JPH11189877A

JPH11189877A - 回転電極を用いた薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH11189877A
Application number: JP9360406A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Domoto; 洋一堂本; Hitoshi Hirano; 均平野; Keiichi Kuramoto; 慶一蔵本; Hisaki Tarui; 久樹樽井; Yuzo Mori; 勇藏森
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1997-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 1999-07-13
Anticipated expiration: 2017-12-26
Also published as: JP3634608B2

Abstract

(57)【要約】【課題】回転電極１を用いた薄膜形成装置において、
新たに供給する反応ガスを希釈ガスと迅速にかつ均一に
混合することができ、これによって均一な薄膜を形成す
ることができる薄膜形成装置を得る。【解決手段】反応容器５内に設けた回転電極１に高周
波電源４からの電力を印加することによりプラズマを発
生させ、希釈ガスで希釈した反応ガスを分解させて基板
２上に薄膜を形成する薄膜形成装置であり、反応容器５
内のガスを排出し再び反応容器５内に戻すガス循環路１
０を設け、反応容器５内に供給する反応ガスをガス循環
路１０のガス導入口１５から導入することを特徴として
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回転電極を用いた
薄膜形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】アモルファスシリコン等の薄膜を比較的
高い圧力で形成する薄膜形成装置としては、反応容器内
に平行平板型電極を設置したプラズマＣＶＤ装置が知ら
れている。このような装置においては、一方の電極に高
周波電力または直流電力を印加し、他方の電極を接地
し、これらの電極間でプラズマを発生させ、発生したプ
ラズマ中に反応ガスを供給し、反応ガスを分解すること
により基板上に所望の薄膜を形成させている。

【０００３】高速でかつ大きな面積の薄膜を形成するこ
とができる薄膜形成装置として、特開平９−１０４９８
５号公報では、回転電極を用いた薄膜形成装置が提案さ
れている。このような回転電極を用いた薄膜形成装置に
よれば、回転電極の回転によりプラズマ空間に反応ガス
を効率よく供給することができるので、反応ガスの利用
効率を大幅に向上させることができるとともに、速い速
度で均一な薄膜を形成することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなプラズマ
ＣＶＤ法による薄膜形成においては、反応ガスをプラズ
マ中で分解することにより薄膜が形成されるので、薄膜
の形成とともに反応ガスが消費され、反応容器内の反応
ガス濃度が減少する。反応容器内の反応ガスの量が多
く、かつ形成する薄膜の量が少ない場合には、反応容器
内の反応ガスのみで薄膜を形成することが可能である
が、大きな面積の薄膜を形成する必要がある場合などに
は、反応容器内に反応ガスを供給する必要がある。

【０００５】反応ガスは、一般にＨｅなどの不活性ガス
で希釈されており、反応容器に反応ガスを直接導入する
と、反応ガスと希釈ガスが均一に混合されにくく、この
結果均一な薄膜を形成することができないという問題が
あった。

【０００６】本発明の目的は、新たに供給する反応ガス
を希釈ガスと迅速にかつ均一に混合することができ、こ
れによって均一な薄膜を形成することができる薄膜形成
装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置
は、反応容器内に設けた回転電極に高周波電力または直
流電力を印加することによりプラズマを発生させ、希釈
ガスで希釈した反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置であり、反応容器内のガスを排出し
再び反応容器内に戻すガス循環路を設け、反応容器内に
供給する反応ガスを該ガス循環路から導入することを特
徴とする薄膜形成装置である。

【０００８】本発明に従うより具体的な実施形態の薄膜
形成装置は、反応容器内でプラズマを発生させ、希釈ガ
スで希釈した反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成
するための薄膜形成装置であり、回転することにより基
板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する
回転電極と、回転電極を回転させるための駆動手段と、
基板表面と回転電極の間にプラズマをさせるため回転電
極に印加される高周波電力または直流電力を供給する電
源と、基板を保持する基板ホルダーと、反応容器内のガ
スを排出し再び反応容器内に戻すためのガス循環路とを
備え、反応容器内に供給する反応ガスをガス循環路から
導入することを特徴とする薄膜形成装置である。

