JPS6215498A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐え
うる高鮮鋭度放射線画像変換パネルに関するものである
。

（従来技術〕 Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れに、より可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。

更に銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光体層か
ら直接画像を取り出す方法が知られている。　　、この
方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収
せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこの蛍光体が上記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ
、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的に
は、例えば、米甲特許３．８５’ｌ、５２７号及び特開
昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線
又は赤外線な輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示
されている。この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層を
形成した放射線画像変換パネルを使用するもので、この
放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過
した放射線を当て、て被写体各部の放射線透過度に対応
する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しか
る後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で走査ずろこと
によって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させ
てこれを光に変換し、この光の強弱による光信号により
画像を得るものである。この最終的な画像はハードコピ
ーとして再生してもよいし、ＣＲＴ上に再生してもよい
。

この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後励起光の走
査によって蓄積エネルギーを放出するので走査径再度放
射線画像の蓄積を行うことかでき、繰り返し使用が可能
である。

そこで、前記放射線画像変換パイ・ルは、得られる放射
線画像の画質を劣化させることな（長期間あるいは多数
回の繰り返しの使用に耐える性能を有することが望まし
い。そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性
蛍光体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十
分に保護される必要がある。

従来の放射線画像変換パネルにおいては、」二記の要求
にこたえるため、放射線画像変換パネルの支持体−１−
の輝尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法がと
られてきた。

この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層」−に
直接塗布するか、あるいは、あらかじめ別途形成した保
護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により形成され
ている（特開昭５９−４２５００号）。あるいは、特願
昭６０−１８９３／Ｉ号に記述されているように、放射
線照射および／または加熱によって重縮合あるいは架橋
反応して硬化する樹脂素材を含有する保護層用塗布液を
輝尽性蛍光体層上に塗布した後、放射線の照射および／
または加熱により前記樹脂素材を硬化させて保護層を形
成している。

一般に、放射線画像変換パネルの製造に用いられる輝尽
性蛍光体は吸湿性が犬であり、通常の気候条件の下で室
内に放置すると、空気中の水分を収着し、時間の経過と
ともに著しく劣化する。すなわち、放射線に対する感度
が低下したり、励起光照射を受り゛る前の蓄積エネルギ
ーの保持時間が短くなる。輝尽性蛍光体の吸湿によるこ
れらの劣化現象を防止するためには、透湿度の低い保護
層を設ける必要がある。すなわち、保護層の層厚は厚く
した方がよい。

一方、放射線画像変換パネルから読み取って得られる画
像の鮮鋭性は、保護層の層厚が増大するに従って低下す
る。この現象は、おもに輝尽性蛍光体層表面における励
起光の反射光あるいは散乱光の保護層内での広がりが、
保護層の層厚が厚いほど犬さくなることが原因となって
いる。したがって、画像の鮮鋭性向上の点からは、保護
層の薄層化が望まれる。

前述のように、放射線画像変換パネルの耐湿性と画像の
鮮鋭性とは、保護層の層厚に関して逆の関係にあり、従
来はそのいずれかを犠牲にせざるを得ないのが実状であ
った。

（発明の目的〕 本発明ｉま、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネ
ルにおける前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は輝尽性蛍光体層への水分の浸透が′
／Ｊ・さく長期間にわたり良好な状態で使用が可能であ
り、かつ得られる画像の鮮鋭性が高い放射線画像変換パ
ネルを提供することにある。

（発明の構成） 前記した本発明の目的は、支持体」−に少なくとも一層
の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ坏ルにおい
て、少なくとも一層の高分子膜を含む保護層を有し、該
高分子膜の温度、１０℃相対湿度９０％の条件下での防
湿性の係数が１．、５　ｍ’　２４　ｈ　ｒ／ｇ・ｍｍ
以上であることを特徴とする放射線画像変換パネルによ
って達成される。

