JPH11172449A - 回転電極を用いた薄膜形成装置 - Google Patents
回転電極を用いた薄膜形成装置Info
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- JPH11172449A JPH11172449A JP9344813A JP34481397A JPH11172449A JP H11172449 A JPH11172449 A JP H11172449A JP 9344813 A JP9344813 A JP 9344813A JP 34481397 A JP34481397 A JP 34481397A JP H11172449 A JPH11172449 A JP H11172449A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回転電極１を用いる薄膜形成において、成膜
速度を向上させ、均質な薄膜を形成する。 【解決手段】 回転電極１と基板２の間に反応ガスを吹
き付けるよう反応ガス供給管４が設けれていることを特
徴としている。
速度を向上させ、均質な薄膜を形成する。 【解決手段】 回転電極１と基板２の間に反応ガスを吹
き付けるよう反応ガス供給管４が設けれていることを特
徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転電極を用いた
薄膜形成装置に関するものである。
薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン等の薄膜を比較的
高い圧力で形成する薄膜形成装置としては、反応容器内
に平行平板型電極を設置したプラズマＣＶＤ装置が知ら
れている。このような装置においては、一方の電極に高
周波電力または直流電力を印加し、他方の電極を接地
し、これらの電極間でプラズマを発生させ、発生したプ
ラズマ中に反応ガスを供給し、反応ガスを分解すること
により基板上に所望の薄膜を形成させている。
高い圧力で形成する薄膜形成装置としては、反応容器内
に平行平板型電極を設置したプラズマＣＶＤ装置が知ら
れている。このような装置においては、一方の電極に高
周波電力または直流電力を印加し、他方の電極を接地
し、これらの電極間でプラズマを発生させ、発生したプ
ラズマ中に反応ガスを供給し、反応ガスを分解すること
により基板上に所望の薄膜を形成させている。
【０００３】高速でかつ大きな面積の薄膜を形成するこ
とができる薄膜形成装置として、特開平９−１０４９８
５号公報では、回転電極を用いた薄膜形成装置が提案さ
れている。このような回転電極を用いた薄膜形成装置に
よれば、回転電極の回転によりプラズマ空間に反応ガス
を効率よく供給することができるので、反応ガスの利用
効率を大幅に向上させることができるとともに、速い速
度で均一な薄膜を形成することができる。
とができる薄膜形成装置として、特開平９−１０４９８
５号公報では、回転電極を用いた薄膜形成装置が提案さ
れている。このような回転電極を用いた薄膜形成装置に
よれば、回転電極の回転によりプラズマ空間に反応ガス
を効率よく供給することができるので、反応ガスの利用
効率を大幅に向上させることができるとともに、速い速
度で均一な薄膜を形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の回転電極を用い
た薄膜形成装置においては、１０ｃｍ〜３０ｃｍの比較
的大きな直径の回転電極が用いられており、比較的広い
領域でプラズマが発生するため、薄膜形成に関与しない
遊離した微粒子が発生する場合があった。このような微
粒子の発生は、反応ガスの利用効率を低減させ、効率的
な薄膜形成の妨げとなる。また、反応容器内に微粒子が
付着するため、付着した微粒子を取り除くなどの装置の
メンテナンスが必要となる。
た薄膜形成装置においては、１０ｃｍ〜３０ｃｍの比較
的大きな直径の回転電極が用いられており、比較的広い
領域でプラズマが発生するため、薄膜形成に関与しない
遊離した微粒子が発生する場合があった。このような微
粒子の発生は、反応ガスの利用効率を低減させ、効率的
な薄膜形成の妨げとなる。また、反応容器内に微粒子が
付着するため、付着した微粒子を取り除くなどの装置の
メンテナンスが必要となる。
【０００５】微粒子の発生を低減する方法として、回転
電極の直径を小さくすることによりプラズマ発生領域を
制限する方法が考えられる。しかしながら、回転電極の
直径を小さくすると、相対的に回転電極の電極表面の周
速度が遅くなり、回転による電極表面の移動によって供
給される反応ガスの量が低減し、成膜速度が低下する。
電極の直径を小さくすることによりプラズマ発生領域を
制限する方法が考えられる。しかしながら、回転電極の
直径を小さくすると、相対的に回転電極の電極表面の周
速度が遅くなり、回転による電極表面の移動によって供
給される反応ガスの量が低減し、成膜速度が低下する。
【０００６】本発明の目的は、回転電極を用いた薄膜形
成装置において、成膜速度を向上させ、均質な薄膜を形
成することができる薄膜形成装置を提供することにあ
る。
成装置において、成膜速度を向上させ、均質な薄膜を形
成することができる薄膜形成装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の局面に従
う薄膜形成装置は、回転することにより基板表面の近傍
を移動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、
高周波電力または直流電力を印加することによりプラズ
マを発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基
板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であり、回転電極と
基板の間に反応ガスを吹き付けるように反応ガス供給管
が設けられていることを特徴としている。
う薄膜形成装置は、回転することにより基板表面の近傍
を移動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、
高周波電力または直流電力を印加することによりプラズ
マを発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基
板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であり、回転電極と
基板の間に反応ガスを吹き付けるように反応ガス供給管
が設けられていることを特徴としている。
【０００８】本発明の第１の局面に従うさらに具体的な
薄膜形成装置は、反応容器内でプラズマを発生させ、該
プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成
するための薄膜形成装置であり、回転することにより基
板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する
回転電極と、回転電極を回転させるための駆動手段と、
基板表面と回転電極の間にプラズマを発生させるため回
転電極に印加される高周波電力または直流電力を供給す
る電源と、基板を保持する基板ホルダーと、回転電極と
基板の間に反応ガスを吹き付けるように設けられる反応
ガス供給管とを備えることを特徴としている。
薄膜形成装置は、反応容器内でプラズマを発生させ、該
プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成
するための薄膜形成装置であり、回転することにより基
板表面の近傍を移動しながら通過する電極表面を有する
回転電極と、回転電極を回転させるための駆動手段と、
基板表面と回転電極の間にプラズマを発生させるため回
転電極に印加される高周波電力または直流電力を供給す
る電源と、基板を保持する基板ホルダーと、回転電極と
基板の間に反応ガスを吹き付けるように設けられる反応
ガス供給管とを備えることを特徴としている。
【０００９】第１の局面に従えば、回転電極と基板の間
に反応ガスを吹き付ける反応ガス供給管が設けられてい
るので、回転電極と基板の間のプラズマ発生領域に、反
応ガスを安定して供給することができる。従って、成膜
速度を向上させ、均一な薄膜を形成することができる。
また、回転電極と基板の間のプラズマ発生領域に安定し
て反応ガスを供給することができるので、直径の小さな
回転電極を用いることができる。従って、プラズマ発生
領域を狭くすることができ、遊離した微粒子の発生を低
減することができる。また、回転電極の直径を小さくす
ると、反応容器全体の容積を減少することができ、この
結果、遊離した微粒子が発生する領域を少なくすること
ができるので、さらに微粒子の発生を低減することがで
きる。
に反応ガスを吹き付ける反応ガス供給管が設けられてい
るので、回転電極と基板の間のプラズマ発生領域に、反
応ガスを安定して供給することができる。従って、成膜
速度を向上させ、均一な薄膜を形成することができる。
また、回転電極と基板の間のプラズマ発生領域に安定し
て反応ガスを供給することができるので、直径の小さな
回転電極を用いることができる。従って、プラズマ発生
領域を狭くすることができ、遊離した微粒子の発生を低
減することができる。また、回転電極の直径を小さくす
ると、反応容器全体の容積を減少することができ、この
結果、遊離した微粒子が発生する領域を少なくすること
ができるので、さらに微粒子の発生を低減することがで
きる。
【００１０】第１の局面において、反応ガス供給管のガ
ス噴き出しの先端は、回転電極の電極表面から、該電極
の略直径の値以下の位置に設けられていることが好まし
い。また、第１の局面においては、上述のように回転電
極の直径を小さくすることができる。このような場合、
回転電極の直径は８ｃｍ以下であることが好ましく、さ
らに好ましくは５ｃｍ以下、さらに好ましくは１〜５ｃ
