JP3164598B2 - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents
放射線画像変換パネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の蒸気流束を用い
て支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝
尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネ
ルの製造方法に関するものである。
て支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝
尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネ
ルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば医療の分野においては、病気の診
断にＸ線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射
して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であっ
た。
断にＸ線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射
して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であっ
た。
【０００３】しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルム
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
【０００４】例えば米国特許第 3,859,527号明細書、特
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されるか、またはＣＲＴ上に再生される。
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されるか、またはＣＲＴ上に再生される。
【０００５】このような放射線画像変換方法に用いられ
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとして
は、得られる画像の鮮鋭性の優れていることが要求され
る。従来においては、下記に掲げるように放射線画像の
鮮鋭性を改善する手段がいくつか提案されている。
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとして
は、得られる画像の鮮鋭性の優れていることが要求され
る。従来においては、下記に掲げるように放射線画像の
鮮鋭性を改善する手段がいくつか提案されている。
【０００６】(1) 輝尽性蛍光体層を斜め蒸着法により形
成する手段（特開平２− 58000号公報参照) 。 (2) ２方向の蒸気流束による板状結晶を形成する手段
（Jap. J. Appl. Phys. 20, ７，1981参照）。 (3) 蒸気流束の入射角度を規定する手段（特開昭62−15
7600号公報参照) 。
成する手段（特開平２− 58000号公報参照) 。 (2) ２方向の蒸気流束による板状結晶を形成する手段
（Jap. J. Appl. Phys. 20, ７，1981参照）。 (3) 蒸気流束の入射角度を規定する手段（特開昭62−15
7600号公報参照) 。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記（１）〜
（３）の技術では、図５に示すように、被蒸着面１Ａ上
に一方向に優先的に区画された板状の結晶４からなる輝
尽性蛍光体層が形成されるため、放射線画像の読取り方
向によって鮮鋭性が大きく変化する問題があった。
（３）の技術では、図５に示すように、被蒸着面１Ａ上
に一方向に優先的に区画された板状の結晶４からなる輝
尽性蛍光体層が形成されるため、放射線画像の読取り方
向によって鮮鋭性が大きく変化する問題があった。
【０００８】そこで、本発明の目的は、高鮮鋭性な放射
線画像変換パネルであり、かつ放射線画像の読取り方向
によって鮮鋭性が変化しない放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。
線画像変換パネルであり、かつ放射線画像の読取り方向
によって鮮鋭性が変化しない放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、複
数の蒸気流束を用いて支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体
を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む
放射線画像変換パネルの製造方法において、前記複数の
蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸気流束は、支持体の
被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°の
範囲にあって両入射角の差が４５°以下であり、かつ、
当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面への投影像同士の交
角φが４５〜１３０°の範囲にあることを特徴とする。
数の蒸気流束を用いて支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体
を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む
放射線画像変換パネルの製造方法において、前記複数の
蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸気流束は、支持体の
被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°の
範囲にあって両入射角の差が４５°以下であり、かつ、
当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面への投影像同士の交
角φが４５〜１３０°の範囲にあることを特徴とする。
【００１０】
【作用】少なくとも２つの蒸気流束の被蒸着面の法線方
向に対する入射角θおよび被蒸着面への投影像同士の交
角φを特定の範囲に規定したので、被蒸着面に気相堆積
した輝尽性蛍光体層の結晶が、一方向に優先的に区画さ
れた板状の結晶ではなく、平面方向に均等に区画された
柱状の結晶となり、読取り方向のいかんにかかわらず鮮
鋭性が均一となる。
向に対する入射角θおよび被蒸着面への投影像同士の交
角φを特定の範囲に規定したので、被蒸着面に気相堆積
した輝尽性蛍光体層の結晶が、一方向に優先的に区画さ
れた板状の結晶ではなく、平面方向に均等に区画された
柱状の結晶となり、読取り方向のいかんにかかわらず鮮
鋭性が均一となる。
【００１１】
【実施例】本発明においては、図１に示すように、複数
の蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 を用いて気相堆積法により支持体
１の被蒸着面上に輝尽性蛍光体層２を形成するが、複数
の蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 は例えば励起源（図示省略）を備
えた蒸発源３の複数により形成される。励起源として
は、電子ビーム器、抵抗加熱器等が用いられる。
の蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 を用いて気相堆積法により支持体
１の被蒸着面上に輝尽性蛍光体層２を形成するが、複数
の蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 は例えば励起源（図示省略）を備
えた蒸発源３の複数により形成される。励起源として
は、電子ビーム器、抵抗加熱器等が用いられる。
【００１２】複数の蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸
気流束は、支持体１上に同時に入射され、また支持体１
の被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°
の範囲にあって両入射角の差が４５°以下であり、か
つ、当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面への投影像同士
の交角φが４５〜１３０°の範囲にあるように調整す
る。
気流束は、支持体１上に同時に入射され、また支持体１
の被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°
の範囲にあって両入射角の差が４５°以下であり、か
つ、当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面への投影像同士
の交角φが４５〜１３０°の範囲にあるように調整す
る。
【００１３】例えば蒸気流束が２つの場合には、図２に
示すように、2 つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の支持体１
の被蒸着面１Ａの法線方向（図２のＺ方向）に対する入
射角θ1 およびθ2 がそれぞれ１０〜８０°の範囲にあ
って入射角θ 1 と入射角θ 2 との差が４５°以下であ
り、かつ、当該蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の被蒸着面１Ａ
への投影像同士の交角φが４５〜１３０°の範囲にある
ように調整する。
示すように、2 つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の支持体１
の被蒸着面１Ａの法線方向（図２のＺ方向）に対する入
射角θ1 およびθ2 がそれぞれ１０〜８０°の範囲にあ
って入射角θ 1 と入射角θ 2 との差が４５°以下であ
り、かつ、当該蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の被蒸着面１Ａ
