JPS61142500A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

に産業上の利用分野】 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射Ｓ
ｔＳ像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法
に関するものである。

【従来技術】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することにぶりで
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生してしも良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルは粒径１〜３０μ諺程度の粒子状の輝尽性蛍光体と有
機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に塗
布・乾燥しで形成されるので、輝尽性蛍光体の充填密度
が低く（充填率５０％）、放を 射線感度を充分病くするには＃ｊ５図（ａ）に示すよう
に輝尽性蛍光体層の層厚゛を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
−のときに輝尽性蛍光体の耐着量は５０ｍｇ／ｃ＋ｓ”
であり、層厚が３５０μ−までは放射線感度は直線的に
増大して４５０μ勝以上で飽和□する。尚、放射線感度
が飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、
輝尽性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光の散乱のため輝尽性
蛍光体層内部での輝尽性蛍光が外部に出てこなくなるた
めである。 一方、これに対し前記放射ｓｉｖ像変換方法における画
像の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変
換パネルの輝尽発光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化
が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層のＭｒｇ、が薄（なると、輝尽性蛍光体層に吸収され
る放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造
的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の
低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と画像の鮮鋭性とが
輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示す
ので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感度
と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成されで
きた。 ところで従来の放射線写真法における′画像の鮮鋭性が
蛍光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、・前述の輝尽性蛍光体を利用した放
射線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変
換パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって
決定されるのではなく、すなわち放射線写真法における
ように蛍光体の発光の広がりによって決定さ跣るのでは
な（、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決
まる。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、
放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時
系列化されて取り出されるので、ある時間（、ｔｉ）に
照射された輝、８ｍ起光による輝尽発光は望ましくは全
て採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パ
ネル上のある画素（Ｘｉｗｙｉ）からの出力として記録
されるが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等により
広がり、照射画素（ｘｉｖｙｉ）の外側に存在する輝尽
性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘｉｖｙｉ）な
る画素からの出力としてその画素よりも広い領域からの
出力が記録されてしまうからである。従って、ある時間
（Ｌｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽性蛍光が、
その時間（Ｌｉ）に輝）？−励起光が真に照射されでい
た該パネル上の画素（ｘｉｖｙｉ）からの発光のみであ
れば、その発光がいかなる広がりを持つものであろうと
得られる画像の鮮鋭性には影響がない。 このような情況の中で、放射ａ画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて米た。例えば特開昭５５−１
４８４４７号記載の放射ａｍ像変換パネルの輝尽性蛍光
体層中に白色粉体を混入する方法、゛特開昭５５−１６
３５００号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記輝尽性蛍
光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さ
くなるように着色する方法等である。しかし、これらの
方法は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下し