ｍである。
ス噴き出しの先端は、回転電極の電極表面から、該電極
の略直径の値以下の位置に設けられていることが好まし
い。また、第１の局面においては、上述のように回転電
極の直径を小さくすることができる。このような場合、
回転電極の直径は８ｃｍ以下であることが好ましく、さ
らに好ましくは５ｃｍ以下、さらに好ましくは１〜５ｃ
ｍである。
【００１１】さらに、第１の局面においては、回転電極
を基板表面に沿って複数設けてもよい。回転電極を複数
設けることにより、一度に大きな面積の薄膜を形成する
ことができる。
を基板表面に沿って複数設けてもよい。回転電極を複数
設けることにより、一度に大きな面積の薄膜を形成する
ことができる。
【００１２】また、複数の回転電極を設ける場合、各回
転電極と基板の間に反応ガスを吹き付けるように各電極
毎に反応ガス供給管を設けてもよいが、各回転電極間の
距離が狭くそれぞれに反応ガス供給管を設けることがで
きない場合には、複数の回転電極のうちの少なくとも最
前列に位置する回転電極と基板との間に反応ガスを吹き
付けるように反応ガス供給管を設けてもよい。
転電極と基板の間に反応ガスを吹き付けるように各電極
毎に反応ガス供給管を設けてもよいが、各回転電極間の
距離が狭くそれぞれに反応ガス供給管を設けることがで
きない場合には、複数の回転電極のうちの少なくとも最
前列に位置する回転電極と基板との間に反応ガスを吹き
付けるように反応ガス供給管を設けてもよい。
【００１３】複数の回転電極を設ける場合、各回転電極
の回転方向は同一方向であることが好ましい。これによ
り、複数の回転電極と基板との間で、反応ガスを一定の
方向に流動させることができ、均質な薄膜を形成するこ
とができる。
の回転方向は同一方向であることが好ましい。これによ
り、複数の回転電極と基板との間で、反応ガスを一定の
方向に流動させることができ、均質な薄膜を形成するこ
とができる。
【００１４】本発明の第２の局面に従う薄膜形成装置
は、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極に、高周波電力また
は直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、
該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置であり、回転電極の直径が８ｃｍ以
下、好ましくは５ｃｍ以下、さらに好ましくは１〜５ｃ
ｍであることを特徴としている。
は、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極に、高周波電力また
は直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、
該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置であり、回転電極の直径が８ｃｍ以
下、好ましくは５ｃｍ以下、さらに好ましくは１〜５ｃ
ｍであることを特徴としている。
【００１５】第２の局面に従えば、回転電極の直径を８
ｃｍ以下とすることにより、回転電極と基板との間で発
生するプラズマ領域を狭めることができる。従って、基
板上の薄膜形成に関与しない遊離した微粒子の発生を低
減することができる。また、回転電極の直径を小さくす
ることにより、反応容器全体の容積を減少させることが
できるので、遊離した微粒子が発生する領域を少なくす
ることができ、微粒子の発生を低減することができる。
また、遊離した微粒子の発生を低減することができるの
で、反応ガスの利用効率を高めることができる。
ｃｍ以下とすることにより、回転電極と基板との間で発
生するプラズマ領域を狭めることができる。従って、基
板上の薄膜形成に関与しない遊離した微粒子の発生を低
減することができる。また、回転電極の直径を小さくす
ることにより、反応容器全体の容積を減少させることが
できるので、遊離した微粒子が発生する領域を少なくす
ることができ、微粒子の発生を低減することができる。
また、遊離した微粒子の発生を低減することができるの
で、反応ガスの利用効率を高めることができる。
【００１６】本発明の第３の局面に従う薄膜形成装置
は、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極に、高周波電力また
は直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、
該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置であり、回転電極が基板表面に沿っ
て複数設けられていることを特徴としている。
は、回転することにより基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極に、高周波電力また
は直流電力を印加することによりプラズマを発生させ、
該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形
成する薄膜形成装置であり、回転電極が基板表面に沿っ
て複数設けられていることを特徴としている。
【００１７】第３の局面に従えば、大きな面積の薄膜を
形成することができる。また、基板を回転電極に対して
相対的に移動させて複数の回転電極で同一箇所の薄膜を
形成すれば、成膜速度を向上させることができる。
形成することができる。また、基板を回転電極に対して
相対的に移動させて複数の回転電極で同一箇所の薄膜を
形成すれば、成膜速度を向上させることができる。
【００１８】本発明の第４の局面に従う薄膜形成装置
は、反応容器内に設けた回転電極に高周波電力または直
流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プ
ラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成す
る薄膜形成装置であり、前記反応ガスの分解による析出
物が回転電極の表面に付着しない温度以上に回転電極の
表面を加熱することを特徴としている。
は、反応容器内に設けた回転電極に高周波電力または直
流電力を印加することによりプラズマを発生させ、該プ
ラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成す
る薄膜形成装置であり、前記反応ガスの分解による析出
物が回転電極の表面に付着しない温度以上に回転電極の
表面を加熱することを特徴としている。
【００１９】第４の局面において、反応ガスの分解によ
る析出物とは、上記の薄膜形成に関与しない遊離した微
粒子のことであり、このような微粒子が回転電極表面に
薄膜として付着する。第４の局面においては、このよう
な反応ガスの分解による析出物が回転電極の表面に付着
しない温度以上に回転電極の表面を加熱する。回転電極
の表面の加熱温度としては、１００℃以上が好ましく、
さらに好ましくは１００〜３００℃、さらに好ましくは
１５０〜２００℃である。加熱温度が高すぎると、それ
に伴って得られる効果が少なく、経済的に不利である。
また、反応容器内の周囲に熱の影響を与えるため好まし
くなく、回転電極の熱膨張のため、基板と電極表面との
間の間隔が狭くなるなどの問題を生じる。第４の局面に
従えば、回転電極表面への薄膜の堆積が抑制され、微粒
子の発生も減少させることができる。
る析出物とは、上記の薄膜形成に関与しない遊離した微
粒子のことであり、このような微粒子が回転電極表面に
薄膜として付着する。第４の局面においては、このよう
な反応ガスの分解による析出物が回転電極の表面に付着
しない温度以上に回転電極の表面を加熱する。回転電極
の表面の加熱温度としては、１００℃以上が好ましく、
さらに好ましくは１００〜３００℃、さらに好ましくは
１５０〜２００℃である。加熱温度が高すぎると、それ
に伴って得られる効果が少なく、経済的に不利である。
また、反応容器内の周囲に熱の影響を与えるため好まし
くなく、回転電極の熱膨張のため、基板と電極表面との
間の間隔が狭くなるなどの問題を生じる。第４の局面に
従えば、回転電極表面への薄膜の堆積が抑制され、微粒
子の発生も減少させることができる。
【００２０】第４の局面に従う好ましい実施形態の一つ
においては、反応容器内のガスを排出し再び反応容器内
に戻すガス循環路を設け、該ガス循環路内を流れるガス
を加熱し、加熱されたガスを該ガス循環路の噴き出し口
から回転電極の表面に吹き付けることにより、回転電極
の表面を加熱する。このガス循環路においては、反応容
器内で発生した微粒子を除去するための微粒子除去手段
が設けられていることが好ましい。ガス循環路におい
て、このような微粒子除去手段を設けることにより、反
応容器内で発生した微粒子を除去することができ、均一
な薄膜を形成することができる。また、本実施形態にお
けるガス循環路の噴き出し口は、上記第１の局面におけ
る反応ガス供給管としても機能し得るものである。ま
た、新たに供給する反応ガスを、ガス循環路から導入し
てもよい。この場合、ガス循環路内で反応ガスが十分に
希釈ガス等と混合され、均一に混合した反応ガスをガス
循環路の噴き出し口から回転電極の表面と基板の間に吹
き付けることができる。
においては、反応容器内のガスを排出し再び反応容器内
に戻すガス循環路を設け、該ガス循環路内を流れるガス
を加熱し、加熱されたガスを該ガス循環路の噴き出し口
から回転電極の表面に吹き付けることにより、回転電極
の表面を加熱する。このガス循環路においては、反応容
器内で発生した微粒子を除去するための微粒子除去手段
が設けられていることが好ましい。ガス循環路におい
て、このような微粒子除去手段を設けることにより、反
応容器内で発生した微粒子を除去することができ、均一
な薄膜を形成することができる。また、本実施形態にお
けるガス循環路の噴き出し口は、上記第１の局面におけ
る反応ガス供給管としても機能し得るものである。ま
