TWI390075B - Touch chemical chemical vaporization device - Google Patents

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Description

觸媒體化學氣相成長裝置
本發明係關於藉由利用由通電而發熱的觸媒體的作用而分解原料氣體而於基板上使薄膜堆積之觸媒體化學氣相成長裝置。
作為製造各種半導體裝置或液晶顯示器等之成膜法，例如廣泛地使用化學氣相成長法(CVD法)。
從先前作為CVD法，可知熱CVD法、電漿CVD法等，但近年來，將通電加熱的鎢等的母線(wire)(以下，稱為「觸媒體」)作為觸媒，藉由由此觸媒體的觸媒作用而分解供給於反應室內的原料氣體而於基板上使薄膜堆積之觸媒體化學氣相成長法(也被稱為：觸媒體CVD法、Cat－CVD法或熱線CVD法)被實用化。
觸媒體化學氣相成長法係因為比起熱CVD法，可在低溫成膜，另外，亦沒有如電漿CVD法般的因電漿的產生而於基板產生損傷等的問題，所以作為次世代裝置製作之有前述的成膜技術而被注目著。另外，從裝置構成簡易之點也是看來有前途。將此情事，使用表示觸媒體化學氣相成長裝置的一般性的裝置構成的概念圖之第1圖而說明。
於觸媒體化學氣相成長裝置的處理室1內，係設置：於內部具備加熱器(heater)2之基板載置台3、和相對於載置台3上的基板4而設置之由鎢或銥等的高融點金屬線所構成的觸媒體5；觸媒體5係經由電力輸入部11a、11b而連接於處理室外部的電力供給源6。另外，於處理室1的上部係設置位於觸媒體5的正上方之具備多數的氣體吹出口7a之噴淋板7，從處理室外部的原料氣體供給源8供給的反應氣體係從吹出口7a朝向觸媒體5而噴出。
另外，於處理室1係設置經由排氣口9而用以對處理室內部作排氣之真空排氣機構10。
在如此的觸媒體化學氣相成長裝置，係有：於成膜中，由噴淋板7與基板4的位置關係，來自噴淋板7的原料氣體於基板4作為前導物(precursor)或反應種(reactive species)未必幾乎全部附著，因將原料氣體及不附著於基板4的原料氣體作為起源之前導物或反應種之不合適、或因來自發熱的觸媒體5之熱傳導或輻射熱而電力輸入部11a、11b或處理室內部構成構件及處理室內壁等的溫度上昇，起因於該溫度上昇之不適合等的問題。
例如：於專利文獻1的第5圖所示之物，係在發熱體CVD裝置，為了防止在形成矽膜或是矽化合物時發熱體的低溫部矽化物化，所以將發熱體連接於電源的連接端子部收容於中空的蓋體內，於此中空蓋體內導入沖洗氣體而使其流動至成膜區域方向。
或是，例如：表示於專利文獻2的第1圖之物，係在由發熱體CVD裝置之多結晶矽膜的成膜時，為了防止為懸鍵(dangling bond)的發生要因之原子狀氫的去活化(deactivation)，所以對於由以加熱治具包圍含有原料氣體供給器與基板之間的發熱體之間隙而形成的成膜區域，進行充分地加熱。
專利文獻1：日本特開2002－93723號公報(第5圖)專利文獻2：日本特開2003－218046號公報(第1圖)
在觸媒體化學氣相成長裝置，係於前述矽化物化或原子狀氫的失活以外，亦被想為阻礙所希望成膜之主要原因。在此之中，特別成為問題者為起因於真空系統內的吸附氣體分子之污染物質產生。
縱使將真空室內進行了清淨地表面處理，在基板交換等的作業若將內部曝露於大氣，則空氣中的水分等氣體分子變成吸附於該表面。在此狀態，若使觸媒體化學氣相成長裝置動作，則例如在第1圖的處理室1，有因來自伴隨通電加熱的觸媒體5之熱傳導及輻射熱之，電力輸入部11a、11b、處理室內部構成構件及處理室內壁等的溫度上昇，吸附於這些表面的氣體分子放出而成為問題之情事。
也就是，若在第1圖的觸媒體化學氣相成長裝置內對於觸媒體5進行通電加熱，則有吸附於前述表面的H2 O等的吸附氣體分子被從表面放出，此被放出之吸附氣體分子流入至噴淋板7與基板4之間的成膜區域之情事。該結果，流入的吸附氣體分子將觸媒體5作為媒體而以活性種(active species)激發，形成於基板4上的薄膜中作為不純物混入，變得不能得到所希望的膜質之薄膜。
另外，在包含電力輸入部等之靠內壁區域，亦有於處理室內部構成構件或處理室內壁表面堆積來自成膜區域的原料氣體或起因於該前導物或反應種之附著物，此附著物變成對於薄膜帶來不良影響之粒子的產生源之情事。
