JPH0574718A - 成膜方法および装置 - Google Patents
成膜方法および装置Info
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- JPH0574718A JPH0574718A JP3231391A JP23139191A JPH0574718A JP H0574718 A JPH0574718 A JP H0574718A JP 3231391 A JP3231391 A JP 3231391A JP 23139191 A JP23139191 A JP 23139191A JP H0574718 A JPH0574718 A JP H0574718A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ装置において、成膜の均一性およびス
ループットを向上させ、装置の小形化を図り、ランニン
グコストを低廉化させる。 【構成】 ＣＶＤ装置において、チャンバ２内の熱処理
帯域６および成膜帯域７を複数枚の半導体ウエハ１を並
列状態で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造とし
た。
ループットを向上させ、装置の小形化を図り、ランニン
グコストを低廉化させる。 【構成】 ＣＶＤ装置において、チャンバ２内の熱処理
帯域６および成膜帯域７を複数枚の半導体ウエハ１を並
列状態で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造とし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜方法および装置に
関し、特に、たとえばＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on）法により半導体ウエハなどのワークに成膜処理を行
うために適用して効果のある技術に関する。
関し、特に、たとえばＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on）法により半導体ウエハなどのワークに成膜処理を行
うために適用して効果のある技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の成膜技術としては、たとえば、
半導体ウエハに１枚ずつ成膜を形成する枚葉式のＣＶＤ
装置がある。
半導体ウエハに１枚ずつ成膜を形成する枚葉式のＣＶＤ
装置がある。
【０００３】しかし、この枚葉式のＣＶＤ装置では、半
導体ウエハに１枚ずつ成膜を形成する構造となっている
ので、スループットが悪い。
導体ウエハに１枚ずつ成膜を形成する構造となっている
ので、スループットが悪い。
【０００４】そこで、スループットを向上させるため
に、バッチ式のＣＶＤ装置が考えられる。
に、バッチ式のＣＶＤ装置が考えられる。
【０００５】このバッチ式のＣＶＤ装置は半導体ウエハ
に複数枚まとめて断続的に成膜を形成するもので、石英
製のチャンバと、一端からチャンバ内にガスを供給する
ガス供給装置と、供給されたガスをチャンバの他端から
排気させる真空ポンプと、チャンバ全体を加熱するヒー
タと、チャンバ内に複数枚の半導体ウエハを並列状態で
支持するサセプタとを備えた構造となっている。
に複数枚まとめて断続的に成膜を形成するもので、石英
製のチャンバと、一端からチャンバ内にガスを供給する
ガス供給装置と、供給されたガスをチャンバの他端から
排気させる真空ポンプと、チャンバ全体を加熱するヒー
タと、チャンバ内に複数枚の半導体ウエハを並列状態で
支持するサセプタとを備えた構造となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した従来
のバッチ式のＣＶＤ装置では、複数枚の半導体ウエハを
並列状態で固定する構造となっているので、半導体ウエ
ハの表面を通過したガスが他の半導体ウエハの表面を再
び通過し、このため半導体ウエハの表面に沿ってガスを
均一な濃度で流動させることが困難であった。
のバッチ式のＣＶＤ装置では、複数枚の半導体ウエハを
並列状態で固定する構造となっているので、半導体ウエ
ハの表面を通過したガスが他の半導体ウエハの表面を再
び通過し、このため半導体ウエハの表面に沿ってガスを
均一な濃度で流動させることが困難であった。
【０００７】また、バッチごとに成膜条件が異なる傾向
にあるので、成膜もバッチごとに異なったものとなって
しまう。
にあるので、成膜もバッチごとに異なったものとなって
しまう。
【０００８】その結果、成膜の均一性が低下し、この均
一性の低下は半導体ウエハが大口径になる程、著しい。
一性の低下は半導体ウエハが大口径になる程、著しい。
【０００９】また、サセプタを介して並列状態で支持し
た半導体ウエハに成膜処理を施す構造となっているの
で、熱処理帯域および成膜帯域が長くなり、このため装
置の大型化を招来し、ランニングコストが高くついてし
まう。
た半導体ウエハに成膜処理を施す構造となっているの
で、熱処理帯域および成膜帯域が長くなり、このため装
置の大型化を招来し、ランニングコストが高くついてし
まう。
【００１０】本発明の目的は、成膜の均一性およびスル
ープットを向上させることのできる成膜技術を提供する
ことにある。
ープットを向上させることのできる成膜技術を提供する
