CN1243846C - 将一流体流分成多个分流的流体分配单元 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种将一个流体流分成多个分流的流体分配单元(10、20)，它包括至少一个用于供给的流体流的流体进口(13、23)、多个用于分流的流体出口(14、24)以及多个连接流体进口(13、23)与流体出口(14、24)的通道。这种单元的特征在于，通道(15、25)分别在分叉点(16、26)对称地分成下游通道(15a、15b、15c、15d、15e；25a、25b、25c、25d、25e)；以及，每个从流体进口(13；23)到其中一个流体出口(14；24)的连接均有相同的通道(15、25)和相同的分叉点(16、26)。一种用于独立分配两种或多种不同流体的流体分配装置包括多个平面地上下层叠的这种流体分配单元(10、20)，其中，在这些流体分配单元(10、20)中分别分配其中一种流体，以及另外一种或多种流体不分配地通过与之分开的通道(17、27)导引。这种流体分配装置可尤其设计为CVD镀层设备用的气体的供给装置。在这种情况下至少一个流体分配单元(10)规定用于一种必要时包括一种气体载体的母体气体，以及至少另一个流体分配单元(20)规定用于一种反应气体。

Description

将一流体流分成多个分流的流体分配单元

技术领域

本发明涉及一种将一流体流分成多个分流的流体分配单元，它包括至少一个用于输入的流体的流体进口、多个用于分流的流体出口、以及多个连接流体进口与流体出口的通道。此外本发明还涉及一种用于独立分配两种或多种不同流体的流体分配装置。

背景技术

这种流体分配装置的一种实际应用情况是作为供给装置，用于供给用于CVD(Chemical vapor deposition)镀层设备，亦即通过化学气相沉积镀层的设备的气流。在CVD镀层设备中，通常要镀敷的材料以化合物的形式供入，它称为前体化合物或产物母体。产物母体作为母体气体必要时与一种气体载体一起供给CVD镀层设备，在那里它与一种单独供给的反应气体相遇、与之反应、以及释出要镀敷在底物上的成分。

为了沿底物的整个表面以均匀一致的化学组成和均匀的厚度镀敷期望的料层，要求尽可能均匀地供给母体气体和有利地也均匀地供给气体载体。在这里尤其应使从气体出口排出的各气流的流速、流动剖面、流向和温度尽可能相同。尤其对于按连续工艺的连续镀层，必须在喷嘴内调整为同样的条件。

按一种例如由US-PS 5,624,498和US-PS 6,086,677已知的方法，母体气流首先供入一较大的贮气容器，例如一根大的管内，再从那里通过喷嘴从不同的气体出口排出。因此这种设计方案也称为“气体喷淋器”(shower head)。通过使用大的贮气容器，应在贮气容器不同的出口处有尽可能均匀的静压，从而能在气体出口排出均匀的彼此基本相同的气流。

然而在这种供给装置中存在的问题是，即使采用大的贮存容器仍会出现不同的动态和静态压力状况，因为不同的气体出口离贮存容器气体进口的距离各不相同。所以设在贮存容器气体进口附近的气体出口比距离远的那些气体出口有更高的气体排出速度。

不利的因素还有气体在“气体喷淋器”内比较长的而且除此之外不同的和难以预言或计算的停留时间(滞留时间)。尤其是对易于分解的较敏感的有机化合物，它们会在此贮气容器内发生母体气体成分不希望的分解和可能的沉积。使用这种供给装置在气体供给率不同时，较高的气体供给率可导致沿不同的喷嘴不均匀的出口气流剖面，以及在较低的气体供给率并因而使产物母体在贮气容器内有更长的停留时间的情况下，会发生不希望的分解。此外，气体在贮气容器以及在喷嘴内期望的调温难以进行。

