JP2008014853A - 放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光体層の表面に突起もしくはこれに起因する凹部が発生した場合に、これが原因で、画像上に現れる点欠陥のような画質低下を防止可能とした放射線像変換パネル、およびこのような高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成して製造される放射線像変換パネルであって、前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部が補修処理されていることを特徴とする放射線像変換パネル、並びにその製造方法。なお、上記補修処理は、蒸着終了後（熱処理工程の前に）、最初に蛍光体層表面の清浄化を行う前に行うことが好ましい。
【選択図】図５

Description

本発明は、コンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ）等で放射線画像の記録（撮影）を行う際に用いられる放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法に関し、特に、柱状結晶からなる蛍光体層（いわゆる、輝尽性蛍光体層）表面に発生する点欠陥などの画質低下が少なく高品位な画像が得られる放射線像変換パネルおよび放射線像変換パネルの製造方法に関する。

放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線および紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光などの励起光の照射を受けると、蓄積されたエネルギに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。

例えば、この輝尽性蛍光体の膜（輝尽性蛍光体層）を有する放射線像変換パネルを利用する放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム（株）製のＦＣＲ（Fuji Computed Radiography）システムとして実用化されている。
この放射線画像情報記録再生システムでは、人体などの被写体を介してＸ線等を照射することにより、放射線像変換パネル（輝尽性蛍光体層）に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、放射線像変換パネルをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの表示装置または写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。

放射線像変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末を、バインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスまたは樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作製される。
これに対し、真空蒸着またはスパッタリング等の真空成膜法（気相成膜法）によって、支持体に輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）を形成してなる蛍光体パネルも知られている。真空成膜法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという優れた特性を有している。さらに、蛍光体層が蛍光体の柱状構造で形成されるため、鮮鋭度の高い良好な画質が得られる。

また、放射線像変換パネルにおいては、読み取り時にちり（塵）またはほこり（埃）などのゴミや異物が付着した場合、および製造時に塵または埃などの異物が混入した場合、さらには、製造時に得られる画像に欠陥が生じる虞がある。このため、このような画像の欠陥の発生を抑制するために、種々の技術が開示されている（特許文献１〜特許文献３参照）。

特許文献１には、蓄積性蛍光体シートのクリーニング機構が設けられた放射線画像読取装置が開示されている。この特許文献１のクリーニング機構は、回転クリーニングローラ対と、除電ブラシ対とを有するものである。
特許文献１の放射線画像読取装置においては、クリーニング機構により、蛍光体シートの表面に付着した異物を除去するとともに、表面の電荷を除去する。これにより、電荷による放射線画像の影響や、塵埃の付着による放射線画像の悪影響を取り除いている。

また、特許文献２の放射線画像読取装置は、放射線画像の記録された蓄積性蛍光体パネルを搬送する搬送系が、蓄積性蛍光体パネルの両面側に位置するように配置された複数の弾性ベルトを備えるものである。
特許文献２の放射線画像読取装置においては、複数の弾性ベルトを駆動し複数の弾性ベルトの間に挟まれた蓄積性蛍光体パネルを搬送する。これにより、蓄積性蛍光体パネルを搬送する際に傷が付くこと、またひずみが生じ経年劣化してしまうことを防止し、さらには、搬送中に蓄積性蛍光体パネルに塵，ゴミ，埃などの異物が付着することを防止するものである。この特許文献２においても、蛍光体層へのゴミの付着を防止し、画像読み取り時に生じる画像の劣化を未然に防止することができる。

画像欠陥の発生する原因としては、この他にも、従来、ヒロック（Ｈillock：異常突出）が知られている。これは、図１０に示す放射線像変換パネル２００のように、通常は、柱状結晶２０６が成長し、この柱状結晶２０６により輝尽性蛍光体層（蛍光体層）２０４が構成され、また、蛍光体層２０４の表面２０４ａは略均一な高さとなるものが、ゴミ等に影響されて生ずるものである。
すなわち、基板２０２上に蛍光体層２０４を形成する際に、基板２０４にゴミ２０８がある場合、このゴミ２０８を起点として異常成長結晶２０６ａが起き、結果として蛍光体層２０４において、この表面２０４ａから突出したヒロック（Ｈillock）Ｈが生じる。このような異常成長結晶２０６ａにより、得られる画像において、本来黒である画像が白くなる点欠陥が生じる。このように、ゴミ，埃などの混入を抑制しない場合には、必ずしも欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができるとは限らない。

これに対しては、特許文献３に、放射線検出装置の波長変換体（いわゆる、蛍光体層）の表面に発生したヒロック（Ｈillock）等の突起を、その位置，突出高さを検査して、その結果に基づいて、必要に応じて上記突起等を除去するようにした技術が開示されている。なお、この技術における突起の除去方法としては、閾値以上の突出高さを有する突起を、押しつぶしたり、削ったり、切り取ったりすることによって、所定高さ（例えば、５０μｍ）以下にすることが示されている。

特開平５−７２６５６号公報 特開平１１−３４４７８１号公報 特開２００２−２４３８５９号公報

しかしながら、特許文献１の放射線画像読取装置および特許文献２の放射線画像読取装置においては、画像の読み取り時に、付着するゴミを取り除くものであり、放射線像変換パネルにゴミが混入している場合には、対処できないという問題点がある。
また、特許文献３においては、種々の方法により、波長変換体（蛍光体層）の表面に発生した突起の高さを所定値内に調整してはいるものの、この技術では、以下に説明するように、蛍光体層の表面に発生した突起のすべてに対して、十分な対応を取ることは困難である。

すなわち、前述のヒロック（Ｈillock）のような突起は、蒸着終了後、種々の処理過程（表面清浄化つまりゴミ除去処理，熱処理等）を経る過程における取り扱い中に、特に上記ゴミ除去処理において脱落する場合があり、この場合、脱落後の蛍光体層の表面には、上記突起の抜け落ちた後の凹部（穴）が形成される。
このような穴が形成されると、その周辺では、蛍光体層の膜厚の急峻な変化が生じることになり、前述のような点欠陥が生じる原因となる。

つまり、蒸着終了後の蛍光体層の表面に前述のヒロック（Ｈillock）のような突起が発生した場合には、突起それ自体のみならず、この突起が後段の各種処理工程の間において脱落することによって発生する凹部という点欠陥が生じる原因をも含むこととなる。
そして、従来の感覚では、このような「突起」と「凹部」という、少なくとも形状から見た場合には全く異なる不具合要因に対しては、それぞれに対して、対応策を講じる必要があると考えられていた。

すなわち、上記不具合要因の前者（突起）に対しては、先に示した特許文献３に示されているような押しつぶしたり、削ったり、切り取ったりすることによって、所定高さ以下にする方法が適用可能であるが、後者（凹部）に対しては、この方法では対応することはできないと考えられていた。

本発明者は、上述のような状況への対応策を鋭意研究した結果、上記不具合要因の前者（突起），後者（凹部）に対して略同じ程度に有効な、画像上に点欠陥が発生することを防止可能な技術を具体化することに成功し、本出願を行うに至ったものである。

本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、蛍光体層の表面に突起等が発生した場合、さらには、この突起が脱落した後が凹部となる等の原因で、画像上に現れる点欠陥のような画質低下を防止可能とした放射線像変換パネル、およびこのような高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明の第１の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成して製造される放射線像変換パネルであって、前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部が補修処理されていることを特徴とする放射線像変換パネルを提供するものである（請求項１）。

本発明に係る放射線像変換パネルにおいては、後述するように、上記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する比較的小さな凹部（具体的には、上記突起の脱落した後の凹部）が実質的に同じ補修方法によって補修されることがその特徴である。

