JPS60117715A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPS60117715A JPS60117715A JP58226655A JP22665583A JPS60117715A JP S60117715 A JPS60117715 A JP S60117715A JP 58226655 A JP58226655 A JP 58226655A JP 22665583 A JP22665583 A JP 22665583A JP S60117715 A JPS60117715 A JP S60117715A
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- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ガスのグロー放電分解などにょシ被成膜体上
に非晶質シリコン膜などを成膜する成膜方法の改良に関
する。
に非晶質シリコン膜などを成膜する成膜方法の改良に関
する。
近年、ガスのグロー放電分解などにょシ基板等の被成膜
体上に膜を形成するいわゆるプラズマＣＶＤ成膜方法は
、太陽電池、薄膜゛トランジスタ、密着型イメージセン
サ、電子写真感光体等の光電変換デバイス、電子デバイ
ス等の応用を目的とした非晶質シリコンを始めとして、
非晶質炭化シリコン、非晶質窒化シリコン等の成膜に多
く用いられている。
体上に膜を形成するいわゆるプラズマＣＶＤ成膜方法は
、太陽電池、薄膜゛トランジスタ、密着型イメージセン
サ、電子写真感光体等の光電変換デバイス、電子デバイ
ス等の応用を目的とした非晶質シリコンを始めとして、
非晶質炭化シリコン、非晶質窒化シリコン等の成膜に多
く用いられている。
これらの膜の形成に要求される事柄は、均一な大面積膜
、良好な光・電気粕性、高速成膜などである。
、良好な光・電気粕性、高速成膜などである。
第１図は従来の成膜方法を適用したプラズマｅ’Ｖ Ｄ
膜形成装置の概略を示し、この装置は基本的に反応容器
１．原料ガス供給装置２．排気装置３および放電用電源
４よυ構成されている。
膜形成装置の概略を示し、この装置は基本的に反応容器
１．原料ガス供給装置２．排気装置３および放電用電源
４よυ構成されている。
また、反応容器１の反応室５内の下部には加熱手段６を
内蔵した支持台７が設置されているとともにこの支持台
７と対向する上方位置には反応容器１の壁と絶縁物８を
介して電気的に絶縁された電極９が設置されている。
内蔵した支持台７が設置されているとともにこの支持台
７と対向する上方位置には反応容器１の壁と絶縁物８を
介して電気的に絶縁された電極９が設置されている。
上記支持台７上には被成膜体である導電性基板（以後単
に基板という）１０が置かれておシ、この基板１０は支
持台７に内蔵された上記加熱手段６によって加熱される
ようになっている。
に基板という）１０が置かれておシ、この基板１０は支
持台７に内蔵された上記加熱手段６によって加熱される
ようになっている。
また、上記電極９は放電用電源４の出力部に接続され、
支持台７は反応容器１と電気的に接続され接地電位とな
っている。
支持台７は反応容器１と電気的に接続され接地電位とな
っている。
一方、原料ガス供給装置２よｐ流量を制御された状態で
供給された原料ガス１１はガス導入口１２を通シ、反応
室５内に導入され、ガス排出口１３を経て、排気装置３
によシ反応室内の圧力が一定になるように保たれた状態
で排気される。
供給された原料ガス１１はガス導入口１２を通シ、反応
室５内に導入され、ガス排出口１３を経て、排気装置３
によシ反応室内の圧力が一定になるように保たれた状態
で排気される。
この状態で放電用電源４によって電極９に電圧を印加す
ることによシ反応室５内にプラズマが生起され、加熱さ
れた基板１０上に成膜がなされる。ここで放電用電源４
の周波数は直流からラジオ波の高周波まで可能である。
ることによシ反応室５内にプラズマが生起され、加熱さ
れた基板１０上に成膜がなされる。ここで放電用電源４
の周波数は直流からラジオ波の高周波まで可能である。
しかしながら、この装置による成膜では、プラズマ陽光
柱が基板１０の近傍に存在せず反応室５内全体に拡散す
るため放電電力の増加等を行なっても基板１０近傍のプ
ラズマ密度が増大しない友め成膜速度の飛躍的上昇は望
めないといつだ問題があった。
