TW201534753A - 用於在多種等離子體中以過程氣體循環作等離子體處理的設備 - Google Patents

用於在多種等離子體中以過程氣體循環作等離子體處理的設備 Download PDF

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Abstract

根據本發明的用於等離子體處理的設備包括過程室以及具有迴圈線路和迴圈泵的迴圈單元，過程室具有至少兩個被過程氣體穿流的等離子體過程區、氣體進入部和氣體排出部，氣體進入部適合於將過程氣體輸送給至少兩個等離子體過程區，氣體排出部適合於將廢氣從過程室排除，其中，迴圈單元適合於將廢氣中至少一部分供應到氣體進入部中，並且其中，供應到氣體進入部中的廢氣是從等離子體過程區中的至少兩個中逸出的氣體的混合物。通過混合來自等離子體過程區中的至少兩個中的廢氣並且將廢氣再次供應到氣體進入部中，使來自等離子體過程區中的至少兩個中的過程氣體的已經轉化的組成部分，但也有還未轉化的組成部分混合，並且因此實現了輸送給等離子體過程區的過程氣體的均勻化。這減少了由於等離子體過程在不同的等離子體過程區中的差異而產生的各個基底之間的等離子體處理的不均勻性。

Description

用於在多種等離子體中以過程氣體循環作等離子體處理的設備
本發明涉及一種用於利用低溫等離子體進行等離子體處理的設備，該設備在過程室中具有多個等離子體過程區，並且在該設備中，從過程室中引出的廢氣中的一部分再次輸送給用於等離子體過程的過程氣體。
等離子體過程例如使用在太陽能電池製造、微電子技術或基底表面（例如玻璃）的提純中，用以對層或顆粒進行沉積或去除，或者用以例如通過等離子體浸沒離子注入來添加層。為了提升在等離子體過程中的產能，應用了批次系統（batch-System），在批次系統中同時處理多個基底。在此，可以並排或上下相疊地佈置具有要處理的表面的基底。由US 4,287,851 B和EP 0 143 479 A1公知了一種設施，在該設施中，給每個基底都配屬了與其他等離子體過程區分開運行的等離子體過程區。
在此，在等離子體處理期間利用的過程氣體要麼僅在一個位置上引入到過程室中且從那裡分配到各個等離子體過程區上，要麼將過程氣體分別經由獨立的排出開口（例如噴嘴）輸送給各個等離子體過程區。在此，過程氣體有利地流動穿過等離子體過程區。
由於在用於等離子體生成的條件中的、在用於相應的基底的邊界條件（例如環境溫度）中的差異以及另外的在過程室內部的不均勻性，所以在多個同時作處理的基底上的處理會出現不同的結果。這些結果例如可以是不同的沉積率或腐蝕率或沉積的層的不同的組成或不同的添加量。
此外，在基底大時還出現了過程在基底的側向的延展長度上的不均勻性，這是因為過程氣體在其穿過等離子體過程區的運輸路徑上在過程氣體的組成方面發生變化。例如，能起反應的組成部分的數量由於這樣的組成部分在基底的長度上已經實現了反應而在過程氣體流動的方向上減少了。因此，沉積的或去除的層厚度也沿該基底方向下降了。
為了消除最後提到的問題，公知了對生成的等離子體（Plasmen）進行脈衝。在此，通過短脈衝使等離子體僅在短時間內點火，而等離子體在迴圈的多數時間（大約90%）下是熄火的。在等離子體的該暫停時間內，新的未消耗的過程氣體可以分配到整個基底上，從而在等離子體點火的時間內，在基底的所有位置上都可以實現相同的沉積率或腐蝕率。然而，這卻導致，顯著延長了加工過程，這是因為僅有效地使用了總時間的10%。
因此，本發明的任務在於，提供一種用於利用多個等離子體過程區對多個基底進行等離子體處理的設備，該設備適合於減少各個基底之間的等離子體處理的不均勻性，這些不均勻性出於等離子體過程在不同的等離子體過程區中有所不同而出現。此外，本發明的任務是，提供一種用於等離子體處理的設備，該用於等離子體處理的設備也減少了在基底上的等離子體處理的不均勻性。
該任務通過根據請求項1的設備來解決。有利的實施方式存在於從屬請求項中。
根據本發明的用於等離子體處理的設備包括過程室以及具有迴圈線路和迴圈泵的迴圈單元，過程室具有至少兩個被過程氣體穿流的等離子體過程區、氣體進入部和氣體排出部，氣體進入部適合於將過程氣體輸送給至少兩個等離子體過程區，氣體排出部適合於將廢氣從過程室排除，其中，迴圈單元適合於將廢氣中的至少一部分供應到氣體進入部中，並且其中，供應到氣體進入部中的廢氣是從等離子體過程區中的至少兩個中逸出的氣體的混合物。
通常，在該申請中「氣體」、「過程氣體」或「廢氣」的概念可以被理解為適合於等離子體處理或在等離子體處理時出現的氣體或氣體混合物的每個形式。
在此，氣體進入部例如通過至少一個與氣體線路連接的在過程室的壁中的開口、通過至少一個伸入到過程室中的氣體線路（管）或與至少一個氣體線路連接的具有一個或多個開口的進入室來實現，過程氣體從這些開口中流入到過程室中。以相同的方式，氣體排出部例如通過至少一個與廢氣線路連接的在過程室的壁中的開口、通過至少一個伸入到過程室中的廢氣線路（管）或與至少一個廢氣線路連接的具有一個或多個開口的排出室來實現，過程氣體從這些開口中從過程室中流入。
如前面已所述地，不同的等離子體過程區可以具有將過程氣體的組成部分轉化成例如自由基、離子或反應物的不同的比率。通過混合來自其中至少兩個等離子體過程區的廢氣並且將廢氣重新供應到氣體進入部中，使來自其中至少兩個等離子體過程區的過程氣體的已經轉化的組成部分，但也有還未轉化的組成部分混合，並且因此實現了對輸送給至少兩個等離子體過程區的過程氣體的均勻化。這就減少了各個基底之間的等離子體處理的不均勻性，這些不均勻性出於等離子體過程在不同的等離子體過程區中有所不同而產生。換而言之：基底的沉積率或腐蝕率或另外的加工率通過將在所有的基底上的過程氣體混勻來均勻化，也就是說均衡。
此外，過程氣體對於相應的等離子體過程來說更好地充分利用，這是因為一方面過程氣體的仍未用於沉積或去除層的組成部分被重新輸送給等離子體過程，並且另一方面過程氣體因此已經包含了反應的或已激發的組成部分，這些組成部分與迄今仍未通過等離子體激發的過程氣體相比需要更少的用於所力求的反應的激發。因此，不僅能實現減少氣體消耗，也就是說新鮮過程氣體的消耗，而且能實現提高用於等離子體過程的沉積率或腐蝕率。
