JPS62238370A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS62238370A JPS62238370A JP8008086A JP8008086A JPS62238370A JP S62238370 A JPS62238370 A JP S62238370A JP 8008086 A JP8008086 A JP 8008086A JP 8008086 A JP8008086 A JP 8008086A JP S62238370 A JPS62238370 A JP S62238370A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ放電により原料ガスを分解してアモ
ルファスシリコン等の非晶質半導体や集積回路における
層間絶縁膜やパッシベーション膜等の形成に適用される
プラズマＣＶＤ−ｍ置に関する。
ルファスシリコン等の非晶質半導体や集積回路における
層間絶縁膜やパッシベーション膜等の形成に適用される
プラズマＣＶＤ−ｍ置に関する。
（従来の技術〕
従来、ａ −Ｓｉ （アモルファスシリコン）膜やパッ
シベーション膜の堆積に用いられてきたプラズマＣＶＤ
装置は、ガス導入５磯構と排気機構によって内部全所望
のガス組成、流量及び圧力に調整し得る真空容器内に平
行平板￥［全設け、この電極に高周波電力を印加して反
応ガスをプラズマ化する構成分備え、膜が形成される基
板は真空容器内の適当な支持装置に装着されて所望の温
度に加熱され、その表面にプラズマ化され分解されたガ
ス種が堆積する。
シベーション膜の堆積に用いられてきたプラズマＣＶＤ
装置は、ガス導入５磯構と排気機構によって内部全所望
のガス組成、流量及び圧力に調整し得る真空容器内に平
行平板￥［全設け、この電極に高周波電力を印加して反
応ガスをプラズマ化する構成分備え、膜が形成される基
板は真空容器内の適当な支持装置に装着されて所望の温
度に加熱され、その表面にプラズマ化され分解されたガ
ス種が堆積する。
（発明が解決しようとする問題点）
このような従来のプラズマＣＶＤ装置においては、通常
の場合、基板に膜が堆積する速度は通常１〜３Ａ／ｓｅ
ｅであり、産業上この堆積速度の向上が望まれている。
の場合、基板に膜が堆積する速度は通常１〜３Ａ／ｓｅ
ｅであり、産業上この堆積速度の向上が望まれている。
堆積速度の向上のために電極の高周波電力密度を上げる
と、基板表面に入射するイオンの入射エネルギーが大き
くなり、堆積した膜に欠陥音生じ、また気相中で活性種
同士の反応が活発になり、膜構造に不拘−ｆ生ずること
になって好ましくない。
と、基板表面に入射するイオンの入射エネルギーが大き
くなり、堆積した膜に欠陥音生じ、また気相中で活性種
同士の反応が活発になり、膜構造に不拘−ｆ生ずること
になって好ましくない。
−万、分解し易いジシランガスやトリシランガス、フッ
化シランガス等を反応ガスとして用いることにより堆積
速度を向上させることも考えられるが、これらのガスは
シランガスに比べて扱い全慎重に行なう必要がある上、
−役（（良好な膜質は得られない。
化シランガス等を反応ガスとして用いることにより堆積
速度を向上させることも考えられるが、これらのガスは
シランガスに比べて扱い全慎重に行なう必要がある上、
−役（（良好な膜質は得られない。
本発明は、膜質を低下させることなく膜の堆積速度を向
上させ得るプラズマＣＶＤ装置厘を４ｆ？：供すること
全目的とするものである。
上させ得るプラズマＣＶＤ装置厘を４ｆ？：供すること
全目的とするものである。
（問題点ｆｃｗ４決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明によれば、真空容器
内に設けた平行平板電極に高周波電圧を印加し、真空容
器内に導入した反応ガス金プラズマ化することにより、
加熱機構金備えた支持装置に装着した基板上に薄膜全形
成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、高周波
電圧の印加される電極の表面に凹Ｓｔ形成し、該凹溝内
に高周波電界に直交する磁界全形成する磁界形成装置を
設けるようにした。
内に設けた平行平板電極に高周波電圧を印加し、真空容
器内に導入した反応ガス金プラズマ化することにより、
加熱機構金備えた支持装置に装着した基板上に薄膜全形
成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、高周波
電圧の印加される電極の表面に凹Ｓｔ形成し、該凹溝内
に高周波電界に直交する磁界全形成する磁界形成装置を
設けるようにした。
この構成に於て高周波電界と直交する磁界により集中さ