【０００９】本発明に従えば、反応容器内に供給する反
応ガスを、ガス循環路から導入しているので、ガス循環
路を流れるガスと反応ガスを十分に混合することがで
き、ガス循環路から反応容器内にガスが戻される際に
は、新たに供給された反応ガスが十分に混合された均一
な状態で反応容器内に放出される。従って、新たに供給
する反応ガスを希釈ガスと迅速にかつ均一に混合するこ
とができ、均一な薄膜を形成することができる。

【００１０】また、本発明においては、反応容器内のガ
スを排出し再び反応容器内に戻すガス循環路が設けられ
ており、このガス循環路による反応容器内のガスの排出
及び反応容器内へのガスの放出により、反応容器内にガ
スの流れが形成され、反応容器内のガスが攪拌混合され
る。従って、このことによっても、反応容器内のガスが
均一化し、より均一な薄膜を形成することができる。

【００１１】また、本発明においては、ガス循環路に、
反応容器内で発生した微粒子を除去するための微粒子除
去手段が設けられていることが好ましい。回転電極を用
いたプラズマＣＶＤ法による薄膜形成においては、相対
的に高い圧力で薄膜が形成されるので、反応ガスの濃度
が高く、過剰な反応ガスの分解を生じやすい。このた
め、薄膜形成には直接関与しない分離した微粒子が析出
することが知られている。このような微粒子は、均一な
薄膜形成の妨げとなり、また装置内のコンタミネーショ
ンの原因ともなる。従って、本発明におけるガス循環路
において、このような微粒子を除去するための微粒子除
去手段を設けることにより、反応容器内で発生した微粒
子を除去することができ、均一な薄膜を形成することが
できる。

【００１２】また、形成する薄膜が半導体薄膜等の場
合、ドーパントをドーピングするため、ドーパントガス
を用いる場合がある。本発明においては、このようなド
ーパントガスも、ガス循環路から導入することが好まし
い。ドーパントガスをガス循環路から導入することによ
り、ドーパントガスを反応ガス及び希釈ガスと迅速にか
つ均一に混合することができる。

【００１３】本発明においては、さらに、ガス循環路を
流れるガス中の反応ガスまたはドーパントガスの濃度を
測定するためのガス濃度センサーがガス循環路に設けら
れていることが好ましい。このようなガス濃度センサー
を設けることにより、ガス循環路を流れるガス中の反応
ガスまたはドーパントガスの濃度を測定し、得られた濃
度データに基づいて、反応ガスまたはドーパントガスの
導入量を制御することができる。

【００１４】また、本発明においては、反応容器内にお
けるガス循環路のガス吸込口が、基板と回転電極の間の
プラズマ発生領域の近傍に配置されていることが好まし
い。ガス循環路のガス吸込口をこのように配置すること
により、プラズマ発生領域において生じた微粒子を即座
に吸い込むことができる。従って、反応容器内への微粒
子の拡散を防止し、反応容器内の微粒子を低減させるこ
とができる。

【００１５】また、本発明においては、反応容器内にお
けるガス循環路のガス吹出口が、基板と回転電極の間の
プラズマ発生領域の近傍に配置されることが好ましい。
ガス循環路のガス吹出口をこのように配置することによ
り、プラズマ発生領域に直接ガスを吹き付けることがで
き、反応ガスの利用効率を向上させることができる。ま
た、プラズマ発生領域を挟み、ガス吸込口とガス吹出口
が向き合うように配置することにより、ガス吹出口から
ガス吸込口へのプラズマ発生領域を通過するガスの流れ
を形成することができ、この結果、反応ガス及びドーパ
ントガスが効率良くプラズマ発生領域に供給されるの
で、これらのガスの利用効率を高めることができる。

【００１６】本発明においては、回転電極の表面に沿っ
てその一部を覆う回転電極収納部が反応容器に設けられ
ていてもよい。このような回転電極収納部は、基板と対
向しかつ基板との間でプラズマを発生する回転電極表面
の領域以外の領域を覆うように設けられていることが好
ましい。このような回転電極収納部を設けることによ
り、反応容器内の容積を減少させることができ、反応容
器内のガスの量を減少させることができるので、ガス循
環路を流れるガス量が相対的に増加し、より迅速にかつ
より均一に反応ガスを混合させることができる。また、
反応容器の容積を減少させることができるで、微粒子が
発生する領域が減少し、微粒子の発生を低減させること
ができる。

