JP2002246374A - プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 - Google Patents
プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法Info
- Publication number
- JP2002246374A JP2002246374A JP2001043686A JP2001043686A JP2002246374A JP 2002246374 A JP2002246374 A JP 2002246374A JP 2001043686 A JP2001043686 A JP 2001043686A JP 2001043686 A JP2001043686 A JP 2001043686A JP 2002246374 A JP2002246374 A JP 2002246374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- vacuum reaction
- plasma
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
よる不良発生を抑え、処理品質の向上・安定を図る。 【解決手段】 排気口3から排気する排気系と、反応ガ
ス供給系4、ガスライン9、及び反応ガス導入部として
のシャワープレート13等からなるガス導入手段と、高
周波電力を供給してプラズマを発生させる高周波電源1
6と、真空反応室1内で基板を配設する下部電極15と
を備えたプラズマ処理装置において、ガス導入手段のガ
スライン9にバルブ12を介して加圧ガス源11を接続
し、清掃メンテナンス時に加圧ガスをガス導入手段に供
給することにより、発生したダスト等の異物が反応ガス
導入部に入り込むのを防止した。
Description
処理や成膜処理などのプラズマ処理を行うプラズマ処理
装置とそのメンテナンス方法に関するものである。
4を参照して説明する。図4において、21は真空反応
室、22はその上部の蓋、23は真空ポンプ等を備えた
排気系を構成する排気口である。24は反応ガス供給系
で、各種ガス供給源25と、マスフローコントローラ2
6と、バルブ27から成る供給ライン28を複数ライン
備えている。29は反応ガス供給系24から真空反応室
21に反応ガスを供給するガスライン、30はその途中
に配設されたバルブ、31は供給された反応ガスを真空
反応室21内に均等に導入するため、真空反応室21内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。32は下部電極、33は高周波電源である。
て、真空反応室21内を真空排気した後、反応ガス供給
系24からガスライン29を介してシャワープレート3
1にて真空反応室21内に均等に反応ガスを供給しつ
つ、排気口23から排気して真空反応室21内の所定の
圧力状態に保持した状態で、高周波電源33にて下部電
極32に高周波電力を印加することでより、下部電極3
2の上部空間にプラズマを発生させ、下部電極32上の
被処理基板(図示せず)に所望のプラズマ処理が施され
る。
時には、真空反応室21内を大気に開放して真空反応室
21内の清掃を行っている。
ンテナンス時に発生したダスト等の異物が反応ガス導入
部としてのシャワープレート31のガス穴などの反応ガ
ス導入部に入り込み、メンテナンスが終了してドライエ
ッチングを再開したときに、反応ガスの導入に伴って異
物が真空反応室21内に出てきて、被処理基板に付着
し、品質不良を発生するという問題があった。
ナンス時に発生したダスト等の異物による不良発生を抑
え、処理品質の向上・安定を図ることができるプラズマ
処理装置及びそのメンテナンス方法を提供することを目
的としている。
置は、真空反応室内を排気する排気系と、真空反応室内
に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反応室内に
高周波電力を供給してプラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極とを備え
たプラズマ処理装置において、ガス導入手段に加圧ガス
を供給する手段を接続したものであり、加圧ガスをガス
導入手段に供給しながら清掃メンテナンスを行うことに
より、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
イ空気とArガスなどの不活性ガスから選択されたもの
が好適である。
ナンス方法は、真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、真空反応室内を
大気開放して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メン
テナンスするときにガス導入手段に加圧ガスを供給する
ものであり、上記のように処理品質の向上・安定を図る
ことができる。
イエッチング装置について、図1〜図3を参照して説明
する。
上部の蓋、3は真空ポンプ等を備えた排気系を構成する
排気口である。4は反応ガス供給系で、各種ガス供給源
5と、マスフローコントローラ6と、バルブ7から成る
供給ライン8を複数ライン備えている。9は反応ガス供
給系4から真空反応室1に反応ガスを供給するガスライ
ン、10はその途中に配設されたバルブである。
してガスライン9における反応ガス供給系4とバルブ1
0の間に接続され、反応ガス又は加圧ガスを真空反応室
1内に選択的に供給できるように構成されている。加圧
ガス源11から供給する加圧ガスとしてはN2 ガスやド
ライ空気などが安価で好適であるが、Arガスなどの不
活性ガスを用いてもよい。13は供給された反応ガスを
真空反応室1内に均等に導入するため、真空反応室1内
に配設された反応ガス導入部としてのシャワープレート
である。
を介して配設された下部電極であり、高周波電源16が
接続されている。
すように、反応ガスを真空反応室1内に均等にて導入す
るように多数のガス穴17がマトリックス状に分散させ
て配設されている。
て、真空反応室1内を真空排気した後、真空反応室1内
に反応ガス供給系4から反応ガスを供給しつつ排気口3
から排気して真空反応室1内の所定の圧力状態に保持し
た状態で、高周波電源16にて下部電極15に高周波電
力を印加することにより、下部電極15の上部空間にプ
ラズマを発生させ、下部電極15上の被処理基板(図示
せず)に所望のプラズマ処理が施される。
時には、真空反応室1内を大気に開放して清掃を行って
いる。その際に、反応ガス供給系4のバルブ7を全て閉
じ、バルブ10及び12を開いて加圧ガス源11からガ
スライン9を介して加圧ガスを供給することにより、図
3に示すように、加圧ガスがシャワープレート13のガ
ス穴17から真空反応室1内に向けて矢印18の如く噴
出し、真空反応室1内のダストなどの異物19がガス穴
17内に入り込もうとしても、矢印20の如く押し出さ
れ、異物19のガス穴17内への入り込みを防止するこ
とができる。
マ処理を再開した時に、反応ガスとともに異物19が真
空反応室1内に出てきて不良を発生するというような事
態の発生を確実に防止でき、処理品質の向上・安定を図
ることができる。
ではなく、反応ガス供給系4からの反応ガス供給と、加
圧ガス源11からの加圧ガス供給を個別に切替えること
ができる配管構成であれば良いことは言うまでもない。
また、加圧ガスとしてArガスを用いる場合に、反応ガ
ス供給系4内のArガスのガス供給源5を用い、マスフ
ローコントローラ6をバイパスさせて供給するようにす
ることもできる。
ナンス方法によれば、以上のようにガス導入手段に加圧
ガスを供給する手段を接続し、真空反応室内を大気開放
して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メンテナンス
するときにガス導入手段に加圧ガスを供給することによ
って、発生したダスト等の異物が反応ガス導入部に入り
込むのを防止でき、プラズマ処理の再開時に異物が出て
きて不良を発生する恐れを無くすことができ、処理品質
の向上・安定を図ることができる。
概略構成図である。
応室側の下方から見た斜視図である。
を示す断面図である。