ことにある。
【００１１】本発明の他の目的は、装置の小形化および
ランニングコストの低廉化を図ることのできる成膜技術
を提供することにある。
ランニングコストの低廉化を図ることのできる成膜技術
を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００１４】すなわち、本発明の成膜装置は、熱処理帯
域および成膜帯域を有するチャンバと、前記熱処理帯域
でワークを加熱するアニール装置と、前記成膜帯域に成
膜材料のガスを搬送方向と直角方向に供給するガス供給
装置と、供給されたガスを排気する排気装置と、複数枚
のワークを並列状態で支持するワーク支持具と、このワ
ーク支持具を連続的に搬送させる搬送装置とを備えた構
造としたものである。
域および成膜帯域を有するチャンバと、前記熱処理帯域
でワークを加熱するアニール装置と、前記成膜帯域に成
膜材料のガスを搬送方向と直角方向に供給するガス供給
装置と、供給されたガスを排気する排気装置と、複数枚
のワークを並列状態で支持するワーク支持具と、このワ
ーク支持具を連続的に搬送させる搬送装置とを備えた構
造としたものである。
【００１５】
【作用】前記構成において、成膜処理を行う場合、拡散
律速状態の下で、複数枚のワークを並列状態でチャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う。
律速状態の下で、複数枚のワークを並列状態でチャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う。
【００１６】このように、複数枚のワークを並列状態で
チャンバ内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送
させつつワークに成膜を形成できるので、ワークの表面
を通過したガスを他のワークの表面を再び通過させるこ
となく、ガスの流動方向における濃度の低下を最小限に
し、成膜の均一性を向上させることができる。
チャンバ内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送
させつつワークに成膜を形成できるので、ワークの表面
を通過したガスを他のワークの表面を再び通過させるこ
となく、ガスの流動方向における濃度の低下を最小限に
し、成膜の均一性を向上させることができる。
【００１７】また、複数枚のワークを並列状態で連続的
に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、スルー
プットを向上させることができる。
に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、スルー
プットを向上させることができる。
【００１８】また、複数枚のワークを並列状態で連続的
に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、チャン
バ内の熱処理帯域および成膜帯域を短く形成し、装置の
小形化およびランニングコストの低廉化を図ることがで
きる。
に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、チャン
バ内の熱処理帯域および成膜帯域を短く形成し、装置の
小形化およびランニングコストの低廉化を図ることがで
きる。
【００１９】
【実施例１】図１は本発明の実施例１である成膜装置を
示す平面図、図２は図１の成膜装置を示す縦断面図であ
る。
示す平面図、図２は図１の成膜装置を示す縦断面図であ
る。
【００２０】本実施例１における成膜装置は半導体ウエ
ハ１に成膜を形成するＣＶＤ装置に適用したものであ
る。このＣＶＤ装置は縦型構造のチャンバ２を有してい
る。このチャンバ２は円筒状の石英製のもので、上下方
向に延在し、上下端に入口部３ａおよび出口部３ｂが形
成され、この入口部３ａと出口部３ｂとの間に、パージ
帯域４、酸化膜除去帯域５、熱処理帯域６、成膜帯域７
および酸化膜除去帯域８が形成されている。
ハ１に成膜を形成するＣＶＤ装置に適用したものであ
る。このＣＶＤ装置は縦型構造のチャンバ２を有してい
る。このチャンバ２は円筒状の石英製のもので、上下方
向に延在し、上下端に入口部３ａおよび出口部３ｂが形
成され、この入口部３ａと出口部３ｂとの間に、パージ
帯域４、酸化膜除去帯域５、熱処理帯域６、成膜帯域７
および酸化膜除去帯域８が形成されている。
【００２１】複数枚の半導体ウエハ１を並列状態で回転
させるウエハ支持具９が設けられ、このウエハ支持具９
は３本のステイ１０から構成されている。
させるウエハ支持具９が設けられ、このウエハ支持具９
は３本のステイ１０から構成されている。
【００２２】また、このウエハ支持具９を搬送させる搬
送装置が設けられ、これにより、複数枚の半導体ウエハ
１を並列状態で前記帯域４〜８を連続的に搬送させる構
造としたものである。
送装置が設けられ、これにより、複数枚の半導体ウエハ
１を並列状態で前記帯域４〜８を連続的に搬送させる構
造としたものである。
【００２３】前記チャンバ２の外周面の一側には、前記
帯域４〜８と対応した位置に窒素ガスパージ装置１６、
水素ガス供給装置１８、アニール装置１５、ソースガス
とキャリアガスとの混合ガス供給装置１７および水素ガ
ス供給装置１９が設けられ、各装置１６〜１９のガスノ
