JPH0677079B2 - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置Info
- Publication number
- JPH0677079B2 JPH0677079B2 JP19636584A JP19636584A JPH0677079B2 JP H0677079 B2 JPH0677079 B2 JP H0677079B2 JP 19636584 A JP19636584 A JP 19636584A JP 19636584 A JP19636584 A JP 19636584A JP H0677079 B2 JPH0677079 B2 JP H0677079B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stimulable phosphor
- radiation image
- phosphor layer
- radiation
- image conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像情報読取装置
に関するものであり、さらに詳しくは放射線に対して高
感度で、粒状性が良く、更に鮮鋭性の高い放射線画像を
得ることのできる放射線画像情報読取装置に関するもの
である。
に関するものであり、さらに詳しくは放射線に対して高
感度で、粒状性が良く、更に鮮鋭性の高い放射線画像を
得ることのできる放射線画像情報読取装置に関するもの
である。
（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。
この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許第3,859,527号及び特開昭55−121
44号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換方法が示されている。この
方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像
変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて
被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギー
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光
体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱による光信号により画像を得るものであ
る。この最終的な画像はハードコピーとして再生しても
良いし、CRT上に再生しても良い。
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許第3,859,527号及び特開昭55−121
44号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換方法が示されている。この
方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像
変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて
被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギー
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光
体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、
この光の強弱による光信号により画像を得るものであ
る。この最終的な画像はハードコピーとして再生しても
良いし、CRT上に再生しても良い。
さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。
ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜30μｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体と
有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に
塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填密
度が低く（充填率50％）、放射線感度を充分高くするに
は第３図に示すように輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする
必要があった。第３図から明らかなように、輝尽性蛍光
体層の層厚200μｍのときに輝尽性蛍光体の附着量は50m
g/cm2であり、層厚が350μｍまでは放射線感度は直線的
に増大して450μｍ以上で飽和する。尚、放射線感度が
飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝
尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため輝尽性蛍光
体層内部での輝尽発光が外部に出てこなくなるためであ
る。
換パネルは粒径１〜30μｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体と
有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上に
塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填密
度が低く（充填率50％）、放射線感度を充分高くするに
は第３図に示すように輝尽性蛍光体層の層厚を厚くする
必要があった。第３図から明らかなように、輝尽性蛍光
体層の層厚200μｍのときに輝尽性蛍光体の附着量は50m
g/cm2であり、層厚が350μｍまでは放射線感度は直線的
に増大して450μｍ以上で飽和する。尚、放射線感度が
飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝
尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため輝尽性蛍光
体層内部での輝尽発光が外部に出てこなくなるためであ
る。
一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第４図に示すように、放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮
鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要
であった。
の鮮鋭性は第４図に示すように、放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮
鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要
であった。
また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
は放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ
（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造
的乱れが顕在下して構造モトルが増加したりして画像の
低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。
は、放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるい
は放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ
（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して量子モトルが増加したり、構造
的乱れが顕在下して構造モトルが増加したりして画像の
低下を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるために
は輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。
即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって作
成されてきた。
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって作
成されてきた。
ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対して前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パ
ネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定
されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよう
に蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（xi,yi）からの出力として記録されるが、も
し輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射
画素（xi,yi）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起
してしまうと、上記（xi,yi）なる画素からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
うからである。従って、ある時間（ti）に照射された輝
尽励起光による輝尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起
光が真に照射されていた該パネル上の画素（xi,yi）か
らの発光のみであれば、その発生がいかなる広がりを持
つものであろうと得られる画素の鮮鋭性には影響がない
のである。
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対して前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パ
ネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定
されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよう
に蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（xi,yi）からの出力として記録されるが、も
し輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射
画素（xi,yi）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起
してしまうと、上記（xi,yi）なる画素からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
うからである。従って、ある時間（ti）に照射された輝
尽励起光による輝尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起
光が真に照射されていた該パネル上の画素（xi,yi）か
らの発光のみであれば、その発生がいかなる広がりを持
つものであろうと得られる画素の鮮鋭性には影響がない
のである。
このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55−1464
47号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
白色粉体を混入する方法、特開昭55−163500号記載の放
射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起波長領域
における平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波長
領域における平均反射率よりも小さくなるように着色す
る方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良
すると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい
方法とは言えない。
方法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55−1464
47号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に
白色粉体を混入する方法、特開昭55−163500号記載の放
射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起波長領域
における平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波長
領域における平均反射率よりも小さくなるように着色す
る方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良
すると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい
方法とは言えない。
（発明の目的） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像情報読取装置
における前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑みて
なされたものであり、本発明の目的は放射線に対する感
度が向上すると共に鮮鋭性の高い画像を得ることのでき
る放射線画像情報読取装置を提供することにある。
における前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑みて
なされたものであり、本発明の目的は放射線に対する感
度が向上すると共に鮮鋭性の高い画像を得ることのでき
る放射線画像情報読取装置を提供することにある。
（発明の構成） 前記本発明の目的は、支持体上に、気相堆積されて形成
される少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を備えた、放射
線画像情報を記録するための放射線画像変換パネルと、
前記輝尽性蛍光体層に照射するためのレーザ光を出射す
る光源手段と、前記レーザ光を前記輝尽性蛍光体層に照
射して生じる輝尽発光光を検出し、該輝尽発光光の光量
に基づいた信号を出力する光電変換手段とを有し、前記
光電変換手段の出力に基づいて前記放射線画像情報を読
み取る放射線画像情報読取装置において、前記輝尽性蛍
光体層が柱状ブロック状に細分化された構造を有し、前
記輝尽性蛍光体層に対して前記光源手段からのレーザ光
を照射するとともに、前記光電変換手段による前記輝尽
発光光の検出を行うように構成したことを特徴とする放
射線画像情報読取装置によって達成される。
される少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を備えた、放射
線画像情報を記録するための放射線画像変換パネルと、
前記輝尽性蛍光体層に照射するためのレーザ光を出射す
る光源手段と、前記レーザ光を前記輝尽性蛍光体層に照
射して生じる輝尽発光光を検出し、該輝尽発光光の光量
に基づいた信号を出力する光電変換手段とを有し、前記
光電変換手段の出力に基づいて前記放射線画像情報を読
み取る放射線画像情報読取装置において、前記輝尽性蛍
光体層が柱状ブロック状に細分化された構造を有し、前
記輝尽性蛍光体層に対して前記光源手段からのレーザ光
を照射するとともに、前記光電変換手段による前記輝尽
発光光の検出を行うように構成したことを特徴とする放
射線画像情報読取装置によって達成される。
尚、本発明に関する放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光
体の層状部分の形成に際しては、蒸着法もしくはスパッ
タ法を用いるが、この場合に、パネルの支持体、その下
引層或いは保護層の結着剤を含有した層への輝尽性蛍光
体の貫入、或いは前記いずれかの方法で形成される輝尽
性蛍光体層への下引層或いは保護層の結着剤の侵入が生
じることがある。しかし、輝尽性蛍光体と結着剤の前記
理由による混在層は実用上、無視できるので、前記いず
れかの方法によっては前記潜在層は生成しないものとし
て以後簡略して記述する。
体の層状部分の形成に際しては、蒸着法もしくはスパッ
タ法を用いるが、この場合に、パネルの支持体、その下
引層或いは保護層の結着剤を含有した層への輝尽性蛍光
体の貫入、或いは前記いずれかの方法で形成される輝尽
性蛍光体層への下引層或いは保護層の結着剤の侵入が生
じることがある。しかし、輝尽性蛍光体と結着剤の前記
理由による混在層は実用上、無視できるので、前記いず
れかの方法によっては前記潜在層は生成しないものとし
て以後簡略して記述する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に関する放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍
光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
を言うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:A
x（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHo或
いはDyのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１モル％で
ある）で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51−29889号に
記載されているNa2SO4,CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTb
のうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−30
487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等の蛍光
体、特開昭53−39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag
等の蛍光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2O
・（B2O2）x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・
（B2O2）x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、
米国特許3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハ
ロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般
式がBaO・xAl2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされる
アルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭIIＯ・xSiO
2:A（但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,T
b,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ＜2.5である。）で表わされるアルカリ土類
金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般式が （Ba１−ｘ−ｙMgｘCaｙ）FX:eEu２＋ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであり、x,y
及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ＸはCl
及び／又はBrを、ＡはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、特
開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba１−ｘＭII ｘ）FX:yA （但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうち少なくとも１つ
を、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭
55−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,
Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及び
ｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2で
ある。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078号に記
