JPS61245099A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネル及びその製造方法に
関するものである。

【従来技術】

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真をとる
ときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現
像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しかし
、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層
から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになった
。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号及び特開昭５
５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は
赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示され
ている。この方法は支持体上に４４性蛍光体層を形成し
た放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放
射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射
線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこ
の輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。この最終的な画像はハードコピーとして
再生しても良いし、ＣＲＴ上に再生してもよｌ、％。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜３０μｍ程度の粒子状の輝尽性蛍光
体と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層
上に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充
填密度が低く（充填率５０％）、放射線感度を充分高（
するには第５図（、）に示すように輝尽性蛍光体層の層
厚を厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体層の層厚２００μ
ＩｌｌのときにｌｌＩ尽性蛍光体の晴着量は５０ｍｇ／
Ｃｍ２であり、層厚が３５０μｍ＊では放射線感度は直
線的に増大して４５０μｍ以上で飽和する。尚、放射線
感度が飽和するのは、輝尽性蛍光体層が厚（なり過ぎる
と、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽性蛍光体層の散乱のた
め輝尽性蛍光体層内部での輝尽発光が外部に出てこなく
なるためである。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの“輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向に
あり、鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層
化が必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
＃Ｉ量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱
れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下
を生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝
尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換パネル七いグｌ十　
皆計珀証油亦條Ｒ土７１、Ｅ→鳶踏衣りた放射線画像情
報は時系列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｉ
）に照射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは
全て採光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該
パネル上のある画素（にｉｔｙ＋）からの出力として記
録されるが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等によ
り広がり、照射画素（ｘｉｖｙｉ）の外側に存在する輝
尽性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘＬｙｉ）な
る画素からの出力としてその画素よりも広い領域からの
出力が記録されてしまうからである。従って、ある時間
（ｔｉ）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、そ
の時間（ｔｉ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パ
