，在從開口部23_5a、23_5b露出的基板W的第1面F1形成材料膜TF。此時，材料膜TF是在與下部電極60對向的遮罩部22_5L的背面及開口部23_5a、23_5b的內壁也被堆積。在開口部23_5a、23_5b的內壁是遮罩部22_5L、22_5U會構成階差部ST。在階差部ST是遮罩部22_5U會比遮罩部22_5L更凹下至±X方向。又，遮罩部22_5U的厚度是圖12C所示般，材料膜TF會薄成在遮罩部22_5U的側壁幾乎不被形成。
遮罩部22_5L與基板W之間的間隔是例如0.2mm～1.0mm。此情況，在遮罩部22_5L與基板W之間的間隙是藉由電漿而被電離的製程氣體不進入。因此，材料膜TF是在遮罩部22_5U的側壁幾乎不被形成。
因此，材料膜TF的形成後，被形成於基板W的第1面F1的材料膜TF是與被堆積於遮罩部22_5L的材料膜TF大致分離。藉此，如圖12D所示般，以升降銷P舉起基板W時，在基板W的第1面F1不產生材料膜TF的毛邊。
另一方面，圖13A及圖13B是表示比較例的圖。就比較例而言，遮罩部22在開口部23的內壁不具有階差部ST。此情況，材料膜TF是如圖13A所示般，跨越遮罩部22的背面、開口部23的內壁及基板W的第1面F1而連續性地形成。
如圖13B所示般，在以升降銷P來舉起基板W時，基板W的第1面F1的材料膜TF的端部會藉由被留置於開口部23的內壁的材料膜TF來拉伸而產生毛邊。材料膜TF的毛邊是在之後的工程中形成微粒的原因。
相對於此，根據本實施形態的載體環20_5是在開口部23_5a、23_5b的內壁具有階差部ST，因此材料膜TF的形成後，基板W的材料膜TF是與被堆積於遮罩部22_5L的材料膜TF大致分離。藉此，以升降銷P舉起基板W時，在基板W的第1面F1不產生材料膜TF的毛邊。
在此，說明有關基板W的彎曲。
圖14是表示基板W的彎曲與字元線WL的關係的概念圖。在立體型記憶格陣列中，字元線WL是被層疊於Z方向，藉由延伸於Z方向的縫隙(未圖示)來電性分離。從Z方向看的平面視，縫隙延伸於Y方向時，字元線WL也如圖14所示般延伸於Y方向。
基板W的彎曲是依據字元線WL的延伸方向。例如，當字元線WL的延伸方向為Y方向時，基板W是如圖14所示般，在Y方向的中心部朝-Z方向凹下，在兩端部朝+Z方向上升。亦即，基板W是在Y方向的剖面，彎曲成大略U字狀(碗型)。如此的基板W的彎曲是恐有在半導體製造工程中對於基板W的搬送帶來障礙之虞。又，基板W的彎曲是成為成品率的降低的原因。於是，就本實施形態而言，是在基板W的背面形成材料膜TF，矯正字元線WL所致的基板W的彎曲。
圖15是表示在基板W的第1面F1形成材料膜TF時的基板W的彎曲量的圖表。橫軸是表示材料膜TF的厚度Ttf。縱軸是表示材料膜TF所致的基板W的彎曲量。基板W的彎曲量是表示中心部相對於基板W的端部的Z方向的位置。因此，在此圖表中，+Z方向是意思基板W的中心部比端部更突出，山型地形成凸狀態的情形。-Z方向是基板W的中心部比端部更下凹，碗型地形成凹狀態的情形。又，圖16A及圖16B是表示在基板W的第1面F1形成材料膜TF時的基板W的彎曲的概念圖。
材料膜TF為矽氮化膜時，基板W是如圖16A所示般，其中心部會比端部更突出而彎取成山型。如圖15所示般，若材料膜TF(矽氮化膜)的膜厚Ttf變厚，則基板W的彎曲量增大。
材料膜TF為矽氧化膜時，基板W是如圖16B所示般，其中心部會比端部更凹陷而彎曲成碗型。如圖15所示般，若材料膜TF(矽氧化膜)的膜厚Ttf變厚，則基板W的彎曲量增大。
就本實施形態而言，是利用圖15、圖16A及圖16B所示的特性，矯正圖14所示的基板W的彎曲。因此，使對應於基板W的彎曲狀態及彎曲量的材料膜TF部分地膜厚不同來形成於基板W的第1面F1。
例如，基板W彎曲成碗型(基板W的中心比基板W的端部更接近下部電極60)時，為了對基板W施加相反的應力，而在第1面F1形成矽氮化膜。矽氮化膜是例如以電漿CVD法，使用包含SiH 4、NH 3、H 2、N 2、Ar的氣體作為製程氣體來形成。亦即，藉由基板W的彎曲，基板W的中心比基板W的端部更接近下部電極60時，氣體導入部30是只要將包含SiH 4、NH 3、H 2、N 2、Ar的製程氣體導入至腔室10即可。
另一方面，基板W彎曲成山型(基板W的端部比基板W的中心更接近下部電極60)時，為了對基板W施加相反的應力，在第1面F1形成矽氧化膜。矽氧化膜是例如以電漿CVD法，使用包含SiH 4、N 2O、H 2、N 2、Ar的氣體作為製程氣體來形成。亦即，藉由基板W的彎曲，基板W的端部比基板W的中心更接近下部電極60時，氣體導入部30是只要將包含SiH 4、N 2O、H 2、N 2、Ar的製程氣體導入至腔室10即可。
例如，如圖14所示般彎曲成碗型的基板W時，裝置1是將矽氮化膜作為材料膜TF堆積於基板W的第1面(背面)F1。若將矽氮化膜堆積於基板W的第1面F1，則基板W是如圖16A所示般以和碗型相反地彎曲成山型的方式接受應力。此時，為了有效地矯正基板W的Y方向的碗型的彎曲，而材料膜TF是在圖14的X方向的基板W的中心部以延伸於Y方向的方式形成比較厚為理想。進一步，材料膜TF是形成為隨著離開X方向的基板W的中心線而逐漸變薄即可。藉此，在X方向的基板W的中心線附近，比較強矯正基板W的彎曲，隨著離開基板W的中心線而弱矯正。其結果，可有效地將彎曲成碗型的基板W矯正為接近平坦。
