JPH0727078B2 - 放射線画像情報読取装置 - Google Patents
放射線画像情報読取装置Info
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- JPH0727078B2 JPH0727078B2 JP26691284A JP26691284A JPH0727078B2 JP H0727078 B2 JPH0727078 B2 JP H0727078B2 JP 26691284 A JP26691284 A JP 26691284A JP 26691284 A JP26691284 A JP 26691284A JP H0727078 B2 JPH0727078 B2 JP H0727078B2
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- radiation image
- phosphor layer
- radiation
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Description
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像情報読取装置
に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射
線画像を与えることのできる放射線画像情報読取装置に
関するものである。
に関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射
線画像を与えることのできる放射線画像情報読取装置に
関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真をとる
ときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現
像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しか
し、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体
層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになっ
た。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭55-12144
号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽励
起光とした放射線画像変換方法が示されている。この方
法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体
層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積され
た放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、こ
の光で強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生しても良い
し、CRT上に再生してもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜30μｍ程度の粒子状の輝尽性蛍光体
と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上
に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填
密度が低く（充填率50％）、放射線感度を充分高くする
には第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体層の層厚を
厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体の層の層厚200μ
ｍのときに輝尽性蛍光体の附着量は50mg/cm2であり、層
厚が350μｍまでは放射線感度は直線的に増大して450μ
ｍ以上で飽和する。尚、放射線感度が飽和するのは、輝
尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝尽性蛍光体粒子間
での輝尽性蛍光体層の散乱のため輝尽性蛍光体層内部で
の輝尽発光が外部に出てこなくなるためである。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が
必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱れ
が顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を
生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝尽
性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（xi,yi）からの出力として記録されるが、も
し輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射
画素（xi,yi）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起
してしまうと、上記（xi,yi）なる画素からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
うからである。従って、ある時間（ti）に照射された輝
尽励起による輝尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起光
が真に照射されていた該パネル上の画素（xi,yi）から
の発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つ
ものであろうと得られる画像の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55-146447
号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白
色粉体を混入する方法、特開昭55-163500号記載の放射
線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起波長領域に
おける平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波長領
域における平均反射率よりも小さくなるように着色する
方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良す
ると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい方
法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭59-196365号にお
いて前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換
パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放射線画像
変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しな
い放射線画像変換パネルを提案している。これによれ
ば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が著しく向上する
と共に輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光及び輝尽発光の
指向性が向上するので、前記放射線画像変換パネルの放
射線に対する感度と画像の粒状性が改善されると同時
に、画像の鮮鋭性も改善される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損なうことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求
は更に厳しくなって来ている。
いられる。このＸ線画像を得るために、被写体を透過し
たＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、これに
より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真をとる
ときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射して現
像した、いわゆる放射線写真が利用されている。しか
し、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体
層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようになっ
た。 この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許3,859,527号及び特開昭55-12144
号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽励
起光とした放射線画像変換方法が示されている。この方
法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネル
の輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被
写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを
蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体
層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積され
た放射線エネルギーを放射させてこれを光に変換し、こ
の光で強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生しても良い
し、CRT上に再生してもよい。 さて、この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルは、前述の蛍光スク
リーンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収
率及び光変換率（両者を含めて以下「放射線感度」とい
う）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。 ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変
換パネルは粒径１〜30μｍ程度の粒子状の輝尽性蛍光体
と有機結着剤とを含む分散液を支持体あるいは保護層上
に塗布・乾燥して作成されるので、輝尽性蛍光体の充填
密度が低く（充填率50％）、放射線感度を充分高くする
には第５図（ａ）に示すように輝尽性蛍光体層の層厚を
厚くする必要があった。 同図から明らかなように輝尽性蛍光体の層の層厚200μ
ｍのときに輝尽性蛍光体の附着量は50mg/cm2であり、層
厚が350μｍまでは放射線感度は直線的に増大して450μ
ｍ以上で飽和する。尚、放射線感度が飽和するのは、輝
尽性蛍光体層が厚くなり過ぎると、輝尽性蛍光体粒子間
での輝尽性蛍光体層の散乱のため輝尽性蛍光体層内部で
の輝尽発光が外部に出てこなくなるためである。 一方、これに対し前記放射線画像変換方法における画像
