JPH04326100A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数の蒸気流束を用い
て支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝
尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変換パネ
ルの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば医療の分野においては、病気の診
断にＸ線画像のような放射線画像が多く用いられている
。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透過
したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これ
により可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を撮
るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であった。

【０００３】しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルム
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。

【０００４】例えば米国特許第　３，８５９，５２７号
明細書、特開昭５５−　１２１４４号公報には、輝尽性
蛍光体を用い、可視光線または赤外線を輝尽励起光とし
て用いた放射線画像変換方法が示されている。この方法
は、基板上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換
パネルを使用するものであり、この放射線画像変換パネ
ルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて
、被写体の各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性
蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって各部に蓄
積された放射線エネルギーを輝尽発光として放射させ、
この光の強弱による光信号を例えば光電変換し、画像再
生装置により画像化するものである。この最終的な画像
はハードコピーとして再生されるか、またはＣＲＴ上に
再生される。

【０００５】このような放射線画像変換方法に用いられ
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルとして
は、得られる画像の鮮鋭性の優れていることが要求され
る。従来においては、下記に掲げるように放射線画像の
鮮鋭性を改善する手段がいくつか提案されている。

【０００６】（１）　輝尽性蛍光体層を斜め蒸着法によ
り形成する手段（特開平２−　５８０００号公報参照）
　。 （２）　２方向の蒸気流束による板状結晶を形成する手
段（Ｊａｐ．　Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　２０，
　７，１９８１参照）。 （３）　蒸気流束の入射角度を規定する手段（特開昭６
２−１５７６００号公報参照）　。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記　（１）
〜（３）　の技術では、図５に示すように、被蒸着面１
上に一方向に優先的に区画された板状の結晶４からなる
輝尽性蛍光体層が形成されるため、放射線画像の読取り
方向によって鮮鋭性が大きく変化する問題があった。

【０００８】そこで、本発明の目的は、高鮮鋭性な放射
線画像変換パネルであり、かつ放射線画像の読取り方向
によって鮮鋭性が変化しない放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、複
数の蒸気流束を用いて支持体の被蒸着面に輝尽性蛍光体
を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む
放射線画像変換パネルの製造方法において、前記複数の
蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸気流束は、支持体の
被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°の
範囲にあり、かつ、当該２つの蒸気流束の前記被蒸着面
への投影像同士の交角φが２０〜１６０　°の範囲にあ
ることを特徴とする。

【００１０】

【作用】少なくとも２つの蒸気流束の被蒸着面の法線方
向に対する入射角θおよび被蒸着面への投影像同士の交
角φを特定の範囲に規定したので、被蒸着面に気相堆積
した輝尽性蛍光体層の結晶が、一方向に優先的に区画さ
れた板状の結晶ではなく、平面方向に均等に区画された
柱状の結晶となり、読取り方向のいかんにかかわらず鮮
鋭性が均一となる。

【００１１】

【実施例】本発明においては、図１に示すように、複数
の蒸気流束Ｓ１　，Ｓ２　を用いて気相堆積法により支
持体１の被蒸着面上に輝尽性蛍光体層２を形成するが、
複数の蒸気流束Ｓ１　，Ｓ２　は例えば励起源（図示省
略）を備えた蒸発源３の複数により形成される。励起源
としては、電子ビーム器、抵抗加熱器等が用いられる。

【００１２】複数の蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸
気流束は、支持体１上に同時に入射され、また支持体１
の被蒸着面の法線方向に対する入射角θが１０〜８０°
の範囲にあり、かつ、当該２つの蒸気流束の前記被蒸着
面への投影像同士の交角φが２０〜１６０　°の範囲に
あるように調整する。

【００１３】例えば蒸気流束が２つの場合には、図２に
示すように、２　つの蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　の支
持体１の被蒸着面１Ａの法線方向（図２のＺ方向）に対
する入射角θ１　およびθ２　がそれぞれ１０〜８０°
の範囲にあり、かつ、当該蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　
の被蒸着面１Ａへの投影像同士の交角φが２０〜１６０
　°の範囲にあるように調整する。