吸附氣體分子或附著物，附著於處理室內部構成構件的全部表面。因此，特別是，在追加有加熱零件的件數之專利文獻2之物，為了防止此情事之對策成為必要。
本發明係鑑於上述問題點，其課題為：進行起因於以H2 O代表之在處理室內表面的吸附氣體分子之放出氣體對策、同時進行由起因於原料氣體或該前導物或反應種的附著物之粒子對策，提供可進行所希望膜質的成膜之觸媒體化學氣相成長裝置。
為了解決上述課題，本發明的觸媒體化學氣相成長裝置，係具備：配置於可真空排氣的處理室內的基板、和於該處理室內供給成膜用的原料氣體之原料氣體供給源、和藉由通電而發熱，對該原料氣體作為觸媒而作用之觸媒體、和對該觸媒體供給電力之電力輸入部；利用該觸媒體的作用而於該基板上形成薄膜之觸媒體化學氣相成長裝置，其特徵為：設置將前述處理室內至少分為前述觸媒體和前述基板相對之成膜區域與其他的區域之間隔手段，以該成膜區域的壓力變得比其他的區域高的方式設置真空排氣手段。
由此，則在包含在處理室內的電力輸入部等之成膜區域外也就是靠內壁區域，壓力比起成膜區域變為低壓。在低壓力下因為熱傳導率下降，所以在此區域的溫度上昇係比成膜區域變成有抑制傾向。因而，在此靠內壁區域係抑制因通電加熱之溫度上昇，不僅由H2 O等吸附氣體分子之放出氣體的產生減少，而且產生的放出氣體不侵入成膜區域而被排氣。其結果，抑制起因於吸附氣體分子的不純物向基板上的薄膜中混入，可進行所希望膜質之成膜。
而且，在本發明的觸媒體化學氣相成長裝置，前述間隔手段係由圍繞前述成膜區域之周壁所構成，將來自前述原料氣體供給源之原料氣體供給於前述周壁的內側、同時以前述真空排氣手段作到對前述周壁的外側作排氣為其特徵。
由此，包含電力輸入部等之靠內壁區域，係成為前述周壁的外側，因為將該處以真空排氣手段排氣，所以從成膜區域流入的原料氣體及其前導物或反應種的滯留量少，可將在該區域之附著物的量變少。因而，不僅抑制起因於在此區域的處理室內部構成構件及處理室內壁表面的附著物之粒子產生，而且即使粒子產生，也不會侵入成膜區域，而會被排出。由此，在此區域之維護變得容易。
或是，將前述間隔手段由收容前述電力輸入部的中空體所構成，設置有對該中空體內作排氣的輔助排氣手段作為其特徵。
由此，以將供給電力於觸媒體的電力輸入部隔離於中空體內，將其內部空間藉由輔助排氣手段來排氣，而可將電力輸入部從成膜區域隔絕，維持其周邊與成膜區域之間的壓力差。
另外，其特徵為：前述間隔手段係由圍繞前述成膜區域之周壁及收容前述電力輸入部之中空體所構成，作到將來自前述原料氣體供給源之原料氣體供給於前述周壁的內側、同時以前述真空排氣手段對前述周壁的外側作排氣，且將前述中空體內以輔助排氣手段來真空排氣。
而且，將前述中空體與輔助排氣手段對於複數的電力輸入部而個別地設置作為其特徵。
然後，即使使用任一構成的間隔手段，在以前述間隔手段分離的兩區域之中，藉由在相對上壓力變低的區域設置導入沖洗氣體的導入手段，可防止由在同區域的吸附氣體分子之放出氣體滯留於區域內。而且，於被導入的沖洗氣體，可使用He、Ar、N2 、H2 、NH3 、N2 O等的氣體、或是該混合氣體。
任一氣體成分，都是對於矽烷等的原料氣體或處理室內部構成零件的表面具備化學上的安定物性之氣體成分。
本發明的觸媒體化學氣相成長裝置，係藉由以間隔手段之區域分離及成膜區域外的真空排氣或導入沖洗氣體，成膜區域的外側的壓力比成膜區域變為低壓。在此靠內壁區域的外側係抑制因向觸媒體的通電加熱之溫度上昇，不僅由H2 O等吸附氣體分子之放出氣體的產生減少，而且產生的放出氣體不侵入成膜區域而排氣。然後，其結果，抑制起因於吸附氣體分子的不純物向基板上的薄膜中混入，可進行所希望膜質之成膜。
另外，在前述成膜區域的外側，係藉由真空排氣或沖洗氣體導入而原料氣體及其前導物或反應種的量少，可將在此區域之這些的附著量變少。因而，不僅抑制起因於在此區域的處理室內部構成構件及處理室內壁表面的附著物之粒子產生，而且即使粒子產生，也不會侵入成膜區域而會被排出。由此，在此區域之維護變得容易。
於以下說明本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的實施例。而且，本發明的觸媒體化學氣相成長裝置，係特別在裝置的外部構成，與表示於第1圖的觸媒體化學氣相成長裝置的一般例為相同。因而，省略外部電源、真空排氣手段、閘閥(sluice valve)等的圖示。