ここで、「防湿性の係数」は以下のように、すなわち「
包装技術Ｊ　５，７８１’（１９６７）に述べられてい
るとおりに定義されている。

膜の透湿現象において、透湿の定常状態、すなわち膜の
水蒸気透過速度が一定である状態のとき、透過面積Ａの
膜が時間ｔの間に透過した水分量をＱと表わすと ｑ＝Ｑ／Ａｔ なる式で定義される量ｑを透湿度といい、その試験方法
としては、１ｓｏ（Ｒ−１１９５）　、　ＪｉＳ　（Ｚ
〜２０８）、ＡＳＴＭ（Ｅ−９６）、ＴＡＰＰＩスタン
ダード（Ｔ　−４４８、Ｔ−４６４）　　などの方法が
代表的である。一般に高分子膜の透湿度ｑが膜厚ｅに依
存することが知られており、とくに一部の例外を除いて
は透湿度ｑは膜厚ｅに反比例することが確かめられてい
る。すなわちｑ　−ｂｌ（ｂ：定数）なる式が成立する
。そこで、ｅに対しｑ−１をプロノトシて得られろ直線
の勾配すが防湿性の係数として定義されており、ｂの大
小により防湿性能の優劣を表わすことができる。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図に、本発明の放射線画像変換パネルの構造例を断
面図として示す。１１は支持体、１２は輝尽性蛍光体層
、１３は保護層である。本発明の放射線画像変換パネル
の構造は、第１図に示した例に限るものではない。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて、保護層は輝尽
性蛍光体層に対する保護層のみならず輝尽性蛍光体層側
とは反対の支持体裏面或はパネル周縁の厚み断面（パネ
ル側面）を被覆する被膜も含んでいる。従って、本発明
の態様としては輝尽性蛍光体層に対してのみ設けた場合
、機械的衝撃を受けることの多いパネル側面或は裏面に
も施した場合等必要に応じた態様をとることができる。

また、被膜は一層とは限らず、例えば、２層構成として
被膜構成の樹脂を選んで内側に柔かな物性を有する被膜
、外側に強靭な物性を有する被膜を設ける等必要に応じ
被膜構成の質、数を変えることができる。

本発明者らの検討によれば、前記保護層が少なくとも一
層の高分子膜を含み、該高分子膜として前述のように、
温度４０℃相対湿度９０％の条件下でその防湿性の係数
すが１．５　ｍ”　２４　ｈｒ／ｇ・關以上の値をもつ
高分子膜を用いることにより、画像の高鮮鋭性を保ちつ
つ輝尽性蛍光体層の吸湿による劣化を顕著に防止するこ
とが可能であるのが明らかになった。さらに、前記高分
子膜として、温度４０℃相対湿度９０％の条件下でその
防湿性の係数すが４、Ｏｒｒｒ：、２４．　ｈｒ　／ｉ
−ｍａ以上の値をもつ高分子膜を用いればより高い効果
が得られる。

即ち造膜性を有する物質であれば防湿性の係数の高いも
のほど本発明には好しく用いられる。

次に本発明に係る保護膜の形成及び保護膜に用いる素材
について説明する。

本発明に於ては外部に露呈している輝尽性蛍光体層の面
をはじめとして必要に応じてその他の面に保護層を設け
る。保護層の形成方法としては以下に述べるような方法
が用いられる。

第１の方法として、特開昭５９−’４２５００号に開示
されているように透明性の高い高分子物質を適当な溶媒
に溶解して調整した溶液を保護層を設置すべき面に塗布
し、乾燥させて保護層を形成する方法がある。

第２の方法として、同じく特開昭５９−４２５００号に
開示されているように透明な高分子物質より成る薄膜の
片面に適当な接着剤を付与し、保護層を設置すべき面に
接着する方法がある。

第１の方法および第２の方法において用いられる保護層
用素材のうち、本発明で規定した防湿性の係数を有する
膜を形成することが可能な高分子材料としては、ポリ塩
化ビニリデン、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、
塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニ
リデン−インブチレン共重合体、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリ四フッ化エチレン、四フッ化エチレンー
六フン化プロピレン共重合体、四フッ化エチレンーエチ
レン共重合体、ポリ三フッ化−塩化エチレン、ポリエチ
レンテレフタレートなどがある。なかでも４０℃、９０
％における防湿性の係数が４．０−ｍ”　２４　ｈｒ／
、ｊ９−１ｍ　’Ｊ上を示しうるポリ三フッ化−塩化エ
チレン、四フッ化エチレンー六フッ化フロピレン共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリプロピレン、塩化ビニリ
デン−アクリロニトリル共重合体、高密度ポリエチレン
、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体などが好ましい
。

