JPS6236600A - 放射線像変換パネルの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に
用いられる放射線像変換パネルの製造法に関するもので
ある。

［発明の技術的背景］ 放射線像を画像として得る方法として、従来より銀塩感
光材料からなる乳剤層を有する放射線写真フィルムと増
感紙との組合わせを用いる、いわゆる放射線写真法が利
用されている。最近、上記放射線写真法に代る方法の一
つとして、たとえば特開昭５５−１２１４５号公報など
に記載されているような、輝尽性蛍光体を用いる放射線
像変換方法が注目されるようになった。この放射線像変
換方法は、輝尽性蛍光体を有する放射線像変換パネル（
蓄積性蛍光体シート）を利用するもので、被写体を透過
した放射線、あるいは被検体から発せられた放射線を該
パネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに輝尽性蛍
光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系
列的に励起することにより、該輝尽性蛍光体中に蓄積さ
れている放射線エネルギーを蛍光（ｊｌ尽発光）として
放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電気信号を得
、得られた電気信号を画像化するものである。

上述の放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法
による場合に比較して、はるかに少ない被＠線量で情報
量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするｘＭＡ撮影等の直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値の非常に高いものである。

上記の放射線像変換方法に用いる放射線像変換パネルは
、基本構造として、支持体と、その片面に設けられた輝
尽性蛍光体層とからなるものである。この放射線像変換
パネルも、従来の放射線写真法に用いられる増感紙と同
様に、高感度であって、かつ画質（解像力、鮮鋭度、粒
状性など）の優れた画像を与えるものであることが望ま
れる。

前述の放射線像変換方法において画像の解像力は、放射
線像変換パネルの蛍光体から発せられる輝尽光の広がり
によってではなく、励起光の該パネル内での広がりに依
存して決まる。なぜなら。

放射線像変換パネルに蓄積された放射線エネルギーの蓄
積像は時系列化して取り出されるので、ある時間内にパ
ネルに照射された励起光による輝尽発光は、その時間内
に励起光が照射された蛍光体粒子群からの出力として記
録されるが、励起光が該パネル内で散乱などにより広が
り、照射目標の蛍光体粒子群の外側に存在する蛍光体粒
子をも励起してしまうと、照射目標の蛍光体粒子群より
も広い領域からの出力が記録されるからである。

上記従来の放射線像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体
の粒子は支持体上に設けられた蛍光体層中に分散状態で
存在するために、パネルの蛍光体層に入射した励起光の
一部は輝尽性蛍光体を励起する前に蛍光体等により横方
向（励起光の入射方向に垂直な方向）および逆方向など
に散乱される。横方向に散乱された励起光のみならず、
支持体方向に向かった励起光もまた支持体面で反射され
て広がりを有するようになる。すなわち、蛍光体層が横
方向に連続であるために、励起光が蛍光体を励起して輝
尽光を放射させる前に蛍光体層中で広がってしまい、パ
ネル上に形成されている放射線エネルギーの蓄積像より
も（そして本来の被写体の放射線像よりも）、解像力の
劣ったぼやけた画像情報が得られることになる。

また、放射線像変換パネルの感度を高めるためにパネル
の蛍光体層を厚くした場合には、蛍光体層における励起
光の散乱は一層増して励起光が広がってしまうために、
解像力な゛ど画質の点で不十分なものとなりがちである
。従って、感度と解像力等の画質の両方を同時に高める
ことが困難であった。

放射線像変換パネルの鮮鋭度を向上させる技術として、
特開昭５９−２０２１００号公報には、基板に輝尽性蛍
光体層を設けた放射線画像変換パネルに於て、前記輝尽
性蛍光体が、隔壁部材によって多数個に区切られた小房
から成るハニカム（ｈｏｎｅ７　ｃｏ鳳ｂ）構造の各小
房に充填されていることを特徴とする放射線画像変換パ
ネル、およびその製造方法が開示されている。

上記公報に開示された放射線像変換パネルにおいて、輝
尽性蛍光体が充填される小房の形状に特に限定はなく、
具体的な態様として小房の開口部の口径と深さとの比率
が１２：１９乃至ｌ：３の範囲の程度のものが記載され
ている。また、蛍光体層基板に小房を形成するための具
体的な方法としては、シリコン結晶材からなる母型を用
いて成形加工するなどの型取り法；およびマスクを用い
て感光性樹脂を露光、現像処理する方法、金属板上の感
光性樹脂をパターニングしたのち酸でエツチングする方
法などの浸蝕法が例示されている。

［発明の要旨］ 本発明は、高感度であってかつ画質、特に解像力の向上
した画像を与える放射線像変換パネルの製造法を提供す
ることをその目的とするものである。

すなわち１本発明は、支持体の表面に方向性を有するド
ライエツチングを行なうことにより、支持体の片面に凹
部を規則正しく多数個形成した後、該凹部に輝尽性蛍光
体を充填することからなる放射線像変換パネルの製造法
、および基板の表面に方向性を有するドライエツチング
を行なうことにより、空孔を該基板に規則正しく多数個
形成した後、該空孔に輝尽性蛍光体を充填し、次いでこ
の基板の片面に層を設けることからなる放射線像変換パ
ネルの製造法、 を提供するものである。

本発明の製造法によれば、支持体に凹部が好ましい形状
にて規則正しく形成される。従って、その凹部のそれぞ
れに輝尽性蛍光体を充填して得た放射線像変換パネルは
良好な感度および解像力を示す。

このような特定形状の微小の凹部は、たとえば前記公報
や米国特許第４，３７５，５０７号に例示されている型
取り成形加工あるいは酸などの処理液を用いるウェット
エツチングでは形成することができないものである。す
なわち、型取り加工の場合には、母型は通常絵素間部の
ウェットエツチングによる除去等で作成されるが、この
際に凹部の開口部の口径よりも狭い間隔で絵素間部をエ
ツチングすることは一層困難である。

また、酸によるウェットエツチングでは酸溶液と接触し
た面が均等に浸食されるために、深さ方向に長い凹部を
形成することは殆ど困難である。

また、支持体としてフォトレジスト層を形成し、マスク
によりこのレジスト層をエツチングする場合には、マス
クのパターンエツジで回折された光が大きく広がるため
に、深さ方向に均等に露光されず、従って良好なエツチ
ングが行なわれ難い。