載されている一般式が ＭIIFX・xA;yLn （但しＭII（ａ）はMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少な
くとも１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y
2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2
O5及びThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種で
あり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であ
り、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ
≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式が
ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A,X及びCdS:A,X（但
しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭57−148285号に記載
されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）２・yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,Mn
及びSnのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
は０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、下記いずれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はＦ、Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる
蛍光体、及び下記一般式 ＭＩＸ・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″3:cA （但し、ＭＩはLi,Na,K,Rb,及びCsから選ばれる少なく
とも１種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金
属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,D
y,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも
１種の三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩ
から選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,C
u及びMgから選ばれる少なくとも１種の金属である。
光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
を言うが、実用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:A
x（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表わされる蛍光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHo或
いはDyのうちいずれかであり、0.001≦ｘ≦１モル％で
ある）で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に記載
されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされている蛍光体、特開昭51−29889号に
記載されているNa2SO4,CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTb
のうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52−30
487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等の蛍光
体、特開昭53−39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag
等の蛍光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2O
・（B2O2）x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・
（B2O2）x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、
米国特許3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハ
ロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般
式がBaO・xAl2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表わされる
アルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭIIＯ・xSiO
2:A（但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,T
b,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少なくとも１種であり、
ｘは0.5≦ｘ＜2.5である。）で表わされるアルカリ土類
金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、一般式が （Ba１−ｘ−ｙMgｘCaｙ）FX:eEu２＋ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであり、x,y
及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ＸはCl
及び／又はBrを、ＡはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、特
開昭55−12145号に記載されている一般式が （Ba１−ｘＭII ｘ）FX:yA （但しＭIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうち少なくとも１つ
を、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭
55−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yA（但
し、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,
Tl,Gd,Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及び
ｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2で
ある。）で表わされる蛍光体、特開昭55−160078号に記
載されている一般式が ＭIIFX・xA;yLn （但しＭII（ａ）はMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少な
くとも１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y
2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2
O5及びThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種で
あり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であ
り、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ
≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わされる希土
類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式が
ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A,X及びCdS:A,X（但
しＡはCu,Ag,Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭57−148285号に記載
されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）２・yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,Mn
及びSnのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及びｙ
は０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、下記いずれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はＦ、Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる
蛍光体、及び下記一般式 ＭＩＸ・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″3:cA （但し、ＭＩはLi,Na,K,Rb,及びCsから選ばれる少なく
とも１種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金
属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,D
y,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも
１種の三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩ
から選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,C
u及びMgから選ばれる少なくとも１種の金属である。
またａは、０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦
ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の