實施例1
第2圖為表示本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第1實施例之概念圖。與表示於第1圖之一般的觸媒體化學氣相成長裝置相同，於處理室21的內部，設置：內藏加熱器2的基板載置台3、與由相對於載置台3上的基板4而配置的金屬鎢線或金屬銥線所構成的觸媒體5。而且，於載置台3係搭載於基板4的搬送時交接用的昇降銷3a、3b。然後，觸媒體5係藉由貫穿裝設於相互地相對的內壁21a、21b而設置之電力輸入部11a、11b而被支撐並拉伸架設。
另外，於處理室21的上方部分的內壁21c係，位於觸媒體5的正上方位置，配置具備多數的氣體吹出口7a之噴淋板7，來自原料氣體供給源8的反應氣體或載體氣體係經由氣體吹出口7a而被噴出於觸媒體5和基板4的方向。而且，藉由將噴淋板7與基板4相對的區域(成膜區域)以筒狀周壁23圍繞，進行空間上的區分，為了對筒狀周壁23的外側作排氣，於相對於設置噴淋板7的內壁21c之內壁21d的靠處理室側壁的位置，設置排氣口22。
由此，在處理室21內，係因為固定地存在有從噴淋板7朝向基板4方向的下沈氣流(down flow)，所以前述原料氣體或載體氣體，隨著此下沈氣流接觸觸媒體5而到達基板4。
另外，為了監測筒狀周壁23的內側也就是成膜區域26的壓力，設置真空計24。而且於筒狀周壁23的外側區域27流動沖洗氣體，所以設置了沖洗氣體導入口25。
在使用如此的構成之觸媒體化學氣相成長裝置而進行矽膜等之成膜時，以筒狀周壁23於空間上被間隔之成膜區域26係導入原料氣體及載體氣體，對於其外側區域27，相對上壓力變高。換言之，則包含各別設置於內壁21a、21b的電力輸入部11a、11b之外側區域27，係從設置於此區域27的排氣口22藉由無圖示的真空排氣手段而排氣，其結果，對於成膜區域26，相對上壓力變低。
因而，即使向觸媒體5的通電加熱時，在電力輸入部11a、11b或內壁21a~21d或是屬於基板載置台3的區域27之部分等，如上述般地溫度上昇被抑制，由吸附於這些表面之H2 O等的吸附氣體分子之放出氣體係減少。其結果，抑制起因於這些吸附氣體分子的不純物向基板4的附近侵入的事態。然後，由此所希望膜質之成膜成為可能。
另外，在外側區域27，係因為經常排氣，所以從成膜區域26流進來的原料氣體或其前導物或是反應種的滯留量少，可使不必要之膜的附著量下降。其結果，可抑制：起因於向區域27的內部構成構件(電力輸入部11a、11b或基板載置台3等)或內壁21a~21d的表面之附著物而產生的粒子量。而且，定期地進行維護變得容易。
另外，從沖洗氣體導入口25，將Ar或N2 等的氣體作為沖洗氣體而導入亦佳。由此，在區域27，可防止因來自內部構成構件表面的吸附氣體分子之放出氣體滯留於區域內。而且，可促進原料氣體或其前導物或反應種的排出，即使粒子產生亦以不對成膜區域26帶來影響的方式排出。
而且，沖洗氣體的導入，基本上，係成為成膜區域26及其外側區域27的兩區域間的壓力差變小的主要原因。因而，藉由真空計24等的壓力監測器，監視兩區域間的壓力差、同時導入沖洗氣體為最佳。
然後，在矽膜等的成膜時，藉由充分地流動沖洗氣體，亦可得到：防止起因於矽烷等的原料氣體之觸媒體的矽化物化之效果。
而且，於從沖洗氣體導入口25導入的沖洗氣體，可使用He、Ar、N2 、H2 、NH3 、N2 O等的氣體、或是該混合氣體。而且，即使為這些以外的成分氣體，若是對於矽烷等的原料氣體或處理室內部構成構件具備化學上的安定物性之物則亦可使用。
實施例2
第3圖為表示本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第2實施例之主要部分的概念圖，係表示成為表示於第1圖及第2圖的觸媒體化學氣相成長裝置安裝觸媒體5及其電力輸入部11a、11b的一例之觸媒線固定框架31之物。
在第3圖係觸媒體5串聯連接於外部電源32。在該折回部分，藉由支撐端子33而被支撐固定於框架31。另外，觸媒體5的兩端5b、5b，係經由兼任對於框架31的支撐端子之連接端子34、34而連接於外部電源32。
