JP2002273198A - 真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置 - Google Patents
真空排気装置のガス循環量調整方法及び装置Info
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Abstract
フローメータの作動圧以下(50kPa以下)でも該ガ
ス流量循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循環
流量を容易に調整できる真空排気装置のガス循環量調整
方法及び装置を提供すること。 【解決手段】 ガスを導入する真空チャンバー1と、真
空チャンバー1内を所望の圧力に減圧する第1真空ポン
プ5と、該第1真空ポンプ5の背圧を許容背圧以下に排
気する第2真空ポンプ7と、第1真空ポンプ5から排気
されたガスの一部を再び真空チャンバー1内に戻すガス
循環ライン8とを備えた真空排気装置のガス循環量調整
方法において、ガス循環ライン8を通り真空チャンバー
1に戻るガス循環流量をQ2、真空チャンバー内圧力を
Pc、ガス循環ライン上流部の圧力をPd、該ガス循環
ラインのコンダクタンスをCとしたとき下式の関係を用
い、第2真空ポンプ7の実効排気速度を変化させること
により、ガス循環ライン部の差圧Pd−Pcを調整し、
ガス循環流量Q2を調整する。 Q2=C×(Pd−Pc)
Description
の真空チャンバー内にプロセスガスを導入し、排気する
真空排気装置において、真空チャンバーから排気しガス
循環ラインを通して真空チャンバーに戻すガスの循環流
量を調整するガス循環量調整方法及び装置に関するもの
である。
製造装置は、真空チャンバー内にガスを導入し、真空ポ
ンプにより該真空チャンバー内圧力を所望の圧力に減圧
し排気している。今後、半導体ウエハの大口径化に伴い
多量のガスを使用する傾向にあるが、導入されるガス
は、その一部が反応に寄与しているだけであり、残りの
大部分は未反応のまま排出されている。そこで、真空チ
ャンバーから排出されるガスの一部を再び真空チャンバ
ーに戻して、未反応ガスの利用効率を高めることを目的
としたガス循環プロセスが実施されている。このガス循
環プロセスの循環するガス流量(循環率)を調整するに
は、マスフローコントローラ等を用いガス循環ラインを
通るガス流量を直接測定しながら調整している。
循環ガス流量を直接測定しながらガス循環量を調整する
真空排気装置の構成例を示す図である。1はガスを導入
する真空チャンバー、2はシャワーヘッド、3はアダプ
ティブプレッシャーコントロールバルブ、4は第1真空
ポンプ吸気側ゲートバルブ、5は第1真空ポンプ、6は
第2真空ポンプ吸気側ゲートバルブ、7は第2真空ポン
プ、8はガス循環ライン、9はガス循環ラインゲートバ
ルブ(開閉弁)、10はマスフローコントローラ、11
は真空チャンバー1内の圧力を検出する第1圧力セン
サ、12はガス循環ライン8の上流部の圧力を検出する
第2圧力センサである。
ャンバー1内にシャワーヘッド2を通して流量Q1のガ
スG1を導入し、第1真空ポンプ5でこの導入ガスを排
気し、真空チャンバー1内を所望の圧力に減圧する。第
1真空ポンプの背圧を第2真空ポンプ7で許容背圧以下
に排気し、第1真空ポンプ5から排気されたガスの一部
G2をガス循環ライン8を通して再び真空チャンバー1
内に戻す。真空チャンバー1内に戻されるガス循環流量
Q2の調整はガス循環ライン8に設けられたマスフロー
コントローラで測定し、第1真空ポンプ5及び第2真空
ポンプ7の実効排気速度等を調整して行っている。
い循環するガスG2の流量を直接測定する方法では、マ
スフローコントローラの動作差圧が約50kPa以上必
要であるが、適用される真空排気装置によっては、ガス
循環ライン8部の差圧が50kPa以下であり、ガス循
環流量の調整にマスフローコントローラを使用すること
ができない場合がある。
みてなされたもので、構成が簡単でガス循環ライン部の
差圧がマスフローコントローラの作動圧以下(50kP
a以下)でも該ガス流量循環ラインを通り真空チャンバ
ーに戻るガス循環流量を容易に調整できる真空排気装置
のガス循環量調整方法及び装置を提供することを目的と
する。
請求項1に記載の発明は、ガスを導入する真空チャンバ
ーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所
望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポン
プの背圧を許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、
第1真空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チ
ャンバー内に戻すガス循環ラインとを備えた真空排気装
置のガス循環量調整方法において、ガス循環ラインを通
り真空チャンバーに戻るガス循環流量をQ2、真空チャ
ンバー内圧力をPc、ガス循環ライン上流部の圧力をP
d、該ガス循環ラインのコンダクタンスをCとしたとき
下式の関係を用い、第2真空ポンプの実効排気速度を変
化させることにより、ガス循環ライン部の差圧Pd−P
cを調整し、ガス循環流量Q2を調整することを特徴と
する。 Q2=C×(Pd−Pc)
構成を採用することにより、第2真空ポンプの実効排気
速度を調整してガス循環ライン部の差圧Pd−Pcを調
整するのみで、ガス循環流量Q2を調整することができ
る。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一部
を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインとを備え
た真空排気装置のガス循環量調整方法において、ガス循
環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循環流量をQ
2、第2真空ポンプの上流側若しくは該第2真空ポンプ
の内部に導入する真空チャンバーに導入されたガス成分
の少なくとも一種であるパージガス流量をQ3、真空チ
ャンバー内圧力をPc、ガス循環ライン上流部の圧力を
Pd、該ガス循環ラインのコンダクタンスをCとしたと
き下式の関係を用い、パージガス流量Q3を変化させる
ことにより、ガス循環流量Q2を調整することを特徴と
する。 Q2=C×(Pd−Pc)
構成を採用することにより、第2真空ポンプの上流側若
しくは該第2真空ポンプの内部に導入するパージガス流
量Q 3により調整してガス循環ライン部の差圧Pd−P
cを調整するのみで、ガス循環流量Q2を調整すること
ができる。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一部
