JP2001011640A

JP2001011640A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2001011640A
Application number: JP11183782A
Authority: JP
Inventors: Eishiro Sasagawa; 英四郎笹川; Yoshiichi Nawata; 芳一縄田
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1999-06-29
Filing date: 1999-06-29
Publication date: 2001-01-16

Abstract

(57)【要約】【課題】無駄スペースを生じることなくプラズマを効
果的に閉じ込めることができるプラズマ処理装置を提供
するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置は、基板を保持し加熱
するヒータ2と、このヒータ上の基板に対面配置される
電極4と、この電極と基板との間に反応性ガスを供給す
るガス供給機構5を備えた処理ユニット1aと、電極と基
板との間に高周波電力を印可して前記反応性ガスのプラ
ズマを生成するプラズマ生成機構7と、電極および処理
ユニットのうちの少なくとも一方と基板との間に電位差
を生じさせ、生成プラズマを被処理基板のほうに変位さ
せるバイアス電位印可手段8,9と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ装
置やドライエッチング装置などのプラズマ処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プラズマ処理装置の代表例である
プラズマＣＶＤ装置において、このプラズマ処理ユニッ
ト、すなわち製膜ユニットとしては図１０に示すものが
ある。この製膜用ユニットは、ヒータ２側が開口した製
膜ユニットカバー２０と、この製膜ユニットカバー２０
内に基板と向き合うように配置されたプラズマ電極（図
示せず）と、ヒータ２に保持された基板（図示せず）に
向けて反応性ガスを供給するガス供給機構（図示せず）
と、カバー２０に設けられた排気用メッシュ２１とから
構成されている。ここで、排気用メッシュ２１は、プラ
ズマ電極と製膜用ヒータ２間の製膜ユニットカバー２０
の四方方向（左右，上下方向）に複数個形成された開口
部にそれぞれ設けられている。また、排気用メッシュ２
１は、製膜ユニット内で発生させるプラズマエネルギー
が製膜ユニット外部へ漏れないよう、１０〜５０メッシ
ュ程度のメッシュ又は同程度の穴が開いたパンチングメ
タルなどで構成されている。

【０００３】こうした構成の製膜ユニットにおいて、プ
ラズマ電極で分解・反応したガスは、基板に向かい製膜
されるが、製膜に寄与するものはプラズマＣＶＤ装置で
はせいぜい数％と少量となるため、大部分は製膜ユニッ
トから排気される。製膜ユニットからの排気は、製膜ユ
ニットカバー２０に設けられた排気用メッシュ２１を介
して行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のプラ
ズマＣＶＤ装置では製膜室内に製膜ユニットを設けるこ
とで、プラズマを製膜ユニット内に閉じ込め、基板以外
に製膜される領域を製膜ユニット内のみに規定し、この
製膜ユニットを定期的に洗浄することで、製膜室のメン
テナンスを実施していた。

【０００５】しかしながら、従来の装置においては製膜
ユニットカバー２０で覆った製膜ユニットを製膜室内に
設けるので、製膜室の全体容積が大きくなり、製膜に寄
与しない無駄スペースが存在するために、真空排気装置
の排気能力の向上が不可欠である。近時、真空排気装置
の能力は徐々に向上してはいるが、大容量スペースを短
時間で高真空状態にするには未だ能力不足である。ま
た、従来の装置では製膜ユニットからの均一排気不良に
より膜厚分布のばらつきが大きい。さらに、従来の装置
では製膜室内の淀み域でのパーティクル発生成長などが
生じていた。

【０００６】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、無駄スペースを生じることなくプラ
ズマを効果的に閉じ込めることができるプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理装置は、生成プラズマにより反応性ガスを分解反応さ
せて基板の表面を処理するプラズマ処理装置において、
被処理基板を保持し加熱するヒータと、このヒータ上の
被処理基板に対面配置される電極と、この電極と被処理
基板との間に反応性ガスを供給するガス供給機構を備え
た処理ユニットと、前記電極と被処理基板との間に高周
波電力を印可して前記反応性ガスのプラズマを生成する
プラズマ生成機構と、前記電極および前記処理ユニット
のうちの少なくとも一方と被処理基板との間に電位差を
生じさせ、生成プラズマを被処理基板のほうに変位させ
るバイアス電位印可手段と、を具備することを特徴とす
る。

