CN111696892A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明构思提供一种用于处理基板的装置和方法。所述装置包括：索引模块和处理模块，处理模块设置为邻接于所述索引模块并处理所述基板。所述索引模块包括：一个或多个装载端口，各装载端口上放置有载体，所述载体具有接收在其中的所述基板；侧存储器，其存储在所述处理模块中经受处理的所述基板，并清除所述基板上的烟雾；和传送框架，其包括索引机械手，所述索引机械手在放置在所述装载端口上的所述载体、所述侧存储器和所述处理模块之间传送所述基板。所述侧存储器包括：壳体，其具有内部空间；分隔单元，其将所述内部空间分隔成彼此独立的多个接收空间；和排气单元，其独立地且分别地排空所述多个接收空间。

Description

用于处理基板的装置和方法
相关技术的交叉引用
本申请要求于2019年03月13日提交韩国工业产权局、申请号为10-2019-0028919的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体设备，执行例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺等不同工艺以在基板上形成图案。在这些工艺中，蚀刻工艺，离子注入工艺和薄膜沉积工艺在真空气氛中在基板上执行。当基板从真空气氛移至大气气氛并暴露于氧气时，在基板上形成颗粒和烟雾。因此，在基板处理工艺之后，在将基板存储在缓冲单元中的情况下，执行清除颗粒和烟雾的工艺。
缓冲单元包括具有内部空间的壳体。壳体的内部空间被设置为接收多个基板的空间。图1为示出了常规缓冲单元的立体图。参照图1，通过用气体填充壳体4的内部空间6、排空内部空间6并调节内部空间6中的温度，来清除残留在基板上的颗粒和烟雾。壳体4具有在垂直方向上延伸的容器的形状，并且基板接收在内部空间6中以布置在垂直方向上。
由于在其中同时接收多个基板的缓冲单元2的结构，提高了基板处理量。但是，根据基板的放置位置，会发生气体流速偏差和温度偏差。因此，清除颗粒和烟雾的效率可根据基板的位置而变化。
另外，在仅壳体4的内部空间6的一部分填充有基板的状态下、清除颗粒和烟雾的情况下，在接收基板的区域和不接收基板的区域之间存在较大差异。
发明内容
本发明构思的实施方案提供一种装置，该装置用于处理接收在壳体中的多个基板，而不具有根据位置的偏差。
本发明构思的实施方案提供一种用于处理基板的装置和方法。
根据一示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：索引模块和处理模块，处理模块设置为邻接于所述索引模块并处理所述基板。所述索引模块包括：一个或多个装载端口，各装载端口上放置有载体，所述载体具有接收在其中的所述基板；侧存储器，其存储在所述处理模块中经受处理的所述基板，并清除所述基板上的烟雾；和传送框架，其具有安装在其中的索引机械手，其中所述索引机械手在放置在所述装载端口上的所述载体、所述侧存储器和所述处理模块之间传送所述基板。所述侧存储器包括：壳体，其具有内部空间；分隔单元，其将所述内部空间分隔成彼此独立的多个接收空间；和排气单元，其独立地且分别地排空所述多个接收空间。
所述分隔单元可设置为使得所述多个接收空间在彼此上方堆叠。
所述分隔单元可包括：分隔板，其分隔所述内部空间；和第一温度调节构件，其调节所述分隔板的温度。
所述侧存储器还可包括气体供应单元，该气体供应单元将气体供应至所述多个接收空间中，且所述气体供应单元可包括：气体供应管线，该气体供应管线连接至所述多个接收空间；和第二温度调节构件，其安装在所述气体供应管线上，以调节所述气体的温度。
所述装置还可包括控制器，所述控制器控制所述排气单元，且所述控制器可不同地调节从所述多个接收空间排放的气体的量。
所述处理模块包括多个处理单元，所述多个处理单元执行N个不同的处理(N为大于1的整数)，且可提供M个接收空间(M为大于或等于N的整数)。
根据一示例性实施方案，一种使用装置处理基板的方法包括：在所述处理模块中处理所述基板的处理步骤；和在所述处理步骤之后，在所述多个接收空间中后处理所述基板的后处理步骤，并且独立地且分别地排空所述多个接收空间。
在所述后处理步骤中，第一基板可接收在第一空间中，所述第一空间为所述多个接收空间之一；且第二基板可接收在第二空间中，所述第二空间为所述多个接收空间的另一个。在所述处理步骤中，所述第一基板和所述第二基板可经受不同的处理。从所述第一空间和所述第二空间排放的气体的量可彼此不同。
在所述后处理步骤中，所述基板可接收在各所述多个接收空间中。其中，接收在各所述多个接收空间中的所述基板可在所述处理步骤中经受相同的处理。同一地调节从所述多个接收空间中排放的气体的量。
所述多个接收空间可通过温度可调节的分隔板彼此分隔，且所述多个接收空间的温度可通过所述分隔板同一地调节。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有规定，否则贯穿各种附图中，相同的附图标记表示相同部件，并且其中：
图1为示出了常规缓冲单元的立体图；
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的示意性平面图；
图3为图2的气体处理装置的剖视图；
图4为示出了图2的缓冲单元的立体图；