数値である。）で表わされるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，
スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好
ましい。
ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の
数値である。）で表わされるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，
スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好
ましい。
しかし、本発明に関する放射線画像変換パネルに用いら
れる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものでは
なく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。
れる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものでは
なく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に
輝尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であって
もよい。
前記輝尽性蛍光体は支持体上に結着剤を用いないで層状
に堆積され、輝尽性蛍光体層とし、本発明に関する放射
線画像変換パネルが作成される。
に堆積され、輝尽性蛍光体層とし、本発明に関する放射
線画像変換パネルが作成される。
本発明に関する放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍
光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の
輝尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なってもよい。
光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の
輝尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なってもよい。
次に、前記輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しない本発明
に関する放射線画像変換パネルの製造方法について説明
する。
に関する放射線画像変換パネルの製造方法について説明
する。
第１の方法として蒸着法がある。該方法に於いては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して10
-6Torr程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体
の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法
等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光
体を所望の厚さに堆積させる。
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して10
-6Torr程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体
の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法
等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光
体を所望の厚さに堆積させる。
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程で
は複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用い
て共蒸着を行うことも可能である。
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程で
は複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用い
て共蒸着を行うことも可能である。
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明に関
する放射線画像変換パネルが製造される。尚、保護層上
に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順を
とってもよい。
側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明に関
する放射線画像変換パネルが製造される。尚、保護層上
に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順を
とってもよい。
また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると
同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると
同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱し
てもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理
してもよい。
蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱し
てもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理
してもよい。
第２の方法としてスパッタ法がある。該方法において
は、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した
後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次
いでスパッタ用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをス
パッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガス圧とする。
は、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した
後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次
いでスパッタ用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをス
パッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガス圧とする。
次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体
を所望の厚さに堆積させる。
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体
を所望の厚さに堆積させる。
前記スパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝
尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、そ
れぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。
尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、そ
れぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲット
を用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。
スパッタ終了後、蒸着法と同様に必要に応じて前記輝尽
性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けるこ
とにより本発明に関する放射線画像変換パネルが製造さ
れる。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。
性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けるこ
とにより本発明に関する放射線画像変換パネルが製造さ
れる。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。
前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットとして用い、これを同時にあるいは順次スパ
ッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を
合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能
である。また、前記スパッタ法においては、必要に応じ
てO2,H2等のガスを導入して反応性スパッタを行っても
よい。
ターゲットとして用い、これを同時にあるいは順次スパ
ッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を
合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能
である。また、前記スパッタ法においては、必要に応じ
てO2,H2等のガスを導入して反応性スパッタを行っても
よい。
さらに、前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に
応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるい
は加熱してもよい。また、スパッタ終了後輝尽性蛍光体
層を加熱処理してもよい。
応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるい
は加熱してもよい。また、スパッタ終了後輝尽性蛍光体
層を加熱処理してもよい。
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚は、目的
とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝
尽性蛍光体の種類等によって異なるが、一般的には30μ
ｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、50μｍ
