JP2000219972A - プラズマ処理用ユニット - Google Patents
プラズマ処理用ユニットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板表面に成膜される膜厚分布の改善、排気メ
ッシュの洗浄の容易化、基板周辺からの集中排気，均一
な排気の容易化を図ったことを課題とする。 【解決手段】反応性ガスをプラズマで分解反応させて基
板加熱用ヒータ１１にセットされた基板表面に成膜を行
うプラズマ処理用ユニットにおいて、前記基板加熱用ヒ
ータ11に設置された、基板側が開口された箱状の成膜ユ
ニットカバー13と、この成膜ユニットカバー13内に前記
基板と向き合うように配置されたプラズマ電極15とを具
備し、前記基板加熱用ヒータ11からプラズマ電極15近傍
までの前記成膜ユニットカバー13を排気用メッシュ16に
したことを特徴とするプラズマ処理用ユニット。
ッシュの洗浄の容易化、基板周辺からの集中排気，均一
な排気の容易化を図ったことを課題とする。 【解決手段】反応性ガスをプラズマで分解反応させて基
板加熱用ヒータ１１にセットされた基板表面に成膜を行
うプラズマ処理用ユニットにおいて、前記基板加熱用ヒ
ータ11に設置された、基板側が開口された箱状の成膜ユ
ニットカバー13と、この成膜ユニットカバー13内に前記
基板と向き合うように配置されたプラズマ電極15とを具
備し、前記基板加熱用ヒータ11からプラズマ電極15近傍
までの前記成膜ユニットカバー13を排気用メッシュ16に
したことを特徴とするプラズマ処理用ユニット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装
置、ドライエッチング装置などの反応性ガスをプラズマ
雰囲気で分解反応させるプラズマ処理ユニットに関し、
特にプラズマ処理ユニットカバーやその周囲に改良を施
したプラズマ処理用ユニットに関する。
置、ドライエッチング装置などの反応性ガスをプラズマ
雰囲気で分解反応させるプラズマ処理ユニットに関し、
特にプラズマ処理ユニットカバーやその周囲に改良を施
したプラズマ処理用ユニットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ処理装置の代表例である
プラズマＣＶＤ装置において、このプラズマ処理ユニッ
ト、即ち成膜ユニットとしては、図１に示すものが知ら
れている。図中の符番１は、基板（図示せず）をセット
する基板加熱用ヒータである。この基板加熱用ヒータ１
の基板側には、成膜用ユニット３が設置されている。こ
の成膜用ユニット３は、基板側が開口した成膜ユニット
カバー４と、この成膜ユニットカバー４内に前記基板と
向き合うように配置されたプラズマ電極（図示せず）
と、排気用メッシュ５とから構成されている。ここで、
排気用メッシュ５は、プラズマ電極と成膜用ヒータ１間
の成膜ユニットカバー４の四方方向（左右，上下方向）
に複数個形成された開口部にそれぞれ設けられている。
また、排気用メッシュ５は、成膜ユニット内で発生させ
るプラズマエネルギーが成膜ユニット外部へ漏れないよ
う、１０〜５０メッシュ程度のメッシュ又は同程度の穴
が開いたパンチングメタルなどで構成されている。
プラズマＣＶＤ装置において、このプラズマ処理ユニッ
ト、即ち成膜ユニットとしては、図１に示すものが知ら
れている。図中の符番１は、基板（図示せず）をセット
する基板加熱用ヒータである。この基板加熱用ヒータ１
の基板側には、成膜用ユニット３が設置されている。こ
の成膜用ユニット３は、基板側が開口した成膜ユニット
カバー４と、この成膜ユニットカバー４内に前記基板と
向き合うように配置されたプラズマ電極（図示せず）
と、排気用メッシュ５とから構成されている。ここで、
排気用メッシュ５は、プラズマ電極と成膜用ヒータ１間
の成膜ユニットカバー４の四方方向（左右，上下方向）
に複数個形成された開口部にそれぞれ設けられている。
また、排気用メッシュ５は、成膜ユニット内で発生させ
るプラズマエネルギーが成膜ユニット外部へ漏れないよ
う、１０〜５０メッシュ程度のメッシュ又は同程度の穴
が開いたパンチングメタルなどで構成されている。
【０００３】こうした構成の成膜ユニットにおいて、プ
ラズマ電極で分解・反応したガスは、基板に向かい成膜
されるが、成膜に寄与するものはプラズマＣＶＤ装置で
はせいぜい数％と少量となるため、大部分は成膜ユニッ
ト３から排気される。前記成膜ユニット３からの排気