でいまい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射＃
ｌ［像変換パネルにおける従来の欠点を改良し起新規な
放射線画像変換パネル上して、輝尽性蛍光体層が結着剤
を含有しない放射＃！画像変換パネルを提案している。 これによれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
が結着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が着し
く向上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上するの
で、前記放射線画像変換パネルの放射線に対する感度と
画像の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も改
善される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いで、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。

【発明の目的１ 本発明はａｌｌ尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画
像変換パネルに関連し、これをさらに改良するものであ
り、本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共
に鮮鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提
供することにある。 本発明の他の目的は粒状性が向上すると共に、鮮鋭性の
高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供すること
にある。 また前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を満
足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること
にある。 【発明の構成］ 前記本発明の目的は、支持体表面に多数分布し且つ間隙
をもって互いに離散している微小タイル状の面上から厚
み方向に堆積させた輝尽性蛍光体層にショック処理を加
えることによって前記微小タイル状板間の間隙から該層
表面に向がって発達させたフレバスを有する微細柱状ブ
ロック構造；・ら成る輝尽性蛍光体層を設けた放射線画
像変換パネル及び前記構造を具現する該パネルの製造に
ょうて達成させる。 尚前記ショック処理が熱処理である時本発明の１つの好
ましい態様を与える。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以後意
味明晰の場合には単にパネルと略称することがある）の
厚み方向に切った断面図である。同図（ｂ）は前記輝尽
性蛍光体層を堆積させたままでまだショック処理を加え
ていない時のパネルの、また同図（ｃ）は更に遡って前
記輝尽性蛍光体層を堆積させず微小タイル状板のみを有
する支持体の厚み方向の断面図である。 前記微小タイル状板の支持体上に於る分布パターンの例
は任意であってもよい。第２図に該微小タイル状板の分
布パターンの例として（ａ）＊（ｂ）及び（ｅ）として
示した。 尚第１図及び第２図に於いて同記号は８！能的に互いに
同義である。 第１図に於いて１０は本発明のパネル、１ｌｉｊは支持
体表面上の一つ一つ微小タイル状板、（ｌｌｉｊ）は該
微小タイル状板を取り囲む亀裂、溝或は窪み等の形態の
間隙である。１１は前記１１ｉｊと（ｌｌｉｊ）で作る
支持体表面上に島状に離散した微小タイル状板の分布パ
ターン層である。 （１２ｉｊ）は前記分布パターン層１１上への輝尽性蛍
光体の堆積を進める途次、はじめ微小タイル成板１１ｉ
ｊ上に堆積していた輝尽性蛍光体が次第に堆積面積を拡
げ遂に接合することによって堆積層内に取り残された空
洞であり、間隙（ｌｌｉｊ）の大小により甚だ小さい場
合或は表面にまで到りフレバスとなることもある。１２
は前記空洞もとくはフレバス（１２ｉｊ）を含む輝尽性
蛍光体堆積層である。１３ｉｊは前記堆積層１２にシ１
ツク処理が加えられ、空洞（１２ｉ　ｊ）が夫々堆積層
１２表面にまで発達してフレバスとなり、微小タイル状
板上に堆積した輝尽性蛍光体を分立せしめた微細柱状ブ
ロックの一つ一つである。（１３ｉｊ）は微細柱状ブロ
ック１３ｉｊ間のフレバスである。前記１３ｉｊ及び（
１３ｉｊ）によって本発明に関わる微細柱状ブロック構
造を有する輝尽性蛍光体層１３が形成される。 １４は支持体、１５は設けることが好ましい保護層であ
る。 前記微小タイル状板１１ｉｊの平均的径は１〜４００μ
−が好ましく、また間隙（１１ｉＮの平均的間隔は０．
０１〜ＺＯｐ論であることが好ましい。 尚本発明に謂うフレバスは輝尽性蛍光体層表面に於いて
実質的な間隙を与えない単なる亀裂を形成するに留める
場合を含み従って微細柱状ブロック構造には微細多角錐
状ブロック構造を含んでいる。 また輝尽発光層１３の厚みは、パネルの放射線に対する
感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０〜
１０００μ鶴であることが好ましく、更に２０〜８００
μ−であることが更に好ましい。 尚前記微小タイル状板面或は支持体面には必要に応じ輝
尽性蛍光体の接着を助けるための接着層或は輝尽性蛍光
及び／又は輝尽発光の反射層或は吸収層を設けてもよい
。 前記した微細柱状ブロック構造を有する輝尽性蛍光体層
に輝尽励起光が入射すると、該励起光は柱状ブロックの
底にまで到達し、吸収されるか或は反射されて再び柱状
ブロック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロックの柱
方向に出る。従って輝尽励起の機会を増大しなから輝尽
発光による画像の鮮鋭性は着しく増大される。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝）ｆ−励起）により、最初の光もしくは高エネル
ギーの放射線の照射量に対応し゛た輝尽発光を示す蛍光
体を言うが、実用的な面から好ましくは５００ｍｍ以上