〜800μｍの範囲から選ばれるのがより好ましい。
とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝
尽性蛍光体の種類等によって異なるが、一般的には30μ
ｍ〜1000μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、50μｍ
〜800μｍの範囲から選ばれるのがより好ましい。
第１図は本発明に関する放射線画像変換パネルの輝尽性
蛍光体の層厚及び該層厚に対応する輝尽性蛍光体の附着
量と放射線感度の関係を表している。本発明に関する放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は従来のパネルの
特性を示す前記第３図及び第４図と比較すると明らかな
ように結着剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量
（充填率）が従来の放射線画像変換パネルの約２倍あ
り、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が向
上し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対して高
感度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
蛍光体の層厚及び該層厚に対応する輝尽性蛍光体の附着
量と放射線感度の関係を表している。本発明に関する放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は従来のパネルの
特性を示す前記第３図及び第４図と比較すると明らかな
ように結着剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量
（充填率）が従来の放射線画像変換パネルの約２倍あ
り、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの放射線吸収率が向
上し従来の放射線画像変換パネルより放射線に対して高
感度となるばかりか、画像の粒状性が向上する。
また、本発明に関する放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層は結着剤を含有せず、気相堆積によって形成され
る輝尽性蛍光体の微細な柱状結晶が輝尽性蛍光体層の層
厚方向に発達し、輝尽励起光および輝尽発光の指向性が
高く、従来の放射線画像変換パネルに比べて層厚を厚く
することが可能である。
光体層は結着剤を含有せず、気相堆積によって形成され
る輝尽性蛍光体の微細な柱状結晶が輝尽性蛍光体層の層
厚方向に発達し、輝尽励起光および輝尽発光の指向性が
高く、従来の放射線画像変換パネルに比べて層厚を厚く
することが可能である。
さらに、本発明に関する放射線画像変換パネルの輝尽性
蛍光体層は前述のように指向性に優れているため、輝尽
励起レーザ光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少し、画
像の鮮鋭性が著しく向上する。
蛍光体層は前述のように指向性に優れているため、輝尽
励起レーザ光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少し、画
像の鮮鋭性が著しく向上する。
しかも、後述するように、本発明に関する放射線画像変
換パネルの輝尽性蛍光体層は、輝尽励起レーザ光を前記
輝尽性蛍光体層が設けられている支持体面の水平方向に
対して閉じ込めるブロック（以下、柱状ブロック）状の
構造を有しているため、上述の効果は更に著しく向上す
る。
換パネルの輝尽性蛍光体層は、輝尽励起レーザ光を前記
輝尽性蛍光体層が設けられている支持体面の水平方向に
対して閉じ込めるブロック（以下、柱状ブロック）状の
構造を有しているため、上述の効果は更に著しく向上す
る。
本発明に関する放射線画像変換パネルにおいて用いられ
る支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属、強化
ガラス等が用いられるが、特に情報記録材料としての取
扱い上可撓性のあるシートあるいはロールに加工できる
ものが好適であり、この点から例えばセルロースアセテ
ートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミ
ドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネー
トフィルム等のプラスチックフィルム、アルミシート、
鉄シート、銅シート等の金属シートが特に好ましい。
る支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属、強化
ガラス等が用いられるが、特に情報記録材料としての取
扱い上可撓性のあるシートあるいはロールに加工できる
ものが好適であり、この点から例えばセルロースアセテ
ートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミ
ドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネー
トフィルム等のプラスチックフィルム、アルミシート、
鉄シート、銅シート等の金属シートが特に好ましい。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい。また、支持体の表面は第２図（ａ）に示すような
凹凸面としてもよいし、（ｂ）に示すように隔絶された
タイル状板を敷きつめた構造でもよい。第２図（ａ）の
場合には輝尽性蛍光体層が第２図（ｃ）の断面図に示す
ように凹凸面によって細分化されているので画像の鮮鋭
性が一段と向上する。第２図（ｂ）の場合には輝尽性蛍
光体層が支持体のタイル状板の輪郭を維持しながら堆積
するので、結果的には輝尽性蛍光体層は第２図（ｄ）の
断面図に示すように亀裂によって隔絶された輝尽性蛍光
体の柱状ブロックから成るため、画像の鮮鋭性が一段と
向上する。
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい。また、支持体の表面は第２図（ａ）に示すような
凹凸面としてもよいし、（ｂ）に示すように隔絶された
タイル状板を敷きつめた構造でもよい。第２図（ａ）の
場合には輝尽性蛍光体層が第２図（ｃ）の断面図に示す
ように凹凸面によって細分化されているので画像の鮮鋭
性が一段と向上する。第２図（ｂ）の場合には輝尽性蛍
光体層が支持体のタイル状板の輪郭を維持しながら堆積
するので、結果的には輝尽性蛍光体層は第２図（ｄ）の
断面図に示すように亀裂によって隔絶された輝尽性蛍光
体の柱状ブロックから成るため、画像の鮮鋭性が一段と
向上する。
さらにこれら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の膜厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には80μｍ〜10
00μｍであり、取扱い上の点からさらに好ましく80μｍ
〜500μｍである。
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の膜厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には80μｍ〜10
00μｍであり、取扱い上の点からさらに好ましく80μｍ
〜500μｍである。
本発明に関する放射線画像変換パネルにおいては、一般
的に前記輝尽性蛍光体層の支持体が設けられる面とは反
対側の面に、輝尽性蛍光体層を物理的にあるいは化学的
に保護するための保護層が設けられてもよい。この保護
層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布し
て形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した
保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護層の
材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリ
デン、ナイロン等の通常の保護層用材料が用いられる。
これらの保護層の層厚は一般には１μｍ〜40μｍ程度が
好ましい。
的に前記輝尽性蛍光体層の支持体が設けられる面とは反
対側の面に、輝尽性蛍光体層を物理的にあるいは化学的
に保護するための保護層が設けられてもよい。この保護
層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布し
て形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した
保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。保護層の
材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビ
ニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリ
デン、ナイロン等の通常の保護層用材料が用いられる。
これらの保護層の層厚は一般には１μｍ〜40μｍ程度が
好ましい。
本発明に関する放射線画像変換パネルは第５図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れ
た鮮鋭性、粒状性および感度を与える。すなわち、第５
図において、51は放射線発生装置、52は被写体、53は放
射線画像変換パネル、54は輝尽励起レーザ光源、55は該
放射線画像変換パネルより放射された輝尽性蛍光を検出
する光電変換装置、56は55で検出された信号を画像とし
て再生する装置、57は再生された画像を表示する装置、
58は輝尽励起レーザ光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光
のみを透過させるフィルターである。尚55以降は53から
の光情報を何らかの形で画像として再生できるものであ
ればよく、上記に限定されるものではない。
に示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れ
た鮮鋭性、粒状性および感度を与える。すなわち、第５
図において、51は放射線発生装置、52は被写体、53は放
射線画像変換パネル、54は輝尽励起レーザ光源、55は該
放射線画像変換パネルより放射された輝尽性蛍光を検出
する光電変換装置、56は55で検出された信号を画像とし
て再生する装置、57は再生された画像を表示する装置、
58は輝尽励起レーザ光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光
のみを透過させるフィルターである。尚55以降は53から
