JPH0630850Y2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0630850Y2 JPH0630850Y2 JP1989047670U JP4767089U JPH0630850Y2 JP H0630850 Y2 JPH0630850 Y2 JP H0630850Y2 JP 1989047670 U JP1989047670 U JP 1989047670U JP 4767089 U JP4767089 U JP 4767089U JP H0630850 Y2 JPH0630850 Y2 JP H0630850Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode electrode
- substrate
- plasma
- film
- plate
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- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、真空処理室内を移動する基板に成膜を施すプ
ラズマＣＶＤ装置に関する。
ラズマＣＶＤ装置に関する。
（従来の技術） 従来、基板移動式のプラズマＣＶＤ装置として、例えば
第１図に見られるように、真空排気口ａ，ａから真空に
排気された真空処理室ｂ内に、カソード電極ｃとアノー
ド電極ｄを設け、両電極ｃ，ｄ間に例えば高周波電源か
ら高周波電圧を印加してプラズマを発生させることによ
り該カソード電極ｃの板面に設けたガス導入口ｅから導
入される成膜用の原料ガスを反応させ、ヒーターｆによ
り加熱され乍らカソード電極ｃの前方をキャリヤｇで移
動される基板ｈに成膜を施すようにしたものが知られて
いる。
第１図に見られるように、真空排気口ａ，ａから真空に
排気された真空処理室ｂ内に、カソード電極ｃとアノー
ド電極ｄを設け、両電極ｃ，ｄ間に例えば高周波電源か
ら高周波電圧を印加してプラズマを発生させることによ
り該カソード電極ｃの板面に設けたガス導入口ｅから導
入される成膜用の原料ガスを反応させ、ヒーターｆによ
り加熱され乍らカソード電極ｃの前方をキャリヤｇで移
動される基板ｈに成膜を施すようにしたものが知られて
いる。
（考案が解決しようとする課題） 前記従来の装置では、カソード電極ｃの板面上に強いプ
ラズマが発生するが、該板面を外れた空間では弱いプラ
ズマが発生するか或はプラズマが発生しない。こうした
プラズマの分布状態の悪い空間を基板ｇを移動させ乍ら
成膜を行なうと、基板ｇに形成される膜の膜質が膜厚方
向に対し不均一になってしまう欠点がある。
ラズマが発生するが、該板面を外れた空間では弱いプラ
ズマが発生するか或はプラズマが発生しない。こうした
プラズマの分布状態の悪い空間を基板ｇを移動させ乍ら
成膜を行なうと、基板ｇに形成される膜の膜質が膜厚方
向に対し不均一になってしまう欠点がある。
この欠点を防ぐために、カソード電極ｃの板面の前方で
基板ｇの進行方向の前後に、防着板を設け、基板ｇがカ
ソード電極ｃの前方の強いプラズマ領域に移動してきた
ときのみ成膜処理を行なうことを考えた。しかし乍ら、
防着板を設けると、膜質が不均一になる欠点は解消出来
るものの、新たに成膜速度が小さくなる不都合が発生し
て好ましくない。
基板ｇの進行方向の前後に、防着板を設け、基板ｇがカ
ソード電極ｃの前方の強いプラズマ領域に移動してきた
ときのみ成膜処理を行なうことを考えた。しかし乍ら、
防着板を設けると、膜質が不均一になる欠点は解消出来
るものの、新たに成膜速度が小さくなる不都合が発生し
て好ましくない。
本考案は、防着板を設けて成膜速度を低下させずに均一
な膜質を有する薄膜を基板に形成し得るプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的とするものである。
な膜質を有する薄膜を基板に形成し得るプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本考案では、真空処理室内にカソード電極とアノード電
極を設け、両電極間のプラズマ放電により該真空処理室
内に導入した成膜用の原料ガスを反応させ、該カソード
電極の前方を移動する基板に成膜を施すようにしたもの
に於て、該カソード電極と基板の移動経路との間に該カ
ソード電極前方のみで成膜するよう防着板を設け、該カ
ソード電極の前方の周囲を金属メッシュ、パンチングメ
タル、発泡金属等の有孔金属板で囲うことにより、前記
目的を達成するようにした。該有孔金属板に形成される
孔径は、成膜用の原料ガスの流通を許容するがプラズマ
が漏れ出ない例えば１〜２mmの孔径に形成される。
極を設け、両電極間のプラズマ放電により該真空処理室
内に導入した成膜用の原料ガスを反応させ、該カソード
電極の前方を移動する基板に成膜を施すようにしたもの
に於て、該カソード電極と基板の移動経路との間に該カ
ソード電極前方のみで成膜するよう防着板を設け、該カ
ソード電極の前方の周囲を金属メッシュ、パンチングメ
タル、発泡金属等の有孔金属板で囲うことにより、前記
目的を達成するようにした。該有孔金属板に形成される
孔径は、成膜用の原料ガスの流通を許容するがプラズマ
が漏れ出ない例えば１〜２mmの孔径に形成される。
（作用） 真空処理室内を真空に排気したのち成膜用の原料ガスを
導入し、カソード電極とアノード電極間に高周波電圧を
印加すると、カソード電極の板面の前方にプラズマが発
生し、該プラズマにより反応した原料ガスの成分がカソ
ード電極の前方を移動する加熱された基板の板面に薄膜
状に付着する。該カソード電極の前方の周囲は、金属メ
ッシュ等の有孔金属板で囲まれているので、該カソード
電極の前方に発生するプラズマは周囲へ拡散することが
なく、プラズマ密度が高められ、基板への反応成分の付
着速度は防着板が設けられているにも係わらず低下する