の鮮鋭性は第５図（ｂ）に示すように、放射線画像変換
パネルの輝尽性蛍光体層の層厚が薄いほど高い傾向にあ
り鮮鋭性の向上のためには、輝尽性蛍光体層の薄層化が
必要であった。 また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）あるいは放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構
造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層
の層厚が薄くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される放射
線量子数が減少して量子モトルが増加したり構造的乱れ
が顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を
生ずる。よって画像の粒状性を向上させるためには輝尽
性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。 即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度及び画像の粒状性と、画像の鮮鋭性と
が輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を示
すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する感
度と粒状性と鮮鋭性のある程度の犠牲によって作成され
てきた。 ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーンの中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の
発光）の広がりによって決定されるのは周知の通りであ
るが、これに対し、前述の輝尽性蛍光体を利用した放射
線画像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換
パネル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決
定されるのではなく、すなわち放射線写真法におけるよ
うに蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではな
く、輝尽励起光の該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放射線画像変換方法においては、放
射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系
列化されて取り出されるので、ある時間（ti）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採光さ
れその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上の
ある画素（xi,yi）からの出力として記録されるが、も
し輝尽励起光が該パネル内で散乱等により広がり、照射
画素（xi,yi）の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起
してしまうと、上記（xi,yi）なる画素からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
うからである。従って、ある時間（ti）に照射された輝
尽励起による輝尽発光が、その時間（ti）に輝尽励起光
が真に照射されていた該パネル上の画素（xi,yi）から
の発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つ
ものであろうと得られる画像の鮮鋭性には影響がない。 このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性改善する方
法がいくつか考案されて来た。例えば特開昭55-146447
号記載の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層中に白
色粉体を混入する方法、特開昭55-163500号記載の放射
線画像変換パネルを輝尽性蛍光体の輝尽励起波長領域に
おける平均反射率が前記輝尽性蛍光体の輝尽発光波長領
域における平均反射率よりも小さくなるように着色する
方法等である。しかし、これらの方法は鮮鋭性を改良す
ると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ましい方
法とは言えない。 一方これに対し本出願人は既に特願昭59-196365号にお
いて前述のような輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換
パネルにおける従来の欠点を改良した新規な放射線画像
変換パネルとして、輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しな
い放射線画像変換パネルを提案している。これによれ
ば、放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層が結着剤を
含有しないので輝尽性蛍光体の充填率が著しく向上する
と共に輝尽性蛍光体層中での輝尽励起光及び輝尽発光の
指向性が向上するので、前記放射線画像変換パネルの放
射線に対する感度と画像の粒状性が改善されると同時
に、画像の鮮鋭性も改善される。 しかしながら前記放射線画像変換方法に於いて、感度、
粒状性を損なうことなく且つ鮮鋭性の優れた画質の要求
は更に厳しくなって来ている。
本発明の目的は、前記提案の放射線画像変換パネルを更
に改良することによって、放射線に対して高感度で、粒
状性が良く、さらに鮮鋭性の高い画像を得ることのでき
る放射線画像情報読取装置を提供することにある。
に改良することによって、放射線に対して高感度で、粒
状性が良く、さらに鮮鋭性の高い画像を得ることのでき
る放射線画像情報読取装置を提供することにある。
前記本発明の目的は、支持体上に気相堆積されて形成さ
れる輝尽性蛍光体層を備えた、放射線画像情報を記録す
るための放射線画像変換パネルと、前記輝尽性蛍光体層
へ照射するためのレーザ光を放射する光源手段と、前記
レーザ光を前記輝尽性蛍光体に照射して発生する輝尽発
光光を検出し、該輝尽発光光の光量に基づいた信号を出
力する光電変換器とを有し、前記光電変換器の出力に基
づいて画像情報を得るように構成されている放射線画像
情報読取装置において、前記輝尽性蛍光体層が、20μｍ
以下の空隙によって互いに区切られて光学的に独立した
柱状ブロック構造を有するものであるとともに、前記放
射線画像変換パネルに対して一方側から、前記光源手段
による前記輝尽性蛍光体層へのレーザ光の照射及び前記
光電変換器による前記輝尽発光光の検出を行うように構
成したことを特徴とする放射線画像情報読取装置によっ
て達成することができる。 次に、本発明を具体的に説明する。 第１図は本発明に係る放射線画像変換パネル（以後意味
明晰な場合には単にパネルと略称することがある）の厚
み方向の断面図である。 同図に於いて10は本発明に係るパネル、11ij支持体面か
ら垂直方向（厚み方向）に伸びた輝尽性蛍光体の一つ一
つの微細柱状ブロックであり、（11ij）は11ij間の亀
裂，溝或いは窪み等の形態の間隙であり、通常は空気等
の気体が存在している。前記11ij及び（11ij）によって
本発明に関する微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層
11が形成される。 微細柱状ブロック11ijの平均的径は１〜400μｍが好ま
しく、また間隙（11ij）は前記微細柱状ブロック11ijが
互いに光学的に独立していれば、いかなる間隔でもよい
が平均的には０〜20μｍが好ましい。12は支持体、13は
設けられることが好ましい保護層、14は必要に応じて設
けてもよい輝尽性蛍光体と支持体との接着性をよくする
接着層である。 前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入射すると該励起
光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状ブロ
ック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロック外に散逸
することなく柱状ブロックの底まで到着する。従って輝
尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大することができ
る。 尚支持体表面には前記接着層の外に輝尽励起光及び／又
は輝尽発光の反射層或いは吸収層を適用してもよい。 前記柱状ブロック構造は任意のパターンであってもよ
い。第２図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に該パターンの例
を示した。 本発明に係るパネルの輝尽性蛍光体層11の厚みはパネル
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが10〜1000μｍの範囲であることが好ましく、20
〜800μｍの範囲であることが更に好ましい。 前記微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層の形成に
は、表面が均質な平滑面を有する支持体及び輝尽性蛍光
体が付着若しくは堆積して柱状ブロック構造を形成する
のに好都合な素地パターンを有する支持体を共に用いる
ことができる。 均質平滑面支持体を用いる場合には、充分に細い金属線
（例えば銅線）で編んだ金属網メッシュ或いはレーザ光
で細孔を緻密に穿った細孔メッシュを支持体に圧着し、
真空蒸着、スパッタリング等の気相堆積法によって輝尽
性蛍光体を堆積させることによって柱状ブロックを形成
するメッシュマスク法；或いは微細柱状ブロックパター
ンと共軛な凹パターンを有する鋳型にシリコーン系等の
離型剤で表面被覆を施し輝尽性蛍光体を充填しこの充填
面に支持体を接着し、鋳型を取り去り柱状ブロックを裸
呈させる鋳型法等が挙げられる。更に均一に気相堆積さ
せてから熱処理などでクラックを発生させるクラック法
も用いられる。 また前記素地パターンを有する支持体に対しては印刷法
に常用される手段によって結着剤に輝尽性蛍光体が懸濁
した塗料を積層塗設する方法か、前記気相堆積法によっ
て柱状ブロックを生長させる方法がとられる。 前記素地パターンを有する支持体は、前記した塗料を用
いる場合には、印刷に於る平版法に倣って支持体表面に
前記塗料に対する親和性の有無に関する微細柱状パター
ンに対応するパターンを形成する方法によって得られ
る。 また気相堆積法による場合には、前記素地パターンを有
する支持体はインクをグラビア印刷或いはシルク印刷な
どの方法を用いて印刷し、更に好ましいバーニングを施
し微細柱状パターンに対応する素地パターンを作る方
法、或いは写真蝕刻法によって物理的及び／又は化学的
に輝尽性蛍光体の気相堆積に好都合な素地パターンを作
る方法、或いは陽極酸化したアルミニウム板に封孔処理
加熱処理を施すことによって素地パターンを作成する方
法等によって得られる。 このようにして輝尽性蛍光体の気相堆積に物理的及び／
又は化学的に好都合な島状微細区画が、気相堆積が進行
し難い微細な筋状，溝状、凹部或いは亀裂に取り囲まれ
た形態の素地パターンとして得られる。 尚前記素地パターンを有する支持体を用いる場合には、
支持体に薄く輝尽性蛍光体を有するパターン層を作り、
該素地パターンに気相堆積法を継いで施すようにしても
よい。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射さ
