JPS61142497A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法に
関するものである。

【従来技術１　　　　　　　　　・ Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）ニ照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しな−）で蛍
光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるように
なった。−゛ この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射Ｍｌ像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生してしも良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、　−前述の蛍光
スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線
吸収率及び光変換率（両者を含めて以下ｒｔ射線感度」
という）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良（
、しかも高鮮硯性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μ−程度の粒子状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布・乾燥して形成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高く
するには第６図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体層の層
厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２０Ｇμ
−のときに輝尽性蛍光体の耐着量は５０醜ｇ／ｃ論２で
あり、層厚が３５０μｌＩまでは放射線感度は直線的に
増大して４５０μ−以上で飽和する。尚、放射線感度が
飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚（なり過ぎると、輝
尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため輝尽性蛍光
体層内部での輝尽発光が外部に出でこなくなるためであ
る。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第６図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽発光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり
、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が
必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層め構造的乱れ（
構造モ）ル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モ）ルが増加したり構造的乱
れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下
を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝
尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と画像の鮮鋭性とが
輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示す
ので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感度
と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成されて
きた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パ
ネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広−が９によって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
（、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ）に照射
さ八た輝ｐＬ１１１１起光によろ輝尽発光は望ましくは
全て採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該
パネル上のある画素（ｘＬｙｉ）からの出力として記録
されるが、もし輝！−励起光が該パネル内で散乱等によ
り広がり、照射画素（ｘＬｙ＋）の外側に存在する輝尽
性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘｉｔｙｉ）な
る画素からの出力としてその画素よりも広い領域からの
出力が記録されてしまうからである。従りて、ある時間
（ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、そ
の時間（ｔｉ）に輝尽励起光が真に照射されでいた該パ
ネル上の画素（ｘＬｙｉ）からの発光のみであれば、そ
の発光がいかなる広がりを持つものであろうと得られる
画像の鮮鋭性には影響がない。 このような情況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されで米た０例えば特開昭５５−１
４６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３
５００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の
輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さく
なるように着色する方法等である。しかし、これらの方
法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下して
いまい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放
射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しない放射線画像変換パネルを提案しでいる。これ
によれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が着しく向
上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向Ｅするので、
