JP2005126821A - 真空蒸着装置および真空蒸着の前処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な蒸着層を形成することのできる真空蒸着装置、および、そのような真空蒸着を行うための前処理方法を提供する。
【解決手段】圧力０．０５〜１０Ｐａでの真空蒸着に対応して、前記保持部が保持した被処理基体に蒸発粒子が付着することを防止する防止手段を有することにより、前記課題を解決する。
【選択図】図２

Description

本発明は真空蒸着装置および真空蒸着の前処理に関し、より具体的には、中真空下で蒸着を行う場合にも高品質の蒸着膜が得られる真空蒸着装置およびそのような真空蒸着の前処理方法に関する。

放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線あるいは紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、上述の蓄積された放射線エネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。

一例として、この蓄積性蛍光体を含有する層（以下、蛍光体膜という）を有するシート（蛍光体シート）を利用する放射線画像情報記録再生システムが知られている。この蛍光体シートは、放射線像変換パネル（ＩＰ）とも呼ばれているが、以下の説明では、蛍光体シートという。なお、このようなシステムとして、既に実用化されているものに、ＦＣＲ（Ｆuji Ｃomputed Ｒadiography：富士写真フイルム（株）商品名）が挙げられる。

このシステムにおいては、まず、蛍光体シート（の蛍光体膜）に人体等の被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、蛍光体シートをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して、輝尽発光光を放出させる。そして、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、写真感光材料等の記録材料あるいはＣＲＴ等の表示装置に可視像として出力する。なお、読み取りの終了した蛍光体シートは、残存する画像を消去して、繰り返し使用される。

上述の蛍光体シートは、通常、蓄積性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗布液を調製して、ガラスや樹脂等で形成されたシート状の支持体に塗布し、乾燥して、蛍光体膜を成膜することによって製造される。
これに対して、真空蒸着やスパッタリング等の物理蒸着法（気相成膜法）によって、支持体に蛍光体膜を成膜してなる蛍光体シートも知られている（例えば特許文献１）。

このように蒸着によって支持体上に成膜される蛍光体膜は、真空中で成膜されるため不純物が少なく、また、バインダ等の蓄積性蛍光体以外の成分が殆んど含まれないので、性能のばらつきが少なく、発光効率が良好である。この真空蒸着法は、真空容器内において、成膜材料を蒸発部で蒸発させて、基板表面に蛍光体膜を成膜するものである。

また、良好な輝尽発光特性を得るためには、蛍光体の結晶を成長させて十分な高さと良好な形状とを備えたコラム（柱状結晶）を形成するのが好ましく、そのためには通常よりも低い真空度で蒸着を行うのが好適であることが知られており、例えば、１〜１０Ｐａの比較的低い真空度で蒸着を行うことにより蛍光物質の針状結晶を析出させる方法が提案されている（例えば特許文献２）。
特開２００３−１７２７９９号公報 米国特許ＵＳ２００１／００１０８３１Ａ１号明細書

ところで、真空蒸着装置を用いて真空蒸着を行う場合、真空蒸着に先立って、前処理を行う必要がある。この前処理は真空蒸着装置内の蒸発部の坩堝内に成膜材料を収容し、所定の真空度まで減圧した状態で坩堝を加熱して成膜材料を溶融する処理である。この前処理は真空蒸着装置内の保持部に支持体などの被処理基体をセットした状態で行い、前処理のあと、そのまま蒸着処理へと移行する。この前処理時には坩堝から成膜材料の蒸気すなわち成膜材料の微粒子が蒸発して蒸発部から真空蒸着室（チャンバ）内に拡散する。そのため、通常は、遮蔽板とシャッターとを用いて真空蒸着室（チャンバ）を仕切り、シャッターを閉鎖して蒸発部から保持部周辺に成膜材料の粒子が拡散しない状態で、前処理を行う。

ここで前述のように低い真空度で蒸着を行う際には、真空蒸着室内にアルゴンなどの分子が浮遊しているため、蒸発部から蒸発した成膜材料はこれらの分子と衝突して蒸発部から遠く離れた位置まで到達することが阻まれる。その結果、蒸発部から蒸発した成膜材料が到達できる距離は短くなるため、基板Ｓの表面に成膜材料の厚い層を形成するためには蒸発部と基板との距離を高真空で蒸着する場合に比べて短くする必要がある。

ところが、低い真空度では、シャッターを閉じた状態で行う前処理時においても、蒸発部から蒸発した成膜材料が基板表面に付着しやすくなる。すなわち、真空容器内にアルゴンなどの分子が浮遊しているため、前処理時に蒸発部の坩堝から成膜材料が蒸発して拡散すると、蒸発部付近を浮遊しているアルゴンなどの分子と衝突し、ブラウン運動的に拡散して、蒸発部の上部を遮断しているシャッターの縁や裏面にまで回り込み、さらに一部の成膜材料は保持部周辺まで拡散して保持部に保持されている被処理基体の表面に付着する。被処理基体の表面に成膜材料が付着した状態で後続の蒸着処理を行うと、この被処理基体に付着した前処理時の付着物により、膜厚のばらつき、ＰＳＬ感度のばらつきが生じる。また、この表面に付着した成膜材料を核として蒸着層を構成する結晶が成長するため、ヒロックと呼ばれる異常結晶成長現象が発生したり、被処理基体の表面に対する蒸着層の接着強度が低下して蒸着層が剥離しやすくなり、蒸着層の品質が著しく低下するという問題がある。なお、特許文献１および２を含め、上記のような問題が存在することを開示している文献はない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、良好な蒸着層を形成することのできる真空蒸着装置、およびそのような真空蒸着を行うための前処理方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る真空蒸着装置は、真空蒸着室と、前記真空蒸着室内を真空引きする手段と、前記真空蒸着室内に設けられ、成膜材料を蒸発させる蒸発部と、前記蒸発部の上部に設けられ、被処理基体を保持する保持部と、圧力０．０５〜１０Ｐａでの真空蒸着に対応して、前記保持部が保持した被処理基体に蒸発粒子が付着することを防止する防止手段とを有することを特徴とする真空蒸着装置を提供する。

また、本発明に係る前処理方法は、真空蒸着室内において、成膜材料を加熱して溶融させる真空蒸着の前処理方法であって、０．０５〜１０Ｐａの圧力で、真空蒸着の被処理基体に蒸発粒子が付着することを防止する防止手段を用いて行うことを特徴とする真空蒸着の前処理方法を提供する。

このような本発明の真空蒸着装置および前処理方法において、前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）「Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ） （１）」(式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有するのが好ましい。
もしくは、前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（２）「ｄ≦Ｍ （２）」(式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す)を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得るのが好ましい。
もしくは、前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）「Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ） （１）」(式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有し、かつ、式（２）「ｄ≦Ｍ （２）」(式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す）を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得るのが好ましい。
この際において、遮断部材が、前記蒸発部と対面する板状部と、この板状部から下方に突出する壁部とを有するのが好ましく、また、前記蒸発部と前記被処理基体との間には、前記被処理基体の表面の法線方向にみたときに互いに重なるように設けられた二つ以上の遮断部材が設けられているのが好ましい。また、前記真空蒸着室内には、前記被処理基体の表面方向に設けられた（少なくともＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ₂を含む）二つ以上の蒸発部を有しており、前記遮断部材は、前記二つ以上の蒸発部のそれぞれについて設けられているのが好ましく、もしくは、前記蒸発部は（少なくともＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ₂）を含む二以上の蒸発源を有し、前記遮断部材は、前記二以上の蒸発源に対し、前記被処理基体の表面に平行な面の一面について一つ設けられているのが好ましい。