例如，在裝置1中，首先，將圖2及圖3的載體環20_1設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向(Y方向)會與圖2的開口部23_1的延伸方向大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_1上。其次，控制器100是以預定的流量FR1來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_1的基板W的中心部以預定的厚度T1形成，在除此以外的區域是不被形成。
其次，將圖4及圖5的載體環20_2設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與開口部23_2的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_2上。其次，控制器100是以預定的流量FR2來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_2的基板W的中心部以預定的厚度T2形成，在除此以外的區域是不被形成。此時，對應於開口部23_1的基板W的區域的材料膜TF是成為T1+T2的厚度。
其次，將圖6及圖7的載體環20_3設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與開口部23_3的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_3上。其次，控制器100是以預定的流量FR3導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_3的基板W的中心部以預定的厚度T3形成，在除此以外的區域是不被形成。此時，對應於開口部23_1的基板W的區域的材料膜TF是成為T1+T2+T3的厚度。對應於開口部23_1以外的開口部23_2的基板W的區域的材料膜TF是成為T2+T3的厚度。
其次，將圖8及圖9的載體環20_4設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與開口部23_4a、23_4b的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_4上。其次，控制器100是以預定的流量FR4來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_4a、23_4b的基板W的兩端部以預定的厚度T4形成，在除此以外的區域是不被形成。此時，在對應於開口部23_1～23_3的基板W的區域是不形成材料膜TF。因此，材料膜TF的厚度是在對應於開口部23_1的基板W的區域維持T1+T2+T3。對應於開口部23_1以外的開口部23_2的基板W的區域的材料膜TF是維持T2+T3的厚度。進一步，對應於開口部23_1、23_2以外的開口部23_3的基板W的區域的材料膜TF是成為T3的厚度。
在此，若設為T1+T2+T3＞T2+T3＞T3＞T4，則材料膜TF是在基板W的中心部變厚，隨著往±X方向的兩端部而變薄。藉由將如此的材料膜TF形成於基板W的第1面F1，可高精度且有效地矯正或控制延伸於基板W的Y方向的字元線WL所致的基板W的彎曲。
就本實施形態而言，是如此使用圖2～圖9所示的4個的載體環20_1～20_4來將材料膜TF部分地改變厚度而形成於基板W的第1面F1。亦即，裝置1是具備開口部23_1～23_4的X方向的寬度彼此相異的4個的載體環20_1～20_4作為1組。
但，載體環20的種類或個數是不被特別限定，亦可為3以下，亦可為5以上。又，遮罩部22的形狀也不被限定於載體環20_1～20_4的遮罩部22_1U～22_4U、22_1L～22_4L的形狀。
例如，亦可使用圖2及圖3的載體環20_1、圖10及圖11的載體環20_5、圖8及圖9的載體環20_4來形成材料膜TF。
更詳細是首先將圖2及圖3的載體環20_1設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與圖2的開口部23_1的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_1上。其次，控制器100是以預定的流量FR1來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_1的基板W的中心部以預定的厚度T1形成，在除此以外的區域是不被形成。