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本
発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体
としては、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載され
ているＢａ５Ｏ＝：Ａ　ｘ（但しＡはＤｙｆＴｂ及びＴ
ｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜
４モル％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８
０４８８号記載のＭ。 ＳＱ、：Ａｘ（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいずれか
であり、０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表される
蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳ
ｒＳ　Ｏ４：Ａ　Ｘ（但しＡはＤ　ｙ　ｔ　Ｔ　ｂ及び
Ｔｎのうち少なくとも１種でありＸはｏ、ｏｏｉ≦ｘ＜
１モル％ある。）で表わされている蛍光体、特開昭５１
−２９８８９号に記載されてＩＩ’　ルＮ　ａｓｓ　０
４＊Ｃａｓ　Ｏ＜及Ｃ／Ｂａ５Ｏ，等にＭｎｙＤｙ及び
Ｔｂのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５
２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ＊Ｌ　ｉＦ　
ＭｇＳ　０４及１／　Ｃａ　Ｆ　２等の蛍光体、特開昭
５３−３９２７７号に記載＠　ｈ　ティルＬ　；２Ｂ　
＜０７：ＣｕｔＡ　ｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８
８３号に記載されているＬ　ｉｚｏ　・（Ｂ　２０２）
Ｘ：Ｃｕ（但しＸは２＜ｘＳ３）、及びＬ　ｉｚｏ　・
（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕｓ　Ａ　ｇ（但しＸは２＜ｘＳ
３）等の蛍光体、米国特許３，８５９，５２７号に記載
されているＳｒＳ：Ｃｅ＝Ｓ慴、Ｓ　ｒＳ　：Ｅ　ｕ−
８ｔａ、　Ｌａ２０２Ｓ　：Ｅｕ、Ｓｓ及び（Ｚ　ｎ、
Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ　（但しＸはハＯデン）で表わさ
れる蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４
２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般
式がＢ　ａＯ−ＸＡ　＋２０　）：Ｅ　ｕ（但し０．８
≦ｘ≦１０）で表わされるフルミン酸バリウム蛍光体、
及び一般式ｈ’Ｍ”　０−ｘＳ　ｉｏ２：Ａ（但しＭ”
はＭｇ。 Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｕ、Ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ、Ｔｂ
、Ｅｕ−Ｔｍ−Ｐｂ、Ｔ　Ｉ−Ｂ　ｉ及びＭｎのうち少
なくとも１種であり、×は０．５≦Ｘ≦２．５である。 ）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げ
られる。また、一般式が （Ｂａ１．　、　ＭｇＸＣａ、　）ＦＸ：　ｅＥｕ”（
但しＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであり、Ｘ
ｗＦ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、×ｙ≠０及
び１０−’≦ｅ≦５Ｘ１０−”なる条件を満たす数であ
る。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体
、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式が
Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬ　ａ　＊　Ｙ　−Ｇ　ｄ及びＬｕの少な
くとも１つを、ＸはＣ１及び／又はＢ「を、ＡはＣｅ及
び／又はＴｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表
す。）で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に
記載されている一般式が （但しＭｌＬは、Ｍ　ｇｔ　Ｃａｔ　Ｓ　ｒｖ　Ｚ　ｎ
及びＣｄのうちの少な（とも１つを、ＸはＣＩ、Ｂｒ及
びｌのうち少なくとも１つを、ＡはＥ　ｕ、Ｔ’ｂｔＣ
ｅ＠Ｔ　ｍｔＤ　ｙｖＰ　ｒｗＨｏ。 Ｎｄ、Ｙｂ及Ｖ　Ｅ　ｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ
及びｙは０≦Ｘ≦０．６及びＯ≦ｙ≦０．２なる条件を
満たす数を表す、）で表される蛍光体、特開昭５５−８
４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ
、ｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくと
も１つ、ＡはＩ　ｎ＝Ｔ　Ｉ−Ｇ　ｄ、８輪及びＺｒの
うちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれ０＜
ｘ≦２Ｘ１０−’及びｏ＜ｙ≦５Ｘ１０−２である。）
で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載
されている一般式がＭｌＦ　Ｘ　晦ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭｌはＭ　ｇｙ　Ｃａｔ　Ｂ　ＩＬｆ　Ｓ　ｒｔ
　Ｚ　ｎ及びＣｄのうちの少なくとも１ｌｆｉ、ＡはＢ