ことがなく、基板に均一な膜厚の成膜が行なわれる。
導入し、カソード電極とアノード電極間に高周波電圧を
印加すると、カソード電極の板面の前方にプラズマが発
生し、該プラズマにより反応した原料ガスの成分がカソ
ード電極の前方を移動する加熱された基板の板面に薄膜
状に付着する。該カソード電極の前方の周囲は、金属メ
ッシュ等の有孔金属板で囲まれているので、該カソード
電極の前方に発生するプラズマは周囲へ拡散することが
なく、プラズマ密度が高められ、基板への反応成分の付
着速度は防着板が設けられているにも係わらず低下する
ことがなく、基板に均一な膜厚の成膜が行なわれる。
（実施例） 本考案の実施例を図面第２図に基づき説明すると、同図
に於て符号(1)は真空排気口(2)(2)を備えた真空処理
室、(3)は該真空処理室(1)内に設けたカソード電極、
(4)は該カソード電極(3)の板面の前方に設けたアノード
電極を示し、該カソード電極(3)は図示してない高周波
電源に接続され、アノード電極(4)はアースに接続され
る。更に、符号(6)は、該カソード電極(3)の板面の前方
を基板キャリア(7)に保持されて矢印方向の移動経路に
沿って移動する基板、(8)は該基板(6)の背面を加熱する
ヒーターである。
に於て符号(1)は真空排気口(2)(2)を備えた真空処理
室、(3)は該真空処理室(1)内に設けたカソード電極、
(4)は該カソード電極(3)の板面の前方に設けたアノード
電極を示し、該カソード電極(3)は図示してない高周波
電源に接続され、アノード電極(4)はアースに接続され
る。更に、符号(6)は、該カソード電極(3)の板面の前方
を基板キャリア(7)に保持されて矢印方向の移動経路に
沿って移動する基板、(8)は該基板(6)の背面を加熱する
ヒーターである。
以上の構成は、従来の基板移動式のプラズマＣＶＤ装置
も備えるところであるが、本考案に於ては、カソード電
極(3)と基板(6)の移動経路との間の移動経路に対するカ
ソード電極(3)の前方前後の防着板(10)を設け、該カソ
ード電極(3)の前方の周囲を金属メッシュ、パンチング
メタル、発泡金属等の有孔金属板(11)で囲うようにし、
該カソード電極(3)の板面が該有孔金属板(11)により囲
まれた空間(12)及び基板(6)の板面と対向するようにし
た。該有孔金属板(11)は接地することが好ましい。(13)
はカソード電極(3)の板面に設けた成膜用の原料ガス例
えばSiH4ガスを導入するガス導入口、(14)はカソード電
極(3)と有孔金属板(11)との間に設けた絶縁板である。
も備えるところであるが、本考案に於ては、カソード電
極(3)と基板(6)の移動経路との間の移動経路に対するカ
ソード電極(3)の前方前後の防着板(10)を設け、該カソ
ード電極(3)の前方の周囲を金属メッシュ、パンチング
メタル、発泡金属等の有孔金属板(11)で囲うようにし、
該カソード電極(3)の板面が該有孔金属板(11)により囲
まれた空間(12)及び基板(6)の板面と対向するようにし
た。該有孔金属板(11)は接地することが好ましい。(13)
はカソード電極(3)の板面に設けた成膜用の原料ガス例
えばSiH4ガスを導入するガス導入口、(14)はカソード電
極(3)と有孔金属板(11)との間に設けた絶縁板である。
図示実施例の作動を説明するに、真空処理室(1)内を真
空排気口(2)(2)からの排気によって真空とし、ガス導入
口(13)から原料ガスを導入して該室(1)内の圧力を調節
したのち、カソード電極(3)に高周波電力を印加する
と、該カソード電極(3)の前方にプラズマが発生する。
該プラズマは有孔金属板(11)により周囲へ拡散すること
がなく、プラズマ密度が高まり、ガス導入口(13)から、
有孔金属板の小孔を通り排気口(2)(2)へと流れる原料ガ
スが反応を起し、移動経路に沿って防着板(11)の開口部
へ移動して来る加熱された基板(6)の板面に薄膜状に付
着する。該基板(6)へのガス成分の付着は、防着板(11)
の開口領域に於て行なわれ、斜め方向からの付着が行な
われないので、均一な膜厚で、しかも強いプラズマによ
り多量の反応が生じるために迅速な成膜が行なわれ、防
着板(10)を設けて有孔金属板(11)を設けない場合よりも
20〜60％成膜速度を向上させ得た。
空排気口(2)(2)からの排気によって真空とし、ガス導入
口(13)から原料ガスを導入して該室(1)内の圧力を調節
したのち、カソード電極(3)に高周波電力を印加する
と、該カソード電極(3)の前方にプラズマが発生する。
該プラズマは有孔金属板(11)により周囲へ拡散すること
がなく、プラズマ密度が高まり、ガス導入口(13)から、
有孔金属板の小孔を通り排気口(2)(2)へと流れる原料ガ
スが反応を起し、移動経路に沿って防着板(11)の開口部
へ移動して来る加熱された基板(6)の板面に薄膜状に付
着する。該基板(6)へのガス成分の付着は、防着板(11)
の開口領域に於て行なわれ、斜め方向からの付着が行な
われないので、均一な膜厚で、しかも強いプラズマによ
り多量の反応が生じるために迅速な成膜が行なわれ、防
着板(10)を設けて有孔金属板(11)を設けない場合よりも
20〜60％成膜速度を向上させ得た。
尚、有孔金属板(11)の孔径は、原料ガスを流通させる
が、プラズマが漏れ出ない寸法、例えば１〜２mmの小孔
で形成される。また、基板キャリア(7)と防着板(10)と
の間隔は、プラズマが拡散せず且つ基板(6)の移動の妨
げにならない程度の数mmに設定される。
が、プラズマが漏れ出ない寸法、例えば１〜２mmの小孔
で形成される。また、基板キャリア(7)と防着板(10)と
の間隔は、プラズマが拡散せず且つ基板(6)の移動の妨
げにならない程度の数mmに設定される。
（考案の効果） このように本考案によるときは、カソード電極の前方に
防着板を設け、該カソード電極前方の周囲を有孔金属板
で囲うようにしたので、防着板で制限して基板に均一な
