CN106062247B - 借助过程气体循环以多重等离子体进行等离子体处理的设备 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的用于等离子体处理的设备包括处理室以及具有循环线路和循环泵的循环单元，处理室具有至少两个被过程气体穿流的等离子体处理区、气体输入部和气体输出部，气体输入部适用于将过程气体输送给至少两个等离子体处理区，气体输出部适用于将废气从处理室排除，其中，循环单元适用于将废气中至少一部分供应到气体输入部中，并且其中，供应到气体输入部中的废气是从等离子体处理区中的至少两个中逸出的气体的混合物。通过混合来自等离子体处理区中的至少两个中的废气并且将废气重新供应到气体输入部中，使来自等离子体处理区中的至少两个中的过程气体的已经转化的组成部分、但也有未转化的组成部分混合，并且因此实现了输送给等离子体处理区的过程气体的均匀化。这减少了由于等离子过程在不同的等离子体处理区中的差异而产生的各个基底之间的等离子体处理的非均匀性。

Description

借助过程气体循环以多重等离子体进行等离子体处理的设备
技术领域
本发明涉及一种用于利用低温等离子体进行等离子体处理的设备，该设备在处理室中具有多个等离子体处理区，并且在该设备中，从处理室中导出的废气中的一部分又输送给用于等离子体处理的过程气体。
背景技术
等离子体处理例如在太阳能电池制造、微电子技术或基底表面(例如玻璃)的提纯中用于沉积或去除层或颗粒，或用于例如通过等离子体浸没-离子注入来添加层。为了提高在等离子体处理中的产量，应用了批量系统(batch-System)，在批量系统中同时处理多个基底。在此，可以并排或上下相叠地布置具有待处理的表面的基底。由US 4,287,851 B和EP0 143 479 A1中公知了一种设施，在该设施中，给每个基底都配属了与其他的等离子体处理区分开运行的等离子体处理区。
在此，在等离子体处理期间利用的过程气体要么仅在一个部位上导入到处理室中，并从那里分配到各个等离子体处理区上，要么过程气体分别经由独立的输出开口(例如喷嘴)输送给各个等离子体处理区。在此，过程气体有利地流动穿过等离子体处理区。
由于在用于等离子体生成的条件中的、在用于相应的基底的边界条件(例如环境温度)中的差异以及另外的在处理室内部的非均匀性，在多个同时处理的基底上的处理会出现不同的结果。这些结果例如可以是不同的沉积率或腐蚀率或所沉积的层的不同的组成或不同的添加量。
此外，在基底很大时还出现了在基底的横向的延伸长度上的处理的非均匀性，这是因为过程气体在其穿过等离子体处理区的运输路径上在过程气体的组成方面发生改变。例如，能起反应的组成部分的数量由于这样的组成部分在基底的长度上已经实现了反应而在过程气体流动的方向上减少。因此，所沉积的或去除的层厚也沿该基底方向下降。
为了排除最后提到的问题，公知了对生成的等离子体进行脉冲。在此，等离子体通过短的脉冲仅在短的时间内点火，而等离子体在循环的多数时间(大约90％)内是熄火的。在等离子体的该暂停时间内，新的、未消耗的过程气体可以被分配到整个基底上，从而在等离子体点火的时间内，在基底的所有部位上都可以实现相同的沉积率或腐蚀率。然而，这却导致加工过程明显延长，这是因为仅有效使用了总时间的10％。
发明内容
因此，本发明的任务是，提供一种利用多个等离子体处理区对多个基底进行等离子体处理的设备，该设备适用于减少各个基底之间的等离子体处理的非均匀性，这些非均匀性由于等离子体处理在不同的的等离子体处理区中有所区别而出现。此外，本发明的任务是，提供一种用于等离子体处理的设备，该用于等离子体处理的设备也减少了在基底上的等离子体处理的非均匀性。
该任务通过根据权利要求1的设备来解决。有利的实施方式存在于从属权利要求中。
根据本发明的用于等离子体处理的设备包括处理室以及具有循环线路和循环泵的循环单元，处理室具有至少两个被过程气体穿流过的等离子体处理区、气体输入部和气体输出部，气体输入部适用于将过程气体输送给至少两个等离子体处理区，气体输出部适用于将废气从处理室排除，其中，循环单元适用于将废气中的至少一部分供应到气体输入部中，并且其中，供应到气体输入部中的废气是从等离子体处理区中的至少两个中逸出的气体的混合物。
通常，在该申请中，“气体”、“过程气体”或“废气”的概念可以被理解为适用于等离子体处理或在该等离子体处理时产生的气体或气体混合物的任一形式。
在此，气体输入部例如通过处理室的器壁中的至少一个与气体线路连接的开口、通过至少一个伸入到处理室中的气体线路(管)或与至少一个气体线路连接的具有一个或多个开口的输入室来实现，过程气体从它们中流入到处理室中。以相同的方式，气体输出部例如通过处理室的器壁中的至少一个与废气线路连接的开口、通过至少一个伸入到处理室中的废气线路(管)或与至少一个废气线路连接的具有一个或多个开口的输出室来实现，过程气体从它们中流入处理室。
如前面已所述地那样，不同的等离子体处理区会具有过程气体的组成部分转化成例如自由基、离子或反应产物的不同的比率。通过混合来自至少两个等离子体处理区中的废气并且将废气重新供应到气体输入部中，使来自至少两个等离子体处理区中的过程气体的已经转化的组成部分、但也有还未转化的组成部分混合，并且因此实现了对输送给至少两个等离子体处理区的过程气体的均匀化。这就减少了等离子处理在各个基底之间的非均匀性，这些非均匀性由于等离子处理在不同的等离子体处理区中有所区别而产生。换言之：基底的沉积率或腐蚀率或其他的加工率通过混匀在所有基底上的过程气体来均匀化，也就是均衡。
此外，过程气体更好地被充分用于相应的等离子体处理，这是因为一方面，过程气体的还未用于沉积或去除层的组成部分被重新输送给等离子体处理部，并且另一方面，过程气体因此已经包含了起反应的或已经被激励的组成部分，这些组成部分与迄今还未通过等离子体激励的过程气体相比需要更少的激励用来进行力求达到的反应。因此，不仅能够实现减少气体消耗，也就是说新鲜的过程气体的消耗，而且能够实现提高用于等离子体处理的沉积率或腐蚀率。