また、本発明の第２の態様は、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了した後（熱処理工程の前）に、前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部を補修することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法を提供するものである（請求項２）。

本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法においても、上記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する比較的小さな凹部（上記突起の脱落した後の凹部）が実質的に同じ補修方法によって補修されることがその特徴である。

ここで、上記製造方法にはさらに前記蛍光体層の表面を清浄化（すなわち、ゴミ除去）する清浄化工程を含み、前記補修は、堆積が終了した後に、最初に前記清浄化工程を実施するまでの間に実施することが好ましい（請求項３）。これは、清浄化処理により、突起の脱落に起因する新たな凹部が発生する場合があるので、それを防止するためである。
また、前記補修は、前記突起もしくはこれに起因する凹部を上方から押圧することにより行うことが好ましい（請求項４）。ここでの押圧力は、いうまでもなく、押圧して上記突起を蛍光体層中に押し込むに足りる強度であることが必要であり、また、蛍光体層自体を損傷することがない強度であることが必要である。具体的には、押圧力は０．１〜５．０ｋｇｆとするのが好ましい。

また、前記補修における押圧は、先端形状が曲面で構成される治具を用いて行うことが好ましく（請求項５）、この治具として、その先端形状が球面で構成されるものを用いることが好ましく（請求項６）、さらに、上記治具の先端形状が半径１ｍｍ〜１０ｍｍの球面で構成されるものを用いることが好ましい（請求項７）。
上述の治具は、原理的には、押圧時にその先端位置が蛍光体層の表面（平均表面）に一致する位置とすることが好ましいが、実際には制御上の制約で、その先端位置が蛍光体層中に幾分入り込むようにせざるを得ないことから、規定されているものである。

すなわち、上述の治具の先端位置が蛍光体層の表面に達していない場合には十分な押圧効果が得られず好ましくないので、安全側をとって、このように蛍光体層中に幾分入り込むように作用させるのがよい。この際には、蛍光体層の表面近傍の部分を押圧により変形させる（凹ませる）ので、その変形が蛍光体層の膜厚の急峻な変化を引き起こさないために、治具の先端形状に関して上述のような配慮が必要となる。

また、前記補修は、前記突起を取り除き（もしくは、何らかの要因により突起が自然に脱落して）、そこに生じた孔を所定の補修用材料で埋めることにより行うことも好ましい（請求項８）。
ここからは、突起が脱落した後に形成される凹部（この凹部の形状は、一般に鋭いもの：すなわち、蛍光体層の膜厚に急峻な変化をもたらすもの）となるので、それに対して特に有効な方法として挙げているものである。

ここで、前記補修において孔を埋める際には、補修用材料として、蛍光体層を構成する材料を用いることが好ましい（請求項９）。また、前記補修用材料として、前記形成された蛍光体層を構成する材料と同じ材料を用いることが好ましい（請求項１０）。
これらは上述の膜圧差を解消する材料として、既存の蛍光体層とできるだけ特性の近似する材料を使うことを推奨するものである。

さらに、前記蛍光体層が、輝尽性蛍光体から構成される蛍光体層であることが好ましい（請求項１１）。
これまで説明してきたように、点欠陥をなくすることに対する厳しい要求や、これに必要とされる蛍光体層の急峻な膜厚変動の抑制は、実際上、医療用に用いられる輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルに対するものである。すなわち、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法は、輝尽性蛍光体が用いられる場合に最大の効果を発揮するものとなる。

前記補修用材料は、粉末状態で用いてもよく（請求項１２）、また、バインダーに溶解した状態で用いてもよい（請求項１３）。さらに、前記形成された蛍光体層が柱状結晶により構成されるものである場合においては、前記補修用材料として、別の位置にある柱状結晶を移植して用いることも好ましい（請求項１４）。

これらの方法は、いずれも蛍光体層に形成された凹部（穴）の補修方法として有効に用い得る方法であり、それぞれ、特徴を持った方法であるので、例えば、凹部（穴）の位置や数、あるいは大きさや深さによって適宜使い分けるようにすることが好ましい。

本発明に係る放射線像変換パネルは、真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理して製造される放射線像変換パネルであって、前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部が補修処理されている構成としたことにより、形成された蛍光体層に画像を記録した際に点欠陥等の画質低下の発生を防止することが可能になるという効果が得られる。

また、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、上述のような優れた放射線像変換パネルを製造することが可能になるという顕著な効果が得られる。

以下、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法について、添付の図面に示される好適実施形態を基に詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、同（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の模式的側断面図である。

図１に示す放射線像変換パネル製造装置（以下、単に製造装置ともいう）１０は、蓄積性蛍光体（母体）となる材料と、付活剤（賦活剤：activator）となる材料とを別々に蒸発する二元の真空蒸着によって、基板７０の表面７０ｄに蓄積性蛍光体からなる輝尽性蛍光体層（以下、蛍光体層という）を形成して、（蓄積性）放射線像変換パネルを製造する装置である。

このような製造装置１０は、基本的に、真空チャンバ１２と、基板保持搬送機構１４と、加熱蒸発部（抵抗加熱手段）１６と、真空ポンプ（真空排気手段）１８と、ガス導入ノズル１９と、制御部２０とを有して構成される。なお、本実施形態に係る製造装置１０は、これ以外にも、公知の真空蒸着装置が有する各種の構成要素を有してもよいのは、もちろんである。例えば、真空チャンバ１２内の真空度を測定する真空計（図示せず）を有し、制御部２０に接続されている。

なお、本実施形態において、基板７０は、基板ホルダ３９に収納されて基板保持搬送機構１４に基板ホルダ３９ごと保持され、真空チャンバ１２内にセットされて直線搬送されるものである。
また、ここでは、基板ホルダ３９は、基板７０をその側面から挿入して内部に係止して保持する形で保持するように構成されているものである。

また、本発明は、図１に示すような二元の真空蒸着装置に限定はされず、全ての成膜材料を混合して蒸発源に収納する一元の真空蒸着を行う装置であってもよく、あるいは、三元以上の真空蒸着を行う装置であってもよいが、好ましくは、複数の成膜材料を別々の蒸発源に収納する、二元あるいはそれ以上の多元の真空蒸着装置である。

また、本実施形態においては、好適な一例として、蛍光体成分となる臭化セシウム（ＣｓＢｒ）と、付活剤成分となる臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ_ｘ（ｘは、通常、２〜３であり、特に２が好ましい）とを成膜材料として用い、抵抗加熱による二元の真空蒸着を行って、基板７０に蓄積性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を成膜して、放射線像変換パネルを作製する。

また、成膜中に不活性ガスの導入を行うためのガス導入ノズル１９を有する製造装置１０は、好ましくは、一旦、真空チャンバ１２内を高真空度まで排気した後、排気を行いつつガス導入ノズル１９によって不活性ガスを導入して真空チャンバ１２内を０．１Ｐａ〜１０Ｐａ程度の真空度（以下、中真空という）とし、この中真空下で、加熱蒸発部１６において抵抗加熱によって成膜材料（臭化セシウムおよび臭化ユーロピウム）を加熱蒸発して、基板保持搬送機構１４によって基板７０を直線状に搬送（以下、直線搬送という）しつつ、真空蒸着による基板７０への蛍光体層の成膜を行う。

また、本発明においては、蛍光体層を形成する輝尽性蛍光体として、各種のものが利用可能であるが、例えば、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
例えば、米国特許第３８５９５２７号の明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ_２：Ｅｒ」、および「Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。

特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ_２Ｏ_３：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「Ｍ^ＩＩＯ・ｘＳｉＯ_２：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^ＩＩは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）

