JP2002246374A - プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 - Google Patents
プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法Info
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- JP2002246374A JP2002246374A JP2001043686A JP2001043686A JP2002246374A JP 2002246374 A JP2002246374 A JP 2002246374A JP 2001043686 A JP2001043686 A JP 2001043686A JP 2001043686 A JP2001043686 A JP 2001043686A JP 2002246374 A JP2002246374 A JP 2002246374A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メンテナンス時に発生したダスト等の異物に
よる不良発生を抑え、処理品質の向上・安定を図る。 【解決手段】 排気口３から排気する排気系と、反応ガ
ス供給系４、ガスライン９、及び反応ガス導入部として
のシャワープレート１３等からなるガス導入手段と、高
周波電力を供給してプラズマを発生させる高周波電源１
６と、真空反応室１内で基板を配設する下部電極１５と
を備えたプラズマ処理装置において、ガス導入手段のガ
スライン９にバルブ１２を介して加圧ガス源１１を接続
し、清掃メンテナンス時に加圧ガスをガス導入手段に供
給することにより、発生したダスト等の異物が反応ガス
導入部に入り込むのを防止した。
よる不良発生を抑え、処理品質の向上・安定を図る。 【解決手段】 排気口３から排気する排気系と、反応ガ
ス供給系４、ガスライン９、及び反応ガス導入部として
のシャワープレート１３等からなるガス導入手段と、高
周波電力を供給してプラズマを発生させる高周波電源１
６と、真空反応室１内で基板を配設する下部電極１５と
を備えたプラズマ処理装置において、ガス導入手段のガ
スライン９にバルブ１２を介して加圧ガス源１１を接続
し、清掃メンテナンス時に加圧ガスをガス導入手段に供
給することにより、発生したダスト等の異物が反応ガス
導入部に入り込むのを防止した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
処理や成膜処理などのプラズマ処理を行うプラズマ処理
装置とそのメンテナンス方法に関するものである。
処理や成膜処理などのプラズマ処理を行うプラズマ処理
装置とそのメンテナンス方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置の構成を図
４を参照して説明する。図４において、２１は真空反応
室、２２はその上部の蓋、２３は真空ポンプ等を備えた
排気系を構成する排気口である。２４は反応ガス供給系
で、各種ガス供給源２５と、マスフローコントローラ２
６と、バルブ２７から成る供給ライン２８を複数ライン
備えている。２９は反応ガス供給系２４から真空反応室
２１に反応ガスを供給するガスライン、３０はその途中
に配設されたバルブ、３１は供給された反応ガスを真空
反応室２１内に均等に導入するため、真空反応室２１内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。３２は下部電極、３３は高周波電源である。
４を参照して説明する。図４において、２１は真空反応
室、２２はその上部の蓋、２３は真空ポンプ等を備えた
排気系を構成する排気口である。２４は反応ガス供給系
で、各種ガス供給源２５と、マスフローコントローラ２
６と、バルブ２７から成る供給ライン２８を複数ライン
備えている。２９は反応ガス供給系２４から真空反応室
２１に反応ガスを供給するガスライン、３０はその途中
に配設されたバルブ、３１は供給された反応ガスを真空
反応室２１内に均等に導入するため、真空反応室２１内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。３２は下部電極、３３は高周波電源である。
【０００３】以上の構成のドライエッチング装置におい
て、真空反応室２１内を真空排気した後、反応ガス供給
系２４からガスライン２９を介してシャワープレート３
１にて真空反応室２１内に均等に反応ガスを供給しつ
つ、排気口２３から排気して真空反応室２１内の所定の
圧力状態に保持した状態で、高周波電源３３にて下部電
極３２に高周波電力を印加することでより、下部電極３
２の上部空間にプラズマを発生させ、下部電極３２上の
被処理基板（図示せず）に所望のプラズマ処理が施され
る。
て、真空反応室２１内を真空排気した後、反応ガス供給
系２４からガスライン２９を介してシャワープレート３
１にて真空反応室２１内に均等に反応ガスを供給しつ
つ、排気口２３から排気して真空反応室２１内の所定の
圧力状態に保持した状態で、高周波電源３３にて下部電
極３２に高周波電力を印加することでより、下部電極３
２の上部空間にプラズマを発生させ、下部電極３２上の
被処理基板（図示せず）に所望のプラズマ処理が施され
る。
【０００４】このドライエッチング装置のメンテナンス
時には、真空反応室２１内を大気に開放して真空反応室
２１内の清掃を行っている。
時には、真空反応室２１内を大気に開放して真空反応室
２１内の清掃を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記メ
ンテナンス時に発生したダスト等の異物が反応ガス導入