優選地，迴圈單元包括調節閥，其中，調節閥和迴圈泵以如下方式設計，即，經由迴圈線路供應到氣體進入部的廢氣的氣體流與供應到氣體進入部的且不同於廢氣的氣體的氣體流的比率處於小於100的範圍內。比率的典型的且優選的值位於8與12之間，特別優選為10。也就是說，通過迴圈單元從廢氣中提取出比輸送給等離子體處理部的新鮮的氣體的氣體流大數倍的氣體流，並且再次輸送給氣體進入部進而輸送給等離子體處理部。由此，顯著提升了過程氣體穿過等離子體過程區的流動速度且顯著降低了過程氣體在相應的等離子體過程區中的停留時間例如約10倍。因此，也降低了過程氣體在貫穿過相應的等離子體過程區的等離子體化學的分解率，由此實現了等離子體過程區中的過程氣體的組成部分在基底沿氣體的流動方向的長度上的均勻的組成，並且最終實現了沉積的或去除的層在基底的延展長度上的均勻的厚度。換而言之：在該基底沿氣體流動方向的延展長度上進行均勻化了對每個基底的加工。此外，使重新輸送已經激發的氣體組成部分的上述效果得到增強，這導致進一步提升了沉積或腐蝕率。
通過氣體引回的所述的效果，可以在基底沿氣體流動方向的延展長度的上和在多個基底上實現對層厚度和/或另外的層特性，例如光學或電特性，如例如透射度、折射指數、電導率等等的突出的均勻化，其中，厚度或另外的層特性的偏差處於幾個百分點的範圍內，例如小於或等於±4%。
在根據本發明的設備的實施方式中，迴圈線路與供氣線路連接，迴圈線路適合於將不同於廢氣的氣體供應到氣體進入部中。該氣體是新鮮氣體或可以包含過程氣體的一種、多種或所有的組成部分的氣體混合物，並且該氣體用於啟動等離子體過程並且補償了過程氣體的由於等離子體處理而消耗掉的組成部分。因此，新鮮輸送的氣體和經由迴圈線路再次輸送給等離子體處理部的廢氣已經在與氣體進入部連接的供氣線路中混合，並且僅需一個用於不僅供應新鮮輸送的氣體而且還供應引回了的廢氣到過程室中的供氣線路。
在優選的實施方式中，氣體進入部與兩個供氣線路連接，其中，第一供氣線路直接與迴圈線路連接，而第二供氣線路與用於提供不同於廢氣的氣體的設備連接。因此，第二供氣線路適合於將新鮮氣體或新鮮的氣體混合物輸送給過程氣體，從而可以補償過程氣體的由於等離子體處理而消耗掉的組成部分。
優選地，氣體進入部構造為氣體進入混合室，其具有至少兩個分別具有一個或多個開口的流出系統。在此，每個流出系統分別配屬於至少兩個等離子體過程區中的一個，從而過程氣體從相應的流出系統的開口向所配屬的等離子體過程區流動。流出系統的多個開口優選具有如下這樣的佈置和大小，即，過程氣體均勻地或以匹配于等離子體過程區的等離子體條件的方式輸送給等離子體過程區。例如，在等離子體過程區的邊緣區域中，開口相互間可以以較小的間距佈置，或者具有與在等離子體激發區的中間的區域中的開口的不同的流導值（Leitwerte）。此外，各個流出系統，也就是說配屬於不同的等離子體過程區的彼此不同的流出系統具有不同的佈置和/或開口的流導值。優選地，流出系統的開口具有相同的流導值。此外，除了將過程氣體限定地輸送給各個等離子體過程區以外，進入室還適合於，確保了對經由迴圈線路供應的廢氣和不同於廢氣供應的氣體的混勻。於是，當經由迴圈線路供應的廢氣和不同於廢氣供應的氣體經由兩個彼此分開的供氣線路供應到氣體進入部中時這尤其有利的。在此，氣體進入混合室可以在過程室的壁的外部或過程室內部，貼靠到壁上或與該壁間隔開地佈置。
如果氣體進入部與兩個供氣線路連接，這些供氣線路中的第一個用於輸送廢氣，而第二個用於不同於廢氣供應的氣體，如上文所述地，那麼氣體進入混合室在特別優選的實施方式中具有至少兩個下部室，其中，每個下部室都具有獨立的流出系統，過程氣體從獨立的流出系統中向至少一個等離子體過程區流動並且分別配屬於等離子體過程區中的至少一個。在此，給每個下部室都配屬至少一個配量裝置，配量裝置適合於，針對相應的下部室獨立地調整所供應的廢氣的量和不同於廢氣供應的氣體的量。
優選地，氣體排出部通過氣體排出混合室來實現，其具有至少兩個分別具有一個或多個開口的流入系統，通過這些流入系統，廢氣從等離子體過程區流入到氣體排出混合室中，其中，每個流入系統分別配屬於至少兩個等離子體過程區中的一個。流入系統的多個開口優選具有如下這樣的佈置和大小，即，過程氣體均勻地或以匹配于等離子體過程區的等離子體條件的方式從所配屬的等離子體過程區引出。在這裡，已參考了流出系統和其開口的說明是適宜的。優選地，至少兩個流入系統的開口具有相同的流導值。在此，氣體排出混合室可以在過程室的壁的外部或過程室內部，貼靠到壁上或與該壁間隔開地佈置。
在優選的實施方式中，氣體排出部通過廢氣線路與用於氣體引出的設備連接，並且迴圈線路連接到廢氣線路上。因此，僅需一個與氣體排出部連接的廢氣線路。在此，用於氣體引出的設備，例如真空泵一方面用於調整過程室中的限定的壓力，而且另一方面也用於將廢氣從氣體排出部引出並且因此對過程氣體到過程室中的供應進行調節。
在另一優選的實施方式中，氣體排出部借助廢氣線路與用於氣體引出的設備連接並且分開地與迴圈線路連接。也就是說，氣體排出部與兩個氣體引出線路連接，其中的第一個是廢氣線路，而第二個是迴圈線路。這就能夠實現不僅將廢氣線路和迴圈線路而且將用於氣體引出的設備和迴圈泵都匹配於要調整的參數和純度要求。例如，迴圈泵不應造成對引回的廢氣的污染，由此對迴圈泵提出了比聯接到廢氣線路上的真空泵更高的要求。
優選地，迴圈單元包括灰塵沉積的裝置，該灰塵沉積的裝置優選在迴圈線路中佈置在迴圈泵之前。
此外，迴圈單元優選包括用於去除廢氣的特定的組成部分，尤其是氣態的組成部分的設備。這例如可以是不能在等離子體過程中再次使用的反應物。
在優選的實施方式中，氣體進入部和氣體排出部結構相同地實施，並且用於等離子體處理的設備具有轉換單元，轉換單元適合於，在第一開關狀態中，將經由迴圈線路供應的廢氣和不同於廢氣供應的氣體輸送給氣體進入部，並且將廢氣從氣體排出部引出，而在第二開關狀態中，將經由迴圈線路供應的廢氣和不同於廢氣供應的氣體輸送給氣體排出部，並且將廢氣從氣體進入部引出。因此，用於等離子體處理的設備適合於，造成在過程室和等離子體過程區中流動的氣體流沿氣體循環方向換向。因此，沉積或去除的層的厚度在基底的延展長度上仍更好地均勻化，也就是說均衡。轉換單元優選包括兩個各具有兩個閥的閥組，其中，第一閥組的閥分別與第二閥組的閥相反地切換。每個閥組的一個閥分別處於設備的廢氣支路中，而每個閥組的另一個閥分別處於設備的輸送支路中。轉換單元優選適合於，在每個等離子體處理過程內進行5次與25次之間地對開關狀態進而是氣體循環方向進行更換。等離子體處理過程例如是基底塗覆以預先給定的層厚度或從基底去除預先給定的層厚度。