【０００８】上記バイアス電位印可手段により電位差を
印可する対象は、電極／基板間または処理ユニット／基
板間のいずれか一方のみであってもよいし、電極／基板
間および処理ユニット／基板間の両方ともであってもよ
い。これにより基板は周囲よりも更にアース電位に近い
状態となり、生成プラズマが基板のほうに集中し、製膜
ユニットカバー２０が無い状態であってもプラズマ閉じ
込めと同様の効果が得られる。

【０００９】電極／基板間に電位差を印可する場合は５
０ボルト以上とすることが好ましい。図３中の特性線Ａ
に示すように電極／基板間にマイナス５０Ｖ以上の電位
差を印可すると、製膜速度が飛躍的に増大するからであ
る。なお、図から明らかなように、電極／基板間への印
可電位差を１００ボルト以上としても製膜速度は実質的
に変わらなくなる（効果が飽和する）ので、電極／基板
間にはマイナス５０〜１００Ｖの範囲の電位差を印可す
るのが最適である。

【００１０】一方、処理ユニット／基板間に電位差を印
可する場合は１００ボルト以上とすることが好ましい。
図３中の特性線Ｂに示すように処理ユニット／基板間に
マイナス１００Ｖ以上の電位差を印可すると、製膜速度
が飛躍的に増大するからである。なお、図から明らかな
ように、処理ユニット／基板間への印可電位差を２００
ボルト以上としても製膜速度は実質的に変わらなくなる
（効果が飽和する）ので、処理ユニット／基板間にはマ
イナス１００〜２００Ｖの範囲の電位差を印可するのが
最適である。

【００１１】また、本発明に係るプラズマ処理装置にお
いては、バイアス電位印可手段の代わりとして、被処理
基板から前記電極までの間の領域に連通開口する排気口
を有し、該排気口を介してプラズマ生成領域およびその
周辺域に存在する未反応ガスを排気する排気機構を具備
するようにしてもよい。この場合に、上記排気機構の排
気口は、少なくとも被処理基板の近傍にて開口している
ことが望ましい。これによりプラズマ生成領域およびそ
の周辺域に存在する未反応ガスが積極的に排気され、未
反応ガスが周囲に拡散することが少なくなるので、製膜
室の内壁が汚れにくくなり、定期的な洗浄作業の間隔を
延ばすことができ、メンテナンスコストを低減すること
ができる。

【００１２】また、本発明に係るプラズマ処理装置にお
いては、バイアス電位印可手段の代わりとして、前記ヒ
ータ部分に設けられた排気ボックスを備え、該排気ボッ
クスは被処理基板の周縁部近傍にて開口する排気口を有
し、該排気口を介してプラズマ生成領域およびその周辺
域に存在する未反応ガスを排気する排気機構を具備する
ようにしてもよい。このようにすると製膜処理スペース
（製膜処理雰囲気）の容積が小さくなり、製膜処理スペ
ースの排気特性が改善される。このため従来の製膜ユニ
ットカバー（製膜室）内のガス流れ淀み域におけるパー
ティクルの発生が無くなり、全体としてパーティクルの
発生が抑制される。

【００１３】また、本発明に係るプラズマ処理装置にお
いては、電極および前記処理ユニットのうちの少なくと
も一方と被処理基板との間に電位差を生じさせ、生成プ
ラズマを被処理基板のほうに変位させるバイアス電位印
可手段と、ヒータに設けられた排気ボックスを備え、該
排気ボックスは被処理基板の周縁部近傍にて開口する排
気口を有し、該排気口を介してプラズマ生成領域および
その周辺域に存在する未反応ガスを排気する排気機構
と、の両者を組み合わせて備えるようにしてもよい。こ
のようにするとバイアス電位印可によるプラズマの基板
側への集中と未反応ガスの排気との相乗効果により、更
に製膜速度が増大するとともに基板周辺の膜厚分布が改
善される。

【００１４】さらに、ガス供給機構から電極に至るまで
の非プラズマ生成領域を覆い、かつ電極から被処理基板
に至るまでのプラズマ生成領域は覆わない、前記ガス供
給機構から供給される反応性ガスを被処理基板のほうへ
案内するガスガイドを備えることが好ましい。このよう
にすると反応性ガスの膜形成効率が向上し、製膜速度が
更に５〜１０％向上する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。