は、成膜ユニットカバー４に設けられた排気用メッシュ
５から排気される。
ラズマ電極で分解・反応したガスは、基板に向かい成膜
されるが、成膜に寄与するものはプラズマＣＶＤ装置で
はせいぜい数％と少量となるため、大部分は成膜ユニッ
ト３から排気される。前記成膜ユニット３からの排気
は、成膜ユニットカバー４に設けられた排気用メッシュ
５から排気される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、排気用メッ
シュ５では基板周辺から見ると、メッシュ付近と違うも
のでは、排気状況が異なること及び成膜に寄与するラジ
カルには有限の寿命が存在するため、基板に順次到達す
る成膜に寄与するラジカルの濃度の分布が生じてしま
い、結果的には基板の膜厚分布が発生する。具体的に
は、基板周辺やコーナ部分にて、成膜に寄与するラジカ
ル濃度が低下して膜厚が薄くなり易い。
シュ５では基板周辺から見ると、メッシュ付近と違うも
のでは、排気状況が異なること及び成膜に寄与するラジ
カルには有限の寿命が存在するため、基板に順次到達す
る成膜に寄与するラジカルの濃度の分布が生じてしま
い、結果的には基板の膜厚分布が発生する。具体的に
は、基板周辺やコーナ部分にて、成膜に寄与するラジカ
ル濃度が低下して膜厚が薄くなり易い。
【０００５】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口
された箱状の成膜ユニットカバーと、この成膜ユニット
カバー内に基板と向き合うように配置されたプラズマ電
極とを具備し、基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍
までの前記成膜ユニットカバーを排気用メッシュにした
構成とすることにより、基板周辺から均等に排気させ、
基板表面に成膜される膜厚の分布を改善しえるプラズマ
処理用ユニットを提供することを目的とする。
もので、基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口
された箱状の成膜ユニットカバーと、この成膜ユニット
カバー内に基板と向き合うように配置されたプラズマ電
極とを具備し、基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍
までの前記成膜ユニットカバーを排気用メッシュにした
構成とすることにより、基板周辺から均等に排気させ、
基板表面に成膜される膜厚の分布を改善しえるプラズマ
処理用ユニットを提供することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、成膜ユニットカバーの基
板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するための取
付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが着脱自
在に設けた構成とすることにより、排気メッシュの取り
外しを容易にする。従来は排気メッシュをボルト等で固
定してたが、これは、成膜時に付着した膜や粉の悪影響
を割けるため定期的に成膜ユニットの洗浄を行うにあた
り、洗浄を容易化しえるプラズマ処理用ユニットを提供
することを目的とする。
板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するための取
付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが着脱自
在に設けた構成とすることにより、排気メッシュの取り
外しを容易にする。従来は排気メッシュをボルト等で固
定してたが、これは、成膜時に付着した膜や粉の悪影響
を割けるため定期的に成膜ユニットの洗浄を行うにあた
り、洗浄を容易化しえるプラズマ処理用ユニットを提供
することを目的とする。
【０００７】更に、本発明は、前記成膜ユニットカバー
の基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの排気を
強制的に行うダクトを設けた構成とすることにより、基
板周辺からの集中排気，均一な排気をなしえるプラズマ
処理用ユニットを提供することを目的とする。
の基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの排気を
強制的に行うダクトを設けた構成とすることにより、基