ズル２０は搬送方向と直角方向に指向し、チャンバ２の
内周面に開口されている。
帯域４〜８と対応した位置に窒素ガスパージ装置１６、
水素ガス供給装置１８、アニール装置１５、ソースガス
とキャリアガスとの混合ガス供給装置１７および水素ガ
ス供給装置１９が設けられ、各装置１６〜１９のガスノ
ズル２０は搬送方向と直角方向に指向し、チャンバ２の
内周面に開口されている。
【００２４】前記窒素ガスパージ装置１６は半導体ウエ
ハ１の表面のエアを不活性な窒素ガスで置換し、浄化を
行うものであり、水素ガス供給装置１８は半導体ウエハ
１の自然酸化膜を還元により除去するものであり、ソー
スガスとキャリアガスとの混合ガス供給装置１７は成膜
材料のソースガスを供給し、その分解あるいは反応生成
物で成膜を形成するものであり、水素ガス供給装置１９
は半導体ウエハ１の加熱による酸化膜を還元により除去
するものである。
ハ１の表面のエアを不活性な窒素ガスで置換し、浄化を
行うものであり、水素ガス供給装置１８は半導体ウエハ
１の自然酸化膜を還元により除去するものであり、ソー
スガスとキャリアガスとの混合ガス供給装置１７は成膜
材料のソースガスを供給し、その分解あるいは反応生成
物で成膜を形成するものであり、水素ガス供給装置１９
は半導体ウエハ１の加熱による酸化膜を還元により除去
するものである。
【００２５】前記チャンバ２の外周面の他側には、排気
装置１２が設けられ、この排気装置１２の排気孔１３は
ガスノズル２０と対向する位置に形成され、搬送方向と
直角方向に指向し、供給されたガスを搬送方向と直角方
向に流動させて真空ポンプにより排気させる構造とした
ものである。
装置１２が設けられ、この排気装置１２の排気孔１３は
ガスノズル２０と対向する位置に形成され、搬送方向と
直角方向に指向し、供給されたガスを搬送方向と直角方
向に流動させて真空ポンプにより排気させる構造とした
ものである。
【００２６】前記アニール装置１５は赤外線ランプ１１
および反射板１１ａからなり、この赤外線ランプ１１お
よび反射板１１ａはチャンバ２の外周面のガスノズル２
０と隣接のガスノズル２０との間に、排気孔１３と隣接
の排気孔１３との間にそれぞれ設けられている。
および反射板１１ａからなり、この赤外線ランプ１１お
よび反射板１１ａはチャンバ２の外周面のガスノズル２
０と隣接のガスノズル２０との間に、排気孔１３と隣接
の排気孔１３との間にそれぞれ設けられている。
【００２７】チャンバ２の内周面には、シリコンカーバ
イト（ＳｉＣ）でコーティングしたカーボングラファイ
ト製の整流板１４が複数枚等間隔で設置され、この整流
板１４は半導体ウエハ１を通過させる通過孔１４ａを有
し、供給されたガスに対し、余熱を兼ねて整流を行う構
造としたものである。
イト（ＳｉＣ）でコーティングしたカーボングラファイ
ト製の整流板１４が複数枚等間隔で設置され、この整流
板１４は半導体ウエハ１を通過させる通過孔１４ａを有
し、供給されたガスに対し、余熱を兼ねて整流を行う構
造としたものである。
【００２８】次に、本実施例１の作用を説明する。
【００２９】前記構成において、半導体ウエハ１に成膜
を形成する場合、まず、赤外線ランプ１１および反射板
１１ａからの放射熱により熱処理帯域６を加熱し、パー
ジ帯域５に窒素ガスを、酸化膜除去帯域５，８に水素ガ
スを、成膜帯域７にソースガスとキャリアガスとの混合
ガスをそれぞれ搬送方向と直角方向に供給し、供給した
各ガスを吸引により排気し、反応律速状態に設定する。
を形成する場合、まず、赤外線ランプ１１および反射板
１１ａからの放射熱により熱処理帯域６を加熱し、パー
ジ帯域５に窒素ガスを、酸化膜除去帯域５，８に水素ガ
スを、成膜帯域７にソースガスとキャリアガスとの混合
ガスをそれぞれ搬送方向と直角方向に供給し、供給した
各ガスを吸引により排気し、反応律速状態に設定する。
【００３０】この拡散律速状態の下で、複数枚の半導体
ウエハ１を並列状態で支持したウエハ支持具９を搬送装
置により入口部３から下向きに所定の速度で搬送させる
と、複数枚の半導体ウエハ１は並列状態で前記帯域５〜
８を回転かつ搬送されつつ半導体ウエハ１に成膜が形成
され、成膜処理済みの半導体ウエハ１は出口部４から連
続的に回収される。
ウエハ１を並列状態で支持したウエハ支持具９を搬送装
置により入口部３から下向きに所定の速度で搬送させる
と、複数枚の半導体ウエハ１は並列状態で前記帯域５〜
８を回転かつ搬送されつつ半導体ウエハ１に成膜が形成
され、成膜処理済みの半導体ウエハ１は出口部４から連
続的に回収される。
【００３１】このように、複数枚の半導体ウエハ１を並
列状態で連続的に搬送させつつ成膜処理できるので、半
導体ウエハ１の表面を通過したガスを他の半導体ウエハ
１の表面を再び通過させることなく、ガスの流動方向に
おける濃度の低下を最小限にし、成膜の均一性を向上さ
せることができる。
列状態で連続的に搬送させつつ成膜処理できるので、半
導体ウエハ１の表面を通過したガスを他の半導体ウエハ
１の表面を再び通過させることなく、ガスの流動方向に
おける濃度の低下を最小限にし、成膜の均一性を向上さ
せることができる。
【００３２】また、複数枚の半導体ウエハ１を並列状態
で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたの
で、スループットを向上させることができる。