を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインとを備え
た真空排気装置のガス循環量調整方法において、下記
乃至の調整手順によりガス循環ラインを通り真空チャ
ンバーに戻るガス循環流量Q2を調整することを特徴と
する。 非循環状態にて真空チャンバー内に任意の流量Qtの
ガスを導入し、該真空チャンバー内圧力Pcを所望の圧
力P1にするために、第1真空ポンプの実効排気速度を
調整し固定する。 真空チャンバーに導入するガス流量を任意のガス循環
率A{A=(Q2/Qt×100)}%に相当するQ1=
Qt×(100−A)/100に変更すると共に、第1
真空ポンプの実効排気速度は手順の時と同じ状態に固
定する。 ガス循環ラインを開き、ガス循環状態にて、真空チャ
ンバー内圧力Pcが手順にて得られた圧力P1になる
ように第2真空ポンプの実効排気速度を調整する。
構成を採用することにより、総ガス流量Qtのガス導
入、第1真空ポンプの実効排気速度の調整、導入ガスの
調整、第2真空ポンプの実効排気速度の調整のみで、ガ
ス循環流量Q2を調整することができる。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、前記第1真空ポンプから排気されたガスの
一部を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインとを
備えた真空排気装置のガス循環量調整方法において、下
記乃至の調整手順により前記ガス循環ラインを通り
真空チャンバーに戻るガス循環流量Q2を調整すること
を特徴とする真空排気装置のガス循環量調整方法。 非循環状態にて、前記真空チャンバー内に任意の流量
Qtのガスを導入し、該真空チャンバー内圧力Pcを所
望の圧力P1にするために、前記第1真空ポンプの実効
排気速度を調整し固定する。 真空チャンバーに導入するガス流量を任意のガス循環
率A{A=(Q2/Qt×100)}%に相当するQ1=
Qt×(100−A)/100に変更すると共に、第1
真空ポンプの実効排気速度は手順の時と同じ状態で固
定する。 ガス循環ラインを開き、ガス循環状態にて、真空チャ
ンバー内圧力Pcが手順にて得られた圧力P1になる
ように第2真空ポンプの上流側若しくは該第2真空ポン
プの内部に導入する真空チャンバーに導入されたガス成
分の少なくとも一種であるパージガス流量をQ3を調整
する。
構成を採用することにより、総ガス流量Qtのガス導
入、第1真空ポンプの実効排気速度の調整、パージガス
流量Q 3の調整のみで、ガス循環流量Q2を調整すること
ができる。
記載の真空排気装置のガス循環量調整方法において、第
2真空ポンプの実効排気速度を該第2真空ポンプ上流側
に設けたコンダクタンス調整手段により調整することを
特徴とする。
に記載の真空排気装置のガス循環量調整方法において、
第2真空ポンプの実効排気速度を該第2真空ポンプの回
転数を変化させることにより調整することを特徴とす
る。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一部
を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインと、真空
チャンバー内圧力を検出する第1圧力センサと、ガス循
環ライン上流部の圧力を検出する第2圧力センサとを備
えた真空排気装置のガス循環量調整装置において、ガス
循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循環流量を
Q2、第1圧力センサの検出圧力をPc、第2圧力セン
サの検出圧力をPd、ガス循環ラインのコンダクタンス
をCとしたとき下式の関係を用い、第2真空ポンプの実
効排気速度を変化させ、ガス循環ラインの差圧Pd−P
cを調整してガス循環流量Q2を調整するガス循環流量
調整手段を設けたことを特徴とする。 Q2=C×(Pd−Pc)
構成を採用することにより、ガス循環流量調整手段は、
第2真空ポンプの実効排気速度を調整して第1圧力セン
サ及び第2圧力センサで検出するガス循環ライン部の差
圧Pd−Pcを調整するのみで、ガス循環流量Q2を調
整することができる。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一部
を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインと、真空
チャンバー内圧力を検出する第1圧力センサと、ガス循
環ライン上流部の圧力を検出する第2圧力センサとを備
えた真空排気装置のガス循環量調整装置において、ガス
循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循環流量を
Q2、第2真空ポンプの上流側若しくは該第2真空ポン
プの内部に導入する真空チャンバーに導入されたガス成
分の少なくとも一種であるパージガス流量をQ3、真空
チャンバー内圧力をPc、ガス循環ライン上流部の圧力
をPd、該ガス循環ラインのコンダクタンスをCとした
とき下式の関係を用い、パージガス流量Q3を変化させ
ることにより、ガス循環流量Q2を調整するガス循環量
調整手段を設けたことを特徴とする。 Q2=C×(Pd−Pc)
構成を採用することにより、ガス循環流量調整手段は、
パージガス流量Q3を変化させ第1圧力センサ及び第2
圧力センサで検出するガス循環ライン部の差圧Pd−P
cを調整するのみで、ガス循環流量Q2を調整すること
ができる。
真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チャ
ンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、該
第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2真
空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一部
を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインと、真空
チャンバー内圧力を検出する第1圧力センサと、ガス循
環ライン上流部の圧力を検出する第2圧力センサと、該
ガス循環ラインを開閉する開閉弁を備えた真空排気装置
のガス循環量調整装置において、開閉弁を閉じ前記真空
チャンバー内に任意の流量Qtのガスを導入し、第1圧
力センサの検出圧力を所望の圧力P1にするために、第
1真空ポンプの実効排気速度Vを調整してV1に固定
し、真空チャンバーに導入するガス流量を任意の循環率
A{A=(Q2/Qt×100)}%に相当するQ1=Q
t×(100−A)/100に変更すると共に、第1真
空ポンプの実効排気速度Vは前記V1に固定し、開閉弁
を開き、第1圧力センサの検出圧力Pcが圧力P1にな
るように第2真空ポンプの実効排気速度を調整する操作
