JP4426180B2 - 流体流を複数の部分流に分配するための流体分配ユニット及び、複数の流体のための流体分配装置 - Google Patents

Description

【０００１】
本発明は、流体流を複数の部分流に分配するための流体分配ユニットであって、供給された流体流のための少なくとも１つの流体入口と、部分流のための複数の流体出口と、流体入口を流体出口に接続する複数の通路とを有している形式のもの関する。本発明はまた、２つ又はそれ以上の異なる流体を別個に分配するための流体分配装置に関する。
【０００２】
このような流体分配装置は実際には、ＣＶＤ（Chemical vapor deposition；化学気相成長）−製膜装置、つまり化学気相成長を伴う製膜装置のためのガス流を供給する供給装置として使用される。ＣＶＤ製膜装置においては、一般的に予備化合物又は前駆物質として称呼される、化学的な化合物としての供給材料が供給される。前駆物質は前駆物質ガスとしてキャリヤガスと一緒にＣＶＤ製膜装置に供給され、ここで別個の供給された反応ガスと一緒にされて、この反応ガスと共に反応し、基板上に被着しようとする成分が遊離する。
【０００３】
基板の全面に亘って所望の材料層を均一な化学組成で及び均一な厚さで被着するために、前駆物質ガス及び有利にはキャリヤガスもできるだけ均一に供給することが望まれている。この場合特に、各ガス出口から吐出される各ガス流の流れ速度、流れプロフィール及び流れ方向並びに温度をできるだけ同じにする必要がある。特にエンドレス法で連続的な製膜のためにノズル内に同じ条件を与えなければならない。
【０００４】
アメリカ合衆国特許第５６２４４９８号明細書並びにアメリカ合衆国特許第６０８６６７７号明細書により公知の方法によれば、前駆物質ガス流はまず大きい収集容器例えば大きい管に供給され、この管から、ノズルを備えた種々のガス出口が導出されている。従ってこのような方法は、「ガスシャワー」（shower head；シャワーヘッド）とも称呼されている。大きい収集容器を用いることによって、収集容器の種々異なる出口にできるだけ均一な静圧が保証されるようになっているので、ガス出口に、一様で互いに十分に同じ流れが発生する。
【０００５】
しかしながらこのような形式の供給装置においては、大きい収集容器を使用しても異なるダイナミック及び静的な圧力比が生ずるという問題がある。何故ならば、種々異なるガス出口と収集容器のガス入口との間隔は異なっているからである。従って、収集容器のガス入口のより近くに配置されたガス出口は、より遠くに配置されたガス出口よりも高いガス出口速度を有することになるからである。
【０００６】
また「ガスシャワー」内におけるガスの、予測が困難かつ計算が困難な比較的長い滞留時間（滞在時間）も不都合である。特に収集容器内で崩壊し易い敏感な有機化合物においては、不都合な分解プロセス及び場合によっては前駆物質ガスの成分の析出が行われる。種々異なるガス供給率においてこのような形式の供給装置を使用する場合、高いガス供給率においては種々異なるノズルに亘って不均一な吐出プロフィールが生じ、低いガス供給率及びひいては容器内の前駆物質の高い滞留時間においては不都合な分解が行われる。さらに収集容器内並びにノズル内でのガス流の所望の温度調節にも問題がある。
【０００７】
各ガス出口内に挿入された各ノズルを制御することによって、種々異なるガス出口から吐出されるガス流を制御することもできる。この場合、特に高いガス圧にさらされるノズルが、低いガス圧にさらされるノズルよりも小さい平均横断面を有して構成されている。これによって種々異なるノズルにおける吐出流速度の所定も均一化が得られるが、このような調節は一般的に所定のガス供給率、所定のガス吐出速度及び所定温度のためにのみ可能である。このようなパラメータが変化すると、それに伴って、各ノズルの面倒な調節が必要となる。平均的な吐出速度がすべてのノズルにおいて同じであっても、各ノズルから吐出された各ガス流の流れプロフィールは互いに異なっている。さらに、ガス供給部から各ノズルまでのガスの滞在時間は異なっている。
【０００８】
さらに、ガス流を均一化するために、一様な複数の孔を備えた金属プレートを有するディフューザが使用される。このような形式のディフューザにおいては、ガス流に渦流、ガス流の一部の長い滞在時間、及び不都合な析出又は早期の気相反応が行われる。これと類似の考え方は、例えばアメリカ合衆国特許第５５９５６０６号明細書で提案されている。この公知の明細書では、入念に考えられて配置された複数の加熱装置を設ける試みがなされており、一様な温度調節が得られ、それによって流れを良好にコントロールすることができる。