其次，將圖10及圖11的載體環20_5設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與開口部23_5a、23_5b的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_5上。其次，控制器100是以預定的流量FR5來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_5a、23_5b的基板W的區域中以預定的厚度T5形成，在除此以外的區域是不被形成。亦即，在對應於開口部23_1的基板W的中心部是材料膜TF不被形成。
其次，將圖8及圖9的載體環20_4設置於腔室10內。以基板W的字元線WL的延伸方向會與開口部23_4a、23_4b的延伸方向(Y方向)大略平行的方式，將基板W搭載於載體環20_4上。其次，控制器100是以預定的流量FR4來導入製程氣體，將此製程氣體從下部電極60往基板W的第1面F1供給。藉此，材料膜TF是在對應於開口部23_4a、23_4b的基板W的兩端部以預定的厚度T4形成，在除此以外的區域是不被形成。此時，在對應於開口部23_1、23_5a、23_5b的基板W的區域是材料膜TF不被形成。因此，材料膜TF的厚度是在對應於開口部23_1的基板W的區域維持T1。對應於開口部23_5a、23_5b的基板W的區域的材料膜TF是維持T5的厚度。進一步，對應於開口部23_4a、23_4b的基板W的區域的材料膜TF是成為T4的厚度。
在此，若T1＞T5＞T4，則材料膜TF是在基板W的中心部變厚，隨著往±X方向的兩端部而變薄。藉由如此使用3個的載體環20_1、20_5、20_4來將材料膜TF形成於基板W的第1面F1，可高精度且有效地矯正或控制延伸於基板W的Y方向的字元線WL所致的基板W的彎曲。 (第2實施形態)
圖17～圖20是表示根據第2實施形態的載體環20_1～20_3、20_5的構成例的平面圖。另外，根據第2實施形態的載體環20_4是可與圖8及圖9所示的構成相同。又，圖17～圖20的沿著3-3線、5-5線、7-7線、11-11線的剖面是分別可與圖3、圖5、圖7、圖11所示的剖面相同。
就第2實施形態而言，是在載體環20_1～20_3、20_5的開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b的Y方向的兩端部，在外緣部21_1的內緣部設有遮罩部22_1U～20_3U、22_5U的端部22_1Ue～22_5Ue。但，對於端部22_1Ue～22_5Ue朝開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b側突出般的遮罩部22_1L～20_3L、22_5L的端部22_1Le～22_5Le是未被設置。亦即，在開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b的Y方向的兩端部附近，遮罩部22_1U～20_3U、22_5U與遮罩部22_1L～20_3L、22_5L所致的階差部ST是未被設置。另外，雖端部22_1Le～22_5Le是不構成階差部ST，但亦可對於端部22_1Ue～22_5Ue重複設置。第2實施形態的載體環20_1～20_3、20_5的其他的構成是與第1實施形態的該等同樣即可。
在開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b的Y方向的兩端部附近，階差部ST不被形成的情況，在基板W的第1面F1形成材料膜TF時，有在對應於端部22_1Ue～22_5Ue的基板W的區域中殘留毛邊的情況。但，對應於端部22_1Ue～22_5Ue的基板W的區域是基板W的外緣部，可在斜面蝕刻工程除去材料膜TF的毛邊。因此，即使在根據第2實施形態的載體環20_1～20_5形成材料膜TF，只要之後在斜面蝕刻工程除去材料膜TF的毛邊即可。藉此，第2實施形態是可取得與第1實施形態同樣的效果。 (第3實施形態)
圖21～圖24是表示根據第3實施形態的載體環20_1～20_3、20_5的構成例的平面圖。另外，根據第3實施形態的載體環20_4是可與圖8及圖9所示的構成同樣。又，圖21～圖24的沿著3-3線、5-5線、7-7線、11-11線的剖面是分別可與圖3、圖5、圖7、圖11所示的剖面相同。
就第3實施形態而言，是在載體環20_1～20_3、20_5的開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b的Y方向的兩端部，遮罩部22_1U～20_3U、22_5U的端部22_1Ue～22_5Ue及遮罩部22_1L～20_3L、22_5L的端部22_1Le～22_5Le都不被設在外緣部21_1的內緣部。第3實施形態的載體環20_1～20_3、20_5的其他的構成是與第1實施形態的該等同樣即可。