また、本発明の真空蒸着装置および前処理方法において、前記防止手段が、蒸発部が存在する空間と気密に分離された空間内に前記被処理基体を位置させる分離手段であるのが好ましい。
この際において、前記分離手段が、前記保持部に保持された被処理基体を気密に囲む覆いであるのが好ましく、もしくは、前記分離手段が、前記真空蒸着室と連通する退避室と、前記真空蒸着室と退避室との連通部を気密に閉塞する閉塞手段と、前記保持部と退避室との間で被処理基体を移動する移動手段とを有して構成されるのが好ましい。

また、本発明の真空蒸着装置および前処理方法において、前記防止手段が、前記被処理基体を蒸発部から離間させる手段であるのが好ましい。

さらに、このような本発明の真空蒸着装置および前処理方法において、前記蒸発部と前記保持部に保持される被処理基体とは１００〜３００ｍｍ離間しているのが好ましい。

本発明によれば、良好な蒸着層を成膜することのできる真空蒸着装置、およびそのような真空蒸着を行うための前処理方法が提供される。

以下、添付の図面に基づいて、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置（以下、単に装置ともいう）１０の概略構成を示す模式側面図である。本実施形態に係る装置１０は、被処理基体としてのシート状のガラス基板（以下、単に基板という）Ｓの表面に蓄積性蛍光体膜を二元の真空蒸着によって形成して、蛍光体シートを製造するものである。

本実施形態に係る装置１０は、基本的に、真空蒸着室としての真空チャンバ１２と、保持手段としての基板保持・回転機構１４と、蒸発部としての加熱蒸発部１６とを有して構成される、いわゆる基板回転型の真空蒸着装置である。また、後述するように、本実施形態に係る装置１０は、真空チャンバ１２内に、加熱蒸発部１６からの基板方向への輻射熱を遮蔽するための熱遮蔽板（図示省略）を備えていてもよい。

なお、本実施形態に係る装置１０は、これ以外にも、真空チャンバ１２内を排気して所定の真空度にするための図示されていない真空ポンプ（真空引きする手段）等を有しており、さらに、真空チャンバ１２内に後述するようなガスを導入するためのガス導入手段が接続されている。

本実施形態に係る装置１０は、一例として、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を成膜材料とする二元の真空蒸着を行って、ガラス基板Ｓ上にＣｓＢｒ：Ｅｕを蓄積性蛍光体とする蛍光体膜を成膜して、蛍光体シートを製造するものである。

なお、蓄積性蛍光体は、上述のＣｓＢｒ：Ｅｕには限定されず、各種のものが利用可能である。好ましくは、波長が４００〜９００ｎｍの範囲の励起光により、３００〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が利用される。

蛍光体膜を構成する輝尽性蛍光体としては、各種のものが利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ₂：Ｅｒ」、および、「Ｌａ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。

特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ₂Ｏ₃：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「Ｍ^IIＯ・ｘＳｉＯ₂：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^IIは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である）

特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である）

特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ_1-x，Ｍ²⁺ _x）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ²⁺は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である）

特開昭５７−１４８２８５号公報に開示される、下記のいずれかの輝尽性蛍光体。
すなわち、一般式「ｘＭ₃（ＰＯ₄）₂・ＮＸ₂：ｙＡ」または「Ｍ₃（ＰＯ₄）₂・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である）

一般式「ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ’₂：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ₃・ｍＡＸ’₂：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^-4＜ｘ＜３×１０^-1であり、１×１０^-4＜ｙ＜１×１０^-1であり、さらに、１×１０^-3＜ｎ／ｍ＜７×１０^-1である）

および、一般式「Ｍ^IＸ・ａＭ^IIＸ’₂ｂＭ^IIIＸ''₃：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^Iは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ^II、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、Ｍ^IIIは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０≦ｃ＜０．２である）

特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ_1-x，Ｍ^II _x）Ｆ₂・ａＢａＸ₂：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^IIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０^-6≦ｙ≦２×１０^-1であり、０＜ｚ≦１×１０^-2である）

特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「Ｍ^IIIＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^IIIは、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である）

特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ_1-xＭ_aＬ_aＦＸ：ｙＥｕ²⁺」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^-2≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である）

特開平５９−７５２００号公報に開示される、一般式「Ｍ^IIＦＸ・ａＭ^IＸ’・ｂＭ’^IIＸ''₂・ｃＭ^IIIＸ₃ｘＡ：ｙＥｕ²⁺」で示される輝尽性蛍光体。（上記式において、Ｍ^IIは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｍ^Iは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’^IIは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、Ｍ^IIIは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０^-2であり、０≦ｃ≦１×１０^-2であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０^-6であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である）

特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５７−１４８２８５号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、Ｍ^Iが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。

本発明においては、このような輝尽性蛍光体からなる蛍光体膜の成膜を真空蒸着で行う。
中でも、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着が好ましい。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体膜であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着が好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱でも、抵抗加熱でもよい。さらに、多元の真空蒸着を行う場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発してもよい。

なお、本実施形態に係る装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、１×１０^-5〜１×１０^-2Ｐａ程度の真空度とするのが好ましい。このとき、装置内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージョンポンプ（もしくは、ターボ分子ポンプ等）との組み合わせ等を用いることにより、７．０×１０^-3Ｐａ以下にすることが好ましい。次いで、真空引きしながら、Ａｒガス，Ｎｅガス，Ｎ₂ガス等の不活性ガスを導入して、０．０５〜１０Ｐａ程度、より好ましくは、０．５〜１．５Ｐａ程度の真空度とする。

上述の状態を維持しながら、Ａｒガス、Ｎｅガス、Ｎ₂ガス等の不活性ガスを導入して、０．０５〜１０Ｐａ程度、より好ましくは、０．５〜１．５Ｐａ程度の真空度とするという蒸着条件（いわゆる、中真空の条件）は、形成される蓄積性蛍光体のコラム（柱状構造）を整然とした形状にすることができ、結果として、形成される蓄積性蛍光体のＸ線特性、特に画像ムラ（ストラクチャー）を向上させることができる。

この画像ムラ（ストラクチャー）とは、（Ａ）真空蒸着により、蛍光体膜を基板表面に成膜した蛍光体シート（蒸着ＩＰ／放射線像変換パネル）を用いてＸ線撮影を行った場合のＸ線画像の撮像ムラ、および、（Ｂ）蛍光体シートの基板表面に成膜された蛍光体膜を構成する、蛍光体の結晶の柱状性、すなわち柱状構造の完全さ（具体的には、柱状形の結晶のアスペクト比の高さ、隙間の均一さ、ヒロックの有無）の程度を指す。

後述するように、これらのうち、本実施形態に係る真空蒸着装置では、特に撮像ムラが重要となる。この（Ａ）の撮像ムラとは、主に、蛍光体シートの基板表面に成膜される蛍光体膜の厚さの不均一さに起因するものであり、蛍光体シートの全面に均一な強度のＸ線を照射しても、得られるＸ線画像には淡くみえる部分と濃く見える部分が混在する現象である。撮像ムラの原因は、詳細には、Ｅｕ濃度の不均一性、基板表面に成膜された蛍光体膜の厚さの不均一性、および柱状性の三要素である。蛍光体膜が厚い部分では吸収するＸ線量が多く、Ｘ線画像上では淡くなり、蛍光体膜が薄い部分では吸収するＸ線量が少なく、Ｘ線画像上では濃くなる。前記条件で成膜することにより、特に画像ムラを向上させることができる。

