JP2002088479A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JP2002088479A JP2002088479A JP2000280404A JP2000280404A JP2002088479A JP 2002088479 A JP2002088479 A JP 2002088479A JP 2000280404 A JP2000280404 A JP 2000280404A JP 2000280404 A JP2000280404 A JP 2000280404A JP 2002088479 A JP2002088479 A JP 2002088479A
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- plasma
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁物基板に対して良好なＤＬＣ膜を両面同
時形成する。 【解決手段】 電圧印加装置３１よって真空チャンバ１
０とマイクロ波共振器２１とに電圧を加えることによ
り、マイクロ波共振器２１内に生成された第１プラズマ
放電領域５１に対して真空チャンバ１０内に形成された
第２プラズマ放電領域５２をプラスにし、第１プラズマ
放電領域５１で生成された電子を第２プラズマ放電領域
５２に引き込み、この電子と第２プラズマ放電領域５２
でのイオン化により生成した炭化水素のプラスのイオン
とを絶縁物基板４１に供給して、フローティング状態で
保持される絶縁物基板４１を所定の電位に安定させてそ
の両面にＤＬＣ膜を形成する。
時形成する。 【解決手段】 電圧印加装置３１よって真空チャンバ１
０とマイクロ波共振器２１とに電圧を加えることによ
り、マイクロ波共振器２１内に生成された第１プラズマ
放電領域５１に対して真空チャンバ１０内に形成された
第２プラズマ放電領域５２をプラスにし、第１プラズマ
放電領域５１で生成された電子を第２プラズマ放電領域
５２に引き込み、この電子と第２プラズマ放電領域５２
でのイオン化により生成した炭化水素のプラスのイオン
とを絶縁物基板４１に供給して、フローティング状態で
保持される絶縁物基板４１を所定の電位に安定させてそ
の両面にＤＬＣ膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、良好なＤＬＣ膜
（ダイアモンド状薄膜）を形成するのに好適な薄膜形成
装置に関する。
（ダイアモンド状薄膜）を形成するのに好適な薄膜形成
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク基板や光磁気ディスク基板
等のディスク基板はその表面に保護膜が形成される。ハ
ードディスク記録装置の記録媒体である磁気ディスク基
板は、通常、ガラスやアルミニウム等のディスク基板の
表面にクロム等の下地層（配向層）を成膜した後、コバ
ルト等の磁性層を成膜し、さらにその上に保護膜を設け
て作られる。また、光磁気ディスク基板は、プラスチッ
クのディスク基板の表面にＳｉＮ層を設けた後磁性層
（反射層）を設け、さらにＳｉＮ層を設けた後最後に保
護膜を成膜して作られる。この保護膜として、耐腐食性
および耐摩耗性に優れた炭素系薄膜であるＤＬＣ膜が用
いられる。
等のディスク基板はその表面に保護膜が形成される。ハ
ードディスク記録装置の記録媒体である磁気ディスク基
板は、通常、ガラスやアルミニウム等のディスク基板の
表面にクロム等の下地層（配向層）を成膜した後、コバ
ルト等の磁性層を成膜し、さらにその上に保護膜を設け
て作られる。また、光磁気ディスク基板は、プラスチッ
クのディスク基板の表面にＳｉＮ層を設けた後磁性層
（反射層）を設け、さらにＳｉＮ層を設けた後最後に保
護膜を成膜して作られる。この保護膜として、耐腐食性
および耐摩耗性に優れた炭素系薄膜であるＤＬＣ膜が用
いられる。
【０００３】このＤＬＣ膜を成膜する装置としては、従
来より、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置が知られている。これは、
ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電により炭素系分
子をプラズマ化し、そのＥＣＲの発散磁場により広がる
イオン雰囲気中に基板を配置し、この基板にバイアス電
圧を印加してイオンを吸着させるものである。ガラス等
の絶縁物基板にＤＬＣ膜を形成する場合には、その基板
にＲＦ電極を容量性結合してＲＦバイアスを印加する。
来より、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置が知られている。これは、
ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電により炭素系分
子をプラズマ化し、そのＥＣＲの発散磁場により広がる
イオン雰囲気中に基板を配置し、この基板にバイアス電
圧を印加してイオンを吸着させるものである。ガラス等
の絶縁物基板にＤＬＣ膜を形成する場合には、その基板
にＲＦ電極を容量性結合してＲＦバイアスを印加する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＤＬＣ成膜用ＥＣＲ−ＣＶＤ装置では、絶縁物基板の電
位が安定せず、良好なＤＬＣ膜を形成することが難しい
という問題があった。すなわち、良好なＤＬＣ膜を形成
するには、絶縁物基板の電位を−１００ｅＶ以下とする
ことが必要であるが、これが難しかった。また、基板と
ＲＦ電極とを容量性結合させるため、両面同時成膜が原
理的にできない、という問題もあった。
ＤＬＣ成膜用ＥＣＲ−ＣＶＤ装置では、絶縁物基板の電
位が安定せず、良好なＤＬＣ膜を形成することが難しい
という問題があった。すなわち、良好なＤＬＣ膜を形成
するには、絶縁物基板の電位を−１００ｅＶ以下とする
ことが必要であるが、これが難しかった。また、基板と
ＲＦ電極とを容量性結合させるため、両面同時成膜が原
理的にできない、という問題もあった。
【０００５】この発明は、上記に鑑み、絶縁物基板の電
位を−１００ｅＶ以下に安定的に保ち、これにより良好
なＤＬＣ膜を形成することができるように改善した、薄
膜形成装置を提供することを目的とする。
位を−１００ｅＶ以下に安定的に保ち、これにより良好
なＤＬＣ膜を形成することができるように改善した、薄
膜形成装置を提供することを目的とする。
【０００６】また、この発明の第２の目的は、絶縁物基
板に対して良好なＤＬＣ膜を両面同時形成することがで
きるように改善した、薄膜形成装置を提供することにあ
る。
板に対して良好なＤＬＣ膜を両面同時形成することがで
きるように改善した、薄膜形成装置を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１記載の発明による薄膜形成装置において
は、円筒形マイクロ波共振器と、該共振器の軸に沿って
磁場を発生させる磁場発生器と、該共振器内にマイクロ
波を導入する導波管とからなり、該共振器内に第１の放
電領域を形成する手段と、該第１の放電領域に対して正
の電位が与えられて第１の放電領域から電子を引き出す
第２の放電領域を形成する手段と、第１の放電領域内に
少なくとも不活性ガスを、第２の放電領域内に少なくと
も炭化水素ガスを、それぞれ導入する手段と、第２の放
電領域から離間しない位置において第１の放電領域に対
向するように基板を保持する手段とが備えられることが
特徴となっている。
め、請求項１記載の発明による薄膜形成装置において
は、円筒形マイクロ波共振器と、該共振器の軸に沿って
磁場を発生させる磁場発生器と、該共振器内にマイクロ
波を導入する導波管とからなり、該共振器内に第１の放
電領域を形成する手段と、該第１の放電領域に対して正
の電位が与えられて第１の放電領域から電子を引き出す
第２の放電領域を形成する手段と、第１の放電領域内に
少なくとも不活性ガスを、第２の放電領域内に少なくと
も炭化水素ガスを、それぞれ導入する手段と、第２の放
電領域から離間しない位置において第１の放電領域に対
向するように基板を保持する手段とが備えられることが
特徴となっている。
【０００８】共振器内に導波管によりマイクロ波が導入
され、その内部に磁場が形成されることにより、ＥＣＲ
放電が生じる。この第１の放電領域には不活性ガスが導
入されるので、ＥＣＲプラズマの電離作用により電子が
電離する。一方、第２の放電領域は、第１の放電領域に
対して正の電位が与えられているので、第１の放電領域
から電子が引き出されることになる。第２の放電領域に
は炭化水素ガスが導入されており、電子密度の高いプラ
ズマ中でプラスの炭素イオン、水素イオンおよび炭化水
素イオンが生成する。また、基板は第２の放電領域から
離間しない位置、つまり第２の放電領域内の位置か第２
の放電領域に接する位置において第１の放電領域に対向
するように保持されているので、第１の放電領域から第
２の放電領域へと流れ込む電子流が直接この基板に当
る。この電子により基板は負の電位となる。そのため、
負電位となった基板に上記のプラスの炭素イオン、水素
イオンおよび炭化水素イオンが付着する。こうして基板
に供給されるプラス・イオンと電子とのバランスにより
基板を−１００ｅＶ以下の電位に安定的に保つことがで
きるため、良好なＤＬＣ膜を形成することができる。
され、その内部に磁場が形成されることにより、ＥＣＲ
放電が生じる。この第１の放電領域には不活性ガスが導
入されるので、ＥＣＲプラズマの電離作用により電子が