れた後に、光的刺激（輝尽励起）により、最初の光もし
くは高エネルギーの放射線の照射量に対応した輝尽発光
を示す蛍光体を言うが、実用的な面から好ましくは500n
m以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体であ
る。本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体としては、例えば特開昭48−80487号に記載
されているBaSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表される蛍光体、特開昭48−80488号記載のMgS
O4:Ax（但しＡはHo或いはDyのうちいずれかであり0.001
≦ｘ＜１モル％である）で表される蛍光体、特開昭48−
80489号に記載されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及び
Tmのうち少なくとも１種でありｘは0.001≦ｘ＜１モル
％ある。）で表されている蛍光体、特開昭51-29889号に
記載されているNa2SO4,CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTb
のうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52-304
87号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等の蛍光
体、特開昭53-39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag
等の蛍光体、特開昭54-47883号に記載されているLi2O・
(B2O2)x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・(B2O2)
x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許
3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS;Eu,Sm、L
a2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハロゲン）
で表される蛍光体が挙げられる。また、特開昭55-12142
号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xA
l2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリ
ウム蛍光体、及び一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIはM
g,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi
及びMuのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5
である。）で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体
が挙げられる。また、 一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つあり、x,yお
よびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表される
アルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-12144
号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLuはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ＸはCl
及び／又はBrを、ＡはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表す。）で表される蛍光体、特開昭5
5-12145号に記載されている一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但しMIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも１つ
を、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも１つを、ＡはEu,
Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも１
つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条件
を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭55−84
389号に記載されている一般式がBaFx:xCe,yA（但し、Ｘ
はCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,Tl,Gd,
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及びｙはそ
れぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2であ
る。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に記載さ
れている一般式が MIIFX,xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La
2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及び
ThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種であり、
ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であり、ｘ及
びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数である。）で表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZnS:A、（Zn,
Cd）S:A、CdS:A、ZnS:A,X及びCdS:A,X（但しＡはCu,Ag,
Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンである。）で表される
蛍光体、特開昭57−148285号に記載されている一般式
〔Ｉ〕または〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 xM3(PO4)2・NX2:yA 一般式〔II〕 M3(PO4)2・yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Er,Sb,Tl,Mn及
びSnのうち少なくとも１種を表す。また、ｘ及びｙは０
＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で
表される蛍光体、一般式〔III〕又は〔IV〕 一般式〔III〕 nReX3・mAX′2・xEu 一般式〔IV〕 nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍
光体、及び 一般式 MI×・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb,及びCsから選ばれる少なくと
も一種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Z
n,Cd,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属
である。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,及びInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩか
ら選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及
びMgから選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ≦0.5範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値
である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げ
られる。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸着、スパ
ッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好まし
い。 しかし、本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。 本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて、用いられ
る支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用
いられる。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性
のあるシートあるいはウェブに加工できるものが好適で
あり、この点から例えばセルロースアセテートフィル
ム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンテレフタレー
トフィルム，ポリアミドフィルム，ポリイミドフィル
ム，トリアセテートフィルム，ポリカーボネイトフィル
ム等のプラスチックフィルム、アルミニウム，鉄，銅，
クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有す
る金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μｍ〜1000μｍであり、取
り扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜500μｍで
ある。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいては、一般的
に前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設
けることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層
上に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロ
ース，ニトロセルロース，ポリメチルメタクリレート，
ポリビニルブチラール，ポリビニルホルマール，ポリカ
ーボネート，ポリエステル，ポリエチレンテレフタレー
ト，ポリエチレン，塩化ビニリデン，ナイロン等の通常
の保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法，スパッタ法等により、
SiC,SiO2,SiN,Al2O3などが無機物質を積層して形成して
もよい。これら保護層の層厚は一般的には0.1μｍ〜100
μｍ程度が好ましい。 次に前記輝尽性蛍光体層が、結着剤を含有しない気層堆
積法について説明する。 第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いて