然後，將設置於複數處所的支撐端子33及連接端子34、34之各個以中空蓋體35覆蓋、同時，將連接於對中空蓋體35的內部排氣之輔助排氣手段(無圖示)之排氣管36個別地設置於每個端子。
將如此地構成之觸媒線固定框架31，沿著表示於第1圖的觸媒體化學氣相成長裝置的處理室1內的觸媒線拉伸架設位置的內壁而安裝。然後，藉由排氣管36而繼續進行中空蓋體35內的排氣、同時於中空蓋體35的外側之排氣口37流入原料氣體及載體氣體，通電加熱觸媒體5而進行矽膜等的成膜。
此時，收容支撐端子33或連接端子34、34之中空蓋體35內因為經由排氣管36而排氣，所以即使在中空蓋體35內放出氣體產生也不向壓力高的排氣口37放出，另外，因為為了導出中空蓋體35的觸媒體5，因為壓差而成膜區域37的原料氣體等即使流入中空蓋體35內亦立即排氣，所以對觸媒體5的連接部所造成之不合適亦不產生。
實施例3
第4圖為表示本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第3實施例的主要部分之概念圖。在表示於第3圖的觸媒線固定框架31係於每個支撐端子33及連接端子34、34設置個別的中空蓋體35，但本第3實施例的中空蓋體45係在框架31上一起收容排列於相同側的支撐端子33或連接端子34之一體構成。同時，用以對此中空蓋體45內作排氣的排氣管46，作為單一的排氣管而構成。
藉由作為如此的可共用之構成，裝置構成變為簡便，而且，對於成膜區域37之中空蓋體45內的壓力控制變得容易。
實施例4
第5圖為表示本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第4實施例的主要部分之概念圖，係於第4圖的一體構成的中空蓋體45，設置沖洗氣體導入管55之物。
如由此實施例，則與實施例2相同地，藉由將收容了支撐端子33或連接端子34的中空蓋體45內排氣，將中空蓋體45內維持於低壓而可抑制放出氣體的產生，從沖洗氣體導入管55，與實施例1相同，藉由將Ar或N2 等的氣體作為沖洗氣體導入，原料氣體或其前導物或是反應種，即使從用以導出中空蓋體45的觸媒體5之間隙流入中空蓋體45內，也立即被排氣。另外，即使在中空蓋體45內粒子產生，亦可以不對成膜區域37帶來影響的方式排出。
而且，在矽膜等的成膜時，藉由充分地流動沖洗氣體，亦可得到：防止起因於矽烷等的原料氣體之觸媒體的矽化物化之效果。
而且，於從沖洗氣體導入管55導入的沖洗氣體，可使用He、Ar、N2 、H2 、NH3 、N2 O等的氣體、或是該混合氣體之情事係與實施例1相同。
在上述實施例，係各別說明：將成膜區域26以筒狀周壁23圍繞的例子、與將觸媒體5的支撐端子33或連接端子34、34收容於中空蓋體35、45內的例子，但作到併用兩者亦佳。
實施例5
第6圖為表示本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第5實施例之概念圖。此裝置與表示於第2圖之實施例1的觸媒體化學氣相成長裝置的構成相異之處，係在應用於使用長條薄膜的基板64之捲取式的成膜裝置之點。在此捲取式觸媒體化學氣相成長裝置的處理室61，係基板64藉由薄膜的捲取操作而伴隨水冷密封容器(can)62的旋轉而移動，進行連續成膜。
另外，相對於基板64的被處理面而配置之由金屬鎢線或金屬銥線所構成的觸媒體5，藉由貫穿裝設於相對的內壁61a、61b而設置的電力輸入部11a、11b而支撐並被拉伸架設之點、或藉由將噴淋板67與基板64的被處理面相對的區域(成膜區域)以筒狀周壁63圍繞而在空間上區分之點、設置用以對筒狀周壁63的外側作排氣之排氣口22之點、設置用以監測筒狀周壁63的內側、也就是成膜區域66的壓力之真空計74之點、設置用以於筒狀周壁63的外側區域67流動沖洗氣體之沖洗氣體導入口65之點等係與實施例1相同。
然後，使用此捲取式觸媒體化學氣相成長裝置，在進行矽膜等的成膜時的處理操作或其作用，係除了長條薄膜的基板64於成膜處理中伴隨水冷密封容器62的旋轉而移動以外，與實施例1相同。
1．．．處理室
2．．．加熱器
3．．．基板載置台
3a．．．昇降銷
3b．．．昇降銷
4．．．基板
5．．．觸媒體
5b．．．兩端
6．．．電力供給源
7．．．噴淋板
7a．．．氣體吹出口
8．．．原料氣體供給源
9．．．排氣口
10．．．真空排氣機構
11a．．．電力輸入部
11b．．．電力輸入部