特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）

特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ_１−ｘ、Ｍ^２＋ _ｘ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ^２＋は、Ｍｇ、Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）

特開昭５９−３８２７８号公報に開示される、一般式「ｘＭ_３（ＰＯ_４）_２・ＮＸ_２：ｙＡ」または「Ｍ_３（ＰＯ_４）_２・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）

一般式「ｎＲｅＸ_３・ｍＡＸ’_２：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ_３・ｍＡＸ’_２：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^−４＜ｘ＜３×１０^−１であり、１×１０^−４＜ｙ＜１×１０^−１であり、さらに、１×１０^−３＜ｎ／ｍ＜７×１０^−１である。

特開昭６１−７２０８７号公報に開示される、一般式「Ｍ^ＩＸ・ａＭ^ＩＩＸ’_２・ｂＭ^ＩＩＩＸ''_３：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍ^Ｉは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ^ＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、Ｍ^ＩＩＩは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０＜ｃ≦０．２である。

特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ_１−Ｘ、Ｍ^ＩＩ _Ｘ）Ｆ_２・ａＢａＸ_２：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍ^ＩＩは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０^−６≦ｙ≦２×１０^−１であり、０＜ｚ≦１×１０^−２である。）

特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「Ｍ^ＩＩＩＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍ^ＩＩＩは、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）

特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ_１−ｘＭ_ａＬ_ａＦＸ：ｙＥｕ^２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０^−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。

特開昭５９−７５２００号公報に開示される、一般式「Ｍ^ＩＩＦＸ・ａＭ^ＩＸ’・ｂＭ’^ＩＩＸ''_２・ｃＭ^ＩＩＩＸ_３・ｘＡ：ｙＥｕ^２＋」で示される輝尽性蛍光体。
上記式においてＭ^ＩＩは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、Ｍ^Ｉは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’^ＩＩは、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、Ｍ^ＩＩＩは、Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ，Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０^−２であり、０≦ｃ≦１×１０^−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０^−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）

特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５９−３８２７８号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、Ｍ^Ｉが、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。

本実施形態において、真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー，真空槽）である。
真空チャンバ１２の一方の側面１２ｂには、真空ポンプ１８がディフューザ１８ａを介して接続されている。この真空ポンプ１８は、例えば、油拡散ポンプが用いられる。なお、真空ポンプ１８は、特に限定されるものではなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、クライオポンプ，ターボモレキュラポンプ等を利用することができ、さらに補助として、クライオコイル等を併用してもよい。なお、蛍光体層を成膜する製造装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、８．０×１０^−４Ｐａより高い真空度が得られるものであることが好ましい。

また、真空チャンバ１２の上記側面１２ｂに対向する他方の側面１２ｃには、扉１３が開閉自在に設けられている。
本実施形態においては、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内に基板７０の搬入、および成膜材料の搬入などが行われる。また、扉１３を閉じ、真空チャンバ１２を閉塞して真空蒸着などが行われる。

ガス導入ノズル１９も、ボンベとの接続手段およびガス流量の調整手段等を有する（もしくは、これらに接続される）、真空蒸着装置またはスパッタリング装置等で用いられている公知のガス導入手段であり、前記中真空での真空蒸着による蛍光体層の成膜を行うために、アルゴン（Ａｒ）ガス，窒素ガスまたはその他の希ガス等の不活性ガスを真空チャンバ１２内に導入する。この不活性ガスとは、真空蒸着の際に、基板７０および蛍光体層と反応しないガスのことである。
このガス導入ノズル１９の開口部（ガス導入口）１９ａを介して、不活性ガスが真空チャンバ１２内に導入される。ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）は、例えば、加熱蒸発部１６の近傍、かつ真空チャンバ１２の底面１２ａに設けられている。

基板保持搬送機構１４は、基板７０を基板ホルダ３９ごと保持して、直線搬送するものであり、図２に模式的に示すように、駆動手段２２と、リニアモータガイド２４と、基板保持手段２６とから構成される。なお、図２（ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図、同（ｂ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図、同（ｃ）は、図１に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。

駆動手段２２は、基板保持手段２６を基板７０の搬送方向Ｍに移動（往復動）させるもので、基板７０の搬送方向Ｍに延在して保持部材３０によって回転自在に軸支されるネジ軸３２ａと、このネジ軸３２ａに螺合するナット部３２ｂからなるボールネジ３２と、前記ネジ軸３２ａを回転するモータ３４とからなる、ボールネジを用いる公知の直線状の移動機構である。

なお、本発明において、駆動手段はボールネジ３２とモータ３４とを利用するものに限定はされず、シリンダを利用する搬送手段，モータとモータによって回転されるリング状のチェーンを用いる搬送手段など、必要な耐熱性を有するものであれば、公知の直線状の移動（搬送）手段が、各種利用可能である。

リニアモータガイド（以下、ＬＭガイドという）２４は、駆動手段２２による基板保持手段２６（すなわち、基板７０）の直線搬送を補助するもので、ガイドレール２４ａと、長手方向に移動自在に上記ガイドレール２４ａに係合する係合部材２４ｂとからなる、公知のリニアモータガイドである。
ガイドレール２４ａは、基板７０の搬送方向Ｍに延在して、前記ネジ軸３２ａを中心とする対象位置に離間して２本が配置され、共に、真空チャンバ１２の天井面に固定される。一方、係合部材２４ｂは、各ガイドレール２４ａに２つずつ係合するように、合計４つが基板保持手段２６（後述する基台３６の上面）に固定される。

基板保持手段（以下、単に保持手段ともいう）２６は、基板ホルダ３９ごと基板７０を保持して、前記ＬＭガイド２４によって案内されつつ前記駆動手段２２によって直線状で移動されるものであり、基台３６と、保持機構３８と、防熱部材４０とから構成される。

基台３６は、製造装置１０が適正に設置された状態で水平となる長方形状の平板状部材である。
基台３６の上面の中心には、前記ボールネジ３２のナット部３２ｂが固定され、また、基台３６の上面の２本の対角線上の対称位置には、２本のガイドレール２４ａの間隔に応じて前記ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂが固定される。

保持機構３８は、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとから構成され、基台３６の角部に４つが配置される。
取付部材３８ａは、矩形の断面略Ｃ字状の形状を有するものである。この取付部材３８ａは、Ｃ字開放部を内側に向けて、搬送方向Ｍと直交方向の外方からＣ字天井面の一部を基台３６の角部に載置して、基台３６に垂下するようにして固定される。従って、保持手段２６は、基台３６の下部には、基台３６の面積よりも広い空間を有している。

保持部材３８ｂは、下端に基板ホルダ３９（基板７０）の保持手段を有するものであり、取付部材３８ａに垂下して固定される。すなわち、基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持機構３８は、基台３６に角部近傍で垂下される。

本実施形態において、保持部材３８ｂによる基板ホルダ３９（基板７０）の保持方法には特に限定はなく、治具等を用いる方法、静電気を利用する方法、吸着を利用する方法等、上面から板状物を保持する公知の方法が各種利用可能である。また、基板７０への蛍光体層の蒸着領域等に応じて可能であれば、治具等を用いて、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四隅を押さえる保持手段、下方から基板ホルダ３９（基板７０）の四辺を押さえる保持手段等を利用してもよい。
また、取付部材３８ａと保持部材３８ｂとの間にスペーサを入れる、ネジによる調整手段を設ける、シリンダによる昇降手段を設ける等の方法で、保持部材３８ｂの下端位置すなわち基板７０を保持／搬送する高さを調整可能にしてもよい。