【０００９】
本発明の課題は、従来技術に対して改良された流体分配ユニットを提案することである。
【００１０】
本発明の別の課題は、できるだけ簡単に構成される、別個の分配しようとする複数の流体のためにも適した流体分配装置を提供することである。
【００１１】
この課題は本発明によれば、複数の通路がそれぞれ分岐部内で左右対称に、後続の通路に分配されており、流体入口から流体出口のうちの１つに通じる各接続部が、同数の通路と同数の分岐部とを有しており、前記複数の通路と分岐部とが、流体出口の吐出方向に対して垂直な一平面内に位置しており、前記複数の通路が、分岐部内に直角に分岐していることによって解決された。
【００１２】
本発明の第２の課題は、前記形式で構成された、互いに上下に面状に層を成して配置された複数の流体分配ユニットを有する、２つ又はそれ以上の異なる流体を別個に分配するための流体分配装置において、前記流体分配ユニット内でそれぞれ１つの流体が分配され、この分配された流体又はその他の流体が、これらの流体から分離された流路によって分配されずにガイドされるようになっていることによって、解決された。
【００１３】
従属請求項には本発明の有利な実施例が記載されている。
【００１４】
この場合、流体は液体又はガス或いはガス混合物であってよい。本発明による流体分配ユニット若しくは流体分配装置は、１つ又はそれ以上のガス（キャリヤガス、反応ガスを有しているか又は有していない前駆物質ガス）を供給するだけではなく、その他の性質のガス、例えば反応室内にできるだけ均一に及び正確に及び／又は予測可能に供給されるべきガス又はガス混合物のためにも使用することができる。
【００１５】
本発明によれば、前記ＣＶＤ製膜装置において、特にガス出口におけるガス流の均一な吐出状態が保証される。この場合有利には、ガス出口におけるガス流の吐出流速度、吐出流方向及び温度は同じである。これは有利には、前駆物質ガス流のためにも、またキャリヤガス流のためにあてはまる。本発明による流体分配ユニットは、ＣＶＤ製膜装置のための供給装置として特に比較的安価に製造することができる。敏感な前駆物質を、エンドレス法で例えば高温超伝導体のために使用することが、不都合な析出が行われることなしに、保証される。
【００１６】
この場合、それぞれ後続の複数の通路内への各通路の同じ分岐部が、流体を種々異なる方向例えば左方向及び右方向にガイドする分岐部でもある。何故ならば、ハイドロダイナミックな流れ比は同じだからである。これは特に、流体流が互いに異なる２つの方向にさらにガイドされるＴ字形の分岐部であってよい。
【００１７】
本発明の基本的な考え方は、流体流を中間貯蔵することなしに、流体入口から流体出口の１つに流れる各部分流のためのできるだけ左右対称な流体通路の分岐部を提供し、それによって均一な状態を提供することである。本発明によればこれによって左右対称の分岐部が使用される。この左右対称の分岐部は、それぞれ同じ後続の通路若しくは下側通路に通じており、これの通路は相応に、所望の数の流体入口に通じる十分な分岐部が得られるまで、後続の通路内にやはり左右対称に分岐している。これによって得られる、通路から後続の通路への移行の圧力変化は、すべての分岐部において均一であるので、各通路若しくは後続の通路内での部分流の停滞時間は同様にそれぞれ同じである。
【００１８】
通路及び分岐部は、有利には一平面内に構成されているので、通路、分岐部及び後続の通路の平らな構造が形成され、この平らな構造によって、各部分流がメアンダ状（蛇行状）に延びることが保証される。それによって、通路、分岐部及び後続の通路は特に良好な熱伝導性を有する材料、例えばアルミニウム、銅、黄銅又は鋼より成るプレートに形成される。これによって金属プレートの相応の温度調節の際に、各通路、分岐部及びノズル内に均一な温度が保証される。
【００１９】
通路は例えば金属プレート内の溝として構成されており、これらの溝は、隣接するプレートによって流体入口及び流体出口まで覆われ、シールされる。これによって比較的安価に製造することができ、このために例えば各金属管をそれぞれ同じ位置で互いに溶接する必要はない。
【００２０】
