JPH0516559Y2 - - Google Patents
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- JPH0516559Y2 JPH0516559Y2 JP1986060824U JP6082486U JPH0516559Y2 JP H0516559 Y2 JPH0516559 Y2 JP H0516559Y2 JP 1986060824 U JP1986060824 U JP 1986060824U JP 6082486 U JP6082486 U JP 6082486U JP H0516559 Y2 JPH0516559 Y2 JP H0516559Y2
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- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換
パネルに関するものであり、さらに詳しくは長期
間にわたり良好な状態で使用することが可能な放
射線画像変換パネルに関するものである。
パネルに関するものであり、さらに詳しくは長期
間にわたり良好な状態で使用することが可能な放
射線画像変換パネルに関するものである。
X線画像のような放射線画像は病気診断用など
に多く用いられている。このX線画像を得るため
に、被写体を透過したX線を蛍光体層(蛍光スク
リーン)に照射し、これにより可視光を生じさせ
てこの可視光を通常の写真をとるときと同じよう
に銀塩を使用したフイルムに照射して現像した、
いわゆる放射線写真が利用されている。更に銀塩
を塗布したフイルムを使用しないで蛍光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
に多く用いられている。このX線画像を得るため
に、被写体を透過したX線を蛍光体層(蛍光スク
リーン)に照射し、これにより可視光を生じさせ
てこの可視光を通常の写真をとるときと同じよう
に銀塩を使用したフイルムに照射して現像した、
いわゆる放射線写真が利用されている。更に銀塩
を塗布したフイルムを使用しないで蛍光体層から
直接画像を取り出す方法が知られている。
この方法としては、被写体を透過した放射線を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例
えば光又は熱エネルギーで励起することによりこ
の蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エ
ネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検
出して画像化する方法がある。具体的には、例え
ば、米国特許3859527号及び特開昭55−12144号に
は輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被
写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層
を輝尽励起光で走査することによつて各部の蓄積
された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピ
ーとして再生してもよいし、CRT上に再生して
もよい。第3図に、この放射線画像変換方法にお
いて使用される従来の放射線画像変換パネルの断
面図の一般的な例を示す。第3図において、31
は支持体、32は輝尽性蛍光体層、33は輝尽性
蛍光体層を物理的にあるいは化学的に保護するた
めに設けられている保護層である。
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例
えば光又は熱エネルギーで励起することによりこ
の蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エ
ネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検
出して画像化する方法がある。具体的には、例え
ば、米国特許3859527号及び特開昭55−12144号に
は輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線を輝尽
励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するもので、
この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被
写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させ
て潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層
を輝尽励起光で走査することによつて各部の蓄積
された放射線エネルギーを放射させてこれを光に
変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピ
ーとして再生してもよいし、CRT上に再生して
もよい。第3図に、この放射線画像変換方法にお
いて使用される従来の放射線画像変換パネルの断
面図の一般的な例を示す。第3図において、31
は支持体、32は輝尽性蛍光体層、33は輝尽性
蛍光体層を物理的にあるいは化学的に保護するた
めに設けられている保護層である。
この保護層33は、保護層用塗布液を輝尽性蛍
光体層上に直接塗布するか、あるいは、あらかじ
め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着
する方法により形成されている(特開昭59−
42500号)。あるいは、特願昭60−18934号に記述
されているように放射線照射および/または加熱
によつて重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹
脂素材を含有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体
層上に塗布した後、放射線の照射および/または
加熱により前記樹脂素材を硬化させて保護層33
を形成している。
光体層上に直接塗布するか、あるいは、あらかじ
め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着
する方法により形成されている(特開昭59−
42500号)。あるいは、特願昭60−18934号に記述
されているように放射線照射および/または加熱
によつて重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹
脂素材を含有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体
層上に塗布した後、放射線の照射および/または
加熱により前記樹脂素材を硬化させて保護層33
を形成している。
前記放射線画像変換パネルは、放射線画像情報
を蓄積した後励起光の走査によつて蓄積エネルギ
ーを放出するので走査後再度放射線画像の蓄積を
行うことができ、繰り返し使用が可能である。実
際には励起光の走査だけでは十分に蓄積エネルギ
ーが放出し尽せないので、走査後に残存エネルギ
ーの消去のために励起光波長の光または熱を加え
ることを行う。したがつて、前記放射線画像変換
パネルは「放射線画像の撮影→励起光の走査(読
み取り)→残存エネルギーの消去」後再び放射線
画像の撮影といつたサイクルで繰り返し使用され
る。
を蓄積した後励起光の走査によつて蓄積エネルギ
ーを放出するので走査後再度放射線画像の蓄積を
行うことができ、繰り返し使用が可能である。実
際には励起光の走査だけでは十分に蓄積エネルギ
ーが放出し尽せないので、走査後に残存エネルギ
ーの消去のために励起光波長の光または熱を加え
ることを行う。したがつて、前記放射線画像変換
パネルは「放射線画像の撮影→励起光の走査(読
み取り)→残存エネルギーの消去」後再び放射線
画像の撮影といつたサイクルで繰り返し使用され
る。
ところで、上述のサイクルで繰り返し使用され
る従来の放射線画像変換パネルは、一般にサイク
ル中の各ステツプ間を搬送手段により搬送される
が、その際、第3図に示す保護層33の表面の少
なくとも一部が前記搬送手段と接触する。そのた
め、多数回の繰り返し使用を経ると、保護層33
の表面が摩耗したり傷を生じたりして、得られる
放射線画像の画質が劣化するとともに、傷あるい
は摩耗により保護層が薄くなつた部分から水分が
侵入してその下の輝尽性蛍光体層に悪影響を与え
ることがある。
る従来の放射線画像変換パネルは、一般にサイク
ル中の各ステツプ間を搬送手段により搬送される
が、その際、第3図に示す保護層33の表面の少
なくとも一部が前記搬送手段と接触する。そのた
め、多数回の繰り返し使用を経ると、保護層33
の表面が摩耗したり傷を生じたりして、得られる
放射線画像の画質が劣化するとともに、傷あるい
は摩耗により保護層が薄くなつた部分から水分が
侵入してその下の輝尽性蛍光体層に悪影響を与え
ることがある。
一般に、輝尽性蛍光体は吸湿性が大であり、通
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の
水分を収着し、時間の経過とともにその性能が劣