を行い、ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガ
ス循環流量Q2を調整するガス循環流量調整手段を設け
たことを特徴とする。
構成を採用することにより、ガス循環流量調整手段は、
開閉弁の開閉操作、第1圧力センサの検出圧力の監視、
真空チャンバーに導入するガス流量を調整、第1真空ポ
ンプ及び第2真空ポンプの実効排気速度を調整するのみ
で、ガス循環流量Q2を調整することができる。
る真空チャンバーと、該導入ガスを排気し且つ該真空チ
ャンバー内を所望の圧力に減圧する第1真空ポンプと、
該第1真空ポンプの背圧を許容背圧以下に排気する第2
真空ポンプと、第1真空ポンプから排気されたガスの一
部を再び真空チャンバー内に戻すガス循環ラインと、真
空チャンバー内圧力を検出する第1圧力センサと、ガス
循環ライン上流部の圧力を検出する第2圧力センサと、
該ガス循環ラインを開閉する開閉弁を備えた真空排気装
置のガス循環量調整装置において、開閉弁を閉じ真空チ
ャンバー内に任意の流量Qtのガスを導入し、第1圧力
センサの検出圧力を所望の圧力P1にするために、第1
真空ポンプの実効排気速度Vを調整してV1に固定し、
真空チャンバーに導入するガス流量を任意の循環率A
{A=(Q2/Qt×100)}%に相当するQ1=Qt
×(100−A)/100に変更すると共に、第1真空
ポンプの実効排気速度Vは前記V1に固定し、開閉弁を
開き、第1圧力センサの検出圧力Pcが圧力P1になる
ように第2真空ポンプの上流側若しくは該第2真空ポン
プの内部に導入する真空チャンバーに導入されたガス成
分の少なくとも一種であるパージガス流量Q3を調整
し、ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循
環流量Q2を調整するガス循環流量調整手段を設けたこ
とを特徴とする。
構成を採用することにより、ガス循環流量調整手段は、
開閉弁の開閉操作、第1圧力センサの検出圧力の監視、
真空チャンバーに導入するガス流量を調整、第1真空ポ
ンプ及びパージガス流量Q3を調整するのみで、ガス循
環流量Q2を調整することができる。
10のいずれか1項に記載の真空排気装置のガス循環量
調整装置において、ガス循環流量調整手段は前記ガス循
環流量調整のための操作を自動的に行う機能を具備する
ことを特徴とする。
に基いて説明する。図2は本発明に係るガス循環量調整
装置を具備する真空排気装置の構成を示す図である。図
2において、図1と同一符号を付した部分は同一又は相
当部分を示すのでその説明は省略する。13は第2真空
ポンプの上流側に設けたコンダクタンス調整手段であ
り、14はシャワーヘッド2に導入されるガスの流量を
調整するマスフローコントローラである。
ンバー1に戻る循環ガス流量を調整するガス循環流量調
整手段である。該ガス循環流量調整手段20には第1圧
力センサ11及び第2圧力センサ12の出力信号が入力
されるようになっている。また、ガス循環流量調整手段
20は、マスフローコントローラ14、ガス循環ライン
ゲートバルブ9、アダプティブプレッシャーコントロー
ルバルブ3、第1真空ポンプ吸気側ゲートバルブ4、第
1真空ポンプ5、コンダクタンス調整手段13、第2真
空ポンプ吸気側ゲートバルブ6及び第2真空ポンプ7を
それぞれドライバー21〜28を介して駆動制御するよ
うになっている。
ガス循環ライン8を通り真空チャンバー1に戻るガス循
環流量をQ2、第1圧力センサ11で検出する真空チャ
ンバー内圧力をPc、第2圧力センサ12で検出するガ
ス循環ライン8の上流部の圧力をPd、ガス循環ライン
8のコンダクタンスをCとすると、ガス循環流量Q2と
ガス循環ライン8部の差圧Pd−Pcとの間には下式
(1)が成立する。
1の検出圧力Pc及び第2圧力センサ12の検出圧力P
dを監視しながら、第2真空ポンプ7の実効排気速度を
変化させ、差圧Pd−Pcを調整することにより、ガス
循環流量Q2を調整することができる。
を、具体的条件例により説明する。 [条件例] ガス総流量Qt:1000sccm Qt=Q1+Q2
(Q1:真空チャンバー1内に外部から導入するガス流
量) ガス循環率:80%(導入ガス流量Q1:200scc
m、ガス循環流量Q2:800sccm) 真空チャンバー1内のプロセス圧力Pc:10mTor
r 上記条件で下記の調整手順でガス循環流量Q2を調整す
る。
ンプ吸気側ゲートバルブ6を開き、ガス循環ラインゲー
トバルブ9を閉じる(非循環状態)。 シャワーヘッド2にマスフローコントローラ14を介
して流量Q=Q1=Qt=1000sccmのガスG1を
外部から導入する。 第1圧力センサ11の検出圧力値PcがPc=10m
Torrになるようにアダプティブプレッシャーコント
ロールバルブ3の開度を調整し固定する(第1真空ポン
プ5の実効排気速度VをV1に固定)。
シャワーヘッド2に外部から導入するガス流量QをQ=
Q1=200sccmに変更する。ここでQ1=200s
ccmは上記ガス循環率80%から下式により求められ
る。 200sccm=1000×(100−80)/100
sccm ガス循環ラインゲートバルブ9を開く(ガス循環開
始)。 第1圧力センサ11の検出圧力値PcがPc=10m
Torrになるように第2真空ポンプ7の実効排気速度
を調整する。 この時、第2圧力センサ12でガス循環ライン8の上
流側の検出圧力値Pd=P2を取得する。 アダプティブプレッシャーコントロールバルブ3の開
度固定を解除し、第1圧力センサ11の検出圧力値Pc
がPc=10mTorrになるように自動調圧を開始す
る。
するガス流量Q1=200sccm、ガス循環量Q2=8
00sccmとなっており、ガス循環率80%が達成さ
れている。ここで得られたガス循環ライン8の上流側検
出圧力P2と、真空チャンバー1内の検出圧力値Pc=
P1と、ガス循環流量Q2は、ガス循環ライン8のコンダ
クタンスCにより式(1)の関係で表される。ここで、
上記ガス循環率80%の状態を一旦解除(変更)して
も、以下の再現手順で、上記ガス循環率80%(Q2=
800sccm)を再現することができる。
プ吸気側ゲートバルブ6及びガス循環ラインゲートバル
ブ9を開く。 マスフローコントローラ14を介してシャワーヘッド
2に外部から導入されるガスG1の流量Q1をQ1=20
0sccmとする。 第2圧力センサ12でガス循環ライン8の上流側の検
出圧力値Pdを上記調整手順ので取得したPd=P2
になるように第2真空ポンプ7の実効排気速度を調整す
る。 アダプティブプレッシャーコントロールバルブ3を制
御して第1圧力センサ11の検出圧力PcがPc=10
mTorrになるようにする。
が、この順序で行ってもよく、〜を同時に行って
も、もちろん構わない。順序は対象となる真空排気装置
にとって最も短時間で再現が得られる手順で行うのが望
ましいことは言うまでもない。
