JPH0797579B2 - 低温ドライエッチング装置 - Google Patents
低温ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0797579B2 JPH0797579B2 JP63074340A JP7434088A JPH0797579B2 JP H0797579 B2 JPH0797579 B2 JP H0797579B2 JP 63074340 A JP63074340 A JP 63074340A JP 7434088 A JP7434088 A JP 7434088A JP H0797579 B2 JPH0797579 B2 JP H0797579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- etching
- sample
- temperature
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低温ドライエッチング装置に係り、特に半導
体素子基板等の試料を水温以下の温度に冷却しプラズマ
によりエッチング処理する低温ドライエッチング装置に
関するものである。
体素子基板等の試料を水温以下の温度に冷却しプラズマ
によりエッチング処理する低温ドライエッチング装置に
関するものである。
従来の低温ドライエッチング装置としては、例えば、特
開昭60−158627号公報，特開昭61−240635号公報等に記
載のように、試料を水温以下の温度に冷却しプラズマに
よりエッチング処理するものが知られている。
開昭60−158627号公報，特開昭61−240635号公報等に記
載のように、試料を水温以下の温度に冷却しプラズマに
よりエッチング処理するものが知られている。
低温ドライエッチング処理を行うためにはエッチング処
理前の試料の冷却およびエッチング処理後の試料を常温
（20℃）へ昇温させる時間が、試料をエッチング処理す
る時間より長い。
理前の試料の冷却およびエッチング処理後の試料を常温
（20℃）へ昇温させる時間が、試料をエッチング処理す
る時間より長い。
上記従来技術は、試料のエッチング処理前の予備冷却と
エッチング処理後の昇温機構を設けた装置構成となって
いないため、装置のスループット（単位時間当りの試料
の処理数）が低かった。
エッチング処理後の昇温機構を設けた装置構成となって
いないため、装置のスループット（単位時間当りの試料
の処理数）が低かった。
本発明の目的は、スループットを向上できる低温ドライ
エッチング装置を提供することにある。
エッチング装置を提供することにある。
上記目的は、試料を水温以下の温度に冷却しながらプラ
ズマによりエッチング処理するエッチング室と、前記エ
ッチング室に搬入される前記試料を予備冷却する予備冷
却室と、前記エッチング室から搬入された前記試料を昇
温する昇温室とを、前記予備冷却室と前記エッチング室
の間および前記エッチング室と前記昇温室の間に各々設
けられたゲートバルブを介して、前記予備冷却室，前記
エッチング室，前記昇温室の順に連接することにより、
前記予備冷却室，前記エッチング室および前記昇温室
を、各々個別に独立した構成としたことにより、達成さ
れる。
ズマによりエッチング処理するエッチング室と、前記エ
ッチング室に搬入される前記試料を予備冷却する予備冷
却室と、前記エッチング室から搬入された前記試料を昇
温する昇温室とを、前記予備冷却室と前記エッチング室
の間および前記エッチング室と前記昇温室の間に各々設
けられたゲートバルブを介して、前記予備冷却室，前記
エッチング室，前記昇温室の順に連接することにより、
前記予備冷却室，前記エッチング室および前記昇温室
を、各々個別に独立した構成としたことにより、達成さ
れる。
予備冷却室，エッチング室および昇温室はおのおの個別
に構成されているため、それぞれの処理を同時に行うこ
とができ装置のスループットが向上する。
に構成されているため、それぞれの処理を同時に行うこ
とができ装置のスループットが向上する。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。試料
（図示省略）は、大気中からロード室４へ搬入され、真
空排気後ゲートバルブ10を介し真空排気されている予備
冷却室１へ搬入される。試料は、予備冷却室１で所定の
温度に予備冷却された後ゲートバルブ11を介してエッチ
ング室２に搬入されて冷却機構７によって冷却された電
極６上へ設置される。その後、所定のプロセスガス雰囲
気中で、高周波電源８を印加することにより、電極６と
対向電極９間にプラズマを発生させて、試料を低温エッ
チング処理する。エッチング処理後の試料は、ゲートバ
ルブ11を介して真空排気されている昇温室３へ搬入され
て昇温され、その後ゲートバルブ12を介してアンロード
室５へ搬入後アンロード室５のみをリーク後大気中へ搬
出され、処理を終了する。なお、図示省略したが予備冷
却室１には冷却手段が、また、昇温室３には、加熱手段
が設けられている。
（図示省略）は、大気中からロード室４へ搬入され、真
空排気後ゲートバルブ10を介し真空排気されている予備
冷却室１へ搬入される。試料は、予備冷却室１で所定の
温度に予備冷却された後ゲートバルブ11を介してエッチ
ング室２に搬入されて冷却機構７によって冷却された電
極６上へ設置される。その後、所定のプロセスガス雰囲
気中で、高周波電源８を印加することにより、電極６と
対向電極９間にプラズマを発生させて、試料を低温エッ
チング処理する。エッチング処理後の試料は、ゲートバ
ルブ11を介して真空排気されている昇温室３へ搬入され
て昇温され、その後ゲートバルブ12を介してアンロード
室５へ搬入後アンロード室５のみをリーク後大気中へ搬
出され、処理を終了する。なお、図示省略したが予備冷
却室１には冷却手段が、また、昇温室３には、加熱手段
が設けられている。
本実施例によれば、同一装置の各々個別に独立して構成