【００１７】本発明において用いられる回転電極として
は、例えば、特開平９−１０４９８５号公報に開示され
た回転電極を挙げることができる。従って、電極表面に
凹凸を有した回転電極や、電極表面の一部もしくは全部
の上に絶縁膜を有した回転電極等を用いることができ
る。

【００１８】また、薄膜形成条件は、特に限定されるも
のではなく、例えば、特開平９−１０４９８５号公報に
開示された薄膜形成条件を採用することができる。本発
明の薄膜形成装置は、回転電極と基板の間に発生させた
プラズマにより反応ガスを分解させるプラズマＣＶＤ法
により薄膜を形成させることができる装置である。本発
明の薄膜形成装置は、特に高い圧力下で薄膜を形成する
場合に有用である。例えば、雰囲気圧力、すなわち反応
容器内の全圧が１Ｔｏｒｒ以上の条件が特に有用であ
る。反応ガスの分圧としては、０．０１Ｔｏｒｒ以上の
条件が好ましい。反応容器内の全圧は、より好ましくは
１００Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍであり、さらに好ましくは約
１ａｔｍである。反応ガスの分圧は、より好ましくは
０．１〜５０Ｔｏｒｒであり、さらに好ましくは５〜５
０Ｔｏｒｒである。

【００１９】本発明における希釈ガスとしては、不活性
ガスを用いることができ、このような不活性ガスとして
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅなどが挙げられ
る。反応容器内には、さらに水素ガスを含有させること
ができる。水素ガスの分圧としては、１Ｔｏｒｒ以上が
好ましく、より好ましくは１〜５０Ｔｏｒｒである。

【００２０】本発明において、回転電極の電極表面の周
速度は、１０ｍ／秒以上、音速以下が好ましい。周速度
がこの範囲よりも小さいと、プラズマ空間に対する反応
ガスの供給が不十分となる場合がある。また、周速度が
音速以上になると、音速を超えることによる衝撃波等の
問題が生じる。電極表面の周速度として、より好ましく
は、５０ｍ／秒〜音速であり、さらに好ましくは５０〜
２００ｍ／秒である。

【００２１】本発明において、回転電極と基板との間の
距離は、０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。本発明にお
いて、回転電極に高周波電力を印加する場合、パルス状
に印加することが好ましい。高周波電力をパルス状に印
加することにより、安定したプラズマを広範囲に維持す
ることができる。パルス中に印加する高周波電力のデュ
ーティ比としては、１／１００以上が好ましい。またパ
ルス中に変調する変調周波数としては、１００ｋＨｚ以
上が好ましい。

【００２２】本発明において、回転電極に高周波電力を
印加する場合の高周波電力の周波数としては、１３．５
６ＭＨｚ以上が好ましく、さらに好ましくは１５０ＭＨ
ｚ以上である。

【００２３】本発明において、高周波電力の投入電力密
度としては、１０Ｗ／ｃｍ²以上が好ましく、より好ま
しくは１０〜１００Ｗ／ｃｍ²以上であり、さらに好ま
しくは３０〜１００Ｗ／ｃｍ²である。

【００２４】また、本発明において直流電力を回転電極
に印加する場合には、従来の直流電力によるプラズマＣ
ＶＤ法条件を参考にして設定することができる。本発明
において、薄膜形成の際の基板温度は、室温（２０℃）
〜５００℃が好ましく、より好ましくは室温（２０℃）
〜３００℃である。

【００２５】本発明において形成する薄膜は、プラズマ
ＣＶＤ法等により形成することができる薄膜であれば特
に限定されるものではない。具体的には、Ｓｉ、Ｃ（ダ
イヤモンド及びダイヤモンド状薄膜を含む）、ＳｉＣ、
ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ ₂Ｏ₃、ＡｌＮなどが挙げ
られる。反応容器内に供給する反応ガスは、これらの形
成する薄膜に応じて適宜選択される。