第３の方法としては、特願昭６０−１８９３４号に述べ
られているように、放射線硬化型樹脂または熱硬化型樹
脂の少なくともいずれか一方を含有する塗布液を保護層
を設置すべき面に塗布し、特願昭６０−１８９３４号に
示したような装置を用いて紫外線あるいは電子線などの
放射線の照射および／または加熱を施して前記塗布液を
硬化させる方法があるっ 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは、不飽和二重結合を２個以」
二重するプレポリマーおよび／またはオリゴマーであり
、さらに、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビ
ニルモノマー）を反応性希釈剤として含有させることが
できる。

放射線硬化型樹脂膜の透湿性は前記プレポリマーまたは
オリゴマーの種類により１まぼ決定される。

本発明に関わる保護層用の素材として用いられるプレポ
リマーまたはオリゴマーには、脂肪族ポリオールのポリ
グリシジルエーテル、ビスフェノールＡ（あるいはＦ、
Ｓ）ジグリシジルエーテル、ジカルボン酸エポキシシク
ロへキシルアルキルおヨヒシクロペンテンオキシド基１
個または２個以上を含有するエポキシドなどのエポキシ
系ポリマー、不飽和ポリエステルあるいは変性不飽和ポ
リエステル、およびエポキシアクリレ−１・などのアク
リル系ポリマーなどが好ましい。なかでもとくにビスフ
ェノールＡ（あるいはＦ、Ｓ’）ジグリシジルエーテル
およびそれと他のエポキシ系プレポリマーとの混合物が
好ましい。

また、本発明に関わる前記熱硬化型樹脂の具体例として
は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等があげられる。以上に述べた放射線硬化型樹
脂および熱硬化型樹脂は、単独または２種以上混合して
用いてもかまわない。

前記放射線硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂であ
るプレポリマーに、必要に応じて反応性希釈剤であるビ
ニルモノマー、非反応性バインダー架橋剤、光重合開始
剤、光増感剤、貯蔵安定剤および接着性改良剤その他の
添加剤を混合して分散し、保護層用塗布液を作成する。

ここで組成物の粘度を低下させかつ放射線硬化速度を向
上させる効果をもつ前記反応性希釈剤の具体例としては
、以下のようなものがある。

ａ）単官能モノマー メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアク
リレ−１・、２−エチルへキシルメタアクリレート、２
−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロギシエチ
ルメタアクリレート、グリシジルメタアクリレート、ｎ
−へキシルアクリレート、ラウリルアクリレートなど。

ｂ）　　２官能モノマー １．６−ヘキザンジオールジアクリレート、１．６−ヘ
キサンシオールジメタクリレー１・、ネオペンチルグリ
コール、１，４−ブタンジオールジアクリレート、エチ
レングリコールジアクリレ−１・、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレ
ート、ジビニルベンゼンナト。

ｃ）　　３官能μ上のモノマー トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレートンタエリスリトールへキサアクリレ
ート、エチレンジアミンのアクリル酸エステルなど。

前記保護層用塗布液には、放射線照射および加熱により
硬化しないバインダーを必要に応じ含有させてもよい。

たとえば、セルロースエステル、ポリビニルブチラール
、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
スチロール−アクリル酸共重合体などである。