部としてのシャワープレート３１のガス穴などの反応ガ
ス導入部に入り込み、メンテナンスが終了してドライエ
ッチングを再開したときに、反応ガスの導入に伴って異
物が真空反応室２１内に出てきて、被処理基板に付着
し、品質不良を発生するという問題があった。
ンテナンス時に発生したダスト等の異物が反応ガス導入
部としてのシャワープレート３１のガス穴などの反応ガ
ス導入部に入り込み、メンテナンスが終了してドライエ
ッチングを再開したときに、反応ガスの導入に伴って異
物が真空反応室２１内に出てきて、被処理基板に付着
し、品質不良を発生するという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来の問題に鑑み、メンテ
ナンス時に発生したダスト等の異物による不良発生を抑
え、処理品質の向上・安定を図ることができるプラズマ
処理装置及びそのメンテナンス方法を提供することを目
的としている。
ナンス時に発生したダスト等の異物による不良発生を抑
え、処理品質の向上・安定を図ることができるプラズマ
処理装置及びそのメンテナンス方法を提供することを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、真空反応室内を排気する排気系と、真空反応室内
に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反応室内に
高周波電力を供給してプラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極とを備え
たプラズマ処理装置において、ガス導入手段に加圧ガス
を供給する手段を接続したものであり、加圧ガスをガス
導入手段に供給しながら清掃メンテナンスを行うことに
より、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
置は、真空反応室内を排気する排気系と、真空反応室内
に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反応室内に
高周波電力を供給してプラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極とを備え
たプラズマ処理装置において、ガス導入手段に加圧ガス
を供給する手段を接続したものであり、加圧ガスをガス
導入手段に供給しながら清掃メンテナンスを行うことに
より、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
【０００８】また、加圧ガスとしては、Ｎ2 ガスとドラ
イ空気とＡｒガスなどの不活性ガスから選択されたもの
が好適である。
イ空気とＡｒガスなどの不活性ガスから選択されたもの
が好適である。
【０００９】また、本発明のプラズマ処理装置のメンテ
ナンス方法は、真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、真空反応室内を
大気開放して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メン
テナンスするときにガス導入手段に加圧ガスを供給する
ものであり、上記のように処理品質の向上・安定を図る
ことができる。
ナンス方法は、真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、真空反応室内を
大気開放して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メン
テナンスするときにガス導入手段に加圧ガスを供給する
ものであり、上記のように処理品質の向上・安定を図る
ことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態のドラ
イエッチング装置について、図１〜図３を参照して説明
する。
イエッチング装置について、図１〜図３を参照して説明
する。
【００１１】図１において、１は真空反応室、２はその
上部の蓋、３は真空ポンプ等を備えた排気系を構成する
排気口である。４は反応ガス供給系で、各種ガス供給源
５と、マスフローコントローラ６と、バルブ７から成る
供給ライン８を複数ライン備えている。９は反応ガス供
給系４から真空反応室１に反応ガスを供給するガスライ
ン、１０はその途中に配設されたバルブである。
上部の蓋、３は真空ポンプ等を備えた排気系を構成する
排気口である。４は反応ガス供給系で、各種ガス供給源
５と、マスフローコントローラ６と、バルブ７から成る
供給ライン８を複数ライン備えている。９は反応ガス供
給系４から真空反応室１に反応ガスを供給するガスライ
ン、１０はその途中に配設されたバルブである。
【００１２】１１は加圧ガス源であり、バルブ１２を介
してガスライン９における反応ガス供給系４とバルブ１
０の間に接続され、反応ガス又は加圧ガスを真空反応室
１内に選択的に供給できるように構成されている。加圧
ガス源１１から供給する加圧ガスとしてはＮ2 ガスやド
ライ空気などが安価で好適であるが、Ａｒガスなどの不
活性ガスを用いてもよい。１３は供給された反応ガスを
真空反応室１内に均等に導入するため、真空反応室１内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。
してガスライン９における反応ガス供給系４とバルブ１
０の間に接続され、反応ガス又は加圧ガスを真空反応室
１内に選択的に供給できるように構成されている。加圧
ガス源１１から供給する加圧ガスとしてはＮ2 ガスやド
ライ空気などが安価で好適であるが、Ａｒガスなどの不
活性ガスを用いてもよい。１３は供給された反応ガスを
