JPH10168568A - 半導体製造装置の覗窓 - Google Patents
半導体製造装置の覗窓Info
- Publication number
- JPH10168568A JPH10168568A JP34276596A JP34276596A JPH10168568A JP H10168568 A JPH10168568 A JP H10168568A JP 34276596 A JP34276596 A JP 34276596A JP 34276596 A JP34276596 A JP 34276596A JP H10168568 A JPH10168568 A JP H10168568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- window plate
- auxiliary
- plate
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反応副生成物の付着を防止し、メンテナンスを
容易に行える半導体製造装置の覗窓を提供する。 【解決手段】反応室３０の窓孔５０の内側に該窓孔を覆
う補助窓板４６を設け、前記反応室の窓孔に補助窓板ホ
ルダ４３が設けられ、該補助窓板ホルダに補助窓板が着
脱自在に保持され、補助窓板によりプラズマ２７が窓
孔、窓板３４迄入込むのが遮られ、窓孔、窓板に反応副
生成物が付着堆積するのが抑制される。反応副生成物は
反応室内壁及び補助窓板に付着するが、メンテナンスは
蓋を取外して反応室内を洗浄し、補助窓板を洗浄或は交
換等すればよく、補助窓板は補助窓板ホルダに嵌まって
いるだけでなので、取外しが容易でメンテナンスに時間
が掛からず、又補助窓板は窓板に比べて薄肉であるので
部品コストが低くなりメンテナンスコストが低減する。
容易に行える半導体製造装置の覗窓を提供する。 【解決手段】反応室３０の窓孔５０の内側に該窓孔を覆
う補助窓板４６を設け、前記反応室の窓孔に補助窓板ホ
ルダ４３が設けられ、該補助窓板ホルダに補助窓板が着
脱自在に保持され、補助窓板によりプラズマ２７が窓
孔、窓板３４迄入込むのが遮られ、窓孔、窓板に反応副
生成物が付着堆積するのが抑制される。反応副生成物は
反応室内壁及び補助窓板に付着するが、メンテナンスは
蓋を取外して反応室内を洗浄し、補助窓板を洗浄或は交
換等すればよく、補助窓板は補助窓板ホルダに嵌まって
いるだけでなので、取外しが容易でメンテナンスに時間
が掛からず、又補助窓板は窓板に比べて薄肉であるので
部品コストが低くなりメンテナンスコストが低減する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
於ける反応室の覗窓に関するものである。
於ける反応室の覗窓に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は気密な反応室を具備し
ており、該反応室内では薄膜生成、エッチング等種々の
処理が行われる。
ており、該反応室内では薄膜生成、エッチング等種々の
処理が行われる。
【０００３】前記反応室には処理の状態を観察測定する
為に覗窓が設けられている。
為に覗窓が設けられている。
【０００４】図２に於いて半導体製造装置の概略を説明
する。
する。
【０００５】図２〜図４中１は反応室を示し、該反応室
１上部は蓋２により閉塞されており、前記反応室１と前
記蓋２との間にはＯリング３が設けられ気密にシールさ
れている。
１上部は蓋２により閉塞されており、前記反応室１と前
記蓋２との間にはＯリング３が設けられ気密にシールさ
れている。
【０００６】前記反応室１内部には相対向してカソード
電極４、アノード電極５が設けられている。前記カソー
ド電極４にはウェーハ等被処理基板６が載置される様に
なっており、又高周波電源７が接続されている。前記ア
ノード電極５にはガス導入部８が設けられ、該ガス導入
部８、前記アノード電極５を介して前記反応室１内に反
応ガスが導入される様になっている。
電極４、アノード電極５が設けられている。前記カソー
ド電極４にはウェーハ等被処理基板６が載置される様に
なっており、又高周波電源７が接続されている。前記ア
ノード電極５にはガス導入部８が設けられ、該ガス導入
部８、前記アノード電極５を介して前記反応室１内に反
応ガスが導入される様になっている。
【０００７】前記反応室１の下方には排気用配管９が接
続され、反応後のガスが排気される様になっている。
続され、反応後のガスが排気される様になっている。
【０００８】反応室１側壁には窓孔２４が穿設され、該
窓孔２４を気密閉塞する様に覗窓１０がＯリング２１を
挾設して前記反応室１にボルト２３により固着される。
窓孔２４を気密閉塞する様に覗窓１０がＯリング２１を
挾設して前記反応室１にボルト２３により固着される。
【０００９】前記覗窓１０を説明する。
【００１０】窓板ホルダ１２は中央部が前記窓孔２４と
同形に刳抜かれた枠体であり、窓板ホルダ１２の内側面
内縁に沿って逃げ１５が形成され、該逃げ１５には石英
