JP2006135349A - 発熱体ｃｖｄ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造 - Google Patents

Abstract

【課題】発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を電気的に絶縁を図りつつ予め定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個又は複数個処理容器内に設置されている発熱体ＣＶＤ装置において、形成される膜特性向上と安定性向上を図る。
【解決手段】発熱体の端部に発熱体より大径の接続用ピンを配備し、接続用ピンの径より小さい内径の小孔を有すると共に該小孔を形成する周壁に軸方向に伸びるスリットを備えている接続端子のピン受けの該小孔に前記接続用ピンを嵌挿する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、真空室（処理容器）内に所定の温度に維持される発熱体を設け、原料ガスを前記発熱体によって分解及び／又は活性化させ、真空室（処理容器）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置及び、かかる発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造に関するものである。

ＬＳＩ（大規模集積回路）を始めとする各種半導体デバイスやＬＣＤ（液晶ディスプレイ）等の作製においては、基板上に所定の薄膜を形成するプロセスの１つとして化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）法が広く用いられている。

ＣＶＤ法には、放電プラズマ中で原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行うプラズマＣＶＤ法や、基板を加熱してその熱により化学反応を生じさせて成膜を行う熱ＣＶＤ法等がある。この他にも、所定の高温に維持した発熱体により原料ガスを分解及び／又は活性化させて成膜を行う方式のＣＶＤ法（以下、発熱体ＣＶＤ法と呼ぶ）がある。

発熱体ＣＶＤ法を行う成膜処理装置（発熱体ＣＶＤ装置）は、真空排気可能な処理室内に設けられたタングステン等の高融点金属からなる発熱体を１０００〜２０００℃程度の高温に維持しながら原料ガスを導入するよう構成されている。導入された原料ガスは、まず、発熱体の表面を通過する際に分解や活性化される。ついで、この分解や活性化された原料ガスが基板に到達することにより、最終的な目的物である材料の薄膜が基板の表面に堆積する。尚、このような発熱体ＣＶＤ法のうち、ワイヤ状の発熱体を用いるものについてはホットワイヤ（Hot Wire）ＣＶＤ法と呼ばれている。また、発熱体による原料ガスの分解あるいは活性化において発熱体の触媒反応を利用しているものについては触媒ＣＶＤ（またはＣａｔ−ＣＶＤ：Catalytic-CVD ）法と呼ばれている。

発熱体ＣＶＤ法では原料ガスの分解や活性化は、発熱体の表面を通過する際に起こるため、基板の熱のみによって反応を生じさせる熱ＣＶＤ法に比べて基板の温度を低くできるという長所がある。また、プラズマＣＶＤ法のようにプラズマを形成することがないので、プラズマによる基板へのダメージといった問題からも無縁である。このようなことから、発熱体ＣＶＤ法は、高集積化や高機能化が益々進む次世代の半導体デバイスや表示デバイス等の成膜法として有望視されている。

図７に従来の発熱体ＣＶＤ装置の概念図を示す。処理容器１の内部では基板（不図示）に対して薄膜形成という所定の処理がなされる。この処理容器１には、当該処理容器１内を真空に排気する排気系１１と、当該処理容器１内に薄膜形成のための所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系２１とが接続されている。 処理容器１内には、処理容器１内に供給された原料ガスが表面を通過するように発熱体３が配置されている。当該発熱体３には、これを発熱体ＣＶＤ法に要求される所定の温度（１６００〜２０００℃程度の高温）に加熱、維持するように、電力を与える電力供給機構３０が接続されている。また、処理容器１内には、ガス供給器２が発熱体３に対向して配置されている。

処理容器１内では、前記所定の高温に維持されている発熱体３によって分解及び／又は活性化された原料ガスによって基板（不図示）に所定の薄膜が形成される。この為、処理容器１内には、前記基板（不図示）を保持する基板ホルダー４が備えられている。

図７中、符号５で表されているのは、基板を処理容器１内に搬出入するためのゲートバルブである。また、基板ホルダー４には、従来公知のように、基板を加熱するための加熱機構が備えられているが、本発明では重要ではないので、その図示及び説明は省略している。

なお、図７図示の形態においては、原料ガス供給系２１は、不図示の原料ガスが充填されたボンベ、供給圧調整器、流量調整器、供給／停止切換バルブ等から構成されている。原料ガスは、この原料ガス供給系２１より処理容器１内のガス供給器２を介して処理容器１内に供給されている。

２種類以上の原料ガスを使用するプロセスでは、原料ガス供給系２１は使用されるガス種の数だけガス供給器２に並列に接続されることになる。

ガス供給器２は前記のように、処理容器１において発熱体３に対向して配置されている。また、ガス供給器２は中空構造となっており、基板ホルダー４と対向する面に多数のガス吹出孔２１０が形成されている。

一方、排気系１１は、排気速度調整機能を有するメインバルブ１２を介して処理容器１と接続されている。この排気速度調整機能により処理容器１内の圧力が制御される。

発熱体ＣＶＤ法では、基板（不図示）は薄膜形成という所定の処理が施される被処理物となる。この基板（不図示）は、ゲートバルブ５を介して処理容器１内に搬出／搬入される。

前記発熱体３は、一般に線状の部材からなるものであり、鋸歯状に折り曲げられ、少なくとも表面が絶縁体である支持体３１により保持されている。また、発熱体３は、電力供給機構３０からの電力供給線３２と接続端子３３により接続されている。発熱体３は、ここを介して電力の供給を受け、発熱体ＣＶＤ法に要求される所定の温度への加熱、所定の温度での維持が図られている。