优选地，循环单元包括调节阀，其中，调节阀和循环泵以如下方式设计，即，经由循环线路供应到气体输入部中的废气的气体流与供应到气体输入部中的且不同于废气的气体的气体流的比处于小于100的范围内。针对该比的典型的且优选的值在8与12之间，特别优选为10。也就是说，通过循环单元从废气中提取出比输送给等离子体处理部的新鲜的气体的气体流大数倍的气体流，并且又输送给气体输入部进而输送给等离子体处理部。由此，明显提高了过程气体穿过等离子体处理区的流动速度，并且过程气体在相应的等离子体处理区中的停留时间明显减少了例如大致10倍。因此，也降低了过程气体在贯穿过相应的等离子体处理区时的等离子体化学的分解率，由此实现了在等离子体处理区中的过程气体的组成部分在基底沿气体的流动方向的长度上的更均匀的组成，并且最终实现了所沉积或去除的层在基底的延伸长度上的更均匀的厚度。换言之：在其沿气体流动方向的延伸长度上使得对每个基底的加工均匀化。此外，使重新输送已经被激励的气体组成部分的上述的效果得到增强，这导致进一步提高了沉积率或腐蚀率。
通过气体回引的所述的效果，在基底沿气体流动方向的延伸长度上和在多个基底上实现对层厚度和/或另外的层特性，例如光学或电特性，如透射度、折射指数、电导率等的突出的均匀化，其中，层厚度或另外的层特性的偏差位于几个百分点的范围内，例如小于或等于±4％。
在根据本发明的设备的实施方式中，循环线路与气体输送线路连接，气体输送线路适用于将不同于废气的气体供应到气体输入部中。该气体是新鲜气体或气体混合物，气体混合物可以包含过程气体的一种、多种或所有组成部分，并且该气体用于启动等离子体处理并且补偿了过程气体的由于等离子体处理而消耗掉的组成部分。因此，新鲜输送的气体和经由循环线路在此输送给等离子体处理部的废气已经在与气体输入部连接的气体输送线路中混合，并且仅需一个气体输送线路用于不仅供应新鲜输送的气体而且还供应回引的废气到处理室中。
在优选的实施方式中，气体输入部与两个气体输送线路连接，其中，第一气体输送线路直接与循环线路连接，而第二气体输送线路与用于提供不同于废气的气体的设备连接。因此，第二气体输送线路适用于将新鲜气体或新鲜气体混合物输送给过程气体，从而可以补偿过程气体的由于进行等离子体处理而消耗掉的组成部分。
优选地，气体输入部构造为气体输入部-混合室，该气体输入部-混合室具有至少两个分别具有一个或多个开口的流出系统。在此，每个流出系统分别配属于至少两个等离子体处理区中的一个，从而过程气体从相应的流出系统的开口向所配属的等离子体处理区流动。流出系统的多个开口优选具有如下布置和大小，即，过程气体均匀地或以匹配于等离子体处理区的等离子体条件的方式输送给等离子体处理区。例如，在等离子体处理区的边缘区域中，开口可以以彼此间较小的间距布置，或者具有与等离子体激励区的中间区域中的开口相比所不同的流导值(Leitwerte)。此外，各个流出系统，也就是说配属于不同的等离子体区的彼此不同的流出系统可以具有开口的不同的布置和/或流导值。优选地，流出系统的开口具有相同的流导值。此外，除了将过程气体限定地输送给各个等离子体处理区以外，输入室还适用于确保将经由循环线路供应的废气和不同于废气地供应的气体相混合。于是，当经由循环线路供应的废气和不同于废气地供应的气体经由两个彼此分离的气体输送线路供应到气体输入部中时，这尤其是有利的。在此，气体输入部-混合室可以以贴靠到器壁上或者与该器壁间隔开的方式布置在处理室的器壁上的外部或处理室之内。
当气体输入部与两个气体输送线路连接时，气体输送线路中的第一个用于输送废气，而第二个则用于不同于废气供应的气体，像上面描述的那样，气体输入部-混合室在特别优选的实施方式中具有至少两个子室，其中，每个子室具有独立的流出系统，过程气体从独立的流出系统中向至少一个等离子体处理区流动，并且分别配属于至少一个等离子体处理区。在此，给每个子室都配属至少一个配量装置，配量装置适用于针对相应的子室独立地调整所供应的废气的量或不同于废气的供应的气体的量。
优选地，气体输出部通过气体输出部-混合室来实现，该气体输出部-混合室具有至少两个分别带有一个或多个开口的流入系统，废气通过所述流入系统从等离子体处理区流入到气体输出部-混合室中，其中，每个流入系统分别配属于至少两个等离子体处理区中的一个。流入系统的多个开口优选具有如下布置和大小，即，过程气体均匀地或以匹配于等离子体处理区的等离子体条件的方式从所配属的等离子体处理区中导出。在此，已经参考了流出系统和其开口的说明是适用的。至少两个流入系统的开口优选具有相同的流导值。在此，气体输出部-混合室能够以贴靠到器壁上或者与该器壁间隔开的方式布置在处理室的器壁上的外部或处理室之内。
在优选的实施方式中，气体输出部通过废气线路与用于气体导出的设备连接，并且循环线路联接到废气线路上。因此，仅需一个与气体输出部连接的废气线路。在此，用于气体导出的设备，例如真空泵一方面用于调整处理室中的限定的压力，而且另一方面用于将废气从气体输出部导出并且因此对过程气体到处理室中的供应进行调节。
在其他优选的实施方式中，气体输出部与用于气体导出的设备借助废气线路并且彼此分离地与循环线路连接。也就是说，气体输出部与两个气体导出线路连接，其中的第一气体导出线路是废气线路，而第二个气体导出线路是循环线路。这就能够实现不仅将废气线路和循环线路而且将用于气体导出的设备和循环泵都匹配于待调整的参数和纯度要求。例如，循环泵不应造成对回引的废气的污染，由此，与联接到废气线路上的真空泵相比，对循环泵提出更高的要求。
优选地，循环单元包括灰尘沉积装置，该灰尘沉积的装置优选在循环线路中布置在循环泵之前。
此外，循环单元优选包括用于去除废气的特定的组成部分，尤其是气态的组成部分的设备。这例如可以是不能够在等离子体处理中再次使用的反应产物。
在优选的实施方式中，气体输入部和气体输出部结构相同地实施，并且用于等离子体处理的设备具有变换单元，变换单元适用于，在第一切换状态中，将经由循环线路供应的废气和不同于废气地供应的气体输送给气体输入部，并且将废气从气体输出部导出，而在第二切换状态中，将经由循环线路供应的废气和不同于废气地供应的气体输送给气体输出部，并且将废气从气体输入部导出。因此，用于等离子体处理的设备适用于造成在处理室和等离子体处理区中流动的气体流的气体循环方向换向。因此，在基底的延伸长度上的所沉积的或去除的层的厚度还可以更好地均匀化，也就是说均衡。变换单元优选包括两个各具有两个阀的阀组，其中，第一阀组的阀分别与第二阀组的阀相反地切换。每个阀组的一个阀分别处于设备的废气支路中，而每个阀组的另一个阀分别处于设备的输送支路中。变换单元优选适用于在每次等离子体处理过程内进行5至25次之间地变换切换状态并且进而切换了气体循环方向。等离子体处理过程例如是给基底涂覆以预先给定的层厚度，或者从基底去除预先给定的层的厚度。