層厚の薄いレジスト層の塗布形成およびパターニング操
作を繰り返す方法も可能であるが操作が煩雑になり、−
回一回のパターニング時のアライメントずれのためのに
、また凹部の形状がいびつになりやすいとの問題がある
。

本発明者は、支持体上に形成された多数の凹部に輝尽性
蛍光体が充填されてなる放射線像変換パネルの製造法に
ついて研究を重ねた結果、特に上記凹部を形成方法とし
てドライエツチングを行なう方法を用いることによって
、高感度であって、かつ解像力など画質の向上した画像
を得ることができることを見い出した。

本発明の支持体（もしくは基板）表面に方向性を有する
ドライエツチングを行なう方法によれば、上記の特定形
状の凹部を規則的に設けることができる。たとえば、方
向性を有するドライエツチングの一種である反応性イオ
ンエツチングを用いた場合には、支持体は一定方向に加
速されたプラズマイオン（イオンビーム）によってエツ
チングされるから、エツチング面の一方向にのみ浸食さ
れることになり、深さ方向に長い凹部を規則的に多数形
成することができる。

従って、本発明の放射線像変換パネルの製造法で形成さ
れた放射線像変換パネルによると、蛍光体粒子は、従来
のように層として存在するのではなく多数の凹部（マイ
クロセル）に局在化して存在するために、マイクロセル
に入射した励起光は該マイクロセル内で散乱あるいは反
射されてもそれ以上に広がりをもつことなく該マイクロ
セル内の蛍光体を励起し、そして各マイクロセル内で励
起された蛍光体から輝尽光が放射される。よって、パネ
ルにおける励起光の横方向への広がりを顕著に防止する
ことができ、高解像の画像を得ることができる。

そして、本発明に係る凹部は開口部の口径に対してその
深さを大きくすることができるから、パネルに入射した
輝尽光の広がりが開口部の口径程度に制限される一方で
、輝尽性蛍光体からの輝尽発光量を高めることができる
。

特に、凹部の内面に光反射層を設けた場合に、より一層
各マイクロセル内に励起光が閉じ込められるために感度
をそれほど低下させることなく上記効果を更に高めるこ
とができる。

［発明の構成］ 以上述べたような好ましい特性を持った放射線像変換パ
ネルは、たとえば、次に述べるような本発明の方法によ
って製造することができる。

本発明において用いられる支持体を構成する基板として
は、Ｘ線などの放射線に対する吸収率が低く、かつ加工
性の優れたものであるのが望ましい。これにより支持体
中での放射線の損失を少なくし、そして支持体表面には
多数の微小の凹部を規則正しく形成することができる。

更に粒状性などの点から、凹部の形状が温度変化によっ
てあまり変形することがないように線膨張率の小さな材
料を用いるのが好ましい。

そのような材料としては、たとえばセルロースアセテー
ト、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等の炭素、水素および窒素原子からなる
有機高分子物質を挙げることができる。更に詳しくは、
化学便覧、応用編、第１Ｏ章ｒ高分子化学工業１、日本
化学全編１９８０年（丸首）に記載されており、これに
記載の物質の中から適当に選択して使用することができ
る。これら材料からなるプラスチックシートにはカーボ
ンブラック、有機染料などの光吸収性物質、あるいは二
酸化チタンなどの光反射性物質が練り込まれていてもよ
く、支持体自体を光吸収性または光反射性とすることも
できる。

この光吸収性物質は、第７図（ａ）に示すように光反射
性物質とともにマイクロセルの内面に設けられていても
よいし、あるいは第７図（ｂ）に示すように光吸収性物
質は支持体中に均一に分散させておき、光反射性物質の
みがマイクロセルの内面に設けられていてもよい（７１
：支持体、７２二マイクロセル、７３：光吸収層、７４
：光反射層、７５：輝尽性蛍光体、７６：光吸収性物質
が分散されてなる支持体、７７：マイクロセル、７８：
光反射層、７９：輝尽性蛍光体）、ここで、光吸収性物
質は光反射層が完全ではなく欠陥等によるもれ光を生じ
た場合に、他のセルにす−クしていくのを防ぐ働きをす
る。

また、基板の材料としては、Ｍｇ、ＡｆＬ、Ｔｉ等の軽
金属；５ｉ０２、Ａ文、０１、ケイ酸アルミニウム等を
主成分とするガラスおよびセラミックスを挙げることが
できる。これらの材料はＸ線吸収率および線膨張率が小
さいことに加えて光反射特性の点で優れており、凹部を
形成した場合にその内面を光反射性とすることができる
。このほかに、上記化学便覧、第６童ｒ窯業Ｊに記載の
物質の中から適当に選択して使用することができる。

支持体にはこれら材料の複合材料を用いることもできる
。たとえば、有機高分子物質からなる基板上に、二酸化
チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、および／
またはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光
吸収層を設けたものであってもよい、具体的には、ポリ
エチレンテレフタレート上に二酸化チタンの光反射層を
設け、この光反射層に前記の凹部をうがつことにより、
自動的に光反射層を凹部内部に設けることができる。

特に、励起光の横方向への広がりを効果的に防止するた
めには、励起光を選択的に吸収する有機染料等で着色さ
れた光吸収層を第７図（ａ）または（ｂ）に示すように
設けるのが好ましい。また、カーボンブラックが練り込
まれた光吸収層は帯電防止性能をも具備する点で好まし
い。

従って、本発明において使用される支持体には、基板の
みからなるもの、および基板表面に光反射層、光吸収層
など各種の層が付設されたものが含まれる。

支持体の片面には、本発明の製造法により特定形状の微
小の凹部（マイクロセル）が規則的に多数形成される。

第１図は、本発明の放射線像変換パネルの製造法によっ
て形成された放射線像変換パネルの典型的な実施態様を
示す。第１図において、パネルは支持体（基板）１１か
らなり、その片面には輝尽性蛍光体の充填された凹部（
マイクロセル）１２が設けられている。