ネル上の画素（ｘｉ＋ｙｉ）からの発光のみであれば、
その発光がいかなる広がりを持つものであろうと得られ
る画像の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭５５−１４
６４４７号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５５−１６３５
００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝
尽励起波長領域における平均反射率が前記哩尽性蛍光体
の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さくな
るように着色する方法等である。しかし、これらの方法
は鮮鋭性を改良すると必然的に感度が着しく低下してし
まい、好ましい方法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭５９−１９６３６
５号において前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線
画像変換パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放
射線画像変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しない放射線画像変換パネルを提案している。これ
によれば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結
着剤を含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が着しく向
上すると共に輝尽性蛍光体層の透明性が向上するので、
前記放射線画像変換パネルの放射線に対する感度と画像
の粒状性が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も改善さ
れる。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損うことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求は
更に厳しくなって米でいる。

【発明の目的】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた前記提案の放射線画像変
換パネルに関連し、これをさらに改良するものであり、
本発明の目的は放射線に対する感度が向上すると共に鮮
鋭性の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供す
ることにある。 本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画像変換パネルを提供するこ
とにある。

【発明の構成】

前記の本発明の目的は、支持体土中なくとも二層柱状ブ
ロック構造の輝尽性蛍光体層を有することを特徴とする
放射線画像変換パネルによって達成される。 次に本発明を具体的に説明する。 第１図は本発明の放射線画像変換°パネル（以後パネル
と略称する）の厚み方向の断面図である。 同図に於いて１はパネルの記録層、２は支持体である。 １１は記録層１の膜厚のに以下好ましくは１八。以下の
厚みを有する素地層であり、該素地層１１は第２図に１
例を示す如く島状に離散した層分素１１ｉｊ。 その周囲のを相互に分断する凹部もしくは亀裂状の間隙
（ｌｌｉｊ）とから成っている。 １２は前記素地層１１上に構成される輝尽性蛍光体層で
あり、前記素地層１１の層分素１１ｉｊ上に構成される
。少なくとも二層の輝尽性蛍光体の柱状ブロック１２ｉ
ｊの集合と、前記間隙（１１ｉ　ｊ）に対応して形成さ
れる間隙（１２ｉ　ｊ）から成る層である。第１図に於
いては１２ｉｊとして輝尽性蛍光体Ａ及びＢからなる微
細柱状ブロック１２Ａｉｊ及び１２Ｂｉｊの柱状ブロッ
ク１２ｉｊの例を示している。１２ｉｊの平均径は１〜
４００μｍが好ましい。 尚前記１２＾ｉｊと１２８ｉｊの接合部には相互接合に
好都合な他の物質を介在させてもよく、更に該接合部に
フィルタ等の機能を与えてもより一。又、二層以上の構
成となるならば、前記輝尽性蛍光体Ａ。 Ｂ等は同じでも異なっていてもよい。 またブロック積の階層数には制限はなく、輝尽性蛍光体
のある特性例えば光学的屈折率等を連続的に変えた連続
構成（無限階層数）としてもよい。 （１２ｉｊ）は前記した通り間隙（ｌｌｉｊ）に対応し
て形成される柱状ブロック１２ｉ　３間のフレパス乃至
境界であって、各１２ｉｊを光学的に独立させるもので
あり、（１２ｉｊ）の幅はＯ〜２０μＩが好ましい。尚
本発明に於いては前記（１２ｉｊ）をフレバスと総称す
る。 １３は保護層、１４は素地層１１と輝尽性蛍光体層１２
の接着層を示している。これらの層は必要に応じて設け
られる。 次に層分素１１ｉｊ及び間隙（ｌｌｉｊ）からなる素地
層１１の形成についてのべる。 層分素１１；ｊはプラスチックフィルム、金属シート或
は金属酸化物被覆層を有する金属シート等の支持体表面
に形成させるが、その表面は後続の工程でその上に堆積
させる輝尽性蛍光体との接着親和性がよいことが好まし
く、また電気的絶縁性のある誘電体もしくは半導体であ
ることが好ましいことがある。従って前記条件を備えし
かも支持体表面に前記分布パターンを構成しうる写真蝕