板周辺からの集中排気，均一な排気をなしえるプラズマ
処理用ユニットを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応性ガスを
プラズマで分解反応させて基板加熱用ヒータにセットさ
れた基板表面に成膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処
理用ユニットにおいて、前記基板加熱用ヒータに設置さ
れた、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニット
カバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基
板と向き合うように配置されたプラズマ電極とを具備
し、前記基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍までの
前記プラズマ処理ユニットカバーを排気用メッシュにし
たことを特徴とするプラズマ処理用ユニットである。
プラズマで分解反応させて基板加熱用ヒータにセットさ
れた基板表面に成膜等のプラズマ処理を行うプラズマ処
理用ユニットにおいて、前記基板加熱用ヒータに設置さ
れた、基板側が開口された箱状のプラズマ処理ユニット
カバーと、このプラズマ処理ユニットカバー内に前記基
板と向き合うように配置されたプラズマ電極とを具備
し、前記基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍までの
前記プラズマ処理ユニットカバーを排気用メッシュにし
たことを特徴とするプラズマ処理用ユニットである。
【０００９】本発明において、排気用メッシュの幅（基
板加熱用ヒータからの距離）は、３ｍｍ〜プラズマ電極
近傍までの距離（５０ｍｍ程度）が好ましく、より好ま
しくは１０ｍｍ〜４０ｍｍである。ここで、排気用メッ
シュの幅が３ｍｍ未満の場合基板周辺からの排気が十分
ではなく、５０ｍｍを超えると基板へ流すガスが基板に
到達する前に外部に漏れ、成膜に十分に寄与しないため
好ましくない。
板加熱用ヒータからの距離）は、３ｍｍ〜プラズマ電極
近傍までの距離（５０ｍｍ程度）が好ましく、より好ま
しくは１０ｍｍ〜４０ｍｍである。ここで、排気用メッ
シュの幅が３ｍｍ未満の場合基板周辺からの排気が十分
ではなく、５０ｍｍを超えると基板へ流すガスが基板に
到達する前に外部に漏れ、成膜に十分に寄与しないため
好ましくない。
【００１０】本発明においては、成膜ユニットカバーの
基板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するための
取付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが着脱
自在に設けることが好ましい。これにより、排気用メッ
シュの取り換え作業性を向上することができる。
基板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するための
取付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが着脱
自在に設けることが好ましい。これにより、排気用メッ
シュの取り換え作業性を向上することができる。
【００１１】本発明においては、成膜ユニットカバーの
基板基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの排気
を強制的に行うダクトを設けることが好ましい。これに
より、成膜室などのプラズマ処理室内の形状等に影響す
ることなく、排気用メッシュからの均等な排気へ改善さ
れ、基板上の膜厚分布を改善できる。
基板基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの排気
を強制的に行うダクトを設けることが好ましい。これに
より、成膜室などのプラズマ処理室内の形状等に影響す
ることなく、排気用メッシュからの均等な排気へ改善さ
れ、基板上の膜厚分布を改善できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るプラ
ズマＣＶＤ装置に使用されるプラズマ処理用ユニットに
ついて図面を参照して説明する。 （実施例１）図２（Ａ），（Ｂ）を参照する。ここで、
図２（Ａ）は実施例１に係るプラズマ処理用ユニットの
斜視図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の要部の部分的に切欠