　ｅ　Ｏｔ　Ｍ　ｇ　Ｏｔ　Ｃａ　Ｏｙ　Ｓｒｏ　、Ｂ
ｔｏ　−Ｚ　ｎｏ　ｔＡ　１２０　ｘ＊Ｙ　２ｏ　３ｔ
Ｌ　Ｃ２０ｉｔ　Ｉ　ｎ２０ｐ、ＳｉＯ□、ＴｉＯ２，
ＺｒＯ２，ＧｅＯ２，ＳｎＯ，、Ｎｂ２Ｏｓ　＊　Ｔ　
ａｘ　Ｏｓ及びＴｈｅ、のうちの少なくとも１種、Ｌｎ
はＥｕ＊ＴｂｔＣｅ＊Ｔ−＊ＤｙｔＰｒｔＨｏｔＮｄｔ
ＹｂｔＥｒ＊Ｓ輪及びＧｄのうちの少なくとも１種であ
り、ＸはＣＩ、Ｂｒ及び■のうちの少なくとも１種であ
り、Ｘ及びｙはそれぞれ５Ｘ１０−’≦Ｘ≦０．５及び
ｏ＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で表され
る希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一
般式がＺ　ｎＳ　：Ａ　、　（Ｚ　ｎｅｅｄ）Ｓ　：Ａ
　、ＣｄＳ　：Ａ　％ＺｎＳ　：Ａ　、Ｘ及びＣｄＳ：
Ａｔｘ（但しＡはＣ”ｕｓ　Ａ　ｇｏ　Ａ　ｕｔ又はＭ
ｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表される蛍光体、
特開昭５７−１４８２８５号に記載されている一般式Ｃ
Ｉ）又は［１１）、 一般式（１）　　　ｘＭ　ａ（Ｐ　Ｏ４）２　・Ｎ　Ｘ
　２：ＦＡ一般式（Ｉｔ　）　　　　Ｍｚ（ＰＯｎ）ｚ
・ＦＡ（式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇｏ　Ｃｉｔ　
Ｓ　ｒｗ−Ｂ　ａｔＺｎ及びＣｄのうち少なくとも１種
、ＸはＦ　、ＣＩ。 Ｂｒｙ及びＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ＝Ｔｂ＊
Ｃｅ４　ｍｔＤ　ｙｔＰ　ｒ、Ｈｏ＊Ｎ　ｄ＊Ｅ　ｒｔ
ｓ　ｂｔＴ　ＬＭｎ及びＳｎのうち少な（とも１種を表
す。また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条件
を満たす数である。）で表される蛍光体、一般式（ＩＩ
）又は（■）一般式（ｍ　）　　　ｎＲｅＸ５・ｍＡＸ
’　２：ＸＥＵ一般式（Ｎ　）　　　ｎＲｅＸ　３　・
ｍＡＸ’　２：ＸＥ　ｕｓｙｓ　ＩＩ（式中、ＲｅはＬ
ａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはアルカ
リ土類金属、Ｂ　ａｓ　Ｓ　ｒｔ　Ｃａのうち少なくと
も１種、Ｘ及びＸ′はＦ＝ＣＩ、Ｂｒのう−ち少なくと
も１種を表わす、また、Ｘ及びｙは、ｌＸ１Ｏ”　　’
＜ｘ＜　３　ＸＩＧ−’、Ｉ　Ｘｌ０−　　’＜Ｆ＜　
Ｉ　Ｘｌ０−’なる条件を満たす数であり、ｎ／−はＩ
　Ｘ　１０−’　＜　ｎ／論＜７Ｘ１０−’なる条件を
満たす。）で表される蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し％Ｍ”はＬｉｔＮａｔＫｔＲｂｔ及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ！はＢ
ｅ、ＭＢ、ＣａｗＳｒｔＢａ、Ｚｎ、ＣｄｔＣｕ及びＮ
ｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。Ｍｌ
はＳｃ、ＹｔＬａｔＣｅｔＰｒ、Ｎｄ、Ｐｓ＋ｔＳ、ｍ
＊ＥｕｔＧｄ、”ｒｂ。 Ｄｙ＋Ｈｏ＊ＥｒｔＴｍ＋Ｙｂ、Ｌｕ、ＡｌｔＧａｔ及
びＩｎから選ばれる少なくとも一種の二価金属である。 Ｘ。 Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃ１，Ｂｒ及びＩから選ばれる少な
（とも一種のハロゲンである。ＡはＥ　ｕ、　Ｔ　ｂ。 ＣｅｔＴＩｔＤＦｔＰｒｔＨＯｔＮｄ、Ｙｂ１ＥｒｔＧ
ｄ９Ｌｕ？Ｓ１ｆＹ　＊、Ｔ　ｌ　＊　Ｎ　ａ、Ａ　ｇ
＊　Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少な（とも一種の金属で
ある。 ま、たａは０≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂは０≦
ｂ＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｅ≦０．２の
範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光
体等が挙げられる。特、にアルカリハライド蛍光体は真
空蒸着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ
やすく好ましい。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽、＠起光を照射した場合に輝尽
蛍光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよ
い。 本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光・体
の少な（とも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽
性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよい。 また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光
体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス金属等が用いられる
。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のあるシ
ートあるいはウヱブに加工でさるものが好適であり、こ
の点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリエ
ステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセ
テートフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラス
チックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金