マイクロセルの開口部の形状としては、三乃至十角形、
円形、楕円形など任意の形状を選ぶことができる。また
、マイクロセルの断面形状は、長方形、台形および半楕
円形などのいずれであってもよい。

ただし、本発明において感度および解像力等の画質の点
から、形成されるマイクロセルの開口部の口径ｄ、と深
さｈとの比率（ｄ　、　：　ｈ）は１：３．０以上の範
囲にあるのが好ましく、特に好ましくはｌ：５〜ｌ：３
０の範囲にある。ここで、セル開口部の口径とは、開口
部が円形である場合には直径をいい、開口部が多角形で
ある場合には多角形の最大直線距離をいう。

一般に、マイクロセルの開口部の口径ｄ、は１〜２００
μｍの範囲にあり、セルの深さｈは３．０ルｍ−１ｍｍ
の範囲にある。好ましくは、ｄ、が５〜５０　ｇ　ｍの
範囲にあり、ｈが５〜３００ルｍの範囲にある。

なお、本発明において、凹部（または空孔）の開口部の
口径とは開口部の最大直線距離を意味し、また、凹部の
深さくまたは空孔の長さ）とは支持体（または基板）表
面から垂直な最大距離を意味する。

マイクロセル内の輝尽性蛍光体から発せられた輝尽光を
効率良くマイクロセル外に放出させるためには、第２図
（ａ）に示すように、支持体２１ａ上に設けられたマイ
クロセル２２ａの開口部の口径ｄ１が底部の口径ｄ２よ
りも大きな台形、あるいは（ｂ）に示すように（２１ｂ
’：支持体、２２ｂ二マイクロセル）、半楕円形である
のが好ましい、セルの断面形状が台形である場合には、
開口部の口径ｄ、と底部の口径ｄ２との比率（ｄｌ：ｄ
２）は、通常１１：１０乃至４：１の範囲にあり、好ま
しくは６：５乃至２：１にある。

本発明において、形成されるマイクロセルは支持体表面
に規則正しく配列される。たとえば、第３図（ａ）に示
すような整列であってもよいし、あるいは（ｂ）に示す
ような一列おきに半分ずらした、いわゆる「絵素ずらし
Ｊ配列であってもよい。セルとセルとの間隔ｄ、は一般
に０．５〜２００　ＪＬｒｎの範囲にあり、そしてセル
開口部の面積の総和は支持体の表面積の５０〜９９％の
範囲にある。好ましくは７０〜９０％である。

マイクロセルは方向性を有するドライエツチング法によ
り支持体表面に形成される。その例として、０２ガス、
ＣＣ１，ガス等による反応性イオンエツチング（ＲＩ　
Ｅ　；　ｒｅａｃｔｉｖｅ　ｉｏｎ　ｅｔｃｈｉｎｇ）
を挙げることができる。

具体的には、プラスチックシートからなる支持体上にＡ
ｎ等の金属を蒸着してフォトリソグラフィー、ウェット
エツチング等により金属膜のパターン化を行なった後、
この金属膜をマスクにして０２ガスによる反応性イオン
エツチングを行なう。たとえば支持体が有機高分子物質
からなる場合に、Ａｉと有機高分子物質とのエツチング
比（ＡＪＪ／有機高分子物質）は約１／１０００であり
、支持体のみをエツチングすることができる。

また、有機高分子物質のエツチング速度は該物質の温度
上昇により加速されるから、支持体を８０〜２００℃の
温度範囲で加熱してエツチングを行なうのがよい、たと
えば１００〜１５０℃の範囲の温度であれば、一般にエ
ツチング速度は０．７ｐｍ／分であり、１４０ｇｍの深
さにエツチングするのに約２００分を要する０反応ガス
としては少量のＣＦ、を含む０２ガス（特に１０−２〜
２０モル％のＣＦ４を含む０２ガス）が好ましく、ＣＦ
４ガスプラズマにより該物質中に含まれる微量の金属を
除去すにとができる。この場合、ＡｎマスクはＣＦ４ガ
スプラズマではほとんどエツチングされないので問題は
ない。

なお、上記の反応性イオンエツチングは電気回路等の微
細加工には利用されているが、本発明におけるような画
像記録媒体の製造法に適用された例はなく、公知の方法
では不可能であった開口部の口径が小さく、深さが大き
なマイクロセルの形成が可能となるものである。また、
電気回路等におけるようにエツチング時の高電界により
その機能が破壊されるとの問題もなく、本発明において
は反応性イオンエツチングを好適に利用することができ
る。

他の物質からなる支持体に対しても同様にして反応性イ
オンエツチングを行なうことができるが、その際のマス
ク材の選定については、例えば「半導体プラズマプロセ
ス技術」、菅野卓雄編、１９８０年版（産業図書）の記
載を参考にすることができる。たとえば、Ａｉからなる
支持体はマスクとして５ｉ０２を用い、反応ガスとして
ＣＣｆＬ、ガスを用いることによりエツチングすること
ができる。

また、上記の台形の断面形状にマイクロセルを形成する
ためには、方向性ドライエツチング時における印加電圧
を小さくして一定方向へのイオンの加速を弱めたり、ガ
ス圧を高くして一定方向に加速されたイオンの他のガス
分子との衝突による散乱確率を増加させることにより、
セル側面に傾斜をつけることができる。あるいは、放電
分離型の方向性ドライエツチング法を利用してもよい。

この場合には、放電によりプラズマイオンを形成する電
極と、イオンに方向性を持たせるための電場を形成する
電極とが別であるために、プラズマイオン種の濃度とイ
オンを一定方向に加速する加速電場とをそれぞれ任意に
変化させることができ、その選択範囲がより広くなる点
で好ましい。

なお、放電分離型のものには、プラズマ発生部と方向性
イオンエツチング部とが位置的に離れているもの、およ
び両者は同一の場所にあるがプラズマ発生部の電極対に
直角に方向性イオンエツチング部の電極対が存在するも
のがある０両者の分離性の点からは、前者の位置的に離
れたタイプの方がより好ましい、また、エツチングの方
向性をコントロールするには、平行平板電極間に印加す
る電圧を変えたり、印加する時間と印加しない時間の比
（通常、ｄｕｔｙ比という）を変えたりすることが有効
である。

