JP2004079744A - プラズマcvd製膜装置 - Google Patents
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
【課題】製膜速度、膜厚の均一性を向上することを課題とする。
【解決手段】真空容器11と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータ21と、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極14と、この放電用電極に接続された高周波電源20と、前記真空容器内に前記電極の基板側と異なる側を囲むように配置された製膜ユニット16と、前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段21とを具備し、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にしたことを特徴とするプラズマCVD製膜装置。
【選択図】 図1
【解決手段】真空容器11と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータ21と、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極14と、この放電用電極に接続された高周波電源20と、前記真空容器内に前記電極の基板側と異なる側を囲むように配置された製膜ユニット16と、前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段21とを具備し、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にしたことを特徴とするプラズマCVD製膜装置。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アモルファスシリコン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用されるプラズマCVD製膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば非晶質シリコン太陽電池を製造するために適用されるプラズマCVD製膜装置として、図4に示すものが知られている。
【0003】
図中の符番1はアース線2に接続された真空容器であり、内部に基板加熱用ヒータ3及び放電用電極4が対向して配置されている。前記基板加熱用ヒータ2の内側には基板5が支持されている。前記放電用電極4は箱状の製膜用ユニット6の上部開口部分に支持されている。前記真空容器1には、図示しないが、真空容器1内に原料ガスを導入する原料ガス導入管が連通されているとともに、排気管を介して真空ポンプが接続されている。前記放電用電極4には、高周波電源7が電気的に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のプラズマCVD製膜装置においては、印加高周波の波長が十分に長いため、直流的なアースは実質的に高周波的なアースと考えられて問題がないとされてきた。しかし、近年、VHF帯の電源を用いたプラズマCVD装置が注目されるようになってきたが、この場合、直流的なアースが高周波的には充分なアースとならない問題が生じた。
【0005】
即ち、本来、アース電位となるべき場所が、高周波的には充分なアースとなっていないため、投入した高周波電力が、本来消費されるべき場所で消費されにくい状況が生じた。従って、従来の装置では、基板に形成される製膜の均一性が十分でなく、また製膜速度も十分でなかった。
【0006】
また、本出願人は、先に「高周波プラズマ発生装置及び方法」として、製膜ユニットと基板ヒータとを導電性の接続手段で接続する提案をした(特開2002−134415)。しかし、係る発明でも、製膜の均一性、製膜速度の点で充分ではなかった。
【0007】
本発明は、こうした事情を考慮してなされたもので、基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段を備え、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることにより、従来と比べ良好な均一性及び製膜速度が得られるプラズマCVD製膜装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空容器と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極と、この放電用電極に接続された高周波電源と、前記真空容器内に前記電極の基板側と異なる側を囲むように配置された製膜ユニットと、前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段とを具備し、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にしたことを特徴とするプラズマCVD製膜装置である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について更に具体的に説明する。
本発明は、上記したように、基板加熱用ヒータと製膜ユニットを接地強化用接続手段により電気的に接続させ、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることを特徴とする。具体的には、図5に示すように、基板加熱用ヒータ3と製膜ユニット6とを最短の位置で接地強化用接続手段8により接続させるものである。ここで、「接地強化」とは、高周波的なアースを強化するため、十分低いインピーダンスで製膜ユニット(チャンバーアース)と基板加熱用ヒータとを接続することを意味する。具体的には、後述する図1に開示したような表面積の広い板状の接地強化用SUS箔を用いて基板加熱用ヒータと製膜ユニットとを最短距離で接地する。また、図1のSUS箔の代わりに図2のようなSUSリボン、あるいは図3に示すような撚り線を用いてもよい。