で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたの
で、スループットを向上させることができる。
【００３３】また、複数枚の半導体ウエハ１を並列状態
で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたの
で、前記帯域４〜８を短く形成し、装置の小形化および
ランニングコストの低廉化を図ることができる。
で連続的に搬送させつつ成膜処理を行う構造としたの
で、前記帯域４〜８を短く形成し、装置の小形化および
ランニングコストの低廉化を図ることができる。
【００３４】また、チャンバ２の内周面に整流板１４を
設置した構造としたので、ガスの整流と余熱とによりガ
ス流を均一化し、その温度および濃度を定常化し、成膜
の均一性をより一層向上させることができる。
設置した構造としたので、ガスの整流と余熱とによりガ
ス流を均一化し、その温度および濃度を定常化し、成膜
の均一性をより一層向上させることができる。
【００３５】
【実施例２】図３は本発明の実施例２である成膜装置を
示す横断面図である。
示す横断面図である。
【００３６】本実施例２における成膜装置は前記実施例
１とほぼ同様の構成を有するが、横型構造のチャンバ２
に適用し、ウエハ支持具１０ａにより複数枚の半導体ウ
エハ１を並列状態で水平方向に連続的に搬送させつつ成
膜処理を行い、半導体ウエハ１へのパーティクルの付着
を防止する構造とした点で特徴を有する。
１とほぼ同様の構成を有するが、横型構造のチャンバ２
に適用し、ウエハ支持具１０ａにより複数枚の半導体ウ
エハ１を並列状態で水平方向に連続的に搬送させつつ成
膜処理を行い、半導体ウエハ１へのパーティクルの付着
を防止する構造とした点で特徴を有する。
【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施
例に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施
例に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３８】たとえば、前記実施例では、アニール装置
として、赤外線ランプおよび反射板を設けた場合につい
て説明したが、これに限らず、赤外線ランプおよび反射
板に代えて、カーボングラファイトなどの導電性材料で
ウエハ支持具を形成し、このウエハ支持具に直接通電
し、半導体ウエハを加熱する構造とすることもできる。
として、赤外線ランプおよび反射板を設けた場合につい
て説明したが、これに限らず、赤外線ランプおよび反射
板に代えて、カーボングラファイトなどの導電性材料で
ウエハ支持具を形成し、このウエハ支持具に直接通電
し、半導体ウエハを加熱する構造とすることもできる。
【００３９】この構造の場合、半導体ウエハの近傍のみ
加熱されるので、チャンバの温度を低下させ、シリコン
生成物の反応速度を低下させ、反応生成物による発塵を
低減させることができる。
加熱されるので、チャンバの温度を低下させ、シリコン
生成物の反応速度を低下させ、反応生成物による発塵を
低減させることができる。
【００４０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその利用分野であるＣＶＤ法による成膜
方法および装置で説明したが、これに限らず、ＶＰＡ
（Vapor Phase Epitaxay）法による成膜方法および装置
は勿論、光ディスクなどの成膜処理を行う成膜方法およ
び装置にも適用できる。
なされた発明をその利用分野であるＣＶＤ法による成膜
方法および装置で説明したが、これに限らず、ＶＰＡ
（Vapor Phase Epitaxay）法による成膜方法および装置
は勿論、光ディスクなどの成膜処理を行う成膜方法およ
び装置にも適用できる。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
【００４２】(1).複数枚のワークを並列状態でチャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う構造としたので、ワークの表面を通過し
たガスを他のワークの表面を再び通過させることなく、
ガスの流動方向における濃度の低下を最小限にし、成膜
の均一性を向上させることができる。
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う構造としたので、ワークの表面を通過し
たガスを他のワークの表面を再び通過させることなく、
ガスの流動方向における濃度の低下を最小限にし、成膜
の均一性を向上させることができる。
【００４３】(2).複数枚のワークを並列状態でチャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う構造としたので、スループットを向上さ
せることができる。
内の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ
成膜処理を行う構造としたので、スループットを向上さ
せることができる。
【００４４】(3).複数枚のワークを並列状態で連続的に
搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、チャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を短く形成し、装置の小