電力供給機構３０には、通常、直流電源又は交流電源が用いられる。発熱体３は、電源から電力が供給されて、通電加熱により所定の温度に設定されるようになっている。この発熱体３を高温加熱することにより、原料ガスを分解及び／又は活性化し成膜を効率よく行うことができる。

通常、発熱体３は通電加熱により所定の温度（通常、成膜時は、１６００〜２０００℃程度という高温）に加熱される。このため、材料としては高融点金属が用いられ、一般にはタングステンが用いられる。

図７に示す発熱体ＣＶＤ装置による薄膜形成について、シリコン膜を作製する場合と窒化シリコン膜を作製する場合を例に挙げて説明する。

まず、シリコン膜を作製する場合には、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスが用いられる。窒化シリコン膜を作製する場合にはシランとアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガスが用いられる。処理容器１内の圧力は０．１〜１００Ｐａ程度である。何れの膜においても発熱体３は所定の温度（通常、成膜時は、１６００〜２０００℃程度という高温）にされている。また、基板ホルダー４に保持されている基板（不図示）の温度は、基板ホルダー４内の加熱機構（不図示）によって２００〜５００℃程度にされている。

前述した従来型の発熱体ＣＶＤ装置を用いて所定の成膜条件により、シリコン膜や窒化シリコン膜を形成した場合には次のような現象が生じる。発熱体に使用されている高融点金属、例えば、前述のタングステン線等がシランガスと反応してしまい、シリコン化合物を生成してしまうことがある（シリサイド化）。

このようなシリサイド化は、電力供給機構３０からの電力供給の接続部である接続端子３３近傍（すなわち、発熱体３の接続部領域）から進行する。この発熱体３の接続部領域は、発熱体の温度が成膜時に１６００℃程度より低くなる部分である。また、この発熱体３の接続部領域は、原料ガスと発熱体３との反応速度が、発熱体３の熱による原料ガス又はその分解種の蒸発速度よりも速くなってしまう部分でもある。

このシリサイド化によって、発熱体の組成及び径が変化してしまい、抵抗値が下がる。その結果、発熱量が減少し、最終的には発熱体全体の劣化が引き起こされ、発熱体の使用時間が長くなるにつれて成膜速度が低下する。また、これらシリサイド等の反応物は、一般的に蒸気圧が高いので、堆積された膜の汚染の原因ともなる。さらに、この発熱体の劣化にともない成膜されるシリコン膜や窒化シリコン膜の膜質も劣化する。

そこで、所定の処理枚数を行ったある時点で、処理容器１内の真空を大気開放し、発熱体３の交換を行う必要が生じていた。この発熱体３の交換は、生産性において問題であった。

図８は、従来例の支持体３１の部分を説明するものである。この従来例の支持体３１の部分では、発熱体３を線材３４（通常モリブデンが用いられる）により支持体３１に保持させて接触面積を低減して、熱伝導を低減させている。図８図示の従来例は、これによって発熱体３のやや温度が低くなる部分から進行するシリサイド化の防止を図ろうとしたものである。

しかし、この方法でも線材３４と接触した点の発熱体３の温度は少なからず低下してしまい、シリコン膜形成等でシランガスの圧力が高い等、成膜条件によってはその点からシリサイド化を生じてしまう。

また、この方法でも電力供給線３２との接続は省くことができない。このため、接続端子３３の部分では図７の場合と同様に結局シリサイド化を生じてしまう。 したがって、図８図示の構成を採用した発熱体ＣＶＤ装置においても、所定の処理枚数を行ったある時点で、処理容器１内の真空を大気開放し、発熱体３の交換を行う必要が生じていた。この発熱体３の交換は、生産性において問題であった。

一方、発熱体ＣＶＤ装置において成膜を繰り返し行うと、処理容器内部にも膜が付着し、やがて剥離してゴミの原因となる。本発明者は、このゴミの原因となる処理容器内部の付着膜を効率よく除去可能な除去方法、さらには、発熱体ＣＶＤ装置のin situ クリーニング法を提案している（特許文献１）。

この発明は、図７図示のような従来の発熱体ＣＶＤ装置におけるガス供給器２に、原料ガス供給系２１と同様の構成のクリーニングガス供給系を配設し、クリーニング時には、成膜時の原料ガスの代わりにガス供給器２を介して処理容器１にクリーニングガスを導入するものである。すなわち、処理容器１内を排気した後、内部に配設されている発熱体３を２０００℃以上に加熱保持し、この状態で発熱体３により分解及び／又は活性化されて生成される活性種が、付着膜と反応してこれを気体状物質に変換させることのできるクリーニングガスを処理容器１に導入し、生成された気体状物質を排気することにより付着膜を除去することを特徴とする発明である。この発明は、発熱体を２０００℃以上に保持することで、発熱体３自身がクリーニングガスと反応を起こさず安定であるという知見に基づいたものである。

しかし、その発明後、発熱体３を２０００℃以上に保持しようとしても、やはり電力供給機構３０からの電力供給の接続部である接続端子３３近傍といった部分は温度が低く、付着膜の除去を行うにしたがって、その部分がクリーニングガスとの反応によりエッチングされて徐々に細ってしまい、やがて切れてしまうことが判明した。したがって、ある時点で発熱体の交換を行う必要があり、量産性において問題となっていた。