【００１６】（第１の実施形態）図１から図３までを参
照しながら第１の実施形態の装置について説明する。プ
ラズマ処理装置１はガラス基板３を所定の目標温度に加
熱するためのヒータ２を備えている。このヒータ２は両
面加熱型とすることも可能でこの場合は図示しない他面
側にも基板３が保持されている。各基板３は例えば図示
しないポジショナーによりヒータ２の加熱面にそれぞれ
押し付け保持されている。なお、ヒータ２は接地されて
いる。

【００１７】ラダー電極３がヒータ２上の基板３に対面
するように配置されている。図２に示すようにラダー電
極４には高周波電源７および電源回路８が並列接続され
ている。高周波電源７は例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電力（電圧）を電極４に印可し、電極４と基板３との
間にプラズマを生じさせるようになっている。この高周
波電源７は制御器１９のマッチング回路（図示せず）に
より動作が制御されるようになっている。

【００１８】バイアス電位印可手段としての電源回路８
には可変直流電源８ａおよびローパスフィルタ８ｂが直
列に接続されている。可変直流電源８ａは制御器１９か
らの制御信号を受けて電極４に印可する直流電圧が変え
られうるようになっている。ローパスフィルタ８ｂは可
変直流電源８ａと電極４との間に設けられ、１０Ｈｚ以
上の周波数の高周波電流が可変直流電源８ａ側に入らな
いようにカットする役割を有する。なお、両電源７，８
ａはそれぞれ接地されている。

【００１９】さらに、ガス供給機構５が電極４の背面側
に配置され、更にガス供給機構５の背面に防着板６が配
置されている。ガス供給機構５の配管は図示しないガス
供給源に連通接続され、反応性ガスとしてシランを主成
分とするプロセスガスが供給されるようになっている。
ガス供給機構５及び防着板６は第２のバイアス電位印可
手段としての電源回路９に直接または間接に接続されて
いる。すなわち電源回路９は、ガス供給機構５及び防着
板６に直接接続してもよいし、ユニットフレーム１ａを
介して間接的に接続するようにしてもよい。この電源回
路９には可変直流電源９ａおよびローパスフィルタ９ｂ
が直列に接続されている。可変直流電源９ａは制御器１
９からの制御信号を受けて電極４に印可する直流電圧が
変えられうるようになっている。ローパスフィルタ９ｂ
は可変直流電源９ａと電極４との間に設けられ、１０Ｈ
ｚ以上の周波数の高周波電流が可変直流電源９ａ側に入
らないようにカットする役割を有する。さらに、防着板
６がガス供給機構５の背面側に配置されている。この防
着板６をはじめとして電極４およびガス供給機構５は、
処理ユニットとしてのユニットフレーム１ａに支持部材
を介してそれぞれ連結支持されている。なお、ユニット
フレーム１ａとガス供給機構５とは電気的に導通してい
るが、ユニットフレーム１ａと電極４とは電気的に絶縁
されている。

【００２０】基板３と電極４との相互間距離は例えば約
３５ｍｍに設定され、基板３とガス供給機構５との相互
間距離は例えば４０〜９０ｍｍに設定されている。プラ
ズマは基板３と電極４とで挟まれた狭い領域に生成され
るようになっている。

【００２１】本実施形態のプラズマ処理装置１を用いて
各種条件下で基板３上に実際にＳｉＮｘ膜を形成し、得
られた各々のＳｉＮｘ膜につき製膜速度を用いて評価し
た。その結果につき図３を参照して説明する。

【００２２】図３は横軸にバイアス電位（Ｖ）をとり、
縦軸に製膜速度（ｎｍ／秒）をとって、バイアス電位を
種々変えたときの製膜速度に及ぼす影響について調べた
特性線図である。被処理基板３として５００ｍｍ×５０
０ｍｍサイズのガラス基板を供試した。原料プロセスガ
スとしてシラン／アンモニア／窒素の混合ガスを用い
た。ガスの混合比率はＳＨ₄／ＮＨ₃／Ｎ₂＝１：１．
７：１４とした。また、製膜雰囲気の圧力は１．０Ｔｏ
ｒｒとした。