前記保護層用塗布液を硬化さ亡る手段として紫外線照射
を用いる場合には、紫外線エネルギーを吸収して樹脂の
重合反応を開始させる触媒である光重合開始剤を必要に
応じて添加してもよく、さらに該光重合開始剤の効果を
促進する目的で光増感剤を添加してもよい、前記光重合
開始剤としては、カルボニル化合物が多く用いられ、そ
の具体例としてはベンゾインイソプロピル、イソブチル
エーテルなどのベンゾインエーテル系化合物、ベンゾフ
ェノン、０−ベンゾイルメチルベンゾエートなどのベン
ゾフェノン系化合物、アセトフェノン、トリクロロアセ
トフェノン、■，１−ジクロロアセトフェノン、２，２
−ジェトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２
−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン系化合
物、、　２−クロロチオキザントン、２−アルキルチオ
ギサントンナトのチオキサントン系化合物１．および２
−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒド
ロキシ−４１−イソプロピル−２−メチルプロピオフェ
ノン、１−ヒドロキシシクロへキシルフェニルクトンな
どの化合物があげられる。

マント＜にエポキシ系ポリマーに対する光重合開始剤と
しては芳香族オニウム塩、すなわち、ルイス酸ジアゾニ
ウム塩などのジアゾニウム塩、ヘキサフルオロリン酸ト
リフェニルフェナシルホスホニウムなどのホスホニウム
塩、テトラフルオロホウ酸トリフェニルホスホニウム、
ヘキサフルオロリン酸１−　ＩＪフェニルスルホニウム
などのスルホニウム塩および塩化ジフェニルヨードニウ
ムなどのヨードニウム塩などが何月である。その他にも
イオウ化合物１．アゾ化合物、ノ・ロゲン化合物および
有機過酸化物等が光重合開始剤として用いられる。

前記光重合開始剤は単独で用いてもよいし２種以上混合
して用いてもよい。

また、光増感剤の例としては、アミン、尿素、ニトルお
よびイオウ、リン、窒素、塩素などの化合物があげられ
る。

本発明の放射線画像変換・くネルにおいて、保護層の層
厚は１μｍ〜１００μｍ程度、さらに好ましくは２μｍ
〜５０μｍ程度の範囲にあることが好ましい。

本発明の放射線画像変換・くネルは、支持体上に輝尽性
蛍光体層を設けた後に該輝尽性蛍光体層上に保護層を形
成もしくは付設して製造してもよいし、保護層上に輝尽
性蛍光体層を形成した後に支持体を設ける手順をとって
もよい。

また、本発明の放射線画像変換パネルのうち、とくに輝
尽性蛍光体層が結着剤を含有しない構造の放射線画像変
換ノくネルにおいては、輝尽性蛍光体層と保護層との間
に無機物質層を設けることにより耐湿性および前記保護
層と前記輝尽性蛍光体層との密着性をさらに高めること
ができる。前記無機物質としては５ｉ０２　、　ＳｉＣ
、ＳｉＮ　＋　Ａ４０ｓ　　などが用いられる。前記無
機物質層は、輝尽性蛍光体層面に真空蒸着法、スパッタ
法等により０．１μｍ〜１００μｍ程度の層厚に形成さ
れることが好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルは、たとえば以下に述べ
るような方法に従い、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成
した後に該輝尽性蛍光体層上その他の面に所望の保護層
を形成あるいは付設することにより製造することができ
る。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられ
る。特に情報記録材料としての取り扱い上可撓性のある
シートあるいはウェブに加工できるものが好適であり、
この点から例えばセルロースアセテートフィルム、ポリ
エステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリア
セテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラ
スチックフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属シート或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シー
トが好ましい。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｍ〜１０００μｍであ
り、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０μｍ〜
５００μｍである。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔
絶された微小タイル状板を敷きつめた構造としてもよい
。

さらに、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性を
向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引
層を設けてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる輝尽
性蛍光体は、最初の元もしくは高エネルギー放射線が照
射された後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気
的等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エ
ネルギーの放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す。

実用的には好ましくは５００　ｎｍ以−にの輝尽励起光
によって輝尽発光を示す蛍光体である。本発明の放射線
画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体としては、例
えば特開昭４８−８（１１４８７号に記載されているＢ
ａＳＯ４：　Ａ、ｘ　（但し、ＡはＤｙ、’ｒｂ及びＴ
ｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ　
（１モル％である。）で表わされる蛍光体、特開昭４８
−８０４、８８号記載のＭｇＳＯ４：ΔＸ（但し、Ａは
Ｈｏ或いはＤｙのうちいずれかであり、０．００１≦Ｘ
≦１モル％である。うで表わされる蛍光体、特開昭４８
−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ４：　Ａｘ（
但し、ＡはＤｙ　、　ＴＩ）及びＴｍのうち少なくとも
１種でありＸば０００１≦Ｘ＜１モル％である。）で表
わされている蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載
されているＮａ２ＳＯ４、ＣａＳＯ４及びＢａＳＯ４等
にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添加した
蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢ
ｅＯ。