電離する。一方、第２の放電領域は、第１の放電領域に
対して正の電位が与えられているので、第１の放電領域
から電子が引き出されることになる。第２の放電領域に
は炭化水素ガスが導入されており、電子密度の高いプラ
ズマ中でプラスの炭素イオン、水素イオンおよび炭化水
素イオンが生成する。また、基板は第２の放電領域から
離間しない位置、つまり第２の放電領域内の位置か第２
の放電領域に接する位置において第１の放電領域に対向
するように保持されているので、第１の放電領域から第
２の放電領域へと流れ込む電子流が直接この基板に当
る。この電子により基板は負の電位となる。そのため、
負電位となった基板に上記のプラスの炭素イオン、水素
イオンおよび炭化水素イオンが付着する。こうして基板
に供給されるプラス・イオンと電子とのバランスにより
基板を−１００ｅＶ以下の電位に安定的に保つことがで
きるため、良好なＤＬＣ膜を形成することができる。
【０００９】請求項２記載の発明による薄膜形成装置に
おいては、上記の第１の放電領域と第２の放電領域とが
基板に対して対称な位置に形成されるよう、上記の第１
の放電領域形成手段および第２の放電領域形成手段の組
み合わせが１対備えられていることが特徴となってい
る。
おいては、上記の第１の放電領域と第２の放電領域とが
基板に対して対称な位置に形成されるよう、上記の第１
の放電領域形成手段および第２の放電領域形成手段の組
み合わせが１対備えられていることが特徴となってい
る。
【００１０】第１の放電領域形成手段および第２の放電
領域形成手段の組み合わせが１対設けられて、第１の放
電領域と第２の放電領域とが基板に対して対称な位置に
形成されるので、基板に対する両面同時成膜が可能とな
る。すなわち、絶縁物基板に成膜する際に、この基板の
裏面にＲＦ電極を近接させて作った容量性結合を介して
バイアス電位を与える必要がないので、裏面についても
ＲＦ電極等の障害物を配置しないで済み、両面での成膜
を同時に行うことができる。
領域形成手段の組み合わせが１対設けられて、第１の放
電領域と第２の放電領域とが基板に対して対称な位置に
形成されるので、基板に対する両面同時成膜が可能とな
る。すなわち、絶縁物基板に成膜する際に、この基板の
裏面にＲＦ電極を近接させて作った容量性結合を介して
バイアス電位を与える必要がないので、裏面についても
ＲＦ電極等の障害物を配置しないで済み、両面での成膜
を同時に行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示す
ように、真空チャンバ１０にはガス排気系１１が設けら
れており、これによりその内部が真空に排気される。ま
た、この真空チャンバ１０にはアルゴンガス（あるいは
ＫｒガスやＸｅガスなどの希ガスまたは窒素ガスなどの
不活性ガス）やＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）を導入す
るガス導入系１２が設けられている。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示す
ように、真空チャンバ１０にはガス排気系１１が設けら
れており、これによりその内部が真空に排気される。ま
た、この真空チャンバ１０にはアルゴンガス（あるいは
ＫｒガスやＸｅガスなどの希ガスまたは窒素ガスなどの
不活性ガス）やＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）を導入す
るガス導入系１２が設けられている。
【００１２】この真空チャンバ１０には、その両端に、
ＥＣＲプラズマ生成装置２０がそれぞれ連結されてい
る。この１対のＥＣＲプラズマ生成装置２０は、基板４
１に対して対称な位置に配置されるが、同一構成となっ
ているため、対応する部分に対応する番号を付してい
る。このＥＣＲプラズマ生成装置２０は真空チャンバ１
０に連なる円筒形マイクロ波共振器２１内にＥＣＲプラ
ズマを生成するものである。マイクロ波共振器２１の周
囲にはマグネットコイル２２、２３が設けられ、これら
のコイル２２、２３によって共振器２１の軸に沿って磁
場が発生させられる。さらに、マイクロ波を導入する導
波管２４がガラス板２５等の誘電体板を介してマイクロ
波共振器２１に取り付けられる。そして、ガス導入系２
６によってアルゴンガス（あるいはＫｒガスやＸｅガス
などの希ガスまたは窒素ガスなどの不活性ガス）が導入
される。
ＥＣＲプラズマ生成装置２０がそれぞれ連結されてい
る。この１対のＥＣＲプラズマ生成装置２０は、基板４
１に対して対称な位置に配置されるが、同一構成となっ
ているため、対応する部分に対応する番号を付してい
る。このＥＣＲプラズマ生成装置２０は真空チャンバ１
０に連なる円筒形マイクロ波共振器２１内にＥＣＲプラ
ズマを生成するものである。マイクロ波共振器２１の周