上記方法については、半導体研究１４ｒａＬｓ工技術微
細加工Ｊ、半導体研究振興全編（工業調査会発行）、お
よび「半導体ハンドブック１第二版、第１Ｏ１１１章、
柳井久義編（オーム社）の記載を参考にすることができ
る。

また、マイクロセルは第４図に示すように、基板４１を
貫通するように孔４２を形成してもよい。この場合には
、形成された空孔に輝尽性蛍光体を充填したのち片面に
光反射層等の層４３を設けてセルの底部を形成する。従
って、マイクロセルは基板４１および層４３を壁面とし
て形成される。ここで、支持体は基板４１と層４３から
なり、このようなＷ成のものも本発明の方法により製造
される放射線像変換パネルに含まれる。この製造法によ
れば、セルを一定の深さにそろえることができ、またセ
ル中の空気等は他方の開口部より排出されるので、これ
らに妨害されずに輝尽性蛍光体粒子を容易かつ迅速に充
填することができる。

また、結合剤の溶媒が両方の開口部から蒸発するので充
填後の乾燥性もよい、さらに、この方法では局部的な異
常放電や、被エツチング材のチャンネリングと呼ばれる
現象に基づく局所的なエツチング速度の上昇等によるエ
ツチング深さのバラツキといった問題が解消されるとの
利点がある。

マイクロセルの内面には、第５図に示すように（５１：
基板、５２二マイクロセル、５３：光反射層または光吸
収層、５４：＃尽性蛍光体）、画質および感度の向上の
点からは光反射層が設けられているのが好ましく、また
鮮鋭度等の画質の点からは光吸収層が設けられているの
が好ましい。

光反射層の材料としては、蛍光体を輝尽発光させるため
の励起光およびその輝尽光（すなわち、可視乃至赤外領
域の光）に対する反射率の高い物質が用いられ、たとえ
ばＡｇ、Ａｎ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔｉ等の金属および
これらの合金、金属ケイ化物；ＴｉＯ２（ルチル型、ア
ナターゼ型）、硫化亜鉛、硫酸バリウム、ダイヤモンド
粉、ＭｇＯ等の白色顔料および有色顔料：マグネシア粉
を挙げることができる。これらのうちで、感度の点から
Ｘ線吸収の少ない物質が好ましく、原子番号の小さなＡ
ｎ、Ｔｉ、ＴｉＯ２、ダイヤモンド粉などが好ましい。

また、光吸収層の材料としては、励起光に対する吸収率
が高くかつ輝尽光に対する吸収率が低い物質が好ましい
。たとえば、カーボンブラック。

および特開昭５５−１６３５００号公報、特開昭５７−
９６３００号公報等に記載されている励起光の波長領域
の光を選択的に吸収する有機染料および顔料が用いられ
る。光吸収層は特に、蛍光の横方向への広がりを防止す
る目的から、マイクロセルの側面部に設けられているの
が好ましい。

マイクロセル内面への光反射層および光吸収層の付設は
１通常の塗布方法により凹部内壁に塗布形成してもよい
し、前記のように支持体上に一様な厚さの光反射層ある
いは光吸収層を設け、この光反射層あるいは光吸収層に
規則的に凹部を穿つ方法を用いてもよい、また支持体を
構成する基板を貫通して空孔が設けられている場合には
、基板表面に光反射性物質または光吸収性物質の分散物
を塗布した後、基板の片面を減圧状態にしておいて該分
散物を孔中を通過させることにより光反射層または光吸
収層を設けてもよいし、あるいは真空蒸若の際、気体状
のＡｉ（例えば、抵抗加熱により蒸発させたＡ！；Ｌ原
子、Ａｎ。分子）を強制的に孔中を通過させることによ
り通常では困ｌｓな細孔内壁へのＡｉ膜の形成を容易に
行なうことができる。この手法に関しては、半導体ガス
ラインに使われている半導体ガスライン用ミリポアフィ
ルタ−を用いる方法を参考にすることができる。

本発明の放射線像変換パネルの製造法に用いられる輝尽
性蛍光体は、先に述べたように放射線を照射した後、励
起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用
的な面からは波長が４００〜９００ｎｍの範囲にある励
起光によって３００〜５００ｎｍの波長範囲の輝尽発光
を示す蛍光体であることが望ましい０本発明の放射線像
変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体の例としては、米
国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている
ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ。

Ｓｍ、Ｔｈ０２　：Ｅｒ、およびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｓｍ、 特開昭５５−１２１４２号公報に記載されているＺｎＳ
：Ｃｕ、Ｐｂ、ＢａＯ＠ｘＡｌ２Ｏ３：Ｅｕ（ただし、
０．８≦Ｘ≦１０）、および、ＭＩＩＯ拳ＸＳｉＯ２：
Ａ（ただし、ＭｌｌはＭｇ。

Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、またはＢａであり、ＡはＣｅ
、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、ＴＩ、Ｂｉ、またはＭｎで
あり、Ｘは、０．５≦Ｘ≦２，５である）、 特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている（　Ｂ
　＆　、−ｘ　−ｙ　、　Ｍ　ｇ　Ｘ　、　Ｃａ　ｙ　
）　Ｆ　Ｘ　：ａＥ　ｕ２“（ただし、ＸはＣｌおよび
Ｂｒのうちの少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、０
くＸ＋ｙ≦０．６、かつｘｙｓｏであり、ａは、１０−
６≦ａ≦５　Ｘ　ｉ　Ｏ−２である）。

特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ（ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ。

Ｇｄ、およびＬｕのうちの少なくとも一つ、ＸはＣｆＬ
およびＢｒのうちの少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴ
ｂのうちの少なくとも一つ、そして、Ｘは、ｏ＜ｘ＜ｏ
　、１である）、特開昭５５−１２１４５号公報に記載
されている（　Ｂ　ａ　ｌ−Ｘ　、　Ｍ　”　Ｘ　）　
Ｆ　Ｘ　’：　ｙ　Ａ　（ただし、Ｍ”はＭｇ、Ｃａ、
Ｓ　ｒ、Ｚｎ、およびｃｄのうちの少なくとも一つ、Ｘ
はＣ！Ｑ、Ｂｒ、および工のうちの少なくとも一つ、Ａ
はＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、
Ｙｂ、およびＥｒのうちの少なくとも一つ、そしてＸは
、０≦Ｘ≦０．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２である）。