优选地，用于等离子体处理的设备还具有用于使在等离子体处理区中加工的基底的机构沿第一方向在处理室中运动的设备。在此，处理室包括多个气体输入部和多个气体输出部，其中，气体输入部和气体输出部交替地沿第一方向布置在处理室的侧上。例如，气体输入部和气体输出部布置在处理室的靠上的器壁上，其中，基底横向并排地布置，并且沿等离子体处理区在下方运动，该等离子体处理区沿第一方向布置在相应的气体输入部和气体输出部之间。在此，过程气体流经基底机构，但没有穿流过。这相应于所谓的具有平坦的且横向并排布置的如下的单个基底的串联设施(In-line-Anlag)，在单个基底上，过程气体在沿基底的运动方向的方向上流动。来自至少两个气体输出部的废气通过循环单元混合，并且又供应到气体输入部中。
在其他优选的实施方式中，气体输入部和气体输出部布置在处理室的相对置的侧上。在此，等离子体处理区可以横向并排或优选竖直上下相叠地布置在气体输入部和气体输出部之间。
优选地，用于等离子体处理的设备还具有用于使在等离子体处理区中加工的基底的系统在沿第一方向在处理室中运动的设备。在此，处理室包括多个气体输入部和多个配属于这些气体输入部的气体输出部，其中，气体输入部和气体输出部沿第一方向以如下方式布置，即，特定的气体输入部布置在处理室的沿第一方向延伸的侧上，而配属于特定的气体输入部的气体输出部布置在处理室的相对置的侧上。在此，基底横向并排地布置在基底机构中或优选竖直上下相叠地布置在特定的气体输入部与和特定的气体输入部相对置的气体输出部之间，从而基底机构和配属于相应的气体输入部和气体输出部的等离子体处理区被过程气体穿流。这相应于串联设施，在其中，也可以对基底堆栈进行处理，在基底堆栈中，过程气体沿垂直于基底的运动方向的方向流动。基底在此可以在等离子体处理期间运动或者近似静止地被加工。在第二种情况下，基底在处理室内部从第一对的气体输入部和配属的气体输出部之间的位置向第二对的气体输入部和配属的气体输出部之间的另外的位置运动，然而在等离子体处理期间在相应的位置中保持不运动。
气体输出部在此优选将废气从至少两个由所配属的气体输入部来提供过程气体的等离子体处理区导出，将它们混合并且将它们又输送给至少一个所配属的气体输入部。
在优选的实施方式中，用于等离子体处理的设备包括恰好与气体输入部和配属于这些气体输入部的气体输出部的对一样多的循环单元，其中，给每对特定的气体输入部和所配属的气体输出部都配属循环单元。因此，废气经由配属的循环单元从特定的气体输出部仅供应到配属的气体输入部中。
替选地，多个气体输出部的废气相互混合，并且又输送给至少一个，优选多个气体输入部。在特别优选的实施方式中，来自所有气体输出部的废气被混合，并且供应到所有气体输入部中。对于该设计方案来说仅需要一个循环单元。
在用于等离子体处理的设备的特别优选的实施方式中，沿第一方向依次布置的气体输入部和配属于这些气体输入部的气体输出部的两个对中的气体输入部和所属的气体输出部以如下方式布置，即，其中一对的气体输入部与另一对的气体输出部一样都布置在处理室的相同的侧上。因此，至少两个气体输入部和两个气体输出部沿着第一方向交替地布置在处理室的相同的一侧上。利用该布置方案，可以均衡基底沿过程气体的流动方向的延伸长度上的非均匀性，这是因为过程气体的流动方向在两对气体输入部和配属的气体输出部之间换向。
附图说明
下面，根据本发明的用于等离子体处理的设备借助多个实施例阐述，而用于等离子体处理的设备并不局限于这些实施例。尤其可行的是，参考不同的实施例所描述的观点彼此组合，只要这没有明确被排除。
图1A示出根据本发明的用于等离子体处理的设备的第一实施方式的横截面，在该第一实施方式中，气体输入部通过输入室来实现，并且循环线路与气体输送线路连接，气体输送线路适用于将不同于废气的气体输送给气体输入部。此外，第一实施方式仅具有一个废气线路，废气经由该废气线路从气体输出部导出，并且循环线路与废气线路连接；
图1B示意性地示出针对没有气体回引的传统处理和在利用根据本发明的设备的情况下的处理的在基底沿气体流动方向的延伸长度上的所沉积的层的厚度曲线；
图1C示出图1A的截段，其中，阐述了借助区分开的气体体积使在多个基底上的加工率均匀化；
图2示出根据本发明的用于等离子体处理的设备的第二实施方式的横截面，在该第二实施方式中，通过输入室实现的气体输入部与两个气体输送线路连接，其中一个气体输送线路适用于将不同于废气的气体输送给气体输入部，而另一个气体输送线路是循环线路。此外，第二实施方式还具有两个废气线路，废气经由它们从气体输出部导出，其中一个废气线路是循环线路；
图3示出气体输入部的实施方式，在该实施方式中，气体输入部实施为具有多个子室的混合室。在此，针对每个子室的所供应的废气的量和不同于废气的供应的气体的量可以借助配量装置独立调整；
图4示意性地示出根据本发明的用于等离子体处理的设备的第三实施方式，在该第三实施方式中，循环单元还包含灰尘沉积设备和用于去除废气的特定的气态的组成部分的设备；
图5示意性地示出根据本发明的用于等离子体处理的设备的第四实施方式的结构，在该第四实施方式中，气体的循环方向可以得到改变；
图6A至图6C示出用于产生等离子体和基底支架的电互连的特定的实施例，其中，图6A示出非脉冲式的等离子体生成的示例，图6B示出脉冲式的等离子体生成的示例，而图6C示出远程等离子体生成的示例；
参考图7A和7B阐述了根据本发明的用于等离子体处理的设备的第五实施方式，在第五实施方式中，基底机构沿着过程气体流动在下方受引导。在此，图7A示出设施的俯视图，而图7B示出沿基底机构的运动方向穿过设施的横截面；
图8示出根据本发明的用于等离子体处理的设备的第六实施方式，在该第六实施方式中，过程气体穿流过基底机构，并且该第六实施方式的横截面例如相应于图1A所示的横截面。
具体实施方式
在图1A中，在沿三维的笛卡尔坐标系中的x-y平面的横截面中示出了根据本发明的用于等离子体处理的设备(1)的第一实施方式。设备(1)包括处理室(10)、气体输送线路(21)、联接到气体输送线路(21)上的用于提供气体的设备(22)、废气线路(23)、联接到废气线路(23)上的泵(24)和循环单元(30)。
