JP2017510716A - 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 - Google Patents
複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017510716A JP2017510716A JP2016572896A JP2016572896A JP2017510716A JP 2017510716 A JP2017510716 A JP 2017510716A JP 2016572896 A JP2016572896 A JP 2016572896A JP 2016572896 A JP2016572896 A JP 2016572896A JP 2017510716 A JP2017510716 A JP 2017510716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma processing
- exhaust gas
- plasma
- inlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45593—Recirculation of reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
2〜6 作動ガス容量
10 処理室
11a〜11c プラズマ処理領域
111 遠隔プラズマ
12a〜12c 基体
120 基体担持体
121 第一の電極
122 第二の電極
13 ガス入口
13a〜13c 分割室
131a〜131c 流出開口部
132a,b 隔壁
14 ガス出口
141a〜141c 流入開口部
15 加熱要素
21 ガス供給ライン
21a 第一のガス供給ライン
21b 第二のガス供給ライン
22 ガスを供給するための装置
23 排ガスライン
23a 第一の排ガスライン
23b 第二の排ガスライン
24 ポンプ
25a,b 調整弁
26a〜26f 調量装置
27 第一の弁グループ
24a,b 第一の弁グループの弁
28 第二の弁グループ
28a,b 第二の弁グループの弁
30 循環ユニット
31 循環ユニット
32 循環ポンプ
33 塵埃分離装置
34 ガス成分を除去するための装置
35 排出ライン
60 発電機
61 パルス発生器
62 マッチボックス兼フィルタボックス
70 基体を移動させるための装置
Claims (21)
- プラズマ処理を行うための装置であって、
この装置が処理室を備えており、この処理室が、
−プロセスガスにより貫流される少なくとも二つのプラズマ処理領域と、
−ガス入口であって、このガス入口が、プロセスガスを少なくとも二つのプラズマ処理領域に案内するのに適しているガス入口と、
−ガス出口であって、このガス出口が、排ガスを処理室から放出するのに適しているガス出口と、
−循環ラインと循環ポンプを有する循環ユニットを備えており、循環ユニットが、排ガスの少なくとも一部をガス入口内に供給するのに適しており、
−ガス入口内に供給される排ガスが、少なくとも二つのプラズマ処理領域から流出するガスの混合物であることを特徴とするプラズマ処理を行うための装置。 - −循環ユニットが調整弁をそなえており
−調整弁と循環ポンプが、ガス入口内に供給される、排ガスとは異なるガスのガス流に対する、循環ラインを介してガス入口内に供給される排ガスのガス流の比が、100以下の領域内にあるように好ましくは10の領域にあるように設計されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理を行うための装置。 - ガス入口がガス供給ラインと接続されており、このガス供給ラインが排ガスとは異なるガスを供給するための装置に接続されており、その際に循環ラインがガス供給ラインと接続されており、従って循環ユニットにより供給される排ガスがガス供給ラインを介してガス入口内に供給されることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- ガス入口が二つのガス供給ラインと接続されており、第一のガス供給ラインが直接循環ラインと接続されており、第二のガス供給ラインが排ガスとは異なるガス供給するための装置と接続されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理を行うための装置。 - ガス入口がガス入口混合室により実現されており、各々一つ或いは複数の開口部を有する少なくとも二つの流出システムを備えており、これらの開口部からプラズマガスがプラズマ処理領域まで流出し、その際に各流出システムが少なくとも二つのプラズマ処理領域の各々一つに割当てられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- 少なくとも二つの流出システムの開口部が同じコンダクタンスを備えていることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- ガス入口がガス入口混合室により実現されており、このガス入口混合室が少なくとも二つの分割室を備えており、その際に各分割室が独立した流出システムを備えており、この流出システムからプロセスガスが少なくとも一つのプラズマ処理領域まで流れ、プラズマ処理領域の各々少なくとも一つに割当てられており、その際に各分割室に少なくとも一つの調量装置が割当てられており、この調量装置が、供給される排ガスの量と排ガスとは異なる供給されるガスの量を各分割室毎に個々に調節するのに適していることを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- ガス出口がガス出口混合室により実現されており、このガス出口混合室が各々一つあるいは複数の開口部を有する少なくとも二つの流入システムを備えており、これらの流入システムを通って、排ガスがプラズマ処理領域からガス出口混合室内に流入し、その際に各流入システムが各々少なくとも二つのプラズマ処理領域の各々一つに割当てられていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- 少なくとも二つの流入システムの開口部が同じコンダクタンスを備えていることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- −ガス入口がガスを排出するための装置と排ガスラインを介して接続されており、
−循環ラインが排ガスラインと接続されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。 - ガス出口がガスを排出するための装置と排ガスラインを介してかつそこから分離されて循環ラインと接続されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- 循環ユニットが塵埃分離装置を備えていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- 循環ユニットが排ガスの特殊な成分を除去するための装置を備えていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- −ガス入口とガス出口が構造的に同じに構成されており、
−プラズマ処理を行うための装置が切替装置を備えており、この切替装置が、第一の切替状態で、循環ラインを介して供給される排ガスと排ガスとは異なるガスをガス入口に供給し、排ガスをガス出口から排出し、第二の切替状態において、循環ラインを介して供給される排ガスと排ガスとは異なるガスをガス出口に供給し、排ガスをガス入口から排出するのに適していることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。 - 切替ユニットが、切替状態をプラズマ処理過程当たり5回と25回の間で切替えるのに適していることを特徴とする請求項14に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- −プラズマ処理工程のための処理室がさらに、プラズマ処理領域内で処理される基体の配列を移動させるための装置をプロセス室内の第一の方向にそって備えており、
−処理室が複数のガス入口と複数のガス出口を備えており、その際にガス入口とガス出口が、交互に処理室の一方の側の第一の方向に沿って配置されており基体配列はプロセスガスにより衝突されるが貫流はされないことを特徴とする請求項1〜15のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。 - ガス入口とガス出口が、処理室の向かい合った側に配置されていることを特徴とする請求項1〜15のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
- −プラズマ処理を行うための装置がさらに、プラズマ処理領域内で処理される基体の配列を移動させるための装置を処理室内の第一の方向に沿って備えており、