还可以通过控制装在相关气体出口内的各个喷嘴，调节从不同的气体出口排出的气流。在这里尤其可以将处于较高气体压力下的喷嘴设计有比处于较低气体压力的喷嘴内小的流通截面。尽管由此可以达到在不同喷嘴处气流出口速度一定程度的均匀化，然而这样一种调整通常只可能用于某些气体供给率、某些气体出口速度和某些温度。当这些参数改变时，各喷嘴调整装置必须进行比较麻烦的调节。即使在所有喷嘴处的平均出口速度是相同的，从相关喷嘴排出的各气流的流动剖面仍然有可能彼此不同。此外，气体从气体供入装置到各喷嘴的停留时间也是不同的。

为了气流的均匀化还可以采用扩散器，它例如有一块带均匀的孔的金属板。但在这种扩散器中可能在气流内发生紊流、部分气流有较长的停留时间、以及产生不希望的沉积或提前发生气相反应。例如在US-PS5,595,606中建议了一种类似的设计方案。在那里还用一些想出设置的加热装置进行试验，以提供均匀的调温并因而能更好地控制气流。

发明内容

相比之下，本发明的目的是建议一种比先有技术更好的流体分配单元。

另一个目的是创造一种也适用于独立地分配多种流体的流体分配装置，它的结构设计得尽可能简单。

按本发明为达到第一个目的，令通道分别在分叉点对称地分成下游通道；以及，每个从流体进口到其中一个流体出口的连接有相同的通道和相同的分叉点。

第二个目的通过一种用于独立分配两种或多种不同流体的流体分配装置达到，它有多个平面地上下层叠的按照上述类型的流体分配单元，其中，在流体分配单元中分别分配其中一种流体，以及另外一种或多种流体不分配地通过与之分开的通道导引。

在这里，流体可以是液体或也可以是气体或气体混合物。因此，按本发明的流体分配单元或装置不仅可用于供给一种或多种气体(有或没有气体载体的母体气体、反应气体)，而且也可用于分配完全另类性质的气体或气体混合物或液体，它们例如应尽可能均匀和精确和/或可预计地导入反应室内。

在已提及的CVD镀层设备中采用本发明，尤其保证了在气体出口处气流相同的流出条件。在这里有利的是在气体出口的气流流出速度、流出方向和温度相同。有利地这些条件既适用于母体气流也适用于载体气流。按本发明的流体分配单元在用作CVD镀层设备的供给装置时尤其还能比较经济地生产。例如为了高温超导体还可在一种连续工艺方法使用敏感的产物母体，保证不导致不希望的沉积。

流体流在这里沿不同方向例如左和右导引的分叉点分成相关通道各下游通道的一些相同的分叉点，因为流体动力学的流动状况是相同的。通道可尤其T形分叉，流体流在其中按直角沿两个彼此相反的方向进一步导引。

本发明以下述思想为基础，即，在没有流体中间贮存的情况下，为每个从流体进口到流体出口之一的分流将流体通道尽可能对称地分叉，并由此创造均匀一致的条件。因此按本发明利用对称的分叉点，它们总是导致相同的下游通道或子流道，这些子流道再相应地对称分叉成下游通道，直至足够地分叉达到期望的流体出口数。因此从通道向下游通道的过渡过程中的压力变化，在全部支线内均匀地发生，从而使分流在相关通道内或下游通道内的停留时间同样也是各自相同的。

通道和分叉点可优选地设计在一个平面内，所以通道、分叉点和下游通道构成一平面结构，这种结构造成各分流蛇曲状延伸。因此，通道、分叉点和下游通道可以在一块板内构成，此板尤其可用一种有良好导热率的材料制造，例如金属铝、铜、黄铜或钢。由此，在金属板适当调温时，保证在各通道、分叉点和喷嘴处有均匀的温度。

通道可例如设计为在金属板内的槽，除流体进口和流体出口外，它们被一相邻板覆盖和密封。因此可以比较经济地生产，此外无需例如将各金属管互相焊接在相同的部位。

在用于独立地导引和独立地分配多种流体，例如一种包括或不包括气体载体的母体气体和一种反应气体的流体分配装置中，可分别使用一块金属板用于分配第一种流体，以及另一块金属板用于分配另一种流体，其中至少一块板的通道被另一块板覆盖。此外，设计为板的第二个流体分配单元的通道可通过随后装上的调温器覆盖，在此调温器内设计用于调温的调温通道。