属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
が好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ１１〜１０００μ輸で
あり、取り扱い上の点からさら１÷好ましくは８０μ−
〜５００μ−である。 本発明や放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を
物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設け
ることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を輝
尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、ある
いはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上
に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロー
ス。 ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビ
ニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉＣ，Ｓ　ｉｏ　２．Ｓ　ｉ、Ｎ　、Ａ　ｌ□０．
などの無機物質を積層して形成してもよい。 これら保！ｌ１層の層厚は一般には０．１μｍ〜１００
μ−程度が好ましい。 次に本発明のパネルの製造方法について説明する。 本発明は第１図に於いて同図（ｃ）→（ｂ）→（、）の
順に製造工、程が進められる。　　、 工程（Ｃ）：微小タイル状板１１ｉｊ及び間隙（ｌｌｉ
ｊ）の分布パターン プラスチックフィルム、金属シート或は金属酸化物被覆
層を有する金属シート等の支持体表面に分布させる微小
タイル状板の表面は先の工程でその上に堆積させる輝尽
性蛍光体との・接着親和性がよいことが好ましく、また
電気的地検性のある誘電体もしくは半導体であることが
好ましいことがある。従って前記条件を備えしかも支持
体表面に前記分布パターンを構成しうる写真蝕刻法で常
用される各種レジスト樹脂を塗設することが一つの方法
として選ばれる。 この際支持体に金属酸化物被覆層を有する金属シートを
用いれば前記レジスト樹脂との接着親和性もよく好都合
である。 尚該金属酸化物被覆層はハード７オトマスク、透明電導
膜作成等の技術分野で常用される、＊馬面に金属酸化物
を積層させる技術、例えば化学的には塗布法、スプレー
法或はＣＶ　Ｄ　（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ　ａｐｏｒ　Ｄ
　ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、物理的にはＲＦイオンプレ
ーテング法、ＲＦスパッタリング法或は真空蒸着法等を
流用することができる。 前記レジスト樹脂としては、７オトレシスト、深紫外線
レジスト、電子線レジスト、Ｘ線し゛シストのポジ型、
ネ〃型の各種レジスト樹脂が使用できる６例えば７オト
レノスト樹脂としてはす７トキノンアジト或はペンゾキ
ノンアジト等をノボラック樹脂にエステル化反応させた
もの等が挙げられる。 まづ支持体に前記レジスト樹脂を塗布し、微小タイル状
板パターンを焼き付け、現像し、更に支持体表面が裸出
する深さまで湿式法または乾式法でエツチングすれば所
望の微小タイル状板と間隙の織りなす分布パターン層１
１が得られる。 また前記レジスト樹脂を用いた写真蝕刻法の外に支持体
□としてアルミニウム板を用いる場合には、陽極酸化に
よって表面に生成する多孔質の酸化アルミニウムの封孔
処理続いて熱処理を加えることによって簡単に微小タイ
ル状板の分布パターンを作ることができる。 前記本発明に適用する方法はアルミニウム表面処理技術
分野で常用される方法である。 まプアルミニウム支持体表面の陽極酸化処理は、例えば
０．５−一程度の厚みを有するアルミニウム板の輝尽性
蛍光体を堆積させる側を８％蓚酸溶液中で約２時間、Ｉ
Ａ／ａｍ”の通電を行うと多孔質の酸化アルミニウムか
ら成る陽極酸化被覆層が生成する。 次いで該被膜層を水洗し、続いて沸騰水中で約１時間煮
沸すると、前記多孔質酸化アルミニウムは結晶水を取り
込み膨張して緻密な結晶から成る被膜層となる。 この操作が所謂封孔処理である。 封孔処理後２５０℃以上の熱処理を行なうと、前記結晶
水を有する酸化アルミニウムは該結晶水を失って収縮し
、収縮による亀裂によって生じた間隙に取り囲まれ相互
に隔絶された微小タイル状板が敷きつめられた如きパタ
ーが形成される。 この際酸化アルミニウム被膜の厚みは数μｍ以上あるこ
とが好ましく、薄い場合には微小タイル状板が太き（な
り易いので、陽極酸化の工程の条件を最適に選ぶ必要が
ある。 このようにして輝尽性蛍光体の気相堆積に物理的及び／
又は化学的に好都合な島状徽細区［（タイル状板）が、
気相ｍ積が進行し難しい微細な筋状、溝−状、凹部或は
亀裂に取りＨまれだ形態の分布パターン層が得られる。 前記のようにして設けた分布パターン層１１の間隙（ｌ
ｌｉｊ）は、後続のショック処理の種類もしくはその効
率の点から輝尽性蛍光体と結晶条件の異なる又は／及び
熱膨張、電気特性等物性の異なる物質で充填し、分布パ
ターン層と共軛な形状の細線網（１１）を形成して置く
ことが好ましい。 前記（ｌｌｉｊ）に充填し細線網（１１）を形成する充
填物の素材は実用的には金属であることが好ましい。該
金属よりなる細線網（１１）は公知の電気メツキ法で作
成される。 従って誘電体であるプラスチックを支持体とする時には
その表面は金属或は酸化インジウム等の導電層を蒸着そ
の他の方法で設けておき前記工程（Ｃ）を行ない、エツ
チングによりて該導電層を裸出させておく必要がある。 金１１＆酸化物被覆層を有する金属シートの場合も同様
である。 この条件の整った支持体に対して常法により電気メッキ
を行ない、例えばニッケル或はクロム等から成る細線網
（１１）が形成される。この際微小タイル状板１１ｉｊ
の上に輝尽性蛍光体を微細柱状ブロックとして都合よぐ