柱が基板１０の近傍に存在せず反応室５内全体に拡散す
るため放電電力の増加等を行なっても基板１０近傍のプ
ラズマ密度が増大しない友め成膜速度の飛躍的上昇は望
めないといつだ問題があった。
そこで、近時、本発明者らによって第２図に示すように
上記第１図に示される装置に一部改良を加え、成膜速度
の大幅な上昇が可能となるものが開発された。加えられ
た改良点は、支持台７及び電極９を含む空間を原料ガス
７５（流通し、かつプラズマの障壁となシ得る物質１４
で囲んだことにある。この物質１４にはたとえばステン
レス等の金属メツシュや絶縁性多孔質物質等が用いられ
、金属メツシュの場合、接地を位が望ましく、電極９と
はダークスペースシールドを可能とする距離を隔てて対
向させる。この改良によりプラズマを支持台７と電極９
との間に集中させ、かつ必要量の原料ガスを過不足なく
、プラズマ空間に補給することができ、欠陥が少なく同
時に従来より成膜速度を大幅に増大しだ状態での成膜が
可能となった。
上記第１図に示される装置に一部改良を加え、成膜速度
の大幅な上昇が可能となるものが開発された。加えられ
た改良点は、支持台７及び電極９を含む空間を原料ガス
７５（流通し、かつプラズマの障壁となシ得る物質１４
で囲んだことにある。この物質１４にはたとえばステン
レス等の金属メツシュや絶縁性多孔質物質等が用いられ
、金属メツシュの場合、接地を位が望ましく、電極９と
はダークスペースシールドを可能とする距離を隔てて対
向させる。この改良によりプラズマを支持台７と電極９
との間に集中させ、かつ必要量の原料ガスを過不足なく
、プラズマ空間に補給することができ、欠陥が少なく同
時に従来より成膜速度を大幅に増大しだ状態での成膜が
可能となった。
しかしながら、プラズマを支持台７と電極９との間に集
中させたことにより、プラズマのアノードすなわち被成
膜体である基板１０近傍でプラズマ電位による電位勾配
が生じることとなシ、プラズマ中の正に帯電したイオン
種が基板１０に向けて加速される。このため、基板１０
が成膜中においてイオン衝撃を受け、膜中に欠陥を生じ
易い構造となっている。
中させたことにより、プラズマのアノードすなわち被成
膜体である基板１０近傍でプラズマ電位による電位勾配
が生じることとなシ、プラズマ中の正に帯電したイオン
種が基板１０に向けて加速される。このため、基板１０
が成膜中においてイオン衝撃を受け、膜中に欠陥を生じ
易い構造となっている。
一方、膜の形成に要求される事柄は、前述したように均
一な大面積膜、良好な光・電気特性。
一な大面積膜、良好な光・電気特性。
高速成膜などである０また、これらの股のうち非晶質シ
リコンを太陽電池等のデバイスに使用す不場合は電気的
特性、特に光生成キャリヤの移動度、寿命がデバイスの
性能を大きく左右するため、これらの高い特性が要求さ
れる。
リコンを太陽電池等のデバイスに使用す不場合は電気的
特性、特に光生成キャリヤの移動度、寿命がデバイスの
性能を大きく左右するため、これらの高い特性が要求さ
れる。
しかしながら、一般に高速成膜を追求すると膜中の欠陥
密度が増加するため光キャリヤの高い走行性を維持して
高速成膜を達成することは非常に困難であった。
密度が増加するため光キャリヤの高い走行性を維持して
高速成膜を達成することは非常に困難であった。
本発明は、上記事情にもとづきなされたもので、その目
的とするところは、良好な光・電気的特性をもった膜を
高速で成膜することができる成膜方法を提供しようとす
るものである。
的とするところは、良好な光・電気的特性をもった膜を
高速で成膜することができる成膜方法を提供しようとす
るものである。
本発明は、上記目的を達成すべく電極と被成膜体を収容
する反応室内に原料ガスを導入し、上記電極と上記被成
膜体を支持する部分の間に電界を印加することによシブ
２ズマを生起させ、上記被成膜体上に膜を形成する成膜
方法において、少なくとも上記被成膜体と電極とを含む
領域を原料ガスが流通し、かつプラズマの障壁となシ得
る物質で囲み、さらに、上記領域内の被成膜体の近傍に
被成膜体へのイオン衝撃を抑制するグリッドを設けて成
膜するもので、上記グリッドによシ被成膜体近傍の電位
勾配を零または負にし、被成膜体へのイオン種の加速す
なわちイオン衝撃を抑制し、高速成膜状態を保持しなが
ら膜中の欠陥を防止し光・電気的特性を向上させるよう
にしたものである。
する反応室内に原料ガスを導入し、上記電極と上記被成