また、蛍光体の結晶の柱状構造の完全さは、（ａ）各結晶のアスペクト比が高く（高アスペクト比）、（ｂ）隣り合う柱状の結晶と結晶との隙間が均一であり（隙間の均一性）、（ｃ）蛍光体膜を構成する蛍光体の結晶が基板表面に対して略垂直方向に成長しており、ヒロックが見られない状態（ヒロックの有無）の三要素を指標にして評価される。なお、多元の真空蒸着を行う際には、母体成分と付活剤成分の量比が目的範囲となるように、両材料の蒸発速度を制御する。
また、基板の加熱等によって、成膜中に、成膜された蛍光体膜を５０〜４００℃で加熱してもよい。
さらに、成膜する蛍光体膜の厚さにも、限定はないが、１０〜１０００μｍ、特に、２０〜８００μｍが好ましい。

真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。図示例において、真空チャンバ１２内には、上方に基板保持・回転機構１４が、また、下方に加熱蒸発部１６がそれぞれ配設される。なお、ここでは、加熱蒸発部１６が１組だけの場合を例示したが、加熱蒸発部１６は複数組設けてもよいことはいうまでもない。

また、前述のように、真空チャンバ１２には、真空引きする手段として、図示されていない真空ポンプが接続されている。真空ポンプにも特に制限はなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、油拡散ポンプ，クライオポンプ，ターボモレキュラーポンプ等を利用すればよく、また、補助として、クライオコイル等を併用してもよい。

基板保持・回転機構１４は、基板Ｓを保持して回転するものであり、回転駆動源（モータ）１８ａと係合する回転軸１８と、ターンテーブル２０とから構成される。ターンテーブル２０は、上側の本体２２と、下側（加熱蒸発部１６側）のシースヒータ２４とからなる円板で、その中心に、上記モータ１８ａと係合する回転軸１８が固定される。また、ターンテーブル２０は、加熱蒸発部１６、すなわち、成膜材料の蒸発位置において、下面（シースヒータ２４の下面）に基板Ｓを保持して、回転軸１８によって所定速度で回転される。シースヒータ２４は、成膜される基板Ｓを裏面（成膜面と逆の面）から加熱する。

なお、ここで用い得る、基板Ｓには特に限定はなく、蛍光体パネルで使用されている各種のものが利用可能である。一例として、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム；石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックス^TM等）などから形成されるガラス板；アルミニウムシート、鉄シート、銅シート、クロムシートなどの金属シートあるいは金属酸化物の被服層を有する金属シート；等が例示される。

真空チャンバ１２内の下方には、加熱蒸発部１６が配置されている。前述のように、図示例の装置１０は、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を成膜材料として用い、これらを個々に加熱蒸発させる二元の真空蒸着を行うものである。このため、加熱蒸発部１６は、ユーロピウム蒸発部（以下、Ｅｕ蒸発部という）３１ｂと、セシウム蒸発部（以下、Ｃｓ蒸発部という）３１ａとを蒸発部３１とを有している。また、蒸発部３１の上方には、シャッタ６４が配置される。

Ｅｕ蒸発部３１ｂは、抵抗加熱装置３４によって、蒸発位置（ルツボ）に収容した臭化ユーロピウム（付活剤材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
また、Ｃｓ蒸発部３１ａは、抵抗加熱装置３６によって、蒸発位置（ルツボ）に収容した臭化セシウム（母体結晶材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
本実施形態において、臭化ユーロピウムおよび臭化セシウムの蒸発手段は、特に限定はなく、蛍光体が大部分を占めるとともに、２００μｍを超える蛍光体膜の成膜に対して、十分な成膜速度を得られるものであれば、各種の加熱蒸発手段を利用することができる。また、図示は省略したが、各蒸発位置には、それぞれの材料を供給する材料供給手段が設けられている。

蛍光体シートの製造においては、付活剤は蛍光体に対して極めて微量であり、蛍光体膜の成分コントロールは重要である。このため、蛍光体の成膜材料と付活剤の成膜材料とで別々に蒸気を発生させて、両者を十分に混合した混合蒸気を生成し、この混合蒸気で基板Ｓに成膜を行うことが好ましい。そのためには、蛍光体材料と付活剤材料の蒸発位置を近接して配置するのが好ましく、両者の蒸発位置が近いほど、付活剤を均一に分散した、良質な蛍光体膜を成膜することができる。しかも、両蒸発位置が近いほど、２つの蒸気の混合領域を広くできるため、材料の利用効率も向上させることができる。

次に、本実施形態に係る真空蒸発装置１０の真空チャンバ１２内における、蒸発部３１と、基板Ｓと、遮断部材としてのシャッター６４との関係について説明する。図２は本実施形態に係る装置１０の真空チャンバ１２内のターンテーブル２０、基板Ｓ、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂの位置関係を示した概略縦断面図である。
遮断部材すなわちシャッタ６４は、中真空（０．０５〜１０Ｐａ）での真空蒸着に対応して基板Ｓに蒸発粒子が付着することを防止する防止手段として作用する。

図１、図２に示したように、真空チャンバ１２内の下部には、蒸発部３１すなわちＥｕ蒸発部３１ｂ、Ｃｓ蒸発部３１ａが設けられ、真空チャンバ１２の上部にはターンテーブル２０が設けられ、Ｅｕ蒸発部３１ｂ、Ｃｓ蒸発部３１ａとターンテーブル２０の間には、シャッター６４が設けられている。

ここで、本実施形態に係る真空蒸着装置１０では、蒸発部３１（すなわちＥｕ蒸発部３１ｂ、Ｃｓ蒸発部３１ａ）と基板Ｓとの距離Ｌ₁は１００〜３００ｍｍとするのが好ましい。蒸発部３１と基板Ｓとの距離Ｌ₁が１００ｍｍ未満となると、基板Ｓの表面に均一な蛍光体膜を成膜することが困難になるためであり、蒸発部３１と基板Ｓとの距離Ｌ₁が３００ｍｍを超えると、前記良好な蛍光体膜が得られる、いわゆる中真空下という条件の下では、真空チャンバ内に存在するアルゴン等の分子に阻まれて、蒸発部３１から蒸発した粒子が基板Ｓまで到達できず、蒸着膜を成膜できなくなるからである。

図２に示すように、真空蒸着装置１０では、ターンテーブル２０に保持された基板Ｓに対して蒸発部３１は図２中の下側の位置に設けられており、基板Ｓと蒸発部３１との距離Ｌ₁は１００〜３００ｍｍであり、シャッター６４はターンテーブル２０と蒸発部３１との間に設けられている。このシャッター６４は例えばステンレス鋼のような金属で構成された板状の部材であり、本実施形態に係るシャッター６４は円盤形状を有する。円盤形状以外のシャッター６４としては、例えば正方形や長方形等の形状のシャッターが例示される。このシャッター６４は後述する基板Ｓ表面方向の長さＷ、すなわち直径を備えている。

シャッタ６４の位置（シャッター６４と蒸発部３１との距離ｄ、もしくは、シャッタ６４と基板との距離ｄ）には、特に限定は無いが、中真空での真空蒸着を行う前に実施する前処理の圧力における成膜材料粒子の平均自由工程をＭとした際に、下記の式（２）
ｄ≦Ｍ （２）
を満たす距離とするのが好ましい。

具体的には、本実施形態に係る装置１０では、シャッター６４と蒸発部３１との距離ｄ₁はｄ₁＝１０ｍｍとなっている。蒸発部３１とシャッター６４との距離ｄ₁は３〜２００ｍｍであるのが好ましく、３〜１００ｍｍであるのがさらに好ましい。蒸発部３１とシャッター６４との距離が３ｍｍ未満となると、シャッター６４に蒸発粒子が付着してシャッター６４を開閉することができなくなるからである。また蒸発部３１とシャッター６４との距離が２００ｍｍを超えると、蒸発部３１から蒸発した粒子が基板Ｓに届かなくなるからである。