れたプラズマ領域に対し、距離を置いて基板を位置決め
する位置決め装置が設けられる。
れたプラズマ領域に対し、距離を置いて基板を位置決め
する位置決め装置が設けられる。
塘だ本発明の別の特徴によれば、平行平板電極と基板と
磁界形成装置のうちの少なくとも１つを移動させる移動
装ｆｉｌが設けられる。
磁界形成装置のうちの少なくとも１つを移動させる移動
装ｆｉｌが設けられる。
（作用）
前記のように構成した本発明の装置は、高周波電圧の印
加される電極の表面に凹溝を形成し、そこに磁界形成装
置で電界と直交する磁界を発生させるので、該凹溝内に
は磁界によシ空間の電子が取り込まれ、電子密度の極め
て高いプラズマが形成される。この電子密度の高いプラ
ズマ中では、ガス１と電子の衡突頻度が大きくなり反応
ガスの分解が促進される。そのため凹溝内では膜形成に
寄与する活性種の濃度が高まり、基板の該凹溝に対向し
た部分に於ける膜の堆積速度が大きく向上する。
加される電極の表面に凹溝を形成し、そこに磁界形成装
置で電界と直交する磁界を発生させるので、該凹溝内に
は磁界によシ空間の電子が取り込まれ、電子密度の極め
て高いプラズマが形成される。この電子密度の高いプラ
ズマ中では、ガス１と電子の衡突頻度が大きくなり反応
ガスの分解が促進される。そのため凹溝内では膜形成に
寄与する活性種の濃度が高まり、基板の該凹溝に対向し
た部分に於ける膜の堆積速度が大きく向上する。
更に平行平板電離と基板と磁界形成装置のうちの少なく
とも１つを移動装置で移動することにより、基板面を電
子密度の高いプラズマ領域で走査することが出来、基板
に均一な分布で膜を堆積させることが出来る。
とも１つを移動装置で移動することにより、基板面を電
子密度の高いプラズマ領域で走査することが出来、基板
に均一な分布で膜を堆積させることが出来る。
（実施例）
本発明の実施利金図面に基づき説明すると、第１図に於
て、符号（１）は真空容器、（２）は該真空容器（１）
内ヘシランガス等の反応ガス全導入するガス導入装置、
（３）は該真空容器（１）内を真空に排気する排気装置
金示す。該真空容器（１）内には、高周波印加電極（４
）と接地電極（５）とで構成された平行平板電極が設け
られ、該高周波印加電極（４）にはマツチング回路（６
）全弁して高周波１ｊＬ源（７）が接続される。該接地
電極（５）は基板（８）の支持装置を兼ね、その内部に
は該基板（８）全加熱する加熱機構（９）が設けられる
。（ｌは加熱電源である。
て、符号（１）は真空容器、（２）は該真空容器（１）
内ヘシランガス等の反応ガス全導入するガス導入装置、
（３）は該真空容器（１）内を真空に排気する排気装置
金示す。該真空容器（１）内には、高周波印加電極（４
）と接地電極（５）とで構成された平行平板電極が設け
られ、該高周波印加電極（４）にはマツチング回路（６
）全弁して高周波１ｊＬ源（７）が接続される。該接地
電極（５）は基板（８）の支持装置を兼ね、その内部に
は該基板（８）全加熱する加熱機構（９）が設けられる
。（ｌは加熱電源である。
こうした構成は、従来のプラズマＣＶＤ装置と同様であ
るが、本発明のものでは、高周波印加電極（４）の表面
即ち接地電極（５）への対向面に環状その他の凹溝α１
）を形成するようにし、該凹溝αυ内に高周波電界に直
交する磁界を形成するだめの永久磁石等から成る磁界形
成装置（６）を設けるようにした。該磁界形成装置（２
）は、図示の例では高周波印加電極（４）内に設けるよ
うにしたが、これに限らす該′１ｉ極（４）の外部後万
知設けてもよい。
るが、本発明のものでは、高周波印加電極（４）の表面
即ち接地電極（５）への対向面に環状その他の凹溝α１
）を形成するようにし、該凹溝αυ内に高周波電界に直
交する磁界を形成するだめの永久磁石等から成る磁界形
成装置（６）を設けるようにした。該磁界形成装置（２
）は、図示の例では高周波印加電極（４）内に設けるよ
うにしたが、これに限らす該′１ｉ極（４）の外部後万
知設けてもよい。
この第１図示の装置の作動は次の通りである。
まず、真空容器（１）内を反応ガス導入装置ｔ （２）
と排気装置（３）とにより所望のガス組成、ガス流量及
び圧力に調節し、その後、高周波印加電極（４）に高周
波電圧を印加してこれと接地電極（５）との間にグロー
族１！を発生させる。この時プラズマ中で生成した電子
は、高周波印加電極（４）の凹溝（６）内で磁界形成装
置＠により形成された高周波電界と直交する磁界で捕え
られ、該凹ａ−（ロ）内に極めて電子密度の高いプラズ
マ領域が形成される。その結果、該凹溝（６）内で反応
ガスの分解が促進され、接地電極（５）の基板（８）上
には該凹溝αηに対向する部分に於て特に高速で膜が形
成される。具体的には該高周波印加電極（４）への投入