前述のように、基台３６は、駆動手段２２によって直線搬送される。従って、基板保持搬送機構１４は、保持機構３８によって例えば、基板ホルダ３９（基板７０）の四隅近傍を保持し、保持手段２６を駆動手段２２によって搬送することにより、基板７０を基板ホルダ３９ごと直線搬送する。

ラインセンサ等による放射線画像の読み取りが想定される放射線像変換パネルの蛍光体層には、±３％以内、好ましくは±２％以内の高い膜厚分布均一性が要求される。
本実施形態においては、上述このように基板７０を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空の真空蒸着によって蛍光体層を形成することにより、結晶性が良好で、膜厚分布均一性の高い蛍光体層の形成を実現している。

ここで、本発明に係る製造方法で好適に形成される前記各種の蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、特にアルカリハライド系蓄積性蛍光体からなる蛍光体層、中でも特にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる蛍光体層を、真空蒸着によって形成（成膜）する際には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、排気を維持した状態でＡｒガスまたは窒素ガス等の不活性ガスを系内に導入して、０．１〜１０Ｐａ、特に０．５〜３Ｐａ程度の中真空度として蛍光体層を形成するのが好ましい。
これにより、良好な柱状の結晶構造を有する蛍光体層を形成することができ、輝尽発光特性および画像鮮鋭性が優れた放射線像変換パネルを製造することができる。

本実施形態に係る製造装置１０は、基本的に、このような中真空での蛍光体層の形成を行うものであり、ガス導入ノズル１９（開口部１９ａ）から真空チャンバ１２内に不活性ガスを導入しつつ中真空で抵抗加熱によって真空蒸着を行う。
本実施形態に係る製造装置１０においては、基板ホルダ３９ごと基板７０を直線搬送しつつ真空蒸着によって蛍光体層の形成を行うことにより、基板７０表面における移動速度を全面的に均一にできる。
具体的には、搬送方向Ｍと直交する方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にするだけで、基板７０の全面的に均一に成膜材料の蒸気を暴露することができ、簡易な蒸発源の位置設定でも、膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成できる。しかも、直線搬送の往復搬送を行って成膜を行うことにより、微量成分であるユーロピウム（付活剤）の蛍光体層中における分散状態も、好適にできる。

なお、本発明において、必要な膜厚の蛍光体層を形成できれば、成膜中における基板７０の直線搬送は、１回の直線搬送でも、１回の往復動（往復搬送）でも、往復動を複数回行ってもよい。また、基板の搬送経路は、おおむね直線状であれば、多少、ジグザグ状であっても、波打つような経路であってもよい。
一般的に、同じ膜厚であれば、加熱蒸発部１６の上部の通過回数が多い程、膜厚分布均一性を高くできるので、複数回の往復動を行って蛍光体層を形成するのが好ましい。また、往復動の回数は、蛍光体層の目的膜厚または目的とする膜厚分布均一性等に応じて、適宜、決定すればよく、最後の搬送は一方向でもよい。直線搬送の搬送速度にも、特に限定はなく、ＬＭガイド２４の速度限界、往復動の回数、目的とする蛍光体層の膜厚等に応じて、適宜、決定すればよい。

基板ホルダ３９（基板７０）を保持する保持手段２６において、上面にボールネジ３２のナット部３２ｂおよびＬＭガイド２４の係合部材２４ｂ等が固定される基台３６の直下には、防熱部材４０が配置される。ここで、前述のように、図示例の製造装置１０においては、略Ｃ字状の取付部材３８ａを用いて保持部材３８ｂを基台３６から垂下した状態で固定することにより、基台３６の下部に基台３６よりも広い空間を有している。これを利用して、図示例においては、防熱部材４０の面積を基台３６の面積より大きくして、充分な余裕を持って基台３６の下面全面を防熱部材４０で覆っている。
防熱部材４０は、後述する加熱蒸発部１６（蒸発源）に対して基台３６を覆うことにより、加熱蒸発部１６からの輻射熱等によって、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが加熱されるのを防止するものである。

先の説明から明らかなように、高い輝尽発光特性および画像鮮鋭性を実現可能な優れた結晶構造を有し、かつラインセンサによる高精度な放射線画像の読み取りが可能な膜厚均一性に優れた放射線像変換パネルを製造するためには、基板ホルダ３９（基板７０）を直線搬送しつつ、抵抗加熱による中真空での真空蒸着を行う必要がある。

ここで、周知のように、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂには、円滑な移動を可能にするためにボールが組み込まれ、また、ボールの円滑な回転を可能にするために、グリス等の潤滑剤が注入される。また、ボールを有さなくても、円滑な駆動を可能にするために、通常、駆動手段および搬送ガイド手段の摺動部にはグリス等の潤滑剤が注入される。

防熱部材４０には、特に限定はなく、加熱蒸発部１６からの輻射熱を遮蔽して、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂ、またさらに基台３６が加熱されることを防止できれば、各種のものが利用可能である。一例として、ステンレス板，鋼板，アルミニウム板，モリブデン板等が例示される。なお、固定方法は、防熱部材４０に応じて、適宜、決定すればよい。
また、必要に応じて、防熱部材４０に接触するパイプに冷水を流す、板材（防熱部材４０）の内部をくり抜いて水を流す等の手段によって、防熱部材４０の冷却手段を設けてもよい。

前述のように、図示例においては、好ましい態様として、防熱部材４０は基台３６よりも大きな面積を有し、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂおよびボールネジ３２のナット部３２ｂが固定される基台３６の下面全面を覆って配置される。しかしながら、本発明は、これに限定はされず、例えば、ＬＭガイド２４の係合部材２４ｂに対応する領域、あるいはさらにボールネジ３２のナット部３２ｂに対応する領域のみを、加熱蒸発部１６に対して防熱部材で覆ってもよい。
但し、係合部材２４ｂおよびナット部３２ｂの加熱をより好適に防止するためには、図示例のように、これらに熱を伝達する可能性のある部材は、加熱蒸発部１６に対して可能な限り防熱部材４０で覆うのが好ましい。

図１に戻って、説明を続ける。
真空チャンバ１２の下方には、加熱蒸発部１６が配置される。
加熱蒸発部１６は、抵抗加熱によって蛍光体層を形成するための成膜材料である臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムを蒸発させる部位である。この加熱蒸発部１６により成膜材料を加熱・蒸発させることにより、臭化セシウムおよび臭化ユーロピウムの蒸気（成膜材料蒸気）からなる蒸着場が形成される。

前述のように、製造装置１０は、好ましい態様として、蛍光体成分である臭化セシウムと、付活剤成分である臭化ユーロピウムとを、独立して加熱蒸発する、二元の真空蒸着を行うものである。従って、加熱蒸発部１６には、臭化セシウム用（蛍光体用）の蒸発源となるルツボ（容器）５０、および、臭化ユーロピウム用（付活剤用）の蒸発源となるルツボ（容器）５２が配置される。

このようなルツボ５０および５２は、真空蒸着における抵抗加熱蒸発源用のルツボと同様、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などの高融点金属で形成され、電極（図示省略）から通電されることにより自身が発熱し、充填された成膜材料を加熱／溶融して、蒸発させるものである。
また、本発明において、抵抗加熱用の電源（加熱制御手段）には、特に限定はなく、サイリスタ方式，ＤＣ方式，熱電対フィードバック方式等、抵抗加熱装置で用いられる各種の方式が利用可能である。また、抵抗加熱を行う際の出力にも特に限定はなく、使用する成膜材料，ルツボの形成材料の抵抗値または発熱量等に応じて、適宜、設定すればよい。