前記放射線画像変換パネルの放射線に対する感度と画像
の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も改善さ
れる。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことな（且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなりて米でいる。 【発明の目的］ 本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射ＩＩＩＡＩｌ像変換パネル
を提供することにある。 本発明の他の目的は粒状性が向上すると共に、鮮鋭性の
高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供すること
にある。 また前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を満
足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。 【発明の構成】 前記本発明の目的は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像
変換パネルにおいて、表面に多数の微細な凹凸パターン
を有する支持体と、前記支持体上に竺記表面構造をその
まま引き継警１．だ微細柱状プａフク構遺から成る輝尽
性蛍光体層とを有することを特徴とする放射線画像変換
パネル及びその製造方法によって達成される。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以後意
味明晰な場合にはパネルと略称することがある）の断面
図である。同図（ｂ）は前記微細柱状ブロック構造を有
する輝尽性蛍光体層をまだ設けてし１ない時の、凹凸パ
ターンを有する支持体の厚み方向の断面図である。 前記の支持体上に於る分布パターンは任意であってよい
、第２図に該分布パターンの例として（ａ）。 （ｂ）及Ｖ　（ｃ）として示した。 尚第１図及び第２図に於いて同記号は機能的に互いに同
義である。 第１図に於いて１０はパネル、１ｌｉｊは支持体の有す
る凸部であＱ　（１１ｉＤはその凹部である。１２は支
持体である。１３ｉｊは前記凸部１１．ｉｊをそのまま
引き継いだ輝尽性蛍光体の一つ一つの微細柱状ブロック
であり、（１３ｉｊ）は前記！！ＩＷ６（ｌｌｉｊ）を
引き継−いだ一つ一つの微細柱状ブロックである。 前記１３ｉｊ及び（１３ｉｊ＞によって本発明に係る微
細柱状ブロック構造から成る輝尽性蛍光体層１３が形成
される。 前記凸部１１ｉｊ及び凹部（ｌｌｉｊ）の平均的径は１
０〜４００μ−が好ましく１５〜１００μ−が更に好ま
しい。 虫た輝尽性蛍光体層１３の厚みはパネルの放射線に対す
る感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるがｌＯ〜
１０００μ論の範囲であることが好ましく、２０〜８０
０μ−の範囲であることが更に好ましい。 更に前記支持体の門凸面には必要に応じ、輝尽性蛍光体
層の接着を助けるための接着層、或は輝尽励起光及び／
又は輝尽発光の反射層或は吸収層を設けてもよい。 前記輝尽性蛍光体層１３は輝尽性蛍光体の堆積時におい
て支持体面上の凹凸構造を維持して順次結晶生長しなが
ら堆積するため、凹部（ｌｌｉｊ）上に生長だ微細柱状
ブロック（１３ｉｊ）と、凸部１１ｉｊ上に生長した微
細柱状ブロック１３ｉｊとの境界は結晶的に不連続とな
り、柱状ブロック（１３ｉＤと柱状ブロック１３ｉｊと
は光学的に互いに独立した構造となる。 その−ため、前記光学的に互いに独立な微細柱状ブロッ
ク構造を有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入射する
と、該励起光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果によ
り柱状ブロック内面で反射を繰り返しながら外に散逸す
ることなく柱状ブロックの底にまで到達し、吸収される
か或は反射されて再び柱状ブロック内面で反射しながら
柱状ブロックの柱方向に出る。従って輝尽励起の機会を
増大しながら輝尽発光による画像の鮮鋭性は著しく増大
される。 尚本発明においては第３図に示すように、輝尽性蛍光体
層１３を堆積後、支持体表面の凸部１１ｉｊが露出する
ように輝尽性蛍光体層を研磨した構造のパネルであって
もよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
１１ｋ（輝尽励起）により、最初ガ光もしくは高・エネ
ルギーの放射葆の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光
体を言うが、実用的な面から好ましくは５００１以上の
輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発
明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体と
しては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されて
いるＢａＳＯ４：ＡＸ（但しＡはＤｙ＊Ｔｂ及びＴｗの
うち少な（とも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モ
ル％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４
８８号記載のＭ。 Ｓ　Ｏ、：Ａ　ｘ（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいず
れかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表さ
れる蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されて−
いるＳｒＳ　０４：Ａ　Ｘ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴ
−のうち少なくとも１種でありＸは０．００１≦ｘ〈−
１モル％ある。）で表わされている蛍光体、特開昭５１
−２９８８９号に記載されているＮａ２５Ｏｎ−ＣａＳ
Ｏｎ及びＢ　ａ　Ｓ　０４等にＭ　ｎ　＊　Ｄ　ｙ及び
Ｔｂのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５
２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、Ｌ　ｉＦ　
ＭｇＳ　Ｏ、及びＣ＊　Ｆ　２等の蛍光体、特開昭５３
−３９２７７号に記載されているＬ　１２Ｂ４０　ｔ：
ｃｕ、Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記