の光情報を何らかの形で画像として再生できるものであ
ればよく、上記に限定されるものではない。
第５図に示されるように、放射線発生装置51からの放射
線は被写体52を通して放射線画像変換パネル53に入射す
る。この入射した放射線は放射線画像変換パネル53の輝
尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、
放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を
輝尽励起レーザ光源54からの輝尽励起レーザ光で励起し
て輝尽発光として放射せしめる。放射線画像変換パネル
53は、輝尽性蛍光体層中に結着剤が含まれていないため
輝尽性蛍光体層の指向性が高く、しかも輝尽性蛍光体層
が柱状ブロック状に細分化されているため、上記輝尽励
起レーザ光による走査の際に、輝尽励起レーザ光が輝尽
性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。
線は被写体52を通して放射線画像変換パネル53に入射す
る。この入射した放射線は放射線画像変換パネル53の輝
尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、
放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積像を
輝尽励起レーザ光源54からの輝尽励起レーザ光で励起し
て輝尽発光として放射せしめる。放射線画像変換パネル
53は、輝尽性蛍光体層中に結着剤が含まれていないため
輝尽性蛍光体層の指向性が高く、しかも輝尽性蛍光体層
が柱状ブロック状に細分化されているため、上記輝尽励
起レーザ光による走査の際に、輝尽励起レーザ光が輝尽
性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この信号を、第５図に示されるよ
うに前記放射線画像変換パネル53のレーザ光入射側の面
に対向して設けられた、例えば光電子増倍管等の光電変
換装置55で光電変換し、画像再生装置56によって画像と
して再生し、画像表示装置57によって表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができる。
ー量に比例するので、この信号を、第５図に示されるよ
うに前記放射線画像変換パネル53のレーザ光入射側の面
に対向して設けられた、例えば光電子増倍管等の光電変
換装置55で光電変換し、画像再生装置56によって画像と
して再生し、画像表示装置57によって表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができる。
（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。
基準例１ 支持体として300μｍ厚の黒色ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用の
タングステンボート中にアルカリハライド輝尽性蛍光体
（0.9RbBr・0.1CsF:0.01Tl）を入れ、抵抗加熱用電極に
セットし、続いて蒸着器を排気して２×10-6Torrの真空
度とした。
ートフィルムを蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用の
タングステンボート中にアルカリハライド輝尽性蛍光体
（0.9RbBr・0.1CsF:0.01Tl）を入れ、抵抗加熱用電極に
セットし、続いて蒸着器を排気して２×10-6Torrの真空
度とした。
次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に輝尽性蛍光体層の層厚
が300μｍの厚さになるまで堆積させ、基準例の放射線
画像変換パネルＡを得た。
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に輝尽性蛍光体層の層厚
が300μｍの厚さになるまで堆積させ、基準例の放射線
画像変換パネルＡを得た。
このようにして得られた基準例の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧80KVpのＸ線を10mR照射した後、He−Neレー
ザ光（633nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射
される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、放
射線画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ、また
得られた画像より、画像の変調伝達関数（MTF）及び粒
状性を調べ第１表に示す。
Ａに管電圧80KVpのＸ線を10mR照射した後、He−Neレー
ザ光（633nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射
される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、放
射線画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ、また
得られた画像より、画像の変調伝達関数（MTF）及び粒
状性を調べ第１表に示す。
第１表において、Ｘ線に対する感度は基準例の放射線画
像変換パネルＡを100として相対値で示してある。ま
た、変調伝達関数（MTF）は、空間周波数が２サイクル/
mmの時の値であり、粒状性は（良い，普通，悪い）をそ
れぞれ（〇，△，×）で示してある。
像変換パネルＡを100として相対値で示してある。ま
た、変調伝達関数（MTF）は、空間周波数が２サイクル/
mmの時の値であり、粒状性は（良い，普通，悪い）をそ
れぞれ（〇，△，×）で示してある。
基準例２ 基準例１において、輝尽性蛍光体層の層厚を150μｍと
した以外は基準例１と同様にして基準例の放射線画像変
換パネルＢを得た。
した以外は基準例１と同様にして基準例の放射線画像変
換パネルＢを得た。
このようにして得られた基準例の放射線画像変換パネル
Ｂは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｂは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
基準例３ 支持体として300μｍ厚の黒色ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムをスパッタ装置中に設置した。次にスパッ
タリング・ターゲットとしてアルカリハライド輝尽性蛍
光体（0.95RbBr・0.05CsF:0.005Tl）をスパッタ装置内
に設置し、続いて１×10-6Torrの真空度まで排気した。
スパッタガスとしてArガスを導入しながらスパッタを行
い、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に輝尽性蛍
光体層の層厚が300μｍになるまで堆積させ、基準例の
放射線画像変換パネルＣを得た。
ートフィルムをスパッタ装置中に設置した。次にスパッ
タリング・ターゲットとしてアルカリハライド輝尽性蛍
光体（0.95RbBr・0.05CsF:0.005Tl）をスパッタ装置内
に設置し、続いて１×10-6Torrの真空度まで排気した。
スパッタガスとしてArガスを導入しながらスパッタを行
い、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に輝尽性蛍
光体層の層厚が300μｍになるまで堆積させ、基準例の
放射線画像変換パネルＣを得た。
このようにして得られた基準例の放射線画像変換パネル
Ｃは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｃは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
実施例１ 基準例１において、支持体として黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いる代わりに黒色ポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に凹凸パターンを設けこ
れを支持体として用いる以外は基準例１と同様にして本
発明の放射線画像変換パネルＤを得た。尚凹凸パターン
のサイズは凹が100μｍ×100μｍであり、凸部が幅10μ
ｍ、高さ100μｍであった。
フタレートフィルムを用いる代わりに黒色ポリエチレン
テレフタレートフィルムの表面に凹凸パターンを設けこ
れを支持体として用いる以外は基準例１と同様にして本
発明の放射線画像変換パネルＤを得た。尚凹凸パターン
のサイズは凹が100μｍ×100μｍであり、凸部が幅10μ
ｍ、高さ100μｍであった。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｄは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｄは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
実施例２ 基準例１において、支持体として黒色ポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いる代わりに、陽極酸化法によ
り表面を酸化させた0.5mm厚のアルミニウムシートを封
孔処理し、これに200℃以上の熱処理を加えて酸化アル
ミニウム層に多数の亀裂を発生させ、この亀裂によって
隔絶されたタイル状板を敷きつめた構造を有する支持体
を用いる以外は基準例１と同様にして本発明の放射線画
像変換パネルＥを得た。
フタレートフィルムを用いる代わりに、陽極酸化法によ
り表面を酸化させた0.5mm厚のアルミニウムシートを封
孔処理し、これに200℃以上の熱処理を加えて酸化アル
ミニウム層に多数の亀裂を発生させ、この亀裂によって
隔絶されたタイル状板を敷きつめた構造を有する支持体
を用いる以外は基準例１と同様にして本発明の放射線画
像変換パネルＥを得た。
このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｅは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
Ｅは、基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。
比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（0.9RbBr・0.1CsF:0.01
Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部とを