優選地，用於等離子體處理的設備還具有用於使在等離子體過程區中加工的基底的系統沿著第一方向在過程室中運動的設備。在此，過程室包括多個氣體進入部和多個氣體排出部，其中，氣體進入部和氣體排出部沿著第一方向交替佈置在過程室的側上。例如，氣體進入部和氣體排出部都佈置在過程室的上壁上，其中，基底橫向並排地佈置，並且本身沿著等離子體過程區的下面運動，該等離子體過程區沿著第一方向佈置在相應的氣體進入部與氣體排出部之間。在此，基底系統被過程氣體在旁流過但不穿流過。這相應於所謂的具有平面的且橫向並排佈置的如下的單個基底的串聯設施（In-line-Anlag），在單個基底上，過程氣體在沿著基底的運動方向的方向上流動。來自至少兩個氣體排出部的廢氣通過迴圈單元混合並且再次供應到氣體進入部中。
在另一優選的實施方式中，氣體進入部和氣體排出部佈置在過程室的相對置的側上。在此，等離子體過程區橫向並排地佈置或優選豎直上下相疊地佈置在氣體進入部與氣體排出部之間。
優選地，用於等離子體處理的設備還具有用於使在等離子體過程區中加工的基底的系統沿著第一方向在過程室中運動的設備。在此，過程室包括多個氣體進入部和多個配屬於這些氣體進入部的氣體排出部，其中，氣體進入部和氣體排出部沿著第一方向以如下方式佈置，即，特定的氣體進入部佈置在過程室的沿著第一方向延伸的側上，而配屬於該特定的氣體進入部的氣體排出部佈置在過程室的相對置的側上。在此，基底橫向並排地佈置在基本系統中或優選豎直上下相疊地佈置在特定的氣體進入部與同該特定的氣體進入部相對置氣體排出部之間，從而基底系統和配屬於相應的氣體進入部和氣體排出部的等離子體過程區被過程氣體穿流。這相應於所謂的如下的串聯設施，在該串聯設施中，也可以對基底堆疊進行處理，在基底堆疊中，過程氣體沿豎直於基底運動方向的方向流動。在此，基底可以在等離子體處理期間運動或近似靜止地進行加工。在第二種情況下，基底在過程室內部從由氣體進入部和所配屬的氣體排出部組成的第一對的位置向由氣體進入部和所配屬的氣體排出部組成的第二對的另外的位置運動，但是在等離子體處理期間不運動地保持在相應的位置上。
在此，氣體排出部優選將廢氣從至少兩個由所配屬的氣體進入部來提供過程氣體的等離子體過程區引出，混合它們並且再次將它們至少輸送給所配屬的氣體進入部。
在優選的實施方式中，用於等離子體處理的設備包括恰好與氣體進入部和配屬於這些氣體進入部的氣體排出部的對一樣多的迴圈單元，其中，迴圈單元配屬於由每個特定的由氣體進入部和所配屬的氣體排出部組成的對。因此，廢氣經由所配屬的迴圈單元從特定的氣體排出部僅供應到所配屬的氣體進入部中。
替選地，多個氣體排出部的廢氣彼此混合並且再次輸送給至少一個，優選多個氣體進入部。在特別優選的實施方式中，來自所有氣體排出部的廢氣被混合，並且供應到所有氣體進入部中。對於該設計方案來說僅需一個迴圈單元。
在用於等離子體處理的設備的特別優選的實施方案中，沿第一方向依次佈置的氣體進入部和配屬於這些氣體進入部的氣體排出部的兩個對中的氣體進入部和附屬的氣體排出部以如下方式佈置，即，其中一對的氣體進入部同另一對的氣體排出部一樣都佈置在過程室的同一側上。因此，至少兩個氣體進入部和兩個氣體排出部沿著第一方向交替佈置在過程室的同一側上。利用該佈置方案可以均衡在基底沿過程氣體的流動方向的延展長度上的不均勻性，這是因為過程氣體的流動方向在兩對氣體進入部和所配屬的氣體排出部之間換向。
在圖1A中，在沿著三維的笛卡爾坐標系統中的x-y平面的橫截面中示出了根據本發明的用於等離子體處理的設備（1）的第一實施方式。設備（1）包括過程室（10）、供氣線路（21）、聯接到供氣線路（21）上的用於提供氣體的設備（22）、廢氣線路（23）、聯接到廢氣線路（23）上的泵（24）和迴圈單元（30）。
過程室（10）具有多個等離子體過程區（11a至11c）以及作為氣體進入混合室來實現的氣體進入部（13）和作為氣體排出混合室來實現的氣體排出部（14）。在圖1中示出的實施方式中，過程室（10）具有三個等離子體過程區（11a至11c）。在其他實施方式中，也可以在氣體進入部（13）與氣體排出部（14）之間佈置僅兩個等離子體過程區或多於三個等離子體過程區。等離子體過程區用作於對基底（12a至12c）進行等離子體處理，這些基底在所示的情況下分別佈置在所配屬的等離子體過程區（11a至11c）的下面。在其他實施方式中，基底也可以佈置在相應的等離子體過程區的上面、內部或側向。在所示的情況下，基底豎直上下相疊地，也就是說沿著y軸線且垂直於基底的橫向延展長度地佈置在所謂的基底堆疊中。在其他實施方式中，也可以使多個基底橫向並排地，也就是說沿著x軸線或沿著z軸線佈置。於是，特定的等離子體過程區也可以橫向並排地佈置。將多個基底並排或上下相疊地橫向和豎直的佈置進行組合也是可行的。
氣體進入部（13）佈置在過程室（10）的第一側上，而氣體排出部（14）佈置在過程室的第二側上，其中，過程室的第二側與第一側相對置。氣體進入部（13）的進入室和氣體排出部（14）的排出室都佈置在過程室（10）的內部，也就是說在過程室（10）的壁的內側上。基底（12a至12c）佈置在過程室（10）的第一側與第二側之間，從而基底系統，也就是說全部基底被在氣體進入部與氣體排出部之間流動的過程氣體穿流。氣體進入部（13）具有多個流出開口（131a至131c），過程氣體從這些流出開口流向等離子體過程區（11a至11c），而氣體排出部（14）具有多個流入開口（141a至141c），從等離子體過程區（11a至11c）中逸出的廢氣經過這些流入開口流入到氣體排出部中。在圖1所示的實施方式中，存在有三個流出開口（131a至131c）和三個流入開口（141a至141c）。雖然這在圖1中所示的橫截面中並不明顯，但是仍有多個流出開口和多個流入開口沿著過程室的z方向佈置。在此，流出開口形成了配屬於特定的等離子體過程區的流出系統，過程氣體從這些流出系統中流向特定的等離子體過程區（11a至11c）。以相同的方式，流入開口形成了配屬於特定的等離子體過程區的流入系統，從特定的等離子體過程區（11a至11c）中逸出的廢氣流動經過流入系統。特定的流出系統的流出開口和特定的流入系統的流入開口分別佈置在關於y軸線相同的位置上。
在其他實施方式中，流出開口的數量以及流入開口的數量也可以不是三個，也可以彼此間不同並且對不同的等離子體過程區來說也是不同的。此外，流出開口的數量對於不同的流出系統來說是不同的，流入開口的數量對於不同的流出系統來說是不同的，以及流出開口在特定的流出系統中的豎直的位置是不同的，並且流入開口在特定的流入系統中的豎直的位置是不同的，也就是說它們的關於y軸線的位置是不同的。
氣體進入混合室具有在x-y平面中足夠大的橫截面，並且因此在內部中具有足夠小的流導值，從而過程氣體可以從流出開口（131a至131c）平均分配地供應到多個等離子體過程區中。有利地，流出開口（131a至131c）以如下方式具有小的橫截面和尺寸，即，在流出開口上發生氣體阻隔的效果。