真空ポンプ7の上流側に設けたコンダクタンス調整手段
13で調整することができ(請求項5のガス循環量調整
方法)、また第2真空ポンプ7の回転数を変化させるこ
とによっても調整できる(請求項6のガス循環量調整方
法)。
具備する真空排気装置の構成を示す図である。ここで
は、第1真空ポンプ5とコンダクタンス調整手段13の
間にマスフローコントローラ15を介してパージガスG
3を供給できるように構成し、該パージガスG3の供給量
を調整することによりガス循環流量Q2を調整するもの
である(請求項2のガス循環量調整方法)。パージガス
G3のガス流量Q3はガス循環流量調整手段20によりド
ライバ29を介して行われる。
効排気速度を低下させ、その結果、ガス循環ライン8の
上流側の圧力Pd(第2圧力センサの検出圧力)を上昇
させることにより、ガス循環流量Q2を調整するように
している。よって、第2真空ポンプ7の排気速度は、余
裕のあるものを選定しておく必要がある。また、例えば
ガス循環ライン8に任意の機器が設置されたとしても、
それはガス循環ライン8のコンダクタンスとして含まれ
るだけであり、本発明のガス循環流量調整方法になんら
影響を与えるものではない。パージガス流入口は、第2
真空ポンプ7の上流部又は第2真空ポンプ7の内部に設
ける。ここでパージガスG3には、真空チャンバー1に
導入されるガス成分の少なくとも一種のガスを用いる。
法をガス循環流量調整手段20で自動的に行う例を示し
たが、このガス循環流量調整方法は上記調整手順に基づ
き手動で行ってもよい。
た例を図4に示す。ここで、装置構成は、真空チャンバ
ー1の容積:4L、第1真空ポンプ5の排気速度:13
00L/sec、第2真空ポンプ7の排気速度:300
0L/min、フォアライン長:5m、フォアライン内
径:φ40mm、ガス循環ライン長:1.5m、ガス循
環ライン内径:φ10mmであり、排気条件は、ガス
種:空気、真空チャンバー1の内圧Pc:50mTor
rとしている。
cm、500sccm、750sccmと変化させ、そ
の時ガス循環ラインゲートバルブ9を閉じた場合(循環
なし)と開いた場合(循環率80%)とした場合のガス
循環ライン上流側圧力Pd(第2圧力センサ12の検出
圧力)の変化を示す。図示するように、循環なしの場合
はPdが0.26Torr、0.36Torr、0.4
5Torrと変化するのに対して、循環あり(循環率8
0%)の場合はPdが2.5Torr、3.8Tor
r、4.7Torrと変化する。
明によれば下記のような優れた効果がえられる。
2真空ポンプの実効排気速度を調整してガス循環ライン
部の差圧Pd−Pcを調整又は第2真空ポンプの上流側
若しくは第2真空ポンプの内部に導入するパージガス流
量を調整するのみで、ガス循環流量Q2を調整すること
ができるから、排出されたガスの一部を再び真空チャン
バーに戻して、未反応のガスの利用率を高める循環プロ
セスにおいて、ガス循環ラインの差圧の大きさに関係な
く、任意のガス循環流量(循環率)の調整を行うことが
できるガス循環量調整方法を提供できる。
ガス循環流量調整手段は、第2真空ポンプの実効排気速
度を調整して第1圧力センサ及び第2圧力センサで検出
するガス循環ライン部の差圧Pd−Pcを調整するのみ
で、ガス循環流量Q2を調整することができるから、排
出されたガスの一部を再び真空チャンバーに戻して、未
反応のガスの利用率を高める循環プロセスにおいて、ガ
ス循環ラインの差圧に関係なく、任意のガス循環流量
(循環率)の調整を行うことができるガス循環量調整装
置を提供できる。
装置の構成例を示す図である。
空排気装置の構成例を示す図である。
空排気装置の構成例を示す図である。
を調整した例を示す図である。
ルブ 4 第1真空ポンプ吸気側ゲートバルブ 5 第1真空ポンプ 6 第2真空ポンプ吸気側ゲートバルブ 7 第2真空ポンプ 8 ガス循環ライン 9 ガス循環ラインゲートバルブ 10 マスフローコントローラ 11 第1圧力センサ 12 第2圧力センサ 13 コンダクタンス調整手段 14 マスフローコントローラ 15 マスフローコントローラ 20 ガス循環流量調整手段 21〜29 ドライバー
Claims (11)
- 【請求項1】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインとを備えた真空排気装置のガ
ス循環量調整方法において、 前記ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循
環流量をQ2、前記真空チャンバー内圧力をPc、前記
ガス循環ライン上流部の圧力をPd、該ガス循環ライン
のコンダクタンスをCとしたとき下式の関係を用い、前
記第2真空ポンプの実効排気速度を変化させることによ
り、前記ガス循環ライン部の差圧Pd−Pcを調整し、
前記ガス循環流量Q2を調整することを特徴とする真空
排気装置のガス循環量調整方法。 Q2=C×(Pd−Pc) - 【請求項2】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインとを備えた真空排気装置のガ
ス循環量調整方法において、 前記ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循
環流量をQ2、前記第2真空ポンプの上流側若しくは該
第2真空ポンプの内部に導入する前記真空チャンバーに
導入されたガス成分の少なくとも一種であるパージガス
流量をQ3、前記真空チャンバー内圧力をPc、前記ガ
ス循環ライン上流部の圧力をPd、該ガス循環ラインの
コンダクタンスをCとしたとき下式の関係を用い、前記
パージガス流量Q3を変化させることにより、前記ガス
循環流量Q2を調整することを特徴とする真空排気装置
のガス循環量調整方法。 Q2=C×(Pd−Pc) - 【請求項3】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインとを備えた真空排気装置のガ
ス循環量調整方法において、 下記乃至の調整手順により前記ガス循環ラインを通
り真空チャンバーに戻るガス循環流量Q2を調整するこ
とを特徴とする真空排気装置のガス循環量調整方法。 非循環状態にて、前記真空チャンバー内に任意の流量
Qtのガスを導入し、該真空チャンバー内圧力Pcを所
望の圧力P1にするために、前記第1真空ポンプの実効
排気速度を調整し固定する。 前記真空チャンバーに導入するガス流量を任意のガス
循環率A{A=(Q2/Qt×100)}%に相当する
Q1=Qt×(100−A)/100に変更すると共
に、前記第1真空ポンプの実効排気速度は手順の時と
同じ状態で固定する。 前記ガス循環ラインを開き、ガス循環状態にて、前記
真空チャンバー内圧力Pcが手順にて得られた圧力P
1になるように第2真空ポンプの実効排気速度を調整す
る。 - 【請求項4】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインとを備えた真空排気装置のガ
