JPS63278000A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは水分による劣化が小
さく、かつ高画質の放射線画像を４える放射線画像変換
パネル及びその製造方法に関するものである。

【発明の背ｆ：ｔ】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生七させてこの可視“光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。 一方近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体
層から直接画像を取り出す方法が工夫された。この方法
としでは被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ
、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネルギーで励
起することによりこの蛍光体が上記吸収により蓄積して
いる放射線エネルギーを蛍光とＬで放射せしめ、この蛍
光を検出して画像化する方法である。具体的には、例え
ば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２
１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を
輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されでいる。 この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当
てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーをＭ積させて潜像を形成し、しかる後にこのｌＩＩ
尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部
のＷ積された放射線エネルギーを放射−させてこれを光
に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得る
ものである。この最終的な画像はバートコビイとして再
生しても良いし、ＣＲＴ上に再生しても良い。 この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スクリーン
を用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収率及び
光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」という）が
高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、しかも高
鮮鋭性であることが要求される。゛ ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μ論程度の粒状の輝尽性蛍光体
と有機結着斉ダとを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高く
するには輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする必要があった
。 一方、こ、れに対し前記放射線画像変換方法における画
像の鮮鋭性は、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のため
には、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の枯造的乱れ（
構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体
層の層厚が薄くなると、ｌｌＩ尽性電性蛍光体層収され
る放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構
造的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質
の低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるため
には輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感３度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によっ
て作成されてきた。 本出願人は、このような特性間の相反性に鑑みて、特開
昭６１−７３１００号において輝尽性蛍光体層に結着剤
を含有しない放射線画像変換パネル及びその製造方法を
提案している。これによれば、前記放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層は気相堆積などの方法を用いて形成
簑れており、結着剤を含有しないので、輝尽性蛍光体層
の充填率が着しく向上すると共に輝尽性蛍光体層中での
輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し、放射線画像
変換パネルの放射線に対する感度と画像の粒状性が改善
されると同時に画像の鮮鋭性も改善される。 該パネルは、放射線画像情報をＭ積した後励起光の走査
によって蓄積エネルギーを放出するので走査径再度放射
線画像の蓄積を行うことかでか、繰返し使用が可能であ
る。 そこで、前記放射線画像変換パネルにおいて、得られる
画像の高画質化が望まれるのは当然のことであるが、さ
らに長期間の使用に耐える性能が要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体は吸湿性が大であり、通
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の水分を
収着し、時間の経過とともにその性能が劣化する。具体
的°には、放射線に対する感度が低下したり、放射線照
射により生成した潜像の槌打速度が増大する現像が起こ
る。 さて、気相堆積法により設けられた輝尽性蛍光体層は、
前述のごとく数々の優れた特長さもっにもかかわらず、
輝尽性蛍光体が結着剤により保護されていないために水
分の影響を受けやすいという欠点を有していた。輝尽性
蛍光体粒子を結着剤中に分散した蛍光体層においては、
たとえば特開昭６１−２０９８２号に述べられているよ
うに蛍光体層中に疎水性微粒子を輝尽性蛍光体に対して
０．００５重量％以上１０重量％以下の量で含有させる