【0010】
本発明において、「給電部基準点」とは放電用電極に給電している点を意味し、「接地基準点」とは給電点に最も近い対向電極の接地点を意味する。具体的には、図1における放電用電極の点Pが給電部基準点であり、点Qが基板用加熱ヒータ(対向電極を兼ねる)の接地基準点を示す。
【0011】
本発明において、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内に設定した理由は、経路長が1/2波長を越えると、接地強化によるプラズマ密度の向上及びプラズマの均一化の効果が小さくなるからである。
【0012】
本発明において、前記接地強化用接続手段は、少なくとも2箇所で前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットとを接続することが好ましい。従って、後述する実施例のように2箇所でもよいし、3箇所以上で接続してもよい。
【0013】
【実施例】
以下、本発明の一実施例に係るプラズマCVD製膜装置ついて図1(A),(B)を参照して説明する。ここで、図1(A)は同装置の全体図、図1(B)は図1(A)の一構成要素である接地強化用SUS箔の説明図を示す。なお、下記実施例に述べた各部材の数値、材質は一例を示すもので、本発明はこれらに限定されない。
【0014】
図中の符番11はアース線12に接続された真空容器であり、内部に基板加熱用ヒータ13、及びガス流れ用の多数の格子状穴(図示せず)が形成された放電用電極14が対向して配置されている。ここで、基板用加熱用ヒータ13は対向電極を兼ねている。前記基板加熱用ヒータ13の内側には基板15が支持されている。前記放電用電極14は、前記基板15と反対側の放電用電極14を支持しながら囲む箱状の製膜ユニット16により開口部分に支持されている。
【0015】
前記製膜ユニット16には、ガスを導入する導入手段としての原料ガス導入管17が連通され、この原料ガス導入管17から製膜ユニット16の内部、放電用電極の格子状穴を通って放電用電極14と基板15間のプラズマ領域に供給されるようになっている。前記放電用電極14には、同軸ケーブル18を介してインピーダンス整合器19、電源周波数が30〜300MHzの高周波電源20が順次電気的に接続されている。
【0016】
前記基板加熱用ヒータ13と製膜ユニット15とは、図1(A),(B)に示すように板状の接地強化用SUS箔(接地強化用接続手段)21により2箇所で接続されている。ここで、給電部基準点Pから接地基準点Qまでの経路長は、1/2波長以下である。また、前記SUS箔21の形状は、例えば給電部基準点Pから接地基準点Qとの距離が35mmで、幅100mmである。前記反応容器11には、ガスを排気する排気手段としての排気管22を介して真空ポンプ23が接続されている。
【0017】
上記実施例によれば、基板加熱用ヒータ13と製膜ユニット16とが接地強化用接続手段としての板状の接地強化用SUS箔21により2箇所で接続され、かつ給電部基準点Pから接地基準点Qまでの経路長が1/2波長以下に設定された構造であるので、従来装置と比較して製膜速度が向上するとともに、膜厚の均一性も向上できる。事実、従来装置(従来技術)及び本実施例装置(本発明)による製膜速度(相対値)、膜厚均一性は下記表1のとおりである。
【0018】
【表1】
表1より、本発明が従来技術と比較して製膜速度及び膜厚均一性の点で優れることが明らかである。
【0019】
なお、上記実施例では、接地強化用接続手段として図1に示すような板状の接地強化用SUS箔を用いた場合について述べたが、これに限らず、図2に示すように複数の接地強化用SUSリボン31、あるいは図3に示すように複数の接地強化用撚り線32を用いてもよい。また、SUS箔を用いて2箇所で基板加熱用ヒータと製膜ユニットとの接地強化を行なったが、これに限らず、3箇所以上で設置強化を行なってもよい。
【0020】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段を備え、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることにより、従来と比べ良好な均一性及び製膜速度が得られるプラズマCVD製膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るプラズマCVD製膜装置の説明図。
【図2】図1の装置の一構成である接地強化用接続手段の変形例を示す説明図。
【図3】図1の装置の一構成である接地強化用接続手段のその他の変形例を示す説明図。
【図4】従来のプラズマCVD製膜装置の説明図。
【図5】本発明に係るプラズマCVD製膜装置の概略説明図。
【符号の説明】
11…真空容器、
12…アース線、
13…基板用加熱ヒータ、
14…放電用電極、
15…基板、
16…製膜ユニット、
17…原料ガス導入管(導入手段)、
18…同軸ケーブル、
19…インピーダンス整合器、
20…高周波電源、
21…接地強化用SUS箔(接地強化用接続手段)
22…排気管(ガス排気手段)、
23…真空ポンプ、
31…接地強化用SUSリボン、
32…接地強化用撚り線。
【発明の属する技術分野】
本発明は、アモルファスシリコン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用されるプラズマCVD製膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えば非晶質シリコン太陽電池を製造するために適用されるプラズマCVD製膜装置として、図4に示すものが知られている。
【0003】