ス循環量調整方法において、 下記乃至の調整手順により前記ガス循環ラインを通
り真空チャンバーに戻るガス循環流量Q2を調整するこ
とを特徴とする真空排気装置のガス循環量調整方法。 非循環状態にて、前記真空チャンバー内に任意の流量
Qtのガスを導入し、該真空チャンバー内圧力Pcを所
望の圧力P1にするために、前記第1真空ポンプの実効
排気速度を調整し固定する。 前記真空チャンバーに導入するガス流量を任意のガス
循環率A{A=(Q2/Qt×100)}%に相当する
Q1=Qt×(100−A)/100に変更すると共
に、前記第1真空ポンプの実効排気速度は手順の時と
同じ状態で固定する。 前記ガス循環ラインを開き、ガス循環状態にて、前記
真空チャンバー内圧力Pcが手順にて得られた圧力P
1になるように前記第2真空ポンプの上流側若しくは該
第2真空ポンプの内部に導入する前記真空チャンバーに
導入されたガス成分の少なくとも一種であるパージガス
流量Q3を調整する。 - 【請求項5】 請求項1又は3記載の真空排気装置のガ
ス循環量調整方法において、 前記第2真空ポンプの実効排気速度を該第2真空ポンプ
上流側に設けたコンダクタンス調整手段により調整する
ことを特徴とする真空排気装置のガス循環量調整方法。 - 【請求項6】 請求項1又は3に記載の真空排気装置の
ガス循環量調整方法において、 前記第2真空ポンプの実効排気速度を該第2真空ポンプ
の回転数を変化させることにより調整することを特徴と
する真空排気装置のガス循環量調整方法。 - 【請求項7】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインと、前記真空チャンバー内圧
力を検出する第1圧力センサと、前記ガス循環ライン上
流部の圧力を検出する第2圧力センサとを備えた真空排
気装置のガス循環量調整装置において、 前記ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循
環流量をQ2、前記第1圧力センサの検出圧力をPc、
前記第2圧力センサの検出圧力をPd、前記ガス循環ラ
インのコンダクタンスをCとしたとき下式の関係を用
い、前記第2真空ポンプの実効排気速度を変化させ、前
記ガス循環ラインの差圧Pd−Pcを調整して前記ガス
循環流量Q2を調整するガス循環流量調整手段を設けた
ことを特徴とする真空排気装置のガス循環量調整装置。 Q2=C×(Pd−Pc) - 【請求項8】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインと、前記真空チャンバー内圧
力を検出する第1圧力センサと、前記ガス循環ライン上
流部の圧力を検出する第2圧力センサとを備えた真空排
気装置のガス循環量調整装置において、 前記ガス循環ラインを通り真空チャンバーに戻るガス循
環流量をQ2、前記第2真空ポンプの上流側若しくは該
第2真空ポンプの内部に導入する前記真空チャンバーに
導入されたガス成分の少なくとも一種であるパージガス
流量をQ3、前記真空チャンバー内圧力をPc、前記ガ
ス循環ライン上流部の圧力をPd、該ガス循環ラインの
コンダクタンスをCとしたとき下式の関係を用い、パー
ジガス流量Q3を変化させることにより、前記ガス循環
流量Q2を調整するガス循環量調整手段を設けたことを
特徴とする真空排気装置のガス循環量調整装置。 Q2=C×(Pd−Pc) - 【請求項9】 ガスを導入する真空チャンバーと、該導
入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力に
減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧を
許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1真
空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャンバ
ー内に戻すガス循環ラインと、前記真空チャンバー内圧
力を検出する第1圧力センサと、前記ガス循環ライン上
流部の圧力を検出する第2圧力センサと、該ガス循環ラ
インを開閉する開閉弁を備えた真空排気装置のガス循環
量調整装置において、 前記開閉弁を閉じ前記真空チャンバー内に任意の流量Q
tのガスを導入し、前記第1圧力センサの検出圧力を所
望の圧力P1にするために、前記第1真空ポンプの実効
排気速度Vを調整してV1に固定し、前記真空チャンバ
ーに導入するガス流量を任意の循環率A{A=(Q2/
Qt×100)}%に相当するQ1=Qt×(100−
A)/100に変更すると共に、前記第1真空ポンプの
実効排気速度Vは前記V1に固定し、前記開閉弁を開
き、前記第1圧力センサの検出圧力Pcが前記圧力P1
になるように前記第2真空ポンプの実効排気速度を調整
する操作を行い、前記ガス循環ラインを通り真空チャン
バーに戻るガス循環流量Q2を調整するガス循環流量調
整手段を設けたことを特徴とする真空排気装置のガス循
環量調整装置。 - 【請求項10】 ガスを導入する真空チャンバーと、該
導入ガスを排気し且つ該真空チャンバー内を所望の圧力
に減圧する第1真空ポンプと、該第1真空ポンプの背圧
を許容背圧以下に排気する第2真空ポンプと、前記第1
真空ポンプから排気されたガスの一部を再び真空チャン
バー内に戻すガス循環ラインと、前記真空チャンバー内
圧力を検出する第1圧力センサと、前記ガス循環ライン
上流部の圧力を検出する第2圧力センサと、該ガス循環
ラインを開閉する開閉弁を備えた真空排気装置のガス循
環量調整装置において、 前記開閉弁を閉じ前記真空チャンバー内に任意の流量Q
tのガスを導入し、前記第1圧力センサの検出圧力を所
望の圧力P1にするために、前記第1真空ポンプの実効
排気速度Vを調整してV1に固定し、前記真空チャンバ
ーに導入するガス流量を任意の循環率A{A=(Q2/
Qt×100)}%に相当するQ1=Qt×(100−
A)/100に変更すると共に、前記第1真空ポンプの
実効排気速度Vは前記V1に固定し、前記開閉弁を開
き、前記第1圧力センサの検出圧力Pcが前記圧力P1
になるように前記第2真空ポンプの上流側若しくは該第
2真空ポンプの内部に導入する前記真空チャンバーに導
入されたガス成分の少なくとも一種であるパージガス流
量Q3を調整し、前記ガス循環ラインを通り真空チャン
バーに戻るガス循環流量Q2を調整するガス循環流量調
整手段を設けたことを特徴とする真空排気装置のガス循
環量調整装置。 - 【請求項11】 請求項7乃至10のいずれか1項に記
載の真空排気装置のガス循環量調整装置において、 前記ガス循環流量調整手段は前記ガス循環流量調整のた
めの操作を自動的に行う機能を具備することを特徴とす
る真空排気装置のガス循環量調整装置。