【００２３】図中の特性線Ａは電極４にバイアス電圧を
かけたときの結果を、特性線Ｂは処理ユニット（ユニッ
トフレーム１ａ、ガス供給機構５、防着板６）側にバイ
アス電圧をかけたときの結果を示す。特性線Ａから明ら
かなように電極／基板間にマイナス５０Ｖ以上の電位差
を印可すると、製膜速度が飛躍的に増大することが判明
した。このことから電極／基板間に電位差を印可する場
合はマイナス５０Ｖ以上とすることが好ましい。なお、
電極／基板間への印可電位差を１００ボルト以上として
も製膜速度は実質的に変わらなくなる（効果が飽和す
る）ので、電極／基板間にはマイナス５０〜１００Ｖの
範囲の電位差を印可するのが最適であるといえる。

【００２４】一方、特性線Ｂから明らかなように処理ユ
ニット／基板間にマイナス１００Ｖ以上の電位差を印可
すると、製膜速度が増大することも判明した。なお、処
理ユニット／基板間への印可電位差を２００ボルト以上
としても製膜速度は実質的に変わらなくなる（効果が飽
和する）ので、処理ユニット／基板間にはマイナス１０
０〜２００Ｖの範囲の電位差を印可するのが最適である
といえる。

【００２５】（第２の実施形態）図４および図５を参照
しながら第２の実施形態の装置について説明する。な
お、本実施形態が上述の実施形態と共通する部分の説明
は省略する。プラズマ処理装置１Ａは、プラズマ生成領
域から未反応ガスを排気するための排気ダクト１０を備
えている。この排気ダクト１０はスリット状の排気口１
１，１２を介して真空ポンプ（図示せず）で真空排気さ
れる排気ダクト１３に連通している。一方のスリット排
気口１１は電極４の近傍領域の上下左右にてそれぞれ開
口している。他方のスリット排気口１２は基板３の近傍
領域の上下左右にてそれぞれ開口している。なお、排気
口１１，１２は処理雰囲気から製膜に寄与しない未反応
ガスを均等有効に排気できるような位置にそれぞれ開口
形成することが肝要である。

【００２６】このようなプラズマ処理装置１Ａによれ
ば、プラズマ生成領域およびその周辺域に存在する未反
応ガスが製膜処理雰囲気から積極的に排気され、未反応
ガスが周囲に拡散することがなくなる。このため製膜処
理ユニット各部の内壁が汚れにくくなり、定期的な洗浄
作業の間隔を延ばすことができ、メンテナンスコストを
低減することができる。

【００２７】（第３の実施形態）図６および図７を参照
しながら第３の実施形態の装置について説明する。な
お、本実施形態が上述の実施形態と共通する部分の説明
は省略する。プラズマ処理装置１Ｂは、プラズマ生成領
域から未反応ガスを排気するための排気ボックス２Ａを
備えている。この排気ボックス２Ａは例えば２つの箱部
材２ａ，２ｂを組み合わせてなるものであり、全体とし
てヒータ２を取り囲むように取り付けられている。排気
ボックス２Ａの主面には複数の孔もしくはスリット状の
排気口１４が開口している。これらの排気口１４はヒー
タ２に保持された基板３の周縁部近傍にそれぞれ位置し
ている。また、排気ボックス２Ａの上下左右には真空ポ
ンプ（図示せず）により真空排気される排気ダクト１３
Ａがそれぞれ連通している。

【００２８】このようなプラズマ処理装置１Ｂによれ
ば、製膜処理スペースの容積が小さくなり、製膜処理ス
ペースの排気特性が改善される。このため従来の製膜ユ
ニットカバー内の淀み域におけるパーティクルの発生が
無くなり、全体としてパーティクルの発生が抑制され
る。

【００２９】（第４の実施形態）図８を参照しながら第
４の実施形態の装置について説明する。なお、本実施形
態が上述の実施形態と共通する部分の説明は省略する。
プラズマ処理装置１Ｃは、上記第１実施形態の電源回路
８，９と上記第３実施形態の排気ボックス２Ａとを兼備
している。

【００３０】このようにすると基板３は周囲よりも更に
アース電位に近い状態となり、生成プラズマが基板３の
ほうに集中し、製膜ユニットカバー２０が無い状態であ
ってもプラズマ閉じ込めと同様の効果が得られ、製膜速
度の増大化を図ることができるとともに、製膜処理スペ
ースの容積が小さくなり、製膜処理スペースの排気特性
が改善される。