た、新たに供給する反応ガスを、ガス循環路から導入し
てもよい。この場合、ガス循環路内で反応ガスが十分に
希釈ガス等と混合され、均一に混合した反応ガスをガス
循環路の噴き出し口から回転電極の表面と基板の間に吹
き付けることができる。
【００２１】第４の局面においては、その他の加熱手段
により回転電極の表面を加熱してもよい。例えば、基板
を保持する基板ホルダー内にヒーターを設け、これによ
って基板を加熱すると共に、回転電極の表面を加熱して
もよい。また、回転電極の表面近傍にランプヒーター等
を設け、回転電極の表面を加熱してもよい。
により回転電極の表面を加熱してもよい。例えば、基板
を保持する基板ホルダー内にヒーターを設け、これによ
って基板を加熱すると共に、回転電極の表面を加熱して
もよい。また、回転電極の表面近傍にランプヒーター等
を設け、回転電極の表面を加熱してもよい。
【００２２】以下、本発明の第１の局面〜第４の局面に
共通する事項について説明する。本発明において用いら
れる回転電極としては、例えば、特開平９−１０４９８
５号公報に開示された回転電極を挙げることができる。
従って、電極表面に凹凸を有した回転電極や、電極表面
の一部もしくは全部の上に絶縁膜を有した回転電極等を
用いることができる。また、薄膜形成条件は、特に限定
されるものではなく、例えば、特開平９−１０４９８５
号公報に開示された薄膜形成条件を採用することができ
る。
共通する事項について説明する。本発明において用いら
れる回転電極としては、例えば、特開平９−１０４９８
５号公報に開示された回転電極を挙げることができる。
従って、電極表面に凹凸を有した回転電極や、電極表面
の一部もしくは全部の上に絶縁膜を有した回転電極等を
用いることができる。また、薄膜形成条件は、特に限定
されるものではなく、例えば、特開平９−１０４９８５
号公報に開示された薄膜形成条件を採用することができ
る。
【００２３】本発明の薄膜形成装置は、通常、回転電極
と基板の間に発生させたプラズマにより反応ガスを分解
させるプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成させることが
できる装置である。本発明の薄膜形成装置は、特に高い
圧力下で薄膜を形成する場合に有用である。例えば、雰
囲気圧力、すなわち反応容器内の全圧が１Ｔｏｒｒ以上
の条件が特に有用である。反応ガスの分圧としては、
０．０１Ｔｏｒｒ以上の条件が好ましい。反応容器内の
全圧は、より好ましくは１００Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍであ
り、さらに好ましくは約１ａｔｍである。反応ガスの分
圧は、より好ましくは０．１〜５０Ｔｏｒｒであり、さ
らに好ましくは５〜５０Ｔｏｒｒである。
と基板の間に発生させたプラズマにより反応ガスを分解
させるプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成させることが
できる装置である。本発明の薄膜形成装置は、特に高い
圧力下で薄膜を形成する場合に有用である。例えば、雰
囲気圧力、すなわち反応容器内の全圧が１Ｔｏｒｒ以上
の条件が特に有用である。反応ガスの分圧としては、
０．０１Ｔｏｒｒ以上の条件が好ましい。反応容器内の
全圧は、より好ましくは１００Ｔｏｒｒ〜１ａｔｍであ
り、さらに好ましくは約１ａｔｍである。反応ガスの分
圧は、より好ましくは０．１〜５０Ｔｏｒｒであり、さ
らに好ましくは５〜５０Ｔｏｒｒである。
【００２４】反応容器内には反応ガス以外に不活性ガス
を含有させることができる。このような不活性ガスとし
ては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅなどが挙げら
れる。反応容器内には、さらに水素ガスを含有させるこ
とができる。水素ガスの分圧としては、１Ｔｏｒｒ以上
が好ましく、より好ましくは１〜５０Ｔｏｒｒである。
を含有させることができる。このような不活性ガスとし
ては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅなどが挙げら
れる。反応容器内には、さらに水素ガスを含有させるこ
とができる。水素ガスの分圧としては、１Ｔｏｒｒ以上
が好ましく、より好ましくは１〜５０Ｔｏｒｒである。
【００２５】本発明において、回転電極の電極表面の周
速度は、１０ｍ／秒以上、音速以下が好ましい。周速度
がこの範囲よりも小さいと、プラズマ空間に対する反応
ガスの供給が不十分となる場合がある。また、周速度が
音速以上になると、音速を超えることによる衝撃波等の
問題が生じる。電極表面の周速度として、より好ましく
は、５０ｍ／秒〜音速であり、さらに好ましくは５０〜
２００ｍ／秒である。
速度は、１０ｍ／秒以上、音速以下が好ましい。周速度
がこの範囲よりも小さいと、プラズマ空間に対する反応
ガスの供給が不十分となる場合がある。また、周速度が
音速以上になると、音速を超えることによる衝撃波等の
問題が生じる。電極表面の周速度として、より好ましく
は、５０ｍ／秒〜音速であり、さらに好ましくは５０〜
２００ｍ／秒である。
【００２６】本発明において、回転電極と基板との間の
距離は、０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。本発明の第
１の局面においては、上述のように、電力伝達部材と回
転電極との間で形成される静電容量が、回転電極と基板
との間で形成される静電容量の１０倍以上となるように
回転電極と基板との間の距離が設定されることが好まし
い。
距離は、０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。本発明の第
１の局面においては、上述のように、電力伝達部材と回
転電極との間で形成される静電容量が、回転電極と基板
との間で形成される静電容量の１０倍以上となるように
回転電極と基板との間の距離が設定されることが好まし
い。
【００２７】本発明において、回転電極に高周波電力を
印加する場合、パルス状に印加することが好ましい。高
周波電力をパルス状に印加することにより、安定したプ
ラズマを広範囲に維持することができる。パルス中に印
加する高周波電力のデューティ比としては、１／１００
以上が好ましい。またパルス中に変調する変調周波数と
しては、１００ｋＨｚ以上が好ましい。
印加する場合、パルス状に印加することが好ましい。高
周波電力をパルス状に印加することにより、安定したプ
ラズマを広範囲に維持することができる。パルス中に印
加する高周波電力のデューティ比としては、１／１００
以上が好ましい。またパルス中に変調する変調周波数と
しては、１００ｋＨｚ以上が好ましい。
【００２８】本発明において、回転電極に高周波電力を
印加する場合の高周波電力の周波数としては、１３．５
６ＭＨｚ以上が好ましく、さらに好ましくは１５０ＭＨ
ｚ以上である。
印加する場合の高周波電力の周波数としては、１３．５
６ＭＨｚ以上が好ましく、さらに好ましくは１５０ＭＨ
ｚ以上である。
【００２９】本発明において、高周波電力の投入電力密
度としては、１０Ｗ／ｃｍ2 以上が好ましく、より好ま
しくは１０〜１００Ｗ／ｃｍ2 以上であり、さらに好ま
しくは３０〜１００Ｗ／ｃｍ2 である。本発明におい
て、薄膜形成の際の基板温度は、室温（２０℃）〜５０
０℃が好ましく、より好ましくは室温（２０℃）〜３０
０℃である。
度としては、１０Ｗ／ｃｍ2 以上が好ましく、より好ま
しくは１０〜１００Ｗ／ｃｍ2 以上であり、さらに好ま
しくは３０〜１００Ｗ／ｃｍ2 である。本発明におい
て、薄膜形成の際の基板温度は、室温（２０℃）〜５０
０℃が好ましく、より好ましくは室温（２０℃）〜３０
０℃である。
【００３０】本発明において形成する薄膜は、プラズマ
ＣＶＤ法等により形成することができる薄膜であれば特
に限定されるものではない。具体的には、Ｓｉ、Ｃ（ダ
イヤモンド及びダイヤモンド状薄膜を含む）、ＳｉＣ、
ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ 2 Ｏ3 、ＡｌＮなどが挙げ
られる。反応容器内に供給する反応ガスは、これらの形
成する薄膜に応じて適宜選択される。
ＣＶＤ法等により形成することができる薄膜であれば特
に限定されるものではない。具体的には、Ｓｉ、Ｃ（ダ
イヤモンド及びダイヤモンド状薄膜を含む）、ＳｉＣ、
ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ 2 Ｏ3 、ＡｌＮなどが挙げ
られる。反応容器内に供給する反応ガスは、これらの形
成する薄膜に応じて適宜選択される。
【００３１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の局面に従
う薄膜形成装置の一実施例を示す断面図である。チャン
バー６内には、基板ホルダー３が設けられており、基板
ホルダー３の上に基板２が設置されている。基板２の上
方には、回転電極１が設けられている。回転電極１は、
その中心の位置に設けられた回転軸１ｂにより回転する
ように設けられている。回転軸１ｂは、図示されないモ
ーター等の駆動手段によって回転する。回転軸１ｂに
は、回転電極１に高周波電力を供給するための高周波電
源５が接続されている。
う薄膜形成装置の一実施例を示す断面図である。チャン
バー６内には、基板ホルダー３が設けられており、基板
ホルダー３の上に基板２が設置されている。基板２の上
方には、回転電極１が設けられている。回転電極１は、
その中心の位置に設けられた回転軸１ｂにより回転する
ように設けられている。回転軸１ｂは、図示されないモ
ーター等の駆動手段によって回転する。回転軸１ｂに
は、回転電極１に高周波電力を供給するための高周波電
源５が接続されている。
【００３２】回転電極１と基板２の間には、反応ガスを
回転電極１の電極表面１ａと基板２との間に供給するた