シャッター６４を設ける位置としては、蒸発部３１に近接した位置以外の位置として、基板Ｓに近接した位置であってもよい。具体的には、基板Ｓから圧力が前処理時の圧力、例えば０．１Ｐａにおける成膜材料粒子の平均自由行程以下の距離だけ離間した位置にシャッターを設けてもよい。この場合、基板Ｓとシャッター６４との具体的な距離は０．１〜１５ｍｍであるのが好ましい。基板Ｓとシャッター６４との距離が０．１ｍｍ未満になると、シャッター６４の開閉時に基板Ｓと接触して基板Ｓを損傷する可能性が高くなるからである。また基板Ｓとシャッター６４との距離が１５ｍｍを超えると、蒸発部３１から蒸発して移動してきた粒子がシャッター６４の裏面（基板Ｓと対向する面）側まで回り込み、基板Ｓの表面に付着する可能性が高くなるからである。

次に、シャッター６４の大きさ、具体的には基板Ｓ表面方向の長さについて説明する。ここで、シャッター６４の基板Ｓ表面方向の長さについては、次に説明する「見込み面」の長さが基準となるが、この見込み面のとり方が場合によって異なる。そのため（本実施形態に係る装置１０は蒸発部を二つ設けた二元の真空蒸着であるが）、説明を簡単にするために、最初に一元の真空蒸着すなわち蒸発部を一つだけ用いる場合を例にして説明し、そのあとで二元の真空蒸着の場合等の見込み面のとり方について説明する。図３は、蒸発部３１と、基板Ｓと、シャッター６４との上下方向および基板表面方向の位置関係と大きさの関係を示した図である。

本発明では、シャッター６４は、次式（１）で表される条件を満たす長さＷを基板Ｓの表面方向の長さとして有している。
Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ） （１）

「見込み面」とは、蒸発部３１（例えば、その中心位置）を頂点とし、基板Ｓの表面を底面とし、蒸発部３１と基板Ｓとの距離Ｌ₁を高さとする円錐形又は多角錐形の立体を、シャッター６４を設けた位置、すなわち上記立体の頂点から底面におろした垂線の方向に頂点から距離ｄ₁（蒸発部から遮断部材までの距離）だけ離間した点を通り、基板Ｓの表面に平行な平面で切断した断面をいう。
なお、基板Ｓが複数の場合には、全ての基板Ｓの表面を内包する最小面を設定し、これを基板の表面として見込み面を設定すればよい。

次に、二元の真空蒸着の場合の見込み面のとり方について説明する。本実施形態に係る装置では図１、図２に示したように、蒸発部が複数個、例えば二つの蒸発部が基板Ｓの表面と平行な面上に並べて設けられている。このような二元の蒸発部を配置する場合には、図４に示すように、二つの蒸発部３０１ａ、３０１ｂの位置と基板Ｓの中心の三点を通る紙面に平行な平面を考え、この平面上で、二つの蒸発部３０１ａ、３０１ｂの位置と基板Ｓの両端部とを結ぶ二本の直線の交点Ｃを求め、この交点Ｃを頂点とし、基板Ｓの表面を底面とする錐体を考える。そしてこの錐体を、シャッター６４ａを設けようとする位置を通り底面（基板Ｓの表面）に平行な平面で切断したときの切断面を見込み面とする。

なお、蒸着源が三個以上あったり、蒸着源が有意の面積（基板に対向する面の面積）を有していたり、あるいは線状である場合には、全ての蒸着源を包含する最小の円（以下、この円を「第１の円」という。）を考える。また、基板Ｓの運動し得る領域全体を包含する最小の円（以下、この円を「第２の円」という。）を考える。この状態で、側面が第１の円を通り、第２の円を底面とする錐体を考える。そしてこの錐体をシャッター６４を設ける位置を通り、錐体の底面（第２の円）に平行な平面で切断したときの断面を見込み面とする。

また、本実施形態では、二元の真空蒸着に対応する複数の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂ）に対応して、１つのシャッター６４を設けている。
このように、１つのシャッター６４で複数の蒸発部３１に対応する場合には、各蒸発部３１毎に見込み面を検出し、全ての蒸発部３１の見込み面を内包する最小の円、楕円、正方形、長方形等を設定して、これを見込み面としてもよい。例えば、図４に示すように、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂのそれぞれで見込み面を検出し、両見込み面を内包する最小の円や長方形等を設定し、これを見込み面としてもよい。
なお、円、楕円、正方向、長方形等の何れの形状を選択するかは、任意であるが、シャッタ６４のサイズの点では、見込み面の面積が小さくなるように形状を選択するのが有利である。

次にシャッター６４の基板Ｓ表面方向の長さを決めるもう一つの基準であるシャッター６４の遮断位置における基板Ｓの表面方向の遊び量ΔＸについて説明する。ΔＸはシャッター６４を遮断位置で停止させた状態における、基板Ｓの表面方向（図１の左右の方向）のシャッター６４の遊び量を表す。この「遊び量」とは、シャッター６４を遮断位置、すなわち蒸発部３１の上部で蒸発部３１を覆う位置まで移動して、蒸発部３１の開口部を遮断する遮断位置に停止させたときの基板Ｓの表面方向の機械的な余裕、すなわち「遊び」の大きさをいい、シャッター６４を遮断した状態でのシャッター６４の外縁がとり得る位置の基板Ｓの表面方向の範囲をいう。例えば、真空蒸着装置１０内のある定点、例えば蒸発部３１の位置を基準としてシャッター６４の位置を測定し、シャッター６４を遮断位置と非遮断位置との間で所定回数繰り返し移動させたときの遮断位置が基板Ｓの表面方向で±１ｍｍの範囲で変動する場合、基板Ｓの表面方向の遊び量ΔＸ＝１ｍｍとなる。

この「遊び」の方向は、蒸発部からの蒸発粒子が流動する方向と略直交する方向であり、具体的には基板Ｓの表面方向（図１の左右方向）である。また、シャッター６４の遊びは、シャッター６４の移動方向の遊びはもちろんのこと、移動方向以外の遊びを含めてもよい。

上記のようにして求めた、見込み面の長さと、シャッター６４の遮断位置における基板Ｓの表面方向の遊び量ΔＸとの和を１．２倍した値がシャッター６４の長さの最小値となり、これ以上の長さＷをシャッター６４が備えていることが必要となる。すなわち、シャッタの長さＷが、式（１）「Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ」を満たす。
例えば、シャッター６４が円形の場合には、見込み面ｆを内包する最小の円を設定し、この円の直径ｒに遊びΔＸを加算(r+ΔX)し、加算値に１．２を乗じた直((r+ΔX)×1.2)を得、この値以上の直径を有する円形のシャッター６４とすればよい（図３（Ｂ）参照）。
シャッタ−６４が楕円である場合には、見込み面を内包する最小の楕円を設定し、この楕円の長軸に遊びΔＸを加算し、加算値に１．２を乗じた値を得、この値以上の長軸、および、同楕円の短軸に遊びΔＸを加算し、加算値に１．２を乗じた値を得、この値以上の短軸を有する楕円形のシャッター６４とすればよい。
シャッター６４が正方形である場合には、見込み面を内包する最小の正方形を設定し、この正方形の一辺に遊びΔＸを加算し、加算値に１．２を乗じた値を得、この値以上の辺の長さを有する正方形のシャッター６４とすればよい。
さらに、シャッター６４が長方形である場合には、見込み面を内包する最小の長方形を設定し、この長方形の長手辺に遊びΔＸを加算し、加算値に１．２を乗じた値を得、この値以上の長手辺、および、同長方形の短手辺に遊びΔＸを加算し、加算値に１．２を乗じた値を得、この値以上の短手辺を有する長方形のシャッター６４とすればよい。
なお、前述のように、１つのシャッター６４で複数の蒸発部３１に対応する場合には、各蒸発部毎の見込み面を検出し、全ての蒸発部の見込み面を内包する最小の円や長方形を見込み面とすればよいのは、前述のとおりである。