刻法で常用される各種レジスト樹脂を塗設することが一
つの方法として選ばれる。 この際支持体に金属酸化物被覆層を有する金属シートを
用いれば前記レノスト樹脂との接着親和性もよく好都合
である。 尚該金属酸化物被覆層はハード７オトマスク、透明電導
膜作成等の技術分野で常用される、金属面に金属酸化物
を積層させる技術、例えば化学的には塗布法、スプレー
法或はＣＶ　Ｄ　（ＣｈｅｍｉｃａｌＶ　ａｐｏｒ　　
Ｄ　ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、物理的にはＲＦイオンプ
レーテング法、ＲＦスパッタリング法或は真空蒸着法等
を流用することができる。 前記レジスト樹脂としては、７オトレシスト、真空紫外
線レジスト、電子線レジスト、Ｘ線レジストのポジ型、
ネガ型の各種レジスト樹脂が使用できる。例えば７オト
レシスト樹脂としてはす７トキノンアジト或はベンゾキ
ノンアジド等を７ボラツク樹脂にエステル化反応させた
もの等が挙げられる。 まず支持体に前記レジスト樹脂を塗布し、層分素パター
ンを焼き付け、現像し、更に支持体表面が裸出する深さ
まで湿式法または乾式法でエツチングすれば所望の層分
素１１ｉｊと間隙（ｌｌｉｊ）の織りなすパターンを有
する素地層１１が得られる。 また前記レジスト樹脂を用いた写真蝕刻法外に支持体と
してアルミニウム板を用いる場合には、陽極酸化によっ
て表面に生成する多孔質の酸化アルミニウムの封孔処理
続いて熱処理を加えることによって簡単に層分素のパタ
ーンを作ることができる。 前記本発明に適用する方法はアルミニウム表面処理技術
分野で常用される方法である。 まずアルミニウム支持体表面の陽極酸化処理は、例えば
０．５ｍｍ程度の厚みを有するアルミニウム板の輝尽性
蛍光体を堆積させる側を８％蓚酸溶液中で約２時間、Ｉ
Ａ／ｃＩ１１２の通電を行うと多孔質の酸化アルミニウ
ムから成る陽極酸化被膜層が生成する。 次いで該被膜層を水洗し、続いて沸謄水中で約１時間煮
沸すると、前記多孔質酸化アルミニウムは結晶水を取り
込み膨張して緻密な結晶から成る被膜層となる。 この操作が所謂封孔処理である。 封孔処理後２５０℃以上の熱処理を行うと、前記結晶水
を有する酸化アルミニウムは該結晶水を失って収縮し、
収縮による亀裂によって生じた間隙に取り囲まれ相互に
隔絶された微小島状の層分素が敷きつめられた如きパタ
ーンが形成される。 この際酸化アルミニウム被膜の厚みは数μ輸以上あるこ
とが好ましく、薄い場合には層分素が大きくなり易いの
で、陽極酸化の工程の条件を最適に選ぶ必要がある。 また前記の層分素１１ｉｊとして輝尽性蛍光体或は金属
等の微粒を用い該微粒を一面に敷きつめた形態の素地層
１１としてもよい。 前記微粒の平均粒径は５０μｍ以下のものが用いられ、
好ましくは１５μｍ以下である。この層１１は真空蒸着
、スパッタリング等の気相堆積法により得ることができ
る。 この微粒を形成する材料としては各種金属Ｚ　ｎｏ　、
Ｔｉ０２．Ａ　Ｑ　２０　ｓなどの金属酸化物、ＺｎＳ
などの金属硫化物さらには結晶性Ｓｉ、７モル７アスシ
リコン、Ｓ　ｉＣ、Ｓ　ｉＮ　、Ｓ　ｉｏ　２等の化合
物の他にアルカリハライド結晶、後述の輝尽性蛍光体の
微細柱状ブロック構造１２ｉｊをこの粒子上に得る上で
好ましい。 第２図に示すような素地層１１は例えば１０−’ｔｏｒ
ｒ程度の真空度でアルカリハライド結晶を気相堆積すれ
ばえちれる。 次に前記岬尽性蛍光体層１２の気相堆積法につい　　　
□で説明する。 第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に　　　□
於いては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内
を排気して１０−’ｔｏｒｒ程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記
支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好ましくは保護層を設は本発明のパネ
ルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器あるいはエレク）ｃｙビームを用いて
共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成
することも可能である。 さらに前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に応じて
被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱
してもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においでは
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０−’ｔｏｒｒ程度の真空度と
し、次いでスパッタ用の〃スとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活
性〃スをスパッタ装置内に導入して１０−’ｔｏｒｒ程
度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記入パッタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをスパ
ッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設は本発明のパネルが製造される。尚、保護層上
に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順を
とってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットして用いこれを同時あるいは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて０２
　、Ｈ２等の〃スを導入して反応性スパッタを行っても
よい。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは
加熱してもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を
加熱処理してもよい。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層を得る。 本発明のパネルの輝尽性蛍光体層１２の厚みはパネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが１０〜８００μｍの範囲であることが好ましく、
５０〜５００．ｌｊｍの範囲であることが更に好ましい
。 本発明の少なくとも二層の柱状ブロックを形成するには
、前記した気相堆積法のいづれか或は順次組み合わせて
適用すればよい。 本発明の柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層に柱軸方向
に光学的、電磁器的或は強度的その他物性的特性を選択
して構成できるのでパネルに各種の制御８！！構、複合
機能を導入することができる。 例えば最上階層の光学的密度を大にすることによってパ
ネルに斜入する輝尽励起光の受光効率を上げることがで
き或は耐摩耗性の高い最上階層とすることによってパネ
ル耐用性を上げることができる。 また、例えば最上階層の耐湿性を大にすることによって
、パネルの耐湿性を改良し、保存性を向上することがで
きる。 本発明のパネルにおいて輝尽性蛍光体とは、最初の光も
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、光学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギーの放射線の照射
量に対応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的な
面から好ましくは５００ｎｍ以上の輝尽励起光によって
輝尽発光を示す蛍光体である。本発明のパネルに用いら
れる輝尽性蛍光体としでは、例えば特開昭４８−８０４
８７号に記載されているＢ　ａＳ　Ｏ＜：Ａ　ｘ（但し
ＡはＤｙｔ’ｒｂ及びＴＩＩのうち少なくとも１種であ
り、Ｘは０．００１≦Ｘ〈１モル％である。）で表され
る蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇ５Ｏ＜
：Ａｘ（但しＡはＨｏ或いはＤｙのうちいずれがであり
、０．００１≦に６１モル％である）で表される蛍光体
、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳ　ｒＳ
　Ｏ４：Ａ　Ｘ（但しＡはＤｙ、Ｔｂ及びＴ−のうち少
なくとも１種でありＸは０．００１≦ｘ＜１モル％ある
。）で表わされている蛍光体、特開昭５１−２９８８９
号に記載されているＮ　ａ　２　Ｓ　Ｏ４、Ｃａ　Ｓ　
Ｏ４及びＢ　ａ　Ｓ　０４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのう
ち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０
４８７号に記載されているＢ６Ｑ　、Ｌ　ｉＦ　Ｍ　ｇ
Ｓ　０４及びＣａ　Ｆ　２等の蛍光体、特開昭５３−３
９２７７号に記載されているＬ　ｉ２Ｂ　４０　ｙ：Ｃ
ｕ、Ａ　ｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記
載されているＬ　１２０　・（Ｂ　２０２）Ｘ：Ｃｕ（
但しＸは２＜ｘ≦３）、及びＬｉ２Ｏ・（ＢｚＯｚ）ｘ
：Ｃｕ、Ａｇ（但しＸは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国
特許３．８５９，５２７号に記載されているＳ　ｒｓ　
：Ｃｅ、Ｓ　ｗｒ、ＳｒＳ；Ｅｕ、Ｓｍ、Ｌ　ｎ２０２
ｓ　：Ｅ　ｕ−８ｔａ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘ
（但しＸはハロゲン）で表わされる蛍光体が挙げられる
。また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺ
　ｎ　Ｓ　：　Ｃｕｓ　Ｐ　ｂ蛍光体、一般式がＢａＯ
・ＸＡ　１２０３：Ｅ　ｕ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で
表わされるアルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式がＭ
”Ｏ・ＸＳ　ｉｏ　、：Ａ　（但しＭｘはＭ　ｇ　ｇ　
Ｃａ　ｙ　Ｓ　ｒ　、Ｚ　ｎ　ｅ　Ｃｄ又はＢａであり