また、図７、図８に示す発熱体ＣＶＤ装置を用いて、１ｍを越えるような大面積基板に成膜を行う場合、成膜される薄膜の膜厚均一性に関して改善すべき点が存在することが分かった。

具体的にはＣａｔ−ＣＶＤ法で、前述した図７、図８に示す発熱体ＣＶＤ装置を用い、大面積基板への成膜を行うべく、鋸歯状の発熱体３を基板の大きさと同等ほどの大きさにもなる大型の支持枠で保持させる従来の形態を使用した場合、熱膨脹によって発熱体３が垂下するという問題が生じる。すなわち、鋸歯状の発熱体３は１８００℃の加熱で約１％熱膨脹するので、大面積の基板に成膜すべく、１ｍの長さの発熱体３を用いると、１％の熱膨張で、最大７０ｍｍ発熱体３が垂下してしまう。最悪の場合には、通常５０ｍｍ程度とされている基板と発熱体３との間の距離以上に発熱体３が垂下することすら予想される。発明者らの研究によれば、成膜時において発熱している発熱体３と成膜処理が施される基板との間隔（距離）は、膜厚の均一性に大きく反映することが確認されている。

現在、次世代のガラス基板のサイズは１ｍ超サイズになることが予想されている。例えば、ＬＣＤにおいては１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、また、太陽電池においては９００ｍｍ×４５５ｍｍといった大型の基板を使用することが予定されている。このような大面積基板への成膜を行うにあたって、前述した熱膨脹による発熱体３の垂下の問題を軽減し、大面積基板に成膜された薄膜の膜厚均一性を確保すべく、本願出願人は改良された発熱体ＣＶＤ装置を既に提案しているところである（特許文献２＝特願２００２−５２９８２５）。

この改良された発熱体ＣＶＤ装置によって、処理容器（真空室）内に導入された原料ガスを発熱体によって分解及び／又は活性化させ、処理容器（真空室）内に配置されている基板上に薄膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の電力供給機構への接続部領域における、原料ガスによる発熱体の劣化を防止すると共に、前記発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体の電力供給機構への接続部領域における、処理容器内部の付着膜を除去するクリーニング時の、発熱体とクリーニングガスとの反応を防止することが可能になった。そして、これによって、発熱体の長寿命化と、成膜環境の安定化を実現できる量産性の良い発熱体ＣＶＤ装置を提供することができた。

更に、１ｍを越えるような大面積基板への成膜に対応することができ、なおかつ、このような大面積基板への成膜を行う場合であっても、膜厚の均一性を確保できる発熱体ＣＶＤ装置を提供することが可能になった。
特開２００１−４９４３６号公報 国際公開０２／２５７１２号パンフレット

本願の発明者は、前述した先に提案した発熱体ＣＶＤ装置について更に検討を加え、膜特性の更なる向上を図ると共に、発熱体と電力供給機構との間の接続構造に改良を加え、発熱体ＣＶＤ装置の更なる安定性向上を図ることを目的としてこの発明を完成させたものである。

本願で開示している発熱体ＣＶＤ装置は、内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成されるものである。そして、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして前記基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個、又は複数個、処理容器内に設置されている形態の発熱体ＣＶＤ装置である。

本願で開示している発熱体ＣＶＤ装置は、前述した形態において、発熱体が非接触で通過する発熱体通過孔と、ガス通過用の複数の貫通孔とを備えているシールド板が、当該発熱体通過孔を介して処理容器内側に延びている発熱体の部分と、接続端子ホルダーの処理容器内に向かう側の面との間に配備されていることを特徴とするものである。

次に本発明が提案する発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造は、内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置おける発熱体と電力供給機構とを接続端子を介して電気的に接続すると共に、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない発熱体と電力供給機構との間の接続部の構造に適用されるものである。

本発明が提案する発熱体と電力供給機構との間の接続構造は、前記の形態において、前記発熱体の端部には接続用ピンが備えられており、前記接続端子は前記発熱体端部の接続用ピンが挿脱される小孔を有するピン受けを備えていて、当該ピン受けの小孔の内径が前記接続用ピンの径より小さく、当該小孔を形成するピン受けの周壁に前記接続用ピンが挿脱される方向に伸びるスリットが設けられていることを特徴とするものである。

この発熱体と電力供給機構との間の接続構造において、接続端子は、処理容器内に向かう側に設けられていて、前記ピン受けに発熱体挿通孔を介して連通する接続端子内部空間を有していると共に、処理容器内に面する部分に当該接続端子内部空間と処理容器内とを連通するガス通過孔を有し、当該接続端子に接続される前記発熱体が非接触状態で当該ガス通過孔を挿通することによって、当該接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない構造を有し、前記発熱体挿通孔の接続端子内部空間に面する開口部側に、前記発熱体挿通孔の内周壁と、発熱体端部の接続用ピンとの間に介在されるスペーサが配備されている形態にすることができる。

なお、前述したいずれの本発明の提案する発熱体と電力供給機構との間の接続構造においても、処理容器内に設置されている一個、又は複数個の接続端子ホルダーが、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして基板ホルダーに対向させて支持する形態になっているようにすることができる。

本発明が提案する更に他の発熱体と電力供給機構との間の接続構造は、内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造であって、以下の構造を備えているものである。