堆積させるには＃ｌ＃ｉ網（１１）の高さｈは導電性支
持体表面からの微小タイル状板の厚みｄと等しいか大き
い方が好都合である。 工程（ｂ）：輝尽性蛍光体堆積層１２ 前記輝尽性蛍光体層の堆積には輝尽性蛍光体の気相堆積
法が好都合である。 該気相堆積法の第１の゛方法として真空蒸着法がある。 該方法に於いては、虫ず支持体を蒸着装置内に設置した
後装置内を俳×して１０−’　Ｔ　ｏｒｒ程度の真空度
とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記
支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好しくは保護層を設は本発明の放射線
画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい、また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−＠Ｔ　ｏｒｒ程度の真空度
とし、次いでスパッタ用のがスとしてＡｒ＝Ｎｅ等の不
活性がスをスパッタ装置内に導入して１０−’Ｔｏｒｒ
程度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であろし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時あるいは順次、前記ターデッ）をスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明の放射線画像変換パネルが製造される
。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０２
．Ｈ，等の〃スを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱しでもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、商周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。 支持体上への輝尽性蛍光体層の堆積によって柱状結晶が
成長し、支持体の間隙によってそれぞれが隔てられて微
細柱状ブロックが支持体に垂直方向に形成されていく。 しかし、輝尽性蛍光体結晶は、気相堆積中小しづつ太く
なるので、間隙は次第に細くなり、大部分が消滅して空
洞となる。 工程（ａ）：ショック処理 ショック処理は輝尽性蛍光体層内に潜んでいる空洞（１
２ｉｊ）を作用拠点として該堆ｍ層にシタツクを与えそ
の表面にまで開裂を波及させ、表面にフレバスもしくは
亀裂を生ゼしぬ微小タイル成板１１ｉｊ上に堆積した輝
尽性蛍光体層に入射する輝尽励起光の内部反射面を有す
る微細柱状（もしくは多角錐状）ブロック構造を付与す
る手法である。 従ってパネルの機能を損うことなく表面にフレバスもし
くは亀裂の形態で開裂を与える方法ならば如何なる方法
を採ってもよい。 例えば輝尽性蛍光体と支持体のプラスチック、金属或は
前記した細線網との間の熱膨張の大小の差を利用し加熱
、冷却を行なって開裂させる熱処理法、空洞（１２ｉ　
ｊ）に於る蛍光体の接合点に存在する結晶転位線或は構
造的歪みに振動を与え接合点から亀裂を表面に生長発達
させる超音波法或は交流電圧によるコンデンサの絶縁破
壊に倣った電圧開裂法等が挙げられる。 尚微細柱状ブロック構造を有する輝尽性蛍光体層１３は
、各ブロック毎に有効な輝尽励起光に対する内部反射面
を有すると同時にその表面は実質的に連続平滑であるこ
とが感度、鮮鋭性を共に向上させるには好ましので、表
面に於る開裂は実質的間隙を与えない亀裂であることが
好本しい。 前記理由に上り熱処理法が便利に使用できる。 熱処理法は前記工程（ｂ）を終わったパネル原体を、窒
素〃ス等の不活性〃ス中で３００℃程度に加熱し、パネ
ル原体が熱平衡に達しな後冷窒素がスを多量流入させで
冷却すれば空洞（１２ｉ　ｊ）の先端（蛍光体の接合点
）から亀裂が発達し表面に到る。冷却効果のよい場合に
は加熱温度は更に低くてもよい０例えば冷却に冷アルコ
ールを使用する場合等は１５０℃位でもよい。 尚加熱に先立って輝尽性蛍光体に充分に不活性がスを吸
着せしめておくことが熱処理法の要点である。 熱処理法によって輝尽性蛍光体の剥離、傷或は汚れの発
生はない。 第３図（ａ）は気相堆積法によってえちれた本発明の放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層及び該層厚に対応
する輝尽性蛍光体附着量と放射線感度の関係の一例を表
している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が
向上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒
状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗設法によるｌｌＩ尽性蛍光体層上り層厚を厚くす
ることが可能であり、放射線に対して一層高感度となる
。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を第３
図（ｂ）に示す。 本発明のパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効果に
より、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し
、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従来の
パネルの特性を示す！１６５図（ｂ）と比較すると明ら
かなように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光
体の層厚の増大にともなう鮮鋭性の低下を小さくするこ
とが可能である。 本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れてた鮮
鋭性粒状性及び感度を与える。すなわち、ｔｊ４４図に
おいて、４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は