【００１４】前記θ１　，θ２　が各々１０°未満およ
びφが２０°未満の場合には、２つの蒸気流束Ｓ１　，
Ｓ２　はその各々の蒸気流方向成分の差異が明確でなく
なるため、本発明の複数の蒸気流束を支持体に対してあ
る特定の角度で入射させ、相対向させることによる効果
が弱められる。すなわち、輝尽性蛍光体結晶が概ね一方
向につながった板状になるため読取り方向による鮮鋭性
のムラが生じやすい。一方、前記θ１　，θ２　が各々
８０°を超える場合には、その蒸気流による堆積効率が
著しく低下するため、蒸気流束の方向成分が弱められ、
本発明の効果が発揮されない。また、φが　１６０°を
超える場合には、蒸気流束が概ね互いに向かい合った配
置となるため、この場合も輝尽性蛍光体結晶が一方向に
つながった板状となる。さらに、蒸着器内の配置や各蒸
気流束の制御の点で下記数１を満たすことが好ましい。 また、θ１　＝θ２　であることが好ましい。

【００１５】

【数１】 また、φ（φのうち　１８０°以下のもの）は同様の理
由により、下記数２を満たすことが好ましい。

【００１６】

【数２】

【００１７】蒸気流束がｎ個（ｎ≧３）の場合は、各蒸
気流束Ｓｉ　（ｉ＝１，２，…，ｎ）の支持体１の被蒸
着面１Ａの法線方向に対する入射角θ１　〜θｎ　がそ
れぞれ１０〜８０°の範囲にあり、かつ、隣接する２つ
の蒸気流束Ｓｉ−１　とＳｉ　の被蒸着面への投影像同
士の交角φｉ　のうち少なくとも１つのφ（φのうち１
８０°以下のもの）が２０〜１６０　°の範囲にあるよ
うに調整すればよい。

【００１８】図３および図４は、本発明の製造方法によ
り形成された輝尽性蛍光体層２の柱状結晶を模式的に示
すものであり、柱状結晶４，４間には平面方向には均等
にクラック５が形成され、各柱状結晶４は独立した構造
になっている。従って、輝尽励起光が各柱状結晶４を鋭
い指向性で進行するようになり、放射線画像の読取り方
向が、横方向（図４のＡ方向）であっても、縦方向（図
４のＢ方向）であっても、鮮鋭性が均一となる。

【００１９】柱状結晶４による輝尽励起光の散乱を防止
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、ＭＴＦ
（画像の変調伝達関数）を良くするためには、柱状結晶
４の大きさは、縦幅ａおよび横幅ｂ（図４参照）がそれ
ぞれ１〜５０μｍ程度がよく、特に１〜２０μｍが好ま
しい。

【００２０】また、輝尽性蛍光体層２中の輝尽性蛍光体
の充填率を高くして放射線感度の向上を図る観点から、
クラック５の大きさは、幅ｃ（図３参照）が１０μｍ以
下が好ましく、特に５μｍ以下が好ましい。

【００２１】図６は、本発明の製造方法により製造され
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、６は保
護層、７はスペーサ、８は低屈折率層である。

【００２２】支持体１の材料としては、ガラス、セラミ
ックス、各種高分子材料、金属等が用いられる。具体的
には、石英ガラス、化学強化ガラス等のガラス、結晶化
ガラス、アルミナあるいはジルコニアの焼結板等のセラ
ミクス、あるいはセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、アルミニウム−マグ
ネシウム合金、鉄、ステンレス、銅、クロム、鉛等の金
属シート等が挙げられる。支持体１の厚さは、その材質
等によって異なるが、一般的には　１００μｍ〜５ｍｍ
が好ましく、取扱いの便利性から、特に　２００μｍ〜
２ｍｍが好ましい。

【００２３】輝尽性蛍光体層２は、真空蒸着法（以下適
宜単に「蒸着法」と記す）、スパッタリング法、ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法等の気相堆積法によって形
成される。