膜体を支持する部分の間に電界を印加することによシブ
２ズマを生起させ、上記被成膜体上に膜を形成する成膜
方法において、少なくとも上記被成膜体と電極とを含む
領域を原料ガスが流通し、かつプラズマの障壁となシ得
る物質で囲み、さらに、上記領域内の被成膜体の近傍に
被成膜体へのイオン衝撃を抑制するグリッドを設けて成
膜するもので、上記グリッドによシ被成膜体近傍の電位
勾配を零または負にし、被成膜体へのイオン種の加速す
なわちイオン衝撃を抑制し、高速成膜状態を保持しなが
ら膜中の欠陥を防止し光・電気的特性を向上させるよう
にしたものである。
以下、本発明の一実施例を第３図および第４図を参照し
て説明する０第３図は本発明の成膜方法を実施し得るプ
ラズマＣＶＤ膜形成装置の概略を示し、支持台７及び電
極９を含む空間を原料ガスが流通し、かつプラズマの障
壁となシ得る金属メツシュ等の物質１４で囲み、さらに
この物質１４で囲まれた領域内の被成膜体としての基板
１０の上方近傍に基板１０の成膜面と実質的に平行に位
置するグリッド１５を設置したものである。このグリッ
ド１５は第４図で示すように基板１０と同電位の接地電
位とじた場合で、基板１０とグリッド１５との間の電位
勾配は第５図で示すように零となっている。
て説明する０第３図は本発明の成膜方法を実施し得るプ
ラズマＣＶＤ膜形成装置の概略を示し、支持台７及び電
極９を含む空間を原料ガスが流通し、かつプラズマの障
壁となシ得る金属メツシュ等の物質１４で囲み、さらに
この物質１４で囲まれた領域内の被成膜体としての基板
１０の上方近傍に基板１０の成膜面と実質的に平行に位
置するグリッド１５を設置したものである。このグリッ
ド１５は第４図で示すように基板１０と同電位の接地電
位とじた場合で、基板１０とグリッド１５との間の電位
勾配は第５図で示すように零となっている。
しかして、グリッド１５の配置（′″−より基板１０近
傍の電位勾配が零となって基板１０へのイオン種の加速
すなわちイオン衝撃を抑ｆｂｌすることができる。した
がって、基板１０の成膜面へのイオン衝撃を抑え膜中の
欠陥を減少させ）ｔキャリヤの走行性能を上昇させるこ
と力；できる。
傍の電位勾配が零となって基板１０へのイオン種の加速
すなわちイオン衝撃を抑ｆｂｌすることができる。した
がって、基板１０の成膜面へのイオン衝撃を抑え膜中の
欠陥を減少させ）ｔキャリヤの走行性能を上昇させるこ
と力；できる。
なお、このとき原料ガス１１が流通し、力瓢つプラズマ
の障壁となシ得る物質１４の存在：二よシ基板１０近傍
のプラズマ密度が増大した状態となっておシ、十分満足
のいく成膜速度力上維持されることになる。
の障壁となシ得る物質１４の存在：二よシ基板１０近傍
のプラズマ密度が増大した状態となっておシ、十分満足
のいく成膜速度力上維持されることになる。
なお、上述の一実施例において、グリッド１５を基板Ｉ
Ｑと同電位の接地電位とし、基板１０とグリッド１５間
の電位勾配を零とするものについて説明したが、本発明
はこれ）二限らず第６図および第７図に示すよう；ニゲ
リッド１５（＝電気的に負のバイアスを印カロし、基板
１０とグリッド１５との間の電位勾配をグ１ノット１５
の無い場合に比べて逆とし、イオン衝撃を更に抑制する
ようにしてもよい。また、第８図および第９図に示すよ
うにグリッド１５を基板１０の成膜面に対して垂直方向
に２枚配置するとともに電極側のグリッド１５に負の）
くイアスを印加し、基板側のグリッド１５が零電位とな
るようにし、イオン衝撃をさらに一層抑制するようにし
てもよい。
Ｑと同電位の接地電位とし、基板１０とグリッド１５間
の電位勾配を零とするものについて説明したが、本発明
はこれ）二限らず第６図および第７図に示すよう；ニゲ
リッド１５（＝電気的に負のバイアスを印カロし、基板
１０とグリッド１５との間の電位勾配をグ１ノット１５
の無い場合に比べて逆とし、イオン衝撃を更に抑制する
ようにしてもよい。また、第８図および第９図に示すよ
うにグリッド１５を基板１０の成膜面に対して垂直方向
に２枚配置するとともに電極側のグリッド１５に負の）
くイアスを印加し、基板側のグリッド１５が零電位とな
るようにし、イオン衝撃をさらに一層抑制するようにし
てもよい。
以上説明したように本発明によれば高速で力１つ光・電
気的特性、特に光キャリヤの走行性（二優れた膜を成膜
できる。
気的特性、特に光キャリヤの走行性（二優れた膜を成膜