ＡはＣｅ＝Ｔｂ−Ｅｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、ＴＩ、Ｂｉ及びＭ
ｎのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．５≦Ｘ≦２．
５である。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩基蛍
光体が挙げら−れる、また、一般式が（Ｂａ　　　　　
Ｍｇ　　Ｃａ　　）ＦＸ：ｅＥｕ”１−ｘ−ｙｘｙ （但しＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであり、
Ｘ、３１及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦０．６、ｘｙ≠
０及び１０−６≦ｅ≦５Ｘ１０−２なる条件を満たす数
である。）で表される蛍光体が挙げられる。また、一般
式が Ｌ　ｎｏ　Ｘ　：ｘＡ （但しＬｎはＬａ、Ｙ＝Ｇｄ及びＬｕの少なくとも１つ
を、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／又はＴ
ｂを、Ｘは０＜ｘ＜０．１を満足する数を表す。）で表
される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されて
いる一般式が （Ｂ　ａｌ　−ｘＭ　”ｘ）Ｆ　Ｘ　：ｙＡ（但しＭＷ
は、ＭｇｔＣａ＊５ｒｖＺｎ及びＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはＣＩ　、　Ｂ　ｒ及び■のうち少なくと
も１つを、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ。 Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ及びＥｒのうちの少なくとも１つを、
Ｘ及びｙは０≦Ｘ≦０．６及びＯ≦ｙ≦０．２なる条件
を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５５−
８４３８９号に記載されている一般式がＢ　ａＦ　Ｘ　
：ｘＣｅｔｙＡ（但し、ＸはＣＩ、Ｂｒ及びＩのうちの
少なくとも１つ、ＡはＩｎ、ＴＩ、Ｇｄ、Ｓｓ及びＺ「
のうちの少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ
＜ｘ≦２Ｘ１０−’及びｏ＜ｙ≦５ｘｉｏ−２である。 ）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記
載されている一般式が Ｍ”　ＦＸ＋ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭＸはＭ　ｇ＊　Ｃａｔ　Ｂ　ａｔ　Ｓ　ｒｌ　
Ｚ　ｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、ＡはＢｅＯ，
Ｍｇ０ｖＣａＯ。 Ｓ　ｒＯ＝Ｂ　ａｏ−Ｚ　ｎｏ　−Ａ　Ｉ２０３−Ｙ　
２０３−Ｌ　ｎ２０３−Ｉ　ｎ２０　＊−８ｉｏ　２−
Ｔ　ｉｏ　２−Ｚ　ｒＯｚ、Ｇ　ｅｏ　２−８　ｎｏ　
２−Ｎ　ＪＯｑ−Ｔ　ａ２ｏ　ｓ及びＴ　ｈ　Ｏ２のう
ちの少なくとも１種、ＬｎはＥ　ｕｔＴ　ｂ＊ｃ　ｅｔ
Ｔ　ｍｔＤ　ｙ＋Ｐ　ｒｌＨｏｙＮ　ｄｔＹｂ、Ｅｒ、
Ｓ−及びＧｄのうちの少なくとも１種であり、ＸはＣＩ
、Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１種であり、Ｘ及びｙ
はそれぞれｓ　ｘ　ｉｏ−’≦Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦
０．２なる条件を満たす数である。）で表される希土類
元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がＺ
ｎＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、ＺｎＳ
：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但しＡはＣｕ　＠　Ａ　
ｇ　＊　Ａ　ｕ　＋又はＭｎであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表される蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号
に記載されている一般式（Ｉ）又は［ＩＩ）、一般式（
１）　　　ｘＭ　ｉ（Ｐ　Ｏ４）２・ＮＸｚ：ｙＡ一般
式（ＩＩ　）　　　　Ｍ　ｉ（Ｐ　Ｏ４）２・ｙＡ（式
中、Ｍ及びＮはそれぞれＭ　ｇｙ　ｃ　ａｔ　Ｓ　ｒｔ
　Ｂ　ａｔＺｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ
、ＣＩ。 Ｂｒ、及び工のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、Ｔｂ。 ＣｅｔＴ　ｍｔＤ　ｙｔＰ　ｒｔＨｏ、Ｎ　ｄ、Ｅ　ｒ
ｗｓ　ｂ、Ｔ　Ｉ、Ｍｎ及びＳｎのうち少なくとも１種
を表す。また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる
条件を満たす数である。）で表される蛍光体、一般式（
ＩＩ）又は〔■〕一般式（Ｉ［［）　　　ｎＲｅＸ＊・
ｍＡＸ’ｚ：ｘＥｕ一般式（■）　　　ｎＲｅＸ、・ｍ