別個にガイドし、また別個に分配しようとする流体のための流体分配装置においては、例えば前駆物質ガス（キャリヤガス及び反応ガスを有しているか又は有していない）が、それぞれ第１の流体の分配のためにそれぞれ１つの金属プレートが使用され、他の流体を分配するために別の金属プレートが使用される。これらの金属プレートにおいては、一方のプレートの少なくとも通路が他方のプレートによって覆われるようになっている。さらにまた例えば、プレートとして構成された第２の流体分配ユニットの通路が、後続の載設された温度調節装置によって覆われ、この温度調節装置内に温度調節のための温度調節通路が形成されている。
【００２１】
これによって、多くの異なる流体のための本発明による流体分配装置のコンパクトな構造が可能である。この流体分配装置は、例えば前駆物質ガスのみ又は前駆物質ガスとキャリヤガスとが反応ガスと共に使用されるＣＶＤ製膜装置のために使用される。
【００２２】
それぞれ２つの同じ形式の通路内への通路の分岐部を備えた構成において、有利には二乗を形成する数の流体出口、例えば８，１６，３２の流体出口を備えた流体分配ユニットの構造が得られる。
【００２３】
本発明の流体分配ユニットによれば、異なる流体供給率及びひいては流体吐出率が問題なく得られる。何故ならば、これによって、種々異なる供給率において不都合な流れ作用（例えば従来の収集容器において生じる）が生じることなしに、通路内若しくは後続の通路内への流体流の速度だけが相応に高められるからである。
【００２４】
流体流は常に通路及びそれぞれ後続の通路を通って流れるので、それ以上の分解及び析出は避けられる。
【００２５】
有利には、各通路に沿った圧力勾配はほぼ一定であるか、又は分岐部間の流れ抵抗がほぼ同じである。流体分配ユニットの部分領域内で相応に高い圧力降下を生ぜしめる原因となる、局所的に高い流れ抵抗は存在しない。このような形式で、流体分配ユニット内での流体の最短の滞在時間で均一な分配が得られる。
【００２６】
本発明による流体分配ユニット若しくは装置を複数の流体のために使用する場合には、有利には個別に交換可能なプレートを備えた最近の構造が保証される分配装置が得られる。
【００２７】
この場合、特に例えばＹＢａＣｕＯ-高温超伝導体のための敏感な前駆物質も使用される、エンドレス法でＣＶＤ製膜が保証される。
【００２８】
本発明の特に有利な実施例では、種々異なる流体の流体出口が選択的に並んで配置されていて、有利には一直線に沿って配置されている。これによって例えば製膜の際に、簡単な技術的に連続するプロセスでマルチ層が製造される。例えば２つの前駆物質ガスプレートで、２つの材料成分より成るマルチ層システムを連続的に製造することができる。
【００２９】
所定の場合には、流体を分配するために、有利には複数のプレートを適当に接続することによって、互いに後置接続された複数の流体分配ユニットを使用してもよい。
【００３０】
以下に添付の図面を用いて幾つかの実施例を具体的に説明する。
【００３１】
図１は、本発明の１実施例による流体分配装置を３つの部分エレメントに分解した平面図であって、
図１ａは、第１の流体のための本発明の第１の流体分配ユニット、
図１ｂは、第２の流体のための本発明の第２の流体分配ユニット、
図１ｃは、温度調節装置である。
【００３２】
図２は、図１の実施例の分解されていない、互いに上下に配置された状態の平面図、
図３は、図１及び図２の実施例の縦断面図、
図４は、２つの部分エレメントを有する、本発明による流体分配装置の別の実施例であって、
図４ａは、第１の流体のための本発明の別の第１の流体分配ユニット、
図４ｂは、第２の流体のための本発明の別の第２の流体分配ユニット、
図５は、本発明の別の実施例による流体分配ユニットの平面図、
図６は、図１及び図３の流体分配装置の断面図、
図７は、図１ｂの流体分配ユニットの、流体出口領域における、図平面に対して平行に断面した拡大断面図である。
【００３３】
本発明による流体分配装置は、図１によれば、第１の流体を分配するための第１の流体分配ユニット１０と、第２の流体を分配するための第２の流体分配ユニット２０と、冷却又は加熱媒体を供給するための温度調節装置３０とを有している。全部で３つの部分エレメントは、ほぼプレート状であって、図１ａ、図１ｂ及び図１ｃにそれぞれ個別に図示されている。この場合、実際の例として、及び実証された実施例として、ＣＶＤ製膜装置のための供給装置が選択されるが、これは使用の可能性を制限するものではない。しかしながら以下では、このような製膜装置における流体分配装置の使用目的について予め説明する。
【００３４】
