JPS62245200A - 低ヘイズ保護層を有する放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネルに関するものである
。

【発明の背景】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてごの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生しても良いし、ＣＲＴ」二に再生しても良い。 この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収率およ
び光変換率（両者を含めて以′Ｆ１゛放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径ｌ〜３０μｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体
と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上
に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填
密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高くす
るには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の
層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のために
は、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放
射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造的
乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低
下を生ずる。、よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。 本出願人は、このような特性間の相反性に鑑みて、特願
昭５９−１９６３６５号において輝尽性蛍光体層に結着
剤を含有しない放射線画像変換パネル及びその製造方法
を提案している。これによれば、前記放射線画像変換パ
ネルの輝尽性蛍光体層は気相堆積などの方法を用いて形
成されており、結着剤を含有しないので、輝尽性蛍光体
層の充填率が著しく向上すると共に輝尽性蛍光体層中で
の輝尽励起光及び輝尽売先の指向性が向上し、放射線画
像変換パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性が改
善されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。 この種の放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄
積した後輝尽励起光の走査によって蓄積エネルギーを放
出するので、走査後再度放射線画像の蓄積を行うことが
でき、繰り返し使用が可能である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、長期間に亘り、
放射線画像形成特性が保持される耐久性、あるいは多数
回の繰り返しの使用に耐える性能を有することが望まし
い。そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性
蛍光体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十
分に保護される必要がある。 特に前記輝尽性蛍光体層が水分を吸収すると前記放射線
画像変換パネルの放射感度が低下したり、あるいは輝尽
励起照射を受けるまでに蓄積エネルギーの減衰が起こり
、得られる放射線画像の画質の劣化をもたらすため、前
記輝尽性蛍光体層に水分が到達しないよう保護すること
が望まれてきた。 従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の要求に
こたえるため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝尽
性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法がとられて
きた。 この保護層は、保護層用塗布液壱輝尽性蛍光体層上に直
接塗布するか、あるいは、あらかじめ別途形成した保護
層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により形成されて
いる（特開昭５９−４２５００号）。 あるいは特願昭６０−１８９３４号に記述されているよ
うに、放射線照射および／または加熱によって重縮合あ
るいは架橋反応して硬化する樹脂素材を含有する保護層
用塗布液を輝尽性蛍光体層上に塗布した後、放射線の照
射および／または加熱により前記樹脂素材を硬化させて
保護層を形成している。 ところで、放射線画像変換パネルから読み取って得られ
る画像の画質は、前記保護層の層厚や光学的性質になど
よっても変化する。 同一の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルで
あって、保護層を有するものと保護層をまったく有さな
いものとを比較すると、保護層を有する放射線画像変換
パネルの方が得られる画像の鮮鋭性が低くなる。このこ
とは、おちに輝尽性蛍光体層表面における励起光の反射
光あるいは散乱光の一部が、保護層内で反射を繰り返し
つつ広がる現象が原因となっている。 しかし、前述したように、放射線画像変換パネルの耐用
性という面から、保護層を設けないことは非実用的であ
り、適当な保護層を有しながらかつ鮮鋭性の高い画像を
得ることのできる放射線画像変換パネルが望まれる。 とくに前述したように、特願昭５９−１９６３６５号に