は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気
して10-6Torr程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前
記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させ
る。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好ましくは保護層を設け本発明に係る
放射線画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて共
蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成する
と同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 更に前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に被蒸着物
（支持体或いは保護層）を冷却或いは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよ
い。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法において
は、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した
後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次
いでスパッタ用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをス
パッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スパッタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時或いは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設け本発明の放射線画像変換パネルが製造され
る。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持
体を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットとして用いこれを同時或いは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて
O2,H2等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体或いは保護層）を冷却或いは加熱
してもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を加熱
処理してもよい。 第３の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする輝
尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属
化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解すること
により、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層
を得る。 第３図（ａ）は気相堆積法によって得られた本発明に係
る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層厚及び該層厚
に対応する輝尽性蛍光体附着量と放射線感度の関係の一
例を表している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たり放射線吸収率が向
上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒状
性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は輝尽励起光
及び輝尽発光の指向性に優れており、輝尽励起光及び輝
尽発光の透過性が高く、従来の塗設法による輝尽性蛍光
体層より層厚を厚くすることが可能であり、放射線に対
して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネルの鮮鋭性の一例を第
３図（ｂ）に示す。 本発明に係るパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効
果により、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り
返し、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従
来のパネルの特性を示す第５図（ｂ）と比較すると明ら
かなように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光
体の層厚の増大に伴う鮮鋭性の低下を小さくすることが
可能である。 本発明に係る放射線画像変換パネルは第４図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性、粒状性及び感度を与える。即ち、第４図におい
て、41は放射線発生装置、42は被写体、43は本発明の放
射線画像変換パネル、44は輝尽励起光源としての輝尽励
起レーザ、45は該放射線画像変換パネルより放射された
輝尽発光を検出する光電変換装置、46は45で検出された
信号を画像として再生する装置、47は再生された画像を
表示する装置、48は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、
輝尽発光のみを透過させるフィルターである。尚45以降
は43からの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線発生装置41からの放射線
は被写体42を通して本発明の放射線画像変換パネル43に
入射する。この入射した放射線は放射線画像変換パネル
43の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積
され放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像をレーザ44からのレーザ光で励起して輝尽発光として
放出せしめる。本発明の放射線画像変換パネル43は、輝
尽性蛍光体層が微細柱状ブロック構造を有しているた
め、上記輝尽励起光による走査の際に、レーザ光が輝尽
性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を、第４図に示すよう
に前記放射線画像変換パネル43のレーザ光入射側の面に
対向し設けられた例えば光電子増倍管等の光電変換装置
45で光電変換し、画像再生装置46によって画像として再
生し画像表示装置47によって表示することにより、被写
体の放射線透過像を観察することができる。
れる輝尽性蛍光体層を備えた、放射線画像情報を記録す
るための放射線画像変換パネルと、前記輝尽性蛍光体層
へ照射するためのレーザ光を放射する光源手段と、前記
レーザ光を前記輝尽性蛍光体に照射して発生する輝尽発
光光を検出し、該輝尽発光光の光量に基づいた信号を出
力する光電変換器とを有し、前記光電変換器の出力に基
づいて画像情報を得るように構成されている放射線画像
情報読取装置において、前記輝尽性蛍光体層が、20μｍ
以下の空隙によって互いに区切られて光学的に独立した
柱状ブロック構造を有するものであるとともに、前記放
射線画像変換パネルに対して一方側から、前記光源手段
による前記輝尽性蛍光体層へのレーザ光の照射及び前記
光電変換器による前記輝尽発光光の検出を行うように構
成したことを特徴とする放射線画像情報読取装置によっ
て達成することができる。 次に、本発明を具体的に説明する。 第１図は本発明に係る放射線画像変換パネル（以後意味
明晰な場合には単にパネルと略称することがある）の厚
み方向の断面図である。 同図に於いて10は本発明に係るパネル、11ij支持体面か
ら垂直方向（厚み方向）に伸びた輝尽性蛍光体の一つ一
つの微細柱状ブロックであり、（11ij）は11ij間の亀
裂，溝或いは窪み等の形態の間隙であり、通常は空気等
の気体が存在している。前記11ij及び（11ij）によって
本発明に関する微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層
11が形成される。 微細柱状ブロック11ijの平均的径は１〜400μｍが好ま
しく、また間隙（11ij）は前記微細柱状ブロック11ijが
互いに光学的に独立していれば、いかなる間隔でもよい
が平均的には０〜20μｍが好ましい。12は支持体、13は
設けられることが好ましい保護層、14は必要に応じて設
けてもよい輝尽性蛍光体と支持体との接着性をよくする
接着層である。 前記した光学的に互いに独立な微細柱状ブロック構造を
有する輝尽性蛍光体層に輝尽励起光が入射すると該励起
光は微細柱状ブロック構造の光誘導効果により柱状ブロ
ック内面で反射を繰り返しながら柱状ブロック外に散逸
することなく柱状ブロックの底まで到着する。従って輝
尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大することができ
る。 尚支持体表面には前記接着層の外に輝尽励起光及び／又
は輝尽発光の反射層或いは吸収層を適用してもよい。 前記柱状ブロック構造は任意のパターンであってもよ
い。第２図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に該パターンの例
を示した。 本発明に係るパネルの輝尽性蛍光体層11の厚みはパネル
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが10〜1000μｍの範囲であることが好ましく、20
〜800μｍの範囲であることが更に好ましい。 前記微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層の形成に
は、表面が均質な平滑面を有する支持体及び輝尽性蛍光
体が付着若しくは堆積して柱状ブロック構造を形成する
のに好都合な素地パターンを有する支持体を共に用いる
ことができる。 均質平滑面支持体を用いる場合には、充分に細い金属線
（例えば銅線）で編んだ金属網メッシュ或いはレーザ光
で細孔を緻密に穿った細孔メッシュを支持体に圧着し、
真空蒸着、スパッタリング等の気相堆積法によって輝尽
性蛍光体を堆積させることによって柱状ブロックを形成
するメッシュマスク法；或いは微細柱状ブロックパター
ンと共軛な凹パターンを有する鋳型にシリコーン系等の
離型剤で表面被覆を施し輝尽性蛍光体を充填しこの充填
面に支持体を接着し、鋳型を取り去り柱状ブロックを裸
呈させる鋳型法等が挙げられる。更に均一に気相堆積さ
せてから熱処理などでクラックを発生させるクラック法
も用いられる。 また前記素地パターンを有する支持体に対しては印刷法
に常用される手段によって結着剤に輝尽性蛍光体が懸濁
した塗料を積層塗設する方法か、前記気相堆積法によっ
て柱状ブロックを生長させる方法がとられる。 前記素地パターンを有する支持体は、前記した塗料を用
いる場合には、印刷に於る平版法に倣って支持体表面に
前記塗料に対する親和性の有無に関する微細柱状パター
ンに対応するパターンを形成する方法によって得られ
る。 また気相堆積法による場合には、前記素地パターンを有