あるいは、見込み面の最大長さＬmaxを検出して、この最大長さＬmaxに遊び量ΔＸを加算して、この加算値に１．２を乗じた値Ｗmaxを得、全域を値Ｗmax以上の長さＷとしたシャッター６４を備えてもよい。
すなわち、この際には、円形のシャッター６４であれば、直径ＷをＷmax以上とし、正方形のシャッター６４の場合には、一辺の長さＷをＷmax以上とし、長方形のシャッター６４の場合には、シャッター６４の短辺の長さＷをＷmax以上とする。

真空蒸着の成膜に先立って成膜材料を溶融する前処理は、一般的に、成膜条件と同様あるいはそれに近い条件で行う。
通常の真空度での真空蒸着の場合には、蒸発粒子は上方に上がるため、前記見込み面と同サイズ（あるいはさらに遊び量ΔＸ）に対応して、シャッターのサイズを決定すれば、前処理時に生じる蒸発粒子は、シャッターで遮断することができる。
ところが、前述のように、本発明のような中真空（０．０５〜１０Ｐａ）の状態では、成膜系内にアルゴン等の粒子が浮遊した状態となっているため、基板Ｓと蒸発部３１との距離を近接する必要があり、しかも、蒸発粒子がこれらの粒子と衝突して、ブラウン運動的に拡散する。そのため、見込み面に応じてシャッタのサイズを決定したのでは、前処理時に蒸発粒子がシャッタを回り込み、この蒸発粒子が基板Ｓに至って付着してしまう。

これに対し本態様においては、遮断位置における見込み面の大きさとシャッター６４の遮断位置における基板Ｓの表面方向の遊び量ΔＸとの和に対して数値１．２を掛けた値を以上をシャッター６４の大きさとすることにより、このような中真空での真空蒸着に対応して、前処理時において蒸発部３１から蒸発粒子が流動して拡散しうる範囲の面積よりも幾分大きめのシャッター６４を設けることにより蒸発粒子のシャッター６４の裏面側への回り込みと、それによる基板Ｓの蒸発粒子の付着を防止している。
従って、真空蒸着装置１０の容積を大きく取れるなら、すなわち、大きなシャッターを開閉する際に障害となるものがないのなら、数値１．２以上の数値を選んだ方がよい。実際、装置容積を大きくすると、排気装置の容量も大きくなり、コストアップ、蒸着スループットが悪くなることから、この数値の好ましい範囲は１．２〜３．０の範囲である。

また、シャッター６４は蒸発部３１と基板Ｓとの間に複数設けてもよい。例えば、本発明の第１の変形例を示す図５に示したように、蒸発部３１と基板Ｓの間に、基板Ｓの表面に平行に複数のシャッター６４ｂ、６４ｃおよび６４ｄを設け、基板Ｓの表面の法線方向から見たときに重なるような位置に設けてもよい。なお、この場合には複数のシャッター６４ｂ、６４ｃおよび６４ｄのそれぞれについて、上述した式（１）および／または式（２）の条件を満たしていることが求められる。また、後述するように、一つのシャッター６４ｂは蒸発部３１に近接した位置に設け、もう一つのシャッター６４ｃは基板Ｓに近接した位置に設けるというように、二つのシャッター６４ｂおよび６４ｃを設けることが特に有効であり、好ましい。

上記は、複数の蒸発部を基板Ｓと平行な面上に並べて配置する場合に、基板表面に平行な面の一面について一つずつシャッターを設けた例であるが、別の態様として、複数の蒸発部のそれぞれについてシャッターを設けてもよい。例えば、本発明の第２の変形例を示す図６に示したように、基板Ｓの図中下側に基板Ｓの表面に平行な方向に二つの蒸発部３１ｃおよび３１ｄを設け、蒸発部３１ｃおよび３１ｄのそれぞれについてシャッター６４ｅ、６４ｆを設けることができる。この場合、複数のシャッター６４ｅ、６４ｆのそれぞれについて、上述した式（１）および／または式（２）の条件を満たしていることが求められる。さらに、蒸発源近傍においてはそれぞれを遮蔽するようにシャッターを一つずつ設けるとともに、基板近傍においては基板Ｓ全体を覆うような単一のシャッターを設けるということとしてもよい。この場合も、複数のシャッターのそれぞれについて上述した式（１）および／または式（２）の条件を満たしていることが求められる。

次に、本実施形態に係る真空蒸着装置１０を用いて蛍光体膜を成膜する場合を例にして、蛍光体膜を成膜する前に行う前処理の方法について、より詳細に説明する。前述のように、本実施形態に係る真空蒸着装置１０は、ガスを導入し、抵抗加熱により二元の真空蒸着を行うものである。この真空蒸着装置１０を用いて蛍光体シートを製造するには、蛍光体膜の成膜の前に前処理を行い、その後、引き続いて蛍光体膜の成膜処理を行う。
本実施形態に係る前処理を行うには、まず、基板Ｓをターンテーブル２０の下面の所定位置に成膜面を下方に向けて装着し、次いで、真空チャンバ１２を閉塞して減圧し、シースヒータ２４を用いて基板Ｓを裏面から加熱する。

真空蒸着装置１０の系内の真空度が所定値になった時点でシャッター６４を閉じた状態、すなわち遮断位置に停止させて、真空チャンバ１２にＡｒガス等の不活性ガスを導入し、真空蒸着装置１０の内部を所定の中真空度（例えば、０．１Ｐａ程度）にする。真空チャンバ１２内が所定の真空度になったら、加熱蒸発部１６において、Ｅｕ蒸発部３１ｂの抵抗加熱装置３４を作動させて蒸発位置（ルツボ）に収容された臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を加熱／溶融し、かつ、同様に、Ｃｓ蒸発部３１ａの抵抗加熱装置３６を作動させて蒸発位置の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を加熱／溶融する。

抵抗加熱による蒸着の場合には、このように、抵抗加熱装置に電流を流すことによって蒸発部を加熱する。蒸発部である蓄積性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は、加熱されて溶融する。このようにして蒸発部が溶融して前処理が終わったら、次に、回転駆動原１８によってターンテーブル２０を所定速度で回転させる。すなわち、基板Ｓを所定の速度で回転させつつ、加熱蒸発部１６において、蛍光体膜の成膜を開始する。

より具体的には、加熱蒸発部１６において、図１に点線で示すようにシャッター６４を開放し、Ｅｕ蒸発部３１ｂの抵抗加熱装置３４による加熱で蒸発位置（ルツボ）に収容された臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）を蒸発させ、かつ、同様に、Ｃｓ蒸発部３１ａの抵抗加熱装置３６を駆動して蒸発位置の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を蒸発させて、ガラス基板ＳへのＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸着、すなわち目的とする蛍光体膜の成膜を開始する。
なお、シャッター６４の開放は、各種の真空蒸着装置で利用される公知の方法を利用すれば良い。

蒸発部である蓄積性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は、加熱されて蒸発・飛散する。そして、両者は、反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板Ｓ表面に堆積する。なお、本実施形態のように、不活性ガスを導入して蒸着を行う場合には、抵抗加熱装置の使用が好ましい。