電力が、従来のものと同様であっても、その堆積速度を
数倍のＩＯＡ／ｓｅｃ となし得る。
と排気装置（３）とにより所望のガス組成、ガス流量及
び圧力に調節し、その後、高周波印加電極（４）に高周
波電圧を印加してこれと接地電極（５）との間にグロー
族１！を発生させる。この時プラズマ中で生成した電子
は、高周波印加電極（４）の凹溝（６）内で磁界形成装
置＠により形成された高周波電界と直交する磁界で捕え
られ、該凹ａ−（ロ）内に極めて電子密度の高いプラズ
マ領域が形成される。その結果、該凹溝（６）内で反応
ガスの分解が促進され、接地電極（５）の基板（８）上
には該凹溝αηに対向する部分に於て特に高速で膜が形
成される。具体的には該高周波印加電極（４）への投入
電力が、従来のものと同様であっても、その堆積速度を
数倍のＩＯＡ／ｓｅｃ となし得る。
尚、凹溝（６）内のプラズマ領域に対し、基板（８）は
距離を４いて設置されるが、その距離は第１図示の例で
は位置決め装置（］：（＋により醇地肛極（５）全移動
させて自在に調節出来るようにした、。
距離を４いて設置されるが、その距離は第１図示の例で
は位置決め装置（］：（＋により醇地肛極（５）全移動
させて自在に調節出来るようにした、。
第２図の実施例は、本発明の別の特徴を示すもので、こ
れに於ては、高周波印７１１１屯極（４）全磁界形成装
置＠と共に旋回移動さぜる′ｊ江動磯等の移動装置α→
に連結し、ＯＶＤの処理中て基板（８）の面が移動する
凹１Ｊ（１υ内のプラズマ領域により走査され、該基板
（８）上に形成されるｉ埼膜の膜厚分布が均一化される
ようにした。
れに於ては、高周波印７１１１屯極（４）全磁界形成装
置＠と共に旋回移動さぜる′ｊ江動磯等の移動装置α→
に連結し、ＯＶＤの処理中て基板（８）の面が移動する
凹１Ｊ（１υ内のプラズマ領域により走査され、該基板
（８）上に形成されるｉ埼膜の膜厚分布が均一化される
ようにした。
該移動 装置（１→は、第３図示のように、高周波印加
ａ極（４）内に回転自在に設けた磁界形成装置０２と連
結してこれに旋回移動を与えるか、或は第４図示のよう
に接地電極（５）に連結して基板（８）を高周波印加電
極（４）のプラズマ領域に対して旋回移動させることも
可能で、同時に接地電極（５）に位置決め装！０３に設
けて基板（８）とプラズマ領域との距離を調節すること
も出来る。
ａ極（４）内に回転自在に設けた磁界形成装置０２と連
結してこれに旋回移動を与えるか、或は第４図示のよう
に接地電極（５）に連結して基板（８）を高周波印加電
極（４）のプラズマ領域に対して旋回移動させることも
可能で、同時に接地電極（５）に位置決め装！０３に設
けて基板（８）とプラズマ領域との距離を調節すること
も出来る。
尚、図示してはないが、電極（４） Ｃ５） 、基板（
８）及び磁界形成装置１０１のうちの２つ以上全同時に
移動させるようにしてもよい。
８）及び磁界形成装置１０１のうちの２つ以上全同時に
移動させるようにしてもよい。
（発明の効果）
以上のように、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、高周波
印加ｔ ＊の表面に凹溝を形成し、そこに磁界形成装置
により高周波電界と直交する磁界が生ずるようにしたの
で、該凹偉内に閉じ込めて電子密度の高いプラズマ領域
を形成させ得、これに対向する基板上に高速で薄膜を形
成することが出来、大電力や特殊なガスを使用する必要
がないので膜質の良いものが得られる。
印加ｔ ＊の表面に凹溝を形成し、そこに磁界形成装置
により高周波電界と直交する磁界が生ずるようにしたの
で、該凹偉内に閉じ込めて電子密度の高いプラズマ領域
を形成させ得、これに対向する基板上に高速で薄膜を形
成することが出来、大電力や特殊なガスを使用する必要
がないので膜質の良いものが得られる。
また移＠袈袴により電極、基板、磁界形成装置のうちの
少なくとも１つを移動装置により移動するようにしたの
で、プラズマ′碩域で基板を走査し、均一な膜厚分布の
薄膜全形成出来る等の効果がある。
少なくとも１つを移動装置により移動するようにしたの
で、プラズマ′碩域で基板を走査し、均一な膜厚分布の
薄膜全形成出来る等の効果がある。
第１図乃至第１↓図は本発明の実施例の概略断面線図で
ある。 （１）・・・真空容器 （４） （５）・・・平
行平板電極（８）・・・基板 （９）・・・
加熱機構０υ・・・凹溝 ｑ功・・・磁界形
成装置α埠・・・位置決め装ｆ α４）・・・移動装
置ｆｔ外２名
ある。 （１）・・・真空容器 （４） （５）・・・平
行平板電極（８）・・・基板 （９）・・・
加熱機構０υ・・・凹溝 ｑ功・・・磁界形
成装置α埠・・・位置決め装ｆ α４）・・・移動装
