KR880009454A - 스퍼터 성막방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

스퍼터 성막방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예의 세로 단면도.
제2도는 제1도의 부분 확대도.
제3도는 본 발명의 실시예에서의 기판 유입 전류데이타를 도시한 도면.

Claims (16)

  1. 전압이 인가된 스퍼터 전극에 얹혀 놓여진 피스퍼터 물질을 소정의 간격을 두고 대면하는 시료 기판에 스퍼터하는 스퍼터링 방법에 있어서, 상기 타게트와 기판 사이에 카스프 자계를 형성하는 것에 의해 고밀도 플라즈마를 발생시킴과 동시에 기판 표면에 바이어스 전압을 인가하는 것에 의해 기판 표면에 이온을 입자시키면서 타게트에서 분출된 스퍼터 재료를 기판에 부착시켜서 성막하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항의 스퍼터 방법에 있어서, 상기 기판표면에 직류 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항의 스퍼터 방법에 있어서, 상기 기판을 얹혀 놓은 기판 전극에 고주파 전압을 인가하여 기판표면측에 부의 직류 바이어스 전압을 유기하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 방법.
  4. Ar 개스등의 비활성 개스가 충진된 진공 용기내에 스퍼터 전극에 접합하는 퍼스퍼터 물질인 타게트와 시료 기판을 대치해서 배설하며, 상기 시료 기판과 상기 타게트 사이에 반대로 향하는 자게를 형성하여 양자간에 카스프 자계를 형성함과 동시에 상기 스퍼터 전극에 전압인가하여 고밀도의 플라즈마를 상기 타게트 표면에서 상기 시료 기판표면 근방까지 발생시키고, 다시 상기 시료 기판 표면에 직류 바이어스를 인가하던가, 또는 고주파 전력을 인가하여 상기 시료 기판 표면을 부의 바이어스 전위로 유지하며, 상기플라즈마를 상기 시료 기판내에 유입시키고, 또는 상기 시료 기판을 적합한 온도로 온도 제어하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막방법.
  5. Ar 개스등의 비활성 개스가 충진 되는 진공용기, 상기 진공용기내에 대치해서 배설되는 시료 기판 및 스퍼터전극에 접합하는 퍼스피터 물질인 타게트, 상기 시료 기판 및 타게트에 반대 자계를 발생시키는 자정수단, 상기 스퍼터 전극에 전압인가하는 전원, 상기 시료 기판 전류 바이어스 또는 고주파 전력을 인가하는 전원, 및 상기 시료 기판에 상기 비활성 개스와 동일 개스를 공급하여 이것을 소정의 온도로 온도 조절하는 기판 온도 제어 수단을 마련하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  6. 타게트측 자기 장치와 기판측 자기 장치의 협조에 의해 전압이 인가된 타게트 전극에 얹혀 놓여진 타게트와 기판 사이에 카스프 자계를 형성하고, 상기 기판측 자기 장치에 의해 만들어진 자력선이 기판 중앙부를 횡단하지 않도록 기판 주변에 인도하여 상기 타게트의 성막 재료를 소정의 간격을 두고 대면하는 상기 기판에 스퍼터하는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막장치.
  7. 특허청구의 범위 제6항의 스퍼터 성막 방법에 있어서, 상기 기판 표면에 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막방법.
  8. 특허청구의 범위 제6항의 스퍼터 성막 방법에 있어서, 상기 기판은 온도 제어된 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막방법.
  9. 기판을 얹어놓는 부재, 상기 기판의 퇴적면과 소정의 간격을 두고 대면하는 성막 재료로 되는 타게트, 상기 타게트를 얹어놓는 타게트 전극, 상기 타게트 사이에 자계를 발생시키는 타게트측 자기장치, 및 상기 타게트측 자기 장치와 협조해서 기판과 타게트 사이에 카스프자계를 형성하여 자력선이 기판 중앙부를 횡단하지 않도록 기판 주변에 자력선을 발생시키는 기판측 자기 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  10. 특허청구의 범위 제9항의 스퍼터 성막 장치에 있어서, 상기 기판측 자기 장치는 기판 주변에 위치하는 외전자석과 상기 외전자석의 내측에 위치하는 내전자석으로 구성한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  11. 특허청구의 범위 제9항의 스퍼터 성막 장치에 있어서, 상기 기판측 자기 장치는 1개조의 영구자석에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  12. 특허청구의 범위 제9항의 스퍼터 성막 장치에 있어서, 상기 부재는 기표 표면에 전압을 발생시키는 전압인가 수단을 갖는 스퍼터 성막 장치.
  13. 특허청구의 범위 제9항의 스퍼터 성막 장치에 있어서, 상기 기판측 자기 장치는 기판 주변에 위치하는 전자석과 상기 전자석의 내측에 위치하는 요크로 구성한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  14. 기판을 얹어놓아 얹어 놓여진 면이 일정온도로 제어된 기판 전극, 상기 기판 전극과 기판 사이에 온도 제어용 개스 도입 수단, 상기 기판의 퇴적면과 소정의 간격을 두고 대면하는 성막 재료로 되는 타게트, 상기 타게트를 얹어놓는 타게트측 전극, 상기 타게트 사이에 자계를 발생시키는 타게트측 자기 장치, 및 상기 타게트 자기장치와 협조해서 기판과 타게트 사이에 카스프 자계를 형성하여 자력선이 기판 중앙부를 횡단하지 않도록 기판의 주변에 자력선을 발생시키는 기판측 자기 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터 성막 장치.
  15. 피처리 기판의 처리면과 소정의 간격을 두고 대향하는 제1의 전극, 상기 피처리 기판을 얹어놓는 제2의 전극, 상기 제1 및 제2의 전극 사이에 자계를 발생시키는 상기 제1의 전극측 자기 장치와 상기 제2의 전극측 자기 장치가 협조해서 상기 제1 및 제2의 전극 사이에 카스프 자계를 형성하고, 상기 제2의 전극측 자기 장치에 의해 만들어진 자력선이 상기 피처리 기판의 적어도 중앙부를 횡단하지 않도록 상기 피처리 기판의 주변에 자력선을 발생시키는 자기 장치를 배설한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  16. 특허청구의 범위 제15항의 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 피처리 장치를 상기 제2의 전극에 얹어놓는 반송위치와 상기 피처리 기판에 플라즈마 처리를 시행하는 처리위치 사이에 상기 제2의 전극을 이동시키는 이동수단과 상기 반송 위치에 상기 피처리 기판을 반송하는 반송 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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