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US10/101,923 US6782907B2 (en) | 2001-03-22 | 2002-03-21 | Gas recirculation flow control method and apparatus for use in vacuum system |
KR1020020015671A KR100877362B1 (ko) | 2001-03-22 | 2002-03-22 | 진공시스템용 가스재순환흐름 제어방법 및 장치 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012106877A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Hitachi Zosen Corp | 反応室のガス排出装置 |
JP2017510716A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・(ジャーマニー)・アクチエンゲゼルシャフト | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3682207B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2005-08-10 | 株式会社東芝 | プラズマ処理方法 |
US6938638B2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas circulating-processing apparatus |
WO2002079080A1 (fr) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Dispositif et procede de production d'une structure a base de silicium |
GB0214273D0 (en) * | 2002-06-20 | 2002-07-31 | Boc Group Plc | Apparatus for controlling the pressure in a process chamber and method of operating same |
FR2854667B1 (fr) * | 2003-05-09 | 2006-07-28 | Cit Alcatel | Controle de pression dans la chambre de procedes par variation de vitesse de pompes, vanne de regulation et injection de gaz neutre |
FR2863404B1 (fr) * | 2003-12-09 | 2006-04-21 | Cit Alcatel | Dispositif pour la generation et la commande du flux d'agents de nettoyage dans une chambre de procedes |
KR100856317B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2008-09-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조 설비용 진공 장치 |
US20050250347A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-11-10 | Bailey Christopher M | Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process |
GB0401396D0 (en) * | 2004-01-22 | 2004-02-25 | Boc Group Plc | Pressure control method |
JP4633370B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-02-16 | 財団法人国際科学振興財団 | 真空装置 |
KR100830388B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2008-05-20 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 막 형성 장치 및 막 형성 방법 |
FR2878913B1 (fr) * | 2004-12-03 | 2007-01-19 | Cit Alcatel | Controle des pressions partielles de gaz pour optimisation de procede |
KR20060063188A (ko) * | 2004-12-07 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착장치 및 그를 이용한 화학기상증착방법 |
US7441439B2 (en) * | 2005-02-07 | 2008-10-28 | Richard Dean Mc Farland | Portable pressure switch calibration and diagnostic tool |
US20060174686A1 (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Mcfarland Richard D | Portable pressure switch calibration and diagnostic tool |
WO2006101987A2 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Southwest Research Institute | Use of recirculated exhaust gas in a burner-based exhaust generation system for reduced fuel consumption and for cooling |
US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
US8454750B1 (en) | 2005-04-26 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8398816B1 (en) * | 2006-03-28 | 2013-03-19 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a UV-cure chamber |