記載されている結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を有
する放射線画像変換パネルの場合は、輝尽性蛍光体粒子
が結着剤中に分散され°てなる輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルと比較して画像の著しく高い鮮鋭
性を損なわないような保護層の選択が一段と重要である
。 ところで、このような高鮮鋭性タイプの放射線画像変換
パネルにおいて、保護層の層厚と画像の鮮鋭性との関係
については既に特願昭６０−１５４５５９号の明細書中
に述べられているが、保護層の光学的性質に関してはほ
とんど検討されていなかった。

【発明の目的】

本発明は、輝尽性蛍光体層を用いた放射線画像変換パネ
ルにおける前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は鮮鋭性の高い放射線画像を与える放
射線画像変換パネルを提供することにある。

【発明の構成】

前記した本発明の目的は、支持体と該支持体上に気相成
長により設けられた輝尽性蛍光体層、および輝尽性蛍光
体層上に設けられた保ｍｓから実質的に構成されている
放射線画像変換パネルにおいて、該保護層のヘイズ値が
０％〜３０％の範囲にあることを特徴とする放射線画像
変換パネルによって達成される。 ここで、保護層のヘイズ値とは、ＡＳＴＭ　Ｄ−１００
３に記載の方法により測定したヘイズ値（ヘイズ率、曇
価）を意味する。本発明者らは特に気相堆積により形成
された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの
保護層に関して研究を重ねた結果、前記保護層のヘイズ
値と得られる画像の鮮鋭性との間には強い相関があり、
ヘイズ値が０％〜３０％の範囲にある保護層を使用した
場合にとくに鮮鋭性の高い画像が得られることを見い出
した。保護層のヘイズ値が３０％より大であると、画像
の鮮鋭性は損なわれ、気相堆積により形成された輝尽性
蛍光体の前記特長を引き出すことができない。 さらに、ヘイズ値が０．５％〜２５％の範囲にある保護
層を用いると、より好ましい。保護層のヘイズ値が０．
５％未満であると、とくに保護層が薄い場合、保護層の
層厚あるいは密度の不均一から、励起光の干渉模様が生
じ、画像ムラの原因となることがありうる。 以下、本発明の詳細な説明する。 第１図に、本発明の放射線画像変換パネル（以下、意味
明白な場合には単に「パネル」と略称することがある。 ）の構造例を断面図として示す。１１は支持体、１２は
輝尽性蛍光体層、１３は保護層である。本発明の放射線
画像変換パネルの構造は、第１図に示した例に限るもの
ではない。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、保護層は輝尽
性蛍光体層に対する保護層のみならず輝尽性蛍光体層と
は反対の支持体裏面或はパネル周縁の厚み断面（パネル
側面）を被覆する被膜も含んでいる。従って、本発明の
態様としては輝尽性蛍光体層に対してのみ設けた場合、
機械的衝撃を受けることの多いパネル側面或は裏面にも
施した場合算必要に応じた態様をとることができる。 また、被膜は一層とは限らず、例えば、２層構成として
被膜構成の樹脂を選んで内側に柔かな物性を有する被膜
、外側に強靭な物性を有する被膜を設ける等必要に応じ
被膜構成の質、数を変えることができる。 本発明の放射線画像変換パネルは、たとえば以下に述べ
るような方法に従い、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成
した後に該輝尽性蛍光体層上その他の面にヘイズ値が０
％〜３０％の範囲にある保護層を形成あるいは付設する
ことにより製造することができる。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートネートフィル五−
等のプラスチックフィルム、アルミニウＪ１、鉄、銅、
クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有す
る金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｊ！〜１０００μ！で
あり、取り扱い上の点が、さらに好ましくは８０μＭ〜
５００μ！である。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔
絶された微小タイル状板を敷きつめた構造としてもよい
。 さらに、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着剤を
向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる而に下引
層を設けてもよい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光体と
は、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された
後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー
放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言う
が、実用的な面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励
起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては
、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢ
　ａＳ　Ｏａ：Ａｘ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴｍのう
ち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ＜１モル