めの反応ガス供給管４が設けられている。反応ガス供給
管４の先端４ａから反応ガスが噴き出し、反応ガスが電
極表面１ａと基板２の間に吹き付けられる。反応ガス
は、チャンバー６の外部に設けられた図示されない反応
ガスボンベ等から反応ガス供給管４に供給される。図８
は、反応ガス供給管４を示す斜視図である。図８に示す
ように、反応ガス供給管４は、幅の広い形状を有してお
り、回転電極の幅（図１に示す図面奥から図面手前に向
かう方向の幅）と同程度の幅を有している。従って、回
転電極１と基板２の間のプラズマ発生領域全体に均一に
反応ガスを供給することができる。
回転電極１の電極表面１ａと基板２との間に供給するた
めの反応ガス供給管４が設けられている。反応ガス供給
管４の先端４ａから反応ガスが噴き出し、反応ガスが電
極表面１ａと基板２の間に吹き付けられる。反応ガス
は、チャンバー６の外部に設けられた図示されない反応
ガスボンベ等から反応ガス供給管４に供給される。図８
は、反応ガス供給管４を示す斜視図である。図８に示す
ように、反応ガス供給管４は、幅の広い形状を有してお
り、回転電極の幅（図１に示す図面奥から図面手前に向
かう方向の幅）と同程度の幅を有している。従って、回
転電極１と基板２の間のプラズマ発生領域全体に均一に
反応ガスを供給することができる。
【００３３】図２は、図１に示す反応ガス供給管４のガ
ス噴き出しの先端４ａの位置を説明するための図であ
る。図２においては、回転電極１の電極表面１ａから距
離ｄにある領域をハッチングで示している。ｄの値とし
ては、回転電極の略直径程度であることが好ましい。本
発明においては、反応ガス供給管４の先端４ａが、回転
電極１の電極表面１ａから１０ｃｍ未満、好ましくは８
ｃｍ以下の位置に設けられていることが好ましい。従っ
て、図２に示す距離ｄが１０ｃｍ未満、より好ましくは
８ｃｍ以下の領域に反応ガス供給管４の先端４ａが位置
することが好ましい。ハッチングで示した領域の中で
も、電極表面１ａと基板との間にできるだけ近いことが
好ましい。しかしながら、回転電極１の直径が相対的に
小さくなり、反応ガス供給管４が相対的に大きなサイズ
となる場合には、回転電極１の電極表面１ａと基板との
間に反応ガス供給管４の先端４ａを挿入することが難し
くなるので、そのような場合には、図２に示すハッチン
グ領域のいずれかの位置にガス供給管４の先端４ａが位
置するように設ける。
ス噴き出しの先端４ａの位置を説明するための図であ
る。図２においては、回転電極１の電極表面１ａから距
離ｄにある領域をハッチングで示している。ｄの値とし
ては、回転電極の略直径程度であることが好ましい。本
発明においては、反応ガス供給管４の先端４ａが、回転
電極１の電極表面１ａから１０ｃｍ未満、好ましくは８
ｃｍ以下の位置に設けられていることが好ましい。従っ
て、図２に示す距離ｄが１０ｃｍ未満、より好ましくは
８ｃｍ以下の領域に反応ガス供給管４の先端４ａが位置
することが好ましい。ハッチングで示した領域の中で
も、電極表面１ａと基板との間にできるだけ近いことが
好ましい。しかしながら、回転電極１の直径が相対的に
小さくなり、反応ガス供給管４が相対的に大きなサイズ
となる場合には、回転電極１の電極表面１ａと基板との
間に反応ガス供給管４の先端４ａを挿入することが難し
くなるので、そのような場合には、図２に示すハッチン
グ領域のいずれかの位置にガス供給管４の先端４ａが位
置するように設ける。
【００３４】回転電極の直径とプラズマ領域の拡がりと
の関係について確認するため、直径３０ｃｍ、５ｃｍ、
１ｃｍの３種類の回転電極を用意し、アモルファスシリ
コン薄膜を形成しプラズマ領域の拡がりを求めた。回転
電極に印加する電力としては、１５０ＭＨｚの高周波電
力を用い、電力パワー（Ｗ）を表１のように変化させて
プラズマ領域の拡がりを測定した。プラズマ領域の拡が
りは、形成された薄膜の幅から算出した。薄膜形成条件
としては、反応ガスとしてＨｅで０．１％に希釈したシ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを用い、雰囲気圧力を１気圧とし
た。回転電極と基板との間のギャップを３００μｍと
し、回転電極の周速度が５０ｍ／秒となるように回転電
極の直径に応じて回転速度を設定した。また、薄膜は、
ガラス基板の上に形成した。プラズマ領域の拡がりの測
定結果を表１に示す。
の関係について確認するため、直径３０ｃｍ、５ｃｍ、
１ｃｍの３種類の回転電極を用意し、アモルファスシリ
コン薄膜を形成しプラズマ領域の拡がりを求めた。回転
電極に印加する電力としては、１５０ＭＨｚの高周波電
力を用い、電力パワー（Ｗ）を表１のように変化させて
プラズマ領域の拡がりを測定した。プラズマ領域の拡が
りは、形成された薄膜の幅から算出した。薄膜形成条件
としては、反応ガスとしてＨｅで０．１％に希釈したシ
ラン（ＳｉＨ4 ）ガスを用い、雰囲気圧力を１気圧とし
た。回転電極と基板との間のギャップを３００μｍと
し、回転電極の周速度が５０ｍ／秒となるように回転電
極の直径に応じて回転速度を設定した。また、薄膜は、
ガラス基板の上に形成した。プラズマ領域の拡がりの測
定結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１の結果から明らかなように、回転電極
の直径が大きい程、プラズマ領域の拡がりが大きくなっ
ていることがわかる。遊離した微粒子の発生を低減させ
るためには、プラズマ領域の拡がりは５０ｍｍ以下であ
ることが好ましい。従って、上記の測定結果からは、高
周波電力のパワーを大きくしても、プラズマ領域のパワ
ーが５０ｍｍ以下となる、直径１〜５ｃｍの範囲の回転
電極が好ましいことがわかる。なお、表１に示す、電極
直径３０ｃｍで投入電力パワー２０００Ｗ及び３０００
Ｗ、並びに電極直径１０ｃｍで投入電力パワー３０００
Ｗの条件では、微粒子が多量に発生した。
の直径が大きい程、プラズマ領域の拡がりが大きくなっ
ていることがわかる。遊離した微粒子の発生を低減させ
るためには、プラズマ領域の拡がりは５０ｍｍ以下であ
ることが好ましい。従って、上記の測定結果からは、高
周波電力のパワーを大きくしても、プラズマ領域のパワ
ーが５０ｍｍ以下となる、直径１〜５ｃｍの範囲の回転
電極が好ましいことがわかる。なお、表１に示す、電極
直径３０ｃｍで投入電力パワー２０００Ｗ及び３０００
Ｗ、並びに電極直径１０ｃｍで投入電力パワー３０００
Ｗの条件では、微粒子が多量に発生した。
【００３７】図１に示す薄膜形成装置を用いて、アモル
ファスシリコン薄膜を形成した。回転電極１としては、
直径が５ｃｍで、幅（図１に示す図面奥から図面手前に
向かう方向の幅）が１０ｃｍのアルミニウムからなる円
筒状の回転電極を用いた。従って、円周方向に連続した
電極表面を有している。回転電極１に印加する電力は、
５００Ｗ、１５０ＭＨｚの高周波電力とした。反応ガス
としては、Ｈｅガスを希釈ガスとして用いた０．１％の
ＳｉＨ4 ガスを用いた。雰囲気圧力は１気圧とし、回転
電極１と基板２の間のギャップは３００μｍとして、ガ
ラス基板上にシリコン薄膜を形成した。
ファスシリコン薄膜を形成した。回転電極１としては、
直径が５ｃｍで、幅（図１に示す図面奥から図面手前に
向かう方向の幅）が１０ｃｍのアルミニウムからなる円
筒状の回転電極を用いた。従って、円周方向に連続した
電極表面を有している。回転電極１に印加する電力は、
５００Ｗ、１５０ＭＨｚの高周波電力とした。反応ガス
としては、Ｈｅガスを希釈ガスとして用いた０．１％の
ＳｉＨ4 ガスを用いた。雰囲気圧力は１気圧とし、回転
電極１と基板２の間のギャップは３００μｍとして、ガ
ラス基板上にシリコン薄膜を形成した。
【００３８】まず、回転電極１の周速度を１００ｍ／秒
とし、反応ガス供給管４から反応ガスを供給するのでは
なく、図１に示すチャンバー底面のＡの位置から反応ガ
スを供給してシリコン薄膜を形成したところ、成膜速度
は５００Å／秒であった。
とし、反応ガス供給管４から反応ガスを供給するのでは
なく、図１に示すチャンバー底面のＡの位置から反応ガ
スを供給してシリコン薄膜を形成したところ、成膜速度
は５００Å／秒であった。
【００３９】次に、回転電極１の周速度を５０ｍ／秒と
し、Ａの位置から反応ガスを供給してシリコン膜を形成
したところ、成膜速度は２００Å／秒に減少した。次
に、回転電極１の電極表面の周速度を５０ｍ／秒とした
まま、矢印Ａの位置から反応ガスを供給するのではな
く、本発明の第１の局面に従い、図１に示す反応ガス供
給管４の先端４ａから反応ガスを回転電極１と基板２間
に吹き付けてシリコン薄膜を形成した。なお、反応ガス
吹き付けの流速は５０ｍ／秒とした。この結果、成膜速
度は４５０Å／秒に増加した。
し、Ａの位置から反応ガスを供給してシリコン膜を形成
したところ、成膜速度は２００Å／秒に減少した。次
に、回転電極１の電極表面の周速度を５０ｍ／秒とした
まま、矢印Ａの位置から反応ガスを供給するのではな
く、本発明の第１の局面に従い、図１に示す反応ガス供
給管４の先端４ａから反応ガスを回転電極１と基板２間
に吹き付けてシリコン薄膜を形成した。なお、反応ガス
吹き付けの流速は５０ｍ／秒とした。この結果、成膜速
度は４５０Å／秒に増加した。
【００４０】以上のことから明らかなように、本発明の
第１の局面に従い、反応ガス供給管から回転電極と基板
の間に反応ガスを吹き付けることにより、成膜速度を大
幅に向上することができる。なお、反応ガス吹き付けの
際の流速は、上記実施例のように、回転電極の周速度と
同程度の速度か、あるいは周速度よりも速い速度で反応
ガスを吹き付けることが好ましい。
第１の局面に従い、反応ガス供給管から回転電極と基板
の間に反応ガスを吹き付けることにより、成膜速度を大
幅に向上することができる。なお、反応ガス吹き付けの
際の流速は、上記実施例のように、回転電極の周速度と
同程度の速度か、あるいは周速度よりも速い速度で反応