氣體進入部（13）與供氣線路（21）連接，過程氣體經由供氣線路供應到氣體進入部（13）中。在此，過程氣體由新鮮氣體和廢氣的混合物組成，新鮮氣體由用於提供氣體的設備（22）提供，廢氣經由迴圈單元（30）從氣體排出部（14）引回向氣體進入部（13）。在此，新鮮氣體和廢氣已在供氣線路（21）中混合並且此外還在氣體進入部（13）的氣體進入混合室中混合。新鮮氣體的量經由配量裝置，例如品質流量控制器來在用於提供氣體的設備（22）中調節。
氣體排出部（14）與廢氣線路（23）連接，泵（24）聯接到廢氣線路上。泵（24）一方面用作於吸出在等離子體過程區中出現的廢氣，而另一方面與佈置在廢氣線路（23）中的調節閥（25a、25b）共同用作於調整在過程室（10）中的限定的壓力。在此，來自不同的等離子體過程區（11a至11c）的廢氣在氣體排出部（14）的氣體排出混合室中和在廢氣線路（23）中混合。
迴圈單元（30）包括迴圈線路（31）和迴圈泵（32）。在根據本發明的用於等離子體處理的設備的第一實施方式中，迴圈線路（31）與廢氣線路（23）和供氣線路（21）連接，從而氣體進入部（13）僅與供氣線路（21）連接並且氣體排出部（14）僅與廢氣線路（23）連接。借助迴圈單元（30），廢氣的一部分又輸送給過程氣體，其中，再次供應的廢氣在全部廢氣中的份額可以經由調節閥（25a、25b）調整。因此，也可以調節再次供應的廢氣在全部過程氣體中的份額，該份額等於或大於新鮮氣體的氣體流量。例如，從廢氣中提取出大於新鮮氣體的氣體流量10倍的氣體流量並且再次輸送給氣體進入部。羅茨泵適合作為迴圈泵（32），其以約為10的壓縮比足夠生成用於氣體循環的過壓。由於提供了具有在250 至25000 m3 /h的範圍內的抽吸功率的羅茨泵，所以也可以設置具有足夠的氣體循環的非常大的過程室。有利地，以純半導體的實施方案使用羅茨泵，從而在迴圈單元（30）中僅附加地出現非常小的洩漏率，並且通過例如來自羅茨泵軸承的傳動裝置油避免了對過程氣體的污染。沿泵送的氣體的方向在迴圈泵（32）之前的迴圈線路（31）的直徑（d1 ）在此可以大於沿泵送的氣體的方向在迴圈泵（32）之後的迴圈線路（31）的直徑（d2 ）。
圖1B示意性地示出了沉積的層在基底沿氣體流動方向（x方向）的延展長度上的厚度dS 的曲線。在此，基底或者說基底的通過等離子體過程進行加工的面沿著圖1A中所示的x方向從第一點x1 延伸到第二點x2 。這是針對沒有氣體引回的在其中存在有較小氣體穿流量Q1 的傳統過程的厚度曲線和針對根據本發明的具有與此相對很大的氣體穿流量Q2 （如其借助氣體循環在根據本發明的設備中出現的那樣）的過程的厚度曲線。關於基底橫向於氣體流動方向，也就是說沿z方向的延展長度，對於特定的點xi 來說是以均勻組成過程氣體為前提，也就是說，過程氣體組成沿z方向是均勻的。
在傳統的過程中，層厚度dS 沿x方向減小，這是因為過程氣體在很小的流動速度的情況下在等離子體過程區中等離子體化學地分解並且沉積率隨著分解物的份額增加而下降。此外，另外的層參數，例如光學或電的特性，如例如透射度、折射指數、電導率等等也會變化。
在利用根據本發明的設備的情況下，由於在迴圈單元（30）中的氣體循環，過程氣體以較大的，例如十倍的流動速度運動經過等離子體過程區。在該提高了的氣體穿流量Q2 的情況下，過程氣體在等離子體過程區中的等離子體化學的分解以如下程度下降，使得沉積率實際上保持不變。因此在基底沿x方向的延展長度上的層厚度dS 以及另外的層參數都被均勻化，也就是說保持恒定地構造。
借助示出了圖1A的截段的圖1C闡述了，如何通過在氣體循環的各次氣體運行中持續地混勻過程氣體，使得除了對在基底沿x方向的延展長度上的加工進行均勻化（相應於圖1B）之外，也使在由沿y方向的多達100個基底組成的基底系統中的不同的基底均勻化。
為此，在圖1C中考慮到在兩次氣體循環運行中的在它們的流動路徑上的有差別的小的氣體體積（2）、（3）和（4）。在圖1C中，所有的有差別的氣體體積通過相應的在圓圈中的附圖標記來標明。在此，第一有差別的氣體體積（2）穿過第一流出開口（131a）從氣體進入部（13）中進入到等離子體過程室中且沿箭頭方向橫穿第一等離子體過程區（11a），其中，改變了第一有差別的氣體體積的組成，並且作為有差別的氣體體積（2‘）穿過第一流入開口（141a）朝著氣體排出部（14）的方向離開等離子體過程室。相應地，第二有差別的氣體體積（3）穿過第二流出開口（131b）從氣體進入部（13）中進入到等離子體過程室中且沿箭頭方向橫穿第二等離子體過程區（11b），其中，改變了第二有差別的氣體體積的組成，並且作為氣體體積（3‘）穿過第二流入開口（141b）朝著氣體排出部（14）的方向離開等離子體過程室，而第三有差別的氣體體積（4）穿過第三流出開口（131c）從氣體進入部（13）中進入到等離子體過程室中且沿箭頭方向橫穿第三等離子體過程區（11c），其中，改變了第三有差別的氣體體積的組成，並且作為有差別的氣體體積（4‘）穿過第三流入開口（141c）朝著氣體排出部（14）的方向離開等離子體過程室。
在第一次運行中，有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）首先全部具有第一氣體組成（a），該第一氣體組成對全部有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）來說是一樣的。在各個有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）分別橫穿相應的等離子體過程區（11a至11c）期間，視等離子體過程區和在其中燃燒的等離子體的特性而定地，氣體組成針對每個有差別的氣體體積都以特定的方式改變。在各個等離子體區中，等離子體化學的氣體轉化會稍有不同，例如，通過略有不同的等離子體功率耦合導致，有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）在離開等離子體區之後會在它們的氣體組成上有所不同。
因此，第一有差別的氣體體積（2‘）具有略有改變的第一氣體組成（a1），而第二有差別的氣體體積（3‘）具有略有改變的第二氣體組成（a2），並且第三有差別的氣體體積（4‘）具有略有改變的第三氣體組成（a3），這些氣體組成彼此都會有所不同。
有差別的氣體體積（2‘）、（3‘）和（4‘）現在在它們的路徑上通過迴圈單元（30）混合，從而第四有差別的氣體體積（5）本身位於與供氣線路（21）連接之前的迴圈線路（31）中，該第四有差別的氣體體積具有均勻化的第四氣體組成（b）。第四有差別的氣體體積（5）必要時與新鮮氣體混合，從而在供氣線路（21）中存在具有第五氣體組成（c）的第五有差別的氣體體積（6），該第五氣體組成可以不同於第一氣體組成（a）。