处理室(10)具有多个等离子体处理区(11a至11c)以及实现为气体输入部-混合室的气体输入部(13)和实现为气体输出部-混合室的气体输出部(14)。在图1中所示的实施方式中，处理室(10)具有三个等离子体处理区(11a至11c)。在其他的实施方式中，也可以将仅两个等离子体处理区或多于三个的等离子体处理区布置在气体输入部(13)与气体输出部(14)之间。等离子体处理区用作于对基底(12a至12c)进行等离子体处理，这些基底在所示的情况下分别布置在所配属的等离子体处理区(11a至11c)下方。在其他的实施方式中，基底也可以布置在相应的等离子体处理区的上方、内部或侧向。在所示情况下，基底竖直地上下相叠地，也就是说沿着y轴线且垂直于基底的横向的延伸长度地布置在所谓的基底堆栈中。在其他的实施方式中，也可以将多个基底横向并排地，也就是说沿着x轴线或沿着z轴线布置。于是，特定的等离子体处理区也可以横向并排地布置。将多个基底并排或上下相叠地横向和竖直地布置进行组合也是可行的。
气体输入部(13)布置在处理室(10)的第一侧上，而气体输出部(14)布置在处理室的第二侧上，其中，处理室的第二侧与第一侧对置。气体输入部(13)的输入室和气体输出部(14)的输出室布置在处理室(10)的内部，也就是说布置在处理室(10)的器壁的内侧上。基底(12a至12c)布置在处理室(10)的第一侧与第二侧之间，从而基底机构，也就是说全部基底被在气体输入部与气体输出部之间流动的过程气体穿流。气体输入部(13)具有多个流出开口(131a至131c)，过程气体从这些流出开口流向等离子体处理区(11a至11c)，而气体输出部(14)具有多个流入开口(141a至141c)，从等离子体处理区(11a至11c)中逸出的废气经过这些流入开口流入到气体输出部中。在图1中所示的实施方式中，存在有三个流出开口(131a至131c)和三个流入开口(141a至141c)。尽管这在图1中所示的横截面中并不明显，但是仍有多个流出开口和多个流入开口沿着处理室的z方向布置。在此，流出开口形成了配属于特定的等离子体处理区的流出系统，过程气体从流出系统流向特定的等离子体处理区(11a至11c)。以相同的方式，流入开口形成了配属于特定的等离子体处理区的流入系统，从特定的等离子体处理区(11a至11c)中逸出的废气体经过流入系统。特定的流出系统的流出开口和特定的流入系统的流入开口分别布置在相对于y轴线相同的位置上。
在其他的实施方式中，流出开口的数量和流入开口的数量也可以不是三个，也可以彼此不同并且对不同的等离子体处理区来说也是不同的。此外，流出开口的数量对于不同的流出系统来说是不同的，流入开口的数量对于不同的流出系统来说是不同的，以及流出开口在特定的流出系统中的竖直的位置是不同的，而且流入开口在特定的流入系统中的竖直位置是不同的，也就是说它们相对于y轴线的位置是不同的。
气体输入部-混合室在x-y平面中具有足够大的横截面，并且因此在内部具有足够小的流导值，从而过程气体可以从流出开口(131a至131c)平均分配地供应到多个等离子体处理区中。流出开口(131a至131c)有利地以如下方式具有小的横截面和尺寸，即，在流出开口上发生气体阻隔的效果。
气体输入部(13)与气体输送线路(21)连接，经由气体输送线路，过程气体被供应到气体输入部(13)中。过程气体在此由新鲜气体和废气的混合物组成，新鲜气体由用于提供气体的设备(22)提供，废气经由循环单元(30)从气体输出部(14)回引向气体输入部(13)。新鲜气体和废气在此已经在气体输送线路(21)中混合并且此外还在气体输入部(13)的气体输入部-混合室中混合。新鲜气体的量经由配量装置，例如质量流控制器在用于提供气体的设备(22)中调节。
气体输出部(14)与废气线路(23)连接，泵(24)联接到废气线路上。泵(24)一方面用作于吸出在等离子体处理时产生的废气，而另一方面与布置在废气线路(23)中的调节阀(25a、25b)共同作用于调整处理室(10)中的限定的压力。在此，来自不同的等离子体处理区(11a至11c)的废气在气体输出部(14)的气体输出部-混合室和废气线路(23)中混合。
循环单元(30)包括循环线路(31)和循环泵(32)。循环线路(31)在根据本发明的用于等离子体处理的设备的第一实施方式中与废气线路(23)和气体输送线路(21)连接，从而气体输入部(13)仅与气体输送线路(21)连接，而气体输出部(14)仅与废气线路(23)连接。借助循环单元(30)，废气中的一部分被再次输送给过程气体，其中，再次供应的废气在全部废气中的份额经由调节阀(25a、25b)调整。因此，再次供应的废气在全部过程气体中的份额也得到调节，该份额等于或大于新鲜气体的气体流。例如，从废气中提取出比新鲜气体的气体流量大10倍的气体流，并且再次输送给气体输入部。罗茨泵适用于作为循环泵(32)，其以约10的压缩比生成足够用于气体循环的过压。因为提供了具有250至25000m3/h的范围内的抽吸功率的罗茨泵，所以也可以设置具有足够的气体循环的非常大的处理室。有利地，以纯半导体的实施方案使用罗茨泵，从而在循环单元(30)中仅附加地出现非常小的泄漏率，并且通过例如来自罗茨泵轴轴承的传动装置油避免了对过程气体的污染。沿被泵送的气体的方向在循环泵(32)之前的循环线路(31)的直径(d1)在此可以大于沿被泵送的气体的方向在循环泵(32)之后的循环线路(31)的直径(d2)。
图1B示意性地示出了所沉积的层在基底沿气体流动方向(x方向)的延伸长度上的厚度ds的曲线。在此，基底或基底的通过等离子体处理所加工的面沿着图1A中所示的x方向从第一点x1延伸到第二点x2。这是针对没有气体回引的在其中存在有相对小的气体穿流量Q1的传统处理的厚度曲线和针对根据本发明的具有与此相对很大的气体穿流量Q2(像其借助气体循环在根据本发明的设备中出现的那样)的过程的厚度曲线。关于基底横向于气体流动方向，也就是说沿z方向的延伸长度，对于特定的点xi来说是以均匀组成过程气体为前提，也就是说，过程气体组成沿z方向是均匀的。
在传统处理中，层厚度ds沿x方向减小，这是因为过程气体在很小的流动速度的情况下在等离子体处理区中以等离子体化学的方式分解，并且随着分解产物的份额的增加，沉积率下降。此外，另外的层参数，例如光学或电的特性，譬如透射度、折射指数、电导率等也会发生改变。
在利用根据本发明的设备的情况下，由于循环单元(30)中的气体循环，过程气体以更大的，例如十倍的流动速度运动经过等离子体处理区。在该提高的气体穿流量Q2的情况下，过程气体在等离子体处理区中的等离子体化学的分解以如下方式降低，即，使沉积率实际上保持不变。因此在基底沿x方向的延伸长度上的层厚度ds以及另外的层参数都被均匀化，也就是说保持恒定地构造。