【００２４】蒸着法により輝尽性蛍光体層２を形成する
場合には、支持体１を蒸着装置内に設置した後、蒸着装
置内を排気して例えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空度と
する。次いで、輝尽性蛍光体材料を備えた複数の蒸発源
３を所定の位置に配置して、複数の抵抗加熱器または電
子ビーム発生器を用いて輝尽性蛍光体材料を加熱蒸発さ
せて、複数の蒸気流束を形成し、これを支持体１の被蒸
着面１Ａに当てて輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させ
る。複数の蒸気流束は各々の蒸発量を制御することによ
り蒸気流速度を変えることができる。蒸着工程では複数
回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。蒸着終了後、必要に応じて、輝尽性蛍光体層２の支持
体１側とは反対側の面に直接または低屈折率層８を介し
て保護層６が設けられる。

【００２５】また、蒸着法においては、蒸着時、必要に
応じて支持体１を冷却または加熱してもよい。また、蒸
着終了後に輝尽性蛍光体層２を加熱処理（アニーリング
）してもよい。また、蒸着法においては、必要に応じて
Ｏ２　，Ｈ２　等のガスを導入して反応性蒸着を行って
もよい。

【００２６】スパッタリング法により輝尽性蛍光体層２
を形成する場合には、蒸着法と同様に支持体１をスパッ
タリング装置内に配置した後、装置内を一旦排気して例
えば１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空度とし、次いで、スパ
ッタリング用のガスとしてＡｒ，Ｎｅ等の不活性ガスを
導入して、例えば１０−３Ｔｏｒｒ程度のガス圧とする
。次に、複数の輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパ
ッタリングすることにより、支持体１の表面に輝尽性蛍
光体を所定の厚さに堆積させる。このスパッタリング工
程では、蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層
２を形成することも可能である。スパッタリング終了後
、蒸着法と同様に必要に応じて輝尽性蛍光体層２の支持
体１側とは反対の側に直接または低屈折率層８を介して
保護層６を設けることにより、放射線画像変換パネルが
製造される。

【００２７】スパッタリング法においては、必要に応じ
てＯ２　，　Ｈ２　等のガスを導入して反応性スパッタ
リングを行ってもよい。また、スパッタリング法におい
ては、スパッタリング時に必要に応じて支持体１を冷却
または加熱してもよい。さらに、スパッタリング終了後
、輝尽性蛍光体層２を加熱処理してもよい。

【００２８】気相堆積法による輝尽性蛍光体層２の形成
工程において、輝尽性蛍光体層２の堆積速度は　０．１
〜５０μｍ／分が好ましい。堆積速度があまり小さいと
生産性が低くなり、また、蒸気流の方向性が弱まるため
本発明の効果が減少する。堆積速度があまり大きいと堆
積速度のコントロールが困難となる。また、気相堆積法
による輝尽性蛍光体層２の形成工程において、結晶化の
進行による画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、支
持体１の温度は　４００℃以下が好ましい。輝尽性蛍光
体層２の層厚は、目的とする放射線画像変換パネルの放
射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、放
射線吸収率の低下による放射線感度の低下を防止する観
点から、３０〜１０００μｍが好ましく、特に５０〜５
００　μｍが好ましい。

【００２９】保護層６は、輝尽性蛍光体層２を物理的に
または化学的に保護するために設けられるものである。 この保護層２は、図６のように低屈折率層８を介して輝
尽性蛍光体層２に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。

【００３０】保護層６を低屈折率層８を介して設ける場
合、当該保護層６の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層６は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は８０％以上が好ましい。そのような材料としては
、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガ
ラスや、ＰＥＴ、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル
等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラス
は　３３０ｎｍ〜２．６　μｍの波長範囲で８０％以上
の光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長におい
ても高い光透過率を示す。さらに、保護層６の表面に、
ＭｇＦ２　等の反射防止層を設けると、輝尽励起光およ
び輝尽発光を効率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を
小さくする効果もあり好ましい。