图5为示出了图4的缓冲单元的平面图；
图6为沿图4的线A-A获取的剖视图；
图7为示出了图4的基板支承单元和分隔单元的立体图；
图8为示出了图7的分隔板和第一温度调节构件的平面图；
图9为示出了经受不同处理的基板接收在图4的缓冲单元中的状态的图；和
图10为示出了经受相同处理的基板接收在图4的缓冲单元中的状态的图。
具体实施方式
可以对本发明构思的实施方案进行各种修改和变化，且本发明构思的范围不应解释为限制于本文中阐述的实施方案中。提供这些实施方案，将使得本公开彻底和完整，并将为本领域的技术人员充分地传达本发明构思的范围。因此，在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的形状。
下文中，将描述根据本发明构思的实施方案的、使用等离子体蚀刻基板的基板处理装置。然而，并不限于此，本发明构思适于用于使用气体处理基板的各种类型的装置。
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的示意性平面图。
参照图2，基板处理设备1具有索引模块10、装载模块30和处理模块20，并且索引模块10具有装载端口120、传送框架140和缓冲单元2000。装载端口120、传送框架140、装载模块30和处理模块20依序布置成一排。以下，布置有装载端口120、传送框架140、装载模块30和处理模块20的方向被称为第一方向12，当从上方观察时，垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且，垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
装载端口120上放置有载体18，每个载体18具有接收在其中的多个基板W。装载端口120沿第二方向14布置成一排。图2示出了索引模块10具有三个装载端口120的一个实施例。然而，装载端口120的数量可以根据诸如处理模块20的工艺效率和占地面积来增加或减少。各载体18中形成有支承基板W的边缘的槽(未示出)。多个槽沿第三方向16布置，且基板W沿第三方向16在载体18中在其间具有间隔的间隙在彼此之上堆叠。前开式晶圆盒(frontopening unified pod,FOUP)可以用作为载体18。
传送框架140在放置在装载端口120上的载体18、缓冲单元2000以及装载模块30之间传送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置在传送框架140中。索引轨道142布置成使得其纵向平方向行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上，并沿着索引轨道142在第二方向14上线性移动。索引机械手144包括基部144a、主体144b和索引臂144c。基部144a安装成沿索引轨道142为可移动的。主体144b耦合至基部144a。主体144b在基部144a上沿第三方向16为可移动的。此外，主体144b在基部144a上为可旋转的。索引臂144c耦合至主体144b，且相对于主体144b为前后可移动的。索引臂144c可以单独驱动。索引臂144c沿第三方向16在其间具有间隔的间隙在彼此上方堆叠。一些索引臂144c可用于将基板W从处理模块20传送至载体18，且另一些索引臂144c可用于将基板W从载体18传送至处理模块20。因此，在索引机械手144在载体18和处理模块20之间传送基板W的过程中，可以防止从待处理的基板W产生的颗粒粘附至处理过的基板W。
缓冲单元2000临时存储在处理模块20中处理的基板W。缓冲单元2000清除残留在基板W上的处理副产物。缓冲单元2000中的处理副产物的清除可以通过升高或降低缓冲单元2000中的压力来执行。可以设置多个缓冲单元2000。例如，可以设置两个缓冲单元2000。该两个缓冲单元2000可以设置成位于传送框架140的相对侧上的侧存储器2000。该两个缓冲单元2000可以定位成彼此面对，在其间具有传送框架140。可替代地，在传送框架140的一侧上可仅设置一个缓冲单元2000。
装载模块30设置在传送框架140和传送腔室242之间。装载模块30提供空间，在传送腔室242和传送框架140之间传送基板W之前，基板W停留在该空间中。装载模块30包括装载锁定(load-lock)腔室32和卸载锁定(unload-lock)腔室34。该装载锁定腔室32和该卸载锁定腔室34设置为使得其内部能够在真空气氛和大气气氛之间切换。
装载锁定腔室32提供空间，待从索引模块10传送至处理模块20的基板W暂时停留在该空间中。当基板W放置在装载锁定腔室32中时，装载锁定腔室32的内部空间从索引模块10和处理模块20密封。此后，装载锁定腔室32的内部空间从大气气氛切换成真空气氛，并且装载锁定腔室32在从索引模块10密封的状态下，对处理模块20敞开。
卸载锁定室34提供空间，待从处理模块20传送至索引模块10的基板W暂时停留在该空间中。当基板W放置在卸载锁定腔室34中时，卸载锁定腔室34的内部空间从索引模块10和处理模块20密封。此后，卸载锁定腔室34的内部空间从真空气氛切换成大气气氛，并且卸载锁定腔室34在从处理模块20密封的状态下，对索引模块10敞开。
处理模块20包括传送腔室242和多个处理单元260。