借助示出图1A的截段的图1C阐述的是，如何通过在气体循环的各次气体运行中持续地混匀过程气体，使得除了对在基底沿x方向的延伸长度上的加工进行均匀化(相应于图1B)以外，也使对在由沿y方向的多达100个基底构成的基底机构中的不同的基底的加工进行均匀化。
为此，在图1C中考虑到在两次气体循环运行中的在它们的流动路径上的小的区分开的气体体积(2)、(3)和(4)。在图1C中，所有区分开的气体体积通过相应的在圆圈中的附图标记来标明。在此，区分开的第一气体体积(2)穿过第一流出开口(131a)从气体输入部(13)进入到等离子体处理室中且沿箭头方向横穿第一等离子体处理区(11a)，其中，区分开的第一气体体积的组成发生改变，并且作为区分开的气体体积(2‘)穿过第一流入开口(141a)朝着气体输出部(14)的方向离开等离子体处理室。相应地，区分开的第二气体体积(3)穿过第二流出开口(131b)从气体输入部(13)进入到等离子体处理室中且沿箭头方向横穿第二等离子体处理区(11b)，其中，区分开的第二气体体积的组成发生改变，并且作为气体体积(3‘)穿过第二流入开口(141b)朝着气体输出部(14)的方向离开等离子体处理室，而区分开的第三气体体积(4)穿过第三流出开口(131c)从气体输入部(13)进入到等离子体处理室中且沿箭头方向横穿第三等离子体处理区(11c)，其中，区分开的第三气体体积的组成发生改变，并且作为区分开的气体体积(4‘)穿过第三流入开口(141c)朝着气体输出部(14)的方向离开等离子体处理室。
在第一次运行中，区分开的气体体积(2)、(3)和(4)首先全部具有第一气体组成(a)，该第一气体组成对于所有区分开的气体体积(2)、(3)和(4)来说是一样的。在各个区分开的气体体积(2)、(3)和(4)分别横穿各自的等离子体处理区(11a至11c)期间，视等离子体处理区和在其中燃烧的等离子体的特性而定地，气体组成针对每个区分开的气体体积都以特殊的方式发生改变。在各个等离子体区中，等离子体化学的气体变换会稍有不同，例如，通过略有不同的等离子体功率耦入导致的是，区分开的气体体积(2‘)、(3‘)和(4‘)在离开等离子体区后会在它们的气体组成中有所区别。
由此，区分开的第一气体体积(2‘)具有略有改变的第一气体组成(a1)，而区分开的第二气体体积(3‘)具有略有改变的第二气体组成(a2)，并且区分开第三的气体体积(4‘)具有略有改变的第三气体组成(a3)，这些气体组成彼此间都会有所区别。
区分开的气体体积(2‘)、(3‘)和(4‘)现在在它们的路径上通过循环单元(30)混合，从而区分开的第四气体体积(5)本身位于与气体输送线路(21)连接之前的循环线路(31)中，该区分开的第四气体体积具有均匀化的第四气体组成(b)。区分开的第四气体体积(5)必要时与新鲜气体混合，从而在气体输送线路(21)中存在具有第五气体组成(c)的区分开的第五气体体积(6)，该第五气体组成可以与第一气体组成(a)不同。
该区分开的第五气体体积(5)从现在起被供应到气体输入部(13)中，并且经由流出开口(131a至131c)在第二次运行中又作为新的区分开的气体体积(2)、(3)和(4)输送给相应的等离子体处理区(11a至11c)，其中，区分开的气体体积(2)、(3)和(4)的气体组成又彼此相同。
因此，在第一次运行中穿过第一等离子体处理区(11a)的气体分子会在第二次运行中例如穿过第二等离子体处理区(11b)或第三等离子体处理区(11c)，这刚好引起有意的气体混匀效果。因此，加工率和在所有基底上所获得的层特性都得到均衡，这些基底的过程气体在循环单元(30)中混匀。
在根据本发明的设备的所有实施方式中类似地发生参考图1B和1C阐述的穿过气体循环单元(30)的气体回引的效果。
图2在沿x-y平面的横截面中示出了根据本发明的用于等离子体处理的设备(1)的第二实施方式，该第二实施方式相对于第一实施方式具有许多共同之处，从而这些共同之处不再阐述。然而与第一实施方式区别在于，循环单元(30)完全与新鲜空气的输送部和与泵(24)连接的废气线路分离。也就是说：气体输入部(13)与两个气体输送线路(21a、21b)连接，并且气体输出部(14)与两个废气线路(23a、23b)连接。第一气体输送线路(21a)相应于循环线路(31)，而第二气体输送线路(21b)与用于提供气体的设备(22)连接，并且用于将新鲜气体，也就是说不同于废气的气体，供应到气体输入部(13)中。因此，经由第一气体输送线路(21a)供应的废气和经由第二气体输送线路(21b)供应的新鲜气体在气体输入部(13)的气体输入部-混合室中才混合。
在另外的实施方式中此外可行的是，除了第二气体输送线路(21b)以外还设置有另外的气体输送线路，其将另外的新鲜气体供应到气体输入部(13)中。于是当被输送的新鲜气体在常压下在其混合时导致安全方面的问题时，这尤其是有利的。
第一废气线路(23a)相应于循环线路(31)，并且直接与循环泵(32)连接，而第二废气线路(23b)仅与泵(24)连接。因此，气体输出部(14)的气体输出部-混合室具有在x-y平面中足够大的横截面，并且进而在内部具有足够小的流导值，从而来自多个等离子体处理区的废气被很好地混匀。利用布置在循环线路(31)中的调节阀(25a)来调整再次供应到气体输入部(13)中的废气的气体流，而利用布置在第二废气线路(23b)中的调节阀(25b)来调整处理室(10)中的压力。
第一和第二实施方式的特征也可以组合。例如，用于等离子体处理的设备(1)也可以像在图2中示出的那样包括两个气体输送线路(21a、21b)，但像在图1中示出的那样仅包括一个废气线路(23)。
图3详细示出了气体输入部(13)和气体输送部的特别优选的实施方式。首先，气体输入部(13)的气体输入部-混合室具有多个子室(13a至13c)，这些子室彼此间通过分隔壁(132a、132b)分离。其中每个子室(13a至13c)都具有自己的流出系统，这些流出系统通过流出开口(131a至131c)示出。每个子室(13a至13c)都与两个气体输送线路连接，其中，其中一个气体输送线路分别适用于将新鲜气体供应到相应的子室(13a至13c)中，而另一个适用于将经由循环线路(31)输送的废气供应到相应的子室(13a至13c)中。此外，在每个气体输送线路中都布置有配量装置(26a至26f)，利用这些配量装置调节供应到相应的子室(13a至13c)中的新鲜气体的量和供应到相应的子室(13a至13c)中的废气的量。因此，可以借助配量装置26a调整供应到子室13a中的新鲜气体的量，并且可以借助配量装置26d调整供应到子室13a中的废气的量。因此，利用图3中所示的实施方式，在分别配属于子室(13a至13c)的不同的等离子体处理区(11a至11c)中的等离子体处理条件中的区别通过过程气体的不同的组成来均衡。