【００３１】保護層６を輝尽性蛍光体層２上に直接設け
る場合、当該保護層６の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層６は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ２　、ＳｉＮ、
Ａｌ２　Ｏ３等の無機物質を積層して形成してもよい。 この場合には、保護層６の層厚は、保護層６を輝尽性蛍
光体層２に直接設ける場合は、　０．１〜１００　μｍ
が好ましく、低屈折率層８を介してを設ける場合は５０
μｍ〜５ｍｍ、好ましくは１００　μｍ〜３ｍｍである
。また、保護層６の厚さは、通常５０μｍ〜５ｍｍであ
り、良好な防湿性を得るためには、　１００μｍ〜３ｍ
ｍが好ましい。

【００３２】低屈折率層８は、放射線画像の鮮鋭性をさ
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、ＣａＦ２　（屈折率１．２３〜１．
２６）　、Ｎａ３　ＡｌＦ６　（屈折率１．３５）　、
ＭｇＦ２　（屈折率１．３８）　、ＳｉＯ２　（屈折率
１．４６）　等からなる層；エタノール　（屈折率１．
３６）　、メタノール　（屈折率１．３３）　、ジエチ
ルエーテル　（屈折率１．３５）　等の液体からなる層
；空気、窒素、アルゴン等の気体からなる層；真空層等
のように屈折率が実質的に１である層；等から選択され
る。特に、気体層または真空層が好ましい。この場合、
低屈折率層８の厚さは、通常０．０５〜３ｍｍである。

【００３３】低屈折率層８は、輝尽性蛍光体層２と密着
していることが好ましく、従って、低屈折率層８が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層８をＣａＦ２　、Ｎａ３　ＡｌＦ６　、ＭｇＦ
２　、ＳｉＯ２　等を用いて保護層６の内面に設けた場
合には、輝尽性蛍光体層２と低屈折率層８は例えば接着
剤等により密着させればよい。

【００３４】保護層６を輝尽性蛍光体層２に対して距離
をおいて配設する場合には、支持体１と保護層６との間
に、輝尽性蛍光体層２を取囲むスペーサ７が設けられる
。スペーサ７としては、輝尽性蛍光体層２を外部雰囲気
から遮断した状態で保持することができるものであれば
特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラス
チック等が用いられる。

【００３５】本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽
励起）により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、波長が　５００ｎｍ以上の輝尽励起光によ
って輝尽発光を示す蛍光体が好ましい。

【００３６】輝尽性蛍光体層２を構成する輝尽性蛍光体
としては、以下のものを用いることができる。 （１）米国特許第　３，８５９，５２７号明細書に記載
のＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ２　
Ｏ２　Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、（Ｚｎ，Ｃｄ）　Ｓ：Ｍｎ，Ｘ
（ただし、Ｘはハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （２）特開昭５５−　１２１４２号公報に記載のＺｎＳ
：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体。 （３）同５５−　１２１４２号公報に記載の一般式Ｂａ
Ｏ・ｘＡｌ２　Ｏ３　：Ｅｕ （ただし、ｘは　０．８≦ｘ≦１０を満たす数を表す。 ）　で表されるアルミン酸バリウム蛍光体。 （４）同５５−　１２１４２号公報に記載の一般式ＭＩ
　Ｏ・ｘＳｉＯ２　：Ａ （ただし、ＭＩ　は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄ，
　Ｂａを表し、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，
Ｔｌ，Ｂｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ｘは、　０
．５≦ｘ＜２．５　を満たす数を表す。）　で表される
アルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。

【００３７】（５）同５５−　１２１４２号公報に記載
の一般式（Ｂａ１−ｘ−ｙ　Ｍｇｘ　Ｃａｙ　）ＦＸ：
ｅＥｕ２＋（ただし、Ｘは、Ｂｒ，Ｃｌの少なくとも１
種を表し、ｘ，ｙ，ｅは、それぞれ、０＜ｘ＋ｙ≦０．
６　、ｘｙ≠０、１０−６≦ｅ≦５×１０−２を満たす
数を表す。）　で表される蛍光体。 （６）同５５−　１２１４２号公報に記載の一般式Ｌｎ
ＯＸ：ｘＡ （ただし、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕの少なくとも
１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒの少なくとも１種を表し
、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂの少なくとも１種を表し、ｘは、０
＜ｘ＜０．１　を満たす数を表す。）　で表される蛍光
体。 （７）特開昭５５−　１２１４５号公報に記載の一般式
（Ｂａ１−ｘ　（　ＭＩ　）　ｘ　）　ＦＸ：ｙＡ（た
だし、ＭＩ　は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｃｄの少な
くとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも
１種を表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐ
ｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒの少なくとも１種を表し、
ｘ，ｙは、０≦ｘ≦０．６　、０≦ｙ≦０．２　を満た
す数を表す。）　で表される蛍光体。 （８）特開昭５５−　８４３８９号公報に記載の一般式
ＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡ （ただし、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表
し、Ａは、Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｄ，Ｓｍ，Ｚｒの少なくとも
１種を表し、ｘ，ｙは、０＜ｘ≦２×１０−１、０＜ｙ
≦５×１０−２を満たす数を表す。）　で表される蛍光
体。