蓄積性蛍光体において、付活剤と蛍光体とは、例えばモル濃度比で０．０００５／１〜０．０１／１程度と、蛍光体層の大部分が蛍光体である。
そのため、図示例においては、蒸発量（消費量）の多い臭化セシウム（蛍光体用）のルツボ５０は、円筒状（ドラム型）の大型のルツボを用いている。このルツボ５０は、ドラムの側面に、ドラムの軸線方向に延在するスリット状の開口を有し、この開口に一致して、開口と同形状の上下開口面を有する四角筒状のチムニー５０ａを蒸気排出部として設けている。

他方、蒸発量（消費量）の少ない臭化ユーロピウム用（付活剤用）のルツボ５２は、ここでは、日本バックスメタルクルーシブルタイプ真空蒸着用蒸発源ＣＥ−２を用いている。このルツボは素材としてＴａを用いており、その周囲をヒータで覆い、さらにその周囲を断熱材であるアルミナで覆った構造を有している。また、ルツボは、間接加熱方式で加熱される。

このようなスリット状のチムニーを有するルツボを用いることにより、ルツボ内における局所加熱または異状加熱によって突沸が生じた際に、成膜材料が不意にルツボから飛び出して周囲または基板７０に付着して、汚染することを防止できる。特に、抵抗加熱を利用する中真空の蒸着では、前述のように、基板７０と蒸着源とを近接して配置する必要があるので、その効果は大きい。

ここで、製造装置１０においては、ルツボ５０および５２を、基板７０の搬送方向Ｍと直交する方向Ｈ（以下、配列方向Ｈという）に複数配列することにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発量を均一にして、直線搬送される基板７０の全面に均一に成膜材料蒸気を供給して、例えば、膜厚分布均一性が±３％以下の蛍光体層を形成している。なお、各ルツボは、離間させるか、または絶縁材の挿入等によって、互いに熱絶縁状態にある。

加熱蒸発部１６の模式的平面図である図３に示すように、図示例においては、一例として、臭化セシウム用のルツボ５０は、円筒（ドラム）の軸線方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列されている。ルツボ５０において、電極は円筒の端面に形成されており、個々のルツボ５０で独立して電源に接続される。また、各ルツボ５０に対応して、臭化セシウムの蒸発量を測定するための水晶振動子センサ５４が配置され（図１（ａ），（ｂ）では、装置の全体構成を明瞭にするために省略している）、この蒸発量の測定結果に応じて、ルツボ５０への通電量が制御される。なお、蒸発量の制御は、温度センサによって行ってもよい。

他方、ボート型のルツボである臭化ユーロピウム用のルツボ５２も、長手方向を配列方向Ｈに一致して、６つが配列される。ルツボ５２も、配列方向Ｈの両端に電極が形成され、個々に独立した電源が接続される。

図示例においては、好ましい態様として、１つのルツボ５０とルツボ５２とを対として、すなわち、蛍光体の成膜材料である臭化セシウムの１つの蒸発源と付活剤の成膜材料である臭化ユーロピウムの１つの蒸発源を対として、両者が基板７０の直線搬送方向Ｍに並ぶように配置し、さらに、より好ましい態様として、両者を装置およびルツボの構成上、可能な限り近接して配置している。
このような構成とすることにより、母体となる臭化セシウム蒸気中に、臭化ユーロピウム蒸気を充分に分散して、微量成分であるユーロピウム（付活剤）を蛍光体層中に均一に分散し、輝尽発光特性等の良好な蛍光体層を形成できる。

また、ルツボ５０の列およびルツボ５２の列においては、共に、配列されるルツボは、装置およびルツボの構成上、可能な限り配列方向Ｈに近接して配置され、かつルツボの列は、基板７０の配列方向Ｈのサイズを充分に包含する長さとするのが好ましい。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。

このような配列方向Ｈへのルツボの列は、１つであってもよく、図示例のように２列であってもよく、さらに、３列以上であってもよい。
ここで、複数列のルツボの列を有する場合には、各ルツボの列は、基板７０の搬送方向Ｍから見た際に、他のルツボの列の成膜材料蒸気の排出口（前記スリット状のチムニー）の配列方向Ｈの間隙を、互いに埋めるように配置するのが好ましく、さらに、異なる列で成膜材料蒸気の排出口が搬送方向Ｍに重ならないように配置するのがより好ましい。いい換えれば、搬送方向Ｍから見た際に、各ルツボの列で、成膜材料蒸気の排出口が互い違いとなるようにするのが好ましい。図示例においては、配列方向Ｈへの２列のルツボの列において、搬送方向Ｍから見た際に、一方のルツボ列の電極位置に他方のルツボ列の蒸気排出口が位置するように、各ルツボの列を配列している。
このような構成とすることにより、配列方向Ｈにおける成膜材料の蒸発蒸気量を均一にして、より膜厚分布均一性の高い蛍光体層を形成することができる。

さらに、配列方向Ｈへのルツボの列を複数有する場合には、搬送方向Ｍの外側に蒸発量の多い臭化セシウム（付活剤）用のルツボ５０の列を位置するのが好ましい。
このような構成とすることにより、蒸発量の多い臭化セシウムの蒸発量センサを、搬送方向Ｍに対してルツボの列の外側の開いている空間に配置することができ、すなわち、蒸発量センサの選択自由度、製造装置１０の設計自由度を向上することができる。

なお、図示は省略するが、製造装置１０の加熱蒸発部１６は、全ルツボを水平方向の４方で囲む、ルツボの最上部よりも高い四角筒状の防熱板が配置され、かつ、この防熱板の上部開放面を閉塞／開放自在に、成膜材料蒸気を遮蔽するためのシャッタ（図示せず）が配置される。

本実施形態においては、基板７０は、例えば、金属または合金からなるものであり、薄い板状部材またはシート部材である。また、基板７０の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼、銅、クロムまたはニッケルなどを用いることができる。なお、本実施形態においては、基板７０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されることが好ましい。
また、基板７０としては、ガラス、セラミックス、カーボン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ポリイミド等、放射線像変換パネルで利用されている各種のシート状の基板を全て利用することができる。

次に、製造装置１０を用いた本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、最終的には、図８に示すような基板７０と、この基板７０上に形成された蛍光体層７２と、この蛍光体層７２上に形成され、蛍光体層７２を封止する防湿保護層７４とを有する放射線像変換パネル８０を製造するが、その前段の工程では、まず、基板７０上に蛍光体層７２を形成する。

予め、基板７０を基板ホルダ３９（図１（ａ）参照）にセットしておく。
次に、基板７０を基板ホル３９ごと、プラズマ洗浄装置（図示せず）にセットし、基板７０の表面７０ｄ（蛍光体層７２の形成面）をプラズマ洗浄する。
次に、真空チャンバ１２の扉１３を開き、真空チャンバ１２を大気開放状態にし、基板保持搬送機構１４の保持手段２６（図２（ｂ）参照）の保持部材３８ｂに基板ホルダ３９ごと基板７０を保持する。

次に、全てのルツボ５０に臭化セシウムを、全てのルツボ５２に臭化ユーロピウムを所定量まで充填した後、すなわち、成膜材料を真空チャンバ１２内にセットした後、シャッタ（図示せず）を閉じる。
次いで、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０^−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整し、さらに、抵抗加熱用の電源を駆動して全てのルツボ５０およびルツボ５２に通電して成膜材料を加熱する。

その後、予め設定した所定時間（例えば、６０分）が経過したら、シャッタを開放し、次いで、モータ３４を駆動して、所定速度での基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面７０ｄへの蛍光体層７２の形成を開始する。
形成する蛍光体層７２の膜厚等に応じて設定された所定回数の直線搬送の往復動が終了したら、基板７０の直線搬送を停止し、シャッタを閉塞し、抵抗加熱用の電源を切り、ガス導入ノズル１９によるＡｒガスの導入を止める。
次に、窒素ガスまたは乾燥空気を真空チャンバ１２内に導入して、真空チャンバ１２内を大気圧とする。すなわち、大気開放状態とする。