由此按本发明用于多种不同流体的例如用于CVD镀层设备的流体分配装置可以实现一种紧凑的结构，在CVD镀层设备中除反应气体外仅使用一种母体气体或使用一种母体气体和一种气体载体。

在将通道每次分叉成两个相同通道的结构时，有利地将流体分配单元设计成有数量为二的幂的流体出口，例如有8、16或32个流体出口。

采用按本发明的流体分配单元可以顺利地实现不同的流体供给率并因而流体排出率，因为由此只是相应地提高在通道或下游通道内流体流的速度，不会在不同供给率时导致如在有传统的贮气容器时出现的不希望的那些流动效应。因为流体流连续地通过通道和各下游通道流动，所以还可避免分解和沉积。

优选地，沿各通道的压力梯度几乎是常数，或在分叉点之间的流动阻力几乎相同。因此不存在局部大的流动阻力，否则会在流体分配单元的一个局部区内造成比较大的压降。以此方式有助于在流体分配单元中流体具有最短停留时间的情况下实现均匀的分配。

采用按本发明的流体分配单元或用于多种流体的流体分配装置，可成功创造一种分配设备，它可保证实现一种优选地包括可逐个更换的板的模块化结构。

在这里尤其还可保证实现一种按连续的工艺方法的连续CVD镀层，其中例如也可为例如YBaCuO高温超导体使用敏感的产物母体。

按一种特别优选的实施形式，不同流体的流体出口优选地沿一直线交替地并列布置。因此例如在镀层时，可以在一个简单的连续技术过程中制成多个镀层。例如可以用两块母体气体板连续生产由两种材料成分组成的多镀层系统。

在某些情况下应有意义的是，为分配一种流体也使用多个互相串联的流体分配单元，也就是优选地使用通过恰当组合的多块板。

附图说明

下面借助一些例子的附图详细说明本发明。其中：

图1  按本发明的流体分配装置一种实施形式的俯视图，其中分解为三个构件表示，亦即

图1a 用于第一种流体的按本发明的第一流体分配单元；

图1b 用于第二种流体的按本发明的第二流体分配单元；

图1c 调温器；

图2  上下叠置的，亦即不分解地表示的图1所示实施形式；

图3  通过图1和2所示实施形式的纵剖面；

图4  按本发明另一种实施形式的有两个构件的流体分配装置，亦即

图4a 用于第一种流体的按本发明另一种第一流体分配单元；

图4b 用于第二种流体的按本发明另一种第二流体分配单元；

图5  按本发明的流体分配单元另一种实施形式俯视图；

图6  通过图1和3所示流体分配装置的局部剖面；以及

图7  平行于图纸平面在一个流体出口区通过图1b所示流体分配单元的剖面局部放大图。

具体实施方式

按图1的本发明的流体分配装置包括用于分配第一种流体的第一流体分配单元10，用于分配第二种流体的第二流体分配单元20和用于供给冷却或加热介质的调温器30。所有三个构件大体为板状并分别可在图1a、1b和1c中逐个看到。在这里作为实际的例子和也是经过考验的实施形式，选择一种用于CVD镀层设备的供给装置，但它不限于这些使用可能性。不过在下面先针对流体分配装置在这种镀层设备中的使用来说明。

在CVD镀层设备中将两种气体彼此独立地导入反应室或镀层室内。其中之一是一种由产物母体化合物(所谓产物母体-Precursor)与载体化合物组成的气体混合物，其中载体化合物是反应比较缓慢的或甚至是惰性的。另一种气体是反应气体。若产物母体与反应气体(过程气体)彼此相遇，则它们发生反应并在母体气体内释放出一种化合物，它然后被直接用于底物的镀层，而所有其余的反应产物和其他成分均被排出。