尽管在图3中分别在每个气体输送线路中示出了配量装置(26a至26f)，但也可以仅将配量装置布置在用于输送新鲜气体的气体输送线路中或用于输送废气的气体输送线路中。此外也可行的是，将不同的新鲜气体供应到不同的子室(13a至13c)中。此外可行的是，气体输入部(13)的各个子室(13a至13c)并不完全通过分隔壁(132a、132b)彼此分离，而是这些分隔壁(132a、132b)具有开口，通过这些开口，气体可以在整个气体输入部(13)中扩散。因此，为所有子室(13a至13c)供应废气例如可以仅通过一个气体输送线路实现，而针对每个子室(13a至13c)的新鲜气体的输送可以独立地调整。
图4示意性地示出了根据本发明的用于等离子体处理的设备(1)的第三实施方式。该第三实施方式在原理结构方面相应于第一实施方式，然而，除了循环线路(31)和循环泵(32)以外，循环单元(30)还包括灰尘沉积设备(33)和用于去除废气的特定的气态的组成部分的设备(34)。灰尘沉积设备(33)有利地沿被泵送的气体的方向布置在循环泵(32)之前，从而在循环泵(32)之前已经去除了包含在废气中的灰尘颗粒，并且因此防止泵功率受到影响。
在另一有利的实施方式中，灰尘沉积设备(33)沿被泵送的气体的方向布置在循环泵(32)后面，从而在灰尘沉积设备(33)中的压力下降不那么明显。此外可行的是，也使用了多个这样的灰尘沉积设备或多级的设备。
用于去除废气的特定的气态的组成部分的设备(34)用于去除废气的不再能够在等离子体处理中使用的或者在废气中过量存在的组成部分。这例如可以是不再对本就执行的等离子体处理做出贡献的反应产物。这些组成部分可以通过用于去除的设备(34)完全或部分地从在循环线路(31)中运输的废气中去除掉，并且经由导出线路(35)导出。用于去除废气的特定的气态的组成部分的设备(34)可以沿在循环单元(30)中被泵送的气体的方向布置在循环泵(32)之前或之后。
在图5中示意性地示出了用于等离子体处理的设备(1)的第四实施方式，在该第四实施方式中，在等离子体处理区中流动的气体的方向可以被切换。这示例性地针对图1所示的实施方式示出，在该第四实施方式中，气体输入部(13)仅与气体输送线路连接，而气体输出部(14)仅与废气线路连接。为了对气体流动方向进行换向，也就是说实际上彼此交换气体输入部和气体输出部，在气体输送线路以及废气线路中分别布置有第一阀组(27)的阀和第二阀组(28)的阀。第一阀组(27)和第二阀组(28)共同形成变换单元。在第一切换状态中，第一阀组(27)的阀(27a和27b)打开，并且第二阀组(28)的阀(28a和28b)关闭。因此，新鲜气体由用于提供气体的设备(22)来供应，并且经由循环线路(31)回引的废气供应到气体输入部(13)中，并且废气经由气体输出部(14)从处理室中导出。在第二切换状态中，第一阀组(27)的阀(27a和27b)关闭，并且第二阀组(28)的阀(28a和28b)打开。因此，新鲜气体由用于提供气体的设备(22)来供应，并且经由循环线路(31)回引的废气供应到气体输出部(14)中，并且废气经由气体输入部(13)从处理室中导出。有利地，气体输入部(13)和气体输出部(14)为此结构相同地实施。通过切换等离子体处理区(11a至11c)中的气体流动方向可以减少等离子体处理在基底沿流动方向的延伸长度上的非均匀性。流动方向的典型的切换率为(每次完整的等离子体处理例如在涂层处理的情况下每次在基底上以特定层厚度的沉积)切换5至25次。
参考图6A至6C阐述了用于等离子体的生成和基底支架的电互连的特定的实施例，其中，应用到根据本发明的用于等离子体处理的设备的第一实施例。因此，忽略了关于气体输送和气体导出的细节。
图6A示出了用于借助发生器(60)非脉冲式地生成等离子体的示例，发生器提供直流电压。在另外的实施方式中，发生器(60)可以提供低频或高频的电压。基底(12a至12c)布置在梳状地延伸的电极(121、122)上。在此，第一电极(121)沿相应的输送线路的正x方向延伸，而第二电极(122)沿相应的输送线路的负x方向延伸。在另外的实施方式中，电极(121、122)沿相应的输送线路的正和负z方向延伸出。第一电极(121)和第二电极(122)沿y方向交替地布置，其中，第一电极(121)与第二电极(122)电绝缘。发生器(60)与第一和第二电极(121、122)对称地连接。在另外的实施方式中，发生器(60)与第一和第二电极(121、122)非对称地连接，其中，第一电极(121)或第二电极(122)与处理室的接地连接。与布置在电极上的基底(12a至12c)相比，电极(121、122)具有稍大的横向的延伸长度，并且典型地，沿y方向彼此间具有1至100mm的间距。在施加电压的情况下，在第一电极(121)与和第一电极相邻地布置的第二电极(122)之间生成等离子体，等离子体能够实现对位于电极之间的基底的处理。
图6B示出了脉冲式地生成等离子体的示例。在此，第一电极(121)与处理室的接地(与大地)连接，而第二电极(122)与匹配和过滤箱(62)连接，发生器(60)和脉冲发生器(61)联接到匹配和过滤箱上。这种脉冲式生成的等离子体例如可以用于借助等离子体浸没注入进行离子注入。因此，可以将具有离子能量至约30keV的添加物，例如硼或磷注入到基底中。为此，在等离子体处理区(11a至11c)中点燃例如具有磷化氢(PH3)气体的或具有氟化硼(BF3)的等离子体。通过施加来自脉冲发生器(61)的短的负高压脉冲，将来自等离子体边缘层的离子加速到基底上。
图6C示出用于远程式地生成等离子体的示例。其中，为了进行处理，例如为了进行纯粹的自由基腐蚀或表面改性，等离子体区和处理区应彼此分离，在处理中通过来自等离子体而撞击在基底上的离子的份额不是必须的或期望的。气体循环在此像其在之前的实施例中描述的那样也是有利的。在此，在远程等离子体(111)区中生成的自由基和气体组成部分均匀地在原则上相应于之前描述的等离子体处理区的不同的处理区(11a至11c)上分配，从而实现了减少在不同的基底(12a至12c)之间的和在基底的延伸长度上的非均匀性。远程等离子体(111)例如可以借助发生器(60)生成。