処理容器内に設置されている一個、又は複数個の接続端子ホルダーが、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を電気的に絶縁を図りつつあらかじめ定められている位置に保持することによって、当該複数個の接続端子にそれぞれ接続される発熱体を基板ホルダーに対向させて支持している。 前記各接続端子ホルダーは、ガスを導入するガス導入系が接続されている第一の内部空間を有し、当該各接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている前記複数の接続端子はそれぞれの処理容器内側に向かう側に接続端子内部空間を備えていると共に、処理容器内に面する側に当該接続端子内部空間と処理容器内とを連通し、当該接続端子に接続される前記発熱体が非接触状態でそこを挿通するガス通過孔を備えていることによって、当該接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない構造を有している。

前記接続端子内部空間と前記接続端子ホルダーの第一の内部空間とが連通されていて、接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が前記第一の内部空間に配置されている。

そして、当該接続部及び配線部分の前記第一の内部空間に面する部分を覆うように絶縁材を配設し、及び／又は、接続端子ホルダーの前記第一の内部空間に面する面を絶縁材で被覆しているものである。

本願で開示している発熱体ＣＶＤ装置によれば、内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置であって、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして前記基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個、又は複数個、処理容器内に設置されている発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体が非接触で通過する発熱体通過孔と、ガス通過用の複数の貫通孔とを備えているシールド板が、発熱体通過孔を介して処理容器内側に延びている発熱体の部分と、接続端子ホルダーの処理容器内に向かう側の面との間に配備されているので、接続端子ホルダーが、発熱体の輻射熱により加熱されることがない。

そこで、接続端子ホルダー内にＯ−リングなどのシール材が用いられている場合であっても、接続端子ホルダーの温度がこれらのシール材の耐熱温度を越えることがないようにして発熱体ＣＶＤ装置の安定性の向上を図ることができる。更に、接続端子ホルダーの温度が前記シール材の耐熱温度を越えることがないように、例えば、冷却機構によって接続端子ホルダーを冷却する場合であっても、膜の付着は発熱体の輻射熱により加熱されるシールド板上に起こり、このとき、シールド板は加熱されているので、Ｈラジカルと付着膜との反応は生じず、処理容器内の空間におけるＨラジカル量が減少することもなくなり、膜特性の劣化を未然に防止することができる。

そして、本願発明に係る発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造によれば、前記の発熱体ＣＶＤ装置において、発熱体と電力供給機構との間の接続構造を改良することにより、安定性の向上を図ることができる。

以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。

図１、図２は、本願発明に係る発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造が適用される発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を示すものである。

発熱体ＣＶＤ装置における処理容器１や基板ホルダー４、及び排気系１１等の構造については、前記した図７に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置と同様であるため図示を省略している。また、図７に示した部材と同様の部材には同じ符号を付している。

図１図示の実施形態では、接続端子３１１が、絶縁体３１７、３１８によって電気的に絶縁されながら、内部に第一の内部空間６２を有している接続端子ホルダー６によって保持されている。

図２図示の実施形態では、接続端子３１１が、絶縁体３１７、３１８によって電気的に絶縁されながら、内部に第一の内部空間６２を有している接続端子ホルダー８によって保持されている。

図１図示の実施形態では、電力供給機構３０からの電力供給線３２が電力供給板５３に接続され、この電力供給板５３が、ナット３１３と接続端子３１１との間に挟持されている。一方、発熱体３の端部は、コイルバネ３３０によって接続端子３１１に押し付けられ、接続端子３１１に接続されている。

こうして、電力供給機構３０からの電力供給線３２の端部と、発熱体３の端部とが接続端子３１１を介して接続されている。

接続端子ホルダー６（図１）、８（図２）は、発熱体３を基板ホルダー４に対向させて支持しているものであり、処理容器１とは独立した構造体とされている。この接続端子ホルダー６、８は、電力供給機構３０、原料ガス供給系２１、ガス導入系６１に接続されている。

接続端子３１１は、処理容器１内側（図１、図２では下側）に接続端子内部空間７１ａを備えていると共に、処理容器１に面する部分に、接続端子内部空間７１ａと処理容器１内とを連通するガス通過孔７１ｂを備えている。

発熱体３は、ガス通過孔７１ｂ、接続端子内部空間７１ａの部分では接続端子３１１に対して接触しない状態で、これらのガス通過孔７１ｂ、接続端子内部空間７１ａを通り、接続端子３１１に接続される。

こうして発熱体３の接続端子３１１への接続部領域が処理容器１内の空間に露出していない構造になっている。これによって、成膜時にシランガス等の原料ガスが発熱体３の接続端子３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することを防止でき、また、付着膜除去（クリーニング）時に、クリーニングガスが発熱体３の接続端子３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することを抑制できる。

接続端子内部空間７１ａと、接続端子ホルダー６内部の第一の内部空間６２との間は、ガス流路３１９によって気体の導通可能とされている。また、接続端子ホルダー６内部の第一の内部空間６２にガスを導入するためのガス導入系６１が備えられている。

図１図示の実施形態では、ガス流路３１９は、発熱体３が接続端子３１１に接続される箇所の横に描かれているが、ガス流路３１９を発熱体３が接続端子３１１に接続される箇所そのものに臨ませることも可能である。

ガス導入系６１は、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアの中のいずれかのガス、またはこれらの２種以上からなる混合ガスを導入するためのガス供給系である。このガス供給系は、図７に示す原料ガス導入系２１と同様の構成のガス供給系である。

このように、図１図示の実施形態においては、ガス導入系６１より導入されたガス（パージガス）が、第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ及びガス通過孔７１ｂより処理容器１内へ導入される。