化する。すなわち具体的には、放射線に対する感
度が低下したり放射線照射により生成した潜像の
褪行速度が増大する現象が起る。
常の気候条件の下で室内に放置すると、空気中の
水分を収着し、時間の経過とともにその性能が劣
化する。すなわち具体的には、放射線に対する感
度が低下したり放射線照射により生成した潜像の
褪行速度が増大する現象が起る。
ところで、従来の放射線画像変換パネルの保護
層は、第3図に示すように主として輝尽性蛍光体
層の上表面を保護することを目的としたものであ
つた。第3図に示されている従来の放射線画像変
換パネルは、その端面において輝尽性蛍光体層3
2が露出している。そのため、短期間の使用には
差支えないが長期間のうちには輝尽性蛍光体層3
2がその露出している端面から徐々に吸湿し、輝
尽性蛍光体の性能が劣化する。この劣化の程度
は、輝尽性蛍光体層の露出部分に近い放射線画像
変換パネル周縁部ほど顕著であるため、前記のご
とく劣化した放射線画像変換パネルを用いて得ら
れた画像は画像中央部と画像周縁部とで画質が異
なる、ムラを有する画像となる。
層は、第3図に示すように主として輝尽性蛍光体
層の上表面を保護することを目的としたものであ
つた。第3図に示されている従来の放射線画像変
換パネルは、その端面において輝尽性蛍光体層3
2が露出している。そのため、短期間の使用には
差支えないが長期間のうちには輝尽性蛍光体層3
2がその露出している端面から徐々に吸湿し、輝
尽性蛍光体の性能が劣化する。この劣化の程度
は、輝尽性蛍光体層の露出部分に近い放射線画像
変換パネル周縁部ほど顕著であるため、前記のご
とく劣化した放射線画像変換パネルを用いて得ら
れた画像は画像中央部と画像周縁部とで画質が異
なる、ムラを有する画像となる。
また、第3図のごとき放射線画像変換パネルに
おいて、保護層33が接着剤を用いて輝尽性蛍光
体層32に接着されている場合、長期間の使用の
間には放射線画像変換パネル端面から保護層33
が剥離してめくれた状態になり、輝尽性蛍光体の
保護の役割を十分に果せないという欠点を有し、
改良が望まれていた。
おいて、保護層33が接着剤を用いて輝尽性蛍光
体層32に接着されている場合、長期間の使用の
間には放射線画像変換パネル端面から保護層33
が剥離してめくれた状態になり、輝尽性蛍光体の
保護の役割を十分に果せないという欠点を有し、
改良が望まれていた。
上記のような従来の放射線画像変換パネルの欠
点を改良する方法のひとつとして、たとえば特開
昭60−211398号、同60−211399号、同60−211400
号、同60−213897号、同60−213898号、同60−
213899号、同60−213900号に示されているよう
な、輝尽性蛍光体層端部が支持体あるいは基体の
端部よりも内側に配置され、かつ前記蛍光体層端
部が膜状高分子物質、膜形成高分子物質の塗布
層、もしくは埋め込み部材により保護されている
放射線画像変換パネルを応用することができる。
しかしこれらの放射線画像変換パネルは、保護層
や支持体の形成工程とは別に前記膜状高分子物質
の接着、あるいは前記埋め込み部材の充填等の作
業を必要とするため、工程が煩雑となり、経済性
に欠けるという欠点を有していた。
点を改良する方法のひとつとして、たとえば特開
昭60−211398号、同60−211399号、同60−211400
号、同60−213897号、同60−213898号、同60−
213899号、同60−213900号に示されているよう
な、輝尽性蛍光体層端部が支持体あるいは基体の
端部よりも内側に配置され、かつ前記蛍光体層端
部が膜状高分子物質、膜形成高分子物質の塗布
層、もしくは埋め込み部材により保護されている
放射線画像変換パネルを応用することができる。
しかしこれらの放射線画像変換パネルは、保護層
や支持体の形成工程とは別に前記膜状高分子物質
の接着、あるいは前記埋め込み部材の充填等の作
業を必要とするため、工程が煩雑となり、経済性
に欠けるという欠点を有していた。
本考案は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変
換パネルにおける前述のような現状に鑑みてなさ
れたものであり、本考案の目的は搬送性、吸湿
性、保護層の密着性(耐剥離性)および経済性に
優れ、長期間にわたり良好な状態で使用すること
の可能な放射線画像変換パネルを提供することに
ある。
換パネルにおける前述のような現状に鑑みてなさ
れたものであり、本考案の目的は搬送性、吸湿
性、保護層の密着性(耐剥離性)および経済性に
優れ、長期間にわたり良好な状態で使用すること
の可能な放射線画像変換パネルを提供することに
ある。
前記に本考案の目的は、支持体上に順次少くと
も一層の輝尽性蛍光体層、及び高分子膜よりなる
保護層を有する放射線画像変換パネルに於て、前
記保護層が互いに吸湿性の異なる少くとも2つの
層を有し、且つ前記支持体と前記保護層によつて
前記輝尽性蛍光体層が夾まれて、前記輝尽性蛍光
体層の周縁部より外側の部分で前記支持体の輝尽
性蛍光体層に対向する面と、前記保護層の輝尽性
蛍光体層に対向する面とが張り合わされて接着さ
れていることを特徴とする放射線画像変換パネル
によつて達成される。
も一層の輝尽性蛍光体層、及び高分子膜よりなる
保護層を有する放射線画像変換パネルに於て、前
記保護層が互いに吸湿性の異なる少くとも2つの
層を有し、且つ前記支持体と前記保護層によつて
前記輝尽性蛍光体層が夾まれて、前記輝尽性蛍光
体層の周縁部より外側の部分で前記支持体の輝尽
性蛍光体層に対向する面と、前記保護層の輝尽性
蛍光体層に対向する面とが張り合わされて接着さ
れていることを特徴とする放射線画像変換パネル
によつて達成される。
以下、図面を用いながら本考案を詳細に説明す
る。
る。
本考案の放射線画像変換パネル(以下、意味明
白な場合には単に「パネル」と略称することがあ
る。)の代表的な構成の例を第1図a〜cに断面
図として示す。第1図において11は支持体、1
2は輝尽性蛍光体層、13は保護層、14は接着
層を表す。本考案のパネルの構成は、第1図に示
したものに限られるわけではない。
白な場合には単に「パネル」と略称することがあ
る。)の代表的な構成の例を第1図a〜cに断面
図として示す。第1図において11は支持体、1
2は輝尽性蛍光体層、13は保護層、14は接着
層を表す。本考案のパネルの構成は、第1図に示
したものに限られるわけではない。
本考案のパネルは、パネル辺縁に近い部分には
輝尽性蛍光体層を有しないので、パネル辺縁に近
い部分が主に搬送手段と接触するような搬送方法
を用いた場合とくに有利に使用される。すなわ
ち、保護層と支持体との間に輝尽性蛍光体層が存
在しない部分を押圧あるいは挟持し、少なくとも
輝尽性蛍光体層を被覆している部分の保護層表面
には接触することなくパネルを搬送する搬送手段
と組合わせて用いられるのが好ましい。このよう
な搬送手段を用いた場合、多数回の繰り返し使用
を行なつても本考案のパネルにより得られる画像
の画質には影響が現れない。また、かりに前記搬
送手段と接触する部分の保護層に傷あるいは摩耗
が生じても、その傷あるいは摩耗の下には輝尽性
蛍光体層が存在しないので、輝尽性蛍光体層の吸
湿による性能劣化を招くことはない。
輝尽性蛍光体層を有しないので、パネル辺縁に近
い部分が主に搬送手段と接触するような搬送方法
を用いた場合とくに有利に使用される。すなわ
ち、保護層と支持体との間に輝尽性蛍光体層が存
在しない部分を押圧あるいは挟持し、少なくとも
輝尽性蛍光体層を被覆している部分の保護層表面
には接触することなくパネルを搬送する搬送手段
と組合わせて用いられるのが好ましい。このよう
な搬送手段を用いた場合、多数回の繰り返し使用
を行なつても本考案のパネルにより得られる画像
の画質には影響が現れない。また、かりに前記搬
送手段と接触する部分の保護層に傷あるいは摩耗
が生じても、その傷あるいは摩耗の下には輝尽性
蛍光体層が存在しないので、輝尽性蛍光体層の吸
湿による性能劣化を招くことはない。
また、本考案のパネルはパネル端面において輝
尽性蛍光体層が露出している部分を有しないの
で、パネル周縁部の輝尽性蛍光体層が吸湿により
劣化する現象を防ぐことができる。
尽性蛍光体層が露出している部分を有しないの
で、パネル周縁部の輝尽性蛍光体層が吸湿により
劣化する現象を防ぐことができる。
さらに、本考案のパネルは、長期間にわたる使
用によりパネル端面において保護層が支持体から
剥離した場合にも、輝尽性蛍光体層に悪影響を与
えることはない。
用によりパネル端面において保護層が支持体から
剥離した場合にも、輝尽性蛍光体層に悪影響を与
えることはない。
また、本考案のパネルは、ラミネート工程によ
り支持体および/または保護層を設けることがで
きるので製造工程が単純化され、経済的である。
り支持体および/または保護層を設けることがで
きるので製造工程が単純化され、経済的である。
本考案のパネルは、たとえば支持体上に、支持
体端部よりも輝尽性蛍光体層端部が内側にあるよ
うに輝尽性蛍光体層を設けた後、その上表面を、
接着剤を塗布した保護層により被覆して接着(ラ
ミネート)することにより製造することができ
る。このような方法により第1図aのごとき構成
のパネルが製造される。また、別途形成した輝尽
性蛍光体層を、それぞれ接着剤を塗布した支持体