ＣＶＤ製膜装置では、２つのガスが互いに別個に反応室若しくは製膜室内に供給される。２つのガスのうちの一方は、予備化合物（いわゆる前駆物質）と、比較的反応の遅い又は不活性の担体化合物とのガス混合物より成っている。他方のガスは反応ガスである。前駆物質と反応ガス（プロセスガス）とが互いにぶつかり合うと、反応して、前駆物質内で化合物が遊離し、次いでこの化合物が、基板の製膜のための直接利用される。これに対して残りのすべての反応生成物及びその他の構成部分は導出される。
【００３５】
この場合、前駆物質は、水素化合物（例えばシラン；Ｓｉｌａｎ）又は有機化合物、セラミック物質においては例えば高温超伝導体、バリウム−ストロンチウム−チタネート又はストロンチウム−ビスマス−タンタル酸塩である。前駆物質ガスは、ガス流内で、製膜しようとする加熱された基板上にガイドされる。例えば８００℃に加熱された基板にぶつかると、前駆物質の化学化合物が崩壊するので、所望の物質例えばシリコン又はイットリウム−バリウム銅が基板上に析出する。セラミック超伝導を製造するために、例えば適当な酸素部分圧力が製膜室内で形成され、それによって、所望の化学量論比を有する所望のペロフスカイト構造のイットリウム−バリリウム−酸化銅が形成される。適したガス流を生ぜしめるために、補足的に、ガス混合物内でキャリヤガス例えば洗浄ガスが連行される。このキャリヤガスは、（後の）反応パートナーとして例えば酸素を含有しているか、又は所望の製膜を形成するための化学反応に酸化しないガスだけを含有している。このガス混合物は第１の流体を成しており、この第１の流体は、本発明による流体分配ユニットのうちの１つによって分配される。
【００３６】
前述のように、１種類の流体だけを分配し、従って１つの流体分配ユニットだけが設けられる実施例が提供される。これは、前駆物質の所望の反応のために８００℃の熱い基板にぶつかるだけで十分である場合の実施例である。しかしながら多くの場合にその他の反応ガスを使用することができる。この別の反応ガスは、基板と直接所望の反応を行う前に前駆物質に接触してはならないので、別個に分配されるが、きるだけ均一に、前駆物質（ここでは第１の流体）に直接隣接して遊離されるようにしなければならない。この反応ガス又はプロセスガスは、ガス混合物であってもよいし、又は液体であってもよく、ここでは第２の流体となる。しかしながら非常に希な場合には第３の反応パートナーを使用してもよい。次いでこの第３の反応パートナーは第３の流体として同様に分配される（図示していない）。
【００３７】
図１ａに示した第１の流体分配ユニット１０は、金属例えばアルミニウム、銅、黄銅より製造されている。この第１の流体分配ユニット１０は、プレート状であって、上側１１と下側１２とを有している。流体分配ユニット１０の上側１１又は下側１２には、種々異なる通路１５及び分岐部１６が溝として構成されている。これらの溝は後作業で研削されるか、又は製造時に既に形成することができる。
【００３８】
次に、上側１１における図示の構造の形成について説明する。この上側１１は、別のプレート状の構造によって覆われ、流体供給部だけを空けて残すようにして、外部に対して閉鎖することができる。選択的に、通路と分岐部とを、プレート状の流体分配ユニット１０の下側１２に構成して、第２の流体分配ユニット２０によって覆ってもよい。
【００３９】
第１の通路１５ａは、流体分配ユニット１０の中央の長手方向位置において長手方向（縦方向）に延びている。流体供給（前記実施例においては前駆物質の供給）が第１の流体分配ユニット１０の上側１１から行われる場合には、第１の流体分配ユニット１０の始端部に、流体入口１３が例えば貫通孔として構成されている。
【００４０】
第１の通路１５ａは、図１ａでは、第１の分岐部１６ａ（Ｔ字形に構成されている）内で終わっていて、第２の通路１５ｂ内に直角に通じている。２つの第２の通路１５ｂは、それぞれ直角の曲線を描いてＴ字形の第２の分岐部１６ｂに向かって延びており、この第２の分岐部１６ｂは、それぞれ２つ合計で４つの第３の通路１５ｃに移行している。これらの第３の通路１５ｃは、それぞれ直角の曲線を描いてＴ字形で直角の第３の分岐部１６ｃを介して第４の通路１５ｄに通じており、これらの第４の通路１５ｄは、相応にそれぞれ直角の曲線を描いて、直角のＴ字形の第４の分岐部１６ｄを介して第５の通路１５ｅに通じている。第５の通路１５ｅは、短い区間を経てそれぞれ流体出口１４で終わっている。
【００４１】