無端部22_1Ue～22_5Ue及22_1Le～22_5Le的情況，在基板W的第1面F1形成材料膜TF時，有材料膜TF被形成於基板W的側面的邊緣部的情況。但，對應於端部22_1Ue～22_5Ue的基板W的區域是基板W的外緣部，可在斜面蝕刻工程除去不要的材料膜TF。因此，即使在根據第3實施形態的載體環20_1～20_5形成材料膜TF，只要之後在斜面蝕刻工程除去材料膜TF的毛邊即可。藉此，第3實施形態是可取得與第1實施形態同樣的效果。 (第4實施形態)
圖25、圖27、圖29、圖31、圖33是表示根據第4實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的平面圖。圖26、圖28、圖30、圖32、圖34是表示根據第4實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的剖面圖。圖25～圖34是表示根據第4實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的圖。
就第4實施形態而言，遮罩部22_1U～22_5U是分別沿著載體環20_1～20_5的外緣部21_1～21_5而設。亦即，遮罩部22_1U～22_5U是不延伸至開口部23_1～23_5b的緣部，只被設在外緣部21_1～21_5的內緣部。又，遮罩部22_1L～22_5L是部分地被設在藉由載體環20_1～20_5的外緣部21_1～21_5所包圍的區域，被覆基板W的第1面F1的±X方向的兩端部及/或中心部(第1區域)。因此，以遮罩部22_1U～22_5U及遮罩部22_1L～22_5L所構成的階差部ST是沿著外緣部21_1～21_5而設。就第4實施形態而言，在開口部23_1～23_3、23_5a、23_5b的Y方向的兩端部是設有遮罩部22_1U～22_3U、22_5U的端部22_1Ue～22_5Ue。
另外，就圖31的載體環20_4而言，遮罩部22_4U是沿著載體環20_4的外緣部21_4的全體而設。又，載體環20_4是在X方向的兩端部具有複數的開口部23_4a、23_4b。遮罩部22_4L是被設在載體環20_4的中心部(第1區域)，被設在遮罩部22_4L的X方向的兩側之開口部23_4a、23_4b是使基板W的第1面F1的第2區域露出。在開口部23_4a、23_4b的緣部之中對應於外緣部21_4的部分是設有遮罩部22_4U。在除此以外的開口部23_4a、23_4b的緣部是設有遮罩部22_4L。以下，就載體環20_4而言，是在X方向的兩端部，將被設在面對開口部23_4a、23_4b的外緣部21_4的內緣部之遮罩部22_4U稱為端部22_4Ue。如此，在遮罩部22_4L被覆基板W的第1面F1之第1區域中，遮罩部22_4U是不延伸至開口部23_4a、23_4b的緣部，遮罩部22_4U的端部22_4Ue會只被設在外緣部21_4的內緣部。因此，除了被設置了開口部23_4a、23_4b的X方向的兩端部，在外緣部21_4的Y方向兩側的內緣部中，以遮罩部22_4U及遮罩部22_4L所構成的階差部ST會沿外緣部21_4而設。
第4實施形態的載體環20_1～20_5的其他的構成是可與第1實施形態的該等同樣。
就第4實施形態而言，階差部ST會沿著外緣部21_1～21_5而設，但在將基板W搭載於載體環20_1～20_5時，基板W與遮罩部22_1L～22_5L的間隔是被維持。因此，使用根據第4實施形態的載體環20_1～20_5來形成材料膜TF，也可取得與第1實施形態同樣的效果。 (第5實施形態)
圖35～圖39是表示根據第5實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的平面圖。根據第5實施形態的載體環20_1～20_5的各個的剖面是對應於圖26、圖28、圖30、圖32、圖34所示的剖面。另外，載體環20_4的剖面是成為從圖32的構成省略端部22_4Ue的剖面。
第5實施形態是第4實施形態與第3實施形態的組合。
就第5實施形態而言，是在載體環20_1～20_5的開口部23_1～23_5b中，未設有位於Y方向的兩端部的遮罩部22_1U～22_5U的端部22_1Ue～22_5Ue。第5實施形態的載體環20_1～20_3、20_5的其他的構成是可與第4實施形態的該等同樣。
另外，就圖38的載體環20_4而言，遮罩部22_4U是沿著載體環20_4的外緣部21_4的一部分而設。在面對開口部23_4a、23_4b的外緣部21_4是遮罩部22_4Ue未被設置。遮罩部22_4U是被設在載體環20_4的外緣部21_4之中開口部23_4a、23_4b以外的部分。圖38的載體環20_4的除此以外的構成是與圖31的載體環20_4的構成同樣即可。亦即，在遮罩部22_4L被覆基板W的第1面F1的第1區域中，遮罩部22_4U是延伸至開口部23_4a、23_4b的緣部，只被設在外緣部21_4的內緣部。因此，以遮罩部22_4U及遮罩部22_4L所構成的階差部ST是沿著外緣部21_4而設。
無端部22_1Ue～22_5Ue的情況，在基板W的第1面F1形成材料膜TF時，有材料膜TF被形成於基板W的側面的邊緣部的情況。但，對應於端部22_1Ue～22_5Ue的基板W的區域是基板W的外緣部，可在斜面蝕刻工程除去不要的材料膜TF。因此，即使在根據第5實施形態的載體環20_1～20_5形成材料膜TF，只要之後在斜面蝕刻工程除去材料膜TF的毛邊即可。藉此，第5實施形態是可取得與第4實施形態同樣的效果。 (第6實施形態)