ＬｉＦＭｇＳＯ４及びＣａＦ２等の蛍光体、特開昭５３
−３９２７７号に記載されているＬｉ２Ｂ４Ｏ７：　Ｃ
ｕ　、　Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に
記載されているＬｉ２Ｏ・（Ｂ２０２）Ｘ：Ｃｕ（但し
、Ｘば２＜Ｘ≦３）、及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ２０２）　ｘ
　：　Ｃｕ　、　Ａｇ　（但しＸは２　（ｘ≦３）等の
蛍光体、米国特許３，８５９，５２７号に記載されてい
るＳｒＳ　：　Ｃｅ　、　Ｓｍ、　ＳｒＳ　：　Ｅｌｌ
　、　Ｓｍ　。

Ｌａ２０８Ｓ　：　Ｅｕ　＋　Ｓｍ及び（Ｚｎ、Ｃｄ）
Ｓ：Ｍｎ、Ｘ（但し、Ｘはハロゲン）で表わされる蛍光
体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記
載されているＺｎＳ　：　Ｃ１］　、　Ｐｂ蛍光体、Ｂ
ａＯ・ｘＡｌ２Ｏ３：　Ｅｕ（但し、０８≦Ｘ≦１０）
で表わされるアルミン酸バリウム蛍光体及びＭｌｌ０・
ｘｓｉ０２　：　Ａ　（但し、ＭｌｌはＭｇ。

Ｃａ　＋　Ｓｒ　＋　Ｚｎ　＋　Ｃｄ又はＢａでありＡ
はＣｅ　、　Ｔｂ　。

Ｅｌｌ　ｌ　Ｔｍ　＋　ｐｂ　＋　Ｔ　］　、Ｂ１及び
Ｍｎのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．５≦Ｘ≦２
．５である。）で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩系
蛍光体が挙げられる。

また、 （Ｂａ　　　Ｍｇ　　Ｃａ　　）　ＦＸ　：　ｅＥｕ２
＋１ｘ−ｙ　　ｘ　　’１ （但し、ＸはＢｒ及びＣＩの中の少なくとも１つであり
、Ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ（ｘ　＋　ｙ≦０６、ｘｙ
ｓＯ及び１０　≦ｅ≦５×１０　なる条件を満たす数で
ある。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍
光体、特開昭５５−１２１．４４号に記載されているＬ
ｎｏＸ：ＸＡ（但し、ＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ及びＬｕの
少なくとも１つを、Ｘはｃｌ及び／又はＢｒを、ＡはＣ
ｅ及び／又ハＴｂを、ＸはＯ（ｘ　（０，１を満足する
数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭５５−１２
１４５号に記載されている（Ｂａ　　　Ｍｎ）ＦＸ：ｙ
Ａ １−Ｘ　　　　　Ｘ （但し、Ｍｎは、Ｍｇ　、　Ｃａ　、　ｓｒ、　７．ｎ
及びＣｄのうちの少なくとも１つを、ＸはＣ１、Ｂｒ及
び１のうち少なくとも１つを、ＡはＥｕ　、　’ｒｂ　
、　Ｃｅ　、　Ｔｍ　、　Ｄｙ　。