した断面図を示す。
ズマＣＶＤ装置に使用されるプラズマ処理用ユニットに
ついて図面を参照して説明する。 （実施例１）図２（Ａ），（Ｂ）を参照する。ここで、
図２（Ａ）は実施例１に係るプラズマ処理用ユニットの
斜視図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の要部の部分的に切欠
した断面図を示す。
【００１３】図中の符号１１は、基板１２をセットした
基板加熱用ヒータである。この基板加熱用ヒータ１１の
基板１２側には、成膜用ユニット１３が設置されてい
る。この成膜用ユニット１３は、基板１２側が開口した
成膜ユニットカバー１４と、この成膜ユニットカバー１
４内に前記基板と向き合うように配置されたプラズマ電
極１５と、排気用メッシュ（１０〜５０メッシュ程度）
１６とから構成されている。ここで、排気用メッシュ１
６は、基板加熱用ヒータ１１からプラズマ電極１５近傍
（図２（Ｂ）参照）まで幅Ｗ（約３〜５０ｍｍ）の分、
前記成膜ユニットカバー１１の周方向に沿って形成され
ている。なお、プラズマ電極１５の周辺（点線部分）の
圧は、原料ガスがプラズマエネルギで分解されるため、
周囲と比べてより僅かに高くなっている。また、前記成
膜用メッシュ１６の代わりに、１０〜５０メッシュ程度
と同程度の穴の開いたパンチグメタル（例えば金属板）
を用いてもよい。
基板加熱用ヒータである。この基板加熱用ヒータ１１の
基板１２側には、成膜用ユニット１３が設置されてい
る。この成膜用ユニット１３は、基板１２側が開口した
成膜ユニットカバー１４と、この成膜ユニットカバー１
４内に前記基板と向き合うように配置されたプラズマ電
極１５と、排気用メッシュ（１０〜５０メッシュ程度）
１６とから構成されている。ここで、排気用メッシュ１
６は、基板加熱用ヒータ１１からプラズマ電極１５近傍
（図２（Ｂ）参照）まで幅Ｗ（約３〜５０ｍｍ）の分、
前記成膜ユニットカバー１１の周方向に沿って形成され
ている。なお、プラズマ電極１５の周辺（点線部分）の
圧は、原料ガスがプラズマエネルギで分解されるため、
周囲と比べてより僅かに高くなっている。また、前記成
膜用メッシュ１６の代わりに、１０〜５０メッシュ程度
と同程度の穴の開いたパンチグメタル（例えば金属板）
を用いてもよい。
【００１４】このように、上記実施例１に係るプラズマ
処理用ユニットは、基板加熱用ヒータ１１からプラズマ
電極１５近傍までの成膜ユニットカバー１４を排気用メ
ッシュ１６にした構成となっているため、基板周辺やコ
ーナ部分からの排気が良好になり、膜厚分布を改善する
ことができる。
処理用ユニットは、基板加熱用ヒータ１１からプラズマ
電極１５近傍までの成膜ユニットカバー１４を排気用メ
ッシュ１６にした構成となっているため、基板周辺やコ
ーナ部分からの排気が良好になり、膜厚分布を改善する
ことができる。
【００１５】事実、基板面からの排気用メッシュ幅と成
膜速度，膜厚分布との関係を調べたところ、図３に示す
ような結果が得られた。なお、図３において、（イ）は
成膜速度を、（ロ）は膜厚分布を示し、メッシュ幅０と
は従来のものを示す。但し、評価条件は、ＳｉＨ4 ／Ｎ
Ｈ3 ／Ｎ2 ＝約１：１．７：１４、圧力１．０Ｔｏｒｒ
で供給して成膜したＳｉＮx 膜である。図３から、３ｍ
ｍ以上の排気用メッシュ幅を確保すれば、基板周辺やコ
ーナ部分からの排気が良好になり、膜厚分布が改善され
ることが判明した。実際には、この排気用メッシュも長
時間の成膜処理で成膜ユニット内の空間で発生した粉や
膜で閉塞して行く可能性があるため、十分な余裕を持つ
必要があるため、排気用メッシュの幅は３ｍｍ〜５０ｍ
ｍを確保することが望ましい。
膜速度，膜厚分布との関係を調べたところ、図３に示す
ような結果が得られた。なお、図３において、（イ）は
成膜速度を、（ロ）は膜厚分布を示し、メッシュ幅０と
は従来のものを示す。但し、評価条件は、ＳｉＨ4 ／Ｎ
Ｈ3 ／Ｎ2 ＝約１：１．７：１４、圧力１．０Ｔｏｒｒ
で供給して成膜したＳｉＮx 膜である。図３から、３ｍ
ｍ以上の排気用メッシュ幅を確保すれば、基板周辺やコ
ーナ部分からの排気が良好になり、膜厚分布が改善され
ることが判明した。実際には、この排気用メッシュも長
時間の成膜処理で成膜ユニット内の空間で発生した粉や
膜で閉塞して行く可能性があるため、十分な余裕を持つ
必要があるため、排気用メッシュの幅は３ｍｍ〜５０ｍ
ｍを確保することが望ましい。