JP4943047B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US20080072822A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | White John M | System and method including a particle trap/filter for recirculating a dilution gas |
US20080072929A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | White John M | Dilution gas recirculation |
US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009076881A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理ガス供給システム及び処理装置 |
JP5372353B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2013-12-18 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置用ガス供給装置 |
US8426778B1 (en) | 2007-12-10 | 2013-04-23 | Novellus Systems, Inc. | Tunable-illumination reflector optics for UV cure system |
WO2010049024A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Oerlikon Solar Ip Ag, Truebbach | Precursor recycling |
CN102454575A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 亚旭电脑股份有限公司 | 空气压力产生装置 |
TW201217756A (en) * | 2010-10-27 | 2012-05-01 | Askey Computer Corp | Air pressure producing apparatus |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
GB2499217A (en) * | 2012-02-08 | 2013-08-14 | Edwards Ltd | Vacuum pump with recirculation valve |
GB2501735B (en) * | 2012-05-02 | 2015-07-22 | Edwards Ltd | Method and apparatus for warming up a vacuum pump arrangement |
US9490149B2 (en) * | 2013-07-03 | 2016-11-08 | Lam Research Corporation | Chemical deposition apparatus having conductance control |
US9028765B2 (en) | 2013-08-23 | 2015-05-12 | Lam Research Corporation | Exhaust flow spreading baffle-riser to optimize remote plasma window clean |
US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
DE102013223556A1 (de) * | 2013-11-19 | 2015-05-21 | Oerlikon Leybold Vacuum Gmbh | Vakuumpumpen-System sowie Verfahren zum Betreiben eines Vakuumpumpen-Systems |
US9640344B2 (en) * | 2014-02-07 | 2017-05-02 | Good Day Tools Llc | Portable pressure switch calibration and diagnostic tool |
CN104979227B (zh) * | 2014-04-02 | 2018-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体数据收集方法及系统 |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
JP2018013109A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 株式会社島津製作所 | 排気システムおよび制御装置 |
US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10276411B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-04-30 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
CN111095513B (zh) | 2017-08-18 | 2023-10-31 | 应用材料公司 | 高压高温退火腔室 |
CN111095524B (zh) | 2017-09-12 | 2023-10-03 | 应用材料公司 | 用于使用保护阻挡物层制造半导体结构的设备和方法 |
CN117936417A (zh) | 2017-11-11 | 2024-04-26 | 微材料有限责任公司 | 用于高压处理腔室的气体输送系统 |
SG11202003438QA (en) | 2017-11-16 | 2020-05-28 | Applied Materials Inc | High pressure steam anneal processing apparatus |
WO2019099255A2 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Applied Materials, Inc. | Condenser system for high pressure processing system |
CN111699549A (zh) | 2018-01-24 | 2020-09-22 | 应用材料公司 | 使用高压退火的接缝弥合 |