該第五有差別的氣體體積（5）從現在起被供應到氣體進入部（13）中並且經由流出開口（131a至131c）在第二次運行中再次作為新的有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）輸送向相應的等離子體過程區（11a至11c），其中，有差別的氣體體積（2）、（3）和（4）的氣體組成再次彼此相同。
因此，在第一次運行中穿過了第一等離子體過程區（11a）的氣體分子會在第二次運行中例如穿過第二等離子體過程區（11b）或第三等離子體過程區（11c），這剛好引起有意的氣體混勻效果。因此，加工率和在所有基底上獲得的層特性都得到均衡，這些基底的過程氣體在迴圈單元（30）中混勻。
在根據本發明的設備的所有實施方式中，同時發生參考圖1B和圖1C闡述的穿過氣體循環單元（30）的氣體引回的效果。
圖2在沿著x-y平面的橫截面中示出了根據本發明的用於等離子體處理的設備（1）的第二實施方式。該第二實施方式相對於第一實施方式具有許多共同之處，從而不再闡述這些共同之處。然而與第一實施方式的區別在於，迴圈單元（30）完全與新鮮氣體的輸送部和與泵（24）連接的廢氣線路分開。也就是說：氣體進入部（13）與兩個供氣線路（21a、21b）連接，並且氣體排出部（14）與兩個廢氣線路（23a、23b）連接。第一供氣線路（21a）相應於迴圈線路（31），而第二供氣線路（21b）與用於提供氣體的設備（22）連接，並且用於將新鮮氣體，也就述說不同於廢氣的氣體，供應到氣體進入部（13）中。因此，經由第一供氣線路（21a）供應的廢氣和經由第二供氣線路（21b）供應的新鮮空氣首先在氣體進入部（13）的氣體進入混合室中混合。
此外，在另外的實施方式中可以實現的是，除了第二供氣線路（21b）以外還設置有將另外的新鮮氣體供應到氣體進入部（13）中的另外的供氣線路。於是，當新鮮輸送的氣體在它們混合時在正常壓力下導致在安全性方面的問題時這尤其是有利的。
第一廢氣線路（23a）相應於迴圈線路（31）並且與迴圈泵（32）直接連接，而第二廢氣線路（23b）僅與泵（24）連接。因此，氣體排出部（14）的氣體排出混合室具有在x-y平面中足夠大的橫截面並且進而具有在內部中足夠小的流導值，從而來自多個等離子體過程區的廢氣很好地混勻。利用佈置在迴圈線路（31）中的調節閥（25a）來調整再次供應到氣體進入部（13）中的廢氣的氣體流，而利用佈置在第二廢氣線路（23b）中的調節閥（25b）來調整過程室（10）中的壓力。
第一和第二實施方式的特徵也可進行組合。例如用於等離子體處理的設備（1）也可以如圖2中所示那樣包括兩個供氣線路（21a、21b），但是如圖1中所示那樣包括僅一個廢氣線路（23）。
圖3詳細示出了氣體進入部（13）和供氣部的特別優選的實施方式。首先，氣體進入部（13）的氣體進入混合室具有多個下部室（13a至13c），這些下部室通過分隔壁（132a、132b）彼此分開。其中每個下部室（13a至13c）都具有自己的流出系統，這些流出系統通過流出開口（131a至131c）表示。每個下部室（13a至13c）都與兩個供氣線路連接，其中，其中一個供氣線路分別適合於，將新鮮氣體供應到相應的下部室（13a至13c）中，而另一個適合於，將經由迴圈線路（31）輸送的廢氣供應到相應的下部室（13a至13c）中。此外，在每個供氣線路中都佈置有配量裝置（26a至26f），利用這些配量裝置調節供應到相應的下部室（13a至13c）中的新鮮氣體的量和供應到相應的下部室（13a至13c）中的廢氣的量。因此，借助配量裝置26a可以調整供應到下部室13a中的新鮮氣體的量，而借助配量裝置26d可以調整供應到下部室13a中的廢氣的量。因此，利用圖3中示出的實施方式，在不同的分別配屬於下部室（13a至13c）的等離子體過程區（11a至11c）中的等離子體過程條件的差異通過過程氣體的不同的組成來均衡。
雖然圖3中分別在每個供氣線路中示出了配量裝置（26a至26f），但是也可以僅將配量裝置佈置在用於輸送新鮮氣體的供氣線路中或在用於輸送廢氣的供氣線路中。此外也可以實現的是，不同的新鮮氣體供應到不同的下部室（13a至13c）中。此外可以實現的是，氣體進入部（13）的各個下部室（13a至13c）並不完全通過分隔壁（132a、132b）彼此分開，而是這些分隔壁（132a、132b）具有開口，氣體通過這些開口可以在整個氣體進入部（13）中擴散。因此，例如可以實現經由僅一個供氣線路為所有的下部室（13a至13c）供應廢氣，而針對每個下部室（13a至13c）的新鮮氣體的輸送可以獨立地調整。
圖4示意性地示出了根據本發明的用於等離子體處理的設備（1）的第三實施方式。該第三實施方式在原理上的構造方面相應於第一實施方式，然而除了迴圈線路（31）和迴圈泵（32）之外，迴圈單元（30）還包括灰塵沉積的設備（33）和用於去除廢氣的特定的氣態的組成部分的設備（34）。有利地，灰塵沉積的設備（33）在泵送的氣體的方向上佈置在迴圈泵（32）之前，從而在迴圈泵（32）之前已經去除了包含在廢氣中的灰塵顆粒，並且因此防止泵功率受到影響。
在另一有利的實施方式中，灰塵沉積的設備（33）在泵送的氣體的方向上佈置在迴圈泵（32）之後，從而在灰塵沉積的設備（33）中的壓力下降不那麼明顯。此外可以實現的是，也使用了多個這樣的灰塵沉積的設備（33）或多級的設備。
用於去除廢氣的特定的氣態的組成部分的設備（34）用於去除廢氣的在等離子體處理中不再能使用的或在廢氣中存在太多的組成部分。這例如可以是不再對真正執行的等離子體過程作出貢獻的反應物。這些組成部分可以通過用於去除的設備（34）完全或部分地從在迴圈線路（31）中運輸的廢氣中去除掉並且經由廢氣線路（35）引出。用於去除廢氣的特定的氣態的組成部分的設備（34）可以沿著在迴圈單元（30）中泵送的氣體的方向佈置在迴圈泵（32）之前或之後。