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、ガス導入手段に
加圧ガスを供給する手段を接続したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項2】 加圧ガスは、N2 ガスとドライ空気とA
rガスなどの不活性ガスから選択されたものであること
を特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項3】 真空反応室内を排気する排気系と、真空
反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、真空反
応室内に高周波電力を供給してプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、真空反応室内で基板を配設する電極
とを備えたプラズマ処理装置において、真空反応室内を
大気開放して真空反応室内の反応ガス導入部を清掃メン
テナンスするときにガス導入手段に加圧ガスを供給する
ことを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001043686A JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001043686A JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246374A true JP2002246374A (ja) | 2002-08-30 |
JP2002246374A5 JP2002246374A5 (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=18905809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001043686A Pending JP2002246374A (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002246374A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040035661A (ko) * | 2004-04-08 | 2004-04-29 | 이대준 | 패널 제진장치의 양방향전환밸브장치 |
US8029874B2 (en) | 2008-01-22 | 2011-10-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere |
CN106319482A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-11 | 无锡宏纳科技有限公司 | 增压式化学气相淀积反应腔 |
CN106381479A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-08 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆化学气相淀积反应装置 |
CN106399974A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 常压化学气相淀积反应腔 |
-
2001
- 2001-02-20 JP JP2001043686A patent/JP2002246374A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040035661A (ko) * | 2004-04-08 | 2004-04-29 | 이대준 | 패널 제진장치의 양방향전환밸브장치 |
US8029874B2 (en) | 2008-01-22 | 2011-10-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere |
CN106319482A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-01-11 | 无锡宏纳科技有限公司 | 增压式化学气相淀积反应腔 |
CN106381479A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-08 | 无锡宏纳科技有限公司 | 晶圆化学气相淀积反应装置 |
CN106399974A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 常压化学气相淀积反应腔 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63204726A (ja) | 真空処理装置 | |
CN105280482A (zh) | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | |
US8277563B2 (en) | Plasma processing method | |
JP2002246374A (ja) | プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法 | |
JPWO2017208311A1 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2010225847A (ja) | 真空処理装置,減圧処理方法,基板処理方法 | |
JP2001085414A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2002060949A (ja) | プラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法 | |
JP2010192513A (ja) | プラズマ処理装置およびその運転方法 | |
JP2003077897A (ja) | 処理装置及びその運転方法 | |
JPH0387386A (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
JPH09186108A (ja) | クラスタツール装置 | |
JP2006019552A (ja) | プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2001185598A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7445408B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の立ち上げまたはメンテナンス方法 | |
JP3595508B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2003133290A (ja) | レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法 | |
JP2002270396A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2003332315A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JPH04215429A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH1112742A (ja) | Cvd装置およびそのクリーニング方法 | |
JP4470325B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2002141291A (ja) | 真空チャンバーの減圧方法 | |
JP4498503B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JPH10330972A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050318 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070724 |