図中の符番1はアース線2に接続された真空容器であり、内部に基板加熱用ヒータ3及び放電用電極4が対向して配置されている。前記基板加熱用ヒータ2の内側には基板5が支持されている。前記放電用電極4は箱状の製膜用ユニット6の上部開口部分に支持されている。前記真空容器1には、図示しないが、真空容器1内に原料ガスを導入する原料ガス導入管が連通されているとともに、排気管を介して真空ポンプが接続されている。前記放電用電極4には、高周波電源7が電気的に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のプラズマCVD製膜装置においては、印加高周波の波長が十分に長いため、直流的なアースは実質的に高周波的なアースと考えられて問題がないとされてきた。しかし、近年、VHF帯の電源を用いたプラズマCVD装置が注目されるようになってきたが、この場合、直流的なアースが高周波的には充分なアースとならない問題が生じた。
【0005】
即ち、本来、アース電位となるべき場所が、高周波的には充分なアースとなっていないため、投入した高周波電力が、本来消費されるべき場所で消費されにくい状況が生じた。従って、従来の装置では、基板に形成される製膜の均一性が十分でなく、また製膜速度も十分でなかった。
【0006】
また、本出願人は、先に「高周波プラズマ発生装置及び方法」として、製膜ユニットと基板ヒータとを導電性の接続手段で接続する提案をした(特開2002−134415)。しかし、係る発明でも、製膜の均一性、製膜速度の点で充分ではなかった。
【0007】
本発明は、こうした事情を考慮してなされたもので、基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段を備え、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることにより、従来と比べ良好な均一性及び製膜速度が得られるプラズマCVD製膜装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空容器と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極と、この放電用電極に接続された高周波電源と、前記真空容器内に前記電極の基板側と異なる側を囲むように配置された製膜ユニットと、前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段とを具備し、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にしたことを特徴とするプラズマCVD製膜装置である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について更に具体的に説明する。
本発明は、上記したように、基板加熱用ヒータと製膜ユニットを接地強化用接続手段により電気的に接続させ、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることを特徴とする。具体的には、図5に示すように、基板加熱用ヒータ3と製膜ユニット6とを最短の位置で接地強化用接続手段8により接続させるものである。ここで、「接地強化」とは、高周波的なアースを強化するため、十分低いインピーダンスで製膜ユニット(チャンバーアース)と基板加熱用ヒータとを接続することを意味する。具体的には、後述する図1に開示したような表面積の広い板状の接地強化用SUS箔を用いて基板加熱用ヒータと製膜ユニットとを最短距離で接地する。また、図1のSUS箔の代わりに図2のようなSUSリボン、あるいは図3に示すような撚り線を用いてもよい。
【0010】
本発明において、「給電部基準点」とは放電用電極に給電している点を意味し、「接地基準点」とは給電点に最も近い対向電極の接地点を意味する。具体的には、図1における放電用電極の点Pが給電部基準点であり、点Qが基板用加熱ヒータ(対向電極を兼ねる)の接地基準点を示す。
【0011】
本発明において、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内に設定した理由は、経路長が1/2波長を越えると、接地強化によるプラズマ密度の向上及びプラズマの均一化の効果が小さくなるからである。
【0012】
本発明において、前記接地強化用接続手段は、少なくとも2箇所で前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットとを接続することが好ましい。従って、後述する実施例のように2箇所でもよいし、3箇所以上で接続してもよい。
【0013】
【実施例】
以下、本発明の一実施例に係るプラズマCVD製膜装置ついて図1(A),(B)を参照して説明する。ここで、図1(A)は同装置の全体図、図1(B)は図1(A)の一構成要素である接地強化用SUS箔の説明図を示す。なお、下記実施例に述べた各部材の数値、材質は一例を示すもので、本発明はこれらに限定されない。
【0014】
図中の符番11はアース線12に接続された真空容器であり、内部に基板加熱用ヒータ13、及びガス流れ用の多数の格子状穴(図示せず)が形成された放電用電極14が対向して配置されている。ここで、基板用加熱用ヒータ13は対向電極を兼ねている。前記基板加熱用ヒータ13の内側には基板15が支持されている。前記放電用電極14は、前記基板15と反対側の放電用電極14を支持しながら囲む箱状の製膜ユニット16により開口部分に支持されている。
【0015】
前記製膜ユニット16には、ガスを導入する導入手段としての原料ガス導入管17が連通され、この原料ガス導入管17から製膜ユニット16の内部、放電用電極の格子状穴を通って放電用電極14と基板15間のプラズマ領域に供給されるようになっている。前記放電用電極14には、同軸ケーブル18を介してインピーダンス整合器19、電源周波数が30〜300MHzの高周波電源20が順次電気的に接続されている。
【0016】
前記基板加熱用ヒータ13と製膜ユニット15とは、図1(A),(B)に示すように板状の接地強化用SUS箔(接地強化用接続手段)21により2箇所で接続されている。ここで、給電部基準点Pから接地基準点Qまでの経路長は、1/2波長以下である。また、前記SUS箔21の形状は、例えば給電部基準点Pから接地基準点Qとの距離が35mmで、幅100mmである。前記反応容器11には、ガスを排気する排気手段としての排気管22を介して真空ポンプ23が接続されている。