への投影像同士の交角φが４５〜１３０°の範囲にある
ように調整する。
【００１４】前記θ 1 ，θ 2 が過小である場合およびφ
が過小である場合には、２つの蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 はそ
の各々の蒸気流方向成分の差異が明確でなくなるため、
本発明の複数の蒸気流束を支持体に対してある特定の角
度で入射させ、相対向させることによる効果が弱められ
る。すなわち、輝尽性蛍光体結晶が概ね一方向につなが
った板状になるため読取り方向による鮮鋭性のムラが生
じやすい。一方、前記θ 1 ，θ 2 が過大である場合に
は、その蒸気流による堆積効率が著しく低下するため、
蒸気流束の方向成分が弱められ、本発明の効果が発揮さ
れない。また、φが過大である場合には、蒸気流束が概
ね互いに向かい合った配置となるため、この場合も輝尽
性蛍光体結晶が一方向につながった板状となる。また、
θ1 ＝θ2 であることが好ましい。
が過小である場合には、２つの蒸気流束Ｓ1 ，Ｓ2 はそ
の各々の蒸気流方向成分の差異が明確でなくなるため、
本発明の複数の蒸気流束を支持体に対してある特定の角
度で入射させ、相対向させることによる効果が弱められ
る。すなわち、輝尽性蛍光体結晶が概ね一方向につなが
った板状になるため読取り方向による鮮鋭性のムラが生
じやすい。一方、前記θ 1 ，θ 2 が過大である場合に
は、その蒸気流による堆積効率が著しく低下するため、
蒸気流束の方向成分が弱められ、本発明の効果が発揮さ
れない。また、φが過大である場合には、蒸気流束が概
ね互いに向かい合った配置となるため、この場合も輝尽
性蛍光体結晶が一方向につながった板状となる。また、
θ1 ＝θ2 であることが好ましい。
【００１５】前記θ 1 とθ 2 の差の絶対値が４５°以下
であることは、蒸着器内の配置や各蒸気流束の制御の点
でも好ましい。
であることは、蒸着器内の配置や各蒸気流束の制御の点
でも好ましい。
【００１６】また、前記φは、同様の理由により、４５
°以上で１３０°以下とされる。
°以上で１３０°以下とされる。
【００１７】蒸気流束がｎ個（ｎ≧３）の場合は、各蒸
気流束Ｓi （ｉ＝１，２，…，ｎ）の支持体１の被蒸着
面１Ａの法線方向に対する入射角θ1 〜θn がそれぞれ
１０〜８０°の範囲にあって差が４５°以下であり、か
つ、隣接する２つの蒸気流束Ｓi-1 とＳi の被蒸着面へ
の投影像同士の交角φi のうち少なくとも１つのφ（φ
のうち１８０°以下のもの）が４５〜１３０°の範囲に
あるように調整すればよい。
気流束Ｓi （ｉ＝１，２，…，ｎ）の支持体１の被蒸着
面１Ａの法線方向に対する入射角θ1 〜θn がそれぞれ
１０〜８０°の範囲にあって差が４５°以下であり、か
つ、隣接する２つの蒸気流束Ｓi-1 とＳi の被蒸着面へ
の投影像同士の交角φi のうち少なくとも１つのφ（φ
のうち１８０°以下のもの）が４５〜１３０°の範囲に
あるように調整すればよい。
【００１８】図３および図４は、本発明の製造方法によ
り形成された輝尽性蛍光体層２の柱状結晶を模式的に示
すものであり、柱状結晶４，４間には平面方向には均等
にクラック５が形成され、各柱状結晶４は独立した構造
になっている。従って、輝尽励起光が各柱状結晶４を鋭
い指向性で進行するようになり、放射線画像の読取り方
向が、横方向（図４のＡ方向）であっても、縦方向（図
４のＢ方向）であっても、鮮鋭性が均一となる。
り形成された輝尽性蛍光体層２の柱状結晶を模式的に示
すものであり、柱状結晶４，４間には平面方向には均等
にクラック５が形成され、各柱状結晶４は独立した構造
になっている。従って、輝尽励起光が各柱状結晶４を鋭
い指向性で進行するようになり、放射線画像の読取り方
向が、横方向（図４のＡ方向）であっても、縦方向（図
４のＢ方向）であっても、鮮鋭性が均一となる。
【００１９】柱状結晶４による輝尽励起光の散乱を防止
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、ＭＴＦ
（画像の変調伝達関数）を良くするためには、柱状結晶
４の大きさは、縦幅ａおよび横幅ｂ（図４参照）がそれ
ぞれ１〜50μｍ程度がよく、特に１〜20μｍが好まし
い。
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、ＭＴＦ
（画像の変調伝達関数）を良くするためには、柱状結晶
４の大きさは、縦幅ａおよび横幅ｂ（図４参照）がそれ
ぞれ１〜50μｍ程度がよく、特に１〜20μｍが好まし
い。
【００２０】また、輝尽性蛍光体層２中の輝尽性蛍光体
の充填率を高くして放射線感度の向上を図る観点から、
クラック５の大きさは、幅ｃ（図３参照）が10μｍ以下
が好ましく、特に５μｍ以下が好ましい。
の充填率を高くして放射線感度の向上を図る観点から、
クラック５の大きさは、幅ｃ（図３参照）が10μｍ以下
が好ましく、特に５μｍ以下が好ましい。
【００２１】図６は、本発明の製造方法により製造され
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、６は保
護層、７はスペーサ、８は低屈折率層である。
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、６は保
護層、７はスペーサ、８は低屈折率層である。
【００２２】支持体１の材料としては、ガラス、セラミ
ックス、各種高分子材料、金属等が用いられる。具体的
には、石英ガラス、化学強化ガラス等のガラス、結晶化
ガラス、アルミナあるいはジルコニアの焼結板等のセラ
ミクス、あるいはセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、アルミニウム−マグ
ネシウム合金、鉄、ステンレス、銅、クロム、鉛等の金
属シート等が挙げられる。支持体１の厚さは、その材質
等によって異なるが、一般的には 100μｍ〜５mmが好ま
しく、取扱いの便利性から、特に 200μｍ〜２mmが好ま
しい。
ックス、各種高分子材料、金属等が用いられる。具体的
には、石英ガラス、化学強化ガラス等のガラス、結晶化
ガラス、アルミナあるいはジルコニアの焼結板等のセラ
ミクス、あるいはセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、アルミニウム−マグ
ネシウム合金、鉄、ステンレス、銅、クロム、鉛等の金
属シート等が挙げられる。支持体１の厚さは、その材質
等によって異なるが、一般的には 100μｍ〜５mmが好ま
しく、取扱いの便利性から、特に 200μｍ〜２mmが好ま
しい。
【００２３】輝尽性蛍光体層２は、真空蒸着法（以下適
宜単に「蒸着法」と記す）、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法等の気相堆積法によって形
成される。
宜単に「蒸着法」と記す）、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法等の気相堆積法によって形
成される。
【００２４】蒸着法により輝尽性蛍光体層２を形成する
場合には、支持体１を蒸着装置内に設置した後、蒸着装
置内を排気して例えば10-6Torr程度の真空度とする。次
いで、輝尽性蛍光体材料を備えた複数の蒸発源３を所定
の位置に配置して、複数の抵抗加熱器または電子ビーム
発生器を用いて輝尽性蛍光体材料を加熱蒸発させて、複
数の蒸気流束を形成し、これを支持体１の被蒸着面１Ａ
に当てて輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。複数
の蒸気流束は各々の蒸発量を制御することにより蒸気流
速度を変えることができる。蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。蒸着終
了後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層２の支持体１側と
は反対側の面に直接または低屈折率層８を介して保護層
６が設けられる。
場合には、支持体１を蒸着装置内に設置した後、蒸着装
置内を排気して例えば10-6Torr程度の真空度とする。次
いで、輝尽性蛍光体材料を備えた複数の蒸発源３を所定
の位置に配置して、複数の抵抗加熱器または電子ビーム
発生器を用いて輝尽性蛍光体材料を加熱蒸発させて、複
数の蒸気流束を形成し、これを支持体１の被蒸着面１Ａ
に当てて輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。複数
の蒸気流束は各々の蒸発量を制御することにより蒸気流
速度を変えることができる。蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。蒸着終
了後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層２の支持体１側と
は反対側の面に直接または低屈折率層８を介して保護層
６が設けられる。
【００２５】また、蒸着法においては、蒸着時、必要に
応じて支持体１を冷却または加熱してもよい。また、蒸
着終了後に輝尽性蛍光体層２を加熱処理（アニーリン
グ）してもよい。また、蒸着法においては、必要に応じ
てＯ2 ，Ｈ2 等のガスを導入して反応性蒸着を行っても
よい。
応じて支持体１を冷却または加熱してもよい。また、蒸
着終了後に輝尽性蛍光体層２を加熱処理（アニーリン
グ）してもよい。また、蒸着法においては、必要に応じ
てＯ2 ，Ｈ2 等のガスを導入して反応性蒸着を行っても
よい。
【００２６】スパッタリング法により輝尽性蛍光体層２
を形成する場合には、蒸着法と同様に支持体１をスパッ
タリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気して例
えば10-6Torr程度の真空度とし、次いで、スパッタリン
グ用のガスとしてＡｒ，Ｎｅ等の不活性ガスを導入し
て、例えば10-3Torr程度のガス圧とする。次に、複数の
輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングする
ことにより、支持体１の表面に輝尽性蛍光体を所定の厚
さに堆積させる。このスパッタリング工程では、蒸着法
と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層２を形成するこ
とも可能である。スパッタリング終了後、蒸着法と同様
に必要に応じて輝尽性蛍光体層２の支持体１側とは反対
の側に直接または低屈折率層８を介して保護層６を設け
ることにより、放射線画像変換パネルが製造される。
を形成する場合には、蒸着法と同様に支持体１をスパッ
タリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気して例
えば10-6Torr程度の真空度とし、次いで、スパッタリン
グ用のガスとしてＡｒ，Ｎｅ等の不活性ガスを導入し
て、例えば10-3Torr程度のガス圧とする。次に、複数の
輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングする
ことにより、支持体１の表面に輝尽性蛍光体を所定の厚
さに堆積させる。このスパッタリング工程では、蒸着法
と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層２を形成するこ
とも可能である。スパッタリング終了後、蒸着法と同様
に必要に応じて輝尽性蛍光体層２の支持体１側とは反対
の側に直接または低屈折率層８を介して保護層６を設け
ることにより、放射線画像変換パネルが製造される。
【００２７】スパッタリング法においては、必要に応じ
てＯ2 , Ｈ2 等のガスを導入して反応性スパッタリング
を行ってもよい。また、スパッタリング法においては、
スパッタリング時に必要に応じて支持体１を冷却または
加熱してもよい。さらに、スパッタリング終了後、輝尽
性蛍光体層２を加熱処理してもよい。
てＯ2 , Ｈ2 等のガスを導入して反応性スパッタリング
を行ってもよい。また、スパッタリング法においては、
スパッタリング時に必要に応じて支持体１を冷却または
加熱してもよい。さらに、スパッタリング終了後、輝尽
性蛍光体層２を加熱処理してもよい。
【００２８】気相堆積法による輝尽性蛍光体層２の形成
工程において、輝尽性蛍光体層２の堆積速度は 0.1〜50
μｍ／分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、また、蒸気流の方向性が弱まるため本発明
の効果が減少する。堆積速度があまり大きいと堆積速度
のコントロールが困難となる。また、気相堆積法による
輝尽性蛍光体層２の形成工程において、結晶化の進行に
よる画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、支持体１
の温度は 400℃以下が好ましい。輝尽性蛍光体層２の層
厚は、目的とする放射線画像変換パネルの放射線感度、
輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、放射線吸収率
の低下による放射線感度の低下を防止する観点から、30
〜1000μｍが好ましく、特に50〜500 μｍが好ましい。
工程において、輝尽性蛍光体層２の堆積速度は 0.1〜50
μｍ／分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、また、蒸気流の方向性が弱まるため本発明
の効果が減少する。堆積速度があまり大きいと堆積速度
のコントロールが困難となる。また、気相堆積法による
輝尽性蛍光体層２の形成工程において、結晶化の進行に
よる画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、支持体１
の温度は 400℃以下が好ましい。輝尽性蛍光体層２の層
厚は、目的とする放射線画像変換パネルの放射線感度、
輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、放射線吸収率
の低下による放射線感度の低下を防止する観点から、30
〜1000μｍが好ましく、特に50〜500 μｍが好ましい。
【００２９】保護層６は、輝尽性蛍光体層２を物理的に
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層２は、図６のように低屈折率層８を介して輝
尽性蛍光体層２に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層２は、図６のように低屈折率層８を介して輝
尽性蛍光体層２に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
【００３０】保護層６を低屈折率層８を介して設ける場
合、当該保護層６の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層６は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は80％以上が好ましい。そのような材料としては、
石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラ
スや、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等
の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは
330nm〜2.6 μｍの波長範囲で80％以上の光透過率を示
し、石英ガラスではさらに短波長においても高い光透過
率を示す。さらに、保護層６の表面に、ＭｇＦ2 等の反
射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率
よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果も
あり好ましい。
合、当該保護層６の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層６は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は80％以上が好ましい。そのような材料としては、
石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラ
スや、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等
の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラスは
330nm〜2.6 μｍの波長範囲で80％以上の光透過率を示
し、石英ガラスではさらに短波長においても高い光透過
率を示す。さらに、保護層６の表面に、ＭｇＦ2 等の反
射防止層を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率
よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さくする効果も
あり好ましい。
【００３１】保護層６を輝尽性蛍光体層２上に直接設け
る場合、当該保護層６の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層６は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。この
場合には、保護層６の層厚は、保護層６を輝尽性蛍光体
層２に直接設ける場合は、 0.1〜100 μｍが好ましく、
低屈折率層８を介してを設ける場合は50μｍ〜５mm、好
ましくは100 μｍ〜３mmである。また、保護層６の厚さ
は、通常50μｍ〜５mmであり、良好な防湿性を得るため
には、 100μｍ〜３mmが好ましい。
る場合、当該保護層６の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層６は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。この
場合には、保護層６の層厚は、保護層６を輝尽性蛍光体
層２に直接設ける場合は、 0.1〜100 μｍが好ましく、
低屈折率層８を介してを設ける場合は50μｍ〜５mm、好
ましくは100 μｍ〜３mmである。また、保護層６の厚さ
は、通常50μｍ〜５mmであり、良好な防湿性を得るため
には、 100μｍ〜３mmが好ましい。
【００３２】低屈折率層８は、放射線画像の鮮鋭性をさ
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、ＣａＦ2 （屈折率1.23〜1.26) 、Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 （屈折率1.35) 、ＭｇＦ2 （屈折率1.38)
、ＳｉＯ2 （屈折率1.46) 等からなる層；エタノール
(屈折率1.36) 、メタノール (屈折率1.33) 、ジエチル
エーテル (屈折率1.35) 等の液体からなる層；空気、窒
素、アルゴン等の気体からなる層；真空層等のように屈
折率が実質的に１である層；等から選択される。特に、
気体層または真空層が好ましい。この場合、低屈折率層
８の厚さは、通常0.05〜３mmである。
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、ＣａＦ2 （屈折率1.23〜1.26) 、Ｎ
ａ3 ＡｌＦ6 （屈折率1.35) 、ＭｇＦ2 （屈折率1.38)
、ＳｉＯ2 （屈折率1.46) 等からなる層；エタノール
(屈折率1.36) 、メタノール (屈折率1.33) 、ジエチル
エーテル (屈折率1.35) 等の液体からなる層；空気、窒
素、アルゴン等の気体からなる層；真空層等のように屈
折率が実質的に１である層；等から選択される。特に、
気体層または真空層が好ましい。この場合、低屈折率層
８の厚さは、通常0.05〜３mmである。
【００３３】低屈折率層８は、輝尽性蛍光体層２と密着
していることが好ましく、従って、低屈折率層８が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層８をＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｉＯ2 等を用いて保護層６の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層２と低屈折率層８は例えば接着剤等により
密着させればよい。
していることが好ましく、従って、低屈折率層８が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層８をＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 、ＭｇＦ2 、Ｓ
ｉＯ2 等を用いて保護層６の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層２と低屈折率層８は例えば接着剤等により
密着させればよい。
【００３４】保護層６を輝尽性蛍光体層２に対して距離
をおいて配設する場合には、支持体１と保護層６との間
に、輝尽性蛍光体層２を取囲むスペーサ７が設けられ
る。スペーサ７としては、輝尽性蛍光体層２を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等が用いられる。
をおいて配設する場合には、支持体１と保護層６との間
に、輝尽性蛍光体層２を取囲むスペーサ７が設けられ
る。スペーサ７としては、輝尽性蛍光体層２を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等が用いられる。
【００３５】本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、波長が 500nm以上の輝尽励起光によって輝
尽発光を示す蛍光体が好ましい。
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、波長が 500nm以上の輝尽励起光によって輝
尽発光を示す蛍光体が好ましい。
【００３６】輝尽性蛍光体層２を構成する輝尽性蛍光体
としては、以下のものを用いることができる。 （１）米国特許第 3,859,527号明細書に記載のＳｒＳ：
Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅ
ｕ，Ｓｍ、(Ｚｎ，Ｃｄ) Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（ただし、Ｘは
ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （２）特開昭55− 12142号公報に記載のＺｎＳ：Ｃｕ，
Ｐｂ蛍光体。 （３）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＢａＯ・ｘＡｌ2 Ｏ3 ：Ｅｕ （ただし、ｘは 0.8≦ｘ≦10を満たす数を表す。) で表
されるアルミン酸バリウム蛍光体。 （４）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＭI Ｏ・ｘＳｉＯ2 ：Ａ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ, Ｂ
ａを表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔ
ｌ，Ｂｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ｘは、 0.5≦
ｘ＜2.5 を満たす数を表す。) で表されるアルカリ土類
金属ケイ酸塩系蛍光体。
としては、以下のものを用いることができる。 （１）米国特許第 3,859,527号明細書に記載のＳｒＳ：
Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅ
ｕ，Ｓｍ、(Ｚｎ，Ｃｄ) Ｓ：Ｍｎ，Ｘ（ただし、Ｘは
ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （２）特開昭55− 12142号公報に記載のＺｎＳ：Ｃｕ，
Ｐｂ蛍光体。 （３）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＢａＯ・ｘＡｌ2 Ｏ3 ：Ｅｕ （ただし、ｘは 0.8≦ｘ≦10を満たす数を表す。) で表
されるアルミン酸バリウム蛍光体。 （４）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＭI Ｏ・ｘＳｉＯ2 ：Ａ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ, Ｂ
ａを表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔ
ｌ，Ｂｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ｘは、 0.5≦
ｘ＜2.5 を満たす数を表す。) で表されるアルカリ土類
金属ケイ酸塩系蛍光体。
【００３７】（５）同55− 12142号公報に記載の一般式 （Ｂａ1-x-y Ｍｇx Ｃａy ）ＦＸ：ｅＥｕ2+ （ただし、Ｘは、Ｂｒ，Ｃｌの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙ，ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦0.6 、ｘｙ≠
０、10-6≦ｅ≦５×10-2を満たす数を表す。) で表され
る蛍光体。 （６）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＬｎＯＸ：ｘＡ （ただし、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕの少なくとも
１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂの少なくとも１種を表し、ｘは、
０＜ｘ＜0.1 を満たす数を表す。) で表される蛍光体。 （７）特開昭55− 12145号公報に記載の一般式 （Ｂａ1-x ( ＭI ) x ) ＦＸ：ｙＡ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少
なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくと
も１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，
Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒの少なくとも１種を表
し、ｘ，ｙは、０≦ｘ≦0.6 、０≦ｙ≦0.2 を満たす数
を表す。) で表される蛍光体。 （８）特開昭55− 84389号公報に記載の一般式 ＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡ （ただし、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｚｒの少なくとも
１種を表し、ｘ，ｙは、０＜ｘ≦２×10-1、０＜ｙ≦５
×10-2を満たす数を表す。) で表される蛍光体。
ｘ，ｙ，ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦0.6 、ｘｙ≠
０、10-6≦ｅ≦５×10-2を満たす数を表す。) で表され
る蛍光体。 （６）同55− 12142号公報に記載の一般式 ＬｎＯＸ：ｘＡ （ただし、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕの少なくとも
１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂの少なくとも１種を表し、ｘは、
０＜ｘ＜0.1 を満たす数を表す。) で表される蛍光体。 （７）特開昭55− 12145号公報に記載の一般式 （Ｂａ1-x ( ＭI ) x ) ＦＸ：ｙＡ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少
なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくと
も１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，
Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒの少なくとも１種を表
し、ｘ，ｙは、０≦ｘ≦0.6 、０≦ｙ≦0.2 を満たす数
を表す。) で表される蛍光体。 （８）特開昭55− 84389号公報に記載の一般式 ＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡ （ただし、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｚｒの少なくとも
１種を表し、ｘ，ｙは、０＜ｘ≦２×10-1、０＜ｙ≦５
×10-2を満たす数を表す。) で表される蛍光体。
【００３８】（９）特開昭55−160078号公報に記載の一
般式 ＭI ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃ
ｄの少なくとも１種を表し、Ａは、ＢｅＯ，ＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ
2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 , ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔ
ａ2 Ｏ5 ，ＴｈＯ2 の少なくとも１種を表し、Ｌｎは、
Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｇｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、５
×10-5≦ｘ≦0.5 、０＜ｙ≦0.2 を満たす数を表す。)
で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体。 （10）同55−160078号公報に記載の一般式 ＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ，Ｘ、 ＣｄＳ：Ａ，Ｘ （ただし、Ａは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎのいずれかを
表し、Ｘは、ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （11）特開昭59− 38278号公報に記載の 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ＮＸ2 ：ｙＡ 一般式〔II〕 Ｍ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ｙＡ （式中、Ｍ，Ｎは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｍｎ，Ｓｎの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。
般式 ＭI ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ （ただし、ＭI は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃ
ｄの少なくとも１種を表し、Ａは、ＢｅＯ，ＭｇＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｙ
2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 , ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｔ
ａ2 Ｏ5 ，ＴｈＯ2 の少なくとも１種を表し、Ｌｎは、
Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｇｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、
Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、５
×10-5≦ｘ≦0.5 、０＜ｙ≦0.2 を満たす数を表す。)
で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体。 （10）同55−160078号公報に記載の一般式 ＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ：Ａ，Ｘ、 ＣｄＳ：Ａ，Ｘ （ただし、Ａは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎのいずれかを
表し、Ｘは、ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （11）特開昭59− 38278号公報に記載の 一般式〔Ｉ〕 ｘＭ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ＮＸ2 ：ｙＡ 一般式〔II〕 Ｍ3 (ＰＯ4 ) 2 ・ｙＡ （式中、Ｍ，Ｎは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂ
ａ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｆ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔ
ｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅ
ｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｍｎ，Ｓｎの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１を満たす数を表
す。）で表される蛍光体。
【００３９】（12）特開昭59−155487号公報に記載の 一般式〔 III〕ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ 一般式〔 IＶ〕ｎＲｅＸ3 ・ｍＡＸ' 2 ：ｘＥｕ，ｙＳｍ （式中、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕの少なくとも１
種を表し、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種の
アルカリ土類金属を表し、Ｘ，Ｘ’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ
の少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、１×10-4＜ｘ＜３
×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1を満たす数を表し、ｎ
／ｍは、１×10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1を満たす数を表
す。) で表される蛍光体。 （13）特開平２− 58593号公報に記載の一般式 ａＢａＸ2 ・（１−ａ）ＢａＹ2 ：ｂＥｕ2+ （式中、Ｘ，Ｙは、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少
なくとも１種を表し、Ｘ≠Ｙであり、ａ，ｂは、０＜ａ
＜１、10-5＜ｂ＜10-1を満たす数を表す。）で表される
蛍光体。 （14）特開昭61− 72087号公報に記載の一般式 ＭI Ｘ・ａＭIIＸ' 2 ・ｂＭIII Ｘ''3 ：ｃＡ （ただし、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｎｉの少な
くとも１種の２価の金属を表し、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎの少なくとも１種の３価の金属を表し、Ｘ，
Ｘ' , Ｘ''は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種の
ハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓ
ｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの少なくとも１
種の金属を表し、ａ，ｂ，ｃは、０≦ａ＜0.5 、０≦ｂ
＜0.5 、０＜ｃ≦0.2 を満たす数を表す。) で表される
アルカリハライド蛍光体。
種を表し、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種の
アルカリ土類金属を表し、Ｘ，Ｘ’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ
の少なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、１×10-4＜ｘ＜３
×10-1、１×10-4＜ｙ＜１×10-1を満たす数を表し、ｎ
／ｍは、１×10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1を満たす数を表
す。) で表される蛍光体。 （13）特開平２− 58593号公報に記載の一般式 ａＢａＸ2 ・（１−ａ）ＢａＹ2 ：ｂＥｕ2+ （式中、Ｘ，Ｙは、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少
なくとも１種を表し、Ｘ≠Ｙであり、ａ，ｂは、０＜ａ
＜１、10-5＜ｂ＜10-1を満たす数を表す。）で表される
蛍光体。 （14）特開昭61− 72087号公報に記載の一般式 ＭI Ｘ・ａＭIIＸ' 2 ・ｂＭIII Ｘ''3 ：ｃＡ （ただし、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓの少な
くとも１種のアルカリ金属を表し、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ，Ｎｉの少な
くとも１種の２価の金属を表し、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，
Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇ
ａ，Ｉｎの少なくとも１種の３価の金属を表し、Ｘ，
Ｘ' , Ｘ''は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種の
ハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄ
ｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓ
ｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの少なくとも１
種の金属を表し、ａ，ｂ，ｃは、０≦ａ＜0.5 、０≦ｂ
＜0.5 、０＜ｃ≦0.2 を満たす数を表す。) で表される
アルカリハライド蛍光体。
【００４０】本発明においては、アルカリハライド蛍光
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。
【００４１】図７は本発明の方法により製造された放射
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の概略を示し、９は放射線発生装置、10は被写体、11
は放射線画像変換パネル、12は輝尽励起光源、13は放射
線画像変換パネル11より放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、14は光電変換装置13で検出された信号を
画像として再生する再生装置、15は再生装置14により再
生された画像を表示する表示装置、16は輝尽励起光と輝
尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルタ
ーである。
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の概略を示し、９は放射線発生装置、10は被写体、11
は放射線画像変換パネル、12は輝尽励起光源、13は放射
線画像変換パネル11より放射された輝尽発光を検出する
光電変換装置、14は光電変換装置13で検出された信号を
画像として再生する再生装置、15は再生装置14により再
生された画像を表示する表示装置、16は輝尽励起光と輝
尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルタ
ーである。