通常，一个或多个用于进行处理的等离子体可以是低压等离子体，其中，必要的功率可以借助电极、感应式地、借助微波或经由电介质窗耦入。
此外，在图6A和6C中还示出了加热元件(15)，该加热元件确保了对于等离子体处理来说所需的基底温度和/或气体温度。这例如可以经由红外辐射或热传导实现。有利地，加热元件也整合到气体输入部-混合室和气体输出部-混合室中，从而基底和等离子体处理区具有均匀的温度分布。所描述的加热元件可以在根据本发明的用于等离子体处理的设备的所有实施方式中使用。
图7A和7B示出了根据本发明的用于等离子体处理的设备的第五实施方式，其中，图7A示出了设备的俯视图，而图7B示出了沿着图7A中所示的线B-B‘的横截面。在根据本发明的设备的实施方式中，基底(12a至12d)在处理室(10)中沿着在所示情况下相应于z方向的第一方向运动。运动借助箭头来标记。在此，多个基底(12a至12d)可以横向并排地布置在基底载体(120)上。基底载体(120)借助设备(70)运动来使基底在处理室中运动。这例如可以是图7B中所示的滚轮或也可以是带或其他设备。处理室具有多个气体输入部(13a、13b)和多个气体输出部(14a、14b)，其中，它们沿着第一方向交替地布置在处理室的一侧上。像在图7B中看到的那样，气体输入部(13a、13b)和气体输出部(14a、14b)沿上部的室壁布置。在气体输入部(13a、13b)与其相邻的气体输出部(14a、14b)(或两个相邻的气体输出部)之间布置有等离子体处理区(11a至11c)，其中，基底(12a至12d)沿着等离子体处理区(11a至11c)在下方受引导。因此，虽然过程气体流经基底(12a至12d)的基底机构，但没有穿流过。
有利地，从所有位于处理室(10)中的气体输出部(14a、14b)中逸出的废气相互混合，并且输送给所有位于处理室(10)中的气体输入部(13a、13b)。然而，在另外的实施方式中也可行的是，仅混合来自特定的气体输出部的废气，并且这些废气仅输送给特定的气体输入部。但是，通过混合废气并且将其重新输送到气体输入部中，均衡了在各个等离子体处理区(11a至11c)之间以及在特定的等离子体处理区内部的过程气体差异。
图8以设备的俯视图示出了根据本发明的用于等离子体处理的设备的第六实施方式，其中，图1示出了这种设备沿x-y平面的示例性的横截面。在此，基底也沿第一方向，也就是说沿z方向，在处理室(10)中运动。然而，基底竖直地，也就是说沿y方向，上下相叠地布置在基底载体(120)中，从而在俯视图中仅看到最上方的基底(12a)。处理室包括多个气体输入部(13a至13c)以及多个气体输出部(14a至14c)，它们沿第一方向布置在处理室的相对置的侧上，其中，为每个气体输入部都配属了一个气体输出部。在此，特定的气体输入部(例如13a)布置在处理室(10)的一侧上，而配属于该特定的气体输入部的气体输出部(例如14a)布置在处理室的相对置的侧上。因此，基底机构和配属于相应的气体输入部和气体输出部的等离子体处理区(11a)被过程气体穿流过。处理室的两侧在此沿x方向彼此间隔开。在图8中所示的实施方式中，所有的气体输入部(13a至13c)都布置在处理室(10)的一侧上，而所有的气体输出部(14a至14c)都布置在处理室(10)的相对置的侧上。
然而，在另外的实施方式中，气体输入部与气体输出部的各个对也可以相反地布置。例如，气体输入部13a和13c可以布置在处理室(10)的第一侧上，并且所属的气体输出部14a和14c布置在处理室(10)的相对置的第二侧上，而气体输入部13b布置在处理室(10)的第二侧上，并且所属的气体输出部14b布置在处理室(10)的第一侧上。因此，切换气体流动方向可以在相邻的等离子体处理区(11a至11c)中实现，而无需利用图5中所示的变换单元。
在不同于图7A、7B和8中所示的实施例的实施例中，气体输入部和气体输出部的数量，它们相对于处理室(10)的侧的布置方案以及相互混合的废气的数量或相互互连的气体输出部和气体输入部的数量可以与在图中所示的实施例的这些数量和布置有所不同。
附图标记列表
1 用于等离子体处理的设备
2至6 区分开的气体体积
10 处理室
11a至11c 等离子体处理区
111 远程等离子体
12a-12d 基底
120 基底载体
121 第一电极
122 第二电极
13 气体输入部
13a至13c 子室
131a至131c 流出开口
132a、b 分隔壁
14 气体输出部
141a至141c 流入开口
15 加热元件
21 气体输送线路
21a 第一气体输送线路
21b 第二气体输送线路
22 用于提供气体的设备
23 废气线路
23a 第一废气线路
23b 第二废气线路
24 泵
25a、25b 调节阀
26a-26f 配量装置
27 第一阀组
24a、b 第一阀组的阀
28 第二阀组
28a、b 第二阀组的阀
30 循环单元
31 循环线路
32 循环泵
33 灰尘沉积设备
34 用于去除气体组成部分的设备
35 导出线路
60 发生器
61 脉冲发生器
62 匹配和过滤箱
70 用于使基底运动的设备

Claims (21)

1.一种用于等离子体处理的设备，所述用于等离子体处理的设备包括：
-处理室，所述处理室具有：
-被过程气体穿流过的至少两个等离子体处理区，
-气体输入部，所述气体输入部适用于将所述过程气体输送给所述至少两个等离子体处理区，和
-气体输出部，所述气体输出部适用于将废气从所述处理室中排除，以及
-循环单元，所述循环单元具有循环线路和循环泵，其中，所述循环单元适用于将所述废气中的至少一部分供应到所述气体输入部中，
-其中，供应到气体输入部中的废气是从所述至少两个等离子体处理区中逸出的气体的混合物，
-所述气体输入部和所述气体输出部结构相同地实施，并且
-所述用于等离子体处理的设备具有变换单元，所述变换单元适用于，在第一切换状态中，将经由所述循环线路供应的废气和不同于所述废气地供应的气体输送至所述气体输入部，并且将所述废气从所述气体输出部导出，而在第二切换状态中，将经由所述循环线路供应的废气和不同于所述废气地供应的气体输送给所述气体输出部，并且将所述废气从所述气体输入部导出。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，
-所述循环单元包括调节阀，并且