この場合、流体出口１４は、有利には図１ａに示したように、第１の流体分配ユニット１０の縦軸線を形成している１直線上に位置している。図１ａに示されているように、２つの第１の通路１５ａは同じである。つまり、横軸線Ａ２を中心にして互いに鏡面対称的である。第３の通路１５ｃ及び第４の通路１５ｄも、互いに同じ例えば左右対称である。第５の通路１５ｅは同様に互いに同じであって、種々異なる方向に貫通しているだけである。これによって、有利には第１の流体分配ユニット１０の横軸線を中心にして鏡面対称的な左右対称の通路システムが形成されている。この通路システムにおいては、流体入口１３から流体出口１４のうちの１つへの各接続部が、同じ通路１５と、それぞれ後置された通路とを有しており、これらの通路はそれぞれ同一、つまり必要であれば互いに鏡面対称的である。各部分区分において設けられている分岐部１６も、同一つまり流れの変向方向が異なるだけである。この場合、図１ａに示した平面図では各分岐部１６において、Ｔ字形の分岐部１６で左に向かって分岐している部分流体流のためにも、また相応に右に向かって分岐している分岐部のためにも同じ流れ条件が保証される。この場合、それぞれの通路１５内の湾曲部の構成において、有利にはＴ字形の分岐部１６と湾曲部との間隔はそれぞれ十分に大きいので、十分に小さい通路横断面に基づいて、前方の湾曲部に基づく渦流が発生しない均一な流れが分岐部１６に達するようになっている。
【００４２】
流体入口１３から各流体出口１４への接続は、それぞれの接続部の一様な長さ並びに一様な幾何学形状を保証するために、実際の距離と比較して長い。しかしながら本発明によれば、各接続部において同じ条件を得るために、流体流の搬送経路を長くする必要がある。流体分配ユニット１０，２０が図１ａ、図１ｂに示したように金属プレート内で通路１５を備えて構成されていることによって、比較的長い経路のためにも、良好な温度調節及びひいては一様な温度調節が保証される。本発明に従って均一な通路システムが構成されることによって、この場合、相応の温度調節において不変の流体流が保証されるので、通路壁（従来技術の中間容器におけるのとは異なる）における堆積は十分に避けられる。
【００４３】
それによって互いに入れ子式に入り込むメアンダ状（蛇行状）の構造が得られる。このメアンダ状の構造において、４つの分岐部に基づいて、２^４つまり１６の流体入口１４に基づいて、第１の流体例えば前駆物質ガス又はガス混合物が一様に供給される。
【００４４】
図１ｂに示されているように、第２の流体分配ユニット２０内の通路は相応に構成されている。第２の流体分配ユニット２０内の流体入口２３への第２の流体（図示の実施例では反応ガス又はプロセスガス）の供給は、第１の流体分配ユニット１０内の流路１７を介して行われる。流体入口２４に通じる分岐部２６を備えた通路２５が設けられている。第１の通路２５ａは、図１ａに関連して前述した構成に相応して、２つの直角的な湾曲部を経て第１の分岐部２６ａに通じている。流体入口２４との各接続部は、やはり第２の通路２５ｂ、Ｔ字形の第２の分岐部２６ｂ、第３の通路２５ｃ、Ｔ字形の第３の分岐部２６ｃ、第４の通路２５ｄ、Ｔ字形の第４の分岐部２６ｄ、並びに第５の通路２５ｅを介して延びている。
【００４５】
流体入口２４及びひいては２種類の流体の集合の詳細及びそれに関する説明は、以下に図５に関連して記載されている。
【００４６】
図１ｃには、第２の流体分配ユニット２０の下における、上側３１及び下側３２を備えた同様にプレート状の温度調節装置３０が示されており、この温度調節装置３０には、温度調節媒体つまり冷却及び／又は加熱媒体例えばガス又は液体（例えば水又はオイル）のための温度調節通路３５が形成されている。有利には、２つの温度調節通路３５への温度調節媒体供給は左右対称に行われる。つまり図１ｃに示されているように、温度調節通路入口３３への外部の供給部を介して行われ、また温度調節媒体の吐出は、温度調節通路入口３３間に配置された内側の温度調節通路出口３４を介して行われるか、或いはその逆で行われる。
【００４７】
第２の流体分配ユニット２０の通路２５及び分岐部２６は、第１の流体分配ユニット１０の図示していない下側１２によって覆われる。また選択的にそれぞれ下側１２に複数の通路が構成されている場合には、第１の流体分配ユニット１０の通路は、第２の流体分配ユニット２０によって、及び第１の流体分配ユニット１０の通路は温度調節装置３０によって覆われ、この場合、温度調節装置３０の温度調節通路３５のための別のカバーが設けられている。