および保護層の間に挟んでラミネートして、第1
図bのごとき構成のパネルとしてもよい。あるい
は、第一の保護層上に輝尽性蛍光体層を設けた
後、該輝尽性蛍光体層の保護層と反対の側に支持
体を接着し、さらに前記第一の保護層の上から第
二の保護層をラミネートして第1図cのごとき複
合保護層を有する構成のパネルとしてもよい。
体端部よりも輝尽性蛍光体層端部が内側にあるよ
うに輝尽性蛍光体層を設けた後、その上表面を、
接着剤を塗布した保護層により被覆して接着(ラ
ミネート)することにより製造することができ
る。このような方法により第1図aのごとき構成
のパネルが製造される。また、別途形成した輝尽
性蛍光体層を、それぞれ接着剤を塗布した支持体
および保護層の間に挟んでラミネートして、第1
図bのごとき構成のパネルとしてもよい。あるい
は、第一の保護層上に輝尽性蛍光体層を設けた
後、該輝尽性蛍光体層の保護層と反対の側に支持
体を接着し、さらに前記第一の保護層の上から第
二の保護層をラミネートして第1図cのごとき複
合保護層を有する構成のパネルとしてもよい。
本考案の放射線画像変換パネルにおいて輝尽性
蛍光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射
線が照射された後に、光的、熱的、機械的、化学
的または電気的等の刺激(輝尽励起)により、最
初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に対
応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的な
面から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によつ
て輝尽発光を示す蛍光体である。本考案の放射線
画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4:Ax(但しAはDy,Tb及びTmのうち少
なくとも1種であり、xは0.001≦x<1モル%
である。)で表わされる蛍光体、特開昭48−80488
号記載のMgSO4:Ax(但しAはHo或いはDyの
うちいづれかであり、0.001≦x≦1モル%であ
る)で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に
記載されているSrSO4:Ax(但しAはDy,Tb及
びTmのうち少なくとも1個であり、xは0.001≦
x≦1モル%である。)で表わされている蛍光体、
特開昭51−29889号に記載されているNa2SO4,
CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTbのうち少
なくとも1種を添加した蛍光体、特開昭52−
30487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及
びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に記載さ
れているLi2B4O7:Cu,Ag等の蛍光体、特開昭
54−47883号に記載されているLi2O・(B2O2)
x:Cu(但しxは2≦x≦3)、及びLi2O・(B2
O2)x:Cu,Ag(但しxは2<x≦3)等の蛍
光体、米国特許3859527号に記載されている
SrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,La2O2S:Eu,
Sm及び(Zn,Cd)S:Mn,X(但しXはハロゲ
ン)で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特
開昭55−12142号に記載されているZns:Cu,Pb
蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu(但し0.8≦
x≦10)で表わされるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び一般式がM〓O・xSiO2:A(但しM〓は
Mg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありAはCe,
Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少な
くとも1種であり、xは0.5≦x<2.5である。)
で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が
挙げられる。また、一般式が (Ba1−x−yMgxCay)FX:eEu2+ (但しXはBr及びClの中の少なくとも1つで
あり、x,y及びeはそれぞれ0<x+y≦0.6,
xy≠0及び10-6≦e≦5×10-2なる条件を満たす
数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX:xA (但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも
1つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数を表わ
す。)で表わされる蛍光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が (Ba1−xM〓x)FX:yA (但しM〓は、Mg,Ca,Sr,Zn及びCdのうち
の少なくとも1つを、XはCl,Br及びIのうち
少なくとも1つを、AはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくと
も1つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0≦y≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされる
蛍光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX:xCe,yA(但し、XはCl,Br及び
Iのうちの少なくとも1つ、AはIn,Tl,Gd,
Sm及びZrのうちの少なくとも1つであり、x及
びyはそれぞれ0<x≦2×10-1及び0<y≦5
×10-2である。)で表わされる蛍光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA:yLn (但しM〓はMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdの
うちの少なくとも1種、AはBeO,MgO,CaO,
SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2O3,In2
O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,
Ta2O5及びThO2のうち少なくとも1種、Lnは
Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,
Er,Sm及びGdのうちの少なくとも1種であり、
XはCl,Br及びIのうちの少くとも1種であり、
x及びyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5及び0<
y≦0.2なる条件を満たす数である。)で表わされ
る希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がZnS:A,CdS:A,(Zn,Cd)
S:A,ZnS:A,X及びCdS:A,X(但しA
はCu,Ag,Au,又はMnであり、Xはハロゲン
である。)で表わされる蛍光体、特開昭57−
148285号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA (式中、M及びNはそれぞれMg,Ca,Sr,
Ba,Zn及びCdのうち少なくとも1種、XはF,
Cl,Br及びIのうち少なくとも1種、AはEu,
Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,
Sb,Tl,MnおよびSnのうち少なくとも1種を
表わす。また、x及びyは0<x≦6,0≦y≦
1なる条件を満たす数である。)で表わされる蛍
光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm (式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なく
とも1種、Aはアルカリ土類金属Ba,Sr,Caの
うち少なくとも1種、X及びX′はF,Cl,Brの
うち少なくとも1種を表わす。また、x及びy
は、1×10-4<x<3×10-1,1×10-4<y<1
×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは1×
10-3<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)で
表わされる蛍光体、及び下記一般式 M〓X・aM〓X′2・bM〓X″3:cA (但し、M〓はLi,Na,K,Rb及びCsから選
ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、