できる。
つぎに、詳細な具体例について説明するＯ前記した各成
膜装置を用いてＢ −Ｓ ｉの成膜を行なった。基板１
０にはコーニング７０５９ガラス上に表面タイプのＮ
ｉ −Ｃｒ の電極を蒸着したものを用いだ０先ず、第
１図に示すような原料ガスが流通し、かつプラズマの障
壁となり得る物質１４としての金属メツシュを全く用い
ない場合でこれを試料１１ｋ１１とする０次；二、第２
図（＝示すカソード及びアノードを金属メツシュ１４で
覆つた場合でこれを試料陽２とする。更に第３図に示す
カソード及びアノードを金属メツシュで覆い、同時に基
板１０すなわちアノード近傍にグリッド１５を配置した
場合で、これは第４図に示すようにグリッド１５が接地
電位の場合と第６図に示すようにグリッド１５に負バイ
アスを与える場合と、第８図に示すようにグリッド１５
が２枚あシ一方が接地電位、他方が負バイアスの場合の
三種について行ない、それぞれ試料ｔｍ３．試料Ｎｃｔ
４．試料Ｎ１５とした。各々の試料の成膜条件は、以下
のものについては共通とした０ 使用原料ガス： Ｓ ｉＨ４１００ｃｃ／ｍｉｎ高周波
電源 ： １３．５６ＭＨｚ ６０ Ｗ反応圧力 ：
０．７５ Ｔｏｒｒ 基板温度 ：２２０℃ また、試料Ｎｎ４及び−５において、負バイアスを印加
するグリッド１５のバイアス電圧は、３０ Ｖ 、１０
０Ｖ、２００Ｖを用いた。
膜装置を用いてＢ −Ｓ ｉの成膜を行なった。基板１
０にはコーニング７０５９ガラス上に表面タイプのＮ
ｉ −Ｃｒ の電極を蒸着したものを用いだ０先ず、第
１図に示すような原料ガスが流通し、かつプラズマの障
壁となり得る物質１４としての金属メツシュを全く用い
ない場合でこれを試料１１ｋ１１とする０次；二、第２
図（＝示すカソード及びアノードを金属メツシュ１４で
覆つた場合でこれを試料陽２とする。更に第３図に示す
カソード及びアノードを金属メツシュで覆い、同時に基
板１０すなわちアノード近傍にグリッド１５を配置した
場合で、これは第４図に示すようにグリッド１５が接地
電位の場合と第６図に示すようにグリッド１５に負バイ
アスを与える場合と、第８図に示すようにグリッド１５
が２枚あシ一方が接地電位、他方が負バイアスの場合の
三種について行ない、それぞれ試料ｔｍ３．試料Ｎｃｔ
４．試料Ｎ１５とした。各々の試料の成膜条件は、以下
のものについては共通とした０ 使用原料ガス： Ｓ ｉＨ４１００ｃｃ／ｍｉｎ高周波
電源 ： １３．５６ＭＨｚ ６０ Ｗ反応圧力 ：
０．７５ Ｔｏｒｒ 基板温度 ：２２０℃ また、試料Ｎｎ４及び−５において、負バイアスを印加
するグリッド１５のバイアス電圧は、３０ Ｖ 、１０
０Ｖ、２００Ｖを用いた。
成膜後、各試料について定常電流において暗時の導電率
及びＡＭＩ相当の光照射を行なった時の導電率の測定を
行なった。この光照射時の導電率は光生成キャリヤの移
動度、寿命の大小を決定する指標となる値である。表１
に各試料の成膜速度、暗時の導電率（ρｄ）光照射時の
導電率（ρｐ）を示す。
及びＡＭＩ相当の光照射を行なった時の導電率の測定を
行なった。この光照射時の導電率は光生成キャリヤの移
動度、寿命の大小を決定する指標となる値である。表１
に各試料の成膜速度、暗時の導電率（ρｄ）光照射時の
導電率（ρｐ）を示す。
この結果よシ本発明によるＢ−８ｉ膜（試料Ｎ［１３〜
Ｎ［１５）は、従来の方式による膜（試料Ｎｎ１）に比
べ、成膜速度は飛躍的に増加し、光導電性も向上してい
ることがわかる。尚、負のグリッドバイアスは絶対値が
大きい程、成膜速度が低下するが光導電性は向上する。
Ｎ［１５）は、従来の方式による膜（試料Ｎｎ１）に比
べ、成膜速度は飛躍的に増加し、光導電性も向上してい
ることがわかる。尚、負のグリッドバイアスは絶対値が
大きい程、成膜速度が低下するが光導電性は向上する。
以上のように本発明によれば、成膜速度が大きく、同時
に光生成キャリヤの走行性の高い非晶質膜を形成するこ
とができる。
に光生成キャリヤの走行性の高い非晶質膜を形成するこ
とができる。
なお、上述の第２図、第３図、第４図、第６図および第
８図の説明において、前述の第１図のものと同一部分は
同一の符号を付して説明を省略する。
８図の説明において、前述の第１図のものと同一部分は
同一の符号を付して説明を省略する。
本発明は、以上説明したように、電極と被成膜体を収容
する反応室内に原料ガスを導入し、上記電極と上記被成