％である。）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８
８号記載のＭｇＳＯ４：ＡＸ（但しＡはＨｏ或いはＤｙ
のうちいずれかであり、０．００１≦Ｘ≦１モル％であ
る）で表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記
載されているＳｒＳ　Ｏ４：　Ａ　ｘ（但しＡはＤｙ、
Ｔｂ及び’ｒｓのうち少なくとも１ＴｉＪ、であり、Ｘ
はＯ，ＯＱ１≦Ｘ＜１モル％ある。）で表わされている
蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮ
　ａｔ　Ｓ　Ｏ４、Ｃａ　Ｓ　Ｏ４及びＢ　ａＳ　Ｏ４
等にＭ−ｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添加
した蛍光”休、特開昭５２−３０４８７号に記載されて
いるＢｅ　Ｏ、Ｌ”　１Ｆ　□、”Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏａ及
びＣａ’Ｆ　＊等の蛍光体、特開＋１１７’ｌ；４−２
’Ｏｊ’？？ａ’ｌ＝４；ＪＪ）Ｊｒ−４−＋−ｙ１％
ｚｗ：Ｄｒ＊、ｒｓ、。 Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載され
ているＬ　ｉ＊ｏ　・（１３ｔＯｔ）ｘ：　Ｃｕ（但し
Ｘは２＜ｘ≦３）、及びＬ　ｉ＊ｏ　・（ＢｔＯ＊）ｘ
：Ｃｕ、Ａｇ（但しＸは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国
特許３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｓｓ、ＳｒＳ；Ｅｕ、Ｓｓ、Ｌａ＊ＯｔＳ：Ｅｕ、
Ｓｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ、Ｘ　（但しＸはハ
ロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開
昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ。 Ｐｂ蛍光体、一般式がＢ　ａＯ・ｘＡ　１２ｔｏ　ｓ：
Ｅ　ｕ（但し０゜８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン
酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭ”０−ｘＳ　ｉｏ　
ｔ：Ａ　（但しＭ！はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｃｄ又
はＢａでありＡはＣｅ、Ｔｂ。 Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔ１２．Ｂ　ｉ及びＭｎのうち少な
くとも１種であり、Ｘは０．５≦ｘ＜２．５である。）
で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げら
れる。 また°、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一
般式％式％ （但しＸはＢｒ及びＣＱの中の少なくとも１つであｎ　
　ｖ　ｖＢｒｒｎｌ＋　ｉｈ　ａｈ　ｎ　／　ｖＪ−ｙ
−ｅ　ｎ　Ｒｖ−Ｊ　ｎ　訪び１０−”≦ｅ≦５　Ｘ　
１０−”なる条件を満たす数である。）で表されるアル
カリ上類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−Ｈ１４
４号に記載されている一般式がＬ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣＱ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されて
いる一般式が （Ｂ　ａｌ　−ｘＭ”ｘ）Ｐ　Ｘ　：ｙＡ（但しＭｌ［
は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはＣＱ、Ｂｒ及び■のうち少なくとも１つ
を、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ。 、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ及
びｙは０≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦０．２なる条件を満
たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５５−８４
：（８９号に記載されている一般式が Ｂ　ａＦ　Ｘ　：ｘＣｅ、ｙＡ （但し、ＸはＣＧ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１つ
、ＡはＩ　ｎ、ＴＱ、Ｇｄ、Ｓｓ及びＺｒのうちの少な
くと６１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜ｘ≦２ＸＩ
Ｏ−’及びｏ＜ｙ≦５　Ｘ　１０−’である。）で表さ
れる蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されて
いる一般式が ＭｘＰ　Ｘ−ｘＡ　：ｙＬ　ｎ （但しＭｌはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、、Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１種、Ａはｌ３ｅＯ、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、Ｓ　ｒＯ、Ｅｌ　ａｏ　、　Ｚ　ｎｏ　、ＡＱ＊０
３．Ｙ　ｔｏ　ｓ、Ｌ　ａｇｏ　３．　Ｉ　ｎｔ。 ３、Ｓ　ｉｏ　ｔ、Ｔ　ｉｏ　ｔ、　Ｚ　ｒｏ　ｔ、Ｇ
　ｅｏ　ｔ、　Ｓ　ｎｏ　ｔ＋Ｎ　ｂｔｏ　Ｓ＋’ｒａ
ｔｏｓ及びＴｈｅ、のうちの少なくとも１種、ＬｎはＥ