Ｐｒ　、Ｈｏ　、Ｎｄ　、Ｙ’ｂ及びＥｒのうちの少な
くとも１つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦０６及び０≦ｙ≦０
．２なる条件な満たす数を表わす。）で表わされる蛍光
体、特開昭５５−８４３８９号に記載されているＢａＦ
Ｘ　：　ｘＣｅ　＋　ｙＡ　（但し、ＸはＣＩ　＋　Ｂ
ｒ及びｌのうちの少なくとも１つ、Ａは”ｎ　＋　Ｔｌ
　＋　Ｇｄ　＋　Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つ
であり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜Ｘ≦２×１０　及びＯ
＜　ｙ≦５×１０　である。）で表わされる蛍光体、特
開昭５５−１６００７８号に記載されている ＭＩＩＦＫ−ｘＡ　：　ｙＬｎ （但し、ＭｌはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＣｄ
のうちの少なくとも１種、Ａは３ｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ
、ＳｒＯ。

ＢａＯ＋　ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３＋　Ｙ２Ｏ３＋　Ｌａ２
Ｏ３、Ｉ’ｎ２０３　、５ｉ０２　。

ＴｉＱ２　、　ＺｒＯ２、ＧｅＯ２＋　ＳｎＯ２＋　Ｎ
ｂ２ｏ、、　ｌ　Ｔａ２０ｉ及びＴｈ０２のうち少なく
とも１種、ＬｎはＥｌｌ　＋　Ｔｂ　、　Ｃｅ　。

Ｔｍ　＋　Ｄｙ　ｒ　Ｐ　ｒ　＋　Ｈｏ　＋　Ｎｄ　＋
　Ｙｂ　＋　Ｅｒ　＋　Ｓｍ及びＣｄのうちの少なくと
も１種であり、ＸはＣＩ　、　Ｂｒ及び１のうちの少な
くとも１種であり、Ｘ及びｙばそれぞれ５×１０≦Ｘ≦
０５及びＯ＜　ｙ≦０２なる条件を満たす数である。）
で表わされる希土類元素付活２価金属フルオロハライド
蛍光体、ＺｎＳ　：　Ａ、（Ｚｎ　、　ｃａ　）　Ｓ　
：　Ａ　、　ｃａｓ　：　Ａ　％ＺｎＳ　：　Ａ　、　
Ｘ及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但し、ＡはＣｕ　ｒ　Ａｇ　＋
　Ａｕ　＋又はＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）で
表わされる蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載
されているＸＭ３　（ＰＯ４）２・ＮＸ２　：　ｙＡＭ
ａ　（ＰＯ４）２・ｙＡ （式中５Ｍ及びＮはそれぞれ’ｇ　＋　ｃａ　＋　Ｓ　
ｒ　＋　Ｂａ　。

Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸばＦ、ＣＩ。

Ｏｒ、及びｌのうち少なくとも１種５ＡはＥｕ　、　Ｔ
ｂ　。

Ｃｅ　、　Ｔｍ＋　Ｄｙ　、Ｐｒ　、Ｈｏ　、Ｎｄ　、
Ｅｒ　、Ｓｂ　、ＴＩ　、Ｍｎ及びＳｎのうち少なくと
も１種を表わす。また、Ｘ及びｙはＯ（ｘ≦６．０≦ｙ
≦１なる条件を満たす数である１、）で表わされる蛍光
体、一般にｎＲｅＸ３　’　ｍＡＸ’２　：　ｘＦ２ｕ
ｎＲｅＸ３　・ｍＡＸ’２　：　ｘＥｕ　、　ｙＳｍ（
式中、　ＲｅはＬａ　＋　Ｇｄ＋　Ｙ　、　ＬＬ＋のう
ち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属Ｂａ　、　Ｓ
ｒ　、　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、
ＣＩ、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ及
びｙは、■×１０　　（ｘ（３ＸＩＯ、Ｉ　ＸＩＯ＜ｙ
＜　Ｉ　ＸＩＯなる条件を満たす数であり、ｎ　／ｍは
Ｉ　Ｘ　１０　＜　ｎ／ｍ＜　７　Ｘ　１．０　　なる
条件を満たす。）で表わされる蛍光体、及び ＭＴＸ−ａＭＴＴＸ′２・ｂＭＩｌｒＸ“３　：　ｃＡ
（但し　ｕｌはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈ、及びＣｓかも選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍｌｌは
Ｂｅ　＊　Ｍｇ　＋　Ｃａ　＋　Ｓ　ｒ　＋’　Ｂａ　
＋　Ｚｎ　＋　Ｃｄ　＋　Ｃｕ及びＮ１から選ばれる少
なくとも一種の二価金属である。ＭｌｒｒはＳｃ＋Ｙ＋
Ｌａ＋Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ＋Ｐｍ＋Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ。