M〓はBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及び
Niから選ばれる少なくとも1種の二価金属であ
る。M〓はSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,
Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,
Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも1種
の三価金属である。X,X′及びX″はF,Cl,Br
及びIから選ばれる少なくとも1種のハロゲンで
ある。AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,
Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,
Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくとも1種の
金属である。
蛍光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射
線が照射された後に、光的、熱的、機械的、化学
的または電気的等の刺激(輝尽励起)により、最
初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に対
応した輝尽発光を示す蛍光体を言うが、実用的な
面から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によつ
て輝尽発光を示す蛍光体である。本考案の放射線
画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4:Ax(但しAはDy,Tb及びTmのうち少
なくとも1種であり、xは0.001≦x<1モル%
である。)で表わされる蛍光体、特開昭48−80488
号記載のMgSO4:Ax(但しAはHo或いはDyの
うちいづれかであり、0.001≦x≦1モル%であ
る)で表わされる蛍光体、特開昭48−80489号に
記載されているSrSO4:Ax(但しAはDy,Tb及
びTmのうち少なくとも1個であり、xは0.001≦
x≦1モル%である。)で表わされている蛍光体、
特開昭51−29889号に記載されているNa2SO4,
CaSO4及びBaSO4等にMn,Dy及びTbのうち少
なくとも1種を添加した蛍光体、特開昭52−
30487号に記載されているBeO,LiF,MgSO4及
びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に記載さ
れているLi2B4O7:Cu,Ag等の蛍光体、特開昭
54−47883号に記載されているLi2O・(B2O2)
x:Cu(但しxは2≦x≦3)、及びLi2O・(B2
O2)x:Cu,Ag(但しxは2<x≦3)等の蛍
光体、米国特許3859527号に記載されている
SrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,La2O2S:Eu,
Sm及び(Zn,Cd)S:Mn,X(但しXはハロゲ
ン)で表わされる蛍光体が挙げられる。また、特
開昭55−12142号に記載されているZns:Cu,Pb
蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu(但し0.8≦
x≦10)で表わされるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び一般式がM〓O・xSiO2:A(但しM〓は
Mg,Ca,Sr,Zn,Cd又はBaでありAはCe,
Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,Bi及びMnのうち少な
くとも1種であり、xは0.5≦x<2.5である。)
で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が
挙げられる。また、一般式が (Ba1−x−yMgxCay)FX:eEu2+ (但しXはBr及びClの中の少なくとも1つで
あり、x,y及びeはそれぞれ0<x+y≦0.6,
xy≠0及び10-6≦e≦5×10-2なる条件を満たす
数である。)で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX:xA (但しLnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも
1つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数を表わ
す。)で表わされる蛍光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が (Ba1−xM〓x)FX:yA (但しM〓は、Mg,Ca,Sr,Zn及びCdのうち
の少なくとも1つを、XはCl,Br及びIのうち
少なくとも1つを、AはEu,Tb,Ce,Tm,
Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくと
も1つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0≦y≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。)で表わされる
蛍光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX:xCe,yA(但し、XはCl,Br及び
Iのうちの少なくとも1つ、AはIn,Tl,Gd,
Sm及びZrのうちの少なくとも1つであり、x及
びyはそれぞれ0<x≦2×10-1及び0<y≦5
×10-2である。)で表わされる蛍光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA:yLn (但しM〓はMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdの
うちの少なくとも1種、AはBeO,MgO,CaO,
SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2O3,In2
O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,
Ta2O5及びThO2のうち少なくとも1種、Lnは
Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,
Er,Sm及びGdのうちの少なくとも1種であり、
XはCl,Br及びIのうちの少くとも1種であり、
x及びyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5及び0<
y≦0.2なる条件を満たす数である。)で表わされ
る希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍光
体、一般式がZnS:A,CdS:A,(Zn,Cd)
S:A,ZnS:A,X及びCdS:A,X(但しA
はCu,Ag,Au,又はMnであり、Xはハロゲン
である。)で表わされる蛍光体、特開昭57−
148285号に記載されている下記いづれかの一般式 xM3(PO4)2・NX2:yA M3(PO4)2:yA (式中、M及びNはそれぞれMg,Ca,Sr,
Ba,Zn及びCdのうち少なくとも1種、XはF,
Cl,Br及びIのうち少なくとも1種、AはEu,
Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,
Sb,Tl,MnおよびSnのうち少なくとも1種を
表わす。また、x及びyは0<x≦6,0≦y≦
1なる条件を満たす数である。)で表わされる蛍
光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm (式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なく
とも1種、Aはアルカリ土類金属Ba,Sr,Caの
うち少なくとも1種、X及びX′はF,Cl,Brの
うち少なくとも1種を表わす。また、x及びy
は、1×10-4<x<3×10-1,1×10-4<y<1
×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは1×
10-3<n/m<7×10-1なる条件を満たす。)で
表わされる蛍光体、及び下記一般式 M〓X・aM〓X′2・bM〓X″3:cA (但し、M〓はLi,Na,K,Rb及びCsから選
ばれる少なくとも1種のアルカリ金属であり、
M〓はBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu及び
Niから選ばれる少なくとも1種の二価金属であ
る。M〓はSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,
Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,
Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも1種
の三価金属である。X,X′及びX″はF,Cl,Br
及びIから選ばれる少なくとも1種のハロゲンで
ある。AはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,
Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,
Ag,Cu及びMgから選ばれる少なくとも1種の
金属である。
またaは、0≦a≦0.5の範囲の数値であり、
bは0≦a≦0.5の範囲の数値であり、cは0<
c≦0.2の範囲の数値である。)で表わされるアル
カリハライド蛍光体等が挙げられる。特にアルカ
リハライド蛍光体は、蒸着・スパツタリング等の
方法で輝尽性蛍光体層を形成するに好都合であ
る。
bは0≦a≦0.5の範囲の数値であり、cは0<
c≦0.2の範囲の数値である。)で表わされるアル
カリハライド蛍光体等が挙げられる。特にアルカ
リハライド蛍光体は、蒸着・スパツタリング等の
方法で輝尽性蛍光体層を形成するに好都合であ
る。
しかし、本考案の放射線画像変換パネルに用い
られる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られる
ものではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を
照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であればい
かなる蛍光体であつてもよい。
られる輝尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られる
ものではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を
照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であればい
かなる蛍光体であつてもよい。
本考案の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二
つ以上の輝尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層
群を有してもよい。また、それぞれの輝尽性蛍光
体層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であつてもよ
いが異なつていてもよい。
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二
つ以上の輝尽性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層
群を有してもよい。また、それぞれの輝尽性蛍光
体層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であつてもよ
いが異なつていてもよい。
前記輝尽性蛍光体層は、特願昭59−196365号に
述べられているように輝尽性蛍光体を気相堆積法
等の方法を用いることにより結着剤を含有しない
層状部分として支持体上に形成してもよいし、輝
尽性蛍光体を適当な結着剤中に分散して塗布液を
調整し、それを支持体上に塗布することにより形
成してもよい。本考案の放射線画像変換パネルに
おいて、結着剤を用いる場合には、例えば、ゼラ
チンの如きタンパク質、デキストランの如きポリ
サツカライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブ
チラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、
エチルセルロース、塩化ビニリデン−塩化ビニル
コポリマー、ボリメチルメタクリレート、塩化ビ
ニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セ
ルロースアセテート、プチレート、ポリビニルア
ルコール等のような通常層構成に用いられる結着
剤が使用される。
述べられているように輝尽性蛍光体を気相堆積法
等の方法を用いることにより結着剤を含有しない
層状部分として支持体上に形成してもよいし、輝
尽性蛍光体を適当な結着剤中に分散して塗布液を
調整し、それを支持体上に塗布することにより形
成してもよい。本考案の放射線画像変換パネルに
おいて、結着剤を用いる場合には、例えば、ゼラ
チンの如きタンパク質、デキストランの如きポリ
サツカライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブ
チラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、
エチルセルロース、塩化ビニリデン−塩化ビニル
コポリマー、ボリメチルメタクリレート、塩化ビ
ニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セ
ルロースアセテート、プチレート、ポリビニルア
ルコール等のような通常層構成に用いられる結着
剤が使用される。
結着剤を有する輝尽性蛍光体層は、輝尽性蛍光
体粒子を適当な結着剤とともに適当な溶剤中に加
え、ボールミル、サンドミル、アトライター、三
本ロールミル、高速インペラー分散機、Kadyミ
ル、および超音波分散機などの分散装置を用いて
混合分散して塗布液を調整し、該塗布液をドクタ
ーブレード、ロールコーター、ナイフコーターな
どの塗工機を用いて支持体上に塗布し、乾燥する
ことにより形成される。
体粒子を適当な結着剤とともに適当な溶剤中に加
え、ボールミル、サンドミル、アトライター、三
本ロールミル、高速インペラー分散機、Kadyミ
ル、および超音波分散機などの分散装置を用いて
混合分散して塗布液を調整し、該塗布液をドクタ
ーブレード、ロールコーター、ナイフコーターな
どの塗工機を用いて支持体上に塗布し、乾燥する
ことにより形成される。
次に、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層の形
成方法を説明する。
成方法を説明する。
第1の方法として蒸着法がある。該方法に於て
は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内
を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加
熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発
させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚
さに堆積させる。
は、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内
を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加
熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発
させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚
さに堆積させる。
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるい
はエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこと
も可能である。
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分け
て輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるい
はエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこと
も可能である。
また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原
料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビー
ムを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽
性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形
成することも可能である。
料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビー
ムを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽
性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形
成することも可能である。
さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理して
もよい。
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理して
もよい。