【００３８】（９）特開昭５５−１６００７８号公報に
記載の一般式 ＭＩ　ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ （ただし、ＭＩ　は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，
Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ａは、ＢｅＯ，ＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，ＺｎＯ，Ａｌ２　Ｏ３　，Ｙ
２　Ｏ３　，Ｌａ２　Ｏ３　，Ｉｎ２　Ｏ３　，ＳｉＯ
２　，ＴｉＯ２　，ＺｒＯ２　，　ＧｅＯ２　，ＳｎＯ
２　，Ｎｂ２　Ｏ５　，Ｔａ２　Ｏ５　，ＴｈＯ２　の
少なくとも１種を表し、Ｌｎは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔ
ｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｇｄ
の少なくとも１種を表し、Ｘは、Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少な
くとも１種を表し、ｘ，ｙは、５×１０−５≦ｘ≦０．
５　、０＜ｙ≦０．２　を満たす数を表す。）　で表さ
れる希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体。 （１０）同５５−１６００７８号公報に記載の一般式　
　　　　　ＺｎＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＣｄＳ
：Ａ、ＺｎＳ：Ａ，Ｘ、　　　　　　ＣｄＳ：Ａ，Ｘ （ただし、Ａは、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｎのいずれかを
表し、Ｘは、ハロゲンを表す。）で表される蛍光体。 （１１）特開昭５９−　３８２７８号公報に記載の一般
式〔Ｉ〕　　ｘＭ３　　（ＰＯ４　）　２　・ＮＸ２　
：ｙＡ一般式〔ＩＩ〕　　　　Ｍ３　　（ＰＯ４　）　
２　・ｙＡ（式中、Ｍ，Ｎは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，
Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄの少なくとも１種を表し、Ｘは
、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なくとも１種を表し、Ａは、
Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙ
ｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｍｎ，Ｓｎの少なくとも１種を
表し、ｘ，ｙは、０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１を満たす数を
表す。）で表される蛍光体。

【００３９】（１２）特開昭５９−１５５４８７号公報
に記載の　　　　　　一般式〔　ＩＩＩ〕ｎＲｅＸ３　
・ｍＡＸ’　２　：ｘＥｕ　　　　　　一般式〔　ＩＶ
〕ｎＲｅＸ３　・ｍＡＸ’　２　：ｘＥｕ，ｙＳｍ（式
中、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕの少なくとも１種を
表し、Ａは、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種のアル
カリ土類金属を表し、Ｘ，Ｘ’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒの少
なくとも１種を表し、ｘ，ｙは、１×１０−４＜ｘ＜３
×１０−１、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１を満たす
数を表し、ｎ／ｍは、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０
−１を満たす数を表す。）　で表される蛍光体。 （１３）特開平２−　５８５９３号公報に記載の一般式
ａＢａＸ２　・（１−ａ）ＢａＹ２　：ｂＥｕ２＋（式
中、Ｘ，Ｙは、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの少なく
とも１種を表し、Ｘ≠Ｙであり、ａ，ｂは、０＜ａ＜１
、１０−５＜ｂ＜１０−１を満たす数を表す。）で表さ
れる蛍光体。 （１４）特開昭６１−　７２０８７号公報に記載の一般
式ＭＩ　Ｘ・ａＭＩＩＸ’　２　・ｂＭＩＩＩ　Ｘ’’
３　：ｃＡ（ただし、ＭＩ　は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ
，Ｃｓの少なくとも１種のアルカリ金属を表し、ＭＩＩ
は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃｕ
，Ｎｉの少なくとも１種の２価の金属を表し、ＭＩＩＩ
　は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ
，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，
Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎの少なくとも１種の３価の金属
を表し、Ｘ，Ｘ’　，　Ｘ’’は、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ
の少なくとも１種のハロゲンを表し、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ
，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，
Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇ
の少なくとも１種の金属を表し、ａ，ｂ，ｃは、０≦ａ
＜０．５　、０≦ｂ＜０．５　、０＜ｃ≦０．２　を満
たす数を表す。）　で表されるアルカリハライド蛍光体
。