【００１６】（実施例２）図４を参照する。本実施例２
は、成膜用メッシュの成膜ユニットカバーへの着脱が容
易なプラズマ処理用ユニットに関する。
は、成膜用メッシュの成膜ユニットカバーへの着脱が容
易なプラズマ処理用ユニットに関する。
【００１７】図中の符番２１は枠状の成膜ユニットカバ
ーを示し、基板加熱用ヒータ側に配置される。この成膜
ユニットカバー２１の上下，左右の側壁には一対のガイ
ドレール（取付け具）２２が平行に設けられている。こ
れらのガイドレール２２には、複数の成膜用メッシュ
（１０〜５０メッシュ程度）２３を組み込んだ板状のメ
ッシュ枠体２４が夫々着脱自在に装着されている。な
お、成膜用メッシュ２３の代わりに、１０〜５０メッシ
ュ程度と同程度の穴の開いたパンチグメタル（例えば金
属板）を用いてもよい。
ーを示し、基板加熱用ヒータ側に配置される。この成膜
ユニットカバー２１の上下，左右の側壁には一対のガイ
ドレール（取付け具）２２が平行に設けられている。こ
れらのガイドレール２２には、複数の成膜用メッシュ
（１０〜５０メッシュ程度）２３を組み込んだ板状のメ
ッシュ枠体２４が夫々着脱自在に装着されている。な
お、成膜用メッシュ２３の代わりに、１０〜５０メッシ
ュ程度と同程度の穴の開いたパンチグメタル（例えば金
属板）を用いてもよい。
【００１８】上記実施例２に係るプラズマ処理用ユニッ
トによれば、成膜ユニットカバー２１の上下，左右の側
壁に一対のガイドレール２２を設け、これらのガイドレ
ール２２に複数の成膜用メッシュ２３を組み込んだ板状
のメッシュ枠体２４が夫々着脱自在に装着された構成と
なっているため、メッシュ枠体２４をガイドレール２２
に差し込んだり、抜き取るだけで着脱が簡単にできるの
で、着脱の作業時間を従来と比べ著しく（１／１０以
下）低減できる。また、従来のようなボルト締め構造に
よる損傷を回避できる。
トによれば、成膜ユニットカバー２１の上下，左右の側
壁に一対のガイドレール２２を設け、これらのガイドレ
ール２２に複数の成膜用メッシュ２３を組み込んだ板状
のメッシュ枠体２４が夫々着脱自在に装着された構成と
なっているため、メッシュ枠体２４をガイドレール２２
に差し込んだり、抜き取るだけで着脱が簡単にできるの
で、着脱の作業時間を従来と比べ著しく（１／１０以
下）低減できる。また、従来のようなボルト締め構造に
よる損傷を回避できる。
【００１９】（実施例３）図５（Ａ），（Ｂ）を参照す
る。ここで、図５（Ａ）は実施例３に係るプラズマ処理
用ユニットの部分的に切欠した斜視図、図５（Ｂ）は図
５（Ａ）の縦断面図を示す。但し、図２と同部材は同符
号を付して説明を省略する。
る。ここで、図５（Ａ）は実施例３に係るプラズマ処理
用ユニットの部分的に切欠した斜視図、図５（Ｂ）は図
５（Ａ）の縦断面図を示す。但し、図２と同部材は同符
号を付して説明を省略する。
【００２０】図中の符番３１は、基板加熱用ヒータ１１
からプラズマ電極１５より幅約３〜５０ｍｍの分、前記
成膜用ユニット１３の周方向に沿って形成された排気用
メッシュを示す。前記基板加熱用ヒータ１１からプラズ
マ電極１５近傍に位置する成膜用ユニット１３の外側
（上下，左右方向）には、長方形状の排気口３２を夫々
有したダクト３３が設けられている。
からプラズマ電極１５より幅約３〜５０ｍｍの分、前記
成膜用ユニット１３の周方向に沿って形成された排気用
メッシュを示す。前記基板加熱用ヒータ１１からプラズ
マ電極１５近傍に位置する成膜用ユニット１３の外側
（上下，左右方向）には、長方形状の排気口３２を夫々
有したダクト３３が設けられている。
【００２１】上記実施例３に係るプラズマＣＶＤ装置用
成膜ユニットによれば、基板加熱用ヒータ１１からプラ
ズマ電極１５近傍に位置する成膜ユニットカバー１４の
外側に排気口３２を有したダクト３３が設けられた構成
となっているため、若干の圧力損失を設けた排気口３２
からガスが排出される。従って、成膜室などのプラズマ
処理室内の形状等に影響することなく、排気用メッシュ
３１からの均等な排気へ改善され、基板１２上の膜厚分
布が改善される。
成膜ユニットによれば、基板加熱用ヒータ１１からプラ
ズマ電極１５近傍に位置する成膜ユニットカバー１４の
外側に排気口３２を有したダクト３３が設けられた構成
となっているため、若干の圧力損失を設けた排気口３２
からガスが排出される。従って、成膜室などのプラズマ
処理室内の形状等に影響することなく、排気用メッシュ
３１からの均等な排気へ改善され、基板１２上の膜厚分