21．．．處理室
21c．．．內壁
21d．．．內壁
22．．．排氣口
23．．．筒狀周壁
24．．．真空計
25．．．沖洗氣體導入口
26．．．成膜區域
27．．．外側區域
31．．．觸媒線固定框架
32．．．外部電源
34．．．連接端子
35．．．中空蓋體
36．．．排氣管
37．．．成膜區域
45．．．中空蓋體
46．．．排氣管
55．．．沖洗氣體導入管
61．．．處理室
61a．．．內壁
61b．．．內壁
62．．．水冷密封容器
63．．．筒狀周壁
64．．．基板
65．．．沖洗氣體導入口
66．．．成膜區域
67．．．噴淋板
67．．．外側區域
74．．．真空計
[第1圖]為表示一般的觸媒體化學氣相成長裝置的裝置構成之概念圖。
[第2圖]為表示關於本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第1實施例的裝置構成之概略圖。
[第3圖]為表示關於本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第2實施例的主要部分構成例之概念圖。
[第4圖]為表示關於本發明的觸媒體化學氣相成長裝置的第3實施例的主要部分構成例之概念圖。
[第5圖]為表示關於本發明觸媒體化學氣相成長裝置的第4實施例的主要部分構成例之概念圖。
[第6圖]為表示關於本發明觸媒體化學氣相成長裝置的第5實施例的裝置構成之概念圖。
2．．．加熱器
3．．．基板載置台
3a．．．昇降銷
3b．．．昇降銷
4．．．基板
5．．．觸媒體
7．．．噴淋板
7a．．．氣體吹出口
8．．．原料氣體供給源
11a．．．電力輸入部
11b．．．電力輸入部
21．．．處理室
21a．．．內壁
21b．．．內壁
21c．．．內壁
21d．．．內壁
22．．．排氣口
23．．．筒狀周壁
24．．．真空計
25．．．沖洗氣體導入口
26．．．成膜區域
27．．．外側區域

Claims (9)

  1. 一種觸媒體化學氣相成長裝置，係具備：配置於可真空排氣的處理室內的基板、和於該處理室內供給成膜用的原料氣體之原料氣體供給源、和藉由通電而發熱，對該原料氣體作為觸媒而作用之觸媒體、和對該觸媒體供給電力之電力輸入部；利用該觸媒體的作用而於該基板上形成薄膜，其特徵為：設置將前述處理室內至少分為前述觸媒體和前述基板相對之成膜區域與其他的區域之間隔手段，以該成膜區域的壓力變得比其他的區域高的方式設置真空排氣手段。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，前述間隔手段係由圍繞前述成膜區域之周壁所構成，將來自前述原料氣體供給源之原料氣體供給於前述周壁的內側、同時以前述真空排氣手段對前述周壁的外側作排氣。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，前述間隔手段係由收容前述電力輸入部的中空體所構成，設置有對該中空體內作排氣的輔助排氣手段。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，前述間隔手段係由圍繞前述成膜區域之周壁及收容前述電力輸入部之中空體所構成，作到將來自前 述原料氣體供給源之原料氣體供給於前述周壁的內側、同時以前述真空排氣手段對前述周壁的外側作排氣，且將前述中空體內以輔助排氣手段來真空排氣。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，將前述中空體與輔助排氣手段，對於複數的電力輸入部個別地設置。
  6. 如申請專利範圍第1項、第2項及第4項中之任一項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，於前述周壁的外側區域設置導入沖洗氣體(purge gas)之導入手段。
  7. 如申請專利範圍第3項或第4項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，於前述中空體之中設置導入沖洗氣體(purge gas)之導入手段。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，前述沖洗氣體，為He、Ar、N2 、H2 、NH3 、N2 O等的氣體、或是那些的混合氣體。