【００３１】（第５の実施形態）図９を参照しながら第
５の実施形態の装置について説明する。なお、本実施形
態が上述の実施形態と共通する部分の説明は省略する。
プラズマ処理装置１Ｄは、ガス供給機構５から供給され
た反応性ガスを基板３のほうへ案内するためのガスガイ
ド１７を備えている。このガスガイド１７は、ガス供給
機構５からラダー電極４までの間の材料ガスの散逸を抑
制するため、および反応性ガスの膜形成効率を向上させ
るために、上記第１実施形態から第４実施形態までの装
置と組み合わせて用いる補助的な構成部材である。この
ようなガスガイド１７を用いることにより製膜速度が更
に５〜１０％向上する。

【００３２】なお、上記実施形態では５００ｍｍ×５０
０ｍｍサイズの基板に製膜する場合について説明した
が、本発明はこれのみに限られることなく例えば１００
０ｍｍ×１０００ｍｍサイズの大型基板に製膜すること
も可能である。

【００３３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、バ
イアス電位印可手段により電極と基板との間および処理
ユニットと基板との間のうち少なくとも一方に電位差を
印可することにより、基板は周囲よりも更にアース電位
に近い状態となり、生成プラズマが基板のほうに集中
し、製膜ユニットカバーが無い状態であってもプラズマ
閉じ込めと同様の効果が得られる。このためヒータや電
極の周囲スペースが開放状態となり、未反応ガスの排気
効率が改善される。これによりパーティクルの発生が抑
制されるとともに、製膜速度が増大し、処理スループッ
トが大幅に向上する。

【００３４】また、排気ダクトをプラズマ生成領域に開
口連通させ、プラズマ生成領域およびその周辺域に存在
する未反応ガスを積極的に排気することにより、未反応
ガスが周囲に拡散することがなくなるので、製膜処理ス
ペースの構成部材が汚れにくくなる。これにより定期的
な洗浄作業の間隔を延ばすことができ、メンテナンスコ
ストを低減することができる。

【００３５】また、排気ボックスをヒータに取り付ける
ことにより、製膜処理スペース（製膜処理雰囲気）の容
積が小さくなり、製膜処理スペースの排気特性が改善さ
れる。このため従来の製膜ユニットカバー（製膜室）内
のガス流れ淀み域におけるパーティクルの発生が無くな
り、全体としてパーティクルの発生が抑制される。

【００３６】また、バイアス電位印可手段と排気ボック
スとを組み合わせるようにすると、バイアス電位印可に
よるプラズマの基板側への集中と未反応ガスの排気との
相乗効果により、更に製膜速度が増大するとともに膜質
が向上する。

【００３７】さらに、ガスガイドを用いてガス供給機構
から供給される反応性ガスを基板のほうへ案内するよう
にすると、反応性ガスの膜形成効率が向上し、製膜速度
がさらに向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装
置の概要を示す斜視図。