第2の方法としてスパツタ法がある。該方法に
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr,Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
おいては、蒸着法と同様に支持体をスパツタ装置
内に設置した後装置内を一旦排気して10-6Torr
程度の真空度とし、次いでスパツタ用のガスとし
てAr,Ne等の不活性ガスをスパツタ装置内に導
入して10-3Torr程度のガス圧とする。
次に、前記輝尽性蛍光体をターゲツトとして、
スパツタリングすることにより、前記支持体表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。
スパツタリングすることにより、前記支持体表面
に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。
前記スパツタ工程では蒸着法と同様に複数回に
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
るし、また、それぞれ異つた輝尽性蛍光体からな
る複数のターゲツトを用いて、同時あるいは順
次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。
分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であ
るし、また、それぞれ異つた輝尽性蛍光体からな
る複数のターゲツトを用いて、同時あるいは順
次、前記ターゲツトをスパツタリングして輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。
前記スパツタ法においては、複数の輝尽性蛍光
体原料をターゲツトとして用い、これを同時ある
いは順次スパツタリングして、支持体上で目的と
する輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光
体層を形成することも可能である。また、前記ス
パツタ法においては、必要に応じてO2,H2等の
ガスを導入して反応性スパツタを行つてもよい。
体原料をターゲツトとして用い、これを同時ある
いは順次スパツタリングして、支持体上で目的と
する輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光
体層を形成することも可能である。また、前記ス
パツタ法においては、必要に応じてO2,H2等の
ガスを導入して反応性スパツタを行つてもよい。
さらに、前記スパツタ法においては、スパツタ
時必要に応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱して
いもよい。また、スパツタ終了後輝尽性蛍光体層
を加熱処理してもよい。
時必要に応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱して
いもよい。また、スパツタ終了後輝尽性蛍光体層
を加熱処理してもよい。
第3の方法としてCVD法がある。該方法は目
的とする輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得る。
的とする輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料
を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等の
エネルギーで分解することにより、支持体上に結
着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得る。
第4の方法として吹き着け法がある。該方法は
輝尽性蛍光体粉末を粘着層上に吹き着けることに
より支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体
層を得る。
輝尽性蛍光体粉末を粘着層上に吹き着けることに
より支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体
層を得る。
本考案の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体
層の層厚は、目的とする放射線画像変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によ
つて異なるが、結着剤を含有しない場合で10μm
〜1000μmの範囲、さらに好ましくは20μm〜
800μmの範囲から選ばれるのが好ましく、結着
剤を含有する場合で10μm〜1000μmの範囲、さ
らに好ましくは20μm〜500μmの範囲から選ばれ
るのが好ましい。
層の層厚は、目的とする放射線画像変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によ
つて異なるが、結着剤を含有しない場合で10μm
〜1000μmの範囲、さらに好ましくは20μm〜
800μmの範囲から選ばれるのが好ましく、結着
剤を含有する場合で10μm〜1000μmの範囲、さ
らに好ましくは20μm〜500μmの範囲から選ばれ
るのが好ましい。
本考案の放射線画像変換パネルは、得られる放
射線画像の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえ
ば、特願昭59−266912号に述べられているような
輝尽性蛍光体層が前記支持体面にほぼ垂直方向に
伸びた微細柱状ブロツク構造を有する構造、特願
昭59−266913号に述べられているような表面に多
数の微細な凹凸パターンを有する支持体と、前記
支持体上に前記表面構造をそのまま引き継いだ、
微細柱状ブロツク構造から成る輝尽性蛍光体層と
を有する構造、特願昭59−266914号に述べられて
いるような多数の微小タイル状板が微細な間隙に
より互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表面
構造を有する支持体と、前記支持体上に前記表面
構造をそのまま引き継いだ微細柱状ブロツク構造
から成る輝尽性蛍光体層とを有する構造、特願昭
59−266915号に述べられているような、多数の微
小タイル状板と該微小タイル状板夫々を取り囲ん
でなり夫々を区画する細線網と該微小タイル状板
上に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱状ブ
ロツク構造の輝尽性蛍光体層とを有する構造、特
願昭59−266916号に述べられているような支持体
表面に多数分布し、且つ、間隙をもつて互いに離
散している微小タイル状の面上から厚み方向に堆
積された輝尽性蛍光体層にシヨツク処理を加える
ことによつて前記微小タイル状板間の間隙から該
層表面に向かつて発達させたクレバスを有する微
細柱状ブロツク構造から成る輝尽性蛍光体層を設
けた構造としてもよい。
射線画像の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえ
ば、特願昭59−266912号に述べられているような
輝尽性蛍光体層が前記支持体面にほぼ垂直方向に
伸びた微細柱状ブロツク構造を有する構造、特願
昭59−266913号に述べられているような表面に多
数の微細な凹凸パターンを有する支持体と、前記
支持体上に前記表面構造をそのまま引き継いだ、
微細柱状ブロツク構造から成る輝尽性蛍光体層と
を有する構造、特願昭59−266914号に述べられて
いるような多数の微小タイル状板が微細な間隙に
より互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表面
構造を有する支持体と、前記支持体上に前記表面
構造をそのまま引き継いだ微細柱状ブロツク構造
から成る輝尽性蛍光体層とを有する構造、特願昭
59−266915号に述べられているような、多数の微
小タイル状板と該微小タイル状板夫々を取り囲ん
でなり夫々を区画する細線網と該微小タイル状板
上に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱状ブ
ロツク構造の輝尽性蛍光体層とを有する構造、特
願昭59−266916号に述べられているような支持体
表面に多数分布し、且つ、間隙をもつて互いに離
散している微小タイル状の面上から厚み方向に堆
積された輝尽性蛍光体層にシヨツク処理を加える
ことによつて前記微小タイル状板間の間隙から該
層表面に向かつて発達させたクレバスを有する微
細柱状ブロツク構造から成る輝尽性蛍光体層を設
けた構造としてもよい。
また、同じく本考案の放射線画像変換パネルに
おいて得られる放射線画像の鮮鋭性向上の目的
で、輝尽性蛍光体層中に白色粉末を含有させても
よいし、輝尽性蛍光体層を輝尽励起光を吸収する
ような着色剤で着色してもよい。あるいは、支持
体と輝尽性蛍光体層との間に白色顔料を含有する
光反射層を設けてもよい。
おいて得られる放射線画像の鮮鋭性向上の目的
で、輝尽性蛍光体層中に白色粉末を含有させても
よいし、輝尽性蛍光体層を輝尽励起光を吸収する
ような着色剤で着色してもよい。あるいは、支持
体と輝尽性蛍光体層との間に白色顔料を含有する
光反射層を設けてもよい。