−処理室がガス入口これに割当てられたガス出口の複数のペアを備えており、ガス入口とガス出口が、第一の方向に沿って、特殊なガス入口が第一の方向に沿って延びている処理室の側に配置されており、この特殊なガス入口に割当てられたガス出口が処理室の向かい合った側に配置されているように配置されており、従って基体配列と各ガス入口およびガス出口に割当てられたプラズマ処理領域がプロセスガスにより貫流されることを特徴とする請求項1〜15のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。 - プラズマ処理を行うための装置は、ガス入口とこれらに割当てられたガス出口のペアと同じ数の循環ユニットを備えており、ガス入口とこれらに割当てられたガス出口のどの特殊なペアにも循環ユニットが一つ割当てられており、その際に特殊なガス出口から排ガスの割当てられた循環ユニットを通ってもっぱら割当てられたガス入口内に供給されることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- すべてのガス出口から排ガスが混合されかつ全てのガス入口内に供給されることを特徴とする請求項18に記載のプラズマ処理を行うための装置。
- ガス入口と割当てられたガス出口の二つのペアが、第一の方向で相前後して配置されたガス入口とこれらに割当てられたガス出口が、一方のペアのガス入口が他方のペアのガス入口と、処理室の同じ側に配置されているように配置されていることを特徴とする請求項18〜20のいずれか一つに記載のプラズマ処理を行うための装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14158269.2 | 2014-03-07 | ||
EP14158269.2A EP2915901B1 (de) | 2014-03-07 | 2014-03-07 | Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen |
PCT/EP2015/054334 WO2015132214A1 (de) | 2014-03-07 | 2015-03-03 | Vorrichtung zur plasmaprozessierung mit prozessgaszirkulation in multiplen plasmen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017510716A true JP2017510716A (ja) | 2017-04-13 |
Family
ID=50272327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016572896A Pending JP2017510716A (ja) | 2014-03-07 | 2015-03-03 | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170069468A1 (ja) |
EP (1) | EP2915901B1 (ja) |
JP (1) | JP2017510716A (ja) |
KR (1) | KR20160130801A (ja) |
CN (1) | CN106062247B (ja) |
HK (1) | HK1215286A1 (ja) |
TW (1) | TWI596231B (ja) |
WO (1) | WO2015132214A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3592643B1 (en) | 2017-03-10 | 2023-06-14 | ZF Friedrichshafen AG | Saildrive arrangement |
LT3422396T (lt) * | 2017-06-28 | 2021-09-10 | Meyer Burger (Germany) Gmbh | Substrato transportavimo įrenginys, valymo įrenginys su padėklu, pritaikytu minėto įrenginio substrato laikikliui, ir substrato apdorojimo naudojant minėtą substrato transportavimo įrenginį bei valymo įrenginį būdas |
DE102017221346A1 (de) * | 2017-11-28 | 2019-05-29 | Thyssenkrupp Ag | Gaskreislauffilter für Vakuumanlagen |
DE102019133023A1 (de) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | Aixtron Se | Gaseinlassvorrichtung für einen CVD-Reaktor |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6074429A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS60189220A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | Nippon Denso Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPS6345377A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | Canon Inc | 成膜装置 |
JPH0346234A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体処理用横型炉 |
JPH0574718A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 成膜方法および装置 |
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JPH0794419A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
JPH08192044A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Sekisui Chem Co Ltd | シートの連続表面処理方法及び装置 |
JP2001185544A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2002203792A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | ガス循環処理装置 |
JP2002273198A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-24 | Ebara Corp | 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置 |
JP2007265838A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2010087077A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
JP2012099864A (ja) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応管 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4287851A (en) | 1980-01-16 | 1981-09-08 | Dozier Alfred R | Mounting and excitation system for reaction in the plasma state |
US4468283A (en) * | 1982-12-17 | 1984-08-28 | Irfan Ahmed | Method for etching and controlled chemical vapor deposition |
NL8303602A (nl) | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Johannes Hendrikus Leonardus H | Plasma-gestimuleerde chemische opdampinrichting en in het bijzonder een substratenondersteunings- en elektrodeopstelling daarvoor en de betreffende onderdelen. |
EP1073091A3 (en) * | 1999-07-27 | 2004-10-06 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus |
KR100733237B1 (ko) * | 1999-10-13 | 2007-06-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 |
CN101516468A (zh) * | 2006-09-22 | 2009-08-26 | 应用材料股份有限公司 | 用于再循环稀释气体的含微粒捕集器/过滤器的系统和方法 |
EP2162389B1 (en) * | 2007-06-07 | 2013-10-16 | Linde LLC | Recycle and reuse of silane |
DE102007043156A1 (de) * | 2007-09-11 | 2009-03-12 | Näbauer, Anton, Dr. | Verringerung des Verbrauchs von Prozessgasen bei der chemischen Gasphasenabscheidung von siliziumhaltigen Schichten bei der als Reaktionsprodukt neben der abzuscheidenden Schicht Wasserstoff entsteht |
-
2014
- 2014-03-07 EP EP14158269.2A patent/EP2915901B1/de active Active
-
2015
- 2015-03-03 CN CN201580012469.XA patent/CN106062247B/zh active Active
- 2015-03-03 US US15/122,638 patent/US20170069468A1/en not_active Abandoned
- 2015-03-03 WO PCT/EP2015/054334 patent/WO2015132214A1/de active Application Filing
- 2015-03-03 JP JP2016572896A patent/JP2017510716A/ja active Pending
- 2015-03-03 KR KR1020167027286A patent/KR20160130801A/ko unknown
- 2015-03-06 TW TW104107116A patent/TWI596231B/zh active
-
2016
- 2016-03-03 HK HK16102464.5A patent/HK1215286A1/zh unknown
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6074429A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
JPS60189220A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | Nippon Denso Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPS6345377A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-26 | Canon Inc | 成膜装置 |
JPH0346234A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体処理用横型炉 |
JPH0574718A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 成膜方法および装置 |
JPH05251391A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
JPH0794419A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
JPH08192044A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Sekisui Chem Co Ltd | シートの連続表面処理方法及び装置 |
JP2001185544A (ja) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2002203792A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | ガス循環処理装置 |
JP2002273198A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-24 | Ebara Corp | 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置 |
JP2007265838A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
JP2012099864A (ja) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応管 |
JP2010087077A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201534753A (zh) | 2015-09-16 |
CN106062247A (zh) | 2016-10-26 |
EP2915901B1 (de) | 2019-02-27 |
WO2015132214A1 (de) | 2015-09-11 |
HK1215286A1 (zh) | 2016-08-19 |
US20170069468A1 (en) | 2017-03-09 |
CN106062247B (zh) | 2019-08-16 |
EP2915901A1 (de) | 2015-09-09 |
TWI596231B (zh) | 2017-08-21 |
KR20160130801A (ko) | 2016-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20180174801A1 (en) | Apparatuses and methods for surface treatment | |
JP2017510716A (ja) | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 | |
TWI683026B (zh) | 氣體供應歧管及使用其供應氣體至室之方法 | |
KR101985028B1 (ko) | 이온주입장치 | |
CN105331953B (zh) | 进气装置以及半导体加工设备 | |
CN103053011A (zh) | 用于中性粒子/离子流通量控制的双等离子体容积处理装置 | |
TWI589726B (zh) | 使用多區域氣體進料器之電漿處理室中的共用氣體面板 | |
TWI448215B (zh) | 電漿處理裝置 | |
CN106257623B (zh) | 气体供给系统、气体供给控制方法和气体置换方法 | |
CN104576279B (zh) | 一种气体调节装置及其所处的等离子体反应器 | |
CN103329251A (zh) | 使用电容耦合式等离子体的半导体处理系统及方法 | |
JP2020535371A (ja) | 材料を熱的又は熱化学的に処理する装置及び方法 | |
KR101913985B1 (ko) | 라디칼 가스 발생 시스템 | |
KR101913978B1 (ko) | 라디칼 가스 발생 시스템 | |
TW201428205A (zh) | 模組化化學傳遞系統 | |
CN102449726B (zh) | 等离子体沉积源和用于沉积薄膜的方法 | |
CN103748665A (zh) | 具有多个解耦等离子体源的半导体处理系统 | |
CN108352294A (zh) | 衬底处理装置 | |
KR101649865B1 (ko) | 플라즈마 처리수 제조 장치 및 활성 가스 발생 장치 | |
KR20110067488A (ko) | 이온 주입 시스템 | |
TW201432775A (zh) | 等離子處理裝置 | |
CN107267957B (zh) | 一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法 | |
KR20090130936A (ko) | 상압 플라즈마 발생장치 | |
KR20110120186A (ko) | 빔 전류 밀도 분포의 조정 목표 설정 방법 및 이온 주입 장치 | |
DE102020124030A1 (de) | Vorrichtung, System und Verfahren zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180704 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190220 |