传送腔室242在装载锁定腔室32、卸载锁定腔室34和多个处理单元260之间传送基板W。当从上方观察时，传送腔室242可具有六边形形状。可替代地，传送腔室242可具有矩形或五边形形状。装载锁定腔室32、卸载锁定腔室34和多个处理单元260位于传送腔室242周围。传送机械手250设置在传送腔室242中。传送机械手250可以位于传送腔室242的中心处。传送机械手250可具有多个手(hand)252，该多个手252在水平方向和垂直方向上为可移动的，并且在水平面上向前后为移动的或者可旋转的。手252可以为独立地驱动的，并且基板W可以在水平状态下坐落在手252上。
以下将描述处理单元260中设置的气体处理装置1000。气体处理装置1000在基板W上执行蚀刻工艺或沉积工艺。根据一实施方案，气体处理装置1000可以执行不同的处理。在气体处理装置1000中，第一装置可以执行供应第一气体的第一处理，第二装置可以执行供应第二气体的第二处理。第一气体可以包括氟(F)、氯(Cl)或溴(Br)，第二气体可以包括氨(NH3)。
图3为图2的气体处理装置的剖视图。参照图3，气体处理装置1000包括腔室1100、基板支承单元1200、气体供应单元1300、等离子体源1400和排气挡板1500。
腔室1100具有处理空间1106，在该处理空间中处理基板W。腔室1100具有圆柱形状。腔室1100由金属材料制成。例如，腔室1100可由铝材料形成。腔室1100具有形成在其侧壁1102中的开口。该开口用作入口，通过该入口，基板W放置在腔室1100中或从腔室1100中取出。开口通过门1120打开或关闭。下孔1150形成在腔室1100的底部。减压构件(未示出)连接至下孔1150。腔室1100的处理空间1106可通过该减压构件排气，且在处理期间可保持在减压的气氛中。
基板支承单元1200在处理空间1106中支承基板W。基板支承单元1200可以为使用静电力支承基板W的静电吸盘1200。可替代地，基板支承单元1200可以以例如机械夹持的各种方式来支承基板W。
静电吸盘1200包括介电板1210、基部1230和聚焦环1250。介电板1210可由介电物质制成。基板W直接放置在介电板1210的上表面上。介电板1210具有圆形板形状。介电板1210可以具有比基板W小的半径。用于夹持的电极1212安装在介电板1210中。电源(未示出)连接到用于夹持的电极1212。电力从电源(未示出)施加到电极1212，且基板W通过静电力夹持到介电板1210。用于加热基板W的加热器1214安装在介电板1210中。加热器1214可位于用于加持的电极1212的下方。加热器1214可以用螺旋形状的线圈来实现。
基部1230支承介电板1210。基部1230位于介电板1210下方，并与介电板1210固定地耦合。基部1230的上表面具有台阶形状，使得中心区域位于比边缘区域高的位置。基部1230上表面中心区域具有与介电板1210底表面中心区域相对应的区域。基部1230中形成有冷却流体通道1232。冷却流体通道1232用作冷却流体循环所通过的通路。冷却流体通道1232可在基部1230中以螺旋形状设置。基部1230与位于外部的RF电源1234连接。RF电源1234将电力施加至基部1230。施加至基部1230的电力将腔室1100中产生的等离子体引向基部1230。基部1230可由金属材料形成。
聚焦环1250将等离子体聚集在基板W上。聚焦环1250包括内环1252和外环1254。内环1252具有围绕介电板1210的环孔形状。内环1252位于基部1230的边缘区域。内环1252具有与介电板1210的上表面相同高度的上表面。内环1252的上表面的内部支承基板W的背侧的边缘区域。例如，内环1252可以由导电材料形成。外环1254具有围绕介电板1252的环孔形状。外环1254位于基部1230的边缘区域上的内环1252附近。外环1254具有比内环1252的上端更高的位置的上端。外环1254可由绝缘材料形成。
气体供应单元1300将工艺气体供应至在基板支承单元1200上支承的基板W上。气体供应单元1300包括气体储存器1350、气体供应管线1330和气体进气端口1310。气体供应管线1330连接气体储存器1350和气体进气端口1310。存储在气体储存器1350中的工艺气体通过气体供应管线1330供应至气体进气端口1310。气体进气端口1310安装在腔室1100的上壁1104中。气体进气端口1310位于面对基板支承单元1200处。根据一实施方案，气体进气端口1310可安装在腔室1100的上壁1104的中心中。阀可安装在气体供应管线1330中，以打开或关闭气体供应管线1330的内部通路、或调节流过气体供应管线1330的内部通道的气体的流速。例如，工艺气体可为蚀刻气体。
等离子体源1400将腔室1100中的工艺气体激发成等离子体状态。电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)源可用作等离子体源1400。等离子体源1400包括天线1410和外部电源1430。天线1410设置在腔室1100上方。天线1410设置成多次缠绕的螺旋形状，并与外部电源1430连接。天线1410从外部电源1430接收电力。电力施加至其上的天线1410在腔室1100的内部空间中形成放电空间。停留在放电空间中的工艺气体可被激发成等离子体状态。