する支持体はインクをグラビア印刷或いはシルク印刷な
どの方法を用いて印刷し、更に好ましいバーニングを施
し微細柱状パターンに対応する素地パターンを作る方
法、或いは写真蝕刻法によって物理的及び／又は化学的
に輝尽性蛍光体の気相堆積に好都合な素地パターンを作
る方法、或いは陽極酸化したアルミニウム板に封孔処理
加熱処理を施すことによって素地パターンを作成する方
法等によって得られる。 このようにして輝尽性蛍光体の気相堆積に物理的及び／
又は化学的に好都合な島状微細区画が、気相堆積が進行
し難い微細な筋状，溝状、凹部或いは亀裂に取り囲まれ
た形態の素地パターンとして得られる。 尚前記素地パターンを有する支持体を用いる場合には、
支持体に薄く輝尽性蛍光体を有するパターン層を作り、
該素地パターンに気相堆積法を継いで施すようにしても
よい。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて輝尽性蛍光
体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射さ
れた後に、光的刺激（輝尽励起）により、最初の光もし
くは高エネルギーの放射線の照射量に対応した輝尽発光
を示す蛍光体を言うが、実用的な面から好ましくは500n
m以上の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体であ
る。本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体としては、例えば特開昭48−80487号に記載
されているBaSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及びTmのうち少な
くとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表される蛍光体、特開昭48−80488号記載のMgS
O4:Ax（但しＡはHo或いはDyのうちいずれかであり0.001
≦ｘ＜１モル％である）で表される蛍光体、特開昭48−
80489号に記載されているSrSO4:Ax（但しＡはDy,Tb及び
Tmのうち少なくとも１種でありｘは0.001≦ｘ＜１モル
％ある。）で表されている蛍光体、特開昭51-29889号に
記載されているNa2SO4,CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTb
のうち少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭52-304
87号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及びCaF2等の蛍光
体、特開昭53-39277号に記載されているLi2B4O7:Cu,Ag
等の蛍光体、特開昭54-47883号に記載されているLi2O・
(B2O2)x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、及びLi2O・(B2O2)
x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特許
3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS;Eu,Sm、L
a2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn,X（但しＸはハロゲン）
で表される蛍光体が挙げられる。また、特開昭55-12142
号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xA
l2O3:Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリ
ウム蛍光体、及び一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIはM
g,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi
及びMuのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5
である。）で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体
が挙げられる。また、 一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つあり、x,yお
よびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表される
アルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-12144
号に記載されている一般式が LnOX:xA （但しLuはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも１つを、ＸはCl
及び／又はBrを、ＡはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表す。）で表される蛍光体、特開昭5
5-12145号に記載されている一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但しMIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも１つ
を、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも１つを、ＡはEu,
Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも１
つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条件
を満たす数を表す。）で表される蛍光体、特開昭55−84
389号に記載されている一般式がBaFx:xCe,yA（但し、Ｘ
はCl,Br及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはIn,Tl,Gd,
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及びｙはそ
れぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2であ
る。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に記載さ
れている一般式が MIIFX,xA:yLn （但しMIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも
１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La
2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及び
ThO2のうちの少なくとも１種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも１種であり、
ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも１種であり、ｘ及
びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０≦ｙ≦0.2なる
条件を満たす数である。）で表される希土類元素付活２
価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZnS:A、（Zn,
Cd）S:A、CdS:A、ZnS:A,X及びCdS:A,X（但しＡはCu,Ag,
Au,又はMnであり、Ｘはハロゲンである。）で表される
蛍光体、特開昭57−148285号に記載されている一般式
〔Ｉ〕または〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 xM3(PO4)2・NX2:yA 一般式〔II〕 M3(PO4)2・yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ち少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br,及びＩのうち少なくと
も１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Er,Sb,Tl,Mn及
びSnのうち少なくとも１種を表す。また、ｘ及びｙは０
＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で
表される蛍光体、一般式〔III〕又は〔IV〕 一般式〔III〕 nReX3・mAX′2・xEu 一般式〔IV〕 nReX3・mAX′2:xEu,ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａはア
ルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも１種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜
ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10
-3＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表される蛍
光体、及び 一般式 MI×・aMIIX2′・bMIIIX3″:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb,及びCsから選ばれる少なくと
も一種のアルカリ金属であり、MIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Z
n,Cd,Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属
である。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,H
o,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,及びInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩか
ら選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及
びMgから選ばれる少なくとも一種の金属である。 またａは０≦ａ≦0.5範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ＜
0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦0.2の範囲の数値
である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げ
られる。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸着、スパ
ッタ等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させやすく好まし
い。 しかし、本発明に係る放射線画像変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。 本発明に係る放射線画像変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群であってもよ