特開昭５５−１６００７８号公報に記載されているＭＩ
ＦＸｅ　ｘＡ　：　ｙＬｎ　［ただし、ＭＩｌはＢａ、
Ｃａ、Ｓ　ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、およびｃｄのうちの少なく
とも−ｒ”種、ＡはＢｅｄ、ＭｇＯ，ＣａＯ１ＳｒＯ，
Ｂａｄ、ＺｎＯ，Ａ１２０．、Ｙ２Ｏ１、Ｌａ２０．、
Ｉｎ２０＝、５ｔｏ２、ＴｌＯ□、ＺｒＯ２、Ｇｅｍ、
、５ｎ０２、Ｎｂ２Ｃ）ｙ、、Ｔａ２０ｇ、およびＴｈ
ｅ２のうちの少なくとも一種、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ
、Ｔｍ、Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈａ、Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ
、Ｓｍ、およびＧｄのうちの少なくとも一種、ＸはＣ１
、Ｂｒ、および工のうちの少なくとも−・種であり、Ｘ
およびｙはそれぞれ５　Ｘ　Ｌ　Ｏ−’≦Ｘ≦０．５、
およびＯくｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍
光体、 特開昭５６−１１６７７７号公報に記載されている（　
Ｂａ、−ｘ　＋　Ｍ　’　ｘ　）　Ｆ　２１１＆Ｂ　ａ
　Ｘ　２　：ｙＥｕ、ｚＡ［ただし　ｙＩＭはベリリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛
、およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素
、臭素、および沃素のうちの少なくとも一種、Ａはジル
コニウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種で
あり、ａ、ｘ、ｙ、および２はそれぞれ０，５≦ａ≦１
．２５、Ｏ≦Ｘ≦１．１ｏ−ｓ≦ｙ≦２Ｘ１０−’、お
よびＯ＜ｚ≦１０−２である］の組成式で表わされる蛍
光体、特開昭５７−２３６７３号公報に記載されている
（Ｂａｄ−、、Ｍ”　ｘ）Ｆ２　＃　ａＢａＸ２：ｙＥ
ｕ、ｚＢ［ただし、ＭＨはベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウム
のうちの少なくとも一種、Ｘは１１！素、臭素、および
沃素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およ
び２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０≦Ｘ≦１．１
０−”≦ｙ≦２×１０−１、およびＯ＜ｚ≦２　Ｘ　１
０−’である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５７−２３６７５号公報に記載されている（Ｂａ
ｔ−ｘ　、Ｍ”　３１）　Ｆ２”　ａＢａＸ２：ｙＥｕ
、ｚＡ［ただし、Ｍ”はベリリウム、マグネシウム、カ
ルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウムの
うちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃素の
うちの少なくとも一種、Ａは砒素および硅素のうちの少
なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、および２はそれぞれ
０．５≦ａ≦１．２５．０≦Ｘ≦１．１０−６≦ｙ≦２
×１０−１、およびＯ＜Ｚ≦５Ｘ１０−’である］の組
成式で表わされる蛍光体。

特開昭５８−６９２８１号公報に記載されているＭ璽Ｏ
Ｘ：ｘＣｅ［ただし、Ｍ璽はＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ。

Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＢｉからなる群より選ばれる
少なくとも一種の三価金属であり、ＸはＣ１およびＢｒ
のうちのいずれか一方あるいはその両方であり、ＸはＯ
＜ｘ＜０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５８−２０６６７８号公報に記載されているＢ　
ａ　ｒ−ｘ　Ｍ　ｘ　／２　Ｌ　ｘ　／２　Ｆ　Ｘ　：
　ｙ　Ｅ　ｕ　２◆［ただし、ＭはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒ
ｂ、およびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属を表わし；Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ
、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、　Ｄｙ、Ｈｏ
、Ｅｒ、Ｔｍ、　Ｙｂ、　Ｌｕ、　ＡｆＬ、　Ｇａ、　
Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選ばれる少なくとも一
種の三価金属を表わし；Ｘは、Ｃ１、Ｂｒ、および工か
らなる群より選ばれる少なくとも一種の）＼ロゲンを表
わし；そして、Ｘは１０−２≦Ｘ≦０．５、ｙはｏ＜ｙ
≦０．１である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５９−２７９８０号公報に記載されているＢａＦ
Ｘ＊　ｘＡ　：　ｙＥｕ”　［ただし、Ｘは、Ｃ１、Ｂ
ｒ、およびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種の
ハロゲンであり；Ａは、テトラフルオロホウ酸化合物の
焼成物であり；そして、Ｘは１０−６≦Ｘ≦０．１．７
はｏ＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍光体
、 特開昭５９−４７２８９号公報に記載されているＢ　ａ
　Ｆ　Ｘ−ｘ　Ａ　：　ｙ　Ｅ　ｕ　”　［ただし、Ｘ
は、Ｃ１、Ｂｒ、および工からなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンであり；Ａは、ヘキサフルオロケ
イ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジ
ルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘキ
サフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化合
物の焼成物であり；そして、Ｘは１０−６≦Ｘ≦０．１
、ｙはｏ＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍
光体、特開昭５９−５６４７９号公報に記載されている
ＢａＦＸ＠ｘＮａＸ’：ａＥｕ”　［ただし、Ｘおよび
Ｘ′は、それぞれＣ１，Ｂｒ、および工のうちの少なく
とも一種であり、ＸおよびａはそれぞれＯ＜ｘ≦２、お
よびＯｖａ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光
体、 特開昭５９−５６４８０号公報に記載されているＭ”　
ＦＸｅ　ｘＮａＸ’：ｙＥｕ”：　ｚＡ　［ただし１Ｍ
Ｋは、Ｂａ、Ｓｒ、およびＣａからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；ｘおよびＸ
′は、ソＩ’ＬツレＣｌ　、　Ｂ　ｒ　。