-所述调节阀和所述循环泵以如下方式设计，即，经由所述循环线路供应到所述气体输入部中的废气的气体流相对于供应到所述气体输入部的不同于废气的气体的气体流的比处于小于等于100的范围内。
3.根据权利要求2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，
经由所述循环线路供应到所述气体输入部中的废气的气体流相对于供应到所述气体输入部的不同于废气的气体的气体流的比为10。
4.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输入部与气体输送线路连接，所述气体输送线路联接到用于提供与所述废气不同的气体的设备上，其中，所述循环线路与所述气体输送线路连接，从而由所述循环单元输送的废气经由所述气体输送线路供应到所述气体输入部中。
5.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输入部与两个气体输送线路连接，其中，第一气体输送线路直接与所述循环线路连接，而第二气体输送线路与用于提供与所述废气不同的气体的设备连接。
6.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输入部通过气体输入部-混合室来实现，所述气体输入部-混合室具有分别带有一个或多个开口的至少两个流出系统，所述过程气体从所述流出系统向所述等离子体处理区流出，其中，每个流出系统分别配属于所述至少两个等离子体处理区中的一个。
7.根据权利要求6所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述至少两个流出系统的开口具有相同的流导值。
8.根据权利要求5所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输入部通过气体输入部-混合室来实现，所述气体输入部-混合室具有至少两个子室，其中，每个子室具有独立的流出系统，所述过程气体从所述独立的流出系统向至少一个等离子体处理区流动，并且分别配属于至少一个等离子体处理区，并且其中，给每个子室配属有至少一个配量装置，所述配量装置适用于针对各个子室独立地调整供应的废气的量和/或不同于废气地供应的气体的量。
9.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输出部通过气体输出部-混合室来实现，所述气体输出部-混合室具有分别具有一个或多个开口的至少两个流入系统，通过所述流入系统，所述废气从所述等离子体处理区中流入到所述气体输出部-混合室中，其中，每个流入系统分别配属于至少两个等离子体处理区中的一个。
10.根据权利要求9所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，至少两个流入系统的开口具有相同的流导值。
11.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，
-所述气体输出部与用于气体导出的设备经由废气线路连接，并且
-所述循环线路与所述废气线路连接。
12.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输出部与用于气体导出的设备经由废气线路并且彼此分离地与所述循环线路连接。
13.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述循环单元包括灰尘沉积装置。
14.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述循环单元包括用于去除所述废气的特定的组成部分的设备。
15.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述变换单元适用于在每个等离子体处理过程中变换所述切换状态5至25次。
16.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，
-所述用于等离子体处理的设备还具有用于使在等离子体处理区中加工的基底机构沿着第一方向在处理室中运动的设备，并且
-所述处理室包括多个气体输入部和多个气体输出部，其中，所述气体输入部和所述气体输出部交替地沿所述第一方向布置在所述处理室的一侧上，并且所述过程气体流经但没有穿流过所述基底机构。
17.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述气体输入部和所述气体输出部布置在所述处理室的相对置的侧上。
18.根据权利要求1或2所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，
-所述用于等离子体处理的设备还具有用于使在等离子体处理区中加工的基底机构沿着第一方向在处理室中运动的设备，并且
-所述处理室包括气体输入部与配属于所述气体输入部的气体输出部的多个对，其中，所述气体输入部和所述气体输出部沿所述第一方向以如下方式布置，即，特定的气体输入部布置在所述处理室的沿所述第一方向延伸的一侧上，而配属于所述特定的气体输入部的气体输出部布置在所述处理室的对置的另一侧上，从而所述基底机构和配属于各气体输入部和气体输出部的等离子体处理区被过程气体穿流过。
19.根据权利要求18所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，所述用于等离子体处理的设备包括恰好与气体输入部和配属于所述气体输入部的气体输出部的对一样多的循环单元，其中，给每对特定的气体输入部和所配属的气体输出部配属有循环单元，并且其中，废气从特定的气体输出部经由配属的循环单元仅供应到配属的气体输入部中。
20.根据权利要求18所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，来自于所有的气体输出部的废气被混合，并且供应到所有的气体输入部中。
21.根据权利要求18所述的用于等离子体处理的设备，其特征在于，沿所述第一方向依次布置的气体输入部与配属于所述气体输入部的气体输出部的两个对中的气体输入部和所附属的气体输出部以如下方式布置，即，其中一个对中的气体输入部与另一个对中的气体输出部布置在处理室的相同的侧上。
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