【００４８】
図２には、積層された種々異なる通路１５，２５，３５の互いの延在形状の透視図が示されている。図面には、種々異なる流体分配ユニット１０，２０のモジュール状の構造を著しく軽減する、十分に積層された構造が示されている。
【００４９】
流体分配ユニット１０及び２０のプレート及び温度調節装置３０は、図３に示されているようにねじによって結合される。これらのねじは、プレートに形成された整列された接続孔１８，２８，３８に差し込まれる。センタリングするために、センタリングピンがセンタリング孔１９，２９，３９内に挿入される。
【００５０】
温度調節装置３０の下側３２は、絶縁若しくは放射線反射のためのコーティング例えばシルバー層を備えている。
【００５１】
それによって、比較的簡単に構成することができる金属プレートを備えたモジュール構造が可能である。このモジュール構造において、各通路１５，２５，３５のシールは、別のモジュールユニットによって行われる。
【００５２】
図４に示した別の実施例においては、第１の流体分配ユニット１０（図４ａ）に、第１、第２及び第３の分岐部１５ａ，１５ｂ，１５ｃだけが構成されているので、第１の流体のために２^３つまり８つの流体入口１４が、流体入口１３に接続されている。
【００５３】
同様のことが、第２の流体分配ユニット２０（図４ｂ）のためにも当てはまる。ここでも、第１、第２及び第３の分岐部２５ａ，２５ｂ，２５ｃが構成されているので、第２の流体のために、２^３だけの、つまり８つの流体入口２４が流体入口２３に接続されている。
【００５４】
図４ａには、別の流体例えば別の前駆物質（上方から供給され下方に吐出される）のための別個の及び分配を行わない流路が示されている。図４ｂによればさらに、加工セクションの始端部又は終端部に別の流体出口２４ｚが設けられており、この流体出口２４ｚは、別個の通路２５ｚを介して別個の流体入口２３ｚに接続されている。これによって、第１の流体分配ユニット２０からの流路１４ｚに適した同軸的なガス供給が得られる。これらの付加的な部材１４ｚ、２３ｚ、２４ｚ及び２５ｚによって、ＣＶＤ装置内で、第２の層材料が、その下で連続的に移動する帯材上に析出される。
【００５５】
図４ｂに示した第２の流体分配ユニット２０の流体入口２４は、第２の流体から流れを形成するためのリング状の外側の領域２４ａを有しており、この外側の領域２４ａは内側の領域２４ｂを包囲していて、この内側の領域２４ｂを通って、第１の流体のための流路２７が延びている。
【００５６】
流路２７は、第２の流体分配ユニット２０を通ってガイドされていて、流体入口２４の内側の領域２４ｂ内に受容されている。この流路２７は第１の流体を吐出する。この第１の流体は、第１の流体分配ユニット１０から流体出口１４に吐出され、次いで第２の流体分配ユニット２０内で流路２７を通って直接ガイドされる。外側の領域２４ａは、第２の流体例えば反応ガスを吐出するために用いられる。この第２の流体はそれまで第１の流体例えば前駆物質ガス流と分離して別個にガイドされている。これによって、基板に向けられた２つの流体から成るガス流が形成される。２つの流体は、この運動において、所望の反応を行い、それに応じて正確に基板を包囲することができる。
【００５７】
図５には、第１、第２、第３及び第４の分岐部１６を備え、従って２^４つまり１６個の、一様に流体を供給する流体入口１４を備えた流体分配ユニット１０又は２０の可能な構成が示されている。
【００５８】
図６の拡大した区分によれば、図１ａの流体分配ユニット１０の流体入口１４も、また別の実施例の相応の流体入口１４も、その下端部で横断面拡大部１４ｑを有して構成されており、この横断面拡大部１４ｑないに流路２７の端部２７ａが嵌め込まれる。流路２７のシャフト２７ｂは、図６によれば流体入口２４を通って延在しているので、流体入口２４の外側の領域２４ａにだけ第２の流体が供給される。これによって、流体入口１４の流路２７を備えた内側の領域２４ｂを通って、（図６に矢印Ｐ１で示されているように）第１の流体が下方にガイドされ、これに対して第２の流体は矢印Ｐ２に従って第１の流体に対して同時的に外側でガイドされる。
【００５９】
図７には、流路２７がセンタリング突起２４ｑによって流体分配ユニットの下側２２で安定化されている可能な状態が示されている。
【００６０】