在这里，产物母体往往是一种氢化合物(例如硅烷)或例如在陶瓷材料如高温超导体的情况下是一种有机化合物钡-锶-钛酸盐或锶-铋-钽酸盐。母体气体在气流中导向已加热的要镀层的底物。当与例如已加热到800℃的底物相遇时，产物母体的化学连结衰变，从而在底物上沉积期望的物质，例如硅或钇-钒-铜。为了生产一种陶瓷超导体，可例如调整在镀层室内有恰当的氧分压力，从而将钇-钡-氧化铜用期望的化学计量法调整为期望的钙钛矿结构(Perowskitstruktur)。为了获得恰当的气流，可补充地在气体混合物内共同导引一种气体载体或冲洗气体，它例如可含有氧作为(今后的)反应成分，或仅仅含一种气体，这种气体不参与为生成期望的镀层所进行的化学反应。这种气体混合物意味着第一种流体，它可借助按本发明的流体分配单元分配。

如已提及的那样可有一些实施形式，其中只应分配一种流体并因而只使用一个流体分配单元。这例如是这种情况，即，为了产物母体所要求的反应仅仅与800℃高温的底物相遇就足够了。但是在很多情况下要使用另一种反应气体，它与产物母体直接在底物上进行所期望的反应前不允许接触，并因而应独立地尽可能均匀地分配，以及应在直接与产物母体(现在则是第一种流体)接近时释放。这种反应气体或过程气体也可以是一种气体混合物或一种液体，以及现在作为第二种流体。还可设想但实际上很少使用的第三种反应伙伴，它则作为第三种流体进行类似的分配(图中未表示)。

图1a中的第一流体分配单元10用金属制造，例如铝、铜、黄铜或钢。它是板状的并有一上侧11和一下侧12。在流体分配单元10的上侧11或下侧12，不同的通道15和分叉点16设计为槽。这些槽可以事后铣出或在制造时已构成。

下面从图示的结构被设计在上侧11出发，它又被另一个板状结构以这样的方式覆盖，即，仅将流体供给装置留空并可从外部与之连接。与之不同，通道和分叉点也可以设计在板状流体分配单元10的下侧12上，以及通过第二流体分配单元20覆盖。

第一通道15a在流体分配单元10沿纵向的一个纵向中央位置延伸。在其始端是一个例如设计为通孔的流体进口13，当供给流体时，亦即在本例中供给产物母体时，从第一流体分配单元10的上侧11进行。

第一通道15a终止在图1a中表示在下方的第一分叉点16a中，它设计为T形并按直角导引出两个第二通道15b。这两个第二通道15b分别经一直角弯曲后各导向一个第二T形分叉点16b，它们再次转变成各两个因此总共四个第三通道15c。第三通道15c分别经一直角弯曲后通过T形、直角的第三分叉点16c通向第四通道15d，它们相应地仍分别经一直角弯曲后通过T形、直角的第四分叉点16d导引为第五通道15e。第五通道15e经一短的分段分别终止在流体出口14处。

在这里，流体出口14处于一条直线上，此直线有利地构成第一流体分配单元10的纵轴线，如图1a中所示。由图1a可见，两个第一通道15a是相同的，这就是说它们彼此相对于横轴线A2镜面对映。第三通道15c和第四通道15d彼此也是相同的，亦即对称地相同。第五通道15e同样彼此相同，以及只是沿不同的方向延伸。由此造成一种对称的有利地围绕第一流量分配单元10横轴线镜面对映的通道系统，其中，每一个从流体进口13到其中一个流体出口14的连接都有相同的通道15以及各自总是相同的下游通道，亦即至多是彼此镜面对映的。在每个分段中存在的分叉点16也是一样的，也就是说，它们的差别仅在于流动偏转的方向。但在图1a所示的俯视图中，在每个分叉点16，无论对于在T形分叉点16向左分叉的流体分流还是对于相应地向右分出的支线的流体分流，均保证相同的流动条件。在这里，在设计各通道15中的弯曲时，有利地将转弯处到T形分叉点16的距离总是设计得足够长，从而基于足够小的通道截面，到达分叉点16时是一种均匀的流动，在此过程中不因前面的转弯而造成紊流。

