JPH05283380A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH05283380A JPH05283380A JP7645492A JP7645492A JPH05283380A JP H05283380 A JPH05283380 A JP H05283380A JP 7645492 A JP7645492 A JP 7645492A JP 7645492 A JP7645492 A JP 7645492A JP H05283380 A JPH05283380 A JP H05283380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- etching
- cooling
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの冷却時間を大幅に短縮し、低温エッ
チングにおける処理速度を速めることのできるドライエ
ッチング装置を提供することを目的とする。 【構成】 反応室１５の前段にウェハ冷却室１８を設け
ることにより、エッチング処理時間を大幅に短縮するこ
とができる。
チングにおける処理速度を速めることのできるドライエ
ッチング装置を提供することを目的とする。 【構成】 反応室１５の前段にウェハ冷却室１８を設け
ることにより、エッチング処理時間を大幅に短縮するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンのエッチン
グを行なうドライエッチング装置に関するもので、超高
集積度の半導体デバイスを製造する際に適用される低温
エッチング法に利用することができるドライエッチング
装置に関するものである。
グを行なうドライエッチング装置に関するもので、超高
集積度の半導体デバイスを製造する際に適用される低温
エッチング法に利用することができるドライエッチング
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細パターンエッチン
グには、アンダーカットのない異法性エッチングが必要
であるが、従来はカーボンを含むポリマーをパターン側
壁に堆積させながらエッチングする側壁保護型エッチン
グが多く利用されてきた。しかしこの技術には、エッチ
ング装置の内壁にも堆積が起こりパーティクル源となる
問題があった。
グには、アンダーカットのない異法性エッチングが必要
であるが、従来はカーボンを含むポリマーをパターン側
壁に堆積させながらエッチングする側壁保護型エッチン
グが多く利用されてきた。しかしこの技術には、エッチ
ング装置の内壁にも堆積が起こりパーティクル源となる
問題があった。
【０００３】これに対して近年、基板温度をマイナス数
十度まで下げることによって、カーボンフリーの状態で
処理する低温エッチング法が考案された。
十度まで下げることによって、カーボンフリーの状態で
処理する低温エッチング法が考案された。
【０００４】以下に従来の低温エッチング法について説
明する。図２は従来の低温エッチング法の装置構成図で
ある。１は反応室、２は移載室、搬送アーム３によって
反応室１と、予備室４の間で被エッチング物であるウェ
ハを搬送する。図３は反応室の例を示す図である。５は
真空チャンバ、６は反応ガス導入口であり、７は排気口
である。８はウェハであり、下部電極９の上に置かれて
いる。下部電極９には冷媒の流入口１０と流出口１１が
あり、下部電極９は内部を流れる冷媒によってマイナス
数十度まで冷却される。よってその下部電極９上に置か
れたウェハ８も熱伝達によって一定時間後にはマイナス
数十度まで冷却される。また、１２は上部電極、１３は
セラミック絶縁材、１４は高周波電源である。
明する。図２は従来の低温エッチング法の装置構成図で
ある。１は反応室、２は移載室、搬送アーム３によって
反応室１と、予備室４の間で被エッチング物であるウェ
ハを搬送する。図３は反応室の例を示す図である。５は
真空チャンバ、６は反応ガス導入口であり、７は排気口
である。８はウェハであり、下部電極９の上に置かれて
いる。下部電極９には冷媒の流入口１０と流出口１１が
あり、下部電極９は内部を流れる冷媒によってマイナス
数十度まで冷却される。よってその下部電極９上に置か
れたウェハ８も熱伝達によって一定時間後にはマイナス
数十度まで冷却される。また、１２は上部電極、１３は
セラミック絶縁材、１４は高周波電源である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来構成の場
合、反応室内の下部電極とウェハの接触による熱伝達に
よって、ウェハの熱エネルギーを奪って低温化をはかる
のだが、これには一定の冷却時間が必要である。この冷
却時間のために全体の処理時間は長大化してしまう問題
点があった。
合、反応室内の下部電極とウェハの接触による熱伝達に
よって、ウェハの熱エネルギーを奪って低温化をはかる
のだが、これには一定の冷却時間が必要である。この冷
却時間のために全体の処理時間は長大化してしまう問題
点があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ウェハ冷却時間を大幅に短縮し、低温エッチングに
おける処理速度を速めることのできるドライエッチング
装置を提供することを目的とする。
で、ウェハ冷却時間を大幅に短縮し、低温エッチングに