ガスを吹き付けることが好ましい。
【００４１】図３は、本発明の第１の局面〜第３の局面
に従う薄膜形成装置の一実施例を示す断面図である。図
３に示す実施例においては、基板２の上に、基板２の表
面に沿って、２つの円筒状の回転電極１１及び１２が設
けられている。回転電極１１及び１２には、それぞれ回
転軸１１ｂ及び１２ｂに高周波電源５が接続されてい
る。回転電極１１及び１２は、ともに同一方向に回転し
ており、図３に示す矢印の方向に回転している。その他
の構成は、図１に示す実施例の装置と同様であるので、
同一の参照番号を付して説明を省略する。
に従う薄膜形成装置の一実施例を示す断面図である。図
３に示す実施例においては、基板２の上に、基板２の表
面に沿って、２つの円筒状の回転電極１１及び１２が設
けられている。回転電極１１及び１２には、それぞれ回
転軸１１ｂ及び１２ｂに高周波電源５が接続されてい
る。回転電極１１及び１２は、ともに同一方向に回転し
ており、図３に示す矢印の方向に回転している。その他
の構成は、図１に示す実施例の装置と同様であるので、
同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００４２】反応ガス供給管４は、最前列に位置する回
転電極１１と基板２との間に反応ガスを吹き付ける位置
に設けられている。回転電極１１の電極表面１１ａと基
板２の間に発生するプラズマ領域には、反応ガス供給管
４から吹き付けられた反応ガスが供給されると共に、電
極表面１１ａの回転によりその表面近傍の反応ガスが供
給される。
転電極１１と基板２との間に反応ガスを吹き付ける位置
に設けられている。回転電極１１の電極表面１１ａと基
板２の間に発生するプラズマ領域には、反応ガス供給管
４から吹き付けられた反応ガスが供給されると共に、電
極表面１１ａの回転によりその表面近傍の反応ガスが供
給される。
【００４３】回転電極１２の電極表面１２ａと基板２と
の間に発生するプラズマ領域には、反応ガス供給管４か
ら噴き出された反応ガスの一部が到達すると共に、電極
表面１２ａの回転によりその表面近傍の反応ガスが供給
される。
の間に発生するプラズマ領域には、反応ガス供給管４か
ら噴き出された反応ガスの一部が到達すると共に、電極
表面１２ａの回転によりその表面近傍の反応ガスが供給
される。
【００４４】図４は、本発明の第１の局面〜第３の局面
に従う薄膜形成装置の他の実施例を示す断面図である。
図４に示す実施例においては、３つの回転電極１１、１
２及び１３が基板２上に、基板２の表面に沿って設けら
れている。高周波電源５は、それぞれの回転軸１１ｂ、
１２ｂ及び１３ｂに接続されている。回転電極１１、１
２及び１３は、図４に矢印で示すように、同一方向に回
転しており、従ってそれぞれの電極表面１１ａ、１２ａ
及び１３ａは同一方向に移動している。
に従う薄膜形成装置の他の実施例を示す断面図である。
図４に示す実施例においては、３つの回転電極１１、１
２及び１３が基板２上に、基板２の表面に沿って設けら
れている。高周波電源５は、それぞれの回転軸１１ｂ、
１２ｂ及び１３ｂに接続されている。回転電極１１、１
２及び１３は、図４に矢印で示すように、同一方向に回
転しており、従ってそれぞれの電極表面１１ａ、１２ａ
及び１３ａは同一方向に移動している。
【００４５】反応ガス供給管４は、最前列に位置する回
転電極１１と基板２との間に反応ガスを吹き付けるよう
に設けられている。その他の構成は、図１に示す実施例
と同様であるので、同一の参照番号を付して説明を省略
する。
転電極１１と基板２との間に反応ガスを吹き付けるよう
に設けられている。その他の構成は、図１に示す実施例
と同様であるので、同一の参照番号を付して説明を省略
する。
【００４６】回転電極１１と基板２との間のプラズマ領
域には、反応ガス供給管４から噴き出される反応ガスと
回転電極１１の回転により供給される反応ガスが与えら
れる。また回転電極１２と基板２との間のプラズマ領
域、及び回転電極１３と基板２との間のプラズマ領域に
は、反応ガス供給管４からの反応ガスとともに、回転電
極１２及び１３の回転により生じる電極表面１２ａ及び
１３ａの移動に伴う反応ガスが供給される。
域には、反応ガス供給管４から噴き出される反応ガスと
回転電極１１の回転により供給される反応ガスが与えら
れる。また回転電極１２と基板２との間のプラズマ領
域、及び回転電極１３と基板２との間のプラズマ領域に
は、反応ガス供給管４からの反応ガスとともに、回転電
極１２及び１３の回転により生じる電極表面１２ａ及び
１３ａの移動に伴う反応ガスが供給される。
【００４７】次に、図１に示す装置、図３に示す装置、
及び図４に示す装置を用いて、アモルファスシリコン薄
膜を形成した。回転電極としては、いずれも直径５ｃ
ｍ、幅１０ｃｍのアルミニウムからなる円筒状の電極を
用い、図３及び図４に示す装置においては、各回転電極
の回転軸間の距離を１０ｃｍとした。なお、基板２を５
ｍｍ／秒の速度で前方向及び後ろ方向に交互に移動させ
走査した。また、反応ガス供給管４からの反応ガスの噴
き出しは、流速５０ｍ／秒とした。薄膜形成時間は、２
分間とした。その他の薄膜形成条件は、上記実施例と同
様とした。
及び図４に示す装置を用いて、アモルファスシリコン薄
膜を形成した。回転電極としては、いずれも直径５ｃ
ｍ、幅１０ｃｍのアルミニウムからなる円筒状の電極を
用い、図３及び図４に示す装置においては、各回転電極
の回転軸間の距離を１０ｃｍとした。なお、基板２を５
ｍｍ／秒の速度で前方向及び後ろ方向に交互に移動させ
走査した。また、反応ガス供給管４からの反応ガスの噴
き出しは、流速５０ｍ／秒とした。薄膜形成時間は、２
分間とした。その他の薄膜形成条件は、上記実施例と同
様とした。
【００４８】回転電極を１つ用いた図１に示す薄膜形成
装置では、約２０００Åの膜厚の薄膜が形成された。２
つの回転電極を用いた図３に示す薄膜形成装置では、約
４５００Åの膜厚の薄膜が形成された。３つの回転電極
を用いた図４に示す薄膜形成装置では、約７０００Åの
膜厚の薄膜が形成された。以上のことから明らかなよう
に、回転電極の数を増加させることにより、成膜速度を
増加することができる。
装置では、約２０００Åの膜厚の薄膜が形成された。２
つの回転電極を用いた図３に示す薄膜形成装置では、約
４５００Åの膜厚の薄膜が形成された。３つの回転電極
を用いた図４に示す薄膜形成装置では、約７０００Åの
膜厚の薄膜が形成された。以上のことから明らかなよう
に、回転電極の数を増加させることにより、成膜速度を
増加することができる。
【００４９】図５は、本発明の第１の局面〜第３の局面
に従う薄膜形成装置のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。図５に示す実施例では、５つの回転電極１１〜１
５を基板２の表面に沿って設けている。反応ガス供給管
４は、最前列に位置する回転電極１１と基板２との間に
反応ガスを吹き付けるように設けられている。
に従う薄膜形成装置のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。図５に示す実施例では、５つの回転電極１１〜１
５を基板２の表面に沿って設けている。反応ガス供給管
４は、最前列に位置する回転電極１１と基板２との間に
反応ガスを吹き付けるように設けられている。
【００５０】回転電極１１〜１５は、図５に矢印で示す
ように、同一方向に回転している。従って、回転電極１
１〜１５と基板２との間においては、各回転電極の回転
により、回転電極１１から回転電極１５に向かう方向の
反応ガスの流れが形成されている。従って、反応ガス供
給管４から噴き出された反応ガスは、各回転電極１１〜
１５と基板２との間を流れ、各回転電極と基板２との間
のプラズマ領域に供給されるように流れる。
ように、同一方向に回転している。従って、回転電極１
１〜１５と基板２との間においては、各回転電極の回転
により、回転電極１１から回転電極１５に向かう方向の
反応ガスの流れが形成されている。従って、反応ガス供
給管４から噴き出された反応ガスは、各回転電極１１〜
１５と基板２との間を流れ、各回転電極と基板２との間
のプラズマ領域に供給されるように流れる。
【００５１】図５に示すように、回転電極の数をさらに
増加させることにより、成膜速度を増加することがで
き、大きな面積の薄膜を形成することができる。上記各
実施例では、回転電極として円筒状の、電極表面が平滑
な回転電極を用いたが、本発明はこのような回転電極に
限定されるものではなく、例えば、特開平９−１０４９
８５号公報に開示された種々の表面形状の回転電極を用
いることができる。
増加させることにより、成膜速度を増加することがで
き、大きな面積の薄膜を形成することができる。上記各
実施例では、回転電極として円筒状の、電極表面が平滑
な回転電極を用いたが、本発明はこのような回転電極に
限定されるものではなく、例えば、特開平９−１０４９
８５号公報に開示された種々の表面形状の回転電極を用
いることができる。
【００５２】図６は、電極表面に凹凸を有した回転電極
を複数組み合わせて用いる場合の実施例を示す平面図で
ある。図６に示す実施例では、直径の大きい凸部１６ａ
と直径の小さい凹部１６ｂを交互に有する回転電極１６
と、同様に直径の大きい凸部１７ａと直径の小さい凹部
１７ｂを交互に有する回転電極１７を組み合わせて用い
ている。図６に示すように、一方の回転電極１６の凸部
１６ａが、他方の回転電極１７の凹部１７ｂに嵌まり合
い、他方の回転電極１７の凸部１７ａが一方の回転電極
１６の凹部１６ｂに嵌まり合うように組み合わされてい
る。
を複数組み合わせて用いる場合の実施例を示す平面図で
ある。図６に示す実施例では、直径の大きい凸部１６ａ
と直径の小さい凹部１６ｂを交互に有する回転電極１６
と、同様に直径の大きい凸部１７ａと直径の小さい凹部
１７ｂを交互に有する回転電極１７を組み合わせて用い
ている。図６に示すように、一方の回転電極１６の凸部