製の窓板１１が収納される。前記窓板ホルダ１２は窓板
１１を介在させた状態で窓枠１３にボルト１６により固
着される。該窓枠１３は中央に覗孔１８が穿設され、窓
板ホルダ１２と同形状であり、前記窓枠１３の外側面内
縁に沿ってシール溝１９が刻設され、該シール溝１９に
は前記窓板１１と窓枠１３に挾持されるＯリング２６が
嵌設され、該窓板１１は前記覗孔１８を気密に閉塞す
る。前記窓枠１３はボルト２３により反応室１に固着さ
れ、窓枠１３と反応室１間にはＯリング２１が挾設され
ている。
同形に刳抜かれた枠体であり、窓板ホルダ１２の内側面
内縁に沿って逃げ１５が形成され、該逃げ１５には石英
製の窓板１１が収納される。前記窓板ホルダ１２は窓板
１１を介在させた状態で窓枠１３にボルト１６により固
着される。該窓枠１３は中央に覗孔１８が穿設され、窓
板ホルダ１２と同形状であり、前記窓枠１３の外側面内
縁に沿ってシール溝１９が刻設され、該シール溝１９に
は前記窓板１１と窓枠１３に挾持されるＯリング２６が
嵌設され、該窓板１１は前記覗孔１８を気密に閉塞す
る。前記窓枠１３はボルト２３により反応室１に固着さ
れ、窓枠１３と反応室１間にはＯリング２１が挾設され
ている。
【００１１】反応室１内に反応ガスが供給され、カソー
ド電極４、アノード電極５間に高周波電力が供給され、
プラズマ２７が生成され、前記被処理基板６の表面に表
面処理が行われる。プラズマ２７は図４に示す様に窓孔
２４、覗孔１８迄入込む。
ド電極４、アノード電極５間に高周波電力が供給され、
プラズマ２７が生成され、前記被処理基板６の表面に表
面処理が行われる。プラズマ２７は図４に示す様に窓孔
２４、覗孔１８迄入込む。
【００１２】プラズマに隣接する反応室１の内面、窓板
１１の内面には反応副生成物が付着堆積する。反応副生
成物はやがて剥離しパーティクルとなって反応室１内に
浮遊する。前記パーティクルが被処理基板６に付着して
該被処理基板６が汚染されると製品品質を低下させ、或
は歩留まりを低下するので定期的、或は所要稼動時間毎
に洗浄をしている。
１１の内面には反応副生成物が付着堆積する。反応副生
成物はやがて剥離しパーティクルとなって反応室１内に
浮遊する。前記パーティクルが被処理基板６に付着して
該被処理基板６が汚染されると製品品質を低下させ、或
は歩留まりを低下するので定期的、或は所要稼動時間毎
に洗浄をしている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記した反応副生成物
除去の清掃を覗窓１０に対して行う場合、前記窓孔２４
の内周面、前記覗孔１８の内周面、更に窓板１１の内側
面を洗浄しなければならず、洗浄箇所が多い。又、前記
覗孔１８と窓板１１の洗浄は覗窓１０を反応室１より取
外し、更に窓板１１、窓枠１３を分解して作業しなけれ
ばならない。この為、作業が繁雑であるという問題があ
った。
除去の清掃を覗窓１０に対して行う場合、前記窓孔２４
の内周面、前記覗孔１８の内周面、更に窓板１１の内側
面を洗浄しなければならず、洗浄箇所が多い。又、前記
覗孔１８と窓板１１の洗浄は覗窓１０を反応室１より取
外し、更に窓板１１、窓枠１３を分解して作業しなけれ
ばならない。この為、作業が繁雑であるという問題があ
った。
【００１４】本発明は上記実情に鑑みなしたものであっ
て、反応副生成物の付着を防止し、メンテナンスを容易
に行える半導体製造装置の覗窓を提供しようとするもの
である。
て、反応副生成物の付着を防止し、メンテナンスを容易
に行える半導体製造装置の覗窓を提供しようとするもの
である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室の窓孔
の内側に該窓孔を覆う補助窓板を設けた半導体製造装置
の覗窓に係り、又反応室の窓孔に補助窓板ホルダが設け
られ、該補助窓板ホルダに補助窓板が着脱自在に保持さ
れる半導体製造装置の覗窓に係るものであり、補助窓板
によりプラズマが窓孔、窓板迄入込むのが遮られ、窓
孔、窓板に反応副生成物が付着堆積するのが抑制され
る。反応副生成物は反応室内壁及び補助窓板に付着する
が、メンテナンスは蓋を取外して反応室内を洗浄し、補
助窓板を洗浄或は交換等すればよく、補助窓板は補助窓
板ホルダに嵌まっているだけでなので、取外しが容易で
メンテナンスに時間が掛からず、又補助窓板は窓板に比
べて薄肉であるので部品コストが低くなりメンテナンス
コストが低減する。
の内側に該窓孔を覆う補助窓板を設けた半導体製造装置
の覗窓に係り、又反応室の窓孔に補助窓板ホルダが設け
られ、該補助窓板ホルダに補助窓板が着脱自在に保持さ
れる半導体製造装置の覗窓に係るものであり、補助窓板
によりプラズマが窓孔、窓板迄入込むのが遮られ、窓
孔、窓板に反応副生成物が付着堆積するのが抑制され
る。反応副生成物は反応室内壁及び補助窓板に付着する
が、メンテナンスは蓋を取外して反応室内を洗浄し、補
助窓板を洗浄或は交換等すればよく、補助窓板は補助窓
板ホルダに嵌まっているだけでなので、取外しが容易で