在圖5中示意性地示出了用於等離子體處理的設備（1）的第四實施方式，在該第四實施方式中，可以更換在等離子體過程區中流動的氣體的方向。這示例性地針對圖1中所示的實施方式示出，在該第四實施方式中，氣體進入部（13）僅與供氣線路連接，並且氣體排出部（14）僅與廢氣線路連接。為了使氣體流動方向換向，也就是說實際上氣體進入部和氣體排出部彼此交換，在供氣線路以及廢氣線路中分別佈置有第一閥組（27）的閥和第二閥組（28）的閥。第一閥組（27）和第二閥組（28）共同形成轉換單元。在第一開關狀態中，開啟第一閥組（27）的閥（27a和27b）並且關閉第二閥組（28）的閥（28a和28b）。因此，新鮮氣體由用於提供氣體的設備（22）來供應並且經由迴圈線路（31）引回的廢氣供應到氣體進入部（13）中，並且廢氣經由氣體排出部（14）從過程室中引出。在第二開關狀態中，關閉第一閥組（27）的閥（27a和27b）並且開啟第二閥組（28）的閥（28a和28b）。因此，新鮮氣體由用於提供氣體的設備（22）來供應並且經由迴圈線路（31）引回的廢氣供應到氣體排出部（14）中，並且廢氣經氣體進入部（13）從過程室中引出。有利地，氣體進入部（13）和氣體排出部（14）為此相同構造地實施。通過更換等離子體過程區（11a至11c）中的氣體流動方向可以減少等離子體過程區等離子體過程在基底沿流動方向的延展長度上的不均勻性。典型的流動方向換向率在於，每次完整的等離子體處理，例如每次在塗覆過程的情況下在基底上沉積特定的層厚度，更換5至25次。
參考圖6A至圖6C闡述了用於等離子體的生成和基底支架電互連的特定的實施例，其中，應用到根據本發明的用於等離子體處理的設備的第一實施例。因此，忽略了供氣部和氣體排出部的細節。
圖6A示出了用於借助提供直流電壓的發生器（60）非脈衝式的等離子體生成的示例。在另外的實施方式中，發生器（60）可以提供低頻或高頻的電壓。基底（12a至12c）佈置在本身梳狀延伸的電極（121、122）上。在此，第一電極（121）本身沿相應的輸送線路的正x方向延伸，而第二電極（122）本身沿相應的輸送線路的負x方向延伸。在另一實施方式中，電極（121、122）本身沿相應的輸送線路的正z方向和負z方向延伸。第一電極（121）和第二電極（122）交替地沿著y方向佈置，其中，第一電極（121）與第二電極（122）電絕緣。發生器（60）對稱地與第一電極和第二電極連接。在另外的實施方式中，發生器（60）非對稱地與第一和第二電極連接（121、122），其中，第一電極（121）或第二電極（122）與過程室的接地連接。電極（121、122）具有比佈置在其上的基底（12a至12c）稍大的橫向的延展長度，並且沿y方向彼此具有1至100mm的典型的間距。在施加電壓時，在第一電極（121）與同其相鄰地佈置的第二電極（122）之間生成等離子體，等離子體可以實現對位於電極之間的基底的處理。
圖6B示出脈衝式的等離子體生成的示例。在此，第一電極（121）與過程室的接地（與大地）連接，而第二電極（122）與比較和過濾箱（62），發生器（60）和脈衝發生器（61）聯接到比較和過濾箱上。如此脈衝式生成的等離子體例如可以用於借助等離子體浸沒離子注入進行離子注入。因此，可以將具有離子能量至約30keV的添加物，例如硼或磷注入到基底中。為此，在等離子體過程區（11a至11c）中點燃例如具有磷化氫（PH3）氣體的或具有氟化硼（BF3）的等離子體。通過施加來自脈衝發生器（61）的短的負高壓脈衝，將來自等離子體邊緣層的離子加速到基底上。
圖6C示出遠程式的等離子體生成的示例。為了進行處理，例如為了純的自由基腐蝕或表面改性，等離子體區和處理區應彼此分開，在處理中沒有份額是必須或期望通過來自等離子體而撞擊在基底上的離子得到的。在這裡，氣體循環如其在之前的實施例中所描述的那樣也是有利的。在此，在遠程式的等離子體區（111）中生成的自由基和氣體組成部分均勻地分配經過原則上相應於之前所述的等離子體過程區的不同的處理區（11a至11c），從而實現了減少在不同的基底（12a至12c）之間的和在基底的延展長度上的不均勻性。遠端式的等離子體（111）例如可以借助發生器（60）生成。
通常，一個或若干個用於進行處理的等離子體可以是低壓等離子體，在這些等離子體中，必要的功率可以借助電極感應耦合，或借助微波或經由電介質窗耦合。
此外，在圖6A和圖6C中還示出了加熱元件（15），該加熱元件確保了對於等離子體處理來說所需的基底溫度和/或氣體溫度。這例如可以經由紅外輻射或熱線路來實現。有利地，也將加熱元件整合到氣體進入混合室和氣體排出混合室中，從而基底和等離子體過程區具有均勻的溫度分佈。在根據本發明的用於等離子體處理的設備的所有實施方式中都可以使用所述的加熱元件。
圖7A和圖7B示出了根據本發明的用於等離子體處理的設備的第五實施方式，其中，圖7A示出了設備的俯視圖，而圖7B示出了沿著在圖7A中所示的線B-B‘的橫截面。在根據本發明的設備的該實施方式中，基底（12a至12d）在過程室（10）中沿著在所示的情況下相應於z方向的第一方向運動。運動借助箭頭來做標記。在此，多個基底（12a至12d）可以橫向並排地佈置在基底載體（120）上。基底載體（120）借助設備（70）運動，用以基底在過程室中運動。這例如可以是圖7B中所示的滾輪或也可以是帶或其他設備。過程室具有多個氣體進入部（13a、13b）和多個氣體排出部（14a、14b），其中，它們沿著第一方向交替地佈置在過程室的側上。如在圖7B中可以看到，氣體進入部（13a、13b）和氣體排出部（14a、14b）沿著上部的室壁佈置。在氣體進入部（13a、13b）與它的相鄰的氣體排出部（14a、14b）（或兩個相鄰的氣體排出部）之間佈置有等離子體過程區（11a至11c），其中，基底（12a至12d）沿著等離子體過程區（11a至11c）的下面引導。因此，基底（12a至12d）的基底系統雖然被過程氣體流經，然而並被不穿流而過。
有利地，從所有位於過程室（10）中的氣體排出部（14a、14b）中逸出的廢氣彼此混合，並且輸送給所有位於過程室（10）中的氣體進入部（13a、13b）。然而，在另外的實施方式中也可以實現的是，僅混合來自特定的氣體排出部的廢氣並且這些廢氣僅輸送給特定的氣體進入部。通過混合廢氣並且將廢氣再次輸送到氣體進入部中，均衡了在各個等離子體過程區（11a至11c）之間但也有在特定的等離子體過程區之中的過程氣體差異。
圖8以設備的俯視圖示出了根據本發明的用於等離子體處理的設備的第六實施方式，其中，圖1就表示了這樣的沿著x-y平面的設備的示例性的橫截面。在這裡，基底也沿著第一方向，也就是說沿著z方向，在過程室（10）中運動。然而，基底豎直地，也就是說沿著y方向，上下相疊地佈置在基底載體（120）中，從而在俯視圖中僅看到了最上面的基底（12a）。過程室包括多個氣體進入部（13a至13c）以及多個氣體排出部（14a至14c），它們沿著第一方向佈置在過程室的相對置的側上，其中，給每個氣體進入部都配屬了氣體排出部。在此，特定的氣體進入部（例如13a）佈置在過程室（10）的一側上，而配屬於該特定的氣體進入部的氣體排出部（例如14a）佈置在過程室的相對置的側上。因此，過程氣體穿流過基底系統和配屬於相應的氣體進入部和氣體排出部的等離子體過程區（例如11a）。在此，過程室的兩個側沿x方向彼此間隔開。在圖8中所示的實施方式中，所有的氣體進入部（13a至13c）都佈置在過程室（10）的一側上，而所有的氣體排出部（14a至14c）佈置在過程室（10）的相對置的側上。