方法、特願昭６１−５３２６９号に述べられているよう
に蛍光体層中にシランカップリング剤を含有させる方法
、および特願昭６１−５３２７０号に述−べられている
ように輝尽性蛍光体粒子をマイクロカプセル化する方法
など、ｍ尽性蛍光体層そのものの耐湿性を向上するだめ
の方法が提案されているが、気相堆積型の輝尽性蛍光体
層においてはそのような方法は用いられていなかった。

【発明の目的】

本発明は、輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルにおける前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は、気相堆積法により形成された輝尽
性蛍光体層における画質上の優れた特性を有しながらか
つ水分の収着に起因する性能劣化の小さい放射線画像変
換パネルを提供することにある。

【発明の構成】

前記した本発明′の目的は、気相堆積法により設けられ
た少くとも一層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像パ
ネルに於て、前記ｌｌ［尽性蛍光体層が亀裂を有し、該
亀裂に疎水性高分子物質を含浸させたことを特徴とする
放射線画像変換パネルにより達成される。 ここで疎水性高分子物質としてはとくにシリコンオイル
および含弗素有機化合物が好ましい。 次に本発明を具体的に説明する。 Ｐｔ５１図（ａ）は本発明の放射線画像変換パネル（以
後意味明晰な場合には単にパネルと略称することがある
）の−例の厚み方向の断面図である。 同図に於いて１０は本発明のパネルの形態を示す。 １１は支持体であり、１２は支持体上に設けられた輝尽
性蛍光体層であり、気相堆積法により形成されたｌｌＩ
尽性蛍光体層を表す、支持体１１とｌｌＩ尽性蛍光体層
１２との間には、必要に応じ各Ｍｒｍの接着性をよくす
るための接着層を設けてもよいし、あるいは輝尽励起光
および／または輝尽発光の反射層もしくは吸収層を設け
てもよい、また、１３は設けＣ）れることが好ましい保
護層である。 本発明のパネルにおいて、輝尽性蛍光体層中にシリコン
オイルまたは含弗素有機化合物などの疎水性高分子物質
を含有させる形態としてはいがなる形態であってもよい
がとくに効果が高くかつ製造が容易であるのは、第１図
（ｂ）および（Ｃ）に示すようにｌｌＩ尽性蛍光体［１
２が支持体１１に対し垂直方向に延びた微細な亀裂１４
を有し、該亀裂１４中にシリフンオイルまたは含弗素有
機化合物（以後特定疎水物と称す）１５が充填されてい
る形態である。 ここでＶ＄尽性蛍光体中の亀裂とは、具体的には輝−尽
性蛍光体の結晶粒界に沿って設けられた微細な亀裂、溝
、窪み、フレパス等を総称している。 前記亀裂の形態としては、たとえば第１図（ｂ）に示す
ように支持体１１に対しは、シ垂直方向に伸びた微細柱
状ブロック構造を有する輝尽性蛍光体層１２において、
該微細柱状ブロック夫々を区画するフレパス１４であっ
てもよい、前記柱状ブロック構造は任意のパターンを有
してもよい、第２図（＆）、（ｂ）および（ｃ）に該パ
ターンの例を輝尽性蛍光体層に平行な断面を平面図とし
て示した。第２図において２１は輝尽性蛍光体層横断面
を、２２は前記微細柱状ブロックを、２３は前記フレバ
ス（斜線部）を表している。 また、本発明のパネルは第１図（ｃ）に示すように輝尽
性蛍光体層１２の１１表側から入る亀裂１４を有し、該
亀裂内に特定疎水物１５が充填された構造であってもよ
い。 また、第１図（ｄ）！−ように特定疎水物１５が亀裂１
４内に充填されていると同時に蛍光体層１２上に薄い被
膜を形成してもよい、該被膜の厚さは３０μ％以上であ
ることが好ましい。 以上の例において特定疎水物が亀裂内にすきまなく充填
されている必要はなく、亀裂の内側の面に付着している
のみでもよい。 本発明のパネルの１７１１尽性蛍光体層の厚みはパネル
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが１０〜８００μｌの範囲であることが好ましく
、５０〜５００μ肩の範囲であることが更に好ましい。 本発明のパネルにおいて、亀裂１４の幅は１〜２０μｌ
程度が好ましく、隣りあう亀裂間の間隔は１〜４００μ
履程度が好ましい。 本発明に於る前記特定疎水物としては下記のものが挙げ
られる。 （１）　　シリコンオイル シリコンオイルとしてはとくに有機ポリシロキサン化合
物が好しく、就中 メチルハイドロジエンポリシロキサン、０１１末端を有
するジメチルポリシロキサン、ジメチルポリシロキサン
、 が好しい、上記に於てｎ＝３〜２００である。 （２）含弗素有機有機化合物 標記化合物としてはとくに弗素化脂肪酸アミド、Ｆ−ｆ
ｃ１１２＋１ｉ−ｃｏ−ＮＨ−ＣＩＩＲ−ＣＯＯ）Ｉ（
ｎ＝３−２０、Ｒ：Ｃ，−Ｃ，のアル斗ル基）パー７０
ロモノカルボン酸クロム錯塩、アクリルＩＩｉ！！７ツ
索化アルキルエステル→Ｃ１！　２−　Ｃ１ｌ　）ｎ ＣＯＯＣ１＋、＋ＣＦ、片Ｆ （ｎ＝３〜１００） が挙げられる。 （３）　　その他 ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−塩化ビニ
リデン共重合体などが使用できる。 蛍光体層に特定球水物含浸させる方法としては、７セト
ン、メチルエチルケトン、トリクロルエチレン、パーク
ロルエチレン、四塩化炭素、塩化メチレン、ＬＬｌ−）
リクロルエタン、炭化水素系溶剤などに０．１〜１０重
量％程度の濃度に溶解し、蛍光体層に塗布または噴霧す
るかあるいは蛍光体層を前記溶液中に浸漬し、室温〜フ
Ｏ℃程度で乾燥し溶剤を蒸発させる。更に必要に応じて
１００〜３００℃で加熱処理を施してもよい。 とくに有機ポリシロキサン化合物あるいは含弗素有機化
合物の中には加熱処理により分子が重合して分子鎖が長
くなり防糟効来が高まるものがあり好ましい。 加熱処理時には必要に応じて触媒を加えてもより１゜ 該触媒としては、カプリル酸亜鉛、カプリル酸鉄、ジラ
ウリン酸ジプチル錫、カプリル酸第１錫、酢酸ナトリウ
ム、ナフテン酸亜鉛などが挙げられる。 また前記のようにポリマを含浸させる以外に、モノマま
たはオリゴマの適当な溶媒溶液を含浸させた後重合反応
を起こさせてもよい。 本発明のパネルにおける輝尽性蛍光体は、最初の尤もし
くは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱的
、機械的、光学的または電気的等の刺激（輝尽励起）に
より、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面か