１６ａが、他方の回転電極１７の凹部１７ｂに嵌まり合
い、他方の回転電極１７の凸部１７ａが一方の回転電極
１６の凹部１６ｂに嵌まり合うように組み合わされてい
る。
【００５３】一方の回転電極１６及び他方の回転電極１
７は、同じ方向に回転するように設けられる。従って、
互いに接触しないように設けられ、隙間を介するように
組み合わされる。
７は、同じ方向に回転するように設けられる。従って、
互いに接触しないように設けられ、隙間を介するように
組み合わされる。
【００５４】プラズマは凸部１６ａ及び凸部１７ａと基
板との間に集中的に発生するが、凸部１６ａの位置と凸
部１７ａの位置が互いにずれた位置であるので、薄膜形
成の際、基板を相対的に移動させることにより、基板の
全面に薄膜を形成させることができる。
板との間に集中的に発生するが、凸部１６ａの位置と凸
部１７ａの位置が互いにずれた位置であるので、薄膜形
成の際、基板を相対的に移動させることにより、基板の
全面に薄膜を形成させることができる。
【００５５】図７は、螺旋状の溝が形成された雄ねじ形
状の回転電極を組み合わせた状態を示す平面図である。
一方の回転電極１８には、螺旋状の凸部１８ａと螺旋状
の凹部１８ｂが形成されており、他方の回転電極１９に
は、螺旋状の凸部１９ａと螺旋状の凹部１９ｂが形成さ
れている。凹部１８ｂに凸部１９ａが嵌まり、凹部１９
ｂに凸部１８ａが嵌まるように回転電極１８及び回転電
極１９が組み合わされている。
状の回転電極を組み合わせた状態を示す平面図である。
一方の回転電極１８には、螺旋状の凸部１８ａと螺旋状
の凹部１８ｂが形成されており、他方の回転電極１９に
は、螺旋状の凸部１９ａと螺旋状の凹部１９ｂが形成さ
れている。凹部１８ｂに凸部１９ａが嵌まり、凹部１９
ｂに凸部１８ａが嵌まるように回転電極１８及び回転電
極１９が組み合わされている。
【００５６】回転電極１８及び回転電極１９は、同じ方
向に回転するように設けられている。凸部１８ａ及び凹
部１８ｂは螺旋状に形成されているので、回転電極１８
の回転によりその位置が移動するが、他方の回転電極１
９の凸部１９ａ及び凹部１９ｂも螺旋状に形成されてい
るので、凹部１９ｂに凸部１８ａが嵌まり、凹部１８ｂ
に凸部１９ａが嵌まった状態で移動する。従って、回転
電極１８と回転電極１９の表面は互いに接することな
く、常に一定の隙間を介した状態で組み合わされてい
る。
向に回転するように設けられている。凸部１８ａ及び凹
部１８ｂは螺旋状に形成されているので、回転電極１８
の回転によりその位置が移動するが、他方の回転電極１
９の凸部１９ａ及び凹部１９ｂも螺旋状に形成されてい
るので、凹部１９ｂに凸部１８ａが嵌まり、凹部１８ｂ
に凸部１９ａが嵌まった状態で移動する。従って、回転
電極１８と回転電極１９の表面は互いに接することな
く、常に一定の隙間を介した状態で組み合わされてい
る。
【００５７】回転電極１８及び１９と基板との間で、プ
ラズマは凸部１８ａ及び凸部１９ａの部分で集中的に発
生するが、凸部１８ａ及び凸部１９ａは回転電極１８及
び１９に回転と共に回転軸方向に移動するので、基板を
回転電極１８及び１９に対して相対的に移動させること
により、基板の全面に薄膜を形成することができる。
ラズマは凸部１８ａ及び凸部１９ａの部分で集中的に発
生するが、凸部１８ａ及び凸部１９ａは回転電極１８及
び１９に回転と共に回転軸方向に移動するので、基板を
回転電極１８及び１９に対して相対的に移動させること
により、基板の全面に薄膜を形成することができる。
【００５８】図９は、本発明の第４の局面に従う薄膜形
成装置の一実施例を示す断面図である。図９に示す実施
例においては、反応容器であるチャンバー６内のガスを
排出し再びチャンバー６内に戻すためのガス循環路２０
が設けられている。ガス循環路２０の吸い込み口２１
は、回転電極１と基板２の間に設けられており、回転電
極１の回転方向の下流側に位置するように設けられてい
る。ガス循環路２０の噴き出し口２２は、回転電極１と
基板２の間に設けられており、回転電極１の回転方向の
上流側に位置するように設けられている。吸い込み口２
１及び噴き出し口２２の幅（図面奥側から手前方向の
幅）は、回転電極１の幅とほぼ同程度になるように設け
られている。
成装置の一実施例を示す断面図である。図９に示す実施
例においては、反応容器であるチャンバー６内のガスを
排出し再びチャンバー６内に戻すためのガス循環路２０
が設けられている。ガス循環路２０の吸い込み口２１
は、回転電極１と基板２の間に設けられており、回転電
極１の回転方向の下流側に位置するように設けられてい
る。ガス循環路２０の噴き出し口２２は、回転電極１と
基板２の間に設けられており、回転電極１の回転方向の
上流側に位置するように設けられている。吸い込み口２
１及び噴き出し口２２の幅（図面奥側から手前方向の
幅）は、回転電極１の幅とほぼ同程度になるように設け
られている。
【００５９】ガス循環路２０の吸い込み口２１における
吸引、及び噴き出し口２２におけるガスの放出は、ガス
循環路２０に設けられた循環ポンプ２３により行われ
る。循環ポンプ２３としては、例えばドライポンプが用
いられる。吸い込み口２１と循環ポンプ２３の間には、
微粉末除去手段である微粉末除去フィルタ、ガス濃度セ
ンサ及びガス導入口（図９には図示されないが、図１０
において図示される）が設けられている。
吸引、及び噴き出し口２２におけるガスの放出は、ガス
循環路２０に設けられた循環ポンプ２３により行われ
る。循環ポンプ２３としては、例えばドライポンプが用
いられる。吸い込み口２１と循環ポンプ２３の間には、
微粉末除去手段である微粉末除去フィルタ、ガス濃度セ
ンサ及びガス導入口（図９には図示されないが、図１０
において図示される）が設けられている。
【００６０】循環ポンプ２３と噴き出し口２２の間に
は、ガス循環路２０内を流れるガスを加熱するためのヒ
ーター３０が設けられている。このヒーター３０の加熱
により、ガス循環路２０内を流れるガスが加熱され、加
熱されたガスが噴き出し口２２から噴き出され、回転電
極１の表面１ａを加熱する。
は、ガス循環路２０内を流れるガスを加熱するためのヒ
ーター３０が設けられている。このヒーター３０の加熱
により、ガス循環路２０内を流れるガスが加熱され、加
熱されたガスが噴き出し口２２から噴き出され、回転電
極１の表面１ａを加熱する。
【００６１】図１０は、チャンバー６に接続されている
ガス循環路２０をさらに詳細に説明するための概略構成
図である。チャンバー６内のガスは、吸い込み口２１か
ら排出され、微粉末除去手段である微粉末除去フィルタ
２６により、ガス中に含有される微粉末が除去される。
この微粉末は、上述のように、チャンバー６内で反応ガ
スが分解することにより生成する析出物である。このよ
うな微粉末除去フィルタ２６としては、例えば、アニオ
ン交換繊維やカチオン交換繊維などのアクリル繊維をフ
ィルタ状に成形したものを用いることができる。
ガス循環路２０をさらに詳細に説明するための概略構成
図である。チャンバー６内のガスは、吸い込み口２１か
ら排出され、微粉末除去手段である微粉末除去フィルタ
２６により、ガス中に含有される微粉末が除去される。
この微粉末は、上述のように、チャンバー６内で反応ガ
スが分解することにより生成する析出物である。このよ
うな微粉末除去フィルタ２６としては、例えば、アニオ
ン交換繊維やカチオン交換繊維などのアクリル繊維をフ
ィルタ状に成形したものを用いることができる。
【００６２】ガス循環路２０内のガスは、次にガス濃度
センサ２４を通り、ガス中の反応ガスやドーパントガス
等の濃度が測定され、ガス導入口２５まで送られる。ガ
ス導入口２５には、ガスボンベ４０〜４４が接続されて
いる。例えば、太陽電池の発電層として用いられるシリ
コン薄膜を形成する場合、ガスボンベ４０は希釈ガスと
してのヘリウムガス、ガスボンベ４１は反応ガスとして
のシランガス、ガスボンベ４２はドーパントガスとして
のホスフィンガス、ガスボンベ４３はドーパントガスと
してのジボランガス、ガスボンベ４４は水素ガスのボン
ベである。ガス濃度センサ２４で測定された濃度データ
に基づき、それぞれのガスがガス導入口２５からガス循
環路２０内に供給される。
センサ２４を通り、ガス中の反応ガスやドーパントガス
等の濃度が測定され、ガス導入口２５まで送られる。ガ
ス導入口２５には、ガスボンベ４０〜４４が接続されて
いる。例えば、太陽電池の発電層として用いられるシリ
コン薄膜を形成する場合、ガスボンベ４０は希釈ガスと
してのヘリウムガス、ガスボンベ４１は反応ガスとして
のシランガス、ガスボンベ４２はドーパントガスとして
のホスフィンガス、ガスボンベ４３はドーパントガスと
してのジボランガス、ガスボンベ４４は水素ガスのボン
ベである。ガス濃度センサ２４で測定された濃度データ
に基づき、それぞれのガスがガス導入口２５からガス循
環路２０内に供給される。
【００６３】これらのガスは、循環ポンプ２３に送られ
た後、水吸着筒２８を通り、ヒーター３０が設けられた
箇所でヒーター３０により加熱される。加熱されたガス
は、噴き出し口２２からチャンバー６内に戻される。こ
のとき、チャンバー６内の回転電極の表面にガスを吹き
付けることにより、上述のように回転電極の表面を加熱
し所定の温度にすることができる。
た後、水吸着筒２８を通り、ヒーター３０が設けられた
箇所でヒーター３０により加熱される。加熱されたガス
は、噴き出し口２２からチャンバー６内に戻される。こ
のとき、チャンバー６内の回転電極の表面にガスを吹き
付けることにより、上述のように回転電極の表面を加熱
し所定の温度にすることができる。
【００６４】図９及び図１０に示す薄膜形成装置を用い
てアモルファスシリコン薄膜を形成した。回転電極１と
しては、直径３００ｍｍ、回転軸方向の長さ（幅）１０
０ｍｍのアルミニウムからなる円筒状の回転電極を用い
た。従って、回転電極１は、円周方向に連続した表面を