所形成的从流体进口13到各流体出口14的连接与实际距离相比较长，以保证各连接有统一的长度和统一的几何结构。但按本发明只得接受这种流体流输送途径的增长，为的是在每个连接中达到均匀一致的条件。通过流体分配单元10、20(如在图1a、1b中所表示的那样)在一金属板内设计有通道15，对于这种比较长的途径还可以保证实现良好的调温并因而保证调整为均匀的温度。通过按本发明设计为一个连续的通道系统，在这里在相应地调温的情况下保证连续的流体流，从而可不同于在先有技术的中间贮存容器中那样，基本上避免了在通道壁上的沉积。

由此获得一种蛇曲状相互连接的结构，其中，基于四个分叉点，可向24个，亦即16个流体出口14均匀一致地供应第一种流体，亦即例如一种母体气体或一种气体混合气。按图1a，流体出口14沿纵轴线A1均匀地隔开间距。

由图1b可见，在第二流体分配单元20内的通道相应地设计。第二种流体(在本例中为反应气体或过程气体)的供给通过一个在第一流体分配单元10中的一个通达第二流体分配单元20中的流体进口23的通道17进行。然后，通道25设有一些去流体出口24的分叉点26。第一通道25a经两次直角弯曲后相应于上面已说明的图1a的结构导向第一分叉点26a。与流体出口24的各个连接仍通过第二通道25b、第二T形分叉点26b、第三通道25c，第三T形分叉点26c，第四通道25d，第四T形分叉点26d以及第五通道25e进行。

后面还会结合图5提供流体出口24并因而还有两种流体会聚的详图和说明。

图1c表示在第二流体分配单元20下方的一个同样板状的调温器30，它有上侧31和下侧32，在调温器内设计有用于调温介质，亦即冷却和/或加热介质的调温通道35，调温介质例如是一种气体或一种液体，如水或油。有利地，调温介质向两个调温通道35的供给对称地进行，也就是如图1c所示，通过在外部的供给装置供入调温通道进口33，以及调温介质的排出通过在里面的处于调温通道进口33之间的调温通道出口34进行，或反之。

第二流体分配单元20的通道25和分叉点26通过图中未表示的第一流体分配单元10的下侧12覆盖。如果与之不同将通道设计在下侧12上，则第一流体分配单元10的通道通过第二流体分配单元20覆盖，而第二流体分配单元20的通道通过调温器30覆盖，在这种情况下设另一个用于调温器30的调温通道35的盖。

图2表示上下叠置后在俯视图中看不同通道15、25、35的走向和彼此的相对关系。可以清楚地看出基本上重叠的结构，这种结构大大简化了不同的流体分配单元10、20的模块式构型。

流体分配单元10和20的板以及调温器30按图3通过螺钉连接，螺钉穿过这些板中对齐的连接孔18、28和38。为了定心可在定心孔19、29、39内置入定心销。

调温器30的下侧32可设一镀层，例如银层，用于隔离或反射辐射线。

由此可实现一种包括一些设计比较简单的金属板的模块式结构，其中，各通道15、25、35的密封通过另一些模块单元进行。

按图4所示的另一种实施形式，在第一流体分配单元10(图4a)中只设计第一、第二和第三分叉点15a、15b和15c，所以仅有用于第一流体的23个，亦即8个流体出口14与流体进口13连接。

这同样适用于第二流体分配单元20(图4b)。在这里也只设计第一、第二和第三分叉点25a、25b和25c，所以仅有用于第二流体的23个，亦即8个流体出口24与流体进口23连接。