圖40、圖42、圖44、圖46、圖48是表示根據第6實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的平面圖。圖41、圖43、圖45、圖47、圖49是表示根據第6實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的剖面圖。
根據第6實施形態的載體環20_1～20_5是分別具備突起部25_1～25_5。突起部25_1～25_5是被分散於遮罩部22_1L～22_5L上而配置成大略均等。
例如，就圖40～圖45的載體環20_1～20_3而言，突起部25_1～25_3會各2個夾著開口部23_1～23_3來島狀地配置於兩側的遮罩部22_1L上。突起部25_1～25_3是在延伸於X方向的載體環20_1～20_3的中心軸上，在載體環20_1～20_3及離基板W的中心大致相等的距離大略均等地被配置。突起部25_1～25_3是具有與遮罩部22_1U～22_3U大致相同的高度(Z方向的高度)，以和遮罩部22_1U～22_3U相同的材料所構成。因此，突起部25_1～25_3是在基板W被載置於載體環20_1～20_3上時，從第1面F1側支撐基板W。藉此，可抑制基板W接觸於遮罩部22_1L～22_3L，可抑制在材料膜TF產生毛邊。
就圖46及圖47的載體環20_4而言，3個的突起部25_4會在開口部23_4a、23_4b的延伸方向(Y方向)被配置於遮罩部22_4L上。突起部25_4是在延伸於Y方向的載體環20_4的中心軸上，在載體環20_4及基板W的中心及離該中心大致相等的距離大略均等地被配置。突起部25_4是具有和遮罩部22_4U大致相同的高度(Z方向的高度)，以和遮罩部22_4U相同的材料所構成。因此，突起部25_4是在基板W被載置於載體環20_4上時，從第1面F1側支撐基板W。藉此，可抑制基板W接觸於遮罩部22_4L，可抑制在材料膜TF產生毛邊。
就圖48及圖49的載體環20_5而言，5個的突起部25_5會在開口部23_5a、23_5b的延伸方向(Y方向)及與該延伸方向的方向(X方向)被配置於遮罩部22_5L上。1個的突起部25_5是被配置於載體環20_5及基板W的中心。4個的突起部25_5是在延伸於X方向的載體環20_5的中心軸及延伸於Y方向的載體環20_5的中心軸上，在載體環20_5及離基板W的中心大致相等的距離大略均等地被配置。突起部25_5是具有與遮罩部22_5U大致相同的高度(Z方向的高度)，以和遮罩部22_5U相同的材料所構成。因此，突起部25_5是在基板W被載置於載體環20_5上時，從第1面F1側支撐基板W。藉此，可抑制基板W接觸於遮罩部22_5L，可抑制毛邊產生於材料膜TF。
第6實施形態的載體環20_1～20_5的其他的構成是可與第4實施形態的該等的構成同樣。因此，第6實施形態是第4實施形態的效果也可取得。 (第7實施形態)
圖50～圖54是表示根據第7實施形態的載體環20_1～20_5的構成例的平面圖。另外，圖50～圖54的沿著41-41線、43-43線、45-45線、47-47線、49-49線的剖面是分別對應於圖41、圖43、圖45、圖47、圖49所示的剖面相同。
第7實施形態是第6實施形態與第3實施形態的組合。
就第7實施形態而言，是在載體環20_1～20_5的開口部23_1～23_5b，未設有位於Y方向的兩端部的遮罩部22_1U～22_5U的端部22_1Ue～22_5Ue。第7實施形態的載體環20_1～20_5的其他的構成是與第6實施形態的該等同樣即可。
無端部22_1Ue～22_5Ue的情況，在基板W的第1面F1形成材料膜TF時，有材料膜TF被形成於基板W的側面的邊緣部的情況。但，對應於端部22_1Ue～22_5Ue的基板W的區域是基板W的外緣部，可在斜面蝕刻工程除去不要的材料膜TF。因此，即使在根據第5實施形態的載體環20_1～20_5形成材料膜TF，只要之後在斜面蝕刻工程除去材料膜TF的毛邊即可。藉此，第7實施形態是可取得與第6實施形態同樣的效果。
第4～第7實施形態是基板W與遮罩部22_1U～22_5U的接觸面積會比較小，可抑制基板W的第1面F1的損傷。 (實施形態的變形例)
圖55及圖56是表示遮罩部22_nL(n=1～5)的緣部的形狀的剖面圖。如圖55所示般，遮罩部22_nL的緣部是亦可在開口部23_n側尖成鋭角。另一方面，如圖56所示般，遮罩部22_nL的緣部是亦可成圓弧。此情況，來自遮罩部22_nL的緣部的異常放電會被抑制，可抑制裝置1的零件的損傷、基板W的損傷、材料膜TF的成膜異常。