そこで、成膜時にシランガス等の原料ガスが発熱体３の接続端子３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することをより効果的に防止できる。更に、付着膜除去（クリーニング）時に、クリーニングガスが発熱体３の接続端子３１１への接続部領域（発熱体３のやや温度が低い部分）に接触することをより効果的に抑制できる。

更に、図１、図２図示の実施形態では、接続端子ホルダー６、８に、第二の内部空間２３が備えられており、この第二の内部空間２３には、原料ガス供給系２１が接続されている。また、第二の内部空間２３は、基板ホルダー４に対向する側の面に複数のガス吹き出し孔２１２を備えている。第二の内部空間２３は、当該ガス吹き出し孔２１２を介してのみ処理容器１内の空間に連通している。すなわち、図１、図２図示のように、第一の内部空間６２と第二の内部空間２３とは隔離されている。

尚、図１に示す本実施形態では、１つの発熱体３のみを示しているが、発熱体の数は任意である。また接続端子ホルダー６には発熱体３の数に応じた接続端子３１１が配設されていることは言うまでもない。

図１図示の実施形態では、原料ガスは第二の内部空間２３よりガス吹き出し孔２１２を通して処理容器１内に供給される。したがって、処理対象である基板が大面積になっても、接続端子ホルダー６を大きくするとともに発熱体３の数を増やせば、原料ガスが基板全面に供給できるため、均一な成膜が可能である。すなわち本実施形態は、大面積基板への対応が容易である。

水素ガスはガス導入系６１より接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入することができる。

この水素ガスの流れにより、原料ガス供給器２２より処理容器１内に導入されたシランガスや発熱体３の表面で分解及び／又は活性化されたシランガス起源の活性種が、ガス通過孔７１ｂを介して接続端子内部空間７１ａ内へ侵入してくるのを防止できる。これにより、シランガスやシランガス起源の活性種が、発熱体３の接続端子３１１に接触し、温度がやや低くなる部分がシリサイド化し、劣化してしまうのを防止できる。

前記本発明の実施形態において、処理容器１内部に付着した膜の除去（クリーニング）を行う際には、以下のように各ガスが供給される。

図１図示の実施形態の場合には、クリーニングガスを原料ガス供給系２１と同様の構成のクリーニングガス供給系（不図示）から、第二の内部空間２３、ガス吹き出し孔２１２を通して処理容器１内に導入するとともに、水素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、アンモニアのいずれか、またはこれらの２種以上からなる混合ガスをガス供給系６１より、接続端子ホルダー６の第一の内部空間６２、ガス流路３１９、接続端子内部空間７１ａ、ガス通過孔７１ｂを介して、矢印７２のように処理容器１内へ導入する。

これによりクリーニングガスそのものや、発熱体３の表面で分解及び／又は活性化されたクリーニングガス起源の活性種が接続端子内部空間７１ａ内へ侵入してくるのを防止できる。したがって、発熱体３のやや温度が低い部分（接続端子３１１との接続部領域）がエッチングされて劣化してしまうのを防止できる。

図２、図３は、図１で説明した接続端子ホルダー６が処理容器１内に複数個設置されている他の実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を表すものである。

この図２に表された部分は、図１図示の部分に相当する部分である。図３（ａ）は図２のＡ部の詳細を表すものである。図１の場合と同様に、処理容器１や基板ホルダー４、及び排気系等の構造には、前記した図７、図８に示す従来の発熱体ＣＶＤ装置と同様である。したがって、図示及びその説明を省略する。

図２図示の実施形態においては、ナット３１３が、接続端子３１１を接続端子ホルダー８に固定すると同時に、接続端子３１１と電力供給板５３、５４とを接続する目的を兼ねている。

図２図示の実施形態における基本的な構造、形態は、図１図示の実施形態のものと同様である。したがって、図２中、図１に示した部材と同様の部材には同じ符号を付してその説明を省略している。

図１〜図３の実施形態では、発熱体３の接続端子３１１への接続及び保持をコイルバネ３３０で行うようにしている。このようにすれば、ワンタッチでの発熱体３の着脱が可能になる。

図２に示す実施形態は、２個の接続端子ホルダー８が処理容器１内に設置されていると共に、接続端子と電力供給機構との接続部及び、接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が接続端子ホルダー８に内蔵されている点において、図１図示の実施形態の場合と相違している。そこで、これらの図１図示の実施形態の場合と相違している構造について、以下、具体的に説明する。

図２、図３図示の実施形態では、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部は、第一の内部空間６２によって覆われている。これによって、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部が処理容器１内の空間に露出しないようになっている。また、接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分である電力供給板５４（接続端子間）も第一の内部空間６２によって覆われ、処理容器１内の空間に露出しないようになっている。

なお、図２、図３図示の実施形態では、接続端子３１１には、接続端子ホルダー８内の内部空間４７と接続端子内部空間７１ａを繋ぐガス流路３１９が設けられている。そこで、ガス導入系６１より導入されたガスは、第一の内部空間６２を満たし、次の内部空間４７へ内部空間貫通孔４６を通り導かれる。このガスは、さらに接続端子３１１の接続端子内部空間７１ａにガス流路３１９を通って流れ込む。そして、発熱体３とコイルバネ３３０の近傍を通過し、接続端子３１１に接続している発熱体３と接続端子ホルダー８との間の非接触部へと流れてゆく。すなわち、ガスは、ガス通過孔７１ｂより、矢示７２のように処理容器１内の空間へと流れてゆく。