次いで、真空チャンバ１２の扉１３を開き、蛍光体層７２を形成した基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出し、作業台に運ぶ。
前述のように、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、蛍光体層７２を形成した基板７０、すなわち蛍光体シート（蛍光体層を有する基板）に熱処理を行う前に、突起もしくはこれに起因する凹部を補修することが特徴的動作である。

すなわち、図４に示すように、蛍光体シートが形成されると（ステップ９０）、蛍光体シートを基板ホルダ３９から取り外し、その表面を検査し、前述したような突起もしくはこれに起因する凹部が存在した場合には、これを補修する（ステップ９２）。この補修は、蛍光体層７２の形成が終了した後に、最初に蛍光体層の表面を清浄化するまでの間に実施するものである。なお、ここでの検査並びに補修方法の詳細については後述する。熱処理装置内において所定の熱処理（アニール）を施す（ステップ９６）。

また、熱処理前に、蒸着が終了した蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管すること（以下、加湿処理という）により放射線照射に対する感度を上昇させることができることから、ステップ９２における突起もしくはこれに起因する凹部の補修が完了した蛍光体シートを、熱処理装置による熱処理（アニール）の前段において、所定の条件で加湿処理する（図４中のステップ９４）ことが好ましい。この詳細についても後述する。

以下、まず、突起もしくはこれに起因する凹部の補修について、図５〜図７に基づいて説明する。なお、図５は、前述のヒロック（Ｈillock）のような突起（以下、単に突起という）１００が存在する場合にこれを押圧して押しつぶすことにより補修する例、図６は、比較的小さな突起などが抜け落ちて急峻な凹部１２０が存在する場合にこれを押圧して押しつぶすことにより補修する例を示している。
また、図７は、当初は突起１００が存在したものが何らかの原因で脱落した結果形成された比較的大きな（図６の場合との比較）急峻な凹部１２０が存在する場合に、この凹部に所定の補修用材料を充填して補修する例を示している。

以下に説明する補修工程においては、実際に補修を行う前に蛍光体シート（蛍光体層）の表面を検査して、そこに存在する突起の位置を知る必要がある。この検査は、例えば、蛍光体シートの表面を目視により検査する方法で好適に実施し得る。また、補修に際して必要となる突起の位置の情報は、例えば、Ｘ−Ｙテーブルと組み合わせた顕微鏡により取得することができる。

まず、図５に示す例では、蛍光体シート（以下、蛍光体層７２という）の表面を検査して、そこに突起１００が存在するか否か検査する。突起１００の存在が確認された場合には（図５（ａ）参照）、その位置に押圧手段１１０を位置付けして（図５（ｂ）参照）、この押圧手段１１０を所定の押圧力で降下させ（図５（ｃ）参照）、突起１００を蛍光体層７２中に完全に埋め込むようにし、その後に押圧手段１１０を上昇させて（図５（ｄ）参照）、補修処理を終了する。

ここでは、上述の押圧手段１１０として、円柱の先端部（図５中では下端部）を比較的大きな半径（Ｒ＝１０ｍｍ）を有する球面状にしたものを用いており、所定の押圧力（ここでは、２ｋｇｆ）でゆっくり押圧するようにしている。なお、この押圧時の速度については、蛍光体層７２を構成する材料等によって変更する場合もあるので、実験により定めることが好ましい。

また、図５（ｄ）では、突起１００が蛍光体層７２中に押し込まれる際に、その上面がわずかに凹んだ形になった状態で示されているが、これは、押圧手段１１０の先端部が球面状に形成されていることによるものであり、このような形にすることで、蛍光体層７２の膜厚の急峻な変化の発生を防止できるという効果が得られるものである。

図６は、図５に示した場合とは少し異なり、比較的小さな突起などが抜け落ちて急峻な凹部１２０が存在する場合に、これを図５に示したと同様に押圧して押しつぶすことにより補修する例を示している。
従来は、このような割合に小さな凹部の補修に際して押圧して押しつぶすという発想はなかったが、実際上は極めて有効であることが確認されている。

本実施例では、蛍光体層７２の表面を検査して、そこに凹部１２０が存在するか否か検査する。凹部１２０の存在が確認された場合には（図６（ａ）参照）、その位置に押圧手段１１０を位置付けして（図６（ｂ）参照）、この押圧手段１１０を所定の押圧力で降下させ（図６（ｃ）参照）、凹部１２０を蛍光体層７２中で平均化するようにようにし、その後に押圧手段１１０を上昇させて（図６（ｄ）参照）、補修処理を終了する。

次に、図７に示す例は、前述の通り、当初は突起１００が存在したものが、何らかの原因で脱落（図７（ａ）参照）した結果として形成された比較的大きな急峻な凹部１３０が存在する場合（図７（ｂ）参照）に、この凹部１３０に所定の補修用材料１４０（図７（ｃ）参照）を充填して補修する例を示している。

ここで、補修用材料１４０としては、種々のものが用い得る。
具体的には、補修用材料１４０として、蛍光体層７２を構成している材料そのものを用いることが好ましいことはいうまでもないが、本発明は必ずしもそれには限定されず、蛍光体層７２を構成している材料とできるだけ特性の近似する材料を使うこと、さらには、広く蛍光体層を構成する材料と同じ材料を用いることが可能である。

なお、補修用材料１４０として、輝尽性蛍光体を用いる場合もあるが、この場合には、輝尽性蛍光体の放射線に対する感度並びに波長依存性、および、読み出しようの励起光に対する感度並びに発光強度等を勘案して、主剤（蛍光体層の形成材料）と付活剤との組み合わせにも配慮することが好ましい。

また、上述の補修用材料１４０を充填する方法について説明する。
補修用材料１４０としては、一般に粉末状のものが用いられることが多いが、この材料を凹部１３０に充填する際には、この粉末状のままで充填する方法、あるいはバインダー等の液体に溶解（もしくは分散）した状態にして充填する方法が実施可能である。
また、特別な場合として、中真空下での気相堆積法等により製造される、蛍光体層が柱状結晶から構成される蛍光体シートにおいては、他の場所から切り出した柱状結晶の一部を、上述の充填部分に適用することも可能であり、この場合には、工学的特性を含めて、極めて高度に特性の揃った充填（補修）が可能である。

上記実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法によれば、蛍光体シートが形成された後に、蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部を補修するようにしたことにより、画像上に現れる点欠陥のような画質低下を防止可能とした放射線像変換パネル、およびこのような高品位な画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法を実現できるという効果が得られる。

ところで、先に説明した通り、蒸着が終了した蛍光体シートを所定の温湿度条件下に保管することにより放射線照射に対する感度を上昇させることができる。この現象は、今回本発明者が定量的に把握したもので、これにより、蛍光体シートの放射線照射に対する感度を上昇させる具体的な適用への手がかりが得られたものである。
実用上有効と考えられる温湿度条件としては、蛍光体シートを、温度２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管するという条件が、一つの目安となる。ただし、この条件は、蛍光体シートを構成する輝尽性蛍光体の種類や蒸着条件、さらには、保管後における熱処理の条件等に影響されることもあると考えられる。

以下、前述の製造装置１０を用いて製造した放射線像変換パネルを例として、本実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法について詳細にその動作を説明する。
なお、製造装置１０を用いた蒸着方法によって放射線像変換パネルを製造する過程に関しては、先に説明した動作と同様であるので、以下の説明では、形成された放射線像変換パネル（蛍光体層）についての突起もしくはこれに起因する凹部の補修が終了したものとして説明を行う。