真空反応室１内に均等に導入するため、真空反応室１内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。
【００１３】１５は真空反応室１内の下部に絶縁体１４
を介して配設された下部電極であり、高周波電源１６が
接続されている。
を介して配設された下部電極であり、高周波電源１６が
接続されている。
【００１４】シャワープレート１３は、図２、図３に示
すように、反応ガスを真空反応室１内に均等にて導入す
るように多数のガス穴１７がマトリックス状に分散させ
て配設されている。
すように、反応ガスを真空反応室１内に均等にて導入す
るように多数のガス穴１７がマトリックス状に分散させ
て配設されている。
【００１５】以上の構成のドライエッチング装置におい
て、真空反応室１内を真空排気した後、真空反応室１内
に反応ガス供給系４から反応ガスを供給しつつ排気口３
から排気して真空反応室１内の所定の圧力状態に保持し
た状態で、高周波電源１６にて下部電極１５に高周波電
力を印加することにより、下部電極１５の上部空間にプ
ラズマを発生させ、下部電極１５上の被処理基板（図示
せず）に所望のプラズマ処理が施される。
て、真空反応室１内を真空排気した後、真空反応室１内
に反応ガス供給系４から反応ガスを供給しつつ排気口３
から排気して真空反応室１内の所定の圧力状態に保持し
た状態で、高周波電源１６にて下部電極１５に高周波電
力を印加することにより、下部電極１５の上部空間にプ
ラズマを発生させ、下部電極１５上の被処理基板（図示
せず）に所望のプラズマ処理が施される。
【００１６】このドライエッチング装置のメンテナンス
時には、真空反応室１内を大気に開放して清掃を行って
いる。その際に、反応ガス供給系４のバルブ７を全て閉
じ、バルブ１０及び１２を開いて加圧ガス源１１からガ
スライン９を介して加圧ガスを供給することにより、図
３に示すように、加圧ガスがシャワープレート１３のガ
ス穴１７から真空反応室１内に向けて矢印１８の如く噴
出し、真空反応室１内のダストなどの異物１９がガス穴
１７内に入り込もうとしても、矢印２０の如く押し出さ
れ、異物１９のガス穴１７内への入り込みを防止するこ
とができる。
時には、真空反応室１内を大気に開放して清掃を行って
いる。その際に、反応ガス供給系４のバルブ７を全て閉
じ、バルブ１０及び１２を開いて加圧ガス源１１からガ
スライン９を介して加圧ガスを供給することにより、図
３に示すように、加圧ガスがシャワープレート１３のガ
ス穴１７から真空反応室１内に向けて矢印１８の如く噴
出し、真空反応室１内のダストなどの異物１９がガス穴
１７内に入り込もうとしても、矢印２０の如く押し出さ
れ、異物１９のガス穴１７内への入り込みを防止するこ
とができる。
【００１７】かくして、メンテナンスを終了してプラズ
マ処理を再開した時に、反応ガスとともに異物１９が真
空反応室１内に出てきて不良を発生するというような事
態の発生を確実に防止でき、処理品質の向上・安定を図
ることができる。
マ処理を再開した時に、反応ガスとともに異物１９が真
空反応室１内に出てきて不良を発生するというような事
態の発生を確実に防止でき、処理品質の向上・安定を図
ることができる。
【００１８】なお、配管構成は図示例に限定されるもの
ではなく、反応ガス供給系４からの反応ガス供給と、加
圧ガス源１１からの加圧ガス供給を個別に切替えること
ができる配管構成であれば良いことは言うまでもない。
また、加圧ガスとしてＡｒガスを用いる場合に、反応ガ
ス供給系４内のＡｒガスのガス供給源５を用い、マスフ
ローコントローラ６をバイパスさせて供給するようにす
ることもできる。
ではなく、反応ガス供給系４からの反応ガス供給と、加
圧ガス源１１からの加圧ガス供給を個別に切替えること
ができる配管構成であれば良いことは言うまでもない。
また、加圧ガスとしてＡｒガスを用いる場合に、反応ガ
ス供給系４内のＡｒガスのガス供給源５を用い、マスフ
ローコントローラ６をバイパスさせて供給するようにす
ることもできる。
【００１９】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置とそのメンテ
ナンス方法によれば、以上のようにガス導入手段に加圧
ガスを供給する手段を接続し、真空反応室内を大気開放
して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メンテナンス
するときにガス導入手段に加圧ガスを供給することによ
って、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
ナンス方法によれば、以上のようにガス導入手段に加圧
ガスを供給する手段を接続し、真空反応室内を大気開放
して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メンテナンス
するときにガス導入手段に加圧ガスを供給することによ
って、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
【図１】本発明の一実施形態のドライエッチング装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】同実施形態におけるシャワープレートを真空反
応室側の下方から見た斜視図である。
応室側の下方から見た斜視図である。
【図３】同実施形態におけるシャワープレートのガス穴