在图4a中还示意表示了一种独立的和不随同分配的用于另一种流体的通道，例如另一种产物母体，它从上方供入和向下排出。按图4b还在加工段的始端或末端设另一个流体出口24z，它通过一单独的通道25z与一独立的流体进口23z连接。这表示一种从第一流体分配单元20的通道14z通过的同轴气体供给装置。通过这些附加的部分14z、23z、24z、25z，可在CVD设备中在一条位于其下方的连续牵引的带上沉积第二种镀层材料。

按图4b的第二流体分配单元20的流体出口24有一环形的外部区24a，用于构成第二种流体的流动，此外部区围绕一内部区24b，第一种流体的通道27穿过此内部区。

因此，通道27穿过第二流体分配单元20，它装入流体出口24的内部区24b并排出第一种流体，第一种流体从第一流体分配单元10排入流体出口14，然后直接通过此通道27引入第二流体分配单元20。外部区24a用于排出第二种流体，例如反应气体，它在这之前与第一种流体例如母体气体一直是分开导引的。现在构成了由两种流体组成的对准底物的定向气流，在底物运动时此气流现在能实施期望的反应并能与此运动准确调谐地封闭底物。

图5表示流体分配单元10或20另一种可能的结构，它们包括第一、第二、第三和第四分叉点16并因而有24个亦即16个均匀地供应流体的流体出口14。

按图6的局部放大图，图1a的流体分配单元10的流体出口14，以及也包括其他实施形式中相应的流体出口14，在其下端设计有横截面增大区14q，其中置入通道27的端部27a。通道27的主杆27b按图6通过流体出口24延伸，所以仅仅流体出口24的外部区24a供应第二种流体。因此(在图8中用箭头P1表示的)第一种流体通过流体出口14具有通道27的内部区24b向下导引，而第二种流体按箭头P2与之同轴地在其外部导引。

图7描述了一种可能性，说明通道27如何能通过流体分配单元下侧22上的定心凸块24q稳定化。

与图示的这些实施形式不同，也可以使用在一个平面内的Y形分叉点16或26，或不处于一个平面内的分叉点16、26。在这种情况下例如该流体流从上侧11、21到下侧12、22可在例如三个下游通道15、25内进行流通。

以此方式可将一单个的流体进口分配到一定数量的流体出口，此数量由个二的幂和三的幂的乘积(例如：2、3、4、6、8、9、12、16、18)构成。

                        数字标记一览表

10第一流体分配单元                      11第一流体分配单元的上侧

12第一流体分配单元的下侧                13第一流体分配单元的流体进口

14第一流体分配单元的流体出口            14q流体出口的横截面扩大区

14z按图4的实施形式中单独的流体通道      15在第一流体分配单元中的通道

15a第一通道                             15b第二通道

15c第三通道                             15d第四通道

15e第五通道                             16在第一流体分配单元中的通道分叉点

16a第一分叉点                           16b第二分叉点

16c第三分叉点                           16d第四分叉点

17第一流体分配单元中用于第二种流体的通  18第一流体分配单元中的连接孔

道

19第一流体分配单元中的定心孔            20第二流体分配单元

21第二流体分配单元的上侧                22第二流体分配单元的下侧

23第二流体分配单元的流体进              23z在按图4b的实施形式中附加的流体进口

24第二流体分配单元的流体出口            24a流体出口的外部区

24b流体出口的内部区                     24q按图7的定心凸块

24z按图4b的实施形式中附加的流体出口     25第二流体分配单元中的通道

25a第一通道                             25b第二通道

25c第三通道                             25d第四通道

25e第五通道                             25z在按图4b的实施形式中附加的通道

26在第二流体分配单元中的通道分叉点      26a第一分叉点

26b第二分叉点                           26c第三分叉点

26d第四分叉点                           27通道

27a通道端部                             27b通道的主杆

28第二流体分配单元中的连接孔            29第二流体分配单元中的定心孔

30调温器                                31调温器上侧

32调温器下侧                            33调温通道进口

34调温通道出口                          35调温通道

38调温器中的连接孔                      39调温器中的定心孔

A1流体分配单元的纵轴线                  A2流体分配单元的横轴线

P1第一种流体运动方向的箭头              P2第二种流体运动方向的箭头

Claims (22)