上に例示した方法によって突起もしくはこれに起因する凹部の補修が終了した蛍光体シートは、さらなるゴミ，埃などの付着を防止するため、必要に応じて防塵カバーを装着した状態で、熱処理装置内において所定の条件で熱処理（アニール）される。
熱処理が終了し、十分に冷却された状態の蛍光体シートは、次に、次工程の防湿保護層７４（図８参照）を形成する防湿保護層形成装置（図示せず）まで搬送する。そして、蛍光体層７２の上に、例えばディスペンサー等を用いて接着剤を塗布し、接着層７６を形成する。

次いで、例えば、ロール状に巻回された防湿保護フィルム（図示せず）を引き出して、熱ラミネーション法により、上記接着層７６の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板７０の溝７０ｂに植設した枠７０ｃの上縁部に密着させて防湿保護層７４（図８参照）を形成する。このようにして、図８に示す放射線像変換パネル８０を製造することができる。
なお、防湿保護層７４としては、予め接着剤が塗布された保護フィルムを用いて形成することもできる。

また、防湿保護層７４を構成する防湿保護フィルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、ＳｉＯ_２膜とＳｉＯ_２とＰＶＡ（ポリビニルアルコール）とのハイブリット層とＳｉＯ_２膜との３層を形成してなる防湿保護層７４が例示される。これ以外にも、ガラス板（フィルム），ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等の樹脂フィルム、樹脂フィルムにＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＣなどの無機物質が堆積したフィルム等も好ましく例示される。

なお、ＰＥＴフィルム上に、ＳｉＯ_２膜／ＳｉＯ_２とＰＶＡとのハイブリット層／ＳｉＯ_２膜の３層を形成した防湿保護層７４において、例えば、ＳｉＯ_２膜は、スパッタリング法を用いて、ＳｉＯ_２とＰＶＡのハイブリット膜は、ＰＶＡとＳｉＯ_２の比率が１：１となるようにゾル・ゲル法を用いて、それぞれ形成すればよい。
また、防湿保護層７４は、４０℃の温度で相対湿度が９０％の環境下において、透湿度が０．２〜０．６（ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ））であることが好ましい。

ここで、前述の加湿処理工程について補足説明しておく。
通常は、真空チャンバ内における蛍光体層の形成終了後、特別な処理を施すことなく、所定の時間経過後に蛍光体層の感度上昇を目的とする熱処理（アニール）を行っているが、本発明者は、熱処理前に蛍光体層を２０℃〜５０℃、相対湿度３０％〜８０％の環境で５分〜１週間保管する工程（すなわち、加湿処理工程）を経ることで、蛍光体層の感度上昇を実現できることを見出し、この工程を追加することを、実質上、基本とするようにしたものである。

以下、具体的な実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではないのはいうまでもない。
ここでは、図１に示した実施形態に係る製造装置（放射線像変換パネル製造装置）を用いて、放射線像変換パネル（蛍光体シート）を作製した。

本実施例に示す放射線像変換パネル（蛍光体シート）は、蒸着終了までの工程に関しては通常の工程と全く同様であり、蒸着終了後における突起もしくはこれに起因する凹部の補修処理を追加した点が、特徴となっているものであることは前述の通りである。

基板７０を基板ホルダ３９にセットした状態で、基板ホルダ３９ごと基板７０をプラズマ洗浄装置にセットした。そして、プラズマ洗浄装置により、圧力が１ＰａのＡｒガス雰囲気下、電力が５００Ｗ、時間が６０秒の条件でＡｒプラズマを発生させて基板７０表面の洗浄を行った後、基板ホルダ３９ごと基板７０を真空チャンバ１２内の基板保持搬送機構１４の基板保持手段２６にセットした。

次に、ＣｓＢｒ蒸発源（成膜材料）およびＥｕＢｒ_２蒸発源（成膜材料）を真空チャンバ１２内の加熱蒸発部１６の抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した。
ここでは、蒸発源（成膜材料）として、純度が４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度が３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ_２）の溶融品を用意した。ＥｕＢｒ_２溶融品は、酸化を防ぐため十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて、白金製ルツボに粉体を入れ、温度８００℃に加熱して溶融、冷却後、炉から取り出して作製したものを用いている。各原料中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）はそれぞれ１０質量ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）などの他の元素は、２質量ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ_２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０質量ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０質量ｐｐｍ以下であった。これらの原料は、吸湿性が高いので、露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
なお、ここでは、基板７０と加熱蒸発部１６との距離は１００ｍｍとし、基板７０を直線搬送しながら、蛍光体層７２を形成した。

ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ_２蒸発源（成膜材料）を抵抗加熱用のルツボ（容器）５０、５２に充填した後に、真空チャンバ１２の、扉１３を閉じて真空チャンバ１２を閉塞し、真空ポンプ１８を駆動して真空チャンバ１２内を排気し、真空チャンバ１２内が、例えば、８×１０^−４Ｐａとなった時点で、排気を継続しつつ、ガス導入ノズル１９によって開口部１９ａを経て真空チャンバ１２内に、例えば、Ａｒガスを導入して、真空チャンバ１２内の圧力を、例えば、１．０Ｐａに調整した。

なお、ここで用いた蒸着工程の諸条件の詳細は、以下の通りである。
前述の３種類の基板の処理のそれぞれが終了した後に、真空チャンバ１２内を８×１０^−４Ｐａの真空度まで排気後、Ａｒガスを所定量導入して１．０Ｐａの真空度とした。
そして、基板７０と加熱蒸発部１６（ルツボ５０およびルツボ５２）との間に設けられたシャッタを閉じた状態で、各蒸発源（ＣｓＢｒおよびＥｕＢｒ_２）をそれぞれ抵抗加熱装置で加熱溶融させた。加熱開始から６０分経過後、まず、ルツボ５０側のシャッタだけを開いて、基板７０の直線搬送を開始し、基板７０の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させた。

次いで、ルツボ５０側のシャッタを開いてから所定時間が経過した後に、ルツボ５２側のシャッタも開いて、ＣｓＢｒ蛍光体母体の上へのＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体の堆積を開始した。
なお、堆積速度は６μｍ／分とした。また、加熱蒸発部１６の各々の抵抗加熱装置の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体層におけるＥｕ／Ｃｓのモル濃度比が、０．００３／１となるように制御した。

蒸着終了後、抵抗加熱装置の電源を切り、Ａｒガスの導入を停止した。
次に、真空チャンバ１２内に窒素ガスまたは乾燥空気を導入し、真空チャンバ１２内を大気圧にした。そして、扉１３を開けて、真空チャンバ１２内から基板７０を基板ホルダ３９ごと取り出した。

これにより、基板７０の表面７０ｄには、蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に延びて密に林立した構造の蛍光体層７２が形成された。なお、蛍光体層７２の厚さは７００μｍであり、蛍光体層７２が形成されている面積は４００ｍｍ×４００ｍｍであった。

これに続く処理工程の詳細を、図１０に示す。この図１０は、先に示した図４を詳細化したものである。
ステップ１５２（図４中のステップ９２に対応する）では、蒸着（気相堆積：ステップ１５９（図４中のステップ９０に対応する））時に発生した突起（前述のヒロック）もしくはこれに起因する凹部を検査し、次工程である蛍光体層表面の清掃を行う前にその補修処理工程を行った。