ＡＸ’２：ｘＥｕｗｙｓｍ（式中、ＲｅはＬａ、Ｇｄ、
Ｙ、Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属
、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′
はＦｔＣＬＢｒのうち少なくとも１種を表わす。また、
Ｘ及びｙは、ｌＸｌ０−　　’＜ｘ＜　３　ｘｔｏ−’
、Ｉ　Ｘｌ０−　４＜ｙ＜　Ｉ　Ｘｌ０−１なる条件を
満たす数であり、ｎ／■はＩ　Ｘ　１０−″＜　ｎ／ａ
ｈ＜　７　Ｘ　１０−’なる条件を満たす。）で表され
る蛍光体、及び 一般式 ％式％： （但し、ＭｘはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ＝及びＣｓから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、ＭｌはＢ
　ｅ　ｓ　Ｍ　ｇ　ｔ　Ｃａ　ｔ　Ｓ　ｒ　ｗ　Ｂ　ａ
　ｔ　Ｚ　ｎ　ｔ　Ｃｄ　ｗ　Ｃｕ及びＮｉがら選ばれ
る少なくとも一種の二価金属である。ＭｌはＳ　ｃ、Ｙ
　、Ｌ　ａ、Ｃｅ、Ｐ　ｒ、Ｎ　ｄ、Ｐ　ｍ、Ｓ　ｍ、
Ｅ　ｕ、Ｇ　ｄ、Ｔ　ｂ。 Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒｔＴｍ、ＹｂｔＬｕ、ＡＩｔＧａｔ及
びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価金属である。 ｘ、ｘ’及ｖｘ”はＦ、Ｃｌ−Ｂｒ及びＩから選ばれる
少なくとも一種のハａデンである。ＡはＥｕ。 ＴｂｔＣｅｔＴｍｔＤｙ、Ｐ　ｒ、ＨｏｔＮｄｔＹｂ、
ＥｒｔＧｄｔＬｕ。 Ｓ　ｖａ　＠　Ｙ　ｖ　Ｔ　Ｉ　ｔ　Ｎ　ａ　ｔ　Ａ　
ｇ　＊　Ｃｕ及びＭ、がら選ばれる少なくとも一種の金
属である。 またａは０≦ａ＜０．５範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜０．５の範囲の数値であり、Ｃは０＜ｃ≦０．２の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸
着、スパッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい。 しかし、本発明のパネルに用いられる輝尽性蛍光体は、
前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射し
た後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体
であればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明のパネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくとも一種
類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性蛍光体層から成
る輝尽性蛍光体層群であってもよい。また、それぞれの
輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であって
らよいが異なっていてもよい。 本発明のパネルにおいて、用いられる支持体としては各
種高分子材料、ガラス金属等が用いられる。特に情報記
録材料としての取り扱い上可撓性のあるシートあるいは
ウェブに加工できるものが好適であり、この点から例え
ばセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミド
フィルム雪ポリイミドフィルム、トリアセテートフィル
ム、ポリカーボネイトフィルム等のプラスチックフィル
ム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート或は
該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ−〜１０００μｌであ
り、取り扱い上の点からさらに好ましくは８０７７　ｍ
−５００μｍである。 本発明のパネルにおいては、一般的に前記輝尽性蛍光体
層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層群を物理的にあるい
は化学的に保護するための保護層を設けることが好まし
い。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上
に直接塗布して形成してもよいし、あるいはあら゛かじ
め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着しても
よい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセ
ルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポ
リエステル、ポリエチレンテレフタレート。 ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロ°ン等の通常の
保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法、スパッタ法等により、
Ｓ　ｉ　Ｃ＝　Ｓ　ｉ　Ｏ２、Ｓ　＋　Ｎ　、Ａ　Ｉ　