囲にはマグネットコイル２２、２３が設けられ、これら
のコイル２２、２３によって共振器２１の軸に沿って磁
場が発生させられる。さらに、マイクロ波を導入する導
波管２４がガラス板２５等の誘電体板を介してマイクロ
波共振器２１に取り付けられる。そして、ガス導入系２
６によってアルゴンガス（あるいはＫｒガスやＸｅガス
などの希ガスまたは窒素ガスなどの不活性ガス）が導入
される。
【００１３】マイクロ波共振器２１および真空チャンバ
１０は、導電性金属によって形成されるが、互いに絶縁
状態となるようにして連結され、電圧印加装置３１によ
って印加されることにより、真空チャンバ１０が共振器
２１に対して正の電位となるようにされる。
１０は、導電性金属によって形成されるが、互いに絶縁
状態となるようにして連結され、電圧印加装置３１によ
って印加されることにより、真空チャンバ１０が共振器
２１に対して正の電位となるようにされる。
【００１４】真空チャンバ１０の中央部には、両面にお
いてＤＬＣ膜を形成する絶縁物基板４１がホルダ４２に
よって保持される。電気的には、この基板４１はフロー
ティング状態で保持される。
いてＤＬＣ膜を形成する絶縁物基板４１がホルダ４２に
よって保持される。電気的には、この基板４１はフロー
ティング状態で保持される。
【００１５】導波管２４によって共振器２１内に２．４
５ＧＨｚのマイクロ波が導入され、同時にマグネットコ
イル２２、２３により共振器２１の軸に沿う磁場が形成
されると、ＥＣＲが発生し、活性なＥＣＲプラズマが生
成される。マグネットコイル２２、２３により真空チャ
ンバ１０内に形成されたミラー磁場あるいはカスプ磁場
等の適宜な磁場により、ＥＣＲプラズマが真空チャンバ
１０内に引き出される。こうして、共振器２１内に第１
のプラズマ放電領域５１が、真空チャンバ１０内に第２
のプラズマ放電領域５２が形成される。中央の基板４１
はこれらの対称的に形成された１対の第２の放電領域５
２、５２に挟まれるような位置に置かれることになる
が、基板４１がこれらの放電領域５２、５２から離間す
ることがないように、つまり放電領域５２、５２内に含
まれるかこれらの放電領域５２、５２に接するように、
基板４１と放電領域５２、５２の位置関係が定められ
る。
５ＧＨｚのマイクロ波が導入され、同時にマグネットコ
イル２２、２３により共振器２１の軸に沿う磁場が形成
されると、ＥＣＲが発生し、活性なＥＣＲプラズマが生
成される。マグネットコイル２２、２３により真空チャ
ンバ１０内に形成されたミラー磁場あるいはカスプ磁場
等の適宜な磁場により、ＥＣＲプラズマが真空チャンバ
１０内に引き出される。こうして、共振器２１内に第１
のプラズマ放電領域５１が、真空チャンバ１０内に第２
のプラズマ放電領域５２が形成される。中央の基板４１
はこれらの対称的に形成された１対の第２の放電領域５
２、５２に挟まれるような位置に置かれることになる
が、基板４１がこれらの放電領域５２、５２から離間す
ることがないように、つまり放電領域５２、５２内に含
まれるかこれらの放電領域５２、５２に接するように、
基板４１と放電領域５２、５２の位置関係が定められ
る。
【００１６】第１のプラズマ放電領域５１にはアルゴン
ガスが導入されているので、これがＥＣＲプラズマによ
って電離し、電子が生成する。こうして第１プラズマ放
電領域５１は電子源となり、そこで生成した電子は、第
１、第２プラズマ放電領域間の電位差により、正電位と
なっている第２プラズマ放電領域５２へと引き込まれ
る。第２のプラズマ放電領域に引き込まれた電子は、こ
の第１、第２プラズマ放電領域間の電位差によって定ま
ったエネルギーを持つ。このエネルギーを持った電子
が、第２プラズマ放電領域５２に導入された炭化水素ガ
スをイオン化する。これにより、第２プラズマ放電領域
５２において高密度のプラズマが発生し、プラスの炭素
イオン、水素イオンおよび炭化水素イオンが生成する。
ガスが導入されているので、これがＥＣＲプラズマによ
って電離し、電子が生成する。こうして第１プラズマ放
電領域５１は電子源となり、そこで生成した電子は、第
１、第２プラズマ放電領域間の電位差により、正電位と
なっている第２プラズマ放電領域５２へと引き込まれ
る。第２のプラズマ放電領域に引き込まれた電子は、こ
の第１、第２プラズマ放電領域間の電位差によって定ま
ったエネルギーを持つ。このエネルギーを持った電子
が、第２プラズマ放電領域５２に導入された炭化水素ガ
スをイオン化する。これにより、第２プラズマ放電領域
５２において高密度のプラズマが発生し、プラスの炭素
イオン、水素イオンおよび炭化水素イオンが生成する。
【００１７】基板４１は、第２プラズマ放電領域５２に
含まれるかこれに接する位置に置かれ、かつ第１プラズ
マ放電領域５１と対面するように配置されているため、
第１プラズマ放電領域５１から放出された電子の流れに
晒されていることになる。この電子流により、電気的に
フローティング状態となっている基板４１はマイナスに
帯電し、ー１００ｅＶ以下となる。その結果、プラスの
炭素イオン、水素イオンおよび炭化水素イオンがこの基
板４１に吸着し、良好なＤＬＣ膜が形成される。
含まれるかこれに接する位置に置かれ、かつ第１プラズ
マ放電領域５１と対面するように配置されているため、
第１プラズマ放電領域５１から放出された電子の流れに
晒されていることになる。この電子流により、電気的に
フローティング状態となっている基板４１はマイナスに
帯電し、ー１００ｅＶ以下となる。その結果、プラスの
炭素イオン、水素イオンおよび炭化水素イオンがこの基
板４１に吸着し、良好なＤＬＣ膜が形成される。
【００１８】このように、第１プラズマ放電漁期５１か
ら供給される電子により、基板４１の近傍の第２プラズ
マ放電領域５２に高密度のプラズマが生成し、そのプラ
ズマポテンシャルは高く、かつ電子密度が高いものとな
る。そのため、基板４１に供給されるプラス・イオンと
電子とのバランスによって、フローティング状態の絶縁
物基板４１の電位が−１００ｅＶ以下に安定し、基板４
１に両面において同時に良好なＤＬＣ膜を成膜する条件
が満たされる。しかも、基板４１にはＲＦバイアスを与
えるようなことが不要であるため、バイアス電源が不要
であり、製造コストを低減できる。
ら供給される電子により、基板４１の近傍の第２プラズ
マ放電領域５２に高密度のプラズマが生成し、そのプラ
ズマポテンシャルは高く、かつ電子密度が高いものとな
る。そのため、基板４１に供給されるプラス・イオンと
電子とのバランスによって、フローティング状態の絶縁
物基板４１の電位が−１００ｅＶ以下に安定し、基板４
１に両面において同時に良好なＤＬＣ膜を成膜する条件
が満たされる。しかも、基板４１にはＲＦバイアスを与
えるようなことが不要であるため、バイアス電源が不要
であり、製造コストを低減できる。
【００１９】なお、ここでは、第１プラズマ放電領域５
１と第２プラズマ放電領域５２との間に電位差を持たせ
る構成として、共振器２１と真空チャンバ１０とに電圧
印加装置３１によって電位差を与えるようにしたが、真
空チャンバ１０内において共振器２１側にグリッドなど
を設けてこれに電圧を印加するように構成することもで
きる。また、電圧印加装置３１は、ここでは真空チャン
バ１０の電位と共振器２１の電位との中間の電位をグラ
ンドにしているが、真空チャンバ１０、あるいは共振器
２１をグランドにしてもよい。
１と第２プラズマ放電領域５２との間に電位差を持たせ
る構成として、共振器２１と真空チャンバ１０とに電圧
印加装置３１によって電位差を与えるようにしたが、真
空チャンバ１０内において共振器２１側にグリッドなど
を設けてこれに電圧を印加するように構成することもで
きる。また、電圧印加装置３１は、ここでは真空チャン
バ１０の電位と共振器２１の電位との中間の電位をグラ
ンドにしているが、真空チャンバ１０、あるいは共振器
２１をグランドにしてもよい。
【００２０】また、ここでは、真空チャンバ１０内でホ
ルダ４２により保持される基板４１に対して第１プラズ
マ放電領域５１および第２プラズマ放電領域５２が対称
に形成されるようＥＣＲプラズマ生成装置２０などを配
置しているが、対称的な構成の一方側のみとすることに
より、基板４１に対する片面成膜を行う構成とすること
もできることは言うまでもないであろう。
ルダ４２により保持される基板４１に対して第１プラズ
マ放電領域５１および第２プラズマ放電領域５２が対称
に形成されるようＥＣＲプラズマ生成装置２０などを配
置しているが、対称的な構成の一方側のみとすることに
より、基板４１に対する片面成膜を行う構成とすること
もできることは言うまでもないであろう。
【００２１】さらに、上の記述は一つの実施形態に関す
るものであって、この発明は上記の記載に限定されるわ
けではなく、具体的な構成などについては種々に変更で
きることはもちろんである。
るものであって、この発明は上記の記載に限定されるわ
けではなく、具体的な構成などについては種々に変更で
きることはもちろんである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜形
成装置によれば、絶縁物基板に対しても基板を所定の電
位に保って良好なＤＬＣ膜を形成することができる。し
かも、そのための構成としては、共振器内の第１プラズ
マ放電領域と真空チャンバ内の第２プラズマ放電領域と
の間に電位差を持たせるという、きわめて簡単な構成で
済み、既存のＥＣＲ−ＣＶＤ装置の構成の一部を変更す
るだけで対応可能であるばかりでなく、基板に対してバ
イアスを与えるＲＦバイアス電源は不要となる。これら
により、良好なＤＬＣ膜を形成する薄膜形成装置をより
安価に実現できる。さらに対称的な構成とすることによ
り、絶縁物基板の両面に対するＤＬＣ膜の同時成膜もで
きるので、ハードディスク記録装置のディスク基板製造
に好適である。
成装置によれば、絶縁物基板に対しても基板を所定の電
位に保って良好なＤＬＣ膜を形成することができる。し
かも、そのための構成としては、共振器内の第１プラズ
マ放電領域と真空チャンバ内の第２プラズマ放電領域と
の間に電位差を持たせるという、きわめて簡単な構成で
済み、既存のＥＣＲ−ＣＶＤ装置の構成の一部を変更す
るだけで対応可能であるばかりでなく、基板に対してバ
イアスを与えるＲＦバイアス電源は不要となる。これら
により、良好なＤＬＣ膜を形成する薄膜形成装置をより
安価に実現できる。さらに対称的な構成とすることによ
り、絶縁物基板の両面に対するＤＬＣ膜の同時成膜もで
きるので、ハードディスク記録装置のディスク基板製造
に好適である。
【図１】この発明の実施の形態を示す模式的な断面図。
１０ 真空チャンバ １１ ガス排気系 １２、２６ ガス導入系 ２０ ＥＣＲプラズマ生成装置 ２１ マイクロ波共振器 ２２、２３ マグネットコイル ２４ 導波管 ２５ ガラス板 ３１ 電圧印加装置 ４１ 絶縁物基板 ４２ ホルダ ５１ 第１プラズマ放電領域 ５２ 第２プラズマ放電領域
Claims (2)
- 【請求項１】 円筒形マイクロ波共振器と、該共振器の
軸に沿って磁場を発生させる磁場発生器と、該共振器内
にマイクロ波を導入する導波管とからなり、該共振器内
に第１の放電領域を形成する手段と、該第１の放電領域
に対して正の電位が与えられて第１の放電領域から電子
を引き出す第２の放電領域を形成する手段と、第１の放
電領域内に少なくとも不活性ガスを、第２の放電領域内
に少なくとも炭化水素ガスを、それぞれ導入する手段
と、第２の放電領域から離間しない位置において第１の
放電領域に対向するように基板を保持する手段とを備え
ることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 上記の第１の放電領域と第２の放電領域
とが基板に対して対称な位置に形成されるよう、上記の
第１の放電領域形成手段および第２の放電領域形成手段
の組み合わせを１対備えることを特徴とする請求項１記
載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280404A JP2002088479A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280404A JP2002088479A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002088479A true JP2002088479A (ja) | 2002-03-27 |
Family
ID=18765248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280404A Pending JP2002088479A (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002088479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110574500A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-12-13 | 春日电机株式会社 | 静电消除装置以及等离子体发生装置 |
| US10984989B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-04-20 | Kasuga Denki, Inc. | Charge neutralizer and plasma generator |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000280404A patent/JP2002088479A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110574500A (zh) * | 2018-09-12 | 2019-12-13 | 春日电机株式会社 | 静电消除装置以及等离子体发生装置 |
| US10984989B2 (en) | 2018-09-12 | 2021-04-20 | Kasuga Denki, Inc. | Charge neutralizer and plasma generator |
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