い。また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性
蛍光体は同一であってもよいが異なっていてもよい。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいて、用いられ
る支持体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用
いられる。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性
のあるシートあるいはウェブに加工できるものが好適で
あり、この点から例えばセルロースアセテートフィル
ム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンテレフタレー
トフィルム，ポリアミドフィルム，ポリイミドフィル
ム，トリアセテートフィルム，ポリカーボネイトフィル
ム等のプラスチックフィルム、アルミニウム，鉄，銅，
クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有す
る金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μｍ〜1000μｍであり、取
り扱い上の点からさらに好ましくは80μｍ〜500μｍで
ある。 本発明に係る放射線画像変換パネルにおいては、一般的
に前記輝尽性蛍光体層が露呈する面に、輝尽性蛍光体層
を物理的にあるいは化学的に保護するための保護層を設
けることが好ましい。この保護層は、保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あ
るいはあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層
上に接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロ
ース，ニトロセルロース，ポリメチルメタクリレート，
ポリビニルブチラール，ポリビニルホルマール，ポリカ
ーボネート，ポリエステル，ポリエチレンテレフタレー
ト，ポリエチレン，塩化ビニリデン，ナイロン等の通常
の保護層用材料が用いられる。 また、この保護層は真空蒸着法，スパッタ法等により、
SiC,SiO2,SiN,Al2O3などが無機物質を積層して形成して
もよい。これら保護層の層厚は一般的には0.1μｍ〜100
μｍ程度が好ましい。 次に前記輝尽性蛍光体層が、結着剤を含有しない気層堆
積法について説明する。 第１の方法として真空蒸着法がある。該方法に於いて
は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気
して10-6Torr程度の真空度とする。 次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱
法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前
記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させ
る。 この結果結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成され
るが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では
複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて共
蒸着を行うことも可能である。 蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体
側とは反対の側に好ましくは保護層を設け本発明に係る
放射線画像変換パネルが製造される。 尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を
設ける手順をとってもよい。 また、前記真空蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を
複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて共
蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成する
と同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 更に前記真空蒸着法においては、蒸着時必要に被蒸着物
（支持体或いは保護層）を冷却或いは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよ
い。 第２の方法としてスパッタ法がある。該方法において
は、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した
後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次
いでスパッタ用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガスをス
パッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガス圧とする。 次に前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリ
ングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体を
所望の厚さに堆積させる。 前記スパッタ工程では真空蒸着法と同様に複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また
それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲッ
トを用いて、同時或いは順次、前記ターゲットをスパッ
タリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。 スパッタ終了後、真空蒸着法と同様に必要に応じて前記
輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に好ましくは保
護層を設け本発明の放射線画像変換パネルが製造され
る。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持
体を設ける手順をとってもよい。 前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットとして用いこれを同時或いは順次スパッタリ
ングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて
O2,H2等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよ
い。 さらに前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に応
じて被蒸着物（支持体或いは保護層）を冷却或いは加熱
してもよい。またスパッタ終了後輝尽性蛍光体層を加熱
処理してもよい。 第３の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする輝
尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属
化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解すること
により、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層
を得る。 第３図（ａ）は気相堆積法によって得られた本発明に係
る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層厚及び該層厚
に対応する輝尽性蛍光体附着量と放射線感度の関係の一
例を表している。 本発明に係る気相堆積法による輝尽性蛍光体層は結着剤
を含んでいないので輝尽性蛍光体の附着量（充填率）が
従来の輝尽性蛍光体を塗設した輝尽性蛍光体層の約２倍
あり、輝尽性蛍光体層単位厚さ当たり放射線吸収率が向
上し放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒状
性が向上する。 更に前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層は輝尽励起光
及び輝尽発光の指向性に優れており、輝尽励起光及び輝
尽発光の透過性が高く、従来の塗設法による輝尽性蛍光
体層より層厚を厚くすることが可能であり、放射線に対
して一層高感度となる。 前記のようにして得られた微細柱状ブロック構造の輝尽
性蛍光体層を有する本発明のパネルの鮮鋭性の一例を第
３図（ｂ）に示す。 本発明に係るパネルは微細柱状ブロック構造の光誘導効
果により、輝尽励起光が柱状ブロック内面で反射を繰り
返し、柱状ブロック外に散逸することが少ないので、従
来のパネルの特性を示す第５図（ｂ）と比較すると明ら
かなように、画像の鮮鋭性が向上すると共に輝尽性蛍光
体の層厚の増大に伴う鮮鋭性の低下を小さくすることが
可能である。 本発明に係る放射線画像変換パネルは第４図に概略的に
示される放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた
鮮鋭性、粒状性及び感度を与える。即ち、第４図におい
て、41は放射線発生装置、42は被写体、43は本発明の放
射線画像変換パネル、44は輝尽励起光源としての輝尽励
起レーザ、45は該放射線画像変換パネルより放射された
輝尽発光を検出する光電変換装置、46は45で検出された
信号を画像として再生する装置、47は再生された画像を
表示する装置、48は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、
輝尽発光のみを透過させるフィルターである。尚45以降
は43からの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではない。 第４図に示されるように放射線発生装置41からの放射線
は被写体42を通して本発明の放射線画像変換パネル43に
入射する。この入射した放射線は放射線画像変換パネル
43の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積
され放射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像をレーザ44からのレーザ光で励起して輝尽発光として
放出せしめる。本発明の放射線画像変換パネル43は、輝
尽性蛍光体層が微細柱状ブロック構造を有しているた
め、上記輝尽励起光による走査の際に、レーザ光が輝尽
性蛍光体層中で拡散するのが抑制される。 放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を、第４図に示すよう
に前記放射線画像変換パネル43のレーザ光入射側の面に
対向し設けられた例えば光電子増倍管等の光電変換装置
45で光電変換し、画像再生装置46によって画像として再
生し画像表示装置47によって表示することにより、被写
体の放射線透過像を観察することができる。
次に実施例によって本発明を説明する。 実施例１ 支持体として500μｍ厚のアルミニウムシートを蒸着器
中に設置した。次に抵抗加熱用のタングステンボート中
にアルカリハライド輝尽性蛍光体（0.9RbBr・0.1CsF:0.