溶剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調製した。次にこの塗布
液を水平に置いた300μｍ厚の支持体としての黒色ポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、自
然乾燥させて300μｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。
Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部とを
溶剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調製した。次にこの塗布
液を水平に置いた300μｍ厚の支持体としての黒色ポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、自
然乾燥させて300μｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
は基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
比較例２ 比較例１において輝尽性蛍光体層の層厚を150μｍとし
た以外は比較例１と同様にして比較の放射線画像変換パ
ネルＱを得た。
た以外は比較例１と同様にして比較の放射線画像変換パ
ネルＱを得た。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＱ
は基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
は基準例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。
第１表より明らかなように本発明に関する放射線画像変
換パネルＤ及びＥは、同一の輝尽性蛍光体層厚を有する
比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が約２
倍高くしかも画像の粒状性及び鮮鋭性が優れている。こ
れは放射線画像変換パネルＤ及びＥは輝尽性蛍光体層中
に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が比較の
パネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いためである。
換パネルＤ及びＥは、同一の輝尽性蛍光体層厚を有する
比較の放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が約２
倍高くしかも画像の粒状性及び鮮鋭性が優れている。こ
れは放射線画像変換パネルＤ及びＥは輝尽性蛍光体層中
に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填率が比較の
パネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いためである。
また、放射線画像変換パネルＤ及びＥは、1/2の輝尽性
蛍光体層厚を有する比較の放射線画像変換パネルＱに比
べてＸ線感度が高いにも係わらず、粒状性、鮮鋭性のい
ずれの点でも優れている。これは放射線画像変換パネル
Ｄ及びＥは輝尽性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず指
向性が高いために、輝尽励起光であるHe−Neレーザの輝
尽性蛍光体層中での散乱が減少するためである。
蛍光体層厚を有する比較の放射線画像変換パネルＱに比
べてＸ線感度が高いにも係わらず、粒状性、鮮鋭性のい
ずれの点でも優れている。これは放射線画像変換パネル
Ｄ及びＥは輝尽性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず指
向性が高いために、輝尽励起光であるHe−Neレーザの輝
尽性蛍光体層中での散乱が減少するためである。
またさらに、放射線画像変換パネルＤ及びＥは、1/2の
輝尽性蛍光体層厚を有する基準例の放射線画像変換パネ
ルＢと比べて同等以上の鮮鋭性を奏しながらＸ線感度が
約２倍高く、同一の輝尽性蛍光体層厚を有する基準例の
放射線画像変換パネルＡ及びＣと比べても同程度のＸ線
感度を有していながら鮮鋭性が優れている。これは放射
線画像変換パネルＤ及びＥは、輝尽性蛍光体層を柱状ブ
ロック状に細分化した構造であるため、輝尽性蛍光体層
中での輝尽励起光の散乱を一層抑制・減少させることが
できるので、その結果、鮮鋭性をより向上させることが
できるからである。
輝尽性蛍光体層厚を有する基準例の放射線画像変換パネ
ルＢと比べて同等以上の鮮鋭性を奏しながらＸ線感度が
約２倍高く、同一の輝尽性蛍光体層厚を有する基準例の
放射線画像変換パネルＡ及びＣと比べても同程度のＸ線
感度を有していながら鮮鋭性が優れている。これは放射
線画像変換パネルＤ及びＥは、輝尽性蛍光体層を柱状ブ
ロック状に細分化した構造であるため、輝尽性蛍光体層
中での輝尽励起光の散乱を一層抑制・減少させることが
できるので、その結果、鮮鋭性をより向上させることが
できるからである。
（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明の放射線画像情報読取装
置においては、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
を気相堆積で形成し且つ柱状ブロック状に細分化した構
造にしたため、放射線に対して感度が高く、しかも同時
に鮮鋭性の非常に優れた放射線画像情報を得ることがで
き、さらに量子モトルや構造モトルに起因した画像の粒
状性も向上した放射線画像情報を得ることができる。
置においては、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
を気相堆積で形成し且つ柱状ブロック状に細分化した構
造にしたため、放射線に対して感度が高く、しかも同時
に鮮鋭性の非常に優れた放射線画像情報を得ることがで
き、さらに量子モトルや構造モトルに起因した画像の粒
状性も向上した放射線画像情報を得ることができる。
従って本発明は、その効果が極めて大きく、工業的に有
用である。
用である。
第１図は本発明に関する放射線画像変換パネルにおける
輝尽性蛍光体層厚および附着量と放射線に対する相対感
度とを示す図である。第２図（ａ），（ｂ）は本発明に
用いられる支持体の一例であり、（ｃ），（ｄ）は、前
記支持体上に輝尽性蛍光体層を設けた本発明に関する放
射線画像変換パネルの断面図の一例である。第３図は従
来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及
び附着量と放射線に対する相対感度とを示す図であり、
第４図は従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍
光体層厚および附着量と空間周波数が２サイクル/mmに
おける変調伝達関数（MTF）とを示す図である。第５図
は本発明に用いられる放射線画像変換方法の概略図であ
る。 21及び22……支持体、23……タイル状板 24及び25……輝尽性蛍光体層、26……亀裂 51……放射線発生装置、52……被写体 53……パネル、54……輝尽励起レーザ光源 58……フィルタ
輝尽性蛍光体層厚および附着量と放射線に対する相対感
度とを示す図である。第２図（ａ），（ｂ）は本発明に
用いられる支持体の一例であり、（ｃ），（ｄ）は、前
記支持体上に輝尽性蛍光体層を設けた本発明に関する放
射線画像変換パネルの断面図の一例である。第３図は従
来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及
び附着量と放射線に対する相対感度とを示す図であり、
第４図は従来の放射線画像変換パネルにおける輝尽性蛍
光体層厚および附着量と空間周波数が２サイクル/mmに
おける変調伝達関数（MTF）とを示す図である。第５図
は本発明に用いられる放射線画像変換方法の概略図であ
る。 21及び22……支持体、23……タイル状板 24及び25……輝尽性蛍光体層、26……亀裂 51……放射線発生装置、52……被写体 53……パネル、54……輝尽励起レーザ光源 58……フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−60300（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202100（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70784（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−7049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−67700（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−106296（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−50020（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭58−6260（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に、気相堆積されて形成される少
なくとも一層の輝尽性蛍光体層を備えた、放射線画像情
報を記録するための放射線画像変換パネルと、 前記輝尽性蛍光体層に照射するためのレーザ光を出射す
る光源手段と、 前記レーザ光を前記輝尽性蛍光体層に照射して生じる輝
尽発光光を検出し、該輝尽発光光の光量に基づいた信号
を出力する光電変換手段とを有し、 前記光電変換手段の出力に基づいて前記放射線画像情報
を読み取る放射線画像情報読取装置において、 前記輝尽性蛍光体層が柱状ブロック状に細分化された構
造を有し、 前記輝尽性蛍光体層に対して前記光源手段からのレーザ
光を照射するとともに、前記光電変換手段による前記輝
尽発光光の検出を行うように構成した ことを特徴とする放射線画像情報読取装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636584A JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
| DE8585306650T DE3581149D1 (de) | 1984-09-18 | 1985-09-18 | Radiographische bildspeicherung und verfahren zur durchfuehrung derselben. |