布が改善される。
【００２２】前記ダクト３３を設けたのは、次のような
理由による。つまり、成膜ユニットはプラズマ処理室内
に設けられ、成膜ユニットからの排気はプラズマ処理室
に設けられた真空排気口から排出される。しかし、この
真空排気口の位置は成膜ユニットから均等に排気を排出
できる位置関係とすることは難しく、プラズマ処理室内
の形状等が複雑に関係してくる。これによって、基板面
では上下左右対象な均一成膜が得られずに、偏った成膜
分布となり易く、膜厚分布へ悪影響をきたす。本実施例
では、こうした課題を解決するための上記ダクト３３を
設けた。
理由による。つまり、成膜ユニットはプラズマ処理室内
に設けられ、成膜ユニットからの排気はプラズマ処理室
に設けられた真空排気口から排出される。しかし、この
真空排気口の位置は成膜ユニットから均等に排気を排出
できる位置関係とすることは難しく、プラズマ処理室内
の形状等が複雑に関係してくる。これによって、基板面
では上下左右対象な均一成膜が得られずに、偏った成膜
分布となり易く、膜厚分布へ悪影響をきたす。本実施例
では、こうした課題を解決するための上記ダクト３３を
設けた。
【００２３】なお、上記ダクトは、従来の製膜ユニット
に適用しても、ある程度の膜厚分布の改善を図ることが
できる。
に適用しても、ある程度の膜厚分布の改善を図ることが
できる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状
の成膜ユニットカバーと、この成膜ユニットカバー内に
基板と向き合うように配置されたプラズマ電極とを具備
し、基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍までの前記
成膜ユニットカバーを排気用メッシュにした構成とする
ことにより、基板周辺から均等に排気させ、基板表面に
成膜される膜厚の分布を改善しえるプラズマ処理用ユニ
ットを提供できる。
板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口された箱状
の成膜ユニットカバーと、この成膜ユニットカバー内に
基板と向き合うように配置されたプラズマ電極とを具備
し、基板加熱用ヒータからプラズマ電極近傍までの前記
成膜ユニットカバーを排気用メッシュにした構成とする
ことにより、基板周辺から均等に排気させ、基板表面に
成膜される膜厚の分布を改善しえるプラズマ処理用ユニ
ットを提供できる。
【００２５】また、本発明によれば、成膜ユニットカバ
ーの基板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するた
めの取付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが
着脱自在に設けた構成とすることにより、排気メッシュ
の取り外しを容易にし、洗浄を容易化しえるプラズマ処
理用ユニットを提供できる。
ーの基板加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するた
めの取付け具を設け、この取付け具に排気用メッシュが
着脱自在に設けた構成とすることにより、排気メッシュ
の取り外しを容易にし、洗浄を容易化しえるプラズマ処
理用ユニットを提供できる。
【００２６】更に、本発明によれば、前記成膜ユニット
カバーの基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの
排気を強制的に行うダクトを設けた構成とすることによ
り、基板周辺からの集中排気，均一な排気をなしえるプ
ラズマ処理用ユニットを提供できる。
カバーの基板加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの
排気を強制的に行うダクトを設けた構成とすることによ
り、基板周辺からの集中排気，均一な排気をなしえるプ
ラズマ処理用ユニットを提供できる。
【図１】従来のプラズマ処理用ユニットの説明図。
【図２】本発明の実施例１に係るプラズマ処理用ユニッ
トの説明図。
トの説明図。
【図３】基板面からの排気用メッシュ幅と、成膜速度，
膜厚分布との関係を示す特性図。
膜厚分布との関係を示す特性図。
【図４】本発明の実施例２に係るプラズマ処理用ユニッ
トに使用される成膜ユニットカバーの斜視図。
トに使用される成膜ユニットカバーの斜視図。
【図５】本発明の実施例３に係るプラズマ処理用ユニッ