　ｕ、Ｔ　ｂ、　Ｃｅ、Ｔ　ｍ、Ｄ　ｙ、Ｐ　ｒ、Ｈｏ
、Ｎｄ、Ｙ　ｂ、Ｅ　ｒ。 ５Ｉ１１及びＧｄのうちの少なくとも１種であり、Ｘは
ＣＱ、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１種であり、！及
びｙはそれぞれ５　Ｘ　１Ｇ−’≦Ｘ≦０．５及びｏ＜
ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で表される希
土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式
が７．ｎＳ　：Ａ、　ＣｄＳ　：Ａ、　（Ｚｎ、Ｃｄ）
Ｓ　：Ａ。 ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ、　
Ａ　ｇ。 Ａｕ、又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で表さ
れる蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されて
いる下記のいずれかの一般式 ％式％： （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ。 Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ、ＣＩ２゜
Ｂｒ、及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、Ｔｂ。 Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐ　ｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｄ、Ｅｒ、
Ｓｂ、Ｔ（２，Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種を表
す。また、Ｘ及びＹはＯ＜ｘ≦６．０≦ｙ≦ｌなる条件
を満たす数である。）で表される蛍光体、下記いずれか
の一般式 ％式％： （式中、ＲｅはＬａ、Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕのうち少なく牛も
１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち
少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＰ、ＣＱ、Ｂｒのうち少
なくとも１種を表わす。また、Ｘ及びｙは、ｌ×１０−
’＜　ｘ＜　３　Ｘ　１０−’、ｌ　Ｘ　１Ｇ−’＜　
ｙ＜　ｌ　Ｘ　１０−’なる条件を満たす数であり、ｎ
７ｍはＩ　Ｘ　１０−’＜　ｎ／ｌａ＜７ＸｌＧ−’な
る条件を満たす。）で表される蛍光体、及び下記一般式 ％式％： （但、Ｌ、Ｍ”はＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ、及びＣｇから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり　ｙＩＸ
はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ　ｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ
及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属である
。ＭＩＧよＳｃ、Ｙ　、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐａ
、Ｓｓ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。 Ｄｙ、Ｉｌｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ１．Ｇａ
、及びＩｎから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。Ｘ。 Ｘ・′及びＸ″はＦ、Ｃ１２，Ｂｒ及びＩから選ばれる
少なくとも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ、Ｔｂ。 Ｃｅ、Ｔｏ＋、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、
Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ。 Ｙ、ＴＱ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少な
くとも一種の金属である。 またａは０≦ａ＜　０．５の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜　ｏ、ｓの範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．
２の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド
蛍光体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は
蒸着、スパッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成
させる場合に好適である。 しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽蛍
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。 本発明のパネル製造方法は前記の輝尽性蛍光体の少なく
とも一種類を含む−っ若しくは二つ以上の輝尽性蛍光体
層から成る輝尽性蛍光体層群を形成する工程を含んでも
よい。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽
性蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 次に、前記輝尽性蛍光体を気相成長させることにより輝
尽性蛍光体層を設ける方法について説明する。 第１の方法としては蒸着法がある。該方法に於いては、
まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して
１Ｇ−”Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。次いで、前記輝
尽性蛍光体層の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクト
ロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。 また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。 また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると
同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着法、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。 また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい
。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−＠Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとじてＡ　ｒｓ　Ｎ　ｅ等
の不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０””Ｔｏ
ｒｒ程度のガス圧とする。 次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体
を所望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程ではａ着法と同様に複数回に分けて輝
尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、そ
れぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットとして用い、これを同時あるいは順次スパッ
タリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合
成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて
、Ｏｘ、■■２等のガスを導入して反応性スパッタを行
ってもよい。 さらに、前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、
スパック終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してよい。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。 本発明の放射線画像変良パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は、目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する
感度、輝尽性蛍光体のＮＷＡ等によって異なるが、結着
剤を含有しない場合１０μｌ〜１０００μ属の範囲、さ
らに好ましくは２０μＭ〜８００μ屋の範囲から選ばれ
るのが好ましく、結着剤を含有する場合で１０μｍ〜１
０００μｍの範囲、さらに好ましくは２０μｌｌＩ〜５
００μ度の範囲から選ばれるのが好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルは、得られる放射線画像
の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえば、特願昭５９−
２６６９１２号に述べられているような輝尽性蛍光体層
が前記支持体面にほぼ垂直方向ｉ伸びた微細柱状ブロッ
ク構造を有する構造、特願昭５９−２６６９１３号の述
べられているような表面に多数の微細な凹凸パターンを
有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造をそのま
ま引き継いだ、微細柱状ブロック構造から成る輝尽性蛍
光体層とを有する構造、特願昭５９−２６６９１４号に
述べられているような多数の微小タイル状板が微細な間
隙により互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表面構
造を有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造をそ
のまま引き継いだ微細柱状ブロック構造から成る輝尽性
蛍光体層とを有する構造、特願昭５９−２６６９１５号
の述べられているような、多数の微小タイル状板と該微
小タイル状板夫々を取り囲んでなり夫々を区画する細線
網と該微小タイル状板上に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光
体の微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層とを有する
構造、特願昭５９−２６６９１６号の述べられているよ
うな支持体表面上多数分布し、且つ、間隙をもって互い
に離散している微小タイル状の面上から厚み方向に堆積
された輝尽性蛍光体層にショック処理を加えることにょ
うて前記微小タイル状板間′の間隙から該層表面に向か
って発達されたフレパスを有する微細柱状ブロック構造
から成る輝尽性蛍光体層を設けた構造としてもよい。 また、特願昭６０−１８０７０７号に述べられているよ
うに輝尽性蛍光体層中に微細な空隙を有してもよいし、