【００４２】この放射線画像変換装置においては、放射
線発生装置９からの放射線は被写体10を通して放射線画
像変換パネル11に入射する。この入射した放射線は放射
線画像変換パネル11の輝尽性蛍光体層に吸収され、その
エネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成さ
れる。次に、この蓄積像を輝尽励起光源12からの輝尽励
起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射される
輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量に比
例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電
変換装置13で光電変換し、再生装置14によって画像とし
て再生し、表示装置15によって表示することにより、被
写体10の放射線透過像を観察することができる。
線発生装置９からの放射線は被写体10を通して放射線画
像変換パネル11に入射する。この入射した放射線は放射
線画像変換パネル11の輝尽性蛍光体層に吸収され、その
エネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成さ
れる。次に、この蓄積像を輝尽励起光源12からの輝尽励
起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射される
輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量に比
例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電
変換装置13で光電変換し、再生装置14によって画像とし
て再生し、表示装置15によって表示することにより、被
写体10の放射線透過像を観察することができる。
【００４３】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【００４４】実施例１ 蒸着装置内に、厚さが 1.0mmの結晶化ガラス板からなる
支持体と、励起源として電子ビーム発生器を備えた２個
の蒸発源を配置した。蒸発源としては、ＲｂＢｒ：１×
10-4Ｔｌからなる輝尽性蛍光体材料を用いた。
支持体と、励起源として電子ビーム発生器を備えた２個
の蒸発源を配置した。蒸発源としては、ＲｂＢｒ：１×
10-4Ｔｌからなる輝尽性蛍光体材料を用いた。
【００４５】図８に示すように、一方の蒸発源からの蒸
気流束Ｓ1 の支持体の被蒸着面１Ａの法線方向（Ｚ方
向）に対する入射角θ1 が45°、他方の蒸発源からの蒸
気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、かつ当該２つの蒸気流
束Ｓ1 およびＳ2 の被蒸着面１Ａへの投影像同士の交角
φ1 が90°、他方の交角φ2 が 270 °になるように調
整した。
気流束Ｓ1 の支持体の被蒸着面１Ａの法線方向（Ｚ方
向）に対する入射角θ1 が45°、他方の蒸発源からの蒸
気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、かつ当該２つの蒸気流
束Ｓ1 およびＳ2 の被蒸着面１Ａへの投影像同士の交角
φ1 が90°、他方の交角φ2 が 270 °になるように調
整した。
【００４６】蒸着装置内の真空度を10-6Torr台に調整
し、支持体の温度を 250℃に設定して、支持体の被蒸着
面１Ａへの輝尽性蛍光体の堆積速度が５μｍ／min とな
るように各電子ビームを各蒸発源に当てて２つの蒸気流
束を形成し、これらをスリットにより整流して、輝尽性
蛍光体の柱状結晶の成長角θ0 （図４参照）が約20°と
なるように斜め蒸着を行って、支持体の被蒸着面上に縦
幅ａが約３μｍ、横幅ｂが約３μｍ（図４参照）の柱状
結晶の多数からなる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形
成した。
し、支持体の温度を 250℃に設定して、支持体の被蒸着
面１Ａへの輝尽性蛍光体の堆積速度が５μｍ／min とな
るように各電子ビームを各蒸発源に当てて２つの蒸気流
束を形成し、これらをスリットにより整流して、輝尽性
蛍光体の柱状結晶の成長角θ0 （図４参照）が約20°と
なるように斜め蒸着を行って、支持体の被蒸着面上に縦
幅ａが約３μｍ、横幅ｂが約３μｍ（図４参照）の柱状
結晶の多数からなる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形
成した。
【００４７】次に、輝尽性蛍光体層の結晶性を高めるた
めに、温度 400℃でアニーリングを行った。このアニー
リング後の輝尽性蛍光体層上に、乾燥した窒素ガスから
なる低屈折率層を介してガラス板からなる保護層を設け
て、放射線画像変換パネル１を製造した。
めに、温度 400℃でアニーリングを行った。このアニー
リング後の輝尽性蛍光体層上に、乾燥した窒素ガスから
なる低屈折率層を介してガラス板からなる保護層を設け
て、放射線画像変換パネル１を製造した。
【００４８】実施例２ 図９に示すように、一方の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
60°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が60°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が120°、他
方の交角φ2 が 240 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約30°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約２μｍ、横幅ｂが約２μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル２を製造し
た。
60°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が60°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が120°、他
方の交角φ2 が 240 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約30°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約２μｍ、横幅ｂが約２μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル２を製造し
た。
【００４９】実施例３ 実施例１において、蒸発源をもう１個追加して、図10に
示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が45°、
第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の蒸気流
束Ｓ3 の入射角θ3 が60°、かつこれら３つの蒸気流束
Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が60°、φ2 が 150
°、φ3 が 150°になるように調整し、柱状結晶の成長
角θ0 が約25°となるように斜め蒸着を行ったほかは実
施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約
５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる厚
さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１
と同様にして放射線画像変換パネル３を製造した。
示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が45°、
第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の蒸気流
束Ｓ3 の入射角θ3 が60°、かつこれら３つの蒸気流束
Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が60°、φ2 が 150
°、φ3 が 150°になるように調整し、柱状結晶の成長
角θ0 が約25°となるように斜め蒸着を行ったほかは実
施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約
５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる厚
さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１
と同様にして放射線画像変換パネル３を製造した。
【００５０】実施例４ 図11に示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、かつこれら３つの蒸
気流束Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が
135°、φ3 が135°になるように調整し、柱状結晶の
成長角θ0 が約20°となるように斜め蒸着を行ったほか
は実施例３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａ
が約３μｍ、横幅ｂが約３μｍの柱状結晶の多数からな
る厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施
例３と同様にして放射線画像変換パネル４を製造した。
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、かつこれら３つの蒸
気流束Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が
135°、φ3 が135°になるように調整し、柱状結晶の
成長角θ0 が約20°となるように斜め蒸着を行ったほか
は実施例３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａ
が約３μｍ、横幅ｂが約３μｍの柱状結晶の多数からな
る厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施
例３と同様にして放射線画像変換パネル４を製造した。
【００５１】実施例５ 図12に示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が60°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、かつこれら３つの蒸
気流束Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が
90°、φ3 が180°になるように調整し、柱状結晶の成
長角θ0 が約25°となるように斜め蒸着を行ったほかは
実施例３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが
約５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる
厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例
３と同様にして放射線画像変換パネル５を製造した。
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が60°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、かつこれら３つの蒸
気流束Ｓ1 〜Ｓ3 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が
90°、φ3 が180°になるように調整し、柱状結晶の成
長角θ0 が約25°となるように斜め蒸着を行ったほかは
実施例３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが
約５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる
厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例
３と同様にして放射線画像変換パネル５を製造した。
【００５２】実施例６ 実施例３において、蒸発源をさらにもう１個追加して、
図13に示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、第４の蒸気流束Ｓ4
の入射角θ4 が45°、かつこれら４つの蒸気流束Ｓ1 〜
Ｓ4 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が90°、φ3 が
90°、φ4 が90°になるように調整し、柱状結晶の成長
角θ0 が約０°となるように蒸着を行ったほかは実施例
３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約10μ
ｍ、横幅ｂが約10μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ 3
00μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同
様にして放射線画像変換パネル６を製造した。
図13に示すように、第１の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
45°、第２の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が45°、第３の
蒸気流束Ｓ3 の入射角θ3 が45°、第４の蒸気流束Ｓ4
の入射角θ4 が45°、かつこれら４つの蒸気流束Ｓ1 〜
Ｓ4 のそれぞれの交角φ1 が90°、φ2 が90°、φ3 が
90°、φ4 が90°になるように調整し、柱状結晶の成長
角θ0 が約０°となるように蒸着を行ったほかは実施例
３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約10μ
ｍ、横幅ｂが約10μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ 3
00μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同
様にして放射線画像変換パネル６を製造した。
【００５３】実施例７ 図８に示すように、一方の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
20°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が20°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が90°、他
方の交角φ2 が 270 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約10°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約７μｍ、横幅ｂが約10μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル７を製造し
た。
20°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が20°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が90°、他
方の交角φ2 が 270 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約10°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約７μｍ、横幅ｂが約10μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル７を製造し
た。
【００５４】実施例８ 図９に示すように、一方の蒸気流束Ｓ1 の入射角θ1 が
70°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が70°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が120°、他
方の交角φ2 が 240 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約40°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル８を製造し
た。
70°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角θ2 が70°、かつ当
該２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2 の交角φ1が120°、他
方の交角φ2 が 240 °になるように調整し、柱状結晶
の成長角θ0 が約40°となるように斜め蒸着を行ったほ
かは実施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅
ａが約５μｍ、横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数から
なる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実
施例１と同様にして放射線画像変換パネル８を製造し
た。
【００５５】比較例１ 実施例１において、蒸発源を１個とし、図14に示すよう
に、蒸気流束の入射角θ1 が60°、結晶の成長角θ0 が
約35°となるように蒸着を行ったほかは実施例１と同様
にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５μｍ、横幅
ｂが約30μｍの板状結晶の多数からなる厚さ 300μｍの
輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同様にして
比較用の放射線画像変換パネルａを製造した。
に、蒸気流束の入射角θ1 が60°、結晶の成長角θ0 が
約35°となるように蒸着を行ったほかは実施例１と同様
にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５μｍ、横幅
ｂが約30μｍの板状結晶の多数からなる厚さ 300μｍの
輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同様にして
比較用の放射線画像変換パネルａを製造した。
【００５６】比較例２ 実施例１において、図15に示すように、一方の蒸気流束
Ｓ1 の入射角θ1 が45°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角
θ2 が45°、かつこれら２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2
のそれぞれの交角φ1 が 180°、φ2 が 180°になるよ
うに調整し、結晶の成長角θ0 が約０°となるように蒸
着を行ったほかは実施例１と同様にして、支持体の被蒸
着面上に縦幅ａが約10μｍ、横幅ｂが約50μｍの板状結
晶の多数からなる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成
し、以下、実施例１と同様にして比較用の放射線画像変
換パネルｂを製造した。
Ｓ1 の入射角θ1 が45°、他方の蒸気流束Ｓ2 の入射角
θ2 が45°、かつこれら２つの蒸気流束Ｓ1 およびＳ2
のそれぞれの交角φ1 が 180°、φ2 が 180°になるよ
うに調整し、結晶の成長角θ0 が約０°となるように蒸
着を行ったほかは実施例１と同様にして、支持体の被蒸
着面上に縦幅ａが約10μｍ、横幅ｂが約50μｍの板状結
晶の多数からなる厚さ 300μｍの輝尽性蛍光体層を形成
し、以下、実施例１と同様にして比較用の放射線画像変
換パネルｂを製造した。
【００５７】評価 以上のようにして製造した放射線画像変換パネル１〜６
と比較用の放射線画像変換パネルａ，ｂをそれぞれ用い
て、図７に示す構成の放射線画像変換装置を作製し、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べ、総合評価を行った。