置ｆｔ外２名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に設けた平行平板型電極に高周波電圧を
印加し、真空容器内に導入した反応ガスをプラズマ化す
ることにより、加熱機構を備えた支持装置に装着した基
板上に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、高周波電圧の印加される電極の表面に凹溝を形
成し、該凹溝内に高周波電界に直交する磁界を形成する
磁界形成装置を設けることを特徴とするプラズマＣＶＤ
装置。 ２、高周波電界に直交する磁界により集中されたプラズ
マ領域に対し、距離を置いて基板を位置決めする位置決
め装置を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載のプラズマＣＶＤ装置。 ３、真空容器内に設けた平行平板型電極に高周波電圧を
印加し、真空容器内に導入した反応ガスをプラズマ化す
ることにより、加熱機構を備えた支持装置に装着した基
板上に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、高周波電圧の印加される電極の表面に凹溝を形
成し、該凹溝内に高周波電界に直交する磁界を形成する
磁界形成装置を設け、平行平板電極と基板と磁界形成装
置のうちの少なくとも１つを移動させる移動装置を設け
ることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8008086A JPH0249385B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Purazumacvdsochi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8008086A JPH0249385B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Purazumacvdsochi |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62238370A true JPS62238370A (ja) | 1987-10-19 |
| JPH0249385B2 JPH0249385B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13708238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8008086A Expired - Lifetime JPH0249385B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | Purazumacvdsochi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249385B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226148A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01227427A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成膜装置 |
| JP2016513336A (ja) * | 2013-02-06 | 2016-05-12 | アルセロルミッタル インベスティガシオン イ デサロージョ エセ．エレ． | プラズマ源 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP8008086A patent/JPH0249385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226148A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01227427A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成膜装置 |
| JP2016513336A (ja) * | 2013-02-06 | 2016-05-12 | アルセロルミッタル インベスティガシオン イ デサロージョ エセ．エレ． | プラズマ源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249385B2 (ja) | 1990-10-30 |
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