および■からなる群より選ばれる少なくとも一種ノハロ
ゲンチあり；Ａは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、およ
びＮｉより選ばれる少なくとも一種の遷移金属であり；
そして、ＸはＯ＜Ｘ≦２、ｙはｏ＜ｙ≦０．２、および
２は０＜ｚ≦ｔｏ−２である］の組成式で表わされる蛍
光体、 特開昭５９−７５２００号公報に記載されているＭ”　
ＦＸｅ　ａＭ’Ｘ’　ｅ　ｂＭ”　Ｘ”２會ｃＭ”Ｘ″
’３ｅｘＡ：ｙＥｕ”［ただし、Ｍ璽はＢａ、Ｓｒ、お
よびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ土類金属であり；ＭｌはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒ’ｂ、
およびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ金属であり；Ｍ゛１はＢｅおよびＭｇからなる群
より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり；Ｍｌは
Ａｎ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選ばれる
少なくとも一種の三価金属であり；Ａは金属酸化物であ
り；Ｘは０文、Ｂｒ、お“よび工からなる群より選ばれ
る少なくとも一種の）＼ロゲンであり；Ｘ’、ｘ”、オ
ヨびｘ”ｔ＊、Ｆ、Ｃ１、Ｂｒ、およびＩからなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そして、
ａはＯ≦ａ≦２、　ｂは０≦ｂ≦１Ｏ−２、ＣはＯ≦Ｃ
≦１０−’、かツａ　＋　ｂ　＋　ｃ≧１０−’−１’
あり；Ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙはｏ＜ｙ≦０．２である
］の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５８−１９３１６１号明細書に記
載されているＭ”Ｘ２・ａＭ”Ｘ’２：ｘＥｕ２°［た
だし、ＭｌｌはＢａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選
ばれる少なくとも−・種のアルカリ土類金属であり；Ｘ
およびＸ”は０文、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれ
る少なくとも一種のハロゲンであって、かつＸ≠Ｘ′で
あり；そしてａは０．１≦ａ≦１０．０．ｘはＯ＜Ｘ≦
０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、本出願人
による特願昭５８−２０８７２７号明細書に記載されて
いるＭ”　ＦＸｅ　ａＭ’Ｘ’　：　ｘＥｕ”［ただし
、Ｍ璽はＢａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ土類金属であり、　Ｍ　ｌは
ＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種
のアルカリ金属であ’にＸはＣ！２．、Ｂｒおよび■か
らなる群より選ばれる少なくとも一種の／翫ロゲンであ
り；ｘｏはＦ、Ｃ１、ＢｒおよびＩからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてａおよび
ＸはそれぞれＯ≦ａ≦４．０およびＯ＜Ｘ≦０．２であ
る］の組成式で表わされる蛍光体、本出願人による特願
昭６０−７０４８４号明細書に記載されているＭ’Ｘ：
ｘＢｊ［ただし。

ＭｌはＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくと
も−・種のアルカリ金属であり；Ｘは（ＩＬ、Ｂｒおよ
びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲン
であり；そしてＸはＯ＜ｘ≦０゜２の範囲の数値である
］の組成式で表わされる蛍光体、 などを挙げることができる。

また、上記特願昭５８−１９３１６１号明細書に記ａさ
ｔｔ−ｃいるＭｉ　ｘ２拳ａＭ”　Ｘ　’　２：　ＸＥ
　ｕ　”蛍光体には、以下に示すような添加物がＭ”Ｘ
２・ａＭ”Ｘ’２１モル当り以下の割合で含まれていて
もよい。

本出願人による特願昭５９−２２１６９号明細書に記載
されているｂＭ’Ｘ”　（ただし、ＭｌはＲｂおよびＣ
ｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金
属であり、Ｘ”はＦ、Ｃ１、Ｂｒおよび■からなる群よ
り選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ
はｏ＜ｂ≦１０．０である）；特願昭５９−７７２２５
号明細書に記載されているｂＫＸ”・ｃ　Ｍ　ｇ　Ｘ″
°２・ｄ　Ｍ　”　Ｘ″″’３　（ただし、ＭｌはＳｃ
、Ｙ、Ｌａ、。

ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種
の三価金属であり、Ｘ”、Ｘ″゛およびＸ″”はいずれ
もＦ、Ｃ１、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種のハロゲンであり、そしてす、ｃおよびｄは
それぞれ、０≦ｂ≦２．０．０≦Ｃ≦２．０．０≦ｄ≦
２．０であッテ、かつ２　Ｘ　１０−’≦ｂ＋ｃ＋ｄで
ある）；特願昭５９−８４３５６号明細書に記載されて
いる７Ｂ（ただし、ｙは２Ｘ１０−’≦ｙ≦２Ｘ１０−
’である）；特願昭５９−８４３５８号明細書に記載さ
れているｂＡ（ただし、Ａは５ｉ０２およびＰ２０！ｌ
からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物であり
、そしてｂは１０”４≦ｂ≦２Ｘ１０−’である）；特
願昭５９−２４０４５２号明細書に記載されているｂｓ
ｉｏ（ただし、ｂはｏ＜ｂ≦３　Ｘ　１０−２である）
：特願昭５９−２４０４５４号明細書に記載されている
ｂＳｎＸ”２（ただし、Ｘ　ＩＩはＦ、ＣＪＩ、Ｂｒお
よび工からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲ
ンであり、そしてｂはｏ＜ｂ≦１０−’である）；本出
願人による特願昭６０−７８０３３号明細書に記載され
てイルｂ　ＣｓＸ”　＊　ｃ　Ｓ　ｎＸ”ｚ　（りだし
、Ｘ”およびＸ”°はそれぞれＦ、Ｃ１，Ｂｒおよび工
からなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであ
り、そしてｂおよびＣはそれぞれ、ｏ＜ｂ≦１Ｏ９０お
よび１Ｏ−６≦Ｃ≦２　Ｘ　ｌ　Ｏ−”である）；およ
び本出願人による特願昭６０−７８０３５号明細書に記
載されているｂＣｓＸ″ｅｙＬｎ”″（ただし、Ｘ″は
Ｆ、Ｃ１，ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり、ＬｎはＳｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈａ、Ｅｒ、Ｔｍ
、ＹｂおよびＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一
種の希土類元素であり、そしてｂおよびｙはそれぞれ、
ｏ＜ｂ≦ｌ０９０および１０−’≦ｙ≦１．８Ｘ　１０
−’である）。