特願昭６０−１８０７０４号に述べられているように輝
尽性蛍光体層に層表側から入る亀裂が設けられていても
よい。 次に、輝尽性蛍光体層の支持体側と反対側の而および必
要に応じてその他の面ヘイズ値が０％〜３０％の範囲に
ある保護層を設ける。保護層の形成方法としては、以下
に述べるような方法が用いられる。 第１の方法として、特願昭５９−４２５００号に開示さ
れているように膜形成性の高分子物質を適当な溶媒に溶
解してｔＡ整した溶液を保護層を設置すべき面に塗布し
、乾燥させて保護層を形成する方法がある。 第２の方法として、同じく特開昭５９−４２５００号に
開示されているように高分子物質より成る薄膜の片面に
適当な結着剤を付与し、保護層を設置すべき面に接着す
る方法がある。 第１の方法および第２の方法において用いられる保護層
用材料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、エチルセルロースなどのセルロース誘導体、あ
るいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラー
ド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリ酢
酸ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメチルアリルア
ルコール、ポリメチルビニルケトン、セルロースジアセ
テート、セルローストリアセテート、ポリビニルアルコ
ール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリグリシ
ン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリ
ビニルアミン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド（ナイロン）、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化
−塩化エヂレン、ポリプロピレン、四フッ化エチレンー
六フッ化プロピレン共重合体、ポリビニルイソブチルエ
ーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 第３の方法としては、特願昭６０−１８９３４号に述べ
られているように放射線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂
の少なくともいずれか一方を含有する塗布液を保護層を
設置すべき面に塗布し、特願昭６０−１８９３４号に示
したような設置を用いて紫外線あるいは電子線などの放
射線の照射および／または加熱を施して前記塗布液を硬
化させる方法がある。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を２個以上有
するプレポリマーおよび／またはオリゴマーであり、さ
らに、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビニル
モノマー）を反応性希釈剤として含有させることができ
る。 不飽和二重結合を２個以上有するプレポリマーまたはオ
リゴマーの具体例としては、下記のようなものがある。 １）不飽和ポリエステル ２）変性不飽和ポリエステル ウレタン変性不飽和ポリエステル、アクリルウレタン変
性不飽和ポリエステルおよび末端にアクリル基をイ」°
する液状の不飽和ポリエステル ３）アクリル系ポリマー ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート、シ
リコーンアクリレートおよびウレタンアクリレート ４）ブタジェン系ポリマー ５）エポキシ系ポリマー 脂肪族ポリオールのポリグリシジルエーテル、ビスフェ
ノールＡ（あるいはＦ、Ｓ）ジクリシジルエーテル、ジ
カルボン酸エポキシシクロへキシルアルキルおよびシク
ロペンテオキシド基１個または２個以上を含有するエポ
キシド ６）ポリチオール・ポリエン樹脂 また、本発明に関わる前記熱硬化型樹脂の具体例として
は、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、アミノ樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂
等があげられる。 以ト一に述べた放射線硬化型樹脂および熱硬化型樹脂は
、弔独または２種以上混合して用いてもかまわない。 前記放射線硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂であ
るポリマーに必要に応じて反応性希釈剤であるビニルモ
ノマー、非反応性バインダー、架橋剤、光重合開始剤、
光増感剤、貯蔵安定剤および接着性改良剤、その他の添
加剤を混合して分散し、保護層用塗布液を作成する。 ここで、組成物の粘度を低下させ、かつ放射線硬化速度
を向上させる効果をもつ前記反応性希釈剤の具体例とし
ては、以下のようなものがある。 ａ）単官能モノマー メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアク
リレート、２−エチルへキシルメタアクリレート、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチル
メタアクリレート、グリシジルメタアクリレート、ｎ−
へキシルアクリレート、ラウリルアクリレートなど ｂ）２官能モノマー １．６−ヘキサンジオールジアクリレート、■。 ６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンデルグ
リコール、１．４−ブタンジオールアクリレート、エチ
レングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコー
ルジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレー
ト、ジビニルベンゼンなど ｃ）３官能以上のモノマー トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトー
ル）・リアクリレート、ジペンタエリスリトールへキサ
アクリレート、エヂレンジアミンのアクリル酸エステル
など。 前記保護層用塗布液には、放射線照射および加熱により
硬化しないバインダーを必要に応じ含有させてもよい。 たとえばセルロースエステル、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ス
ヂロール・アクリル酸共重合体などである。 前記保護層用塗布液を硬化させる手段として紫外線照射
を用いる場合には、紫外線エネルギーを吸収して樹脂の
重合反応を開始させる触媒である光重合開始剤を必要に
応じて添加してもよく、さらに該光重合開始剤の効果を
促進する目的で光増感剤を添加してもよい。前記光重合
開始剤としては、カルボニル化合物が多く用いられ、そ
の具体例としては、ベンゾインイソプロピル、イソブチ
ルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物、ベンゾ
フェノン、０−ペンゾイルメヂルベンゾエートなどのベ
ンゾフェノン系化合物、アセトフェノン、トリクロロア
セトフェノン、Ｉ、１−ジクロロアセトフェノン、２．
２−ジェトキシアセトフェノン、２．２−ジメトキシ−
２−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン系化
合物、２−クロ〔ｌチオキサントン、２−アルキルヂオ
キサントンなどのチオキサントン系化合物、および２−
ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロ
キシ−４°−イソプロピル−２−メチルプロピオフェノ
ン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど
の化合物があげられる。 また、とくにエポキシ系ポリマーに対する光重合開始剤
としては、芳香族オニウム塩、すなわちルイス酸ジアゾ
ニウム塩などのジアゾニウム塩、ヘキサフルオロリン酸
トリフェニルフェナシルホスホニウムなどのホスホニウ
ム塩、テトラフルオロホウ酸トリフェニルスルホニウム
、ヘキサフルオロリン酸トリフェニルスルポニウムなど
のスルホニウム塩および塩化ジフェニルヨードニウムな
どのヨードニウム塩などが有用である。その他にもイオ
ウ化合物、アゾ化合物、ハロゲン化合物および有機過酸
化物等が光重合開始剤として用いられる。 前記光重合開始剤は単独で用いてもよいし、２種以上混
合して用いてもよい。 また、光増感剤の例としては、アミン、尿素、ニトリル
およびイオウ、リン、窒素、塩素などの化合物があげら
れる。 なお、前記第１の方法および第３の方法のように、塗布
液を乾燥あるいは硬化させることにより膜を形成してな
る保護層のヘイズ値は、以下の方法で測定することがで
きる。ずなわら前記塗布液を平滑な而りに塗布し、乾燥
あるいは硬化を完全に行−）たのち、得られた膜を剥離
し、その膜単独のヘイズ値を測定すればよい。 １１１ｊ記第１の方法、第２の方法または第３の方法に
より形成される保護層の膜厚は１μ！〜１０００μｌ程
度、さらに好ましくは２μｌ〜５０μ肩程度の範囲にあ
ることが好ましい。 本発明の放射線画像変換パネルにおいて、保護層は一層
とは限らず、二層以上の保護層群であってもよい。前記
保護層群は、そのすべてが同一の形成方法により形成さ
れている必要はない。このように多層構造を有する場合
の保護層のヘイズ値とは、前記保護層群全体のヘイズ値
をさして言う。 本発明の放射線画像変換パネルは、支持体ヒに輝尽性蛍
光体層を設けた後に該輝尽性蛍光体層」−に保護層を形
成して製造してもよいが、保護層上に輝尽性蛍光体層を
形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の放射線画像変換パネルは第２図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられる。 すなわち、第２図において、２１は放射線発生装置、２
２は被写体、２３は本発明の放射線画像変換パネル、２
４は輝尽励起光源、２５は該放射線画像変換パネルより
放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２６は２
５で検出された信号を画像として再生する装置、２７は
再生された画像を表示する装置、２８は輝尽励起光と輝
尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタ
ーである。尚２５以降は２３からの光情報を何らかの形
で画像として再生できるものであればよく、上記に限定
されるものではない。 第２図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル２３に入射する。この入射した放射線には放射線画像
変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネ
ルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される
。次にこの蓄積層を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光
で励起して輝尽性発光として放出せしめる。本発明の放
射線画像変換パネル２３は、輝尽性蛍光体層中に結着剤
が含まれておらず輝尽性蛍光体層の指向性が高いため上
記輝尽性励起光による走査の際に、輝尽性励起光が輝尽
性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。 放射される輝尽売先の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１１２２５で光電変換し、画像再生装
置２６によって画像として再生し、画像表示装置２７に
よって表示することにより、被写体の放射線透過像を観
