JPH01248521A - 低温ドライエッチング装置 - Google Patents
低温ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01248521A JPH01248521A JP7434088A JP7434088A JPH01248521A JP H01248521 A JPH01248521 A JP H01248521A JP 7434088 A JP7434088 A JP 7434088A JP 7434088 A JP7434088 A JP 7434088A JP H01248521 A JPH01248521 A JP H01248521A
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- Japan
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- etching
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 33
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低温ドライエツチング装置に係り、特に半導
体素子基板等の試料を水温以下の温度に冷却しプラズマ
によりエツチング処理する低温ドライエツチング装置に
関するものである。
体素子基板等の試料を水温以下の温度に冷却しプラズマ
によりエツチング処理する低温ドライエツチング装置に
関するものである。
従来の低温ドライエツチング装置としては、例えば、特
開昭６０−１５８６２７号公報、特開昭６１−２４０６
３５号公報等に記載のように、試料を水温以下の温度に
冷却しプラズマによりエツチング処理するものが知られ
ている。
開昭６０−１５８６２７号公報、特開昭６１−２４０６
３５号公報等に記載のように、試料を水温以下の温度に
冷却しプラズマによりエツチング処理するものが知られ
ている。
低温ドライエツチング処理を行うためにはエツチング処
理ｎ「の試料の冷却およびエツチング処理後の試料を常
ｆｆ１（２０℃）へ昇温させる時間が、試料をエツチン
グ処理する時間より長い。
理ｎ「の試料の冷却およびエツチング処理後の試料を常
ｆｆ１（２０℃）へ昇温させる時間が、試料をエツチン
グ処理する時間より長い。
上記従来技術は、試料のエツチング処理前の予備冷却と
エツチング処理後の昇温機構を設けた装置構成となりで
いないため、装置のスループット（単位時間当りの試料
の処理数）が低かフだ。
エツチング処理後の昇温機構を設けた装置構成となりで
いないため、装置のスループット（単位時間当りの試料
の処理数）が低かフだ。
本発明の目的は、スループットを向上できる低温ドライ
エツチング装置を提供することにある。
エツチング装置を提供することにある。
上記目的は、低温ドライエツチング装置を、水温以下の
温度に冷却された試料をプラズマによりエツチング処理
するエツチング室と、前記エツチング室に搬入される前
記試料を予備冷却する予備冷却室と、前記エツチング室
から搬出された！Ｉ前記試料を加温する加温室とを具備
したものとするこ−とにより、達成される。
温度に冷却された試料をプラズマによりエツチング処理
するエツチング室と、前記エツチング室に搬入される前
記試料を予備冷却する予備冷却室と、前記エツチング室
から搬出された！Ｉ前記試料を加温する加温室とを具備
したものとするこ−とにより、達成される。
予備冷却室、エツチング室および昇進室はおのおの個別
に構成されているため、それぞれの処理を同時に行うこ
とができ装置のスループブトが向上する。
に構成されているため、それぞれの処理を同時に行うこ
とができ装置のスループブトが向上する。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。試料
（図示省略）は、大気中からロード室４へ搬入され、真
空排気後ゲートバルブ１０を介し真空排気されている予
備冷却室ｌへ搬入される。試料は、予備冷却室ｌで所定
の温度に予備冷却された後ゲートバルブ１１を介してエ
ツチング室２に搬入されて冷却機構７によって冷却され
た電極６上へ設置される。その後、所定のプロセスガス
雰囲気中で、高周波ｔ＃８を印加することにより、電極
６と対向を極９間にプラズマを発生させて、試料を低温
エツチング処理する。エツチング処理後の試料は、ゲー
トバルブ１１を介して真空排気されている昇温室３へ搬
入されて昇温され、その後ゲートバルブ】２を介してア
ロード室５へ搬入後アンロード室５のみをリーク後大気
中へ搬出され、処理を終了する。なお、図示省略したが
予備冷却室１には冷却手段が、また、昇温室３には、加
熱手段が設けられている。
（図示省略）は、大気中からロード室４へ搬入され、真
空排気後ゲートバルブ１０を介し真空排気されている予
備冷却室ｌへ搬入される。試料は、予備冷却室ｌで所定
の温度に予備冷却された後ゲートバルブ１１を介してエ
ツチング室２に搬入されて冷却機構７によって冷却され
た電極６上へ設置される。その後、所定のプロセスガス
雰囲気中で、高周波ｔ＃８を印加することにより、電極
６と対向を極９間にプラズマを発生させて、試料を低温
エツチング処理する。エツチング処理後の試料は、ゲー
トバルブ１１を介して真空排気されている昇温室３へ搬
入されて昇温され、その後ゲートバルブ】２を介してア
ロード室５へ搬入後アンロード室５のみをリーク後大気
中へ搬出され、処理を終了する。なお、図示省略したが
予備冷却室１には冷却手段が、また、昇温室３には、加
熱手段が設けられている。
本実施例によれば、エツチング室でのエツチング処理、
予備冷却室での試料の予備冷却、昇温室での試料の昇温
およびロード室、アンロード室での、試料の大気中から