載されているＬ　ｉｚＯ・（Ｂ　２０　ｚ）ｘ：Ｃｕ（
但しＸは２〈×≦３）、及（／ＬｉｚＯ・（ＢｚＯ２）
ｘ：Ｃｕ＊Ａｇ（但し×は２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米
国特許３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：
Ｃｅ、５ＩＩｌ、ＳｒＳ；Ｅｕ、８１１％Ｌａ、Ｏ，Ｓ
：Ｅｕ、Ｓｓ及び（Ｚ　ｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ　（
但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。 また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式がＢ　ａＯ−ＸＡ　１２
０　、：Ｅ　ｕ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わされる
アルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭ”　０−ｘ
Ｓ　ｉｏ、：Ａ（但しＭｌはＭｇ。 Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ、Ｔｂ
、Ｅｕ。 Ｔｍ＝Ｐｂ、Ｔｌ、Ｂｉ及びＭｎのうち少なくとも１種
であり、Ｘは０．５≦Ｘ≦２．５である。）で表わされ
るアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また
、一般式が （Ｂａ　　　　　Ｍｇ　　Ｃａ　　）ＦＸ：　ｅＥｕ”
ｘ−ｙｘｙ （但しＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであ’）
　、ＸｔＦ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ
≠Ｏ及び１０−＠≦ｅ≦５Ｘ１Ｇ−”なる条件を満たす
数である。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物
蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一
般式がＬ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａｔＹｔＧｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣ１及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されて
いる一般式が （但しＭｌは、Ｍ８．Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのうち
の少な（とも１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びｌのうち少な
くとも１つを、ＡはＥｕｙＴｂ、ＣｅｔＴ＋＊ｔＤｙｔ
ＰｒｔＨＯｙＮｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくと６１
つを、Ｘ及びｙは０≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０．２な
る条件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭
５５−８４３８９号に記載されでいる一般式がＢ　ａＦ
　Ｘ　：ｘＣｅｔｙＡ　（但し、ＸはＣ！、Ｂｒ及びＩ
のうちの少なくとも１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　Ｉ、Ｇｄ、
Ｓ曽及びＺｒのうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙ
はそれぞれ０＜ｘ≦２Ｘ１０−’及び０＜ｙ≦５Ｘ１０
−”である。）で表される蛍光体、特開昭５５−１６０
０７８号に記載されている一般式がＭｘＦＸ−ｘＡ：ｙ
Ｌｎ （但しＭｌはＭｇ、Ｃａ＋Ｂａ＊Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄの
うちの少なくとも１種、ＡはＢ　ｅ　Ｏ＊　Ｍ　ｇ　Ｏ
？　Ｃａ　Ｏｔ　ＳｒＯ＝ＢａＯｔＺｎｏ　−Ａ　Ｉｚ
Ｏ３−Ｙ　、ＯＨＬａｚＯＩｔ　Ｉ　ｎｚＯｙ−Ｓ　ｉ
ｏ　２−　Ｔ　ｉｏ　２１　Ｚ　ｒｏ　２−Ｇ　ｅｏ　
２．Ｓ　ｎｏ　２＊Ｎ　ｂｔＯｓ、　Ｔ　ａ２’Ｏ、及
ｖＴ　ｈＯ、のうちの少な（とも１種、ＬｎはＥｕｔＴ
ｂｔＣｅ、Ｔｅｅ、Ｄｙ＊Ｐ’ｒｓＨｏｔＮｄｔＹｂｔ
ＥｒｔＳＩ＋及びＧｄのうちの少なくとも１種であり、
ＸはＣＩ、Ｂｒ及び■のうちの少なくとも１種であＩ）
、Ｘ及びｙはそ枕ぞれｓ　ｘ　ｔｏ−５≦×≦０．５及
びｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で表さ
れる希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、
一般式がＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　
：Ａ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及Ｖｃｄｓ：Ａ、Ｘ（但しＡは（
、ｕｌＡｇ＋Ａｕｗ又はＭｎであり、Ｘはハロゲンであ
る。）Ｃ表される蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号
に記載されている一般式〔１〕又は（ＩＩ）、 一般式（１）　　　ＸＭ　３（Ｐ　Ｏ４）２・Ｎ　Ｘ　
２：ｙＡ一般式（ＩＩ　）　　　　Ｍ　ｊ（Ｐ　Ｏ４）
２・ｙＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　［ｉ＋　Ｃａ
ｔ　Ｓ　ｒｔ　Ｂ　ａｌＺｎ及びＣｄのうち少なくとも
１種、ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒｗ及び■のうち少な（とも１種、ＡはＥ　ｕ、　Ｔ
　ｂ。 Ｃｅ、Ｔ　ｍｓＤ　ＦＯＰ　ｒｔＨｏ＊Ｎ　ｄ＊　Ｅ　
ｒｔｓ　ｂｔＴ　ｌ＋Ｍｎ及びＳｌのうち少なくとも１
種を表す、また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１な
る条件を満たす数である。）で表される蛍光体、一般式
（１）又は（ＩＶ）一般式（ＩＩＩ　　］　　　　ｎＲ
ｅＸ、・ｍＡＸ’　　２：ｘＥｕ一般式（１％Ｆ）　　
　ｎＲｅＸ＝・ｍＡＸ’　　２：ｘＥｕｗｙＳ、ｍ（式
中、ＲｅはＬ　ａ　＝　Ｇ　ｄ　−Ｙ　＊　Ｌ　ｕのう
ち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ
、Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、ＣＩ、
Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及びｙは
、ｌＸｌ０−　　’＜ｘ＜　３　Ｘｌ０−　　’、Ｉ　
Ｘｌ０−　　’＜ｙ＜　Ｉ　Ｘｌ０−’なる条件を満た
す数であり、ｎ７ｍはＩ　Ｘ　１０−’　＜　ｎ７ｍ＜
　７　Ｘ　１０−’なる条件を満たす。）で表される蛍
光体、及び 一般式 ％式％： （但し、ＭｌはＬｉ、Ｎａ、に−Ｒｂ、及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭｌはＢ
　ｅ　？　Ｍ　ｇ　ｓ　Ｃａ　＊　Ｓ　ｒ　ｅ　Ｂ　ａ
　ｔ　Ｚ　ｎ　ｇ　Ｃｄ　ｇ　Ｃｕ及びＮｉから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属である。ＭｔはＳｃ、Ｙ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｓ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ。 Ｄｙ、Ｈｏ＊ＥｒｗＴｍ、Ｙｂ＊Ｌｕ＊ＡＩｔＧａｔ及
びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属である。 Ｘ。 Ｘ′及びＸ″ｌｊ：Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ及びＩがら選ばれる
少な（とも一種のハロゲンである。ＡはＥ　Ｉｔ　Ｔ　
ｂ。 ＣｅｔＴｅ＋ｔＤｙｔＰｒ＊Ｈ’ｏｔＮｄｔＹｂｔＥｒ
ｔＧｄｔＬｕｔＳｍｔＹｆＴＩｔＮａｔＡｇ、Ｃｕ及び
Ｍｇから選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０≦
ｂ＜ｏ、ｓの範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の
範囲の数値である。）で表されるアルカリノ）ライド蛍
光体等が挙げら紅る。特にアルカリハライド蛍光体は真
空蒸着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ
やすく好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽蛍
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の°輝尽性蛍光体
の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽
性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい。 また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光
体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射＃Ｉｌ像変換パネルにおいて、用いられる
支蒋体としては各種高分子材料、ガラス金風等が用いら
れるが、特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性の
あるシー）あるいはウェブに゛加工できるものが好適で
あり、この点から例えばセルロースアセテートフィルム
、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート
フィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、
トリアセテートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等
のプラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロ
ム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金
属シートが好ましい６ また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μＩｌｌ〜１０００μｍ
であり、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０μ１
１１〜５００μｌである。 本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス。 ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレ７タレー２ト、
ポリエチレン、塩化ビニリテ゛ン、ナイロン等の通常の
保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ＝Ｓ　ｉｏ　２−３　ｉＮ　−Ａ　１２０３な
どの無機物質を積層して形成してもよい。 これら保護層の層厚は一般には０．１μ論〜１００μ糟
程度が好ましい。 次に本発明のパネルの製造方法について説明する。 本発明は第１図に於いて同図（ｂ）→（ａ）の順に製造
工程が進められる。 工程（ｂ）：微細な凹凸パターンを有する支持体支持体
１２面上の凹部（ｌｌｉｊ）、凸部２１ｉｊよりなる素
地パターンは支持体そのものをエンボッシュする工ンボ
フシ二法、光、熱、薬品等で支持体に固着硬化する樹脂
を素材とするインクを用いグラビア法或はシルク法等に
より印刷後乾燥、硬化処理を行う印刷法或は写真蝕刻法
によって作ることができる。写真蝕刻法は例えば感光性
樹脂板を使用した場合には、まず光に対し不透明部分が
島状のパターンを有するマスクを例えばナイロン系感光
性樹脂（プリンタイト；東洋紡績株式会社製）の表面に
密着させ、感光波長域２５０〜４００ｎｍの波長を含む
紫外線で照射する。Ｉ！光後にこの感光性樹脂を現像す
る。この現像によって上記の感光性樹脂の場合非露光部
が流され、露光部が凸部として残る。 工程（ａ）：輝尽性蛍光体層１３ 微細柱状ブロック構造を有する前記輝尽性蛍光体層の形
成り法としては、気相堆積法が該柱状ブロック形成の確
実性及び感度の面がら最も好ましく１゜ 気相堆積法の第１の方法として真空蒸着法がある。該方
法に於いては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装
置内を排気しで１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少な（とも一つを抵抗加熱
法、エレクトロビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記
支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好しくけ保護層を設は本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時にｌｌＩ尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい。また、蒸着終了後１Ｉｌｌ）ｆ−性徴光体