察することができる。

【実施例】１、 次に１、実施例によって本発明を説明する。 実施例１ ５００μ翼厚のアルミニウム板に特願昭５９−２６６９
１４号に述べられた方法により陽極酸化処理、封孔処理
および加熱処理を施した支持体を蒸着器中に設置した。 次に、抵抗加熱用のタングステンボート中にアルカリハ
ライド輝尽性蛍光体（ＲｂＢ　ｒ：０．０００２ＴＩ２
）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて詠着器を
排気して２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒの真空度とした。 次に、タングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法に
よってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させアルミ
ニウム板上に輝尽性蛍光体層の層厚が３００μｌの厚さ
になるまで堆積させ、輝尽性蛍光体層を形成した。 そして、該輝尽性蛍光体層面に厚さ１２μ１１ヘイズ値
０．９％の四フッ化エチレンー六フッ化プロピレン共重
合体フィルムの片面にポリウレタン系接着剤を付与した
ものを接着することにより保護層を形成し、本発明のパ
ネル八を製造した。 以上のように製造した本発明の放射線画像変換パネルＡ
の画像鮮鋭性を以下の方法を用いて試験し、評価した。 放射線画像変換パネルにＭＴＦチャートを介して管電圧
８０ＫＶｐのＸ線を１０ｇＲ照射した後、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザー光（６３３ｎｍ）により励起し、輝尽性蛍光体層
から放射される輝尽発光を光電子増倍管で充電変換し、
これを画像再生装置によって画像として再生し、画像表
示装置上に画像を得た。得られた画像の変調伝達関数（
ＭＴＦ’）を測定した。空間周波数２　ｃｙｃｌｅ／ｘ
肩のときの変調伝達関数（ＭＴＦ）の値を第１表の「鮮
鋭性」の欄に示す。 実施例２ 実施例１において、保護層用フィルムとして厚さ１２μ
ｌ、ヘイズ値０．９％のポリプロピレンフィルムを用い
ること以外は実施例１の方法と同様の方法により本発明
のペネルＢを製造した。このようにして得られた本発明
のパネルＢを、実施例Ｉと同様にして評価し、結果を第
１表に併記する。 実施例３ 実施例１において、保護層用フィルムとして厚さ１２μ
萬、ヘイズ値６．７％のポリエチレンフタレートフィル
ムを用いること以外は実施例１の方法と同様の方法によ
り本発明のペネルＣを製造した。 このようにして得られた本発明のパネルＣを、実施例１
と同様にして評価し、結果を第１表に併記する。 実施例４ 実施例１において、保護層用フィルムとして厚さ１０μ
貫のポリプロピレンと厚さ３μ瀧のナイロン１２との複
合フィルムでヘイズ値１８．５％のものを用いること以
外は実施例１の方法と同様の方法により本発明のパネル
Ｄを製造した。このようにして得られた本発明のパネル
Ｄを、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。 実施例５ 実施例！において、保護層用フィルムとして厚さ１２μ
ｌ、ヘイズ値２６．０％のポリエチレンテレフタレート
フィルｌ−を用いること以外は実施例１の方法と同様の
方法により本発明のパネルＥを製造した。このようにし
て得られた本発明のパネルＥを、実施例１と同様にして
評価し、結果を第１表に併記する。 比較例 実施例１において、保護層用フィルムとして厚さ１２μ
置、ヘイズ値３８．０％のポリエチレンテレフタレート
フィルムを用いること以外は実施例１の方法と同様の方
法により比較のパネルＰを製造した。このようにして得
られた比較のパネルＰを、実施例１）−Ｍ幡にｌ、τ坪
価ｊ−訪婁を塩１男にイ捧記する。 第１表 第１表より明らかにように、本発明の放射線画像変換パ
ネルＡ−Ｅは比較の放射線画像変換パネルＰに比べて画
像の鮮鋭性が著しく優れていた。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明のパネルによれば鮮鋭性
り高い画像を得ることが可能であり、気相堆積により形
成れさた輝尽性蛍光体層を有するパネルの長所を最大限
に発揮することができるためきわめて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの基本的構造
例を示す断面図である。第２図は、本発明にいて用いら
れる放蔚線画像変換方法の概略図である。 出願人　小西六写真工業株式会社 第１図 １１−炎１引本 １２−−−　ｌ、ｈａ’ｌｉ（氷層 １３−−−　（呆渡盾 第２図 ２１−腋１１織を主髄眞 ２２−橡享捧 ２５−を電曳埃装置 ２Ｂ−フイＪ４− 手続補正書 、事件の表示 ど／　−ＯＪ”？；に／ 昭和６１年４月１７日付特許［（１） 、発明の名称 低ヘイＸ保護層を有する放射線画像変換パネル−０補正
をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号連絡先 〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会社（電話０４２５−８３−１５２
１）５、？ｌｌｌ正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及び「図面の簡単な
説明」の欄。 ６、補正の内室 （１）「発明の詳細な説明」の欄を次の如く補正する。 （２）「図面の簡単な説明」の欄を次の如（補正する。 明細書の第３９頁第１行目「明にいて」を「明において
」に改める。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体と該支持体上に気相成長により設けられた輝尽性
   蛍光体層、および該輝尽性蛍光体層上に設けられた保護
   層から実質的に構成されている放射線画像変換パネルに
   おいて、該保護層のヘイズ値が３０％以下であることを
   特徴、とする放射線画像変換パネル。