  9. 如申請專利範圍第7項所記載的觸媒體化學氣相成長裝置，其中，前述沖洗氣體，為He、Ar、N2 、H2 、NH3 、N2 O等的氣體、或是那些的混合氣體。
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4842208B2 (ja) * 2007-05-14 2011-12-21 株式会社アルバック Ｃｖｄ装置、半導体装置、及び光電変換装置
CN101560650B (zh) * 2009-05-15 2011-01-05 江苏大学 一种多喷淋头的化学气相沉积反应室结构
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP2013209675A (ja) * 2010-07-22 2013-10-10 Ulvac Japan Ltd 成膜装置
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP5632836B2 (ja) * 2010-12-28 2014-11-26 日本精線株式会社 触媒構造物及びそれを用いた水素反応用モジュール
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
US8658533B2 (en) 2011-03-10 2014-02-25 International Business Machines Corporation Semiconductor interconnect structure with multi-layered seed layer providing enhanced reliability and minimizing electromigration
WO2012126520A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for coating using a hot wire
US20120269967A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Applied Materials, Inc. Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use
US8662941B2 (en) 2011-05-12 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Wire holder and terminal connector for hot wire chemical vapor deposition chamber
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
US8648465B2 (en) 2011-09-28 2014-02-11 International Business Machines Corporation Semiconductor interconnect structure having enhanced performance and reliability
CN103774118B (zh) * 2012-10-17 2016-03-02 理想能源设备(上海)有限公司 基片承载装置及金属有机化学气相沉积装置
WO2014149962A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Applied Materials, Inc. Apparatus for coupling a hot wire source to a process chamber
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
CN107164739B (zh) * 2017-06-12 2023-03-10 中国科学技术大学 Cvd生长多层异质结的方法和装置
CN107527856A (zh) * 2017-09-01 2017-12-29 河北羿珩科技有限责任公司 用于太阳能电池片焊接的丝网压固机构