２０３などの無機物質を積層して形成してもよい。 前記したようにしてえられる本発明のパネルは輝尽性蛍
光体層に結着剤を含んでいないので輝尽性蛍光体の耐着
量（充填率）が従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍
光体層の約２倍あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たりの
放射線吸収率が向上し放射線に対して高感度となるばか
りが、画像の粒状性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は透明性に優
れており、輝尽励起光及び輝尽発光の透過性が高く、従
来の塗設法にょる輝尽性蛍光体層上り層厚を厚くするこ
とが可能であり、放射線に対して一層高感度となる。 第３図（ａ）は本発明のパネルの輝尽性蛍光体層及び該
層厚に対応する輝尽性蛍光体耐着量と放射線感度の関係
の一例を表している。 また前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の
輝尽性蛍光体層を有する本発明のパネル鮮鋭性の一例を
第３図（ｂ）に於いて特性曲線３１によって示す。 本発明のパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効果に
より、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り返し
、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従来の
パネルの特性を示す第３図（ｂ）に於いて、単に均一に
気相堆積によって輝尽性蛍光体層を構成した時の特性曲
線３２及び輝尽性蛍光体を結着剤に分散させて塗設して
構成した時の特性曲線３３と比較すると明らかなように
、画像の鮮鋭性を向上させることができる。 本発明のパネルは第４図に概略的に示される放射線画像
変換方法に用いられた場合、優れてた鮮鋭性粒状性及び
感度を与える。すなわち、第４図において、４１は放射
線発生装置、４２は被写体、４３は本発明のパネル、４
４は輝尽励起光源、４５は該より放射された輝尽発光を
検出する光電変換装置、４６は４５で検出された信号を
画像として再生する装置４７は再生された画像を表示す
る装置、４８は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽
発光のみを透過させるフィルターである。尚４５以降は
４３からの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線発生装置４１からの放射
線は被写体４２を通して本発明のパネル４３に入射する
。この入射した放射線はパネル４３の輝尽性蛍光体層に
吸収され、そのエネルギーが蓄積され放射線透過像の蓄
積像が形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４
からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめ
る。本発明のパネル４３は、輝尽性蛍光体層が微細柱状
ブロック構造を有しているため、上記輝尽励起光による
走査の際に、輝、８ｒａ起光が〜尽性蛍光体層中で拡散
するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱はＭ積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６
によって画像として再生し画像表示装置４７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

【実施例】

次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１゜ 支持体として０．５ＩｌｌＩＩｌ厚のアルミニウム板を
蒸着器中に設置した。次に抵抗加熱用のアルミナツボ中
にＲｂＢｒ結晶を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続
いて蒸着器を排気してＩ　Ｘ　１０−’Ｔ　ｏｒｒの真
空度とした。 次いで支持体加熱用ヒーターにより３００〜５００℃に
加熱して支持体表面を清浄した後、支持体を１００℃に
設置し、アルゴンがスを導入して４　Ｘ　１０−’Ｔ　
ｏｒｒ程度の真空度とした。 次にアルミナツボに通電し、抵抗加熱法によりＲｂＢｒ
を蒸発させ約１０μωの素地層を得た。その後、真空度
を５　Ｘ　１０−’　Ｔ　ｏｒｒ程度にし、かつ支持体
の温度を１００℃になるように設置した後、輝尽性蛍光
体ＲｂＩ　：０，００２Ｔ　！：！を抵抗加熱法により
蒸発させ、膜厚が約５０μｍの微細柱状の輝尽性蛍光体
層を得た。さらに、この輝尽性蛍光体層上に同様にＲｂ
Ｂ　ｒ：ｏ、００４Ｔ　！：’を抵抗加熱法により蒸発
させ、膜厚が約２００＃ｍのＲｂＢ　ｒ：ｏ、００４Ｔ
　Ｑの微細柱状輝尽性蛍光体層を得て柱状ブロックを有
する本発明のパネルＡを得た。 このようにして得られた本発明のパネルＡに管電圧８０
ＫＶｐのＸ線をＬｏｗ　Ｒ照射した後、半導体レーザ光
（７８０ｎｍ）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射
される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生し