| EP19850306650 EP0175578B1 (en) | 1984-09-18 | 1985-09-18 | Radiographic image storage panel and its preparing process |
| US07/513,021 US5055681A (en) | 1984-09-18 | 1990-04-23 | Radiographic image storage panel and process for reading out a radiographic image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636584A JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173100A JPS6173100A (ja) | 1986-04-15 |
| JPH0677079B2 true JPH0677079B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=16356636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19636584A Expired - Lifetime JPH0677079B2 (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像情報読取装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0175578B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0677079B2 (ja) |
| DE (1) | DE3581149D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649399A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radioactive image conversion panel |
| JPH0690319B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1994-11-14 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルの製造法 |
| JPS6412300A (en) * | 1987-07-03 | 1989-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image conversion panel and its manufacturing method |
| JPS6363784A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Fujitsu Ltd | 薄膜螢光体 |
| JPS6389660A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Konica Corp | 蛍光体蒸着装置 |
| JPS63262600A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネルおよびその製造法 |
| US5098813A (en) * | 1987-07-13 | 1992-03-24 | Konica Corporation | Processes for preparing stimulable-phosphor radiation image storage panel using specified heat or heat and activator-containing gas treatment |
| DE3909449A1 (de) * | 1989-03-22 | 1990-11-22 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von leuchtschirmen, verstaerkungs- oder speicherfolien fuer die roentgendiagnostik |
| CA2034118A1 (en) * | 1990-02-09 | 1991-08-10 | Nang Tri Tran | Solid state radiation detector |
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| US5368882A (en) * | 1993-08-25 | 1994-11-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for forming a radiation detector |
| CA2131243A1 (en) * | 1993-09-27 | 1995-03-28 | Kenneth R. Paulson | Process for forming a phosphor |
| US5569485A (en) * | 1994-10-07 | 1996-10-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for the manufacture of a radiographic intensifying screen with antistat |
| US5520965A (en) * | 1994-10-07 | 1996-05-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation cured radiographic intensifying screen |
| US5411806A (en) * | 1994-10-07 | 1995-05-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for the manufacture of a phosphor screen and resulting article |
| US5725989A (en) | 1996-04-15 | 1998-03-10 | Chang; Jeffrey C. | Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer |
| US7534543B2 (en) | 1996-04-15 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Texture control of thin film layers prepared via laser induced thermal imaging |
| US5998085A (en) * | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
| EP0889483A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | Imation Corp. | Sintered x-ray intensifying screen and method for the manufacturing thereof |
| DE60044254D1 (de) * | 1999-07-02 | 2010-06-02 | Agfa Healthcare Nv | Verfahren zur herstellung von einem csx photostimulierbaren phosphor und phosphor-schirmen damit |
| DE10061743A1 (de) * | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Verbesserung der optischen Trennung von Leuchtstoffschichten |
| DE10116803C2 (de) * | 2001-04-04 | 2003-10-02 | Siemens Ag | Strahlungswandler und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP2003028994A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよびその製造方法 |
| TWI241728B (en) * | 2004-09-01 | 2005-10-11 | Epistar Corp | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| US7678526B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
| US7396631B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2096160B (en) * | 1981-02-26 | 1985-08-21 | Eastman Kodak Co | X-ray intensifying screens |
| JPS5917200A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換用複合体 |
| DE3378864D1 (en) * | 1982-08-25 | 1989-02-09 | Toshiba Kk | Storage & reconstruction apparatus for radiation image |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19636584A patent/JPH0677079B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-18 DE DE8585306650T patent/DE3581149D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-18 EP EP19850306650 patent/EP0175578B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6173100A (ja) | 1986-04-15 |
| EP0175578A3 (en) | 1986-11-12 |
| DE3581149D1 (de) | 1991-02-07 |
| EP0175578A2 (en) | 1986-03-26 |
| EP0175578B1 (en) | 1990-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |