JP2000277298A - Ｅｃｒプラズマ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマ装置Info
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- JP2000277298A JP2000277298A JP11082225A JP8222599A JP2000277298A JP 2000277298 A JP2000277298 A JP 2000277298A JP 11082225 A JP11082225 A JP 11082225A JP 8222599 A JP8222599 A JP 8222599A JP 2000277298 A JP2000277298 A JP 2000277298A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化・軽量化を図る。
【解決手段】 ＥＣＲの空洞共振室であるキャビティ４
２に対して円筒型導電体でキャビティ４２と同電位の筐
体５１を、真空チャンバ４１側に取り付けて、キャビテ
ィ４２の共振作用を補完させることによって、キャビテ
ィ４２の寸法を小さくし、その周囲に配置される電磁コ
イル４４をサイズの小さいもので済ますことができるよ
うにし、小型化・軽量化可能とする。
２に対して円筒型導電体でキャビティ４２と同電位の筐
体５１を、真空チャンバ４１側に取り付けて、キャビテ
ィ４２の共振作用を補完させることによって、キャビテ
ィ４２の寸法を小さくし、その周囲に配置される電磁コ
イル４４をサイズの小さいもので済ますことができるよ
うにし、小型化・軽量化可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）を利用したＣＶＤ装置やスパッタリ
ング装置、エッチング装置、ミーリング装置等のＥＣＲ
プラズマ装置に関する。
イクロトロン共鳴）を利用したＣＶＤ装置やスパッタリ
ング装置、エッチング装置、ミーリング装置等のＥＣＲ
プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置やＥＣＲプラ
ズマスパッタリング装置等では、反応室である真空チャ
ンバの側面にキャビティを設けて、このキャビティをＥ
ＣＲプラズマを生じさせる空洞共振室として用い、ここ
で生じたプラズマを真空チャンバ内に引き出す構成をと
っている。そして、このキャビティについては、放電開
始時の安定放電を考慮してＴＥ１１３モードによる共振
を設定する場合が多い。このときのキャビティ寸法は直
径２００ｍｍ、長さ２００ｍｍ程度となり、この内部に
ＥＣＲ条件の磁場を与えるために外径５００ｍｍほどの
電磁コイルをそのキャビティ周囲に取り付けている。
ズマスパッタリング装置等では、反応室である真空チャ
ンバの側面にキャビティを設けて、このキャビティをＥ
ＣＲプラズマを生じさせる空洞共振室として用い、ここ
で生じたプラズマを真空チャンバ内に引き出す構成をと
っている。そして、このキャビティについては、放電開
始時の安定放電を考慮してＴＥ１１３モードによる共振
を設定する場合が多い。このときのキャビティ寸法は直
径２００ｍｍ、長さ２００ｍｍ程度となり、この内部に
ＥＣＲ条件の磁場を与えるために外径５００ｍｍほどの
電磁コイルをそのキャビティ周囲に取り付けている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＥＣＲプラズマ装置では、小型化・軽量化が難しいとい
う問題がある。すなわち、上記の通り、キャビティ内部
にＥＣＲ条件の磁場を与えるために外径５００ｍｍほど
の電磁コイルが必要であり、寸法が大きく、しかも重さ
も２００ｋｇ以上となる。
ＥＣＲプラズマ装置では、小型化・軽量化が難しいとい
う問題がある。すなわち、上記の通り、キャビティ内部
にＥＣＲ条件の磁場を与えるために外径５００ｍｍほど
の電磁コイルが必要であり、寸法が大きく、しかも重さ
も２００ｋｇ以上となる。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、電磁コイルの寸
法・重さを小さくでき、これによって全体として小型化
・軽量化を図ることができる、ＥＣＲプラズマ装置を提
供することを目的とする。
法・重さを小さくでき、これによって全体として小型化
・軽量化を図ることができる、ＥＣＲプラズマ装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるＥＣＲプラズマ装置においては、真
空チャンバと、該真空チャンバの側面に設けられ、導波
路を介してマイクロ波が導入されるキャビティと、該キ
ャビティの周囲に設けられた電磁コイルと、該キャビテ
ィの真空チャンバ側に設けられた、該キャビティと同電
位の導電体の筐体とが備えられることが特徴となってい
る。
め、この発明によるＥＣＲプラズマ装置においては、真
空チャンバと、該真空チャンバの側面に設けられ、導波
路を介してマイクロ波が導入されるキャビティと、該キ
ャビティの周囲に設けられた電磁コイルと、該キャビテ
ィの真空チャンバ側に設けられた、該キャビティと同電
位の導電体の筐体とが備えられることが特徴となってい
る。
【０００６】キャビティには、それと同電位の導電体の
筐体が、真空チャンバ側に設けられている。このキャビ
ティと導電体筐体とを合わせて等価的に空洞共振室とし
て機能する。そのため、キャビティ自体の寸法を小さく
しても等価的に大きな寸法のキャビティを用いたのと同
じになる。キャビティの寸法を小さくできれば、その内
部にＥＣＲ条件の磁場を与えるための電磁コイルの寸法
も小さくでき、その重量も軽量化できる。その結果、Ｅ
ＣＲプラズマ装置全体として小型化・軽量化できる。
筐体が、真空チャンバ側に設けられている。このキャビ
ティと導電体筐体とを合わせて等価的に空洞共振室とし
て機能する。そのため、キャビティ自体の寸法を小さく
しても等価的に大きな寸法のキャビティを用いたのと同
じになる。キャビティの寸法を小さくできれば、その内
部にＥＣＲ条件の磁場を与えるための電磁コイルの寸法
も小さくでき、その重量も軽量化できる。その結果、Ｅ
ＣＲプラズマ装置全体として小型化・軽量化できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１には、
この発明を適用したＥＣＲプラズマＣＶＤ装置が示され
ている。この図において、真空チャンバ４１は、その中
に配置された基板２１の表面にＣＶＤを行うための反応
室であり、真空吸引されるようになっているとともに、
ガス導入系４６から反応ガスが導入されるようになって
いる。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１には、
この発明を適用したＥＣＲプラズマＣＶＤ装置が示され
ている。この図において、真空チャンバ４１は、その中
に配置された基板２１の表面にＣＶＤを行うための反応
室であり、真空吸引されるようになっているとともに、
ガス導入系４６から反応ガスが導入されるようになって
いる。
【０００８】この真空チャンバ４１の左側面の窓にキャ
ビティ４２が連結され、このキャビティ４２にマイクロ
波を導入するための導波管４３が取り付けられている。
キャビティ４２には、その周囲に電磁コイル４４が設け
られて、キャビティ４２内でＥＣＲプラズマが発生する
ようにされている。
ビティ４２が連結され、このキャビティ４２にマイクロ
波を導入するための導波管４３が取り付けられている。
キャビティ４２には、その周囲に電磁コイル４４が設け
られて、キャビティ４２内でＥＣＲプラズマが発生する
ようにされている。
【０００９】キャビティ４２には、円筒型の導電体で構
成された筐体５１が、真空チャンバ４１側に取り付けら
れている。そして、この円筒型筐体５１の先端には円環
状導電体であるリング５２が取り付けられている。この
筐体５１およびリング５２はキャビティ４２と同電位と
される。真空チャンバ４１内には、基板２１が基板ホル
ダ（図示しない）等によってホールドされることにより
配置され、電圧印加装置４７によって負の電圧（直流電
圧または直流電圧に高周波電圧を重畳したもの）が加え
られ、あるいはアースフロートの場合もある。
成された筐体５１が、真空チャンバ４１側に取り付けら
れている。そして、この円筒型筐体５１の先端には円環
状導電体であるリング５２が取り付けられている。この
筐体５１およびリング５２はキャビティ４２と同電位と
される。真空チャンバ４１内には、基板２１が基板ホル
ダ（図示しない）等によってホールドされることにより
配置され、電圧印加装置４７によって負の電圧（直流電
圧または直流電圧に高周波電圧を重畳したもの）が加え
られ、あるいはアースフロートの場合もある。
【００１０】このＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において、
基板２１に対してＣＶＤを行おうとするとき、導波管４
３により約２．４５ＧＨｚのマイクロ波をキャビティ４
２内に導入し、同時に電磁コイル４４により磁場を形成
することにより、ＥＣＲが起こり活性なＥＣＲプラズマ
を形成する。このＥＣＲプラズマは、マグネットコイル
４４により真空チャンバ４１内に形成されたミラー磁場
あるいはカスプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ
４１内に引き出される。
基板２１に対してＣＶＤを行おうとするとき、導波管４
３により約２．４５ＧＨｚのマイクロ波をキャビティ４
２内に導入し、同時に電磁コイル４４により磁場を形成
することにより、ＥＣＲが起こり活性なＥＣＲプラズマ
を形成する。このＥＣＲプラズマは、マグネットコイル
４４により真空チャンバ４１内に形成されたミラー磁場
あるいはカスプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ
４１内に引き出される。
【００１１】一方、真空チャンバ４１内には、ガス導入
系４６を通じてＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは
不活性ガスとＣｎＨｍガスとの混合ガスが導入されてお
り、このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン
化され、炭素イオンおよび水素イオンが真空チャンバ４
１内に充満する。このプラズマ化した炭素イオンおよび
水素イオンが、負電位の基板２１の表面に、緊密・堅固
に付着し、カーボン系の保護膜が成膜される。これによ
り、耐腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜（ダイア
モンド状薄膜）の成膜がなされる。
系４６を通じてＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは
不活性ガスとＣｎＨｍガスとの混合ガスが導入されてお
り、このＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン
化され、炭素イオンおよび水素イオンが真空チャンバ４
１内に充満する。このプラズマ化した炭素イオンおよび
水素イオンが、負電位の基板２１の表面に、緊密・堅固
に付着し、カーボン系の保護膜が成膜される。これによ
り、耐腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜（ダイア
モンド状薄膜）の成膜がなされる。
【００１２】ここで、キャビティ４２は、２．４５ＧＨ
ｚマイクロ波のＥＣＲ共振条件から直径１００ｍｍ以
下、長さ１００ｍｍ以下の小さなサイズのものとするこ
とができる。そして、筐体５１については、マイクロ波
が上記のように２．４５ＧＨｚであるため、直径Ｄから
２００ｍｍ程度までがとり得る値となる。ここでＤとは
キャビティ４２の直径である。このような導電体の筐体
５１が取り付けられることにより、キャビティ４２の共
振作用の補完がなされ、安定した放電の開始、および放
電中の安定性を得ることができるからこそ、キャビティ
４２の寸法を上記のように小さなものとすることができ
る。その結果、電磁コイル４４のサイズも、外径約２０
０ｍｍ程度で済み、重さも５０ｋｇ程度にまで軽量化可
能である。
ｚマイクロ波のＥＣＲ共振条件から直径１００ｍｍ以
下、長さ１００ｍｍ以下の小さなサイズのものとするこ
とができる。そして、筐体５１については、マイクロ波
が上記のように２．４５ＧＨｚであるため、直径Ｄから
２００ｍｍ程度までがとり得る値となる。ここでＤとは
キャビティ４２の直径である。このような導電体の筐体
５１が取り付けられることにより、キャビティ４２の共
振作用の補完がなされ、安定した放電の開始、および放
電中の安定性を得ることができるからこそ、キャビティ
４２の寸法を上記のように小さなものとすることができ
る。その結果、電磁コイル４４のサイズも、外径約２０
０ｍｍ程度で済み、重さも５０ｋｇ程度にまで軽量化可
能である。
【００１３】なお、上記はこの発明の一つの実施形態を
示すものであり、この発明が、上記の実施形態のＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置に限定されることなく、たとえばＥ
ＣＲプラズマスパッタリング装置、ＥＣＲプラズマエッ
チング装置、ＥＣＲプラズマミーリング装置等のＥＣＲ
プラズマ装置にも適用できることはもちろんである。ま
た、上記では、真空チャンバ４１の一側面にのみキャビ
ティ４２を設けた例について説明したが、真空チャンバ
４１の両側面の各々にキャビティ４２を設けてたとえば
基板２１の両面に対して同時にＣＶＤ成膜を行うよう構
成する場合に、その各々のキャビティ４２に同様に筐体
５１を設けて、その２つのキャビティおよび電磁コイル
をともに小型化することもできる。
示すものであり、この発明が、上記の実施形態のＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置に限定されることなく、たとえばＥ
ＣＲプラズマスパッタリング装置、ＥＣＲプラズマエッ
チング装置、ＥＣＲプラズマミーリング装置等のＥＣＲ
プラズマ装置にも適用できることはもちろんである。ま
た、上記では、真空チャンバ４１の一側面にのみキャビ
ティ４２を設けた例について説明したが、真空チャンバ
４１の両側面の各々にキャビティ４２を設けてたとえば
基板２１の両面に対して同時にＣＶＤ成膜を行うよう構
成する場合に、その各々のキャビティ４２に同様に筐体
５１を設けて、その２つのキャビティおよび電磁コイル
をともに小型化することもできる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＥＣＲ
プラズマ装置によれは、ＥＣＲの空洞共振室として機能
するキャビティの寸法を小さくでき、その結果、キャビ
ティ周囲に配置する電磁コイルも小型・軽量のもので済
ますことができるようになり、装置全体として小型化・
軽量化可能となる。
プラズマ装置によれは、ＥＣＲの空洞共振室として機能
するキャビティの寸法を小さくでき、その結果、キャビ
ティ周囲に配置する電磁コイルも小型・軽量のもので済
ますことができるようになり、装置全体として小型化・
軽量化可能となる。
【図１】この発明の実施の形態を示すブロック図。
２１ 基板 ４１ 真空チャンバ ４２ キャビティ ４３ 導波管 ４４ 電磁コイル ４６ ガス導入系 ４７ 電圧印加装置 ５１ 円筒型導電体の筐体 ５２ 円環状導電体のリング
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバと、該真空チャンバの側面
に設けられ、導波路を介してマイクロ波が導入されるキ
ャビティと、該キャビティの周囲に設けられた電磁コイ