【００２６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う一実施例の
薄膜形成装置を示す概略断面図である。図１を参照し
て、反応容器５内には、基板ホルダー３が設けられてお
り、基板ホルダー３の上に基板２が載せられている。基
板２の上には、円筒状の回転電極１が設けられている。
回転電極１は、回転軸１ｂを中心に、回転軸１ｂが回転
することにより図示する矢印方向に回転する。回転軸１
ｂは、図示されないモータなどの駆動手段により回転す
る。回転軸１ｂには、高周波電力を印加するための高周
波電源４が接続されている。高周波電源４からの高周波
電力が回転電極１に印加されることにより、回転電極１
の表面１ａと基板２との間にプラズマが発生する。

【００２７】基板２上に大きな面積の薄膜を形成する場
合には、基板ホルダー３を回転軸１ｂと垂直な方向に移
動させ、基板２を回転電極１に対して相対的に移動させ
ながら薄膜を形成する。

【００２８】反応容器５には、反応容器５内のガスを排
出し再び反応容器５に戻すためのガス循環路１０が取り
付けられている。ガス循環路１０のガス吸込口１１は、
回転電極１の表面１ａと基板２との間のプラズマ発生領
域の近傍に位置するよう設けられている。また、ガス循
環路１０からガスを反応容器５内に戻すガス吹出口１２
は、反応容器５の底部の部分に設けられている。

【００２９】図２は、ガス循環路１０のガス吸込口１１
を示す斜視図である。図２に示すように、ガス吸込口１
１は、幅広く形成されており、好ましくは、回転電極１
の回転軸方向の長さ（幅）とほぼ同程度の幅となるよう
に形成されている。

【００３０】図１を再び参照して、ガス循環路１０のガ
ス吸込口１１における吸引、及びガス吹出口１２におけ
るガスの放出は、ガス循環路１０に設けられた循環ポン
プ１３により行われる。循環ポンプ１３としては、例え
ばドライポンプが用いられる。また、ガス吸込口１１か
ら循環ポンプ１３までの間には、ガス循環路１０内を流
れる反応ガス及びドーパントガスの濃度を測定するため
のガス濃度センサー１４が設けられている。ガス濃度セ
ンサー１４としては、例えば、赤外線の吸収量でガス濃
度を検出することができる濃度センサーが用いられる。

【００３１】ガス濃度センサー１４と循環ポンプ１３の
間のガス循環路には、ガス導入口１５が設けられてい
る。このガス導入口１５から、反応ガス及びドーパント
ガスをガス循環路１０中に供給することができる。ガス
導入口から供給された反応ガス及びドーパントガスは、
ガス導入路１０を流れるガスと混合され、ガス吹出口１
２から反応容器５内に放出される。ガス導入口１５は、
循環ポンプ１３より上流の位置に設けられることが好ま
しい。ガス導入口１５を循環ポンプ１３より上流の位置
に設けることにより、ガス導入口１５から導入された反
応ガス及びドーパントガスが、循環ポンプ１３を通過す
る際に、より強力に攪拌混合される。

【００３２】図３は、反応容器５に接続されているガス
循環路１０をさらに詳細に説明するための概略構成図で
ある。反応容器５内のガスは、ガス吸込口１１から排出
され、微粒子除去手段である微粒子除去フィルタ１６に
より、ガス中に含有される微粒子が除去される。この微
粒子は、上述のように、反応容器内で反応ガスが分解す
ることにより生成した微粒子である。このような微粒子
除去フィルタ１６としては、例えば、アニオン交換繊維
やカチオン交換繊維などのアクリル繊維をフィルタ状に
成形したものを用いることができる。

【００３３】ガス循環路１０内のガスは、次にガス濃度
センサー１４を通り、反応ガス及びドーパントガスの濃
度が測定され、ガス導入口１５まで送られる。ガス導入
口１５には、ガスボンベ２０〜２４が接続されている。
ガスボンベ２０は希釈ガスとしてのヘリウムガス、ガス
ボンベ２１は反応ガスとしてのシランガス、ガスボンベ
２２はドーパントガスとしてのホスフィンガス、ガスボ
ンベ２３はドーパントガスとしてのジボランガス、ガス
ボンベ２１は水素ガスのボンベである。ガス濃度センサ
ー１４で測定された濃度データに基づき、それぞれのガ
スがガス導入口１５からガス循環路１０内に供給され
る。これらのガスは、循環ポンプ１３に送られ、上述の
ようにポンプの作用によって攪拌混合された後、水吸着
筒１８を通り脱水された後、ガス吹出口１２から再び反
応容器５内に戻される。なお、ガス循環路１０から外部
にガスを放出する場合には、図示するようにシランガス
除外装置１７を通して外部にガスを放出することが好ま
しい。