なお、前述のように、Ｅｕ蒸発部３１ｂとＣｓ蒸発部３１ａとは近接して配置されているため、加熱蒸発部１６近傍では、極微量な臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）の蒸気が均一に分散された両成膜材料の混合蒸気が形成され、この混合蒸気によって、付活剤が均一に分散されたＣｓＢｒ：Ｅｕが蒸着される。

所定膜厚の成膜を終了したら、ターンテーブル２０の回転を停止させ、真空チャンバ１２の真空状態を開放して、蛍光体膜の成膜を終了した基板Ｓを取り出す。連続的に成膜を行う場合には、以降、上と同様にして、新たな基板Ｓを装填して、前処理を行った後に成膜を行えばよい。

以上の例では、平面板状のシャッター６４を用いているが、本発明はこれに限定はされず、図７（Ａ）に示すように、平面板７０ａと、この平面板７０ａから下方（通常は、平面板７０ａに対して垂直方向）に突出して、自身の内側を囲むように設けられた壁部７０ｂを有するシャッター７０も好適である。
なお、このシャッター７０では、図７（Ａ）に模式的に示すように、壁部７０ｂの下端部の位置を見込み面の位置（仮想的なシャッタ面）とし、下端部の間隔（距離）が前記式（１）を満たす長さＷとなればよい。

このような壁部７０ｂを有するシャッター７０によれば、成膜材料の蒸発粒子が水平方向に拡散することも防止できるので、より好適に、前処理時における蒸発粒子のシャッター裏面への回り込みや、それによる基板Ｓへの付着を防止できる。
また、前述のように、壁部７０ｂの下端部を見込み面の位置とできるので、前記平板状のシャッタ６４に比して、実際に蒸発粒子を遮蔽する平面板７０ａ（天井面）の位置を高くでき、シャッター７０への蒸着粒子の付着も低減できる。しかも、壁部７０ｂの下端部を見込み面の位置として、長さＷを設定できるので、平面板７０ａの位置を考えると、前記平板状のシャッタ６４に比して、平面板７０ａの面積を小型化でき、シャッター７０自身の小型化や移動方向／方法等の設計自由度の向上等を図れる。

壁部７０ｂの高さには、特に限定はない。壁部７０ｂを高くする程、前記効果（表面方向のサイズ低減やシャッター７０への蒸着粒子の付着防止）も大きくなる半面、逆に、シャッターの高さ方向のサイズに起因する制約が大きくなるので、装置構成や大きさ等に応じて、適宜、決定すればよい。

このように平面板７０ａから下方に突出する壁部７０ｂを有するシャッター７０を用いる場合には、平面板７０ａと壁部７０ｂとを一体として、全体を移動することで、閉塞状態から開放状態とする構成が例示される。
あるいは、図７（Ｂ）に示すように、平面板７０ａと壁部７０ｂとを別体で構成して、平面板７０ａを基板Ｓの表面方向に移動し、壁部７０ｂを下方に移動することで、閉塞状態から開放状態とする構成も、好適である。

また、平面板７０ａから下方に突出する壁部７０ｂを有するシャッター７０を用いる場合には、図７（Ｃ）に示すように、閉塞時に壁部７０ｂの下端部を蒸発位置よりも下方に位置して、蒸発部３１を完全に覆ってしまうようにしてもよい。なお、この際には、壁部７０ｂの下端部が蒸発位置よりも下方になるので、見込み面の最大長さは０になる。
図７（Ｂ）に示す、平面板７０ａと壁部７０ｂとを別体にする構成は、この際におけるシャッター７０による蒸発部３１の閉塞／開放の動作を簡易に行うことができる。

以上の例では、中真空の真空蒸着に対応する、基板Ｓへの蒸発粒子の付着を防止する防止手段として、シャッター（遮蔽部材）を用いているが、本発明の別の態様では、防止手段として、蒸発部３１が存在する空間と、気密に分離された空間に基板Ｓを位置させる封止手段を用いる。
このように、基板Ｓを蒸発部３１とは別空間に位置して前処理を行うことにより、前処理時における基板Ｓへの蒸発粒子の付着を防止できる。

一例として、図８（Ａ）に示すように、前処理時に、シースヒータ２４に開放面を当接して、基板Ｓを気密に囲む、筐体状の覆い部材７４を封止手段として用いる方法が例示される。あるいは、基板保持・回転機構１４を含んで、真空チャンバ１２の内壁に当接して、基板Ｓを気密に囲む覆い部材でもよい。
閉塞／開放のための覆い部材７４の移動手段には、特に、限定はなく、公知の手段が各種利用可能である。

別の例として、図８（Ｂ）に示すように、真空チャンバ１２に連通するサブチャンバ７６と、真空チャンバ１２とサブチャンバ７６との連通部を気密に閉塞／開放するシャッター７８とを設けて、封止手段を構成する方法も、利用可能である。この際には、前処理時には基板Ｓをサブチャンバ７６内に保持してシャッター７８を閉塞し、前処理を終了して成膜を開始する際に、シャッター７８を開放して、基板Ｓをサブチャンバ７６から移動して、基板保持・回転機構１４（シースヒータ２４の表面）に取り付け、シャッター７８を閉塞する。
なお、基板Ｓの移動および基板保持・回転機構１４への保持は、公知のシート状物の移動方法および保持方法によって行えばよい。

さらに、本発明の別の態様においては、中真空の真空蒸着に対応する、基板Ｓへの蒸発粒子の付着を防止する防止手段として、基板Ｓを蒸発部３１から離間する手段を用いる。
このように、基板Ｓと蒸発部３１とを離間して前処理を行うことによっても、前処理時における基板Ｓへの蒸発粒子の付着を防止できる。

一例として、真空チャンバ１２の天井を高くすると共に、回転軸１８を上下方向に移動可能に構成して、回転軸１８を上方に移動してターンーテーブル２０を上方に移動することにより、基板Ｓを蒸発部３１に対して離間する方法が例示される。あるいは、公知のシート状物の移動方法を利用して、基板表面方向（水平方向）に基板Ｓを移動することにより、基板Ｓを蒸発部３１に対して離間してもよい。
この際において、離間させる際の基板Ｓと蒸発部３１との距離は、成膜条件（前処理の条件）に応じて、適宜、決定すればよいが、一例として、１ｍ程度とすればよい。

以上の例は、いずれも、基板回転型の真空蒸着装置であるが、本発明は、これに限定はされず、図９に上面図を概念的に示す装置のように、基板Ｓを直線搬送しつつ真空蒸着を行う装置であってもよい。
なお、この際には、基板Ｓの搬送は、一方向のみ（ワンパス）でもよいが、十分な膜厚を有し、かつ、膜厚が均一な蛍光体膜を形成するために、基板を直線状に、複数回、往復搬送するのが好ましい。なお、基板の直線搬送や往復搬送は、公知のシート状物の保持および搬送方法を利用すればよい。

また、このように基板Ｓを直線搬送する場合には、蒸発部３１（Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発源３１ｂ）は、１つでもよい。しかしながら、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に複数（図示例では、各６つ）の蒸発部３１を配列するのが好ましい。このように、蒸発部３１を基板搬送方向と直交する方向に配列し、基板Ｓを往復搬送しつつ真空蒸着を行うことにより、より膜厚が均一な蛍光体膜を形成することができる。

図９に示す例では、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂの列を、それぞれ１列ずつのみ有する。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、蒸着量の少ないＥｕ蒸発部３１ｂの列は１列で、Ｃｓ蒸発部３１ａの列は２列としてもよく、あるいは、共に複数の蒸発部３１の列を有してもよい。また、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂで、共に、複数の蒸発部３１の列を有する場合には、各蒸発部３１の列の数は、同数でも互いに異なる数でもよい。

