JPH03107484A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH03107484A JPH03107484A JP24224589A JP24224589A JPH03107484A JP H03107484 A JPH03107484 A JP H03107484A JP 24224589 A JP24224589 A JP 24224589A JP 24224589 A JP24224589 A JP 24224589A JP H03107484 A JPH03107484 A JP H03107484A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基
板等の試料を室温以下に冷却してプラズマを利用して処
理する装置に関する。
板等の試料を室温以下に冷却してプラズマを利用して処
理する装置に関する。
従来の装置は、例えば、特開昭６２−１４４３０号公報
記載のように電極を低温冷媒循環機により冷媒を循環し
て冷却している。また、この時処理室は電極上への着霜
を防止するために高真空に排気する必要がある。
記載のように電極を低温冷媒循環機により冷媒を循環し
て冷却している。また、この時処理室は電極上への着霜
を防止するために高真空に排気する必要がある。
〔発明が解決しようとする課題１
上記従来技術は信頼性の点について配慮されておらず、
試料が設置される試料台の冷却によって該試料台の電圧
が印加部分に、例えば、水分が露結し、これによって外
部に波型して装置が誤動作するという問題を有している
。
試料が設置される試料台の冷却によって該試料台の電圧
が印加部分に、例えば、水分が露結し、これによって外
部に波型して装置が誤動作するという問題を有している
。
本発明の目的は、信頼性の高い、いわゆる低温プラズマ
処理装置を提供することにある。
処理装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、プラズマを利用して処理さ
れる試料を試料台を介して室温以下の低温に冷却する冷
媒の温度と上記試料台周辺の露点との関係を調整して上
記試料台の電圧印加部分での露結を防止するようにした
ものである。
れる試料を試料台を介して室温以下の低温に冷却する冷
媒の温度と上記試料台周辺の露点との関係を調整して上
記試料台の電圧印加部分での露結を防止するようにした
ものである。
試料台各部の表面温度は低温冷媒循環機内の冷媒温度よ
り必ず高くまた、該冷媒温度より試料台周辺の露点が低
くければ、電圧印加部分に水分等の露結を生じることは
ない。
り必ず高くまた、該冷媒温度より試料台周辺の露点が低
くければ、電圧印加部分に水分等の露結を生じることは
ない。
よって、試料台の電圧印加部分に水分等の露結を生じた
状態で電圧を印加することを防止できるので、外部への
漏電による装置の誤動作を防止でき信頼性を向上できる
。
状態で電圧を印加することを防止できるので、外部への
漏電による装置の誤動作を防止でき信頼性を向上できる
。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。本装置はマグネトロン１で発生したマイクロ波とソ
レノイド２の磁場の相乗作用により処理室３内に導入し
たプロセスガスをプラズマ化する。そして、下部電極４
にＲＦ印加電源５によりＲＦを印加してウェハ６に入射
するイオンのエネルギを制御しながらエツチングする。
る。本装置はマグネトロン１で発生したマイクロ波とソ
レノイド２の磁場の相乗作用により処理室３内に導入し
たプロセスガスをプラズマ化する。そして、下部電極４
にＲＦ印加電源５によりＲＦを印加してウェハ６に入射
するイオンのエネルギを制御しながらエツチングする。
また、下部電極４は低温冷媒循環機７により配管８を介
して冷媒を循環することにより冷却され、低温冷媒循環
機７には槽内の冷媒温度を検出するための温度センサ１
０と冷媒の加温、冷却を行うためのヒータ１１及び冷凍
機１２が設けである。
して冷媒を循環することにより冷却され、低温冷媒循環
機７には槽内の冷媒温度を検出するための温度センサ１
０と冷媒の加温、冷却を行うためのヒータ１１及び冷凍
機１２が設けである。
一方、下部電極４周辺の露点はＮ２ガス供給装置１３に
よりカバー１４内にＮ２ガスを導入して下げ、露点計１
５により検出できるようになっている。
よりカバー１４内にＮ２ガスを導入して下げ、露点計１
５により検出できるようになっている。
次に下部電極４の冷却方法について第２図により説明す
る。下部電極４の冷却が開始されると常時温度センサ１
０と露点計１５の出力を比較器１６により比較し後者の
出力の方が必ず小さくなるようにヒータ１１及び冷凍機
１２を動作して低温冷媒循環機７内の冷媒温度を調整し
ながら目標の温度まで下部電極４を冷却する。
る。下部電極４の冷却が開始されると常時温度センサ１
０と露点計１５の出力を比較器１６により比較し後者の
出力の方が必ず小さくなるようにヒータ１１及び冷凍機
１２を動作して低温冷媒循環機７内の冷媒温度を調整し
ながら目標の温度まで下部電極４を冷却する。
次にエツチング処理時のＲＦの印加方法について第３図
により説明する。
により説明する。
エツチング処理が開始されると温度センサー１０と露点
計１５の出力を比較器１６により比較して後者の出力の
方が小さくなければＲＦ印加装置１８にインターロック
信号１７を送信するように構成してありＲＦは印加され
ずエツチング処理は中断される。
計１５の出力を比較器１６により比較して後者の出力の
方が小さくなければＲＦ印加装置１８にインターロック
信号１７を送信するように構成してありＲＦは印加され
ずエツチング処理は中断される。
以上より下部電極４に水分が露結した状態でＲＦが印加
されることを回避できるので外部へのＲＦの漏洩による
装置の誤動作を防止でき信頼性を向上できる。
されることを回避できるので外部へのＲＦの漏洩による
装置の誤動作を防止でき信頼性を向上できる。
尚、本実施例では、ウェハが設置される下部電極にバイ
アス電圧であるＲＦを印加するようにしているが、この