排气挡板1500从处理空间1106中按区域均匀地释放等离子体。排气挡板1500具有圆环形状。处理空间1106中，排气挡板1500位于腔室1100的内壁和基板支承单元1200之间。排气挡板1500具有形成在其中的多个排气孔1502。排气孔1502在垂直方向定向。排气孔1502从排气挡板1500的顶部延伸至其底部。排气孔1502沿排气挡板1500的圆周方向彼此间隔开。每个排气孔1502具有狭缝形状，并具有沿径向方向定向的纵向方向。
接下来，将更加详细地描述上述传送单元2000。图4为示出了图2的缓冲单元的立体图。图5为示出了图4的缓冲单元的平面图。图6为沿图4的线A-A获取的剖视图。参照图4至6，缓冲单元2000包括壳体2100、基板支承单元2300、气体供应单元2600、排气单元2800、分隔单元3000和控制器3200。
壳体2100具有内部具有缓冲空间的容器的形状。壳体2100具有沿第三方向16定向的纵向方向。缓冲空间2120被分隔单元3000分隔为彼此独立的多个接收空间2122。接收空间2122被设置为接收多个基板W的空间。壳体2100在其一侧具有敞开面2140。敞开面2140面向传送框架140。敞开面2140用作入口2140a，通过该入口2140a，基板W在传送框架140和缓冲空间2120之间传送。加热器(未示出)可以安装在壳体2100的侧壁中以加热缓冲空间2120。
基板支承单元2300在缓冲空间2120中支承基板W。基板支承单元2300支承多个基板W。多个基板W通过基板支承单元2300定位成在垂直方向上布置。基板支承单元2300包括多个支承槽2330。支承槽2330具有分别在其上安置基板W的安置表面。本文，安置表面可以是支承槽2330的上表面。支承槽2330从壳体2100的内表面突出。当从上方观看时，位于相同高度的两个支承槽2330彼此面对。此外，支承槽2330沿着第三方向16定位成彼此间隔开。支承槽2330可沿着第三方向16等距离彼此间隔开。因此，多个基板W可以以在彼此上方堆叠的状态支承在基板支承单元2300上。可替代地，当从上方观察时，可以设置三个以上的支承槽2330。
气体供应单元2600将净化气体供应缓冲空间2120中。残留在基板W上的污染物可以通过从气体供应单元2600供应的净化气体来净化。此外，可通过供应到缓冲空间2120中的净化气体使外部污染物向缓冲空间2120中的渗透最小化。气体供应单元2600包括第一供应单元2620、第二供应单元2640、气体供应管线2660和加热器2680。第一供应单元2620具有多个第一气体喷嘴2622，并且第二供应单元2640具有多个第二气体喷嘴2642。
当从上方观察时，第一供应单元2620位于比第二供应单元2640更靠近入口2140a。当从前面观察入口2140a时，第一气体喷嘴2622位于入口2140a的相对侧。位于该相对侧的第一气体喷嘴2622可以将净化气体朝向彼此分配。第一气体喷嘴2622可以在水平方向上分配净化气体。第一气体喷嘴2622可以在平行于入口2140a的方向上或相对于入口2140a以锐角的方向分配净化气体。因此，第一气体喷嘴2622可以中断外部污染物向缓冲空间2120中的渗透。此外，第一气体喷嘴2622布置成沿着垂直方向彼此间隔开。例如，在竖直方向上彼此邻近的两个第一气体喷嘴2622之间的间隔可以与在垂直方向上彼此邻近的两个支承槽2330之间的间隔相同。
第二气体喷嘴2642被定位成在垂直方向上彼此间隔开，且布置为与第一气体喷嘴2622具有相同的间隔。当从上方观察时，第二气体喷嘴2642朝向基板W分配净化气体。因此，可以净化和清洗残留在基板W上的污染物。根据实施方案，在垂直方向上布置的第二气体喷嘴2642可以被分成多个组，且第二气体喷嘴2642的多个组可以以各种角度朝向基板W供应净化气体。
气体供应管线2660将净化气体供应到第一供应单元2620和第二供应单元2640。气体供应管线2660可以供应净化气体，使得相同量的净化气体被供应到接收空间2122中。例如，净化气体可为惰性气体或空气。加热器2680安装在气体供应管线2660上。加热器2680将净化气体加热到高于室温的温度。
排气单元2800排空缓冲空间2120。排气单元2800将从基板W清除的颗粒和烟雾排放到缓冲空间2120的外部。排气单元2800包括气体排气管线2820，排气阀2840和减压构件2860。气体排气管线2820连接到各自的接收空间2122，并且排气阀2840安装在气体排气管线2820中以分别调节从接收空间2122排放的气体的量。减压构件2860降低气体排气管线2820中的压力以排空接收空间2122。例如，气体排气管线2820可以连接到与敞开面2140相对的面。
分隔单元3000将壳体2100的内部空间分隔成多个独立的接收空间2122。分隔单元3000被定位成使得多个接收空间2122被布置成在彼此上方堆叠。图7为示出了图4的基板支承单元和分隔单元的立体图，图8为示出图7的分隔板和加热构件的平面图。参照图7和图8，提供了多个分隔单元3000。多个分隔单元3000在垂直方向彼此间隔开。每个分隔单元3000包括分隔板3020和加热构件3040。当从上方观察时，分隔板3020由具有与壳体2100相同形状的板实现。分隔板3020可以设置成从壳体2100为可拆卸的。因此，分隔板3020的位置可以改变，且接收空间2122的体积可以变化。此外，接收空间2122的数量可以通过分隔板3020的数量来调节。例如，可以提供与处理单元260相同数量的分隔板3020或更多的分隔板3020。加热构件3040调节分隔板3020的温度。加热构件3040可以用安装在分隔板3020中的加热丝3040来实现。根据一实施方案，加热构件3040可以设置为用于将接收空间2122的温度调节至第一温度的第一温度调节构件，加热器2680可以设置为用于通过使用净化气体将接收空间2122的温度调节到第二温度的第二温度调节构件2680。第一温度和第二温度可以彼此相等。