メンテナンスに時間が掛からず、又補助窓板は窓板に比
べて薄肉であるので部品コストが低くなりメンテナンス
コストが低減する。
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１６】本実施の形態に於ける半導体製造装置は前
述した半導体製造装置と略同様の構成をしているので説
明を省略し、以下本実施の形態の要部についてのみ説明
する。
述した半導体製造装置と略同様の構成をしているので説
明を省略し、以下本実施の形態の要部についてのみ説明
する。
【００１７】図１中反応室３０の上部は蓋３１により閉
塞され、該蓋３１と前記反応室３０との間にＯリング３
２が設けられ気密にシールされている。
塞され、該蓋３１と前記反応室３０との間にＯリング３
２が設けられ気密にシールされている。
【００１８】反応室３０側壁には窓孔５０が穿設され、
該窓孔５０を気密閉塞する様に覗窓３３がＯリング３７
を挾設して前記反応室３０にボルト４８により固着され
る。
該窓孔５０を気密閉塞する様に覗窓３３がＯリング３７
を挾設して前記反応室３０にボルト４８により固着され
る。
【００１９】前記覗窓３３を説明する。
【００２０】窓板ホルダ３５は中央部が前記窓孔５０と
同形に刳抜かれた枠体であり、窓板ホルダ３５の内側面
内縁に沿って逃げ３８が形成され、該逃げ３８には石英
製の窓板３４が収納される。前記窓板ホルダ３５は窓板
３４を介在させた状態で窓枠３６にボルト３９により固
着される。該窓枠３６の中央には覗孔４１が穿設され、
窓板ホルダ３５と同形状となっており、前記窓枠３６の
外側面内縁に沿ってシール溝４４が刻設され、該シール
溝４４には前記窓板３４と窓枠３６に挾持されるＯリン
グ４０が嵌設され、該窓板３４は前記覗孔４１を気密に
閉塞する。
同形に刳抜かれた枠体であり、窓板ホルダ３５の内側面
内縁に沿って逃げ３８が形成され、該逃げ３８には石英
製の窓板３４が収納される。前記窓板ホルダ３５は窓板
３４を介在させた状態で窓枠３６にボルト３９により固
着される。該窓枠３６の中央には覗孔４１が穿設され、
窓板ホルダ３５と同形状となっており、前記窓枠３６の
外側面内縁に沿ってシール溝４４が刻設され、該シール
溝４４には前記窓板３４と窓枠３６に挾持されるＯリン
グ４０が嵌設され、該窓板３４は前記覗孔４１を気密に
閉塞する。
【００２１】前記窓孔５０の下縁は板材がコの字形状に
屈曲された補助窓板ホルダ４３が上側から嵌まる様にな
っており、前記反応室３０内部側片の下端部は折返さ
れ、内部側片と折返された部分との間には凹溝４５が形
成される。該凹溝４５には補助窓板４６が嵌脱可能に保
持される。該補助窓板４６は石英製の薄肉の板材であっ
て、前記窓孔５０を覆うのに充分な大きさを有してい
る。
屈曲された補助窓板ホルダ４３が上側から嵌まる様にな
っており、前記反応室３０内部側片の下端部は折返さ
れ、内部側片と折返された部分との間には凹溝４５が形
成される。該凹溝４５には補助窓板４６が嵌脱可能に保
持される。該補助窓板４６は石英製の薄肉の板材であっ
て、前記窓孔５０を覆うのに充分な大きさを有してい
る。
【００２２】前記窓孔５０に、前記凹溝４５が前記反応
室３０内に収納される様に前記補助窓板ホルダ４３を嵌
める。前述した様に前記窓板３４、前記窓板ホルダ３
５、前記窓枠３６とは一体化されており、一体化された
前記窓板３４、前記窓板ホルダ３５、前記窓枠３６はボ
ルト４８により前記反応室３０に固着され、前記窓枠３
６と前記反応室３０との間にはＯリング３７が挾設さ
れ、気密にシールされる。前記窓枠３６と前記反応室３
０との接合面には逃げ４２が形成され、該逃げ４２によ
って、前記窓枠３６と前記補助窓板ホルダ４３とが干渉
しない様になっている。
室３０内に収納される様に前記補助窓板ホルダ４３を嵌
める。前述した様に前記窓板３４、前記窓板ホルダ３
５、前記窓枠３６とは一体化されており、一体化された
前記窓板３４、前記窓板ホルダ３５、前記窓枠３６はボ
ルト４８により前記反応室３０に固着され、前記窓枠３
６と前記反応室３０との間にはＯリング３７が挾設さ
れ、気密にシールされる。前記窓枠３６と前記反応室３
０との接合面には逃げ４２が形成され、該逃げ４２によ
って、前記窓枠３６と前記補助窓板ホルダ４３とが干渉
しない様になっている。
【００２３】反応室３０内に反応ガスが供給され、カソ
ード電極、アノード電極間に高周波電力が供給され、プ
ラズマ２７を生成し、前記被処理基板６の表面に表面処
理を行う。プラズマ２７と隣接する部分には反応副生成
物が付着堆積するが、図１に示す様に補助窓板４６によ
りプラズマ２７が窓孔５０、覗孔４１迄入込むのが遮ら
れる為窓孔５０、覗孔４１、窓板３４に反応副生成物が
付着堆積するのが抑制される。
ード電極、アノード電極間に高周波電力が供給され、プ
ラズマ２７を生成し、前記被処理基板６の表面に表面処
理を行う。プラズマ２７と隣接する部分には反応副生成
物が付着堆積するが、図１に示す様に補助窓板４６によ
りプラズマ２７が窓孔５０、覗孔４１迄入込むのが遮ら