また、特願昭59−202100号に開示されているよ
うに輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよ
い。あるいは特願昭59−186859号に述べられてい
るように、輝尽性蛍光体粒子が輝尽性蛍光体層の
層厚方向に所定の粒子大きさ分布をもつようにし
てもよい。
うに輝尽性蛍光体層をハニカム構造としてもよ
い。あるいは特願昭59−186859号に述べられてい
るように、輝尽性蛍光体粒子が輝尽性蛍光体層の
層厚方向に所定の粒子大きさ分布をもつようにし
てもよい。
本考案の放射線画像変換パネルにおいて用いら
れる支持体としては各種高分子材料、ガラス、金
属等が用いられる。特に情報記録材料としての取
り扱い上可撓性のあるシートあるいはウエブに加
工できるものが好適であり、この点から例えばセ
ルロースアセテートフイルム、ポリエステルフイ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポ
リアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリア
セテートフイルム、ポリカーボネートフイルム等
のプラスチツクフイルム、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被
覆層を有する金属シートが好ましい。
れる支持体としては各種高分子材料、ガラス、金
属等が用いられる。特に情報記録材料としての取
り扱い上可撓性のあるシートあるいはウエブに加
工できるものが好適であり、この点から例えばセ
ルロースアセテートフイルム、ポリエステルフイ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフイルム、ポ
リアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリア
セテートフイルム、ポリカーボネートフイルム等
のプラスチツクフイルム、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被
覆層を有する金属シートが好ましい。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材
質等によつて異なるが、一般的には80μm〜
1000μmであり、取り扱い上の点から、さらに好
ましくは80μm〜500μmである。
質等によつて異なるが、一般的には80μm〜
1000μmであり、取り扱い上の点から、さらに好
ましくは80μm〜500μmである。
これら支持体の表面は滑面であつてもよいし、
輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は凹凸
と面してもよいし、隔絶された微小タイル状板を
敷きつめた構造としてもよい。
輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマ
ツト面としてもよい。また、支持体の表面は凹凸
と面してもよいし、隔絶された微小タイル状板を
敷きつめた構造としてもよい。
さらに、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との
接着性を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設け
られる面に下引層を設けてもよい。
接着性を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設け
られる面に下引層を設けてもよい。
本考案のパネルにおいて、保護層は高分子膜よ
り構成されている。
り構成されている。
本考案のパネルにおいて用いられる保護層用材
料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセ
ルロース、エチルセルロースなどのセルロース誘
導体、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ
カーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニ
トリル、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチ
ルビニルケトン、セルロースジアセテート、セル
ローストリアセテート、ポリビニルアルコール、
ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリグリシ
ン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド(ナイロン)、ポリ四フ
ツ化エチレン、ポリ三フツ化一塩化エチレン、ポ
リプロピレン、四フツ化エチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合体、ポリビニルイソブチルエーテ
ル、ポリスチレンなどがあげられる。
料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセ
ルロース、エチルセルロースなどのセルロース誘
導体、あるいはポリメチルメタクリレート、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリ
カーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニ
トリル、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチ
ルビニルケトン、セルロースジアセテート、セル
ローストリアセテート、ポリビニルアルコール、
ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリグリシ
ン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
塩化ビニル、ポリアミド(ナイロン)、ポリ四フ
ツ化エチレン、ポリ三フツ化一塩化エチレン、ポ
リプロピレン、四フツ化エチレン−六フツ化プロ
ピレン共重合体、ポリビニルイソブチルエーテ
ル、ポリスチレンなどがあげられる。
保護層の層厚は好ましくは1μm〜100μm程度、
さらに好ましくは2μm〜50μm程度の範囲とする
のがよい。
さらに好ましくは2μm〜50μm程度の範囲とする
のがよい。
本考案のパネルにおいて、保護層は複数の膜か
らなる複合保護層である。複合保護層は、特願昭
60−156346号に述べられているように、互いに吸
湿性の異なる二層以上の膜からなる。
らなる複合保護層である。複合保護層は、特願昭
60−156346号に述べられているように、互いに吸
湿性の異なる二層以上の膜からなる。
前記保護層と輝尽性蛍光体層、あるいは支持体
と輝尽性蛍光体層、あるいは保護層と支持体とを
接着するための接着層は、たとえばポリウレタン
系、ポリエステル系、アクリル系、ポリオレフイ
ン系などの接着剤を保護層および/または支持体
および/または輝尽性蛍光体層に塗布し、乾燥し
た後、熱ローラなどを用いてラミネートすること
により形成することができる。前記接着層の厚さ
は1μm〜100μm程度とするのが好ましい。
と輝尽性蛍光体層、あるいは保護層と支持体とを
接着するための接着層は、たとえばポリウレタン
系、ポリエステル系、アクリル系、ポリオレフイ
ン系などの接着剤を保護層および/または支持体
および/または輝尽性蛍光体層に塗布し、乾燥し
た後、熱ローラなどを用いてラミネートすること
により形成することができる。前記接着層の厚さ
は1μm〜100μm程度とするのが好ましい。
本考案の放射線画像変換パネルは第2図に概略
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第2図において、21は放射線発生装
置、22は被写体、23は本考案の放射線画像変
換パネル、24は輝尽励起光源、25は該放射線
画像変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置、26は25で検出された信号を
画像として再生する装置、27は再生された画像
を表示する装置、28は輝尽励起光と輝尽蛍光と
を分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフイルター
である。尚25以降は23からの光情報を何らか
の形で画像として再生できるものであればよく、
上記に限定されるものではない。
的に示される放射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第2図において、21は放射線発生装
置、22は被写体、23は本考案の放射線画像変
換パネル、24は輝尽励起光源、25は該放射線
画像変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置、26は25で検出された信号を
画像として再生する装置、27は再生された画像
を表示する装置、28は輝尽励起光と輝尽蛍光と
を分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフイルター
である。尚25以降は23からの光情報を何らか
の形で画像として再生できるものであればよく、