圖57及圖58是表示遮罩部22_nU的緣部的形狀的剖面圖。如圖57所示般，遮罩部22_nU的緣部是亦可在開口部23_n側尖成鋭角。在此，遮罩部22_nU的鋭角的前端是接觸於遮罩部22_nL。此情況，可抑制來自遮罩部22_nU的緣部的異常放電，可抑制裝置1的零件的損傷、基板W的損傷、材料膜TF的成膜異常。如圖58所示般，遮罩部22_nU的緣部是亦可成圓弧。此情況，來自遮罩部22_nU的端部的異常放電也會被抑制，可抑制裝置1的零件的損傷、基板W的損傷、材料膜TF的成膜異常。
圖59是表示遮罩部22_nU的基板搭載面的形狀的剖面圖。搭載基板W的遮罩部22_nU的表面是亦可被模壓加工而形成凹凸狀。藉此，可抑制基板W的第1面F1的損傷。 (包含緩衝室及搬送裝置的裝置1全體的構成)
圖60是表示包含緩衝室及搬送裝置的裝置1之一例的圖。複數的載體環20_n 是被保持於在接近裝置1的腔室10的緩衝室7內的載置台15的上下方向所複數設置的棚架16。在緩衝室7的旁邊是設有搬送室8。搬送裝置17是將用在朝基板W的背面側的材料膜TF的形成之載體環20_n保持於搬送裝置17的臂，開啟搬送室8與腔室10之間的閘閥14來搬入至腔室10內。藉由選擇任意的載體環20_n，可變更材料膜TF對於基板W的形成位置。亦即，為了形成對應於基板W的彎曲的材料膜TF，而可選擇任意的載體環20_n來取出。緩衝室7及搬送室8是被氣密地保持。
圖1的控制器100是控制為使用搬送裝置17來從緩衝室7取出被選擇的載體環20_n，搬送至腔室10。控制器100是參照被記憶於未圖示的記憶部的處方，以預定的順序來搬送載體環20_n。藉此，控制器100是可將載體環20_1～20_4依序搬送至腔室10，可形成材料膜TF。或，控制器100是可將載體環20_1、20_5、20_4依序搬送至腔室10，可形成材料膜TF。
說明了本發明的幾個的實施形態，但該等的實施形態是作為例子提示者，不是意圖限定發明的範圍。該等實施形態是可在其他的各種的形態被實施，可在不脫離發明的主旨的範圍進行各種的省略、置換、變更。該等實施形態或其變形是與含在發明的範圍或主旨的情形同樣，為申請專利範圍記載的發明及其均等的範圍所包含。
1:半導體製造裝置 10:腔室 20_1～20_5:載體環 21_1～21_5:外緣部 22_1L～22_5L,22_1U～22_5U:遮罩部 23_1～23_5:開口部 PH:銷孔 30:氣體導入部 40,50:氣體分散板 60:下部電極 80:上部電極 90:支柱 100:控制部 110,130:氣體供給源 120,140:配管
[圖1]是表示根據第1實施形態的半導體製造裝置的構成例的概略圖。 [圖2]是表示載體環的構成例的平面圖。 [圖3]是表示載體環的構成例的剖面圖。 [圖4]是表示載體環的構成例的平面圖。 [圖5]是表示載體環的構成例的剖面圖。 [圖6]是表示載體環的構成例的平面圖。 [圖7]是表示載體環的構成例的剖面圖。 [圖8]是表示載體環的構成例的平面圖。 [圖9]是表示載體環的構成例的剖面圖。 [圖10]是表示載體環的構成例的平面圖。 [圖11]是表示載體環的構成例的剖面圖。 [圖12A]是表示使用了載體環的材料膜的形成方法的剖面圖。 [圖12B]是表示使用了載體環的材料膜的形成方法的剖面圖。 [圖12C]是表示使用了載體環的材料膜的形成方法的剖面圖。 [圖12D]是表示使用了載體環的材料膜的形成方法的剖面圖。 [圖13A]是表示比較例的圖。 [圖13B]是表示比較例的圖。 [圖14]是表示基板的彎曲與字元線的關係的概念圖。 [圖15]是表示在基板的第1面形成了材料膜時的基板的彎曲量的圖表。 [圖16A]是表在示基板的第1面形成了材料膜時的基板的彎曲的概念圖。 [圖16B]是表示在基板的第1面形成了材料膜時的基板的彎曲的概念圖。 [圖17]是表示根據第2實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖18]是表示根據第2實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖19]是表示根據第2實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖20]是表示根據第2實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖21]是表示根據第3實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖22]是表示根據第3實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖23]是表示根據第3實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖24]是表示根據第3實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖25]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖26]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖27]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖28]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖29]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖30]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖31]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖32]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖33]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖34]是表示根據第4實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖35]是表示根據第5實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖36]是表示根據第5實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖37]是表示根據第5實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖38]是表示根據第5實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖39]是表示根據第5實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖40]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖41]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖42]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖43]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖44]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖45]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖46]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖47]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖48]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖49]是表示根據第6實施形態的載體環的構成例的剖面圖。 [圖50]是表示根據第7實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖51]是表示根據第7實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖52]是表示根據第7實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖53]是表示根據第7實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖54]是表示根據第7實施形態的載體環的構成例的平面圖。 [圖55]是表示遮罩部的緣部的形狀的剖面圖。 [圖56]是表示遮罩部的緣部的形狀的剖面圖。 [圖57]是表示遮罩部的緣部的形狀的剖面圖。 [圖58]是表示遮罩部的緣部的形狀的剖面圖。 [圖59]是表示遮罩部的基板搭載面的形狀的剖面圖。 [圖60]是表示包含緩衝室及搬送裝置的半導體製造裝置之一例的圖。
20_1:載體環 21_1:外緣部 22_1L,22_1U:遮罩部 23_1:開口部 ST:階差部

Claims (20)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵是具備： 處理容器； 被設在前述處理容器內，將具有第1面及對於該第1面而言位於相反側的第2面之基板從前述第1面側保持的保持部，為包含被覆前述第1面的第1區域且露出該第1區域以外的第2區域的遮罩部之保持部； 在前述處理容器內導入製程氣體的氣體導入部； 被設在前述保持部與前述氣體導入部之間，朝前述基板的前述第1面供給前述製程氣體之第1電極；及 被設在前述基板的第2面側的第2電極，為在前述第1及第2電極之間對前述製程氣體施加電場之第2電極， 前述遮罩部是具有接觸於前述基板的前述第1面的第1層及比該第1層離開前述基板的第2層，前述第1層是在區劃前述第1區域及前述第2區域的前述遮罩部的緣部比前述第2層更往朝向前述第1區域的方向凹下。