れる為窓孔５０、覗孔４１、窓板３４に反応副生成物が
付着堆積するのが抑制される。
【００２４】反応副生成物の除去等メンテナンスは蓋３
１を取外して反応室３０内を開放し、補助窓板４６を補
助窓板ホルダ４３から抜取り、反応室３０内を洗浄し、
補助窓板４６単体を洗浄する。又、補助窓板は交換して
もよく、補所窓板４６の取外しは前記補所窓板ホルダ４
３から抜脱するだけでよいので、メンテナンスに時間が
掛からず、又補助窓板４６は窓板３４に比べて薄肉であ
る為部品コストが低く、従ってメンテナンスコストが低
減する。
１を取外して反応室３０内を開放し、補助窓板４６を補
助窓板ホルダ４３から抜取り、反応室３０内を洗浄し、
補助窓板４６単体を洗浄する。又、補助窓板は交換して
もよく、補所窓板４６の取外しは前記補所窓板ホルダ４
３から抜脱するだけでよいので、メンテナンスに時間が
掛からず、又補助窓板４６は窓板３４に比べて薄肉であ
る為部品コストが低く、従ってメンテナンスコストが低
減する。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、補助窓
板によりプラズマが窓孔、覗孔迄入込むのが遮られ、窓
孔、覗孔、窓板に反応副生成物が付着堆積するのが抑制
される。反応副生成物は反応室内壁及び補助窓板に付着
するが、メンテナンスは蓋を取外して反応室内を洗浄
し、補助窓板を洗浄或は交換等すればよく、補助窓板は
補助窓板ホルダに嵌まっているだけでなので、取外しが
容易でメンテナンスに時間が掛からず、又補助窓板は窓
板に比べて薄肉であるので部品コストが低くなりメンテ
ナンスコストが低減する等の優れた効果を発揮する。
板によりプラズマが窓孔、覗孔迄入込むのが遮られ、窓
孔、覗孔、窓板に反応副生成物が付着堆積するのが抑制
される。反応副生成物は反応室内壁及び補助窓板に付着
するが、メンテナンスは蓋を取外して反応室内を洗浄
し、補助窓板を洗浄或は交換等すればよく、補助窓板は
補助窓板ホルダに嵌まっているだけでなので、取外しが
容易でメンテナンスに時間が掛からず、又補助窓板は窓
板に比べて薄肉であるので部品コストが低くなりメンテ
ナンスコストが低減する等の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】半導体製造装置の概略説明図である。
【図３】従来例を示す反応室の側面図である。
【図４】従来例を示す断面図である。
３０ 反応室 ３１ 蓋 ３２ Ｏリング ３３ 覗窓 ３４ 窓板 ３５ 窓板ホルダ ３６ 窓枠 ３８ 逃げ ３９ ボルト ４１ 覗孔 ４２ 逃げ ４３ 補助窓板ホルダ ４４ シール溝 ４５ 凹溝 ４６ 補助窓板 ４８ ボルト ５０ 窓孔
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室の窓孔の内側に該窓孔を覆う補助
窓板を設けたことを特徴とする半導体製造装置の覗窓。 - 【請求項２】 反応室の窓孔に補助窓板ホルダが設けら
れ、該補助窓板ホルダに補助窓板が着脱自在に保持され
る請求項１の半導体製造装置の覗窓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34276596A JPH10168568A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体製造装置の覗窓 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34276596A JPH10168568A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体製造装置の覗窓 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10168568A true JPH10168568A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18356330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34276596A Pending JPH10168568A (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 半導体製造装置の覗窓 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10168568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6367415B2 (en) * | 2000-08-07 | 2002-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | View port of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductor devices |