図示の実施例に対して選択的に、一平面に配置されたＹ字形の分岐部１６若しくは２６、又は一平面に配置されていない分岐部１６，２６を使用してもよい。この場合、例えば上側１１，２１から下側１２，２２へのそれぞれの流体流のガイドは、例えば後続の３つの通路１５，２５内で行われる。
【００６１】
このような形式で、各流体入口が、二乗と三乗との積を形成する（例えば２，３，４，６，８，９，１６，１８）流体入口の数に分配される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１ａは第１の流体のための本発明の第１の流体分配ユニット、図１ｂは第２の流体のための本発明の第２の流体分配ユニット、図１ｃは温度調節装置である。
【図２】 図１の実施例の分解されていない、互いに上下に配置された状態の平面図である。
【図３】 図１及び図２の実施例の縦断面図である。
【図４】 図４ａは第１の流体のための本発明の別の第１の流体分配ユニット、図４ｂは、第２の流体のための本発明の別の第２の流体分配ユニットである。
【図５】 本発明の別の実施例による流体分配ユニットの平面図である。
【図６】 図１及び図３の流体分配装置の断面図である。
【図７】 図１ｂの流体分配ユニットの、流体出口領域における、図平面に対して平行に断面した拡大断面図である。
【符号の説明】
１０ 第１の流体分配ユニット
１１ 第１の流体分配ユニットの上側
１２ 第１の流体分配ユニットの下側
１３ 第１の流体分配ユニットの流体入口
１４ 第１の流体分配ユニットの流体入口
１４ｑ 流体入口の横断面拡張部
１４ｚ 図４に示した実施例における別個の流体貫流部
１５ 第１の流体分配ユニット内の通路
１５ａ 第１の通路
１５ｂ 第２の通路
１５ｃ 第３の通路
１５ｄ 第４の通路
１５ｅ 第５の通路
１６ 第１の流体分配ユニット内の通路の分岐部
１６ａ 第１の分岐部
１６ｂ 第２の分岐部
１６ｃ 第３の分岐部
１６ｄ 第４の分岐部
１７ 第１の流体分配ユニット内の第２の流体のための流路
１８ 第１の流体分配ユニット内の接続孔
１９ 第１の流体分配ユニット内のセンタリング孔
２０ 第２の流体分配ユニット
２１ 第２の流体分配ユニットの上側
２２ 第２の流体分配ユニットの下側
２３ 第２の流体分配ユニットの流体入口
２３ｚ 図４ｂに示した実施例の付加的な流体入口
２４ 第２の流体ユニットの流体出口
２４ａ 流体出口の外側の領域
２４ｂ 流体入口の内側の領域
２４ｑ 図７に示したセンタリング突起
２４ｚ 図４ｂに示した実施例の付加的な流体出口
２５ 第２の流体分配ユニット内の通路
２５ａ 第１の通路
２５ｂ 第２の通路
２５ｃ 第３の通路
２５ｄ 第４の通路
２５ｅ 第５の通路
２５ｚ 図４ｂに示した実施例の付加的な通路
２６ 第２の流体分配ユニット内の通路の分岐部
２６ａ 第１の分岐部
２６ｂ 第２の分岐部
２６ｃ 第３の分岐部
２６ｄ 第４の分岐部
２７ 流路
２７ａ 流路の端部
２７ｂ 流路のシャフト
２８ 第２の流体分配ユニット内の接続孔
２９ 第２の流体分配ユニット内のセンタリング孔
３０ 温度調節装置
３１ 温度調節装置の上側
３２ 温度調節装置の下側
３３ 温度調節通路入口
３４ 温度調節通路出口
３５ 温度調節通路
３８ 温度調節装置内の接続孔
３９ 温度調節装置内のセンタリング孔
Ａ１ 流体分配ユニットの縦軸線
Ａ２ 流体分配ユニットの横軸線
Ｐ１ 第１の流体の運動方向を示す矢印
Ｐ２ 第２の流体の運動方向を示す矢印

Claims (15)

1. 流体流を複数の部分流に分配するための、互いに上下に面状の層を成して配置された複数の流体分配ユニット（１０，２０）であって、
   供給された流体流のための少なくとも１つの流体入口（１３，２３）と、
   部分流のための複数の流体出口（１４，２４）と、
   流体入口（１３；２３）を流体出口（１４，２４）に接続する、前記複数の流体分配ユニット（１０，２０）内に形成された複数の通路（１５，２５）とを有している形式のものにおいて、
   前記通路（１５，２５）がそれぞれ分岐部（１６，２６）内で左右対称に、少なくとも２つの後続の通路（１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ；２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ）に分岐しており、