有している。高周波電源５からは、周波数１５０ＭＨ
ｚ、電力パワー５００Ｗの高周波電力を印加した。反応
ガスとしては、希釈ガスとしてのヘリウムに希釈された
０．１％シランガスを用い、チャンバー６内の圧力は１
気圧となるようにした。回転電極１の表面１ａと基板２
との間のギャップは３００μｍとなるように調整した。
てアモルファスシリコン薄膜を形成した。回転電極１と
しては、直径３００ｍｍ、回転軸方向の長さ（幅）１０
０ｍｍのアルミニウムからなる円筒状の回転電極を用い
た。従って、回転電極１は、円周方向に連続した表面を
有している。高周波電源５からは、周波数１５０ＭＨ
ｚ、電力パワー５００Ｗの高周波電力を印加した。反応
ガスとしては、希釈ガスとしてのヘリウムに希釈された
０．１％シランガスを用い、チャンバー６内の圧力は１
気圧となるようにした。回転電極１の表面１ａと基板２
との間のギャップは３００μｍとなるように調整した。
【００６５】ガス循環路２０内でのガスの流量は、チャ
ンバー６内の全容積のガスが２０秒間でガス循環路２０
内を流れるような流量とした。ガス濃度センサ２４でガ
ス循環路２０中を流れるガスの濃度を測定し、シランガ
ス濃度が常に０．１％となるようにガス導入口２５から
のシランガスを供給した。供給量は約２０ｃｃｍ／分で
あり、基板温度は加熱せず、常温（２０℃）とした。ま
たヒーター３０による加熱は、ガス循環路２０内を流れ
るガスが約２５０℃となるように調整した。この加熱さ
れたガスを噴き出し口２２から噴き出し、回転電極１の
表面１ａに当てることにより、回転電極１の表面１ａの
温度を約２００℃に加熱した。以上の結果、アモルファ
スシリコン薄膜を５００Å／秒の堆積速度で形成するこ
とができ、しかも回転電極の表面に微粒子や薄膜等が付
着しなかった。
ンバー６内の全容積のガスが２０秒間でガス循環路２０
内を流れるような流量とした。ガス濃度センサ２４でガ
ス循環路２０中を流れるガスの濃度を測定し、シランガ
ス濃度が常に０．１％となるようにガス導入口２５から
のシランガスを供給した。供給量は約２０ｃｃｍ／分で
あり、基板温度は加熱せず、常温（２０℃）とした。ま
たヒーター３０による加熱は、ガス循環路２０内を流れ
るガスが約２５０℃となるように調整した。この加熱さ
れたガスを噴き出し口２２から噴き出し、回転電極１の
表面１ａに当てることにより、回転電極１の表面１ａの
温度を約２００℃に加熱した。以上の結果、アモルファ
スシリコン薄膜を５００Å／秒の堆積速度で形成するこ
とができ、しかも回転電極の表面に微粒子や薄膜等が付
着しなかった。
【００６６】比較として、ガス循環路２０内におけるヒ
ーター３０を作動させず、従ってガス循環路２０内のガ
スを加熱することなく回転電極１と基板２の間に吹き付
けた。回転電極の表面の温度は７０℃であった。以上の
結果、基板上にアモルファスシリコン薄膜を５００Å／
秒の堆積速度で形成することができたが、回転電極１の
表面１ａの上には多量の微粒子や薄膜が付着した。
ーター３０を作動させず、従ってガス循環路２０内のガ
スを加熱することなく回転電極１と基板２の間に吹き付
けた。回転電極の表面の温度は７０℃であった。以上の
結果、基板上にアモルファスシリコン薄膜を５００Å／
秒の堆積速度で形成することができたが、回転電極１の
表面１ａの上には多量の微粒子や薄膜が付着した。
【００６７】図１１は、本発明の第４の局面に従う薄膜
形成装置の他の実施例を示す断面図である。図１１に示
す実施例では、ガス循環路２０内のガスを加熱する加熱
手段として、熱交換器３１が設けられている。熱交換器
３１は、ガス循環路２０の循環ポンプ２３と噴き出し口
２２の間に設けられている。ガス循環路２０内を流れる
ガスは、熱交換器３１を通過する際、加熱され、加熱さ
れたガスは噴き出し口２２から回転電極１の表面１ａと
基板２の間に吹き付けられ、これによって回転電極１の
表面１ａが加熱される。
形成装置の他の実施例を示す断面図である。図１１に示
す実施例では、ガス循環路２０内のガスを加熱する加熱
手段として、熱交換器３１が設けられている。熱交換器
３１は、ガス循環路２０の循環ポンプ２３と噴き出し口
２２の間に設けられている。ガス循環路２０内を流れる
ガスは、熱交換器３１を通過する際、加熱され、加熱さ
れたガスは噴き出し口２２から回転電極１の表面１ａと
基板２の間に吹き付けられ、これによって回転電極１の
表面１ａが加熱される。
【００６８】図１２は、本発明の第４の局面に従う薄膜
形成装置のさらに他の実施例を示す断面図である。図１
２に示す実施例においては、基板２を保持する基板ホル
ダー３内に、加熱手段としてのヒーター３２が設けられ
ている。このヒーター３２により基板２が加熱されると
共に、回転電極１の表面１ａと基板２との間が例えば、
０．０１〜１ｍｍ程度と非常に短い距離であるため、回
転電極１の表面１ａも加熱される。このようにして、ヒ
ーター３２によって回転電極１の表面１ａを加熱するこ
とにより、反応ガスの分解による析出物の付着を防止す
ることができる。
形成装置のさらに他の実施例を示す断面図である。図１
２に示す実施例においては、基板２を保持する基板ホル
ダー３内に、加熱手段としてのヒーター３２が設けられ
ている。このヒーター３２により基板２が加熱されると
共に、回転電極１の表面１ａと基板２との間が例えば、
０．０１〜１ｍｍ程度と非常に短い距離であるため、回
転電極１の表面１ａも加熱される。このようにして、ヒ
ーター３２によって回転電極１の表面１ａを加熱するこ
とにより、反応ガスの分解による析出物の付着を防止す
ることができる。
【００６９】図１２に示す実施例においては、ガス循環
路２０が設けられているが、加熱手段であるヒーター３
２は、ガス循環路２０と関係なく配置されているので、
ガス循環路２０は設けられていなくともよい。なお、ガ
ス循環路２０の噴き出し口２２は、回転電極１の表面１
ａと基板２との間にガスを吹き付けるように設けられて
いるので、本発明の第１の局面における反応ガス供給管
としての役割を果たす。
路２０が設けられているが、加熱手段であるヒーター３
２は、ガス循環路２０と関係なく配置されているので、
ガス循環路２０は設けられていなくともよい。なお、ガ
ス循環路２０の噴き出し口２２は、回転電極１の表面１
ａと基板２との間にガスを吹き付けるように設けられて
いるので、本発明の第１の局面における反応ガス供給管
としての役割を果たす。
【００７０】図１３は、本発明の第４の局面に従う薄膜
形成装置のさらに他の実施例を示す断面図である。図１
３に示す実施例においては、回転電極１の上方に、加熱
手段としてのランプヒーター３３が設けられている。こ
のランプヒーター３３の照射光により回転電極１の表面
１ａを加熱することができる。本実施例では、ランプヒ
ーター３３により、回転電極１の表面１ａを加熱するこ
とにより、反応ガスの分解による析出物の付着を防止す
ることができる。
形成装置のさらに他の実施例を示す断面図である。図１
３に示す実施例においては、回転電極１の上方に、加熱
手段としてのランプヒーター３３が設けられている。こ
のランプヒーター３３の照射光により回転電極１の表面
１ａを加熱することができる。本実施例では、ランプヒ
ーター３３により、回転電極１の表面１ａを加熱するこ
とにより、反応ガスの分解による析出物の付着を防止す
ることができる。
【００７１】図１３に示す実施例において、加熱手段と
してのランプヒーター３３は、ガス循環路２０と関係な
く設けられているので、ガス循環路２０は設けられてい
なくともよい。なお、ガス循環路２０の噴き出し口２２
は、回転電極１の表面１ａと基板２の間にガスを吹き付
けるように設けられているので、本発明の第１の局面に
おける反応ガス供給管としての役割を果たす。
してのランプヒーター３３は、ガス循環路２０と関係な
く設けられているので、ガス循環路２０は設けられてい
なくともよい。なお、ガス循環路２０の噴き出し口２２
は、回転電極１の表面１ａと基板２の間にガスを吹き付
けるように設けられているので、本発明の第１の局面に
おける反応ガス供給管としての役割を果たす。
【００７２】
【発明の効果】本発明の第１の局面に従い、回転電極と
基板の間に反応ガスを吹き付けるように反応ガス供給管
を設けることにより、成膜速度を向上させ、均質な薄膜
を形成させることができる。また、回転電極の直径を小
さくすることができるので、プラズマ発生領域を狭くす
ることにより、遊離した微粒子の発生を低減することが
できる。また、反応容器全体の容積を減少することがで
きるので、遊離した微粒子の発生をさらに低減すること
ができる。
基板の間に反応ガスを吹き付けるように反応ガス供給管
を設けることにより、成膜速度を向上させ、均質な薄膜
を形成させることができる。また、回転電極の直径を小
さくすることができるので、プラズマ発生領域を狭くす
ることにより、遊離した微粒子の発生を低減することが
できる。また、反応容器全体の容積を減少することがで
きるので、遊離した微粒子の発生をさらに低減すること
ができる。
【００７３】本発明の第２の局面に従い、回転電極の直
径を８ｃｍ以下とすることにより、プラズマ発生領域を
狭くすることができ、遊離した微粒子の発生を低減する
ことができる。また、反応容器全体の容積を低減するこ
とができるので、遊離した微粒子の発生をさらに低減す
ることができる。
径を８ｃｍ以下とすることにより、プラズマ発生領域を
狭くすることができ、遊離した微粒子の発生を低減する
ことができる。また、反応容器全体の容積を低減するこ
とができるので、遊離した微粒子の発生をさらに低減す
ることができる。
【００７４】本発明の第３の局面に従い、回転電極を基
板表面に沿って複数設けることにより、成膜速度を向上
させ、大きな面積で薄膜を形成することができる。特
に、回転電極の直径を小さくすると、プラズマ発生領域
が狭くなるので、このような場合に回転電極を複数設け
ることで、薄膜形成の面積の低下を補うことができる。
板表面に沿って複数設けることにより、成膜速度を向上