以上説明してきた発熱体ＣＶＤ装置は、図１、図２図示のように、接続端子ホルダー６（図１）、８（図２）の処理容器１内に向かう側（図１、図２中、下側）にシールド板５００が配備されている点に特徴を有するものである。

シールド板５００は、発熱体３が非接触で通過する発熱体通過孔５０１と、ガス通過用の複数の貫通孔５０２を備えている。

図１、図２図示のように、発熱体通過孔５０１を介して処理容器１内側に発熱体３が延びているので、シールド板５００は、発熱体通過孔５０１を介して処理容器１内側に延びている発熱体３の部分と、接続端子ホルダー６、８の処理容器１内に向かう側の面との間に配備されるようになる。

以上説明してきた発熱体ＣＶＤ装置においては、例えば、接続端子ホルダー６、８における第一の内部空間６２と第二の内部空間２３とを完全に分離し、これらの空間を処理容器１内の空間とも完全に分離するためや、接続端子３１１のような構造体を接続端子ホルダー８の内部空間４７に配置する場合、等に、Ｏ−リングなどのシール材（不図示）を用いる必要がある。

ところが、接続端子ホルダー６、８は、発熱体３の輻射熱により加熱されるので、その温度がＯ−リングなどのシール材の耐熱温度（バイトンで１５０℃、最高カルレッツで２８０℃）をはるかに超えてしまうことがある。この場合、接続端子ホルダー６、８を、例えば、冷却機構（不図示）によって、Ｏ−リングなどのシール材の耐熱温度以下に冷却する必要が生じる。

一方、Ｃａｔ−ＣＶＤで材料ガスにＳｉＨ_４やＳｉＨ_４＋Ｈ_２を用いてＳｉ膜を成膜する場合、Ｈラジカルが膜特性に大きく影響する。したがって、前記のように、接続端子ホルダー６、８をＯ−リングなどのシール材の耐熱温度以下に冷却することにすると、発熱体３との接触分解によって生成されたＨラジカルと接続端子ホルダー６、８表面に付着した膜が反応してしまう。この結果、処理容器１内のＨラジカル量が減少し、膜特性が劣化するおそれがある。また、前記のＨラジカルと接続端子ホルダー６、８表面に付着した膜との反応による生成物が発熱体３によって分解活性化されたものも含めて基板ホルダー４上に配置されている基板に形成される膜中に取り込まれ、これによって膜特性が劣化するというおそれもある。

以上説明してきた発熱体ＣＶＤ装置によれば、図１、図２、図３（ａ）図示のように、シールド板５００の発熱体通過孔５０１を介して処理容器１内側に延びている発熱体３の部分と、接続端子ホルダー６、８の処理容器１内に向かう側の面との間にシールド板５００が配備されているので、接続端子ホルダー６、８が、発熱体３の輻射熱により加熱されることがない。

この結果、接続端子ホルダー６、８の温度がＯ−リングなどのシール材の耐熱温度を越えないようにできる。

しかも、膜の付着は発熱体３の輻射熱により加熱されるシールド板５００上に起こり、このとき、シールド板５００は加熱されているので、Ｈラジカルと付着膜との反応は生じず、処理容器１内の空間におけるＨラジカル量が減少することもなくなり、膜特性の劣化を未然に防止できる。

なお、シールド板５００を不図示の温度調節機構に接続し、所定の温度（２５０℃〜５００℃）に保つようにすることもできる。

次に、本発明の発熱体ＣＶＤ装置に特徴的な発熱体３と電力供給機構３０との間の接続構造について説明する。

図３（ａ）図示のように、発熱体３の端部には接続用ピン５０３が備えられている。一方、接続端子３１１は、この接続用ピン５０３が挿脱される小孔５０５を有するピン受け５０４を備えている。小孔５０５の内径は、図３（ｃ）図示のように、接続用ピン５０３の径より小さく、小孔５０５を形成するピン受け５０４の周壁には、図３（ｂ）、（ｃ）図示のように、接続用ピン５０３が挿脱される方向に伸びるスリット５０６が設けられている。なお、図３（ｂ）は、ピン受け５０４を接続用ピン５０３の挿脱方向（図３（ａ）中、下側）から見た図であり、図３（ｃ）は、接続用ピン５０３がピン受け５０４に嵌挿される状態を説明する一部を省略した側面図である。

発熱体３には通常直径０．５ｍｍ程度のワイヤー状の材料が用いられているので、発熱体３の端部に接続用ピン５０３を備え、この接続用ピン５０３を接続端子３１１に備えられているピン受け５０４の小孔５０５に挿脱する接続構造によって発熱体３と接続端子３１１との接続を行うことにより、接続用ピン５０３が備えられていない発熱体３の端部と接続端子３１１との間で接続を図る場合よりも接続部の直径を大きくすることができる。これによって、電気的な接触面積を大きくすることができる。

前記のように通常小さな直径になっている発熱体３の端部で接続端子３１１との間の接続を図る場合、接触面積が小さいので、接触抵抗による加熱が生じてしまう。この発生した熱のため、発熱体３への電気的な接触を保ち、発熱体３を保持するコイルバネ３３０のバネ性が劣化するおそれがある。

しかし、発熱体３の端部に備えられている接続用ピン５０３を介して接続を図ることにより、前記のように、電気的な接触面積が大きくなり、接触抵抗を小さく抑えて、接触抵抗による発熱を抑制することができる。