された各室内に、試料を連続して投入することによっ
て、予備冷却室での試料の予備冷却、エッチング室での
エッチング処理、昇温室での試料の昇温およびロード
室、アンロード室での試料の大気中から真空室内への搬
入・搬出のための真空排気・リークのそれぞれの処理
を、同時に個別に行うことができるため、装置のスルー
プットが向上し、効率よく試料を処理することができ
る。また、エッチング処理後の試料を真空下で加温する
ため、雰囲気水分付着等による試料の腐食を防止でき
る。
された各室内に、試料を連続して投入することによっ
て、予備冷却室での試料の予備冷却、エッチング室での
エッチング処理、昇温室での試料の昇温およびロード
室、アンロード室での試料の大気中から真空室内への搬
入・搬出のための真空排気・リークのそれぞれの処理
を、同時に個別に行うことができるため、装置のスルー
プットが向上し、効率よく試料を処理することができ
る。また、エッチング処理後の試料を真空下で加温する
ため、雰囲気水分付着等による試料の腐食を防止でき
る。
上記一実施例では、エッチング室として平行平板型のプ
ラズマエッチング室を示しているが、その他に、有磁場
又は無磁場マイクロ波プラズマを利用して試料をエッチ
ング処理するエッチング室であっても特に問題は生じな
い。
ラズマエッチング室を示しているが、その他に、有磁場
又は無磁場マイクロ波プラズマを利用して試料をエッチ
ング処理するエッチング室であっても特に問題は生じな
い。
本発明によれば、試料の予備冷却，低温エッチングおよ
び昇温を同時に行えるので、試料の低温エッチングにお
けるスループットを向上できる効果がある。
び昇温を同時に行えるので、試料の低温エッチングにお
けるスループットを向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の低温ドライエッチング装置
の構成図である。 １……予備冷却室、２……エッチング室、３……昇温
室、６……エッチング電極、７……冷却機構、８……高
周波電源、９……対向電極、10〜12……ゲートバルブ
の構成図である。 １……予備冷却室、２……エッチング室、３……昇温
室、６……エッチング電極、７……冷却機構、８……高
周波電源、９……対向電極、10〜12……ゲートバルブ
フロントページの続き (72)発明者 藤井 敬 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭63−60529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−12035（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−74531（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】試料を水温以下の温度に冷却しながらプラ
ズマによりエッチング処理するエッチング室と、前記エ
ッチング室に搬入される前記試料を予備冷却する予備冷
却室と、前記エッチング室から搬入された前記試料を昇
温する昇温室とを、前記予備冷却室と前記エッチング室
の間および前記エッチング室と前記昇温室の間に各々設
けられたゲートバルブを介して、前記予備冷却室，前記
エッチング室，前記昇温室の順に連接することにより、
前記予備冷却室，前記エッチング室および前記昇温室
を、各々個別に独立した構成としたことを特徴とする低
温ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074340A JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074340A JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248521A JPH01248521A (ja) | 1989-10-04 |
| JPH0797579B2 true JPH0797579B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13544291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074340A Expired - Lifetime JPH0797579B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 低温ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797579B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3577951B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2004-10-20 | 株式会社日立製作所 | 枚葉式真空処理方法及び装置 |
| US7935942B2 (en) * | 2006-08-15 | 2011-05-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for low-temperature ion implantation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360529A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63074340A patent/JPH0797579B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01248521A (ja) | 1989-10-04 |
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