層を加熱処理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’　Ｔ　ｏｒｒ程度の真空
度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の
不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１Ｇ−３Ｔｏｒ
ｒ程度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターデッ
ドを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットして用い、これを同時あるいは順次スパッタ
リングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成
すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０
□ｔＨ２等のガスを導入して反応性スパッタを行っても
よい。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない１１１尽性
蛍光体層を得る。 第４図（ａ）は気相堆積法によってえられた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対応
する輝尽性蛍光体耐着量と放射線感度の関係の一例を表
している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽、　　　性徴光体層
の約２倍あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線
吸収率が向上し放射線に対して高感度となるばかりか、
画像の粒状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗設法による輝尽性蛍光体層上り層厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第４
図（ｂ）に示す。 本発明のパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効果に
より、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し
、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従来の
パネルの特性を示す第６図（ｂ）と比較すると明らかな
ように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光体の
層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下を小さくすることが
可能である。 本発明の放射線画像変換パネルは第５図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れてた鮮
鋭性粒状性及Ｖ感度を与える。すなわち、第５図におい
て、５１は放射線発生装置、５２は被写体、５３は本発
明の放射線画像変換パネル、５４は輝尽励起光源、５５
は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽発光を検
出する充電変換装置、５６は５５で検出された信号を画
像として再生する装置５７は再生された画像を表示する
装置、５８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発
光のみを透過させるフィルターである。尚５５以降は５
３がらの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記に限定されるものではない。 第５図に示されるように放射線発生装置５１からの放射
線は被写体５２を通して本発明の放射線画像変換パネル
５３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換
パネル５３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギ
ーが蓄積され放射線透過像のＭ積像が形成される。次に
このＭ積像を輝尽励起光源５４からの輝尽励起光で励起
して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線画像
変換パネル５３は、輝尽性蛍光体層が微細柱状ブロック
構造を有しているため、上記輝尽励起光による走査の際
に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制
される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置５５で光電変換し、画像再生装置５６
によって画像として再生し画像表示装置５７によって表
示することにより、被写体の

【実施例】

次に実施例によって本発明を具体的に説明する。 実施例１ ５００μｍ厚のアルミニウム板に７オトレノス）　Ｉｆ
脂を塗布し、パターン露光、現像を施してアルミニウム
板表面に第２図（ａ）に示すような微細凹凸パターンを
形成し、支持体とした。 尚微細凹凸パターンの大きさは８０μｍＸ８０μ「Ｏで
あり厚さは４０μｍであった。 次にこの支持体を蒸着器中に設置し、抵抗加熱用のタン
グステンボート中にアルカリハライド輝尽性蛍光体（０
，９ＲｂＢｒ・０．ＩＣｓＦ　：０．ＯＩＴ　Ｉ）を入
れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器を排気し
て２　Ｘ　１０−’　Ｔ　ｏｒｒの真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させ前記支持
体上に輝尽性蛍光体層の層厚が３００μｍの厚さになる
まで堆積させ、本発明の放射線画像変換パネルＡを得た
。 このようなして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧８０ＫＶｐのＸ＃Ｉを１０ｍＲ照射した後、
Ｈｅ　　Ｎｅレーザ光（６３３ｎＩ１１）で輝尽励起し
、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を光検出器（
光電子増倍管）で充電変換し、この信号を画像再生装置
によって画像として再生し、銀塩フィルム上に記録した
。信号の大きさより、放射線画像変換パネルＡのＸ線に
対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変調
伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）及び粒状性を調べ第１表に示
す。 第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明の放射線画