上記に限定されるものではない。
第2図に示されるように、放射線発生装置21
からの放射線は被写体22を通して本考案の放射
線画像変換パネル23に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光
体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放
射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像を輝尽励起光源24からの輝尽励起光で励起し
て輝尽発光として放出せしめる。
からの放射線は被写体22を通して本考案の放射
線画像変換パネル23に入射する。この入射した
放射線は放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光
体層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放
射線透過像の蓄積像が形成される。次にこの蓄積
像を輝尽励起光源24からの輝尽励起光で励起し
て輝尽発光として放出せしめる。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線
エネルギー量に比例するので、この光信号を例え
ば光電子増倍管等の光電変換装置25で光電変換
し、画像再生装置26によつて画像として再生
し、画像表示装置27によつて表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
エネルギー量に比例するので、この光信号を例え
ば光電子増倍管等の光電変換装置25で光電変換
し、画像再生装置26によつて画像として再生
し、画像表示装置27によつて表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
本考案のパネルに於ては、パネル周縁部が取扱
い手掛りとなり、パネルの生命と言うべき作画面
に物理的作用或は化学的刺戟を受けることが少
い。従つて作画面の保護膜、支持体面の損耗、損
傷が少く画質劣化が長期繰返使用に亘つて起らず
また湿度に対する安全性が高い。
い手掛りとなり、パネルの生命と言うべき作画面
に物理的作用或は化学的刺戟を受けることが少
い。従つて作画面の保護膜、支持体面の損耗、損
傷が少く画質劣化が長期繰返使用に亘つて起らず
また湿度に対する安全性が高い。
またパネル周縁部は搬送係止部材として活用で
きるので画質劣化を招かない機械化、自働化シス
テムの構築が可能であり且該システム用のパネル
としての価値が高い。
きるので画質劣化を招かない機械化、自働化シス
テムの構築が可能であり且該システム用のパネル
としての価値が高い。
また、本考案のパネルに於ては、保護層が吸湿
性の互いに異なる少くとも2つの層によつて構成
されているので、輝尽性蛍光体層の吸湿による感
度劣化を大幅に改善することがてきる。前記輝尽
性蛍光体層の全表面及び全側面が一続きで継ぎ目
の無い保護層と支持体により被覆されているの
で、輝尽性蛍光体層周縁部分の耐湿性が高く、周
縁部分からの劣化がないとともに前記パネルの中
心部分の耐湿性も周縁部分の耐湿性も同等であ
り、部分的に劣化が進むことによる画像むらの発
生を防止できる。また、一続きで継ぎ目の無い保
護層と支持体により被覆されているので、機械的
強度が高く繰り返しの使用による耐湿性の劣化が
なく、輝尽性蛍光体層の周縁部まで全面を有効に
使用できる。さらに、支持体と保護層とを張り合
わせるという簡単な工程で耐湿性に優れた構造の
パネルを製造できる。
性の互いに異なる少くとも2つの層によつて構成
されているので、輝尽性蛍光体層の吸湿による感
度劣化を大幅に改善することがてきる。前記輝尽
性蛍光体層の全表面及び全側面が一続きで継ぎ目
の無い保護層と支持体により被覆されているの
で、輝尽性蛍光体層周縁部分の耐湿性が高く、周
縁部分からの劣化がないとともに前記パネルの中
心部分の耐湿性も周縁部分の耐湿性も同等であ
り、部分的に劣化が進むことによる画像むらの発
生を防止できる。また、一続きで継ぎ目の無い保
護層と支持体により被覆されているので、機械的
強度が高く繰り返しの使用による耐湿性の劣化が
なく、輝尽性蛍光体層の周縁部まで全面を有効に
使用できる。さらに、支持体と保護層とを張り合
わせるという簡単な工程で耐湿性に優れた構造の
パネルを製造できる。
第1図は本考案の各種態様のパネルの断面図で
ある。第2図は本考案のパネルを用いる放射線画
像変換方法の説明図である。第3図は在来のパネ
ルの断面図である。 11……支持体、12……輝尽性蛍光体層、1
3……保護層、14……接着層。
ある。第2図は本考案のパネルを用いる放射線画
像変換方法の説明図である。第3図は在来のパネ
ルの断面図である。 11……支持体、12……輝尽性蛍光体層、1
3……保護層、14……接着層。
Claims (1)
- 支持体上に順次少くとも一層の輝尽性蛍光体層
及び高分子膜よりなる保護層を有する放射線画像
変換パネルに於て、前記保護層が互いに吸湿性の
異なる少くとも2つの層を有し、且つ前記支持体
と前記保護層によつて前記輝尽性蛍光体層が夾ま
れて、前記輝尽性蛍光体層の周縁部より外側の部
分で前記支持体の輝尽性蛍光体層に対向する面
と、前記保護層の輝尽性蛍光体層に対向する面と
が張り合わされて接着されていることを特徴とす
る放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986060824U JPH0516559Y2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986060824U JPH0516559Y2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62173100U JPS62173100U (ja) | 1987-11-04 |
JPH0516559Y2 true JPH0516559Y2 (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=30893589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986060824U Expired - Lifetime JPH0516559Y2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0516559Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002107852A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネルおよび放射線画像情報読取方法 |
JP2005265596A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像変換パネル |
JP2006058171A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | マンモグラフィ用放射線画像変換パネルおよびその製造方法 |
EP2767982B1 (en) * | 2011-10-03 | 2019-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Intensifying screen for x-ray detector, x-ray detector, and x-ray inspection device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5866900A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPS5868746A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
JPS60211398A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 蓄積性蛍光体シートの搬送方法 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP1986060824U patent/JPH0516559Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5866900A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
JPS5868746A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
JPS60211398A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-23 | 富士写真フイルム株式会社 | 蓄積性蛍光体シートの搬送方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62173100U (ja) | 1987-11-04 |
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