形化およびランニングコスト低廉化を図ることができ
る。
搬送させつつ成膜処理を行う構造としたので、チャンバ
内の熱処理帯域および成膜帯域を短く形成し、装置の小
形化およびランニングコスト低廉化を図ることができ
る。
【００４５】(4).チャンバの内周面に整流板を設置した
構造としたので、ガスの整流と余熱とによりガス流を均
一化し、その温度および濃度を定常化し、成膜の均一性
をより一層向上させることができる。
構造としたので、ガスの整流と余熱とによりガス流を均
一化し、その温度および濃度を定常化し、成膜の均一性
をより一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１である成膜装置を示す平面図
である。
である。
【図２】図１の成膜装置を示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施例２である成膜装置を示す横断面
図である。
図である。
１ 半導体ウエハ ２ チャンバ ３ａ 入口部 ３ｂ 出口部 ４ パージ帯域 ５ 酸化膜除去帯域 ６ 熱処理帯域 ７ 成膜帯域 ８ 酸化膜除去帯域 ９ ウエハ支持具 １０ ステイ １０ａ ウエハ支持具 １１ 赤外線ランプ １１ａ 反射板 １２ 排気装置 １３ 排気孔 １４ 整流板 １４ａ 通過孔 １５ アニール装置 １６ 窒素ガスパージ装置 １７ 混合ガス供給装置 １８ 水素ガス供給装置 １９ 水素ガス供給装置 ２０ ガスノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 泰一 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (3)
- 【請求項１】 複数枚のワークを並列状態でチャンバ内
の熱処理帯域および成膜帯域を連続的に搬送させつつ成
膜処理を行うことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 熱処理帯域および成膜帯域を有するチャ
ンバと、前記熱処理帯域でワークを加熱するアニール装
置と、前記成膜帯域に成膜材料のガスを搬送方向と直角
方向に供給するガス供給装置と、供給されたガスを排気
する排気装置と、複数枚のワークを並列させて支持する
ワーク支持具と、このワーク支持具を連続的に搬送させ
る搬送装置とを備えたことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項３】 前記チャンバの内周面に、ガス余熱を兼
ねてガス整流を行う整流板を設けたことを特徴とする請
求項２記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231391A JPH0574718A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 成膜方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231391A JPH0574718A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 成膜方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574718A true JPH0574718A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16922877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231391A Pending JPH0574718A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 成膜方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574718A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012099864A (ja) * | 2006-12-12 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応管 |
| JP2015137415A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | エヌシーディ・カンパニー・リミテッドＮｃｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 大面積原子層蒸着装置 |
| JP2017510716A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・（ジャーマニー）・アクチエンゲゼルシャフト | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231391A patent/JPH0574718A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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