ルと、該キャビティの真空チャンバ側に設けられた、該
キャビティと同電位の導電体の筐体とを備えることを特
徴とするＥＣＲプラズマ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082225A JP2000277298A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
| US09/534,168 US6305315B1 (en) | 1999-03-25 | 2000-03-24 | ECR plasma apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082225A JP2000277298A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277298A true JP2000277298A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13768479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082225A Withdrawn JP2000277298A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | Ｅｃｒプラズマ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6305315B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000277298A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887341B2 (en) * | 2001-11-13 | 2005-05-03 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization |
| WO2003045615A2 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | THE UNITED STATES OF AMERICA as represented by the ADMINISTRATOR OF THE NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE | Thermal stir welding process and apparatus |
| CN104485272A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-01 | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
| US4970435A (en) * | 1987-12-09 | 1990-11-13 | Tel Sagami Limited | Plasma processing apparatus |
| JP3355949B2 (ja) * | 1996-08-16 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | プラズマｃｖｄ絶縁膜の形成方法 |
| JP3599564B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2004-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン流形成方法及び装置 |
| US5869149A (en) * | 1997-06-30 | 1999-02-09 | Lam Research Corporation | Method for preparing nitrogen surface treated fluorine doped silicon dioxide films |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082225A patent/JP2000277298A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-03-24 US US09/534,168 patent/US6305315B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6305315B1 (en) | 2001-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050401 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050401 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050404 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050802 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060307 |