と比較用の放射線画像変換パネルａ，ｂをそれぞれ用い
て、図７に示す構成の放射線画像変換装置を作製し、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べ、総合評価を行った。
【００５８】鮮鋭性 放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付けた後、
管電圧80ｋＶP-P のＸ線を10 mＲ（管球からパネルまで
の距離：1.5 ｍ）照射した後、半導体レーザ光（発振波
長：780nm 、ビーム径： 100μｍ) で走査して輝尽励起
し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される
輝尽発光として読取り、光検出器 (光電子増倍管) で光
電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の
変調伝達関数 (ＭＴＦ）を調べ、放射線画像の鮮鋭性を
相対値で評価した。なお、ＭＴＦは、空間周波数が３サ
イクル／mmの時の値である。
管電圧80ｋＶP-P のＸ線を10 mＲ（管球からパネルまで
の距離：1.5 ｍ）照射した後、半導体レーザ光（発振波
長：780nm 、ビーム径： 100μｍ) で走査して輝尽励起
し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される
輝尽発光として読取り、光検出器 (光電子増倍管) で光
電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の
変調伝達関数 (ＭＴＦ）を調べ、放射線画像の鮮鋭性を
相対値で評価した。なお、ＭＴＦは、空間周波数が３サ
イクル／mmの時の値である。
【００５９】総合評価 各サンプルについて、直交するＡ，Ｂの２方向（図４）
の鮮鋭性を評価した結果に基づき、鮮鋭性の高さと読取
り方向による差異を基準に評価した。各放射線画像変換
パネルの構成要素の主な点および上記試験結果をそれぞ
れ後記表１および表２に示した。
の鮮鋭性を評価した結果に基づき、鮮鋭性の高さと読取
り方向による差異を基準に評価した。各放射線画像変換
パネルの構成要素の主な点および上記試験結果をそれぞ
れ後記表１および表２に示した。
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】表１および表２から明らかなように、本発
明の製造方法によれば、放射線画像の鮮鋭性が読取り方
向によってあまり変化せず鮮鋭性の良好な放射線画像変
換パネルが得られる。
明の製造方法によれば、放射線画像の鮮鋭性が読取り方
向によってあまり変化せず鮮鋭性の良好な放射線画像変
換パネルが得られる。
【００６３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の製
造方法によれば、複数の蒸気流束を用いて気相堆積法に
より輝尽性蛍光体層を形成する際に、少なくとも２つの
蒸気流束の入射角θと交角φとを特定範囲に規定したの
で、放射線画像の鮮鋭性がその読取り方向に依存するこ
とがなく、ムラのない優れた鮮鋭性が発揮される放射線
画像変換パネルが得られる。
造方法によれば、複数の蒸気流束を用いて気相堆積法に
より輝尽性蛍光体層を形成する際に、少なくとも２つの
蒸気流束の入射角θと交角φとを特定範囲に規定したの
で、放射線画像の鮮鋭性がその読取り方向に依存するこ
とがなく、ムラのない優れた鮮鋭性が発揮される放射線
画像変換パネルが得られる。
【図１】複数の蒸気流束を用いる蒸着法の態様を示した
図である。
図である。
【図２】複数の蒸気流束の入射角θおよび交角φの説明
図である。
図である。
【図３】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した断面図である。
した断面図である。
【図４】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した斜視図である。
した斜視図である。
【図５】従来技術の問題点を示す説明図である。
【図６】放射線画像変換パネルの具体的構成例を示した
断面図である。
断面図である。
【図７】放射線画像変換装置の概略を示した説明図であ
る。
る。
【図８】実施例１と７における蒸気流束の入射角θおよ
び交角φの説明図である。
び交角φの説明図である。
【図９】実施例２と８における蒸気流束の入射角θおよ
び交角φの説明図である。
び交角φの説明図である。
【図１０】実施例３における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。
交角φの説明図である。
【図１１】実施例４における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。
交角φの説明図である。
【図１２】実施例５における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。
交角φの説明図である。
【図１３】実施例６における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。
交角φの説明図である。
【図１４】比較例１における蒸気流束の入射角θの説明
図である。
図である。
【図１５】比較例２における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。
交角φの説明図である。
１ 支持体 ２ 輝尽性蛍光体層 ３ 蒸発源 ４ 柱状結晶 ５ クラック ６ 保護層 ７ スペーサ ８ 低屈折率層 ９ 放射線発生装置 10 被写体 11 放射線画像変換パネル 12 輝尽励起光源 13 光電変換装置 14 再生装置 15 表示装置 16 フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−58000（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97665（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−79400（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−169097（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−157600（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 4/00
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の蒸気流束を用いて支持体の被蒸着
面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形
成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法にお
いて、 前記複数の蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸気流束
は、支持体の被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１
０〜８０°の範囲にあって両入射角の差が４５°以下で
あり、 かつ、当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面への投影像同
士の交角φが４５〜１３０°の範囲にあることを特徴と
する放射線画像変換パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12180991A JP3164598B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12180991A JP3164598B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326100A JPH04326100A (ja) | 1992-11-16 |
| JP3164598B2 true JP3164598B2 (ja) | 2001-05-08 |
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ID=14820469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12180991A Expired - Fee Related JP3164598B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
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| JP (1) | JP3164598B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11442302B2 (en) | 2016-08-17 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4830280B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-12-07 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP12180991A patent/JP3164598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11442302B2 (en) | 2016-08-17 | 2022-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11899296B2 (en) | 2016-08-17 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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| JPH04326100A (ja) | 1992-11-16 |
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