【００４０】本発明においては、アルカリハライド蛍光
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。

【００４１】図７は本発明の方法により製造された放射
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の概略を示し、９は放射線発生装置、１０は被写体、
１１は放射線画像変換パネル、１２は輝尽励起光源、１
３は放射線画像変換パネル１１より放射された輝尽発光
を検出する光電変換装置、１４は光電変換装置１３で検
出された信号を画像として再生する再生装置、１５は再
生装置１４により再生された画像を表示する表示装置、
１６は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみ
を透過させるフィルターである。

【００４２】この放射線画像変換装置においては、放射
線発生装置９からの放射線は被写体１０を通して放射線
画像変換パネル１１に入射する。この入射した放射線は
放射線画像変換パネル１１の輝尽性蛍光体層に吸収され
、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が
形成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源１２から
の輝尽励起光で励起して輝尽発光として放射させる。放
射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置１３で光電変換し、再生装置１４によ
って画像として再生し、表示装置１５によって表示する
ことにより、被写体１０の放射線透過像を観察すること
ができる。

【００４３】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。

【００４４】実施例１ 蒸着装置内に、厚さが　１．０ｍｍの結晶化ガラス板か
らなる支持体と、励起源として電子ビーム発生器を備え
た２個の蒸発源を配置した。蒸発源としては、ＲｂＢｒ
：１×１０−４Ｔｌからなる輝尽性蛍光体材料を用いた
。

【００４５】図８に示すように、一方の蒸発源からの蒸
気流束Ｓ１　の支持体の被蒸着面１Ａの法線方向（Ｚ方
向）に対する入射角θ１　が４５°、他方の蒸発源から
の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が４５°、かつ当該２
つの蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　の被蒸着面１Ａへの投
影像同士の交角φ１　が９０°、他方の交角φ２　が　
　２７０　°になるように調整した。

【００４６】蒸着装置内の真空度を１０−６Ｔｏｒｒ台
に調整し、支持体の温度を　２５０℃に設定して、支持
体の被蒸着面１Ａへの輝尽性蛍光体の堆積速度が５μｍ
／ｍｉｎ　となるように各電子ビームを各蒸発源に当て
て２つの蒸気流束を形成し、これらをスリットにより整
流して、輝尽性蛍光体の柱状結晶の成長角θ０　（図４
参照）が約２０°となるように斜め蒸着を行って、支持
体の被蒸着面上に縦幅ａが約３μｍ、横幅ｂが約３μｍ
（図４参照）の柱状結晶の多数からなる厚さ　３００μ
ｍの輝尽性蛍光体層を形成した。

【００４７】次に、輝尽性蛍光体層の結晶性を高めるた
めに、温度　４００℃でアニーリングを行った。このア
ニーリング後の輝尽性蛍光体層上に、乾燥した窒素ガス
からなる低屈折率層を介してガラス板からなる保護層を
設けて、放射線画像変換パネル１を製造した。

【００４８】実施例２ 図９に示すように、一方の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ１
　が６０°、他方の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が６
０°、かつ当該２つの蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　の交
角φ１が１２０°、他方の交角φ２　が　　２４０　°
になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　が約３０
°となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例１と同様
にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約２μｍ、横幅
ｂが約２μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　３００μ
ｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同様に
して放射線画像変換パネル２を製造した。