ら好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光によって輝尽
発光を示す蛍光体である。具体的には例乏ぽ特開昭４８
−８０４８７号に記載されているＢａ５Ｏｎ：＾Ｘで表
される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇ５
Ｏ，：八Ｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９
号に記載されている５ｒＳＯ＜：八Ｘで表されている蛍
光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ
ｔＳＯ４１ＣａＳＯ４及びＢａ５Ｏ，等にＭｎ＋ＤＦ及
びＴｂのうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭
５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ＊ＬｉＦＪ
ｇＳＯ＋及びＣａＦｚ等の蛍光体、特開昭５３−３９２
７７号に記載されているＬｉＪ、Ｏｔ：Ｃｕ、へｇ等の
蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ
ｉｚＯ’　（ＢｚＯｚ）ｘ：Ｃｕ及びＬｉ２Ｏ”　（Ｌ
Ｌ）ｘ：Ｃｕｒ八ｇへの蛍光体、米国特許３，８５９゜
５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｓ、ＳｒＳ
：Ｅｕ、ＳＩＩ、Ｌａ２０ｚＳ：Ｅｕ＋Ｓｍ及び（Ｚｎ
、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘで表される蛍光体が挙げられる。 また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ：Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘ＾１．Ｏ，
：Ｅｕで表されるフルミン酸バリウム蛍光体、及び一般
式がＭ”０・ｘｓｉ０２：＾で表されるアルカリ土類金
属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１
２１４３号に記載されている一般式 ％式％： で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号に記載されている。 Ｌ　ｎ　ＯＸ　：　ｘ＾ で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式 ％式％： で表される蛍光体、ｖｆｒｍ昭５５−８４３８９号に記
載されている一般式 ％式％ で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載
されている一般式 ％式％： で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ＺｎＳ：＾、ＣｃｌＳ：＾、（Ｚｎ、Ｃｄ
）Ｓ：＾、ＺｎＳ：＾、Ｘ及びＣｄＳ：＾、Ｘで表され
る蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている
下記いづれがの一般式ＸＭ３（ＰＯ４）２　・ＮＸ２：
Ｆ＾ ８３（ＰＯ４）２・ｙ＾ で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
の一般式 ％式％： で表される蛍光体、及び特開昭６１−７２０８７号に記
載の一般式 ％式％： で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等
の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。 しかし、本発明のパネルに用いられる輝尽性蛍光体は、
前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射し
た後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体
であればいがなる蛍光体であってもよい。 本発明のパネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくとも一種
類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性蛍光体層から成
る輝尽性蛍光体層群であってもよイ、マタ、それぞれの
ｔＪｐ尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であ
ってもよいが異なっていてもよい。 次に、前記輝尽性蛍光体を気相成長させることにより輝
尽性蛍光体層を設ける方法について説明する。 第１の方法としでは蒸着法がある。該方法に於いては、
まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して
１０−＠Ｔｏｒｒ程度の真空度とする０次いで、前記輝
尽性蛍光体層の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクト
ロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。 また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である
。 また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると
同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。 また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい
。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用のガスとして＾ｒｅ　Ｎｅ等の不
活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０−コＴｏｒｒ
程度のガス圧とする。 次に、前記輝尽性蛍光体をターデッドとして、スパッタ
リングすることにより前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スバツタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝
尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、そ
れぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターデッドとして−用い、これを同時あるいは順次スパ
ッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を
合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能
である。また、前記スパッタ法においては、必要に応じ
て０□、ｌ！２等のガスを導入して反応性スパッタを行
ってもよい。 さらに、前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に
・応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい、また
、スパッタ終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい
。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。 保護層の形成方法としては、以下に述べるような方法が
用いられる。 第１の方法トシテ、￥ｆ　Ｍ　昭５９−４２５００号、
に開示されているように膜形成性の高分子物質を適当な
溶媒に溶解して調整した溶液を保護層を設置すべき面に
塗布し、乾燥させて保３１１を形成する方法がある。 第２の方法として、同じく特開昭５９−４２５００号に
開示されているように高分子物質より成るｒｇ膜の片面
に適当な結着剤を付与し、保護層を設置すべき面に接着
する方法がある。 第１の方法および第２の方法において用いられる保護層
用材料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、エチルセルロースなどのセルロース誘導体、あ
るいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢
酸ビニル、ポリ７クリロニトリル、ポリメチルアリルア
ルコール、ポリメチルビニルケトン、セルロースフアセ
テート、セルローストリアセテート、ポリビニルアルコ
ール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリグリシ
ン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリ
ビニルアミン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチ
レン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアミ
ド　（ナイロン）、ポリ四７ツ化エチレン、ポリ三７７
化−塩化エチレン、ポリプロピレン、四７ツ化エチレン
ー六７ツ化プロピレン共重合体、ポリビニルイソブチル
エーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 第３の方法としては、特開昭６１−１７６９００号に述
べられているように放射線硬化型ｔＭＩ！１ｔまたは熱
硬化型樹脂の少なくともいずれか一方を含有する塗布液
を保護層を設置すべき面に塗布し、特開昭６１−１７６
９００号に示したようなｗｋＷｌを用いて紫外線あるい
は電子線などの放射線の照射お上ｖ／＊たは加熱を施し
て前記塗布液を硬化させる方法がある。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を２個以上有
するプレポリマおよび／またはオリゴマであり、さらに
、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビニルモノ
マ）を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記放射線硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂であ
るプレポリマおよび／またはオリゴマに必要に応じて反
応性希釈剤であるビニルモノマ、非反応性バインダ、架
橋剤、光重合開始剤、光増感剤、貯蔵安定剤および接着
性改良剤、その他の添加剤を混合して分散し、保護層用
塗布液を作成する。 前記保護層用塗布液には、放射線照射および加熱により
硬化しないバインダを必要に応じ含有させてもよい、た
と乏ばセルロースエステル、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、スチ
ロール、アクリル酸共重合体などである。 前記の方法により形成される保護層の膜厚は１μｍ〜１
００μｌ程度、さらに好ましくは２μｌ〜５０μ履程度
の範囲にあることが好ましい。 本発明のパネルにおいて、保護層は一層とは限らず、二
層以上の保護層群、とくに特願昭６１−１５６３４６号
に述べられているように互いに吸湿性の異なる二層以上
の保護層群であってもよい。 保護層は特開昭６２−１５４９８号に述べられているよ
うにその防湿性の係数が４０℃、９０％ＲＨにおいて１
．５ｍ　”　２４　ｈ　ｒ　７１１０ｍ　ｘ以上である
ことが好ましい。 また、本発明のパネルは特願昭６１−５３２７６号に述
べられているように蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など
の気相１１ｔ、積法により設けられた保護層を有しても
よい。 このような保護層の層厚は一般的には０．１〜５０μ漏
が好ましい。 気相堆積法により形成される保護層に用いられる無機物
質としては、弗化物系及び酸化物系素材が好ましい素材
としてあげられる。 弗化物系素材としてはＣａＦ２ｔＮｇＦｚ＊ＣｅＦｚ＋
［１ａＦＨＳｒＦ２、酸化物素材としては、５ｉＯａ、
５ｉＯｚ−＾１２０．。 Ｔｉ０ｉ４ｚＯｓ＊Ｚｒ０ｉＪｓＯ＊（：ｄｚＯｓ＋５
ｃｚＯｚｔｌｌｆＯｔ＊Ｃｅ０ｚなどである。 本発明の放射線′画像変換パネルにおいて用いられる支
持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いら
れる。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のあ
るシートあるいはウェブに加工でｂるものが好適であり
、この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリ
ア七テートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプ
ラスチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等