他にプラズマ生成用の電圧が印加されるタイプの低温プ
ラズマ処理装置であっても同様に適用でき同様の作用効
果を奏することができる。
アス電圧であるＲＦを印加するようにしているが、この
他にプラズマ生成用の電圧が印加されるタイプの低温プ
ラズマ処理装置であっても同様に適用でき同様の作用効
果を奏することができる。
［発明の効果］
本発明によれば、低温プラズマ処理装置の試料台の電圧
印加部分からの外部への漏電を防止でき、該漏電による
低温プラズマ処理装置の誤動作を防止でき信頼性を向上
できる効果がある。
印加部分からの外部への漏電を防止でき、該漏電による
低温プラズマ処理装置の誤動作を防止でき信頼性を向上
できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の低温プラズマエツチング
装置の構成図、第２図は、第１図の下部電極の冷却シス
テム構成図、第３図は、第１図のＲＦの印加システム構
成図である。 １−−−−−−マグネトロン、２−−−−−−ソレノイ
ド、３−−−−−一処理室、４−−−−−一下部電極、
５−−−−−− ＲＦ印加電源、６−−−−−−ウエハ
、７−−−−−−低温冷媒循環機、１０−−−−−一
温度センサ、１ｌ−−一一−−ヒータ、１２−−−−−
一冷凍機、１３−−−−−− Ｎ２ガス供給装置、１４
−一一−−−カバ、 １５−−−一一−露点計、１６−
−−−−−比較器、１７−−−−−−インターロツク信
号、１８−−−−−− ＲＦ牙 Ｚ 図 ｐヂ
装置の構成図、第２図は、第１図の下部電極の冷却シス
テム構成図、第３図は、第１図のＲＦの印加システム構
成図である。 １−−−−−−マグネトロン、２−−−−−−ソレノイ
ド、３−−−−−一処理室、４−−−−−一下部電極、
５−−−−−− ＲＦ印加電源、６−−−−−−ウエハ
、７−−−−−−低温冷媒循環機、１０−−−−−一
温度センサ、１ｌ−−一一−−ヒータ、１２−−−−−
一冷凍機、１３−−−−−− Ｎ２ガス供給装置、１４
−一一−−−カバ、 １５−−−一一−露点計、１６−
−−−−−比較器、１７−−−−−−インターロツク信
号、１８−−−−−− ＲＦ牙 Ｚ 図 ｐヂ
Claims (3)
- １．試料を室温以下の低温に冷却しプラズマを利用して
処理する装置において、前記試料を試料台を介して冷却
する冷媒の温度を検出する手段と、前記試料台周辺の露
点を検出する手段と、前記冷媒の温度と前記露点との関
係を調整して前記試料台の電圧印加部分での露結を防止
する手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装
置。 - ２．前記試料台を、バイアス電圧が印加される試料台と
した第１請求項に記載のプラズマ処理装置。 - ３．前記試料台を、前記プラズマ生成用の電圧が印加さ
れる試料台とした第１請求項に記載のプラズマ処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224589A JPH03107484A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224589A JPH03107484A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03107484A true JPH03107484A (ja) | 1991-05-07 |
Family
ID=17086406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24224589A Pending JPH03107484A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03107484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342471A (en) * | 1991-04-22 | 1994-08-30 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Plasma processing apparatus including condensation preventing means |
| WO2003073489A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement a plasma et unite d'alimentation |
| JP2020107762A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24224589A patent/JPH03107484A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342471A (en) * | 1991-04-22 | 1994-08-30 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Plasma processing apparatus including condensation preventing means |
| WO2003073489A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement a plasma et unite d'alimentation |
| US7230202B2 (en) | 2002-02-28 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, electrode unit, feeder member and radio frequency feeder rod |
| JP2020107762A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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