このように、多数の蒸発部３１を配列し、あるいはさらに、この列を複数有する場合であっても、前記シャッタ−６４の長さＷは、先と同様の方法で決定すればよい。また、１つのシャッター６４で複数の蒸発部３１に対応する場合には、各蒸発部毎の見込み面を検出し、全ての蒸発部の見込み面を内包する最小の円や長方形を、このシャッター６４に対する見込み面とすればよいのは、前述のとおりである。
ここで、このように基板Ｓを直線搬送する場合には、見込み面は、前処理時における基板Ｓの位置に対して設定すればよい。例えば、前処理時における基板Ｓの位置が図９中に実線で示される位置であれば、この位置と各蒸発部３１とに対応して見込み面を設定して、先と同様にして長さＷを設定し、これを満たすシャッタをー６４を設ければよい。

以下、実施例をあげてより具体的に説明する。
〔実施例〕
ここでは、一元の真空蒸着、すなわち図３に示したように、一つの蒸発部３１を使用し、成膜材料の蒸発条件は一定としておき、シャッター６４の大きさと位置とを種々の段階に変更して、成膜された蛍光体膜（膜）の接着強度および画像特性（ストラクチャーの程度）について比較した。

蒸発部：
蒸発部として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ₂）粉末を用意した。各粉末中の微量元素のＩＣＰ‐ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析‐質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ_x中のＥｕ以外の希土類元素は、夫々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。蒸発部はターンテーブル２０の回転軸１８の真下に配置した。

シャッター：
シャッターの径を変えた実験（実験１）では、シャッター径が約２０ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲の五種類の大きさの金属製のシャッターを使用し、これらのシャッターを蒸発部の開口部の真上の位置にセットして蛍光体膜の成膜を行った。蒸発部からシャッターまでの距離は１０ｍｍにして実験を行った。
また、シャッターの位置を変えた実験（実験２）では、シャッターとして直径２５ｍｍの金属製のシャッターを使用し、このシャッターを蒸発部の開口部の真上の位置にセットして蛍光体膜の成膜を行った。蒸発部からシャッターまでの距離は、蒸発部の近傍、蒸発部から約５０ｍｍの位置、同約７５ｍｍの位置、同約１００ｍｍの位置、および基板Ｓ近傍の位置の七箇所で変化させて実験を行った。

蛍光体膜の成膜：
支持体として、順にアルカリ洗浄，純水洗浄およびＩＰＡ（イソプロピリアルコール）洗浄を施した合成石英基板Ｓを用意し、蒸着装置内の基板Ｓホルダーに装着した。成膜材料としてのＣｓＢｒ，ＥｕＢｒ₂前述の実施形態に示した蒸発部に充填し、装置内を１×１０^-3Ｐａの真空度とした。その後、装置内にＡｒガスを導入して、１．０Ｐａの真空度にした。蒸着を行う前にシャッター６４を遮断位置に停止させて蒸発部の開口部を閉鎖した状態で抵抗加熱装置３４を作動させて蒸発位置（ルツボ）に収容された蒸発部を溶融させて前処理を行った。次いで、基板Ｓをシースヒータにより１００℃に加熱して蒸着を行った。基板Ｓと各蒸発部との間の距離を１５０ｍｍに保持して、基板Ｓ上に５μｍ／分の速度でＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。この際、各加熱器への電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるよう制御している。

また、上述の、シャッターの使用態様としては、径の異なる５種類のシャッターを使用して測定する実験（実験１）を行い、蒸発部からシャッターまでの距離を変化させて測定する実験（実験２）を行った。これら２つの実験についての測定結果を比較した。結果は図１０および図１１に示す通りである。

図１０は蒸発部からシャッターまでの距離と基板Ｓ表面に蒸着して成膜された蛍光体膜の特性との関係を示したグラフであり、横軸に蒸発部からシャッターまでの距離をプロットし、縦軸に蛍光体膜の特性の指標となる相対値をプロットしたグラフである。

また、図１１はシャッターの大きさ（直径）と基板Ｓ表面に蒸着した蛍光体膜の特性との関係を示したグラフであり、横軸にシャッターの大きさ（直径）をプロットし、縦軸に蛍光体膜の特性の指標となる相対値をプロットしたグラフである。

図１０および図１１のグラフの縦軸に示した相対値は、接着強度については、基板Ｓの表面に成膜した蛍光体膜に接着強度の異なる４種類のテープを貼り付けて、テープを剥がしたときに蛍光体膜が剥離するか否かで判定した結果であり、相対値の数字は蛍光体膜が剥離したときのテープの接着強度を示す。また、相対値が０とは、テープを貼り付ける前に既に蛍光体膜が剥離していることを示す。従って相対値が大きいほど蛍光体膜の接着強度が高いことを示している。

また、図１０および図１１のグラフ上に示した点のうち、ストラクチャーについては、縦軸の相対値は、基板Ｓの表面に蛍光体膜を成膜して得た放射線画像変換パネルを用いてＸ線画像を記録したときの画像ムラの程度を示しており、相対値が小さいほど画像ムラが高く、相対値が大きいほど画像ムラが小さく、高画質であることを示している。なお、相対値と画像ムラの程度との関係を以下に示す。

相対値 画質の程度
４ … 画像観察上視認し得る画像ムラがない。
３ … 画像観察上許容できる画像ムラが見られる。
２ … 画像観察上許容できない画像ムラが見られる。
１ … 画像観察上全く許容できない画像ムラを呈している。

図１１に示したグラフが示すように、シャッター直径が２０ｍｍから３０ｍｍになると相対値が急上昇する。すなわち接着強度、ストラクチャー共に急上昇している。一方、シャッター直径が３０ｍｍから４０ｍｍになると相対値の上昇が鈍化する。すなわち接着強度、ストラクチャー共に上昇が鈍化してほぼ一定の値を示す。以上の結果から、本実施例の条件下では、シャッター直径の最適値は３０ｍｍ付近にあると考えられる。

また、図１０に示したグラフが示すように、蒸発部からシャッターまでの距離は、０〜５０ｍｍの範囲では、距離が短いほど相対値が高くなる。また、蒸発部からシャッターまでの距離が１００〜１５０ｍｍの範囲では、蒸発部からシャッターまでの距離が長いほど相対値が高くなる。すなわち、シャッターから基板Ｓまでの距離が短いほど相対値が高くなる。以上の結果から、シャッターが蒸発部に近接した位置か、あるいは基板Ｓに近接した位置にあるときに相対値、すなわち蛍光体膜の特性が向上することが分かる。また、図７に示したグラフの結果は、シャッターを蒸発部に近接した位置、および、基板Ｓに近接した位置の二箇所に設けることにより蛍光体膜の特性が向上することを示している。

本実施形態に係る真空蒸着装置１０によれば、所定の大きさ、すなわち、上記式（１）の関係を満たす大きさを備えたシャッター６４を、所定の位置、すなわち、蒸発部３１から圧力が前処理時の圧力のときの成膜材料粒子の平均自由行程以下の距離だけ離間した位置に設けてあるので、前処理時において蒸発部からの成膜材料の粒子が移動してシャッター６４の裏面（基板Ｓと対向する側の面）側にまで回り込むことがなくなる。その結果、前処理による基板Ｓの表面への成膜材料の粒子の付着が未然に防止され、ひいては、Ｘ線特性が均一、かつ良好な蛍光体シートを製造することができるという効果が得られる。