真空室内への搬入・搬出のための真空排気、リークを、
同一！＆！内に、試料を連続して投入することによって
同時に処理する二とができるため、装置のスループブト
が向上し、効率よく試料を処理することができる。また
、エツチング処理後の試料を真空下で加温するため、雰
囲気水分付着等による試料の腐食を防止できる。
予備冷却室での試料の予備冷却、昇温室での試料の昇温
およびロード室、アンロード室での、試料の大気中から
真空室内への搬入・搬出のための真空排気、リークを、
同一！＆！内に、試料を連続して投入することによって
同時に処理する二とができるため、装置のスループブト
が向上し、効率よく試料を処理することができる。また
、エツチング処理後の試料を真空下で加温するため、雰
囲気水分付着等による試料の腐食を防止できる。
上記一実施例では、エツチング室として平行平板型のプ
ラズマエツチング室を示しているが、その他に、有磁場
又は無磁場マイクロ波プラズマを利用して試料をエツチ
ング処理するエツチング室であっても特に問題は生じな
い。
ラズマエツチング室を示しているが、その他に、有磁場
又は無磁場マイクロ波プラズマを利用して試料をエツチ
ング処理するエツチング室であっても特に問題は生じな
い。
本発明によれば、試料の予備冷却、低温エツチングおよ
び昇温を同時に行えるので、試料の低温エツチングにお
けるスループブトを向上できる効果がある。
び昇温を同時に行えるので、試料の低温エツチングにお
けるスループブトを向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の低温ドライエツチング装置
の構成図である。 ｌ・・・・・・予備冷却室、２・・・・・・エツチング
室、３・・・昇温室、６・・・・・・エツチング電極、
７・・・・・・冷却機構、８・・・・・・高周波ＩＥ１
１ｉｉＩ、９・・・・・・対向電極、１０〜１２・・・
・・・ゲートバルブ 人し′ オｌ圀
の構成図である。 ｌ・・・・・・予備冷却室、２・・・・・・エツチング
室、３・・・昇温室、６・・・・・・エツチング電極、
７・・・・・・冷却機構、８・・・・・・高周波ＩＥ１
１ｉｉＩ、９・・・・・・対向電極、１０〜１２・・・
・・・ゲートバルブ 人し′ オｌ圀
Claims (1)
- １、水温以下の温度に冷却された試料をプラズマにより
エッチング処理するエッチング室と、前記エッチング室
に搬入される前記試料を予備冷却する予備冷却室と、前
記エッチング室から搬出された前記試料を加温する加温
室とを具備したことを特徴とする低温ドライエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074340A JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074340A JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248521A true JPH01248521A (ja) | 1989-10-04 |
| JPH0797579B2 JPH0797579B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13544291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074340A Expired - Lifetime JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797579B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345771A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 枚葉式真空処理方法及び装置 |
| JP2010500734A (ja) * | 2006-08-15 | 2010-01-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 低温イオン注入技術 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360529A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63074340A patent/JPH0797579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360529A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345771A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 枚葉式真空処理方法及び装置 |
| JP2010500734A (ja) * | 2006-08-15 | 2010-01-07 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 低温イオン注入技術 |
| US8319196B2 (en) | 2006-08-15 | 2012-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for low-temperature ion implantation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797579B2 (ja) | 1995-10-18 |
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