ここでは、前述の押圧手段１１０として、ステンレス製の円柱の先端部が半径：Ｒ＝４ｍｍの球面状のものを用い、押圧手段１１０の押圧力は１．５ｋｇｆ、降下速度は０，０１ｍ／ｓとしている。
なお、この補修処理工程は、専用の密閉されたケース内で行っている。

補修処理工程が完了した蛍光体シートは、次に表面清掃工程（ステップ１５４）に送られる。この表面清掃工程も専用のケース内で行われる。
具体的には、エアーブロー方式のゴミ除去手段を用いて、蛍光体シート表面の清掃を行う。なお、ここでの清掃用エアーの噴出速度は２０ｍ／ｓとしている。

次に、蛍光体シートについて、加湿処理を施す（ステップ１５６（図４中のステップ９４に対応する））。加湿処理の条件は、温度：３０℃、相対湿度：６０％ｒｈ、時間：６ｈｒとしている。この表面清掃工程も専用のケース内で行われる。

次に、加湿処理を施された蛍光体シートについて、感度を上げるために、温度２００℃で２時間、熱処理（ステップ１５８（図４中のステップ９６に対応する））を行った。
なお、熱処理工程においては、まず、蛍光体シートをガス導入可能な真空加熱装置の中に入れ、ロータリーポンプにより真空加熱装置内を約１Ｐａまで減圧し、蛍光体シートに吸着している水分等の除去を行った。
次に、真空加熱装置内を加熱し、そして、Ｎ_２（窒素）ガスを真空加熱容器内に流して、Ｎ_２ガスフロー雰囲気とした。上述の如く、温度２００℃、時間２時間の熱処理条件で熱処理を行った。熱処理後、真空加熱装置から蛍光体シートを取り出し、大気中で冷却した。

次いで、蛍光体シート表面の清掃（ステップ１６０）を行った後、研磨工程（ステップ１６２）に送る。研磨工程囚虜後に、さらに蛍光体シート表面の清掃（ステップ１６４）を行った後、放射線像変換パネルへの加工を行う（ステップ１６６）。

放射線像変換パネルへの加工工程では、まず、蛍光体シートの蛍光体層７２が形成されていない領域に、例えば、ディスペンサー等を用いて接着剤を塗布した。
次いで、ロール状に巻回された防湿保護フィルムを引き出し、熱ラミネーション法により、蛍光体層７２の上に防湿保護フィルムを貼り付けて、外縁を基板の表面に密着させて防湿保護層７４を形成した。
このようにして、放射線像変換パネルを作製した。

本実施例においては、上述のように作製した放射線像変換パネルについて、放射線画像として、一様画像を取得し、この放射線画像（一様画像）における点欠陥を調べた。

ここでの放射線像変換パネルにより得られた放射線画像（一様画像）の点欠陥の測定方法について説明する。
先ず、放射線像変換パネルの表面全面に、タングステン管球を用い、管電圧が８０ｋＶのＸ線を線量１０ｍＲ（２．５８×１０^−６Ｃ／ｋｇ）で照射した後、ラインスキャナ方式の画像読取装置（波長が６６０ｎｍの半導体レーザ光を照射し、放射線像変換パネルの表面から放射された輝尽発光光を、ライン状に受光素子が配置されたＣＣＤで受光するもの）で読み取り、読み取った光（受光した光）を電気信号に変換して、放射線画像として一様画像を得た。この放射線画像（一様画像）をレーザプリンタによりフィルム上に可視像として出力した。

次に、各放射線像変換パネルについて、得られたフィルムに記録された放射線画像（一様画像）について、シャウカステンを用いて放射線画像（一様画像）の中心部の１０ｃｍ×１０ｃｍの範囲（１０ｃｍ□：１００ｃｍ^２）において、白く抜けた点を点欠陥としてその個数を目視により数えた。このようにして、点欠陥の個数を測定した。
１０枚の放射線像変換パネルについて測定した結果では、点欠陥の個数は、１枚当たり０〜２個で、すべて実用に供しうる品質を有することが確認された。

このように、本発明の放射線像変換パネルの製造方法においては、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができた。

なお、本発明は上記実施形態並びに実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいことはいうまでもない。

（ａ）は、本発明の放射線像変換パネルの製造方法に用いられる放射線像変換パネル製造装置の一実施形態を示す模式的断面図であり、（ｂ）はその模式的側断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的正面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の基板保持搬送手段を示す模式的側面図である。 図１（ａ）に示す放射線像変換パネル製造装置の加熱蒸発部を示す模式的平面図である。 一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における、突起もしくはこれに起因する凹部の補修過程を含む工程の概要を示すフロー図である。 一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における突起の補修状況を示す模式側面図である。 一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における凹部の補修状況を示す模式側面図である。 一実施形態に係る放射線像変換パネルの製造方法における突起に起因する凹部の補修状況を示す模式側面図である。 一実施形態の放射線像変換パネルの製造方法により製造された放射線像変換パネルを示す模式的断面図である。 実施例に係る放射線像変換パネルの製造工程の全体を説明するフロー図である。 放射線像変換パネルにおける点欠陥の発生を説明する模式図である。

符号の説明

１０ 放射線像変換パネル製造装置（製造装置）
１２ 真空チャンバ
１４ 基板保持搬送手段
１６ 加熱蒸発部
１８ 真空ポンプ
１９ ガス導入ノズル
２０ 制御部
２２ 駆動手段
２４ ＬＭガイド
２６ （基板）保持手段
３０ 保持部材
３２ ボールネジ
３４ モータ
３６ 基台
３８ 保持機構
４０ 防熱部材
５０，５２ ルツボ
７０ 基板
７０ｂ 基板の溝
７０ｃ 枠
７０ｄ 基板の表面
７２ 輝尽性蛍光体層（蛍光体層）
７４ 防湿保護層
７６ 接着層
８０ 放射線像変換パネル
１００ 突起
１１０ 押圧手段
１２０ （急峻な）凹部
１３０ （大きな急峻な）凹部
１４０ 補修用材料

Claims (14)

1. 真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成して製造される放射線像変換パネルであって、
   前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部が補修処理されていることを特徴とする放射線像変換パネル。
2. 真空チャンバ内で、気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、
   堆積が終了した後に、前記蛍光体層の表面に発生した突起もしくはこれに起因する凹部を補修することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
3. さらに前記蛍光体層の表面を清浄化する清浄化工程を含み、
   前記補修は、堆積が終了した後に、最初に前記清浄化工程を実施するまでの間に実施する請求項２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
4. 前記補修は、前記突起もしくはこれに起因する凹部を上方から押圧することにより行う請求項２または３に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
5. 前記補修における押圧は、先端形状が曲面で構成される治具を用いて行う請求項４に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
6. 前記治具の先端形状が球面で構成されるものを用いる請求項５に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
7. 前記治具の先端形状が半径１ｍｍ〜１０ｍｍの球面で構成されるものを用いる請求項６に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
8. 前記補修は、前記突起を取り除き、そこに生じた孔を所定の補修用材料で埋めることにより行う請求項２または３に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
9. 前記補修において孔を埋める際には、補修用材料として、蛍光体層を構成する材料を用いる請求項８に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
10. 前記補修用材料として、前記形成された蛍光体層を構成する材料と同じ材料を用いる請求項９に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
11. 前記蛍光体層が、輝尽性蛍光体から構成される蛍光体層である請求項２〜１０のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。
12. 前記補修用材料を、粉末状態で用いる請求項８〜１１のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。
13. 前記補修用材料を、バインダーに溶解した状態で用いる請求項８〜１１のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。
14. 前記形成された蛍光体層が柱状結晶により構成されるものである場合においては、前記補修用材料として、別の位置にある柱状結晶を移植して用いる請求項８〜１１のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。

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