【００３４】図１に示す薄膜形成装置を用いてアモルフ
ァスシリコン薄膜を形成した。回転電極１としては、直
径３００ｍｍ、回転軸方向の長さ（幅）１００ｍｍのア
ルミニウムからなる円筒状の回転電極を用いた。従っ
て、回転電極１は、円周方向に連続した表面を有してい
る。高周波電源４からは、周波数１５０ＭＨｚ、電力パ
ワー５００Ｗの高周波電力を印加した。反応ガスとして
は、希釈ガスとしてのヘリウムに希釈された０．１％シ
ランガスを用い、反応容器５内の圧力は１気圧とした。
回転電極１の表面１ａと基板２との間のギャップは３０
０μｍとなるように調整した。

【００３５】ガス循環路１０内でのガス流量は、反応容
器の全容積のガスが２０秒間でガス循環路１０内を流れ
るような流量とした。ガス濃度センサー１４でガス循環
路１０中を流れるガスの濃度を測定し、シランガス濃度
が常に０．１％になるようにガス導入口１５からシラン
ガスを供給した。供給量は約２０ｃｃ／分であった。な
お基板温度は加熱せず、常温（２０℃）とした。

【００３６】以上の結果、アモルファスシリコン薄膜を
５００Å／秒の堆積速度で形成することができた。比較
として、ガス導入口１５の位置で反応ガスを導入するの
ではなく、図１に示すＡの位置でシランガスを約２０ｃ
ｃ／分の流量で供給したところ、薄膜堆積速度は当初５
００Å／秒であったが、１０秒後には３００Å／秒に低
下した。これは、反応ガスであるシランガスが反応容器
５中で十分に混合されず不均一に存在していたためと考
えられる。

【００３７】次に、上記と同様の条件で反応ガスである
シランガスとともにドーパントガスを供給し、ドーピン
グされたアモルファスシリコン薄膜を形成した。反応ガ
スとしてのシランガスは上記と同様にガス導入口１５か
ら供給し、ドーパントガスであるジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）
ガスは、水素ガスで１％に希釈し、ガス導入口１５から
２〜３ｃｃ／分の流量で導入した。この結果、導電率が
約１×１０^-3（Ωｃｍ）^-1であるｐ型のアモルファスシ
リコン薄膜が得られた。なお、ドーパントガスを供給し
ていない上記のノンドープのアモルファスシリコン薄膜
の導電率は約１×１０^-11（Ωｃｍ）^-1であった。

【００３８】次にドーパントガスとしてホスフィン（Ｐ
Ｈ₃）ガスを用い、同様に水素ガスで１％に希釈し、２
〜３ｃｃ／分の流量でガス導入口１５から導入した。得
られたアモルファスシリコン薄膜の導電率は約１×１０
^-2（Ωｃｍ）^-1であった。

【００３９】比較として、反応ガスはガス導入口１５か
ら供給するが、ドーパントガスは図１に示すＡから直接
反応容器５内に供給して薄膜を形成した。得られた比較
のアモルファスシリコン薄膜の導電率は、いずれのドー
パントガスを用いた場合にもその導電率は１０^-8〜１０
^-3（Ωｃｍ）^-1であり、不安定であった。

【００４０】図４は、本発明に従う他の実施例の薄膜形
成装置を示す概略断面図である。図４に示す実施例にお
いては、プラズマ発生領域となる部分以外の回転電極１
の部分は、反応容器５の回転電極収納部６に納められて
いる。回転電極収納部６は、回転電極１の表面１ａに沿
う形状を有している。このように回転電極１を回転電極
収納部６に収納することにより、反応容器５全体の容積
が大幅に減少される。この結果、ガス循環路１０を流れ
るガス量の割合が相対的に増加し、ガス循環路１０を通
過することによるガスの混合攪拌がさらに効率的になさ
れる。また、反応容器５の容積が減少するので、微粒子
が発生する領域が減少し、微粒子の発生がさらに抑制さ
れる。