像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。ま
た、変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）は、空間周波数が２
サイクル／ｌの時の値であり、粒状性は（良い、普通、
悪い）をそれぞれ（０，Δ、×）で示しである。 実施例２ ５００μｍ厚のアルミニウム板にナイロン系感光性樹脂
を１３０μｍ厚に塗布し、パターン露光、現像を施して
アルミニウム板表面に第２図（ｂ）に示すような微細凹
凸パターンを形成し、支持体とした。前記微細凹凸パタ
ーンの凹部の大きさは１１０μｍＸ１１０μ働であり、
凸部の幅は２０μｍであった。次にこの支持体上に実施
例１と同様にして輝尽性蛍光体層を設けた後、該輝尽性
蛍光体層上面を研磨して支持体表面の凸部を露出させ、
本発明の放射線画像変換パネルＢを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 実施例３ 実施例１において、支持体として３０．０μｍ厚の黒色
ポリエチレンテレフタレートフィルム表面をエンボッシ
ュ法によりエンボス加工して、微細凹凸パターンを形成
して用いた以外は実施例１と同様にして本発明の放射線
画像変換パネルＣを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢｒ・０、
ＩＣｓＦ　：０．ＯＩＴ　ｌ）８重量部とポリビニルブ
チラール樹脂１重量部と溶剤（シクロヘキサノン）５重
量部を用いて混合・分散し、輝尽性蛍光体層用塗布液を
調整した。次にこの塗布液を水平に置いた。 ３００μｍ厚の支持体としての黒色ポリエチレンナフタ
レートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥させて３０
０μ輪厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得ら紅た比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。 比較例２ 比較例１において輝尽性蛍光体層の層厚を１３０μｍと
した以外は比較例１と同様にして比較の放射線画像変換
パネルＱを得た。 このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＱ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。 第１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パネ
ルＡ−Ｃは、それぞれ相当する輝尽性蛍光体層厚を有す
る比較の放射線画像変換パネルＰ。 Ｑに比べてＸ線感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が
優れていた。これは本発明の放射線画像変換パネルは輝
尽性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の
充填率が比較のパネルに比べて高くＸ＃！の吸収率が良
いためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ−Ｃはそれぞれ
相当する輝尽性蛍光体層厚を有する比較の放射線画像変
換・・肇ルＰ、Ｑに比べてＸ＃Ｉ感度が高いにもかかわ
らず鮮鋭性の点でも優れていた。 これは、本発明の放射線画像変換パネルにおいては支持
体表面の微細凹凸パターンによって輝尽性蛍光体層を細
分化した柱状ブロック構造としているため、輝尽性蛍光
体層中での輝尽励起光であるＨｅ−Ｎｅレーザの散乱が
抑制・減少するためである。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が着しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネル及び製造工程中
の支持体面の一部を示す断面図である。 第２図は支持体面の凹凸パターンの一例を示す平面図で
ある。第３図は本発明の放射線画像変換パネルの一例を
示す図である。第４図（ａ）は本発明の一例に関する放
射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び耐着
量と放射線に対する感度とを示す図であり、（ｂ）は前
記放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層及び耐
着量と空間周波数が２すｔクル／ＩＩＩｍにおける変調
伝達関数（ＭＴＦ）とを示す図である。ｔＩＳ５図は本
発明に用いられる放射線画像変換方法の概略図である。 第６図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにおける輝
尽性蛍光体層及び耐着量と放射線に対する感度とを示す
図であり、（ｂ）は前記従来の放射線画像変換パネルに
おける輝尽性蛍光体層厚及び耐着量と空間周波数が２サ
イクル／■における変調伝達間ＩＩＬ（ＭＴＦ）とを示
す図である。 １０・・・パネル １１ｉｊ・・・凸部 （ｌｌｉｊ）・・・四部 １２・・・支持体 １３・・・輝尽性蛍光体層 １３ｉｊ・・・微細柱状ブロック （１３ｉｊ）・・・微細柱状ブロック 代理人　弁理士　野　１）義　親 第１図 四 第２図 第４図 （トン 第６図 （グ） 手続補正書 昭和６０年　４月　５日 １、事件の表示 昭和５９年特許願＠２６６９１３号 ２、発明の名称 放射線画像変換パネル及びその製造方法３、補正をする
者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号東京都日野
市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社　（電話０４２５−８３−１５
２１）特許部 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書第３２頁第１表の本発明のパネルＣのＸ線感度の
欄の「１０」を「９０」と補正する。 手続補正書 昭和６１年３月１４日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにお
   いて、表面に多数の微細な凹凸パターンを有する支持体
   と、前記支持体上に前記表面構造をそのまま引き継いだ
   、微細柱状ブロック構造から成る輝尽性蛍光体層とを有
   することを特徴とする放射線画像変換パネル。 ２）輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルに於
   いて、表面に多数の微細な凹凸パターンを有する支持体
   に前記表面構造をそのまま引き継いだ微細柱状ブロック
   構造から成る輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換
   パネルの製造方法。