トに使用される成膜ユニットカバーの斜視図。
トに使用される成膜ユニットカバーの斜視図。
１，１１…基板加熱用ヒータ、 １２…基板、 １３…成膜ユニット、 ４，１４，２１…成膜ユニットカバー、 １５…プラズマ電極、 ３，１６，２３，３１…排気用メッシュ、 ２２…ガイドレール、 ２４…メッシュ枠体、 ３２…排気口、 ３３…ダクト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA13 AA18 BA40 EA11 FA03 KA12 KA23 KA45 5F004 AA01 AA15 BB23 BB26 BB28 BC08
Claims (3)
- 【請求項１】 反応性ガスをプラズマで分解反応させて
基板加熱用ヒータにセットされた基板表面に成膜等のプ
ラズマ処理を行うプラズマ処理用ユニットにおいて、 前記基板加熱用ヒータに設置された、基板側が開口され
た箱状のプラズマ処理ユニットカバーと、このプラズマ
処理ユニットカバー内に前記基板と向き合うように配置
されたプラズマ電極とを具備し、前記基板加熱用ヒータ
からプラズマ電極近傍までの前記プラズマ処理ユニット
カバーを排気用メッシュにしたことを特徴とするプラズ
マ処理用ユニット。 - 【請求項２】 前記プラズマ処理ユニットカバーの基板
加熱用ヒータ側に排気用メッシュを着脱するための取付
け具が設けられ、この取付け具に排気用メッシュが着脱
自在に設けられていることを特徴とする請求項１記載の
プラズマ処理用ユニット。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理ユニットカバーの基板
加熱用ヒータ側に、排気用メッシュからの排気を強制的
に行うダクトを設けたことを特徴とする請求項１もしく
は請求項２記載のプラズマ処理用ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022436A JP2000219972A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | プラズマ処理用ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022436A JP2000219972A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | プラズマ処理用ユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000219972A true JP2000219972A (ja) | 2000-08-08 |
Family
ID=12082659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022436A Pending JP2000219972A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | プラズマ処理用ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000219972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220424A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜カバーおよび真空処理装置 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP11022436A patent/JP2000219972A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005220424A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜カバーおよび真空処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050523 |
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| A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051212 |
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