本発明の放射＃ｌＩＷ像変換パネル、４４は輝尽励起光
源、４５は該放射線画像変換パネルより放射された輝尽
発光を検出する充電変換装置、４６は４５で検出された
信号を画像として再生する装置４７は再生された画像を
表示する装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し
、輝尽発光のみを透過させろフィルターである。尚４５
以降は４３からの光情報を何らかの形で画像として再生
でさるものであればよく、上記に限定されるものではな
い。 ＠４図に示されるように放射線発生装置４１からの放射
線は被写体４２を通して本発明の放射線画像を換パネル
４３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変換
パネル４３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギ
ーが蓄積され放射線透過像の１積像が形成される。次に
この蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で励起
して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線画像
変換パネル４３は、輝尽性蛍光体層が微細柱状ブロック
構造を有しているため、上記輝尽励起光による走査の際
に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制
される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光′電変換し、画像再生装置４
６によって画像として再生し画像表示装置４７によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。 【実施例】 次に実施例により・て本発明を説明する。 実施例１ ５００μ輪厚のアルミニウム板を前記の方法により陽極
酸化処理、封孔処理及び加熱処理してタイル状板が微細
な間隙により互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表
面構造とした支持体を蒸着器中に設置した。前記タイル
状板の平均径は６５／／ｍであった。 次に抵抗加熱用のタングステンボート中にアルカリハラ
イド輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢｒ・０．ＩＣ，ｓＦ：
０．０１７　ｌ）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、
続いて蒸着器を排気して２　Ｘ　１０−’Ｔ　ｏｒｒの
真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に輝尽性蛍光体層の層厚
が３００μ論の厚さになるまで堆積させた。 次に該パネルを蒸着器より取り出して窒素雰囲気中で３
００℃まで加熱し、この状態で十分量保持した後、加熱
炉を取り去ると共に窒素流量を増して急速に冷却して、
シ！＋？りを施し、本発明の放射線画像変換パネルＡを
得た。 実施例２ 実施例１において、ショック処理としで゛パネルを窒素
雰囲気中で１５０℃まで加熱し、この状態で十分量保持
した後、メタノール中に浸漬して急冷した以外は実施例
１と同様にして本発明の放射線画像変換パネルＢを得た
。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を＃４１表に
併記する。 実施例３ 実施例１において、ショック処理としてパネルの輝尽性
蛍光体層に窒素〃スを吸着させた後、真空中で３００°
Ｃ（こ加熱し、急冷した以外は実施例１とこみようなし
て得られた本発明の放射線画像変換パネルＡに管電圧８
０ＫＶ、のＸ線を’１０ｍＲ照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザ光（６３３ｎｍ）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層が
ら放射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光
電変換し、この信号を画像再生装置によって画像として
再生し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより
、放射線画像変換パネルＡのＸ＃ｌに対する感度を調べ
、また得られた画像より、画像の変調伝達関数（Ｍ　Ｔ
　Ｆ　）および柱上性を調べ第１表に示す。 第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明の放射線画
像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。ま
た、変−伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）は、空間周波数が２
サイクル／ｌの時の値であり、粒状性は（良い、普通、
悪い）をそれぞれを（０，Δ、×）で示しである。 同様にして本発明の放射線画像変換パネルＣを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｃは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 実施例４ 実施例１において、支持体として５００μｍ厚のアルミ
ニウム板を前記の方法により陽極酸化処理、封孔処理及
び加熱処理してタイル状板が微細な間隙により互いに隔
絶されて敷きつめられたごとき表面構造とし続いて前記
処理を施したアルミニウム・板にニッケルメッキを施す
ことにより、前記微小タイル状板を取り囲んで夫々を区
画する細線網を形成して用いた以外は実施例１と同様に
して本発明の放射線画像変換パネルＤを得た。 尚前記支持体において微小タイル状板の平均径は６２μ
糟であり厚さｄは１０μｍであり、細線網の高さｈは１
６μｍであった。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｄは、実施例１と同様にして、評価し、結果を＃＆１表