おける処理速度を速めることのできるドライエッチング
装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のドライエッチング装置は、反応室の前段に冷
却室を設け、エッチング処理前にウェハを予備冷却でき
るように構成されている。
に本発明のドライエッチング装置は、反応室の前段に冷
却室を設け、エッチング処理前にウェハを予備冷却でき
るように構成されている。
【０００８】
【作用】この構成によって、低温エッチングにおけるウ
ェハの冷却は、一枚前のウェハのエッチング処理中に行
なえるので、冷却時間の大部分は冷却室での冷却処理に
よって削減することができる。
ェハの冷却は、一枚前のウェハのエッチング処理中に行
なえるので、冷却時間の大部分は冷却室での冷却処理に
よって削減することができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】図１において、１５は反応室、１６は移載
室、１７はウェハ冷却室、１８は予備室である。１９は
移載室１６に設けられた搬送アームである。
室、１７はウェハ冷却室、１８は予備室である。１９は
移載室１６に設けられた搬送アームである。
【００１１】以上のように構成されたドライエッチング
装置について、その動作を説明する。本ドライエッチン
グ装置では予備室１８に供給されたウェハは移載室１６
に設けられた搬送アーム１９によって、まずウェハ冷却
室１７に搬送される。ここでウェハは反応室１５での低
温エッチングに適した温度まで十分に予備冷却される。
またこの動作は反応室１５で一枚前のウェハのエッチン
グ処理中に行なわれるため、冷却時間の大部分はエッチ
ング処理時間に加算されることはなくなる。このよう
に、あらかじめエッチング処理前に予備冷却されたウェ
ハを搬送アームで反応室に搬送しエッチング処理を行な
う。この時反応室の構造は図３と同様の構成である。
装置について、その動作を説明する。本ドライエッチン
グ装置では予備室１８に供給されたウェハは移載室１６
に設けられた搬送アーム１９によって、まずウェハ冷却
室１７に搬送される。ここでウェハは反応室１５での低
温エッチングに適した温度まで十分に予備冷却される。
またこの動作は反応室１５で一枚前のウェハのエッチン
グ処理中に行なわれるため、冷却時間の大部分はエッチ
ング処理時間に加算されることはなくなる。このよう
に、あらかじめエッチング処理前に予備冷却されたウェ
ハを搬送アームで反応室に搬送しエッチング処理を行な
う。この時反応室の構造は図３と同様の構成である。
【００１２】また予備冷却室での冷却方式は、反応室で
のウェハとステージ間の熱伝達による方法の他、ウェハ
とステージ間に不活性ガスＨｅ等を微量に与える、ヘリ
ウム冷却方法や、低温のＮ2ガスをウェハ裏面に吹きつ
ける方法など、適宣選択することができる。
のウェハとステージ間の熱伝達による方法の他、ウェハ
とステージ間に不活性ガスＨｅ等を微量に与える、ヘリ
ウム冷却方法や、低温のＮ2ガスをウェハ裏面に吹きつ
ける方法など、適宣選択することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、反応室の前段に
ウェハ冷却室を設けることによってあらかじめウェハの
予備冷却を行なえるため、エッチング処理時間を全体的
に短縮することができる。
ウェハ冷却室を設けることによってあらかじめウェハの
予備冷却を行なえるため、エッチング処理時間を全体的
に短縮することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図
【図２】従来のドライエッチング装置を示す構成図
【図３】ドライエッチング装置の反応室を示す構成図
１５ 反応室 １６ 移載室 １７ 予備室 １８ ウェハ冷却室
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマ放電を用いて基板上に形成され
た薄膜をエッチングするドライエッチング法において、
反応室の前段にウェハ冷却室を設けることを特徴とする
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7645492A JPH05283380A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7645492A JPH05283380A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283380A true JPH05283380A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13605603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7645492A Pending JPH05283380A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283380A (ja) |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7645492A patent/JPH05283380A/ja active Pending
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