1.将一流体流分成多个分流的流体分配单元(10、20)，包括至少一个用于供给的流体流的流体进口(13、23)、多个用于分流的流体出口(14、24)以及多个连接流体进口(13、23)与流体出口(14、24)的通道(15、25)，其特征为：通道(15、25)分别在分叉点(16、26)对称地分成下游通道(15b、15c、15d、15e；25b、25c、25d、25e)；以及，每个从流体进口(13；23)到其中一个流体出口(14；24)的连接均具有相同的通道(15、25)和相同的分叉点(16、26)。

2.按照权利要求1所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)和分叉点(16、26)处于一个平面内。

3.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：流体分配单元(10、20)设计成板状；以及，通道(15；25)设计在一个或多个这种流体分配单元(10、20)中。

4.按照权利要求3所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)设计为在板状流体分配单元(10、20)之一下侧(12、22)或上侧(11、21)内的槽，并通过另一个相邻的平板状流体分配单元(20、10)或另一个板状装置(30)覆盖。

5.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：每个通道(15a、15b、15c、15d；25a、25b、25c、25d)在一个分叉点(16、26)对称地分叉成至少两个下游通道(15b、15c、15d、15e；25b、25c、25d、25e)。

6.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)在分叉点(16、26)直角地分叉。

7.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)有直线分段或带直角弯曲的直线分段。

8.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：流体出口(14；24)处于一条直线上。

9.按照权利要求1或2所述的流体分配单元，其特征为：沿通道(15、25)压力梯度的变化小于±20％，或在分叉点(16a、16b、16c、16d、16e；26a、26b、26c、26d、26e)之间的通道(15b、15c、15d、15e；25b、25c、25d、25e)内流动阻力的变化小于±20％。

10.按照权利要求2所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)和分叉点(16、26)处于一个垂直于流体出口(14、24)流出方向的平面内。

11.按照权利要求3所述的流体分配单元，其特征为：流体分配单元(10、20)用金属制成。

12.按照权利要求6所述的流体分配单元，其特征为：通道(15、25)在分叉点(16、26)T形分叉。

13.包括多个平面地上下层叠的按照前列诸权利要求之一所述流体分配单元(10、20)用于独立分配两种或多种不同流体的流体分配装置，其中，在流体分配单元(10、20)中分别分配其中一种流体，以及另外一种或多种流体不分配地通过与之分开的通道(17、27)导引。

14.按照权利要求13所述的流体分配装置，其特征为：用于第一种流体的流体出口(14)和用于第二种流体或其他一些流体的流体出口(24)彼此同心地排列。

15.按照权利要求13或14所述的流体分配装置，其特征为：在一个或多个流体分配单元(10、20)的下面设冷却和/或加热用的调温器(30)。

16.按照权利要求15所述的流体分配装置，其特征为：调温器(30)是板状的；在调温器(30)的下侧(32)设一辐射线反射层。

17.按照权利要求15所述的流体分配装置，其特征为：流体分配单元(10、20)和调温器(30)有对齐的连接孔(18；28；38)，用于安装垂直延伸的连接螺钉。

18.按照权利要求13或14所述的流体分配装置，其特征为：不同流体的流体出口(14、24)交替并列。

19.按照权利要求13或14所述的流体分配装置，其特征为：它设计为CVD镀层设备用的气体的供给装置；至少一个流体分配单元(10)规定用于至少一种母体气体；以及，至少一个流体分配单元(20)规定用于至少一种反应气体。

20.按照权利要求16所述的流体分配装置，其特征为：反射层是一个银层。

21.按照权利要求18所述的流体分配装置，其特征为：不同流体的流体出口(14、24)沿一条直线交替并列。

22.按照权利要求19所述的流体分配装置，其特征为：所述至少一个流体分配单元(10)规定用于至少一种包括一种气体载体的母体气体。

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