上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活ア
ルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体および希土類元素
賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽
発光を示すので特に好ましい。ただし、本発明の製造法
に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体に限られるも
のではなく、放射線を照射した後に励起光を照射した場
合に輝尽発光を示す蛍光体であればいかなるものであっ
てもよい。

マイクロセルへの輝尽性蛍光体の充填は、たとえば以下
のようにして行なうことができる。

上記輝尽性蛍光体粒子と結合剤とを適当な溶剤（たとえ
ば、低級アルコール、塩素原子含有炭化水素、ケトン、
エステル、エーテル）に加え、これを充分に混合して、
結合剤溶液中に蛍光体が均一に分散した分散液を調製す
る。

結合剤の例としては、ゼラチン等の蛋白質、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、ポリウレタン、ポリビニルア
ルコール、ポリアルキル（メタ）アクリレート、線状ポ
リエステルなどような合成高分子物質などにより代表さ
れる結合剤を挙げることができる。

分散液における結合剤と蛍光体との混合比は、通常は１
：８乃至１：４０（重量比）の範囲から選ばれる。この
分散液を支持体上に塗布することにより各マイクロセル
に充填したのち乾燥する。

また、結合剤として光架橋型のポリマーを用い光照射で
硬化させたり、たとえばアラルダイト等の二液を混合し
硬化させる有機物を用いたりすれば、溶剤を用いる方法
に比べて溶剤の乾燥負荷がなくなり有利である。

あるいは、輝尽性蛍光体粒子のみを直接にマイクロセル
に充填してもよいし、また蒸着法により充填してもよい
。

なお、基板を突き抜けて空孔が設けられている場合に、
基板の片面を減圧状態にしておけば（例えば、上面圧／
下面圧＝１．０〜１０’）、更に容易かつ迅速に蛍光体
の充填を行なうことができる。

第６図に示すように、支持体上に更に蛍光体層が１〜５
０７１ｍの範囲の層厚で設けられていてもよい（６１：
基板、６２：マイクロセル、６３：蛍光体層）、この場
合には、上記品持性に加えて画像の粒状消失効果があり
、より高画質を得ることができる。

輝尽性蛍光体が充填された支持体（または蛍光体層）と
には、透明な保護膜が設けられていてもよい、保護膜を
設けることにより、蛍光体粒子をマイクロセル中に安定
に保持させ、かつ増感スクリーンを物理的および化学的
に保護することができる。透明保護膜の材料の例として
は、酢酸セルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンを挙げることが
できる。また、前記支持体の材料として述べた有機高分
子物質および無機物質の中から適宜選択してもよい、透
明保護膜の膜厚は、通常約３乃至２０μｍである。

画質を向上させるために、保ｖ１膜のマイクロセルとマ
イクロセルとの間に相当する部分を前記の励起光を選択
的に吸収するような着色剤で着色してもよい。

次に本発明の実施例および比較例を記載する。

ただし、これらの各個は本発明を制限するものではない
。

［実施例１］ ポリエチレンテレフタレートフィルム（基板、厚み：２
０ルｍ）上に二酸化チタン（Ｔ　ｉ　Ｏ２）のゼラチン
分散液（硬膜剤、粘度調整剤、界面活性剤等の添加剤を
含む）を塗布し、乾燥することにより、層厚が約１７０
　ｐｍの光反射層を形成して、支持体を得た。

光反射層上にＡｎを真空蒸着し、更゛にフォトレジス）
　（ＡＺ１３５０、シプレー社）をスピンコーティング
したのち紫外線により露光し、アルカリ溶液で現像処理
してレジスト層のバターニングを行なった０次いで、リ
ン酸：硝酸：酢酸：水＝７６：１３：１５：１６の液で
４分間エツチングして、Ａｎ膜のパターニングを行なっ
た。このＡｎ膜をマスクとしてＱ２＋ｃＦａ　（２モル
％）プラズマによるＲＩＥドライエツチング法により、
開口部の形状が六角形で断面の形状が長方形の多数のマ
イクロセル（開口部の−・辺の長さ：１０ｇｍ、深さ：
１６０ｐｍ、１０００口径：深さ＝ｌ二８、セル間隔：
５ｐ、ｍ）を光反射層中に形成した。

ＲＩＥドライエツチングは、第８図に示すような平行電
極型プラズマ装置を用いて行なった。まず、上記Ａｎ膜
の付設された基板（試料）８０をプラズマ装置の陰極８
１に設とし、リークバルブ８３．８４を開いて０２＋Ｃ
Ｆ４（２モル％）ガスを矢印の方向に導入したのち高周
波電力を陰極８１と陽極８２の間にかけた。プラズマ中
で発生した０°カチオンは電極方向に加速されて直進し
て試料８０に垂直に入射し、基板上の光反射層はＡＭマ
スクパターンに忠実にエツチングされた。

ＡＩとゼラチンとのエツチング比は１／ｌ　ＯＯＯ程度
であるから、垂直な方向性をもってエツチングが行なわ
れた。なおこの時、ゼラチンは酸素と反応して二へ娑化
炭素及び水となる。また、Ａｎ膜表面は酸化アルミニウ
ムとなるがエツチングされることは殆どない。

次に、輝尽性の二価ユーロピウム賦活弗化臭化バリウム
蛍光体（ＢａＦＢｒ：Ｅｕ”″）の粒子と線状ポリエス
テル樹脂との混合物にメチルエチルケトンを添加し、さ
らに硝化度１１．５％のニトロセルロースを添加した後
充分に攪拌混合して。

蛍光体粒子が均一に分散し、結合剤と蛍光体との混合比
が１：２０（重量比）、かつ粘度が２５〜３５ＰＳ　（
２５℃）の分散液を調製した。この分散液を支持体上に
塗布乾燥して各マイクロセルに蛍光体分散物を充填した
。