膜厚で成膜を行なえると共に有孔金属板でプラズマの拡
散が防止されて迅速多量に原料ガスの反応を起させ得て
成膜速度を向上させることが出来、プラズマＣＶＤによ
り均一な膜厚で迅速に成膜を行なえる等の効果がある。
防着板を設け、該カソード電極前方の周囲を有孔金属板
で囲うようにしたので、防着板で制限して基板に均一な
膜厚で成膜を行なえると共に有孔金属板でプラズマの拡
散が防止されて迅速多量に原料ガスの反応を起させ得て
成膜速度を向上させることが出来、プラズマＣＶＤによ
り均一な膜厚で迅速に成膜を行なえる等の効果がある。
第１図は防着板を設けた基板移動式のプラズマＣＶＤ装
置の截断側面図、第２図は本考案の実施例の截断側面図
である。 (1)……真空処理室、(3)……カソード電極 (4)……アノード電極、(6)……基板 (10)……防着板、(11)……有孔金属板 (13)……ガス導入口
置の截断側面図、第２図は本考案の実施例の截断側面図
である。 (1)……真空処理室、(3)……カソード電極 (4)……アノード電極、(6)……基板 (10)……防着板、(11)……有孔金属板 (13)……ガス導入口
Claims (2)
- 【請求項１】真空処理室内にカソード電極とアノード電
極を設け、両電極間のプラズマ放電により該真空処理室
内に導入した成膜用の原料ガスを反応させ、該カソード
電極の前方を移動する基板に成膜を施すようにしたもの
に於て、該カソード電極と基板の移動経路との間に該カ
ソード電極前方のみで成膜するよう防着板を設け、該カ
ソード電極の前方の周囲を金属メッシュ、パンチングメ
タル、発泡金属等の有孔金属板で囲うことを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記有孔金属板に形成される孔径は、成膜
用の原料ガスの流通を許容するがプラズマが漏れ出ない
寸法を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989047670U JPH0630850Y2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989047670U JPH0630850Y2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140972U JPH02140972U (ja) | 1990-11-26 |
| JPH0630850Y2 true JPH0630850Y2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=31563804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989047670U Expired - Lifetime JPH0630850Y2 (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630850Y2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972722A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-04-24 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 非均質膜のデポジシヨンを防止する基板シ−ルド |
| JPS5944770B2 (ja) * | 1980-07-25 | 1984-11-01 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ用反応器の洗浄方法 |
| JPS60117715A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Zenko Hirose | 成膜方法 |
| JPS62185879A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Kobe Steel Ltd | アモルフアスカ−ボン膜の成膜方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944770U (ja) * | 1982-09-18 | 1984-03-24 | 日電アネルバ株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP1989047670U patent/JPH0630850Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5944770B2 (ja) * | 1980-07-25 | 1984-11-01 | 三菱電機株式会社 | プラズマｃｖｄ用反応器の洗浄方法 |
| JPS5972722A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-04-24 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 非均質膜のデポジシヨンを防止する基板シ−ルド |
| JPS60117715A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Zenko Hirose | 成膜方法 |
| JPS62185879A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Kobe Steel Ltd | アモルフアスカ−ボン膜の成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02140972U (ja) | 1990-11-26 |
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