然而在另外的實施方式中，由氣體進入部和氣體排出部組成的各個對也可以相反地佈置。例如，氣體進入部13a和13c佈置在過程室（10）的第一側上，並且所附屬的氣體排出部14a和14c佈置在過程室（10）的相對置的第二側上，而氣體進入部13b佈置在過程室（10）的第二側上並且所附屬的氣體排出部14b佈置在過程室（10）的相對置的第一側上。因此，更換氣體流動方向可以在相鄰的等離子體過程區（11a至11c）中實現，而無需利用在圖5中所示的轉換單元。
在不同於圖7A、圖7B和圖8中所示的實施例的實施例中，氣體進入部和氣體排出部的數量、它們相對於過程室（10）的側的佈置方案以及彼此混合的廢氣的數量或彼此互連的氣體排出部的數量可以與在附圖中示出的實施例的這些數量和佈置有所不同。
1‧‧‧用於等離子體處理的設備
2至6‧‧‧有差別的氣體體積
10‧‧‧過程室
11a至11c‧‧‧等離子體過程區
111‧‧‧遠程式的等離子體
12a至12d‧‧‧基底
120‧‧‧基底載體
121‧‧‧第一電極
122‧‧‧第二電極
13‧‧‧氣體進入部
13a至13c‧‧‧下部室
131a至131c‧‧‧流出開口
132a、b‧‧‧分隔壁
14‧‧‧氣體排出部
141a至141c‧‧‧流入開口
15‧‧‧加熱元件
21‧‧‧供氣線路
21a‧‧‧第一供氣線路
21b‧‧‧第二供氣線路
22‧‧‧用於提供氣體的裝置
23‧‧‧廢氣線路
23a‧‧‧第一廢氣線路
23b‧‧‧第二廢氣線路
24‧‧‧泵
25a、25b‧‧‧調節閥
26a至26f‧‧‧配量裝置
27‧‧‧第一閥組
27a、b‧‧‧第一閥組的閥
28‧‧‧第二閥組
28a、b‧‧‧第二閥組的閥
30‧‧‧迴圈單元
31‧‧‧迴圈線路
32‧‧‧迴圈泵
33‧‧‧灰塵沉積的設備
34‧‧‧用於去除氣體組成部分的設備
35‧‧‧引出線路
60‧‧‧發生器
61‧‧‧脈衝發生器
62‧‧‧比較和過濾箱
70‧‧‧用於使基底運動的設備
下面借助多個實施例闡述了根據本發明的用於等離子體處理的設備，而用於等離子體處理的設備並不局限於這些實施例。尤其可行的是，參考不同的實施例所描述的觀點彼此組合，只要這沒有被明確地排除。 圖1A示出根據本發明的用於等離子體處理的設備的第一實施方式的橫截面，在該第一實施方式中，氣體進入部通過進入室來實現，並且迴圈線路與供氣線路連接，供氣線路適合於將不同於廢氣的氣體輸送給氣體進入部。此外，第一實施方式具有僅一個廢氣線路，廢氣經由該廢氣線路從氣體排出部引出，並且迴圈線路與該廢氣線路連接； 圖1B示意性地示出針對沒有氣體引回的傳統過程和在利用根據本發明的設備的情況下的過程的在基底沿氣體流動方向的延展長度上的沉積的層的厚度曲線； 圖1C示出圖1A的截段，其中，闡述了借助有差別的氣體體積使在多個基底上的加工率均勻化； 圖2示出根據本發明的用於等離子體處理的設備的第二實施方式的橫截面，在該第二實施方式中，通過進入室來實現的氣體進入部與兩個供氣線路連接，其中一個供氣線路適合於將不同於廢氣的氣體輸送給氣體進入部，而另外的供氣線路是迴圈線路。此外，第二實施方式還具有兩個廢氣線路，廢氣經由它們從氣體排出部引出，其中一個廢氣線路是迴圈線路； 圖3示出氣體進入部的實施方式，在該實施方式中，氣體進入部實施為具有多個下部室的混合室。在此，針對每個下部室的所供應的廢氣的量和不同於廢氣供應的氣體的量可以借助配量裝置獨立地調整； 圖4示意性地示出根據本發明的用於等離子體處理的設備的第三實施方式，在該第三實施方式中，迴圈單元還包括灰塵沉積的設備和用於去除廢氣的特定的氣態的組成部分的設備； 圖5示意性地示出根據本發明的用於等離子體處理的設備的第四實施方式的構造，在該第四實施方式中，可以更改氣體的迴圈方向； 圖6A至圖6C示出用於產生等離子體的和基底支架電互連的特定的實施例，其中，圖6A示出非脈衝式的等離子體生成的示例，圖6B示出脈衝式的等離子體生成的示例，而圖6C示出遠程式的等離子體生成的示例； 參照圖7A和圖7B闡述了根據本發明的用於等離子體處理的設備的第五實施方式，在該第五實施方式中，基底系統沿著過程氣體流的下面引導。在此，圖7A示出設施的俯視圖，而圖7B示出設施沿基底系統的運動方向的橫截面； 圖8示出根據本發明的用於等離子體處理的設備的第六實施方式，在該第六實施方式中，過程氣體穿流過基底系統並且該第六實施方式的橫截面例如相應於圖1中所示的橫截面。
1‧‧‧用於等離子體處理的設備
10‧‧‧過程室
11a至11c‧‧‧等離子體過程區
12a至12c‧‧‧基底
13‧‧‧氣體進入部
131a至131c‧‧‧流出開口
14‧‧‧氣體排出部
15‧‧‧加熱元件
21‧‧‧供氣線路
22‧‧‧用於提供氣體的裝置
23‧‧‧廢氣線路
24‧‧‧泵
25a、25b‧‧‧調節閥
30‧‧‧迴圈單元
31‧‧‧迴圈線路
32‧‧‧迴圈泵

Claims (21)

  1. 一種用於等離子體處理的設備，所述用於等離子體處理的設備包括：  過程室，所述過程室具有： 至少兩個被過程氣體穿流的等離子體過程區， 氣體進入部，所述氣體進入部適合於將所述過程氣體輸送給所述至少兩個等離子體過程區，和 氣體排出部，所述氣體排出部適合於將廢氣從所述過程室中排除，以及 具有迴圈線路和迴圈泵的迴圈單元，其中，所述迴圈單元適合於將所述廢氣的至少一部分供應到所述氣體進入部中， 其中，所述供應到氣體進入部中的廢氣是從所述等離子體過程區中的至少兩個中逸出的氣體的混合物。
  2. 根據請求項1所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於， 所述迴圈單元包括調節閥，並且 所述調節閥和所述迴圈泵以如下方式設計，即，經由所述迴圈線路供應到所述氣體進入部的廢氣的氣體流相對供應到所述氣體進入部的且不同於所述廢氣的氣體的氣體流的比率處於小於等於100的範圍內，優選為10。
  3. 根據請求項1或2所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體進入部與供氣線路連接，所述供氣線路聯接到用於提供不同於所述廢氣的氣體的設備上，其中，所述迴圈線路與所述供氣線路連接，從而由所述迴圈線路輸送的廢氣經由所述供氣線路供應到所述氣體進入部中。