に併記する 比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢ　ｒ・０
、ＩＣ５Ｆ　：０．０ＩＴｌ）８重量部とポリビニルブ
チラール樹脂１重量部と溶剤（シクロヘキサノン）５重
量部を用いて混合・分散し、輝尽性蛍光体層用塗布液を
調製した。次にこの塗布液を水平に置いた。 ３００μＩＩＩＮの支持体としての黒色ポリエチレンテ
７タレート７・ｆルム上に均一に塗布し、自然乾燥させ
て３００μＩＩＩ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表より明ら
かなように本発明の放射線画像変換パネルＡ−Ｄは、そ
れぞれ相当する輝尽性蛍光体層厚を有する比較の放射線
画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が約２倍高くしかも
画像の粒状性が優れていた。これは本発明の放射線画像
変換パネルは輝尽性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず
輝尽性蛍光体の充填率が比較のパネルに比べて烏（Ｘ線
の吸収率が良いためである。 また、本発明の放射線画像変換パネルＡ−Ｄはそれぞれ
相当する輝尽性蛍光体層厚を有する比較の放射線画像変
換パネルＰに比べてＸ線感度が高いにもかかわらず鮮鋭
性の点でも優れていた。 これは、本発明の放射線画像変換パネルにおいては輝尽
性蛍光体層中にも亀裂を入れ、これによって輝尽性蛍光
体層を細分化した微細柱状ブロック構造とすることによ
り、輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光であるＨｅ−Ｎｅ
レーザの散乱が抑制・減少するためである。 【発明の効果１ 以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック補遺を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が着しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層を大きく
することにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく放
射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層の増大による画像
の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大き
くすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることなく
画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明の製造方法によれば、予め輝尽性蛍光体層
内に空洞が形成されているため、容易に亀裂を発生、生
長させることが可能である。 また、本発明の製造方法によれば、微小タイル状板の形
成において格別広い間隙を必要としない為、支持体作成
が容易である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射線画像変換パネル及び製造工程中
の支持体面の一部を示す断面図である。 第２図は微小タイル状板の分布パターンの例を示す平面
図である。第３図（ａ）は本発明の一例に関する放射線
画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と
放射線に対する感度とを示す図であり、（ｂ）は前記放
射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層及び附着量
と空間周波数が２サイクル／−一における変調伝達関数
（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）とを示す図である。＃＆４図は本発明
に用いられる放射線画像変換方法の概略図である。第５
図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性
蛍光体層及び附着量と放射線に対する感度とを示す図で
あり、（ｂ）は前記従来の放射線画像変換パネルにおけ
る輝尽性蛍光体層厚及び附着量と空間周波数が２サイク
ル／■における変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）とを示す
図である。 １０…パネル １１・・・分布パターン層 １１ｉｊ・・・微小タイル状板 （ｌｌｉｊ）・・・間隙 （１２ｉｊ）・・・空洞 １３・・・輝尽性蛍光体層 １３ｉｊ・・・微細柱状ブロック （１３ｉｊ）・・・フレバス １４・・・支持体 １５・・・保１層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）支持体表面に多数分布し且つ間隙をもって互いに離
   散している微小タイル状の面上から厚み方向に堆積され
   た輝尽性蛍光体層にショック処理を加えることによって
   前記微小タイル状板間の間隙から該層表面に向かって発
   達させたクレバスを有する微細柱状ブロック構造から成
   る輝尽性蛍光体層を設けたことを特徴とする放射線画像
   変換パネル。 ２）前記ショック処理が熱処理であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変換パネル。 ３）支持体表面に多数分布し且つ間隙をもって互いに離
   散している微小タイル状板の面上から輝尽性蛍光体層を
   堆積させ、次いで該輝尽性蛍光体層にショック処理を加
   え、前記微小タイル状ブロック構造を有する輝尽性蛍光
   体層を設けたことを特徴とする放射線画像変換パネルの
   製造方法。 ４）前記輝尽性蛍光体層に加えられるショック処理が熱
   処理であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
   の放射線画像変換パネルの製造方法。