の金属シート或は該金属酸化物の被ＩＩ層を有する金属
シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等１こ
よって異なるが、一般的には８０μ〜〜１０００μ履で
あり、取り扱い上の点が、さらに好ましくは８０μｌ〜
５００μ肩である。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、ｌｌＩ尽
性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面とし
てもよい、また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし
、個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構
造としてもよい。 さらに、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。 前記のように考えられる本発明のパネルは第３図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。すなわ
ち、第３図において、３１は放射線発生装置、３２は被
写体、３３は本発明のパネル、３４は°輝尽励起光源、
３５は該パネルより放射された輝尽発光を検出する光電
変換装置、３６は３５で検出された信号を画像として再
生する装ｒ！１３７は再生された画像を表示する装置、
３８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみ
を透過させるフィルタである。尚３５以降は３３からの
光情報を何らかの形で画像として再生できるものであれ
ばよく、上記に限定されるものではない。 第３図に示されるように放射線透過像Ｗ１３１からの放
射線は被写体３２を通して本発明のパネル３３に入射す
る。この入射した放射線にはパネル３３の輝尽性蛍光体
層に吸収され、そのエネルギーがＷ積され、放射線透過
像の蓄積像が形成される０次にこの蓄積層を１１［尽励
起光＠３４か烏の輝尽励起光で励起して輝尽性発光とし
て放出せしめる１本発明のパネル３３は、ｌＰ尽性蛍光
体層中に結着剤が含まれておらず輝尽性蛍光体層の指向
性が高いため上記輝尽性起光による走査の際に、輝尽性
励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装ａ！３５で光電変換し、画像再生装ｆｉ
３６によって画像として再生し、画像表示装置！３７に
よって表示することにより、被写体の放射線透過像を観
察することができる。 ｆ′ｉＡ施例］ 流側実施例により本発明を説明する。 実施例 ０．５層Ｒ厚のアルミニウム板を特開昭６１−１４２４
９８号に開示された方法を用いて陽極酸化処理、封孔処
理及び加熱処理してタイル状板が微細な間隙により個々
に独立して配置された表面構造とした支持体を蒸着器中
に設置した。前記タイル状板の平均径６５μ層であった
。 次に抵抗加熱用のタングステンボート中に輝尽性蛍光体
ＲｂＢｒ：Ｔｆを入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続
いて蒸着器を排気して２　Ｘ　１０−＠Ｔｏｒｒの真空
度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
って輝尽性蛍光体を蒸発させ前記アルミニウム板上に輝
尽性蛍光体層の層厚が３００μｌの厚さになるまで堆積
させた。 次に該パネルを蒸着器より取り出して窒素雰囲気中で３
００℃まで加熱し、この状態で十分量保持した後、加熱
炉を取り去ると共に窒素流量を増して急速に冷却して、
フレパスで囲繞された微細柱状ブロック構造を有する輝
尽性蛍光体層を形成し、大気中に取り出した。このよう
にして支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネル原体を
得た。 次にメチルハイドロノニンポリシロキサン（トーレシリ
コーン５１１１１０７オイル；トーレシリコーン製）の
２％トリクａルエチレン溶液に十分に乾燥した前記パネ
ル原体を１時間浸漬した後パネル原体を取り出して５５
℃で乾燥、した０次に１５０℃で１５分間加熱処理した
。 このようにシリコンオイルを用い゛て処理した前記パネ
ル原体を厚さ１５μｌの延伸ポリプロピレン製保護袋に
収納し、特開昭６１−２２０４９２号に述べられている
方法を用いて真空密封し、保護層を形成して本発明のパ
ネルＡを製造した。 このようにして得られた本発明のパネル八に管電圧８０
ＫＶ、のＸ線を１０ｍＲ照射した後、半導体レーザ光（
波ｖｃ７８０ｎｍ）で輝尽励起し、Ｘ１ＴＩ尽性蛍光体
層から放射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）
で充電変換し、この信号の大きさよりＸ線に対する感度
を調べた。 次にパネルＡを５０’Ｃ，９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に
４８時間放置して強制劣化させた後再びＸ＃ｌ感度を測
定し、結果を第１表に併記した。 比較例 実施例において、パネル原体をシリコンオイル処理する
工程を省略する以外は実施例と同様にして比較のパネル
Ｂを製造した。 このようにして得られた比較のパネルＢは、実施例と同
様にして強制劣化試験を行い、結果を第１表に示した。 なお第１表において感度はパネルＡの強制劣化前の感度
を１００として相対値で表しである。 第１表 Ｐｔ５１表かられかるように、本発明のパネルはＲ１９
０％の湿度に耐えて感度の低下は着しく少い。 ｒ発明の効果】 柱状ブロック構造をなすアルカリ、へ２イド蛍光体の如
き気相堆積に好都合で高性能であるが湿度に対し弱い蛍
光体の防湿対策かえられ、この分野の技術に基盤を与え
ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のパネルの断面図である。 第２図は本発明のパネルのｉｏ＋ｒ平面図である。 第３図は本発明のパネルを用いる放射線画像変換方法の
説明図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 気相堆積法により設けられた少なくとも一層の輝尽性蛍
   光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝
   尽性蛍光体層が亀裂を有し、該亀裂に疎水性高分子物質
   を含浸させてなることを特徴とする放射線画像変換パネ
   ル。