このようにして、基板と蛍光体が充填されたマイクロセ
ルを有する光反射層とから構成された放射線像変換パネ
ルＡを製造した。

［比較例１］ 実施例１において、光反射層上にマイクロセルを形成す
る代りに蛍光体分散液を直接に塗布乾燥して１層厚が約
１２０Ｂｍの蛍光体層を形成すること以外は実施例１の
方法と同様の操作を行なうことにより、基板、光反射層
および蛍光体層から構成された放射線像変換パネルＢを
製造した。

［比較例２］ 実施例１において、光反射層りに開口部の形状が六角形
で断面の形状が長方形の多数のマイクロセル（開口部の
一辺の長さ：２５ルｍ、深さ：５０Ｂｍ、開口部の口径
：深さ＝１：１．セル間隔：５ｇｍ）を形成すること以
外は実施例１の方法と同様の操作を行なうことにより、
基板、光反射層および蛍光体層から構成された放射線像
変換パネルＣを製造した。

次に、上記放射線像変換パネルＡ、ＢおよびＣそれぞれ
について解像力試験により評価した。

放射線像変換パネルに、１８０ｃｍの距離をおイテ管電
圧８０ＫＶｐ、管電ｆｉｉ、　２５０　ｍ　Ａ　（７）
　Ｘ線を解像力チャート（鉛製の５０μｍ厚のスリット
チャート板、化成オプトニクス社製）を介して照射した
のち、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長６３３ｎｍ）で走査
して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器
（分光感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光して電気信号
に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生
して感光フィルムとに画像を得た。得られたそれぞれの
画像を顕微鏡で目視検査し、ラインの判別が可能な位置
を測定した。

その結果を相対感度とともに第１表に示す。

以下余白 第１表 解像力　　　　相対感度 （ＪＬｐ／ｍｍ） 実施例１　　　　２０　　　　　　１００比較例１　　
　　８　　　　　　８０ 比較例２　　　　９　　　　　　５０ ｆＪＳ１表にまとめられた結果から明らかなように、本
発明の製造法により製造された特定形状のマイクロセル
構造を有する放射線像変換パネル（実施例１）は、従来
の蛍光体層を有する放射線像変換パネル（比較例１）お
よび公知のマイクロセル構造を有する放射線像変換パネ
ル（比較例２）と比較して、感度をそれほど低下させる
ことなく高解像の画像を与えた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の製造法により製造された放射線像変
換パネルの一態様を示す部分断面図である。 第２図および￥ｌＳ４図〜第７図はそれぞれ、本発明の
製造法により製造された放射線像変換パネルの別の実施
態様を示す部分断面図である。 第３図（ａ）および（ｂ）は、本発明の製造法により製
造された放射線像変換パネルの二態様を示す部分平面図
である。 第８図は、本発明の製造法に用いられる平行電極型プラ
ズマ装置の概略図である。 ｌｌ：支持体、１２二マイクロセル。 ８０：試料、８１：陽極電極、 ８２：陰極電極、８３．８４＋バルブ 特許出願人　富士写真フィルム株式会社代　理　人　弁
理士　　柳　川　泰　男第１図 （ｂ）　　　　　　　　　　　　　　　（ｔ））第４図 第５図　　　　　　□ 第６図 第７図 （ａン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　（ｂン第８図 ８２　　　　８Ｑ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、支持体の表面に方向性を有するドライエッチングを
   行なうことにより、支持体の片面に凹部を規則正しく多
   数個形成した後、該凹部に輝尽性蛍光体を充填すること
   からなる放射線像変換パネルの製造法。 ２、上記方向性を有するドライエッチングが反応性イオ
   ンエッチングであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の放射線像変換パネルの製造法。 ３、上記凹部における開口部の口径と深さとの比率が１
   ：３．０以上の範囲にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の放射線像変換パネルの製造法。 ４、上記凹部の開口部の口径が１乃至２００μｍの範囲
   にあり、そして凹部の深さが５μｍ乃至１ｍｍの範囲に
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射
   線像変換パネルの製造法。 ５、上記凹部の断面形状が、長方形もしくは開口部の口
   径が底部の口径よりも大きな台形であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネルの製
   造法。 ６、上記凹部の断面形状が台形であって、凹部の開口部
   の口径と底部の口径との比率が１１：１０乃至４：１の
   範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載
   の放射線像変換パネルの製造法。 ７、基板の表面に方向性を有するドライエッチングを行
   なうことにより、空孔を該基板に規則正しく多数個形成
   した後、該空孔に輝尽性蛍光体を充填し、次いでこの基
   板の片面に層を設けることからなる放射線像変換パネル
   の製造法。 ８、上記方向性を有するドライエッチングが反応性イオ
   ンエッチングであることを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項記載の放射線像変換パネルの製造法。 ９、上記空孔における開口部の口径と長さとの比率が１
   ：３．０以上の範囲にあることを特徴とする特許請求の
   範囲第７項記載の放射線像変換パネルの製造法。 １０、上記空孔の開口部の口径が１乃至２００μｍの範
   囲にあり、そして空孔の長さが５μｍ乃至１ｍｍの範囲
   にあることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の放
   射線像変換パネルの製造法。 １１、上記空孔の断面形状が、長方形もしくは一方の開
   口部の口径が他方の開口部の口径よりも大きな台形であ
   り、そして開口部の口径の小さい側の基板表面に層を設
   けることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の放射
   線像変換パネルの製造法。 １２、上記空孔の断面形状が台形であって、空孔の一方
   の開口部の口径と他方の開口部の口径との比率が１１：
   １０乃至４：１の範囲にあることを特徴とする特許請求
   の範囲第１１項記載の放射線像変換パネルの製造法。 １３、上記空孔が形成された基板の上面に対して下面を
   減圧にして、輝尽性蛍光体を結合剤溶液に分散してなる
   分散液を該空孔に充填することを特徴とする特許請求の
   範囲第７項記載の放射線像変換パネルの製造法。 １４、上記方向性を有するドライエッチングをプラズマ
   発生部とドライエッチング部とを位置的に分離させて行
   なうことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の放射
   線像変換パネルの製造法。