   前記複数の通路（１５，２５）と前記複数の分岐部（１６，２６）と前記後続の複数の通路（１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ；２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ）とが、前記流体入口（１３，２３）と前記流体出口（１４，２４）との間の接続部を形成しており、
   流体入口（１３；２３）から流体出口（１４；２４）のうちの１つに通じる前記接続部が、それぞれ同数の通路（１５，２５）と同数の分岐部（１６，２６）とを有しており、
   前記複数の通路（１５，２５）と分岐部（１６，２６）とが、流体出口（１４，２４）の吐出方向に対して垂直な一平面内に位置している、
   ことを特徴とする、流体流を複数の部分流に分配するための流体分配ユニット。
2. 流体分配ユニット（１０，２０）が金属よりプレート状に構成されており、
   複数の通路（１５，２５）が、１つ又は複数の前記流体分配ユニット（１０，２０）内に形成されている、請求項１記載の流体分配ユニット。
3. 複数の通路（１５，２５）が、プレート状の流体分配ユニット（１０，２０）のうちの１つの上側（１１，２１）又は下側に溝として構成されていて、面状に隣接する別のプレート状の流体分配ユニット（２０，１０）によって、又はその他のプレート状の装置（３０）によって覆われている、請求項２記載の流体分配ユニット。
4. 複数の通路（１５，２５）が、分岐部（１６，２６）内にＴ字形に分岐している、請求項１から３までのいずれか１項記載の流体分配ユニット。
5. 複数の通路（１５，２５）が、直線的な延在部を有しているか、又は直角な湾曲部を有する直線的な延在部を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の流体分配ユニット。
6. 複数の流体出口（１４；２４）が１直線上に位置している、請求項１から５までのいずれか１項記載の流体分配ユニット。
7. 通路（１５，２５）に沿った圧力勾配が±２０％よりも小さく変化しているか、又は分岐部（１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ）間の通路（１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，２５ｅ）内の流れ抵抗が±２０％よりも小さく変化している、請求項１から６までのいずれか１項記載の流体分配ユニット。
8. 請求項１から７までのいずれか１項記載の、互いに上下に面状に層を成して配置された複数の流体分配ユニット（１０，２０）を有する、２つ又はそれ以上の異なる流体を別個に分配するための流体分配装置において、
   前記流体分配ユニット（１０，２０）内でそれぞれ１つの流体が分配され、この分配された流体又はその他の流体が、これらの流体から分離された流路（１７，２７）によって分配されずにガイドされるようになっていることを特徴とする、２つ又はそれ以上の異なる流体を別個に分配するための流体分配装置。
9. 第１の流体のための流体出口（１４）と、第２の流体又はその他の流体のための流体出口（２４）とが、互いに同心的に配置されている、請求項８記載の流体分配装置。
10. 単数又は複数の流体分配ユニット（１０，２０）の下側に冷却及び／又は加熱するための温度調節装置（３０）が設けられている、請求項８又は９記載の流体分配装置。
11. 温度調節装置（３０）がプレート状であって、温度調節装置（３０）の下側（３２）に、放射線反射のための層が設けられている、請求項１０記載の流体分配装置。
12. 流体分配ユニット（１０，２０）と温度調節装置（３０）とを整列させ、かつ垂直に延びる接続ねじを受容するための固定孔（１８；２８；３８）が設けられている、請求項１０又は１１記載の流体分配装置。
13. 種々異なる流体の流体出口（１４，２４）が選択的に相前後して位置している、請求項８から１２までのいずれか１項記載の流体分配装置。
14. 種々異なる流体の流体出口（１４，２４）が選択的に一直線に沿って位置している、請求項１３記載の流体分配装置。
15. 流体分配装置が、ＣＶＤ製膜装置のためのガスの供給装置として構成されており、少なくとも１つの前駆物質のための少なくとも１つの流体分配ユニット（１０）が設けられており、少なくとも１つの反応ガスのための少なくとも１つの流体分配ユニット（２０）が設けられている、請求項８から１４までのいずれか１項記載の流体分配装置。

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