、銀塩フィルム上に記録した。 信号の大きさより、パネルＡのＸ線に対する感度を調べ
、また得られた画像より、画像の変調伝達関数（ＭＴＦ
）及び粒状性を調べ第１表に示す。 第１表において、Ｘ＃Ｉに対する感度は、本発明のパネ
ルＡを１００として相対値で示しである。また、変調伝
達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）は、空間周波数が２サイクル／
ｍｍの時の値である。 実施例２゜ 支持体として０．５ｍｍ厚のアルミニウム板ヲスハッタ
ｉＪｃ直中に設置した。 次にスパッタリングターゲットとしてＣｓＩ結晶をスパ
ッタ設置中に設置し、続いて１ｘｉｏ−’Ｔ　ｏｒｒの
真空度まで排気したスパッタガスとしてＡｒ１ｆスを導
入し、スパッタを行い約１０μ−のＣ，ｓｌの粒子層を
得た。 その後、蒸着話中にＣｓＩ粒子層を設けた支持体を設置
し、真空度をＩ　Ｘｌ０−　’Ｔｏｒｒにし、かつ支持
体の温度を１００℃になるように設定した後、実施例１
と同様にＲｂ　Ｉ　：０，００２ＴΩ（８０ｕｍ）とＲ
ｂＢ　ｒ：０，００４Ｔ　Ｑ　（１２０，ｌｊ　ｍ）の
微細柱状輝尽性蛍光体層を得て柱状ブロックを有する本
発明のパネルＢを得た。 このようにして得られた本発明のパネルＢは、実施例１
と同様にして評価し、結果を第１表に併記する。 比較例１゜ １！ｌ尽性電性蛍光　ｂＢ　ｒ：０，００４Ｔ　Ｑ　８
重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と溶剤（シ
クロヘキサノン）５重量部を用いて混合、分散し、輝尽
性蛍光体層用塗布液を調整した３次にこの塗布液を水平
に置いた３００μ輸厚の支持体としての黒色ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、自然乾燥
させて２５０＃ｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。 このようにして得られた比較のパネルＰは実施例１と同
様にして評価し、結果を第１表に併記する。 第１表 第１表より明らかなように本発明のパネルＡ１Ｂは、比
較のパネルＰに比べてＸ＃ｉ感度が約２倍高くしかも画
像の粒状性が優れでいた。これは本発明のパネルは輝尽
性蛍光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充
填率が比較のパネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いた
めである。 また、本発明のパネルＡ、Ｂは比較のパネルＰに比べて
Ｘ線感度が高いにもかかわらず鮮鋭性の点でも優れてい
た。これは、本発明のパネルの輝尽性蛍光体層は微細柱
状ブロック構造を有しているので、輝尽励起光である半
導体レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減少するため
である。

【発明の効果】

以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が着しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明の放射線画像変換パネルを
安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一例のパネルの一部を示す断面図であ
る。第２図は本発明の一例のパネルの素地層の一部を示
す平面図である。第３図（ａ）は本発明の一例に図する
パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び付着量と放射線に
対する感度とを示す図であり、（ｂ）は空間周波数と変
調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）との関係を示す図である。 第４図は本発明のパネルが用いられる放射線画像変換装
置の概略図である。第５図（ａ）は従来のパネルにおけ
る輝尽性蛍光体層及び付着量と放射線に対する感度とを
示す図であり、（ｂ）は前記従来のパネルにおける輝尽
性蛍光体層厚及び付着量と空間周波数が２サイクル／ｍ
ｍにおける変調伝達関数（Ｍ　Ｔ　Ｆ　）とを示す図で
ある。 １・・・・・・輝尽性蛍光体層の記録層２・・・・・・
素地層 １２・・・・・・微細柱状接合ブロックからなる輝尽性
蛍光体層 ２・・・・・・支持体 １３・・・・・・保護層 １４・・・・・・接着層 ３１・・・・・・本発明のパネルの特性３２・・・・・
・気相堆積均一構造を有するパネルの特性３３・・・・
・・従来の輝尽性蛍光体を結着剤に分散しで塗設構成し
たパネルの特性 ４１・・・・・・放射線発生装置 ４２・・・・・・被写体 ４３・・・・・・放射線画像変換パネル４４・・・・・
・輝尽励起光源 ４５・・・・・・光電変換装置 ４６・・・・・・画像再生装置 ４７・・・・・・画像表示装置 ４８・・・・・・フィルター 出願人　小西六写真工業株式会社 第３図 玄間周鷹数（１シ□） 第４図 ４１　　　　　　リ　　　　　４８　　４５　　　４６
　　４７第５図 （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上に少なくとも二層柱状ブロック構造の輝尽性蛍
   光体層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル
   。