更に、発熱体３の端部に備えられている接続用ピン５０３が装着される接続端子３１１のピン受け５０４に設けられている小孔５０５は、その内径が接続用ピン５０３の径より小さく、小孔５０５を形成するピン受け５０４の周壁に接続用ピン５０３が挿脱される方向に伸びるスリット５０６が設けられているので、バネ性を備えたピン受けになっている。

そこで、接続用ピン５０３を図３（ｃ）中の矢印で示す方向からピン受け５０４の小孔５０５に装着すると、前記のバネ性により、接続端子３１１と接続用ピン５０３との良好な熱接触が得られ、通電加熱される発熱体３からの熱を接続端子３１１に逃がし、接続用ピン５０３の加熱が抑制される。これによって、発熱体３への電気的な接触を保ち、発熱体３を保持するコイルバネ３３０のバネ性の劣化が引き起こされる可能性をより一層効果的に防止できる。

なお、前記のようなバネ性を有するピン受け５０４の小孔５０５に発熱体３の端部に備えられている接続用ピン５０３が装着されることにより、良好な熱接触が図られると共に、より良好な電気的接続も図られるので、接触抵抗が更に抑制され、接触抵抗による発熱を抑制することができる。

図５（ａ）、（ｂ）は、発熱体３と電力供給機構３０との間の他の接続構造を示すものである。

コイルバネ３３０によって発熱体３を支持している場合、発熱体３の、図４中、符号５０７で示す方向への熱膨張による伸びが大きくなると、発熱体３がガス通過孔７１ｂ部で絶縁材３１８に接触するおそれがある。このように接触してしまうと接触部の発熱体３の温度が低下し、成膜時にはシリサイド化、クリーニング時にはエッチングという問題が生じてしまう。

図５（ａ）、（ｂ）図示の発熱体３と電力供給機構３０との間の接続構造は、図３を用いて説明した接続構造に追加して、接続端子内部空間７１ａとピン受け５０４とを連通する発熱体挿通孔５０９の接続端子内部空間７１ａに面する側の開口部側に、発熱体挿通孔５０９の内周壁と、接続用ピン５０３との間に介在されるスペーサ５０８が配備されているようにしたものである。

これによって、発熱体３はピン受け５０４とスペーサ５０８という少なくとも２箇所で固定されるため、矢印５０７方向の熱膨張による傾きαを小さくすることができる。そこで、発熱体３の図４中符号５０７で示す方法への熱膨張による伸びが大きくなった場合であっても、発熱体３がガス通過孔７１ｂ部で絶縁材３１８に接触する可能性を未然に防止できる。

図６は、発熱体３と電力供給機構３０との間の更に他の接続構造を示すものである。

図２図示の実施形態では、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部は、第一の内部空間６２によって覆われている。これによって、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部が処理容器１内の空間に露出しないようになっている。また、接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分である電力供給板５４（接続端子間）も第一の内部空間６２によって覆われ、処理容器１内の空間に露出しないようになっている。

この接続端子ホルダー８における第一の内部空間６２及び内部空間４７は、パージ用のガスが導入されることにより圧力が高くなり、接続端子３１１と接続端子ホルダー８の内壁面との間、接続端子３１１間、電力供給板５３、５４と接続端子ホルダー８の内壁面との間などで放電が生じるおそれがある。この放電が生じると、発熱体３に適切な電力が投入されないという問題が生じてしまう。

図６図示の接続構造は、このような放電の発生を未然に防止すべく、接続端子３１１、電力供給板５３、５４、等、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部及び配線部分の第一の内部空間６２に面する部分を覆うように絶縁材５０９を配設したものである。なお、図示していないが、接続端子ホルダー８の第一の内部空間６２に面する面を絶縁材で被覆することも前述した放電の発生を防止する上で効果的である。更に、図６図示のように、接続端子３１１と電力供給機構３０との接続部及び配線部分の第一の内部空間６２に面する部分を覆うように絶縁材５０９を配設した上で、接続端子ホルダー８の第一の内部空間６２に面する面を絶縁材で被覆することも前述した放電の発生を防止する上で効果的である。 このようにすることによって、第一の内部空間６２及び内部空間４７へのパージ用のガスの導入によって圧力が高くなっても放電が生じる危険性を未然に排除することができる。

なお、図６では、図３（ａ）図示の実施形態において絶縁材５０９が採用されている接続構造を説明しているが、図５（ａ）図示のようにスペーサ５０８が採用されている実施形態において、図６図示のような絶縁材５０９が採用されている接続構造にすることも可能である。

以上、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲に於いて種々の形態に変更可能である。

本発明の発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造が適用される発熱体ＣＶＤ装置の好ましい実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を表す図。 本発明の発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造が適用される発熱体ＣＶＤ装置の他の好ましい実施形態における発熱体と、電力供給機構との接続部の断面構造を表す図。 （ａ）発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の本発明による接続構造を表す図で、図２のＡ部に相当する部分の拡大断面図、（ｂ）ピン受けを図３（ａ）中下側から見た図、（ｃ）接続用ピンがピン受けに嵌挿される状態を説明する一部を省略した側面図。 発熱体が熱膨張して横方向に伸びた場合に生じる可能性のある事態を拡大して表した図。 （ａ）発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の本発明による他の接続構造を表す図で、図３（ａ）に相当する図、（ｂ）図５（ａ）の一部を拡大して表した図。 発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の本発明による更に他の接続構造を表す図。 従来の発熱体ＣＶＤ装置の構成例を示す概念図。 従来の発熱体ＣＶＤ装置の別の構成例の発熱体の部分の構成を示す概念図。