【００４９】実施例３ 実施例１において、蒸発源をもう１個追加して、図１０
に示すように、第１の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ１　が
４５°、第２の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が４５°
、第３の蒸気流束Ｓ３　の入射角θ３　が６０°、かつ
これら３つの蒸気流束Ｓ１　〜Ｓ３　のそれぞれの交角
φ１　が６０°、φ２　が　１５０°、φ３　が　１５
０°になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　が約
２５°となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例１と
同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５μｍ、
横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　３０
０μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同
様にして放射線画像変換パネル３を製造した。

【００５０】実施例４ 図１１に示すように、第１の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ
１　が４５°、第２の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が
４５°、第３の蒸気流束Ｓ３　の入射角θ３　が４５°
、かつこれら３つの蒸気流束Ｓ１　〜Ｓ３　のそれぞれ
の交角φ１　が９０°、φ２　が　１３５°、φ３　が
１３５°になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　
が約２０°となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例
３と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約３μ
ｍ、横幅ｂが約３μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　
３００μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例３
と同様にして放射線画像変換パネル４を製造した。

【００５１】実施例５ 図１２に示すように、第１の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ
１　が４５°、第２の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が
６０°、第３の蒸気流束Ｓ３　の入射角θ３　が４５°
、かつこれら３つの蒸気流束Ｓ１　〜Ｓ３　のそれぞれ
の交角φ１　が９０°、φ２　が９０°、φ３　が１８
０°になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　が約
２５°となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例３と
同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５μｍ、
横幅ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　３０
０μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例３と同
様にして放射線画像変換パネル５を製造した。

【００５２】実施例６ 実施例３において、蒸発源をさらにもう１個追加して、
図１３に示すように、第１の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ
１　が４５°、第２の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が
４５°、第３の蒸気流束Ｓ３　の入射角θ３　が４５°
、第４の蒸気流束Ｓ４の入射角θ４　が４５°、かつこ
れら４つの蒸気流束Ｓ１　〜Ｓ４　のそれぞれの交角φ
１　が９０°、φ２　が９０°、φ３　が９０°、φ４
　が９０°になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０
　が約０°となるように蒸着を行ったほかは実施例３と
同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約１０μｍ
、横幅ｂが約１０μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　
３００μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１
と同様にして放射線画像変換パネル６を製造した。

【００５３】実施例７ 図８に示すように、一方の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ１
　が２０°、他方の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が２
０°、かつ当該２つの蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　の交
角φ１が９０°、他方の交角φ２　が　　２７０　°に
なるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　が約１０°
となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例１と同様に
して、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約７μｍ、横幅ｂ
が約１０μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ３００μｍ
の輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同様にし
て放射線画像変換パネル７を製造した。

【００５４】実施例８ 図９に示すように、一方の蒸気流束Ｓ１　の入射角θ１
　が７０°、他方の蒸気流束Ｓ２　の入射角θ２　が７
０°、かつ当該２つの蒸気流束Ｓ１　およびＳ２　の交
角φ１が１２０°、他方の交角φ２　が　　２４０　°
になるように調整し、柱状結晶の成長角θ０　が約４０
°となるように斜め蒸着を行ったほかは実施例１と同様
にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５μｍ、横幅
ｂが約７μｍの柱状結晶の多数からなる厚さ　３００μ
ｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施例１と同様に
して放射線画像変換パネル８を製造した。

【００５５】比較例１ 実施例１において、蒸発源を１個とし、図１４に示すよ
うに、蒸気流束の入射角θ１　が６０°、結晶の成長角
θ０　が約３５°となるように蒸着を行ったほかは実施
例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約５
μｍ、横幅ｂが約３０μｍの板状結晶の多数からなる厚
さ　３００μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、実施
例１と同様にして比較用の放射線画像変換パネルａを製
造した。

【００５６】比較例２ 実施例１において、図１５に示すように、一方の蒸気流
束Ｓ１　の入射角θ１　が４５°、他方の蒸気流束Ｓ２
　の入射角θ２　が４５°、かつこれら２つの蒸気流束
Ｓ１　およびＳ２　のそれぞれの交角φ１　が　１８０
°、φ２　が　１８０°になるように調整し、結晶の成
長角θ０　が約０°となるように蒸着を行ったほかは実
施例１と同様にして、支持体の被蒸着面上に縦幅ａが約
１０μｍ、横幅ｂが約５０μｍの板状結晶の多数からな
る厚さ　３００μｍの輝尽性蛍光体層を形成し、以下、
実施例１と同様にして比較用の放射線画像変換パネルｂ
を製造した。