  2. 如請求項1記載的半導體製造裝置，其中，前述第1層與前述第2層是構成階差。
  3. 如請求項1記載的半導體製造裝置，其中，具備複數的前述保持部， 前述複數的保持部的各個的前述遮罩部是被覆彼此相異的前述第1區域，且露出彼此相異的前述第2區域。
  4. 如請求項3記載的半導體製造裝置，其中，前述複數的保持部是具有：與前述第2區域對應而被設在前述遮罩部，且將第1方向設為長度方向的開口部， 前述複數的保持部的各個的前述開口部是對於前述第1方向大略正交的第2方向的寬度為彼此相異。
  5. 如請求項3記載的半導體製造裝置，其中，更具備： 收納前述複數的保持部之收納部；及 從前述收納部往前述處理容器內搬送前述複數的保持部之中被選擇的保持部之搬送部。
  6. 如請求項1記載的半導體製造裝置，其中，前述保持部是具有：與前述第2區域對應而被設在前述遮罩部，且將第1方向設為長度方向的開口部， 前述遮罩部的前述第1層與前述第2層是在對於第1方向大略正交的第2方向的前述開口部的兩側的外周構成階差。
  7. 如請求項6記載的半導體製造裝置，其中，前述遮罩部的前述第1層與前述第2層是更在前述開口部的前述第1方向的端部構成階差。
  8. 如請求項6記載的半導體製造裝置，其中，在前述開口部的前述第1方向的端部，前述第1及第2層是未設。
  9. 如請求項1記載的半導體製造裝置，其中，前述第1層是沿著前述保持部的外緣的至少一部分而設。
  10. 如請求項9記載的半導體製造裝置，其中，前述遮罩部是更具備：以離前述保持部的中心大致相等的距離來大略均等地配置於第2層上，具有與前述第1層大致相同的高度之複數的突起部。
  11. 如請求項9記載的半導體製造裝置，其中，前述遮罩部是更具備：包圍前述第1及第2層，形成比前述第1及第2層的合計厚度更厚，突出至比前述保持部所保持的前述基板側之外緣部。
  12. 一種半導體製造裝置，其特徵是具備： 處理容器； 被設在前述處理容器內，將具有第1面及對於該第1面而言位於相反側的第2面之基板從前述第1面側保持的保持部，為包含被覆前述第1面的第1區域且露出該第1區域以外的第2區域的遮罩部之保持部； 在前述處理容器內導入製程氣體的氣體導入部； 被設在前述保持部與前述氣體導入部之間，朝前述基板的前述第1面供給前述製程氣體之第1電極；及 被設在前述基板的第2面側的第2電極，為在前述第1及第2電極之間對前述製程氣體施加電場之第2電極， 前述遮罩部是具有接觸於前述基板的前述第1面的第1層及比該第1層離開前述基板的第2層， 前述第1層是沿著前述保持部的外緣的至少一部分而設， 前述第2層是在藉由前述保持部的前述外緣所包圍的區域，與前述第1區域對應而部分地設置。
  13. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，前述第1層與前述第2層是構成階差。
  14. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，具備複數的前述保持部， 前述複數的保持部的各個的前述遮罩部是被覆彼此相異的前述第1區域，且露出彼此相異的前述第2區域。
  15. 如請求項14記載的半導體製造裝置，其中，前述複數的保持部是具有：與前述第2區域對應而被設在前述遮罩部，且將第1方向設為長度方向的開口部， 前述複數的保持部的各個的前述開口部是對於前述第1方向大略正交的第2方向的寬度為彼此相異。
  16. 如請求項14記載的半導體製造裝置，其中，更具備： 收納前述複數的保持部之收納部；及 從前述收納部往前述處理容器內搬送前述複數的保持部之中被選擇的保持部之搬送部。
  17. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，前述遮罩部是更具備：以離  前述保持部的中心大致相等的距離來大略均等地配置於第2層上，具有與前述第1層大致相同的高度之複數的突起部。
  18. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，前述保持部是具有：與前述第2區域對應而被設在前述遮罩部，且將第1方向設為長度方向的開口部， 在前述開口部的前述第1方向的端部設置前述第1層。
  19. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，前述保持部是具有：與前述第2區域對應而被設在前述遮罩部，且將第1方向設為長度方向的開口部， 在前述開口部的前述第1方向的端部未設前述第1層。
  20. 如請求項12記載的半導體製造裝置，其中，前述遮罩部是更具備：包圍前述第1及第2層，形成比前述第1及第2層的合計厚度更厚，突出至比前述保持部所保持的前述基板側之外緣部。
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