CN108048816B (zh) * 2017-12-08 2023-09-22 中国科学技术大学 用于临近催化化学气相沉积的装置和方法
CN116411265A (zh) * 2021-12-31 2023-07-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种化学气相沉积装置及其方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5160544A (en) * 1990-03-20 1992-11-03 Diamonex Incorporated Hot filament chemical vapor deposition reactor
JP2002069644A (ja) * 2000-08-29 2002-03-08 Sony Corp 薄膜製造装置および薄膜製造方法
JP4435395B2 (ja) 2000-09-14 2010-03-17 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置
JP2002243898A (ja) * 2001-02-13 2002-08-28 Ebara Corp ビーム取り出し装置
JP4221489B2 (ja) * 2001-11-14 2009-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置及びこれを用いた発熱体ｃｖｄ方法
TWI245329B (en) * 2001-11-14 2005-12-11 Anelva Corp Heating element CVD device and heating element CVD method using the same
JP3787816B2 (ja) * 2002-10-04 2006-06-21 キヤノンアネルバ株式会社 発熱体ｃｖｄ装置
JP4399206B2 (ja) * 2003-08-06 2010-01-13 株式会社アルバック 薄膜製造装置
JP4374278B2 (ja) * 2004-05-17 2009-12-02 株式会社アルバック 触媒ｃｖｄ装置
KR100688836B1 (ko) * 2005-05-11 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치
KR100688837B1 (ko) * 2005-05-12 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 결정질 실리콘 증착을 위한 화학기상증착장치
KR100688838B1 (ko) * 2005-05-13 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 촉매 화학기상증착장치 및 촉매 화학기상증착방법
US20070128861A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Kim Myoung S CVD apparatus for depositing polysilicon

Also Published As

Publication number Publication date
DE112007000933B4 (de) 2014-11-20
CN101466867B (zh) 2011-03-23
KR101183500B1 (ko) 2012-09-20
US20090277386A1 (en) 2009-11-12
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CN101466867A (zh) 2009-06-24
JP4948021B2 (ja) 2012-06-06
JP2007284717A (ja) 2007-11-01
KR20080106576A (ko) 2008-12-08

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