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】従来例のドライエッチング装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ 真空反応室 ３ 排気口（排気系） ４ 反応ガス供給系 １１ 加圧ガス源 １３ シャワープレート（反応ガス導入部） １５ 下部電極 １６ 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ (72)発明者 中山 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA57 BC01 BC06 BD14 CA47 CA63 CA65 DA01 EB01 EB42 EC02 4K030 DA06 FA01 KA09 LA15 5F004 AA15 BA04 BB28 BC03 DA23 DA25 5F045 AA08 BB15 EB06 EE14 EF05 EH05 EH13
Claims (3)
- 【請求項１】 真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、ガス導入手段に
加圧ガスを供給する手段を接続したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】 加圧ガスは、Ｎ2 ガスとドライ空気とＡ
ｒガスなどの不活性ガスから選択されたものであること
を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、真空反応室内を
大気開放して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メン
テナンスするときにガス導入手段に加圧ガスを供給する
ことを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043686A JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043686A JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246374A true JP2002246374A (ja) | 2002-08-30 |
| JP2002246374A5 JP2002246374A5 (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=18905809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001043686A Pending JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002246374A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040035661A (ko) * | 2004-04-08 | 2004-04-29 | 이대준 | 패널 제진장치의 양방향전환밸브장치 |
| US8029874B2 (en) | 2008-01-22 | 2011-10-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere |
| CN106319482A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-11 | 无锡宏纳科技有限公司 | 增压式化学气相淀积反应腔 |
| CN106381479A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-08 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆化学气相淀积反应装置 |
| CN106399974A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 常压化学气相淀积反应腔 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043686A patent/JP2002246374A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040035661A (ko) * | 2004-04-08 | 2004-04-29 | 이대준 | 패널 제진장치의 양방향전환밸브장치 |
| US8029874B2 (en) | 2008-01-22 | 2011-10-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere |
| CN106319482A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-11 | 无锡宏纳科技有限公司 | 增压式化学气相淀积反应腔 |
| CN106381479A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-08 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆化学气相淀积反应装置 |
| CN106399974A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 常压化学气相淀积反应腔 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050318 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050318 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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