【００４１】図５は、本発明に従うさらに他の実施例の
薄膜形成装置を示す概略断面図である。図５に示す実施
例においては、ガス循環路１０の吹出口１２が、回転電
極１の表面１ａと基板２との間のプラズマ発生領域の近
傍に位置するように設けられている。従って、プラズマ
発生領域に直接反応ガスを含んだガスを供給することが
でき、反応ガスの利用効率を向上させることができる。
なお図５に示す実施例におけるガス吹出口１２は、図２
に示すガス吹込口１１と同様の形状を有している。

【００４２】図５に示す実施例では、プラズマ発生領域
を挟み、ガス吸込口１１とガス吹出口１２が向き合うよ
うに設けられているので、ガス吹出口１２から吹き出さ
れたガスがプラズマ発生領域を通りプラズマ中を通過し
た後、ガス吸込口１１から吸引される。従って、プラズ
マ発生領域中を流れるガスの流れを形成することがで
き、さらに反応ガスの利用効率を高めることができる。

【００４３】

【発明の効果】本発明に従えば、新たに供給する反応ガ
スを希釈ガスと迅速にかつ均一に混合することができ
る。従って、膜厚や膜質の均一な薄膜を形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う一実施例の薄膜形成装置を示す概
略断面図。

【図２】図１に示すガス循環路のガス吸込口を示す斜視
図。

【図３】図１に示す実施例におけるガス循環路をさらに
詳細に説明するための概略構成図。

【図４】本発明に従う他の実施例の薄膜形成装置を示す
概略断面図。

【図５】本発明に従うさらに他の実施例の薄膜形成装置
を示す概略断面図。

【符号の説明】

１…回転電極１ａ…回転電極の表面１ｂ…回転電極の回転軸２…基板３…基板ホルダー４…高周波電源５…反応容器６…回転電極収納部１０…ガス循環路１１…ガス吸込口１２…ガス吹出口１３…循環ポンプ１４…ガス濃度センサー１５…ガス導入口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者蔵本慶一大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者樽井久樹大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者森勇藏大阪府交野市私市８丁目16番９号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器内に設けた回転電極に高周波電
力または直流電力を印加することによりプラズマを発生
させ、希釈ガスで希釈した反応ガスを分解させて基板上
に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記反応容器内のガスを排出し再び前記反応容器内に戻
すガス循環路を設け、前記反応容器内に供給する反応ガ
スを該ガス循環路から導入することを特徴とする薄膜形
成装置。
【請求項２】反応容器内でプラズマを発生させ、希釈
ガスで希釈した反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成するための薄膜形成装置であって、回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極と、前記回転電極を回転させるための駆動手段と、前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させ
るため前記回転電極に印加される高周波電力または直流
電力を供給する電源と、前記基板を保持する基板ホルダーと、前記反応容器内のガスを排出し再び前記反応容器内に戻
すためのガス循環路とを備え、前記反応容器内に供給する反応ガスを前記ガス循環路か
ら導入することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】前記ガス循環路に、前記反応容器内で発
生した微粒子を除去するための微粒子除去手段が設けら
れている請求項１または２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】前記薄膜にドーピングされるドーパント
ガスが前記ガス循環路から前記反応容器内に導入される
請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項５】前記ガス循環路を流れるガス中の反応ガ
スまたはドーパントガスの濃度を測定するためのガス濃
度センサーが設けられている請求項１〜４のいずれか１
項に記載の薄膜形成装置。
【請求項６】前記ガス濃度センサーによって測定され
た濃度データに基づいて、反応ガスまたはドーパントガ
スの導入量が制御される請求項５に記載の薄膜形成装
置。
【請求項７】前記反応容器内における前記ガス循環路
のガス吸込口が、前記基板と前記回転電極の間のプラズ
マ発生領域の近傍に配置される請求項１〜６のいずれか
１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項８】前記反応容器内における前記ガス循環路
のガス吹出口が、前記基板と前記回転電極の間のプラズ
マ発生領域の近傍に配置される請求項１〜７のいずれか
１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項９】前記回転電極の表面に沿ってその一部を
覆う回転電極収納部が前記反応容器に設けられている請
求項１〜８のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。