01Tl）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着
器を排気して２×10-6Torrの真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させアルミニ
ウムシート上に輝尽性蛍光体層の層厚が300μｍの厚さ
になるまで堆積させた。続いて真空中で前記アルミニウ
ムシートを300℃に加熱した後、冷却して本発明の放射
線画像変換パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧80kVpのＸ線を10mR照射した後、He-Neレーザ
光（633nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射さ
れる輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、放
射線画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ、また
得られた画像より画像の変調伝達関数（MTF）及び粒状
性を調べ第１表に示す。 第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明に係る放射
線画像変換パネルＡを100として相対値で示してある。
また、変調伝達関数（MTF）は、空間周波数が２サイク
ル/mmの時の値であり、粒状性は（良い，普通，悪い）
をそれぞれ（○，△，×）で示してある。 実施例２ 支持体として500μｍ厚のアルミニウムシート面に直径5
0μｍの金属線で編んだ金属網メッシュを圧着して、こ
れをスパッタ装置中に設置した。次にスパッタリング・
ターゲットとしてアルカリハライド輝尽性蛍光体（0.95
RbBr・0.05CsF:0.005Tl）をスパッタ装置内に設置し、
続いて１×10-6Torrの真空度まで排気した。スパッタガ
スとしてArガスを導入しながらスパッタを行い、金属網
メッシュの層厚が300μｍになるまで堆積させ、本発明
に係る放射線画像変換パネルＢを得た。 このようにして得られた本発明に係る放射線画像変換パ
ネルＢは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表
に併記する。 比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（0.9RbBR・0.1CsF:0.01
Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と溶
剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調整した。次にこの塗布
液を水平に置いた300μｍ厚の支持体としての黒色ポリ
エリチレンテフタレートフィルム上に均一に塗布し、自
然乾燥させて300μｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。 第１表より明らかなように本発明に係る放射線画像変換
パネルA,Bは、比較の放射線画像変換パネルＰに比べて
Ｘ線感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れてい
た。これは本発明に係る放射線画像変換パネルは輝尽性
蛍光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填
率が比較のパネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いため
である。 また、本発明に係る放射線画像変換パネルA,Bは比較の
放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が高いにもか
かわらず鮮鋭性の点でも優れていた。これは、本発明に
係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体は微細柱状ブ
ロック構造を有しているので、輝尽励起光であるHe-Ne
レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減少するためであ
る。
中に設置した。次に抵抗加熱用のタングステンボート中
にアルカリハライド輝尽性蛍光体（0.9RbBr・0.1CsF:0.
01Tl）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着
器を排気して２×10-6Torrの真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させアルミニ
ウムシート上に輝尽性蛍光体層の層厚が300μｍの厚さ
になるまで堆積させた。続いて真空中で前記アルミニウ
ムシートを300℃に加熱した後、冷却して本発明の放射
線画像変換パネルＡを得た。 このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧80kVpのＸ線を10mR照射した後、He-Neレーザ
光（633nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射さ
れる輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生
し、銀塩フィルム上に記録した。信号の大きさより、放
射線画像変換パネルＡのＸ線に対する感度を調べ、また
得られた画像より画像の変調伝達関数（MTF）及び粒状
性を調べ第１表に示す。 第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明に係る放射
線画像変換パネルＡを100として相対値で示してある。
また、変調伝達関数（MTF）は、空間周波数が２サイク
ル/mmの時の値であり、粒状性は（良い，普通，悪い）
をそれぞれ（○，△，×）で示してある。 実施例２ 支持体として500μｍ厚のアルミニウムシート面に直径5
0μｍの金属線で編んだ金属網メッシュを圧着して、こ
れをスパッタ装置中に設置した。次にスパッタリング・
ターゲットとしてアルカリハライド輝尽性蛍光体（0.95
RbBr・0.05CsF:0.005Tl）をスパッタ装置内に設置し、
続いて１×10-6Torrの真空度まで排気した。スパッタガ
スとしてArガスを導入しながらスパッタを行い、金属網
メッシュの層厚が300μｍになるまで堆積させ、本発明
に係る放射線画像変換パネルＢを得た。 このようにして得られた本発明に係る放射線画像変換パ
ネルＢは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表
に併記する。 比較例１ アルカリハライド輝尽性蛍光体（0.9RbBR・0.1CsF:0.01
Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と溶
剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽性蛍光体層用塗布液を調整した。次にこの塗布
液を水平に置いた300μｍ厚の支持体としての黒色ポリ
エリチレンテフタレートフィルム上に均一に塗布し、自
然乾燥させて300μｍ厚の輝尽性蛍光体層を形成した。
このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。 第１表より明らかなように本発明に係る放射線画像変換
パネルA,Bは、比較の放射線画像変換パネルＰに比べて
Ｘ線感度が約２倍高くしかも画像の粒状性が優れてい
た。これは本発明に係る放射線画像変換パネルは輝尽性
蛍光体層中に結着剤を含んでおらず輝尽性蛍光体の充填
率が比較のパネルに比べて高くＸ線の吸収率が良いため
である。 また、本発明に係る放射線画像変換パネルA,Bは比較の
放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が高いにもか
かわらず鮮鋭性の点でも優れていた。これは、本発明に
係る放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体は微細柱状ブ
ロック構造を有しているので、輝尽励起光であるHe-Ne
レーザの輝尽性蛍光体層中での散乱が減少するためであ
る。
以上述べてきたように、本発明によれば輝尽性蛍光体層
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が著しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明に係る放射線画像変換パネ
ルを安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。
が微細柱状ブロック構造を有するため、輝尽励起光の輝
尽性蛍光体層中での散乱が著しく減少し、その結果画像
の鮮鋭性を向上されることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く放射線感度を向上させることが可能である。 また、本発明によれば輝尽性蛍光体層厚の増大による画
像の鮮鋭性の低下が小さいため、輝尽性蛍光体層厚を大
きくすることにより、画像の鮮鋭性を低下させることな
く画像の粒状性を向上させることが可能である。 また、本発明によれば本発明に係る放射線画像変換パネ
ルを安価に安定して製造することが可能である。 本発明はその効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。
第１図は本発明に係る放射線画像変換パネルの一部を示
す断面図である。第２図は本発明に係る放射線画像変換
パネルの一部を示す平面図である。第３図（ａ）は本発
明の一例に関する放射線画像変換パネルにおける輝尽性
蛍光体層及び附着量と放射線に対する感度とを示す図で
あり、（ｂ）は前記放射線画像変換パネルにおける輝尽
性蛍光体層厚及び附着量と空間周波数が２サイクル/mm
における変調伝達関数（MTF）とを示す図である。第４
図は本発明に用いられる放射線画像変換方法の概略図で
ある。第５図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにお
ける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と放射線に対する感度
とを示す図であり、（ｂ）は前記従来の放射線画像変換
パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と空間周波
数が２サイクル/mmにおける変調伝達関数（MTF）とを示
す図である。 11……輝尽性蛍光体層 12……支持体 13……保護層 14……接着層 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……画像再生装置 47……画像表示装置 48……フィルタ
す断面図である。第２図は本発明に係る放射線画像変換
パネルの一部を示す平面図である。第３図（ａ）は本発
明の一例に関する放射線画像変換パネルにおける輝尽性
蛍光体層及び附着量と放射線に対する感度とを示す図で
あり、（ｂ）は前記放射線画像変換パネルにおける輝尽
性蛍光体層厚及び附着量と空間周波数が２サイクル/mm
における変調伝達関数（MTF）とを示す図である。第４
図は本発明に用いられる放射線画像変換方法の概略図で
ある。第５図（ａ）は従来の放射線画像変換パネルにお
ける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と放射線に対する感度
とを示す図であり、（ｂ）は前記従来の放射線画像変換
パネルにおける輝尽性蛍光体層厚及び附着量と空間周波
数が２サイクル/mmにおける変調伝達関数（MTF）とを示
す図である。 11……輝尽性蛍光体層 12……支持体 13……保護層 14……接着層 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……画像再生装置 47……画像表示装置 48……フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審判の合議体 審判長 高橋 詔男 審判官 塩崎 明 審判官 河野 直樹 (56)参考文献 特開 昭59−202100（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−24769（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−70784（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−60300（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−184878（ＪＰ，Ａ) 特公 昭58−6260（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭57−50020（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に気相堆積されて形成される輝尽
性蛍光体層を備えた、放射線画像情報を記録するための
放射線画像変換パネルと、前記輝尽性蛍光体層へ照射す
るためのレーザ光を放射する光源手段と、前記レーザ光
を前記輝尽性蛍光体に照射して発生する輝尽発光光を検
出し、該輝尽発光光の光量に基づいた信号を出力する光
電変換器とを有し、前記光電変換器の出力に基づいて画
像情報を得るように構成されている放射線画像情報読取
装置において、 前記輝尽性蛍光体層が、20μｍ以下の空隙によって互い
に区切られて光学的に独立した柱状ブロック構造を有す
るものであるとともに、 前記放射線画像変換パネルに対して一方側から、前記光
源手段による前記輝尽性蛍光体層へのレーザ光の照射及
び前記光電変換器による前記輝尽発光光の検出を行うよ
うに構成したことを特徴とする放射線画像情報読取装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26691284A JPH0727078B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 放射線画像情報読取装置 |
| DE8585309128T DE3578359D1 (de) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | Schirm zum speichern eines strahlungsbildes. |
| EP19850309128 EP0185534B1 (en) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | Radiation image storage panel |
| US07/065,150 US4769549A (en) | 1984-12-17 | 1987-06-12 | Radiation image storage panel and process for making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26691284A JPH0727078B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 放射線画像情報読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61246700A JPS61246700A (ja) | 1986-11-01 |
| JPH0727078B2 true JPH0727078B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=17437390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26691284A Expired - Lifetime JPH0727078B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 放射線画像情報読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727078B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002023220A1 (fr) | 2000-09-11 | 2002-03-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur, capteur d'images radiographiques et procedes de production |
| WO2002023219A1 (fr) * | 2000-09-11 | 2002-03-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur, capteur d'images radiographiques et procedes de production |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26691284A patent/JPH0727078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61246700A (ja) | 1986-11-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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