符号の説明

１ 処理容器
２ ガス供給器
３ 発熱体
４ 基板ホルダー
５ ゲートバルブ
６、８ 接続端子ホルダー
１１ 排気系
１２ メインバルブ
２１ 原料ガス供給系
２３ 第二の内部空間
３０ 電力供給機構
３１ 支持体
３２ 電力供給線
３３ 接続端子
３４ 線材
４６ 内部空間貫通孔
４７ 接続端子ホルダー８内の内部空間
５３、５４ 電力供給板
６２ 第一の内部空間
７１ａ 接続端子内部空間
７１ｂ ガス通過孔
２１０ ガス吹出孔
２１２ ガス吹出孔
３１１ 接続端子
３１３ ナット
３１７、３１８ 絶縁体
３１９ ガス流路
３３０ コイルバネ
５００ シールド板
５０１ 発熱体通過孔
５０２ 貫通孔
５０３ 接続用ピン
５０４ ピン受け
５０５ 小孔
５０６ スリット
５０８ スペーサ
５０９ 絶縁材

Claims (5)

1. 内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構とを接続端子を介して電気的に接続すると共に、前記接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない発熱体と電力供給機構との間の接続部の構造であって、
   前記発熱体の端部には接続用ピンが備えられており、
   前記接続端子は前記発熱体端部の接続用ピンが挿脱される小孔を有するピン受けを備えていて、当該ピン受けの小孔の内径が前記接続用ピンの径より小さく、当該小孔を形成するピン受けの周壁に前記接続用ピンが挿脱される方向に伸びるスリットが設けられている
   ことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造。
2. 請求項１記載の発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造において、
   接続端子は、処理容器内に向かう側に設けられていて、前記ピン受けに発熱体挿通孔を介して連通する接続端子内部空間を有していると共に、処理容器内に面する部分に当該接続端子内部空間と処理容器内とを連通するガス通過孔を有し、当該接続端子に接続される前記発熱体が非接触状態で当該ガス通過孔を挿通することによって、当該接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない構造を有し、
   前記発熱体挿通孔の接続端子内部空間に面する開口部側に、前記発熱体挿通孔の内周壁と、発熱体端部の接続用ピンとの間に介在されるスペーサが配備されている
   ことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造。
3. 内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造であって、
   処理容器内に設置されている一個、又は複数個の接続端子ホルダーが、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を、電気的に絶縁を図りつつ、あらかじめ定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を、接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして基板ホルダーに対向させて支持し、
   前記発熱体の端部には接続用ピンが備えられており、
   前記接続端子は前記発熱体端部の接続用ピンが挿脱される小孔を有するピン受けを備えていて、当該ピン受けの小孔の内径が前記接続用ピンの径より小さく、当該小孔を形成するピン受けの周壁に前記接続用ピンが挿脱される方向に伸びるスリットが設けられている
   ことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造。
4. 請求項３記載の発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造において、
   接続端子は、処理容器内に向かう側に設けられていて、前記ピン受けに発熱体挿通孔を介して連通する接続端子内部空間を有していると共に、処理容器内に面する部分に当該接続端子内部空間と処理容器内とを連通するガス通過孔を有し、当該接続端子に接続される前記発熱体が非接触状態で当該ガス通過孔を挿通することによって、当該接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない構造を有し、
   前記発熱体挿通孔の接続端子内部空間に面する開口部側に、前記発熱体挿通孔の内周壁と、発熱体端部の接続用ピンとの間に介在されるスペーサが配備されている
   ことを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造。
5. 内部に備えられている基板ホルダーに保持されている基板に対して所定の処理がなされる処理容器と、当該処理容器に接続されていて処理容器内を真空に排気する排気系及び、処理容器内に所定の原料ガスを供給する原料ガス供給系と、当該処理容器内に配置されていて電力供給機構からの電力供給を受けて高温にされる発熱体とを備え、前記原料ガス供給系から処理容器内に導入された原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板ホルダーに保持されている基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造であって、
   処理容器内に設置されている一個、又は複数個の接続端子ホルダーが、前記発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を電気的に絶縁を図りつつあらかじめ定められている位置に保持することによって、当該複数個の接続端子にそれぞれ接続される発熱体を基板ホルダーに対向させて支持し、
   前記各接続端子ホルダーは、ガスを導入するガス導入系が接続されている第一の内部空間を有し、
   当該各接続端子ホルダーのあらかじめ定められている位置に電気的に絶縁されて保持されている前記複数の接続端子はそれぞれの処理容器内側に向かう側に接続端子内部空間を備えていると共に、処理容器内に面する側に当該接続端子内部空間と処理容器内とを連通し、当該接続端子に接続される前記発熱体が非接触状態でそこを挿通するガス通過孔を備えていることによって、当該接続端子に接続される発熱体の接続部領域を処理容器内の空間に露出させない構造を有し、
   前記接続端子内部空間と前記接続端子ホルダーの第一の内部空間とが連通されていて、
   接続端子と電力供給機構との接続部又は、接続端子と電力供給機構との接続部及び接続端子と接続端子との間を電気的に接続する配線部分が前記第一の内部空間に配置され、
   当該接続部及び配線部分の前記第一の内部空間に面する部分を覆うように絶縁材を配設し、及び／又は、接続端子ホルダーの前記第一の内部空間に面する面を絶縁材で被覆したことを特徴とする
   発熱体ＣＶＤ装置における発熱体と電力供給機構との間の接続構造。
   
   

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