【図２】第１実施形態のプラズマ処理装置の要部を示す
構成ブロック図。

【図３】電極又は製膜ユニットに印可するバイアス電位
と製膜速度との相関を示す特性線図。

【図４】本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装
置の概要を示す斜視図。

【図５】第２実施形態のプラズマ処理装置の要部を示す
構成ブロック図。

【図６】本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装
置の概要を示す斜視図。

【図７】第３実施形態のプラズマ処理装置の要部を示す
構成ブロック図。

【図８】本発明の第４の実施形態に係るプラズマ処理装
置を示す構成ブロック図。

【図９】本発明の第５の実施形態に係るプラズマ処理装
置を示す構成ブロック図。

【図１０】従来のプラズマ処理装置の概要を示す外観斜
視図。

【符号の説明】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…プラズマ処理装置、１ａ
…ユニットフレーム（処理ユニット）、２…ヒータ、２
Ａ…排気ボックス、３…基板、４…電極、５…ガス供給
機構、６…防着板、７…高周波電源、８，９…電源回路
（バイアス電位印可手段）、８ａ，９ａ…可変直流電
源、８ｂ，９ｂ…ローパスフィルタ、１０，１３，１３
Ａ…排気ダクト、１１，１２，１４，１５…排気口、１
７…ガスガイド、１９…制御器、２０…製膜ユニットカ
バー、２１…排気メッシュ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K030 AA06 AA13 AA18 BA40 EA11 FA03 JA17 KA20 KA23 KA30 5F004 AA15 BA05 BA07 BB12 BB13 BB23 BB26 BB28 CA03 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AC15 BB08 BB10 BB14 EB05 EC01 EF02 EF08 EG10 EH04 EH05 EH06 EH14 EH19 EH20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】生成プラズマにより反応性ガスを分解反
応させて基板の表面を処理するプラズマ処理装置におい
て、被処理基板を保持し加熱するヒータと、このヒータ上の被処理基板に対面配置される電極と、この電極と被処理基板との間に反応性ガスを供給するガ
ス供給機構を備えた処理ユニットと、前記電極と被処理基板との間に高周波電力を印可して前
記反応性ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構
と、前記電極および前記処理ユニットのうちの少なくとも一
方と被処理基板との間に電位差を生じさせ、生成プラズ
マを被処理基板のほうに変位させるバイアス電位印可手
段と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】上記バイアス電位印可手段は、上記電極
と被処理基板との間に５０ボルト以上の電位差を生じさ
せることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装
置。
【請求項３】上記バイアス電位印可手段は、上記処理
ユニットと被処理基板との間に１００ボルト以上の電位
差を生じさせることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項４】生成プラズマにより反応性ガスを分解反
応させて基板の表面を処理するプラズマ処理装置におい
て、被処理基板を保持し加熱するヒータと、このヒータ上の被処理基板に対面配置される電極と、この電極と被処理基板との間に反応性ガスを供給するガ
ス供給機構を備えた処理ユニットと、前記電極と被処理基板との間に高周波電力を印可して前
記反応性ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構
と、被処理基板から前記電極までの間の領域に連通開口する
排気口を有し、該排気口を介してプラズマ生成領域およ
びその周辺域に存在する未反応ガスを排気する排気機構
と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】上記排気機構の排気口は、少なくとも被
処理基板の近傍にて開口していることを特徴とする請求
項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】生成プラズマにより反応性ガスを分解反
応させて基板の表面を処理するプラズマ処理装置におい
て、被処理基板を保持し加熱するヒータと、このヒータ上の被処理基板に対面配置される電極と、この電極と被処理基板との間に反応性ガスを供給するガ
ス供給機構を備えた処理ユニットと、前記電極と被処理基板との間に高周波電力を印可して前
記反応性ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構
と、前記ヒータ部分に設けられた排気ボックスを備え、該排
気ボックスは被処理基板の周縁部近傍にて開口する排気
口を有し、該排気口を介してプラズマ生成領域およびそ
の周辺域に存在する未反応ガスを排気する排気機構と、
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】生成プラズマにより反応性ガスを分解反
応させて基板の表面を処理するプラズマ処理装置におい
て、被処理基板を保持し加熱するヒータと、このヒータ上の被処理基板に対面配置される電極と、この電極と被処理基板との間に反応性ガスを供給するガ
ス供給機構を備えた処理ユニットと、前記電極と被処理基板との間に高周波電力を印可して前
記反応性ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構
と、前記電極および前記処理ユニットのうちの少なくとも一
方と被処理基板との間に電位差を生じさせ、生成プラズ
マを被処理基板のほうに変位させるバイアス電位印可手
段と、前記ヒータに設けられた排気ボックスを備え、該排気ボ
ックスは被処理基板の周縁部近傍にて開口する排気口を
有し、該排気口を介してプラズマ生成領域およびその周
辺域に存在する未反応ガスを排気する排気機構と、を具
備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】上記バイアス電位印可手段は、上記電極
と被処理基板との間に５０ボルト以上の電位差を生じさ
せることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装
置。
【請求項９】上記バイアス電位印可手段は、上記処理
ユニットと被処理基板との間に１００ボルト以上の電位
差を生じさせることを特徴とする請求項７記載のプラズ
マ処理装置。
【請求項１０】さらに、上記ガス供給機構から電極に
至るまでの非プラズマ生成領域を覆い、かつ電極から被
処理基板に至るまでのプラズマ生成領域は覆わない、前
記ガス供給機構から供給される反応性ガスを被処理基板
のほうへ案内するガスガイドを有することを特徴とする
請求項１、４、６、７のいずれか１項に記載のプラズマ
処理装置。