控制器3200控制排气单元2800调节从接收空间2122排放的气体的量。控制器可以根据位于接收空间2122中的基板W不同地调节从接收空间2122排放的气体的量。根据一实施方式，多个接收空间2122中的一个可以设置为第一空间2122a，并且另一个接收空间可以设置为第二空间2122b。经受第一处理的第一基板W1可以放置在第一空间2122a中，经受第二处理的第二基板W2可以放置在第二空间2122b中。第一处理和第二处理可以彼此不同，且可以不同地调节从第一空间2122a排放的气体的量和从第二空间2122b排放的气体的量。即，可以根据放置在接收空间2122中的基板所经受的处理类型，来不同地调节排放的气体的量。另外，即使基板经受相同的处理，也可以根据所使用的气体种类来不同地调整排放的气体的量。
下文中，将描述使用上述基板处理装置处理基板W的工艺。处理基板W的方法包括处理步骤和后处理(post-processing)步骤。处理步骤为在处理模块20中使用气体处理基板W的步骤。这里，在处理模块20中处理基板W包括在单个处理单元260中处理基板W、或在多个处理单元260中处理基板W。经受处理步骤的基板W通过卸载锁定腔室34传送到缓冲单元2000中。处理模块20处于真空状态，而索引模块10具有大气压力状态。因此，大量的颗粒附着在从处理模块20传送到索引模块10的基板W上。
后处理步骤是清除残留在基板W上的污染物的步骤。在后处理步骤中，通过将净化气体供应至基板W并排放净化气体来处理基板W。参照图9，将经受第一处理的第一基板W1传送至接收空间2122之一的第一空间2122a，将经受第二处理的第二基板W2传送至接收空间2122的另一个的第二空间2122b。第一空间2122a和第二空间2122b通过分隔单元3000和气体供应单元2600而被加热。例如，第一空间2122a和第二空间2122b可被加热到相同的温度。可替代地，从第一空间2122a和第二空间2122b排放的气体量可以彼此不同。例如，第一空间2122a中的压力可以高于传送框架140中的压力，第二空间2122b中的压力可以低于传送框架140中的压力。
在上述实施方案中，已经描述了将经受不同处理的基板W被传送到第一空间2122a和第二空间2122b。然而，如图10所示，经受相同处理的基板W1可以被传送到第一空间2122a和第二空间2122b中。在这种情况下，从第一空间2122a和第二空间2122b排放的气体的量可以彼此相同。第一空间2122a和第二空间2122b可以彼此相邻。第一空间2122a和第二空间2122b可以通过分隔板3020彼此分隔开。第一空间2122a可以是上部空间，第二空间2122b可以是下部空间。第一空间2122a和第二空间2122b可以通过分隔板3020加热。因此，可以减小第一空间2122a的上侧和第二空间2122b的下侧之间的温度差。
根据本发明构思的实施方式，壳体的内部空间通过分隔板分隔成接收空间。因此，可以均匀地处理多个基板。
此外，根据本发明构思的实施方案，多个接收空间被分别排空，并且经受不同处理的基板接收在多个接收空间中。因此，根据后处理工艺，可以通过改变从接收空间排放的气体的量来处理基板。
此外，根据本发明构思的实施方案，接收空间的温度通过分隔板和气体来调节。因此，接收空间的温度可以均匀地调节。
上面的描述示例性说明了本发明构思。此外，上述的内容描述了本发明构思的示例性实施方案，且本发明构思可以用于各种其它组合、改变和环境中。也就是说，在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开等同的范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思做出改变或修改。书面实施方案描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以做出本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将本发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (10)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
索引模块；和
处理模块，其设置为邻接于所述索引模块并被配置为处理所述基板，
其中，所述索引模块包括：
一个或多个装载端口，各装载端口上放置有载体，所述载体具有接收在其中的所述基板；
侧存储器，其配置为存储在所述处理模块中经受处理的所述基板，并清除所述基板上的烟雾；和
传送框架，其具有安装在其中的索引机械手，所述索引机械手配置为在放置在所述装载端口上的所述载体、所述侧存储器和所述处理模块之间传送所述基板，且
其中，所述侧存储器包括：
壳体，其具有内部空间；