【0017】
上記実施例によれば、基板加熱用ヒータ13と製膜ユニット16とが接地強化用接続手段としての板状の接地強化用SUS箔21により2箇所で接続され、かつ給電部基準点Pから接地基準点Qまでの経路長が1/2波長以下に設定された構造であるので、従来装置と比較して製膜速度が向上するとともに、膜厚の均一性も向上できる。事実、従来装置(従来技術)及び本実施例装置(本発明)による製膜速度(相対値)、膜厚均一性は下記表1のとおりである。
【0018】
【表1】
表1より、本発明が従来技術と比較して製膜速度及び膜厚均一性の点で優れることが明らかである。
【0019】
なお、上記実施例では、接地強化用接続手段として図1に示すような板状の接地強化用SUS箔を用いた場合について述べたが、これに限らず、図2に示すように複数の接地強化用SUSリボン31、あるいは図3に示すように複数の接地強化用撚り線32を用いてもよい。また、SUS箔を用いて2箇所で基板加熱用ヒータと製膜ユニットとの接地強化を行なったが、これに限らず、3箇所以上で設置強化を行なってもよい。
【0020】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段を備え、給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にすることにより、従来と比べ良好な均一性及び製膜速度が得られるプラズマCVD製膜装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るプラズマCVD製膜装置の説明図。
【図2】図1の装置の一構成である接地強化用接続手段の変形例を示す説明図。
【図3】図1の装置の一構成である接地強化用接続手段のその他の変形例を示す説明図。
【図4】従来のプラズマCVD製膜装置の説明図。
【図5】本発明に係るプラズマCVD製膜装置の概略説明図。
【符号の説明】
11…真空容器、
12…アース線、
13…基板用加熱ヒータ、
14…放電用電極、
15…基板、
16…製膜ユニット、
17…原料ガス導入管(導入手段)、
18…同軸ケーブル、
19…インピーダンス整合器、
20…高周波電源、
21…接地強化用SUS箔(接地強化用接続手段)
22…排気管(ガス排気手段)、
23…真空ポンプ、
31…接地強化用SUSリボン、
32…接地強化用撚り線。
Claims (3)
- 真空容器と、この真空容器内にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段と、前記真空容器内に配置され、基板を支持する基板加熱用ヒータと、前記真空容器内に前記基板と対向するように配置された放電用電極と、この放電用電極に接続された高周波電源と、前記真空容器内に前記電極の基板側と異なる側を囲むように配置された製膜ユニットと、前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットを電気的に接続する接地強化用接続手段とを具備し、
給電部基準点から接地基準点までの経路長を波長の1/2以内にしたことを特徴とするプラズマCVD製膜装置。 - 前記接地強化用接続手段は、平面形状が四角形のSUS箔、複数のSUSリボン、複数の撚り線のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD製膜装置。
- 前記接地強化用接続手段は、少なくとも2箇所で前記基板加熱用ヒータと前記製膜ユニットとを接続することを特徴とする請求項1若しくは請求項2記載のプラズマCVD製膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002237380A JP2004079744A (ja) | 2002-08-16 | 2002-08-16 | プラズマcvd製膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002237380A JP2004079744A (ja) | 2002-08-16 | 2002-08-16 | プラズマcvd製膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004079744A true JP2004079744A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=32021151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002237380A Pending JP2004079744A (ja) | 2002-08-16 | 2002-08-16 | プラズマcvd製膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011640A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002134415A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマ発生装置及び方法 |
-
2002
- 2002-08-16 JP JP2002237380A patent/JP2004079744A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011640A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002134415A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高周波プラズマ発生装置及び方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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