膜体を支持する部分の間に電界を印加することによりプ
ラズマを生起させ、上記被成膜体上に膜を形成する成膜
方法において、少なくとも上記被成膜体と電極とを含む
領域を原料ガスが流通し、かっプラズマのＩＩ壁となシ
得る物質で囲み、さらに上記領域内の被成膜体の近傍に
被成膜体へのイオン衝撃を抑制するグリッドを設けて成
膜することを特徴とする成膜方法にある。したがって、
良好な光・電気的特性をもった膜を高速で成膜すること
ができる成膜方法を提供できるといっだ効果を奏する。
する反応室内に原料ガスを導入し、上記電極と上記被成
膜体を支持する部分の間に電界を印加することによりプ
ラズマを生起させ、上記被成膜体上に膜を形成する成膜
方法において、少なくとも上記被成膜体と電極とを含む
領域を原料ガスが流通し、かっプラズマのＩＩ壁となシ
得る物質で囲み、さらに上記領域内の被成膜体の近傍に
被成膜体へのイオン衝撃を抑制するグリッドを設けて成
膜することを特徴とする成膜方法にある。したがって、
良好な光・電気的特性をもった膜を高速で成膜すること
ができる成膜方法を提供できるといっだ効果を奏する。
第１図は従来における膜形成装置の概略的構成図、第２
図は従来装置を改良した先行技術例である膜形成装置の
概略的構成図、第３図は本発明を実施し得る膜形成装置
の一実施例を示す概略的構成図、第４図は同実施例にお
けるグリッドの電気的接続状態を模式的に示す図、第５
図は同じくプラズマ中の電極から基板までの間の電位分
布を示す説明図、第６図ゴロよび第７図は本発明を適用
し得る第１の他の実施例を示すもので第６図はグリッド
の電気的接続状態を模式的に示す図、第７図はプラズマ
中の電極から基板までの間の電位分布を示す説明図、第
８図ｉよび第９図は本発明を適用し得る第２の池の実施
例を示すもので、第８図はグリッドの電気況明図である
。 ５・反応室、７・・・支持台、９・・・尤鷺、１１・・
・） 原料ガス、１４・・・金属メツシュ等の物質、１
５・・・グリッド。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図 第７図
図は従来装置を改良した先行技術例である膜形成装置の
概略的構成図、第３図は本発明を実施し得る膜形成装置
の一実施例を示す概略的構成図、第４図は同実施例にお
けるグリッドの電気的接続状態を模式的に示す図、第５
図は同じくプラズマ中の電極から基板までの間の電位分
布を示す説明図、第６図ゴロよび第７図は本発明を適用
し得る第１の他の実施例を示すもので第６図はグリッド
の電気的接続状態を模式的に示す図、第７図はプラズマ
中の電極から基板までの間の電位分布を示す説明図、第
８図ｉよび第９図は本発明を適用し得る第２の池の実施
例を示すもので、第８図はグリッドの電気況明図である
。 ５・反応室、７・・・支持台、９・・・尤鷺、１１・・
・） 原料ガス、１４・・・金属メツシュ等の物質、１
５・・・グリッド。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第８図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電極と被成膜体を収容する反応室内に原料ガスを
導入し、上記電極と上記被成膜体を支持する部分の間（
二電界を印加することによシプラズマを生起させ、上記
被成膜体上に膜を形成する成膜方法において、少なくと
も上記被成膜体と電極とを含む領域を原料ガスが流通し
、かつプラズマの障壁となシ得る物質で囲み、さらに、
上記領域内の被成膜体の近傍に被成膜体へのイオン衝撃
を抑制するグリッドを設けて成膜することを特徴とする
成膜方法。 （２）原料ガスが流通し、かつプラズマの障壁となシ得
る物質が金属メツシュであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の成膜力、法。 （３）原料ガスが流通し、かつプラズマの障壁となり得
る物質が電気的に接地されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の成膜方法。 （４） グリッドが被成膜体の成膜面と実質的に平行に
位置する金属メツシュであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の成膜方法。 （５） グリッドが被成膜体と同電位であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第４項記載の成膜方
法。 （６） グリッドに電気的に負のバイアスが印加されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第４
項記載の成膜方法。 （カ グリッドを被成膜体の成膜面に対して垂直方向に
複数配置したことを特徴とする特許請求の範囲第１項、
第４項、第５項、または第６項のいずれかに記載の成膜
方法。 （８） 被成膜体上に形成（される膜は非晶質シリコン
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
成膜方法０ （９）被成膜体上に形成される膜は窒素を含む非品質シ
リコン膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226655A JPS60117715A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58226655A JPS60117715A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117715A true JPS60117715A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0456449B2 JPH0456449B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=16848579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58226655A Granted JPS60117715A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117715A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140972U (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-26 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS56104433A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-20 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor corresponding to crystalline semiconductor |
| JPS5766639A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58226655A patent/JPS60117715A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698820A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Preparation of amorphous semiconductor film |
| JPS56104433A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-20 | Energy Conversion Devices Inc | Amorphous semiconductor corresponding to crystalline semiconductor |
| JPS5766639A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140972U (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-26 | ||
| JPH0630850Y2 (ja) * | 1989-04-25 | 1994-08-17 | 日本真空技術株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456449B2 (ja) | 1992-09-08 |
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