| KR100717974B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-05-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| CN102953040A (zh) * | 2011-08-18 | 2013-03-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 遮蔽装置及具有遮蔽装置的观察窗 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP34276596A patent/JPH10168568A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6367415B2 (en) * | 2000-08-07 | 2002-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | View port of a chemical vapor deposition device for manufacturing semiconductor devices |
| KR100717974B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-05-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| CN102953040A (zh) * | 2011-08-18 | 2013-03-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 遮蔽装置及具有遮蔽装置的观察窗 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4162773B2 (ja) | プラズマ処理装置および検出窓 | |
| JP4394073B2 (ja) | 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置 | |
| TWI290589B (en) | Vacuum processing device | |
| JP2000077395A5 (ja) | ||
| WO2000060653A1 (fr) | Dispositif de traitement au plasma, procede de maintenance et procede d'installation dudit dispositif | |
| WO2005104164A2 (en) | Honeycomb optical window deposition shield and method for a plasma processing system | |
| JP3909608B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH10168568A (ja) | 半導体製造装置の覗窓 | |
| TWI503883B (zh) | 真空處理裝置 | |
| JPH108269A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS5889944A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2000124197A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR101442775B1 (ko) | 분리형 블레이드 및 이를 포함하는 슬롯밸브 | |
| JP2012017497A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
| JPH0885872A (ja) | 成膜装置 | |
| JP4902054B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| KR100639517B1 (ko) | 확산기를 구비한 ｃｖｄ 장비 | |
| JPH02185977A (ja) | 膜形成用真空装置 | |
| TWI790467B (zh) | 半導體處理設備及腔室間傳送口結構 | |
| JPH04240726A (ja) | プラズマドライエッチング装置 | |
| JPH05121360A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP2000306844A (ja) | 処理装置 | |
| JPH09330917A (ja) | プラズマ処理装置のプラズマ光の検出窓 | |
| WO2013133110A1 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP2002100619A (ja) | ガラス基板またはウエハー処理用エッシング装置 |