分隔单元，其配置为将所述内部空间分隔成彼此独立的多个接收空间；和
排气单元，其配置为独立地且分别地排空所述多个接收空间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述分隔单元设置为使得所述多个接收空间在彼此上方堆叠。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述分隔单元包括：
分隔板，其配置为分隔所述内部空间；和
第一温度调节构件，其配置为调节所述分隔板的温度。
4.根据权利要求1至3任一项所述的装置，其中，所述侧存储器还包括气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应至所述多个接收空间中，且
其中，所述气体供应单元包括：
气体供应管线，其连接至所述多个接收空间；和
第二温度调节构件，其安装在所述气体供应管线上，以调节所述气体的温度。
5.根据权利要求1至3任一项所述的装置，其中，所述装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述排气单元，且
其中，所述控制器不同地调节从所述多个接收空间排放的气体的量。
6.根据权利要求1至3任一项所述的装置，其中，所述处理模块包括多个处理单元，所述多个处理单元配置为执行N个不同的处理(N为大于1的整数)，且
其中，提供M个接收空间(M为大于或等于N的整数)。
7.一种使用权利要求1的装置处理基板的方法，所述方法包括：
在所述处理模块中处理所述基板的处理步骤；和
在所述处理步骤之后，在所述多个接收空间中后处理所述基板的后处理步骤，
其中，独立地且分别地排空所述多个接收空间。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述后处理步骤中，第一基板接收在第一空间中，所述第一空间为所述多个接收空间之一；且第二基板接收在第二空间中，所述第二空间为所述多个接收空间的另一个，
其中，在所述处理步骤中，所述第一基板和所述第二基板经受不同的处理，且
其中，从所述第一空间和所述第二空间排放的气体的量彼此不同。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述后处理步骤中，所述基板接收在各所述多个接收空间中，
其中，接收在各所述多个接收空间中的所述基板在所述处理步骤中经受相同的处理，且
其中，同一地调节从所述多个接收空间中排放的气体的量。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，所述多个接收空间通过温度可调节的分隔板彼此分隔，且
其中，所述多个接收空间的温度通过所述分隔板同一地调节。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140370628A1 (en) * 2012-03-07 2014-12-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and recording medium
KR20170070888A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN106941068A (zh) * 2015-12-04 2017-07-11 三星电子株式会社 挡板、等离子体处理设备、基板处理设备和处理基板方法
KR20180025600A (ko) * 2016-09-01 2018-03-09 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US20180082875A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method
CN107993960A (zh) * 2016-10-26 2018-05-04 细美事有限公司 基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法
US20180374733A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Applied Materials, Inc. Indexable side storage pod apparatus, heated side storage pod apparatus, systems, and methods

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158625A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Canon Inc 基板搬送ハンド
KR100778394B1 (ko) 2006-03-06 2007-11-22 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조용 장비
WO2013001930A1 (ja) 2011-06-28 2013-01-03 村田機械株式会社 保管装置と保管方法