させ、大きな面積で薄膜を形成することができる。特
に、回転電極の直径を小さくすると、プラズマ発生領域
が狭くなるので、このような場合に回転電極を複数設け
ることで、薄膜形成の面積の低下を補うことができる。
【００７５】本発明の第４の局面に従い、反応ガスの分
解による析出物が回転電極の表面に付着しない温度以上
に回転電極の表面を加熱することにより、回転電極表面
への析出物の付着を防止することができる。従って、基
板上に均質な薄膜を形成することができる。
解による析出物が回転電極の表面に付着しない温度以上
に回転電極の表面を加熱することにより、回転電極表面
への析出物の付着を防止することができる。従って、基
板上に均質な薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の第１の局面に従う薄膜形成装置の一実
施例を示す断面図。
施例を示す断面図。
【図２】反応ガス供給管のガス噴き出しの先端の位置を
説明するための図。
説明するための図。
【図３】本発明の第１の局面〜第３の局面に従う薄膜形
成装置の一実施例を示す断面図。
成装置の一実施例を示す断面図。
【図４】本発明の第１の局面〜第３の局面に従う薄膜形
成装置の他の実施例を示す断面図。
成装置の他の実施例を示す断面図。
【図５】本発明の第１の局面〜第３の局面に従う薄膜形
成装置のさらに他の実施例を示す断面図。
成装置のさらに他の実施例を示す断面図。
【図６】電極表面に凹凸を有する回転電極を複数設ける
場合の組み合わせ状態の一例を示す平面図。
場合の組み合わせ状態の一例を示す平面図。
【図７】電極表面に凹凸を有する回転電極を複数設ける
場合の組み合わせ状態の他の例を示す平面図。
場合の組み合わせ状態の他の例を示す平面図。
【図８】反応ガス供給管の一例を示す斜視図。
【図９】本発明の第４の局面に従う薄膜形成装置の一実
施例を示す断面図。
施例を示す断面図。
【図１０】図９に示す実施例におけるガス循環路をさら
に詳細に説明するための概略構成図。
に詳細に説明するための概略構成図。
【図１１】本発明の第４の局面に従う薄膜形成装置の他
の実施例を示す断面図。
の実施例を示す断面図。
【図１２】本発明の第４の局面に従う薄膜形成装置のさ
らに他の実施例を示す断面図。
らに他の実施例を示す断面図。
【図１３】本発明の第４の局面に従う薄膜形成装置のさ
らに他の実施例を示す断面図。
らに他の実施例を示す断面図。
１…回転電極 １ａ…回転電極の電極表面 １ｂ…回転電極の回転軸 ２…基板 ３…基板ホルダー ４…反応ガス供給管 ４ａ…反応ガス供給管の先端 ５…高周波電源 ６…チャンバー １１〜１５…回転電極 １６，１７…回転電極 １６ａ，１７ａ…回転電極の凸部 １６ｂ，１７ｂ…回転電極の凹部 １８，１９…回転電極 １８ａ，１９ａ…回転電極の螺旋状凸部 １８ｂ，１９ｂ…回転電極の螺旋状凹部 ２０…ガス循環路 ２１…吸い込み口 ２２…噴き出し口 ２３…循環ポンプ ２４…ガス濃度センサ ２５…ガス導入口 ２６…微粉末除去フィルタ ２７…シランガス除外装置 ２８…水吸着筒 ３０…ヒーター ３１…熱交換器 ３２…ヒーター ３３…ランプヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 蔵本 慶一 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 森 勇藏 大阪府交野市私市８丁目16番９号
Claims (11)
- 【請求項１】 回転することにより基板表面の近傍を移
動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、高周
波電力または直流電力を印加することによりプラズマを
発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上
に薄膜を形成する薄膜形成装置において、 前記回転電極と前記基板の間に前記反応ガスを吹き付け
るように反応ガス供給管が設けられていることを特徴と
する薄膜形成装置。 - 【請求項２】 反応容器内でプラズマを発生させ、該プ
ラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄膜を形成す
るための薄膜形成装置であって、 回転することにより前記基板表面の近傍を移動しながら
通過する電極表面を有する回転電極と、 前記回転電極を回転させるための駆動手段と、 前記基板表面と前記回転電極の間にプラズマを発生させ
るため前記回転電極に印加される高周波電力または直流
電力を供給する電源と、 前記基板を保持する基板ホルダーと、 前記回転電極と前記基板の間に前記反応ガスを吹き付け
るように設けられる反応ガス供給管とを備える薄膜形成
装置。 - 【請求項３】 前記反応ガス供給管のガス噴き出しの先
端が、前記回転電極の電極表面から、該電極の略直径の
値以下の位置に設けられている請求項１または２に記載
の薄膜形成装置。 - 【請求項４】 前記回転電極の直径が８ｃｍ以下である
請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 前記回転電極が前記基板表面に沿って複
数設けられている請求項１〜４のいずれか１項に記載の
薄膜形成装置。 - 【請求項６】 前記反応ガス供給管が、前記複数の回転
電極のうちの少なくとも最前列に位置する回転電極と基
板との間に反応ガスを吹き付けるように設けられている
請求項５に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項７】 回転することにより基板表面の近傍を移
動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、高周
波電力または直流電力を印加することによりプラズマを
発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上
に薄膜を形成する薄膜形成装置において、 前記回転電極の直径が８ｃｍ以下であることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項８】 回転することにより基板表面の近傍を移
動しながら通過する電極表面を有する回転電極に、高周
波電力または直流電力を印加することによりプラズマを
発生させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上
に薄膜を形成する薄膜形成装置において、 前記回転電極が前記基板の表面に沿って複数設けられて
いることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項９】 反応容器内に設けた回転電極に高周波電
力または直流電力を印加することによりプラズマを発生
させ、該プラズマ中で反応ガスを分解させて基板上に薄
膜を形成する薄膜形成装置において、 前記反応ガスの分解による析出物が前記回転電極の表面
に付着しない温度以上に前記回転電極の表面を加熱する
ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項１０】 前記回転電極の表面の加熱温度が１０
０℃以上である請求項９に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項１１】 前記反応容器内のガスを排出し再び前
記反応容器内に戻すガス循環路を設け、該ガス循環路内
を流れるガスを加熱し、加熱されたガスを該ガス循環路
の噴き出し口から前記回転電極の表面に吹き付けること
により前記回転電極の表面を加熱することを特徴とする
請求項９または１０に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34481397A JP3634606B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 回転電極を用いた薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34481397A JP3634606B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 回転電極を用いた薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172449A true JPH11172449A (ja) | 1999-06-29 |
| JP3634606B2 JP3634606B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=18372182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34481397A Expired - Lifetime JP3634606B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | 回転電極を用いた薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3634606B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000355773A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-26 | Kobe Steel Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2001214275A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-07 | Tdk Corp | プラズマ処理装置 |
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