  4. 根據請求項1或2所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體進入部與兩個供氣線路連接，其中，第一供氣線路直接與所述迴圈線路連接，而第二供氣線路與用於提供不同於所述廢氣的氣體的設備連接。
  5. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體進入部通過氣體進入混合室來實現，所述氣體進入混合室具有至少兩個分別具有一個或多個開口的流出系統，所述過程氣體從所述流出系統向所述等離子體過程區流出，其中，每個流出系統分別配屬於至少兩個等離子體過程區中的一個。
  6. 根據請求項5所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述至少兩個流出系統的開口具有相同的流導值。
  7. 根據請求項4所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體進入部通過氣體進入混合室來實現，所述氣體進入混合室具有至少兩個下部室，其中，每個下部室具有獨立的流出系統，所述過程氣體從所述獨立的流出系統向至少一個等離子體過程區流動並且分別配屬於所述等離子體過程區中至少一個，並且其中，給每個下部室配屬了至少一個配量裝置，所述配量裝置適合於，針對相應的所述下部室獨立地調整所述供應的廢氣的量和/或所述不同於廢氣供應的氣體的量。
  8. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體排出部通過氣體排出混合室來實現，所述氣體排出混合室具有至少兩個分別具有一個或多個開口的流入系統，通過所述流入系統，所述廢氣從所述等離子體過程區中流入到所述氣體排出混合室中，其中，每個流入系統分別配屬於至少兩個等離子體過程區中的一個。
  9. 根據請求項8所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述至少兩個流入系統的開口具有相同的流導值。
  10. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於， 所述氣體排出部經由廢氣線路與用於氣體引出的設備連接，並且 所述迴圈線路與所述廢氣線路連接。
  11. 根據請求項1至9中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體排出部經由廢氣線路與用於氣體排出的設備連接，並且與其分開地與所述迴圈線路連接。
  12. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述迴圈單元包括灰塵沉積的裝置。
  13. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述迴圈單元包括用於去除所述廢氣的特定的組成部分的設備。
  14. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於， 所述氣體進入部和所述氣體排出部結構相同地實施，並且 所述用於等離子體處理的設備具有轉換單元，所述轉換單元適合於，在第一開關狀態中，將所述經由迴圈線路供應的廢氣和所述不同於廢氣供應的氣體輸送給所述氣體進入部，並且將所述廢氣從所述氣體排出部引出，而在第二開關狀態中，將所述經由迴圈線路供應的廢氣和所述不同於廢氣供應的氣體輸送給所述氣體排出部，並且將所述廢氣從所述氣體進入部引出。
  15. 根據請求項14所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述轉換單元適合於在每個等離子體處理過程內5次與25次地更換所述開關狀態。
  16. 根據上述請求項中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於， 所述用於等離子體處理的設備還具有用於使在所述等離子體過程區中被加工的基底的系統沿著第一方向在所述過程室中運動的設備，並且 所述過程室包括多個氣體進入部和多個氣體排出部，其中，所述氣體進入部和所述氣體排出部沿著所述第一方向交替佈置在所述過程室的側上，並且所述過程氣體流向但並不穿流過所述基底系統。
  17. 根據請求項1至15中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述氣體進入部和所述氣體排出部佈置在所述過程室的相對置的側上。
  18. 根據請求項1至15中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於， 所述用於等離子體處理的設備還具有用於使所述在等離子體過程區中被加工的基底的系統沿著第一方向在所述過程室中運動的設備，並且 所述過程室包括多個成對的氣體進入部和配屬於所述氣體進入部的氣體排出部，其中，所述氣體進入部和所述氣體排出部沿著所述第一方向以如下方式佈置，即，特定的氣體進入部佈置在所述過程室的沿著所述第一方向延伸的一側上，而配屬於所述這些特定的氣體進入部的氣體排出部佈置在所述過程室的相對置的側上，從而所述基底系統和所述配屬於相應的氣體進入部和氣體排出部的等離子體過程區被所述過程氣體穿流而過。
  19. 根據請求項18所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，所述用於等離子體處理的設備包括恰好與氣體進入部和配屬於所述氣體進入部的氣體排出部的對一樣多的迴圈單元，其中，所述迴圈單元配屬於由每個特定的由氣體進入部和所配屬的氣體排出部組成的對，並且其中，所述廢氣從特定的氣體排出部經由所述配屬的迴圈單元僅供應到所述配屬的氣體進入部中。
  20. 根據請求項18所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，來自所有氣體排出部的廢氣被混合，並且供應給所有氣體進入部。
  21. 根據請求項18至20中任一項所述的用於等離子體處理的設備，其特徵在於，沿所述第一方向依次佈置的氣體進入部和配屬於所述氣體進入部的氣體排出部的兩個對中的氣體進入部和所附屬的氣體排出部以如下方式佈置，即，所述一個對中的氣體進入部佈置在所述過程室的同另一對中的氣體排出部一樣的側上。
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