本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置（装置）の概略構成を示す模式側面図である。 一実施形態に係る装置における、ターンテーブル、基板、および蒸発部の位置関係を示した概略縦断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、一実施形態に係る装置における、蒸発部と、基板と、シャッターとの上下および基板表面方向の位置関係と大きさの関係を示した図である。 一実施形態に係る装置における、蒸発部と、基板と、シャッターとの上下方向の位置関係と大きさの関係を示した図である。 本発明の第１の変形例を示す縦断面図である。 本発明の第２の変形例を示す縦断面図である。 （Ａ），（Ｂ）および（Ｃ）は、本発明の別の態様のシャッターの縦断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、本発明の別の態様の一実施形態に係る真空蒸着装置の概略構成を示す模式的側面図である。 本発明の別の態様の一実施形態に係る真空蒸着装置の概略構成を示す模式的上面図である。 蒸発部からシャッターまでの距離と基板表面に蒸着した蛍光体膜の特性との関係を示したグラフである。 シャッターの大きさ（直径）と基板の表面に蒸着して形成された蛍光体膜の特性との関係を示したグラフである。

符号の説明

１０ 真空蒸着装置
１２ 真空チャンバ
１４ 基板保持・回転機構
１６ 加熱蒸発部
１８ 回転軸
１８ａ 回転駆動原
２０ ターンテーブル
２２ 本体
２４ シースヒータ
３１ 蒸発部
３１ａ セシウム蒸発部
３１ｂ ユーロピウム蒸発部
３４，３６ 抵抗加熱装置
６４，７０，７８ シャッター
７４ 覆い部材
７６ サブチャンバ
Ｓ 基板

Claims (26)

1. 真空蒸着室と、
   前記真空蒸着室内を真空引きする手段と、
   前記真空蒸着室内に設けられ、成膜材料を蒸発させる蒸発部と、
   前記蒸発部の上部に設けられ、被処理基体を保持する保持部と、
   圧力０．０５〜１０Ｐａでの真空蒸着に対応して、前記保持部が保持した被処理基体に蒸発粒子が付着することを防止する防止手段とを有することを特徴とする真空蒸着装置。
2. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）
   Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ） （１）
   (式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）
   を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有する請求項１に記載の真空蒸着装置。
3. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（２）
   ｄ≦Ｍ （２）
   (式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す）
   を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得る請求項１に記載の真空蒸着装置。
4. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）
   Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ） （１）
   (式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）
   を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有し、かつ、式（２）
   ｄ≦Ｍ （２）
   (式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す）
   を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得る請求項１に記載の真空蒸着装置。
5. 遮断部材が、前記蒸発部と対面する板状部と、この板状部から下方に突出する壁部とを有する請求項２〜４のいずれかに記載の真空蒸着装置。
6. 前記蒸発部と前記被処理基体との間には、前記被処理基体の表面の法線方向にみたときに互いに重なるように設けられた二つ以上の遮断部材が設けられている請求項２〜５のいずれかに記載の真空蒸着装置。
7. 前記真空蒸着室内には、前記被処理基体の表面方向に設けられた二つ以上の蒸発部を有しており、前記遮断部材は、前記二つ以上の蒸発部のそれぞれについて設けられている請求項２〜６のいずれかに記載の真空蒸着装置。
8. 前記蒸発部は二以上の蒸発源を有し、前記遮断部材は、前記二以上の蒸発源に対し、前記被処理基体の表面に平行な面の一面について一つ設けられている請求項２〜６のいずれかに記載の真空蒸着装置。
9. 前記防止手段が、蒸発部が存在する空間と気密に分離された空間内に前記被処理基体を位置させる分離手段である請求項１に記載の真空蒸着装置。
10. 前記分離手段が、前記保持部に保持された被処理基体を気密に囲む覆いである請求項９に記載の真空蒸着装置。
11. 前記分離手段が、前記真空蒸着室と連通する退避室と、前記真空蒸着室と退避室との連通部を気密に閉塞する閉塞手段と、前記保持部と退避室との間で被処理基体を移動する移動手段とを有して構成される請求項９に記載の真空蒸着装置。
12. 前記防止手段が、前記被処理基体を蒸発部から離間させる手段である請求項１に記載の真空蒸着装置。
13. 前記蒸発部と前記保持部に保持される被処理基体とは１００〜３００ｍｍ離間している請求項１〜１２のいずれかに記載の真空蒸着装置。
14. 真空蒸着室内において、成膜材料を加熱して溶融させる真空蒸着の前処理方法であって、０．０５〜１０Ｐａの圧力で、真空蒸着の被処理基体に蒸発粒子が付着することを防止する防止手段を用いて行うことを特徴とする真空蒸着の前処理方法。
15. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）
    Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ）（１）
    (式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）
    を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有する請求項１４に記載の前処理補方法。
16. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（２）
    ｄ≦Ｍ （２）
    (式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す）
    を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得る請求項１４に記載の前処理方法。
17. 前記防止手段が、前記蒸発部と前記保持部との間に、前記蒸発部の上部を開放する開放位置と前記蒸発部の上部を遮断する遮断位置との間を移動可能に設けられ、前記遮断位置において停止して前記蒸発部から前記被処理基体に流動する前記成膜材料の流れを遮断する遮断部材であって、かつ、この遮断部材は、式（１）
    Ｗ≧１．２×（見込み面の長さ＋ΔＸ）（１）
    (式中、見込み面は、前記被処理基体の表面を底面とし、前記蒸発部と前記被処理基体との距離を高さとする錐体を、前記遮断部材を設けた位置を通り、前記底面に平行な平面で切断した断面を表し、ΔＸは前記遮断部材の前記遮断位置における前記被処理基体の表面方向の遊び量を表す）
    を満たす前記被処理基体の表面方向の長さＷを有し、さらに式（２）
    ｄ≦Ｍ （２）
    (式中、Ｍは、前記条件の真空蒸着における前処理時の圧力での成膜材料粒子の平均自由行程を表す）
    を満たす距離ｄだけ前記蒸発部または前記被処理基体から離間した位置に可変的に設けられ得る請求項１４に記載の前処理方法。
18. 遮断部材が、前記蒸発部と対面する板状部と、この板状部から下方に突出する壁部とを有する請求項１５〜１７のいずれかに記載の前処理方法。
19. 前記蒸発部と前記被処理基体との間には、前記被処理基体の表面の法線方向にみたときに互いに重なるように設けられた二つ以上の遮断部材が設けられている請求項１５〜１８のいずれかに記載の前処理方法。
20. 前記真空蒸着室内には、前記被処理基体の表面に平行な所定の平面内にそれぞれ設けられ、少なくともＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ₂を含む、二つ以上の蒸発部を有しており、前記遮断部材は、前記二つ以上の蒸発部のそれぞれについて設けられていることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれかに記載の前処理方法。
21. 前記蒸発部は、少なくともＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ₂を含む、二つ以上の蒸発部であり、前記遮断部材は、前記二つ以上の蒸発部に対し、前記被処理基体の表面に平行な面の一面について一つ設けられていることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれかに記載の前処理方法。
22. 前記防止手段が、蒸発部が存在する空間と気密に分離された空間内に前記被処理基体を位置させる分離手段である請求項１４に記載の前処理方法。
23. 前記分離手段が、前記保持部に保持された被処理基体を気密に囲む覆いである請求項２２に記載の前処理方法。
24. 前記分離手段が、前記真空蒸着室と連通する退避室と、前記真空蒸着室と退避室との連通部を気密に閉塞する閉塞手段と、前記保持部と退避室との間で被処理基体を移動する移動手段とを有して構成される請求項２２に記載の前処理方法。
25. 前記防止手段が、前記被処理基体を蒸発部から離間させる手段である請求項１４に記載の前処理方法。
26. 前記蒸発部と前記保持部に保持される被処理基体とは１００〜３００ｍｍ離間している請求項１４〜２５のいずれかに記載の前処理方法。

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