KR101374668B1 (ko) 2012-08-03 2014-03-18 주식회사 에스에프에이 중량물과 기판 겸용 이송 로봇
KR102000026B1 (ko) * 2012-08-29 2019-07-17 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR102037922B1 (ko) * 2012-12-18 2019-10-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101682473B1 (ko) 2013-10-18 2016-12-05 삼성전자주식회사 사이드 스토리지 및 이를 구비하는 반도체 소자 제조 설비
JP6545054B2 (ja) * 2014-10-20 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR101688620B1 (ko) 2015-12-24 2016-12-21 피코앤테라(주) 웨이퍼 수납용기
KR101865636B1 (ko) 2016-07-06 2018-06-08 우범제 웨이퍼 수납용기
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11749537B2 (en) * 2018-10-26 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating equipment front end modules
US11508593B2 (en) * 2018-10-26 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same
US11373891B2 (en) * 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US11279032B2 (en) * 2019-04-11 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots
US11139190B2 (en) * 2019-04-23 2021-10-05 Applied Materials, Inc. Equipment front end modules including multiple aligners, assemblies, and methods
US11569102B2 (en) * 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
US11920994B2 (en) * 2020-10-12 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Surface acoustic wave sensor assembly
US12009235B2 (en) * 2020-12-01 2024-06-11 Applied Materials, Inc. In-chamber low-profile sensor assembly
US20220198333A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Applied Materials, Inc. Recipe optimization through machine learning

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140370628A1 (en) * 2012-03-07 2014-12-18 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and recording medium
CN106941068A (zh) * 2015-12-04 2017-07-11 三星电子株式会社 挡板、等离子体处理设备、基板处理设备和处理基板方法
KR20170070888A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20180025600A (ko) * 2016-09-01 2018-03-09 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
US20180082875A1 (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method
CN107993960A (zh) * 2016-10-26 2018-05-04 细美事有限公司 基板处理装置、工艺流体处理装置及臭氧分解方法
US20180374733A1 (en) * 2017-06-23 2018-12-27 Applied Materials, Inc. Indexable side storage pod apparatus, heated side storage pod apparatus, systems, and methods

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