WO2019173006A1 (en) | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US10950429B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
JP7179172B6 (ja) | 2018-10-30 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体用途の構造体をエッチングするための方法 |
KR20210077779A (ko) | 2018-11-16 | 2021-06-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 강화된 확산 프로세스를 사용한 막 증착 |
WO2020117462A1 (en) | 2018-12-07 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
CN111370286B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-02-07 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种用于治疗装备的等离子体源及其使用方法 |
US20220285230A1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and methods for controlling an amount of primer in a primer application gas |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3537474A (en) * | 1968-02-19 | 1970-11-03 | Varian Associates | Push button vacuum control valve and vacuum system using same |
JPS5964516A (ja) | 1982-10-01 | 1984-04-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | アモルフアスシリコン膜生成方法 |
US4728869A (en) * | 1985-12-18 | 1988-03-01 | Anicon, Inc. | Pulsewidth modulated pressure control system for chemical vapor deposition apparatus |
DE3605172A1 (de) * | 1986-02-19 | 1987-08-20 | Sueddeutsche Kalkstickstoff | Verfahren zur regelung des kontinuierlichen abzugs von gasen aus geschlossenen reaktoren |
US4699570A (en) * | 1986-03-07 | 1987-10-13 | Itt Industries, Inc | Vacuum pump system |
US5433238A (en) * | 1992-12-18 | 1995-07-18 | Vlsi Technology, Inc. | Pumping system for evacuating reactor chambers |
JP3595823B2 (ja) | 1994-07-28 | 2004-12-02 | 有限会社 渕田ナノ技研 | 金属部分膜の形成装置およびその形成方法 |
JPH09251981A (ja) | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
JP3695865B2 (ja) | 1996-10-16 | 2005-09-14 | 株式会社荏原製作所 | 真空排気装置 |
JPH10122178A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-12 | Ebara Corp | 真空ポンプ及びそのパージ方法 |
US5944049A (en) * | 1997-07-15 | 1999-08-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for regulating a pressure in a chamber |
GB9717400D0 (en) * | 1997-08-15 | 1997-10-22 | Boc Group Plc | Vacuum pumping systems |
JP4112659B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-07-02 | 大陽日酸株式会社 | 希ガスの回収方法及び装置 |
DE19929519A1 (de) * | 1999-06-28 | 2001-01-04 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Mehrkammer-Vakuumanlage |
JP3682207B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2005-08-10 | 株式会社東芝 | プラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001082841A patent/JP4335469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-21 EP EP02006584A patent/EP1243667A3/en not_active Withdrawn
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- 2002-03-22 KR KR1020020015671A patent/KR100877362B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012106877A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Hitachi Zosen Corp | 反応室のガス排出装置 |
JP2017510716A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-04-13 | マイヤー・ブルガー・(ジャーマニー)・アクチエンゲゼルシャフト | 複数のプラズマにおいてプロセスガスの循環によりプラズマ処理を行うための装置 |
Also Published As
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