【００５７】評価 以上のようにして製造した放射線画像変換パネル１〜６
と比較用の放射線画像変換パネルａ，ｂをそれぞれ用い
て、図７に示す構成の放射線画像変換装置を作製し、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べ、総合評価を行った。

【００５８】鮮鋭性 放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付けた後、
管電圧８０ｋＶＰ−Ｐ　のＸ線を１０　ｍＲ（管球から
パネルまでの距離：１．５　ｍ）照射した後、半導体レ
ーザ光（発振波長：７８０ｎｍ　、ビーム径：　１００
μｍ）　で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝
尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として読取り、光
検出器　（光電子増倍管）　で光電変換して画像信号を
得た。この信号値により、画像の変調伝達関数　（ＭＴ
Ｆ）を調べ、放射線画像の鮮鋭性を相対値で評価した。 なお、ＭＴＦは、空間周波数が３サイクル／ｍｍの時の
値である。

【００５９】総合評価 各サンプルについて、直交するＡ，Ｂの２方向（図４）
の鮮鋭性を評価した結果に基づき、鮮鋭性の高さと読取
り方向による差異を基準に評価した。各放射線画像変換
パネルの構成要素の主な点および上記試験結果をそれぞ
れ後記表１および表２に示した。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【表２】

【００６２】表１および表２から明らかなように、本発
明の製造方法によれば、放射線画像の鮮鋭性が読取り方
向によってあまり変化せず鮮鋭性の良好な放射線画像変
換パネルが得られる。

【００６３】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の製
造方法によれば、複数の蒸気流束を用いて気相堆積法に
より輝尽性蛍光体層を形成する際に、少なくとも２つの
蒸気流束の入射角θと交角φとを特定範囲に規定したの
で、放射線画像の鮮鋭性がその読取り方向に依存するこ
とがなく、ムラのない優れた鮮鋭性が発揮される放射線
画像変換パネルが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】複数の蒸気流束を用いる蒸着法の態様を示した
図である。

【図２】複数の蒸気流束の入射角θおよび交角φの説明
図である。

【図３】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した断面図である。

【図４】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した斜視図である。

【図５】従来技術の問題点を示す説明図である。

【図６】放射線画像変換パネルの具体的構成例を示した
断面図である。

【図７】放射線画像変換装置の概略を示した説明図であ
る。

【図８】実施例１と７における蒸気流束の入射角θおよ
び交角φの説明図である。

【図９】実施例２と８における蒸気流束の入射角θおよ
び交角φの説明図である。

【図１０】実施例３における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。

【図１１】実施例４における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。

【図１２】実施例５における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。

【図１３】実施例６における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。

【図１４】比較例１における蒸気流束の入射角θの説明
図である。

【図１５】比較例２における蒸気流束の入射角θおよび
交角φの説明図である。

【符号の説明】 １　　支持体 ２　　輝尽性蛍光体層 ３　　蒸発源 ４　　柱状結晶 ５　　クラック ６　　保護層 ７　　スペーサ ８　　低屈折率層 ９　　放射線発生装置 １０　　被写体 １１　　放射線画像変換パネル １２　　輝尽励起光源 １３　　光電変換装置 １４　　再生装置 １５　　表示装置 １６　　フィルター

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数の蒸気流束を用いて支持体の被蒸
   着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて輝尽性蛍光体層を
   形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方法に
   おいて、前記複数の蒸気流束のうち少なくとも２つの蒸
   気流束は、支持体の被蒸着面の法線方向に対する入射角
   θが１０〜８０°の範囲にあり、かつ、当該２つの蒸気
   流束の前記被蒸着面への投影像同士の交角φが２０〜１
   ６０°の範囲にあることを特徴とする放射線画像変換パ
   ネルの製造方法。