Ｔｂ　＋　Ｄｙ　＋　Ｈｏ　＋　Ｅｒ　＋　Ｔｍ　、　
Ｙｂ　＋　Ｌｕ　、　ＡＩ　＋　Ｇａ　、及びＩｎから
選ばれる少なくとも一種の三価金属である。

Ｘ　、　Ｘ’及びＸ“はＦ、ＣＩ、Ｂｒ及び■から選ば
れる少なくとも一種の・・リチンである。、、ＡはＥｕ
　、　’ｒｂ　。

Ｃｅ、Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇ
ｄ、Ｌｕ、Ｓｍ。

Ｙ、ＴＩ　、Ｎａ　、Ａｇ　、Ｃｕ及びＭｇから選ばれ
る少なくとも一種の金属である。また、ａはＯ≦ａ　（
０，５の範囲の数値であり、ｂはＯ≦ｂ〈０５の範囲の
数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．２の範囲の数値である。

）で表わされるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる
。特にアルカリハライド蛍光体は真空蒸着、スパッタ等
の方法で輝尽性蛍光体層を形成させる場合に好ましい。

しかし、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝
尽性蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、
放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽蛍
光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい
。

本発明の放射線画像変換バネノとは前記の輝尽性蛍光体
の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽
性蛍光体層から成る輝尽性蛍光体層群を有してもよい。

また、それぞれの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽性蛍光
体は同一であってもよいが異なっていてもよい。

前記輝尽性蛍光体層は、特願昭５９−１！Ｊ’６３６５
号に述べられているように輝尽性蛍光体を蒸着法・スパ
ッタ法等の方法を用いることにより結着剤を含有しない
層状部分として支持採土に形成してもよいし、輝尽性蛍
光体を適当な結着剤中に分散して塗布液を調整し、それ
を支持体上に塗布することにより形成してもよい。本発
明の放射線画像変換″ネルにおいて、結着剤を用いる場
合には、例えば、ゼラチンの如きタンパク質、デキスト
ランの如きポリサッカライドまたはアラビアゴム、ポリ
ビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース
、エチルセルロース、塩化ビニリチン−塩化ビニルコポ
リマー、ポリメチルメタクリレート、塩化ビニル−酢酸
ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロースアセテー
トブチレート、ポリビニルアルコール等のような通常層
構成に用いられる結着剤が使用される。

しかし、本発明の放射線画像変換パネルに関しては、と
（に特願昭５９−１９６３６５号において提案されてい
るように、輝尽性蛍光体層が結着剤を含有しない構造を
有することが好ましい。結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層の形成方法としては、以下のような方法があげられ
る。

第１の方法として蒸着法がある。該方法に於ては、まず
支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気してｌＱ
　　Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性
蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エロクトロンピ
ーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽
性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。

この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成さ
れるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレ
クトロンビームな用いて共蒸着を行うことも可能である
。

また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸
着し、支持体−１−で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である
。

さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。

また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい
。

第２の方法としてスパッタ法がある。該方法においては
、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後
装置内を一旦排気して１０ＴＯｒｒ程度の真空度とし、
次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガ
スをスパッタ装置内に導入して１０　　Ｔｏｒｒ程度の
ガス圧とする。

次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記支持体表面に輝尽性蛍光体
を所望の厚さに堆積させる〇前記スパック工程では蒸着
法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成するこ
とも可能であるし、また、それぞれ異った輝尽性蛍光体
からなる複数のターゲットを用いて、同時あるいは順次
、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層
を形成することも可能である。

前記スパッタ法においては、複数の輝尽性蛍光体原料を
ターゲットてして用い、これを同時あるいは順次スパッ
タリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合
成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。また、前記スパック法においては、必要に応じて
０２　＋　Ｈ２等のガスを導入して反応性スパッタを行
ってもよい。

さらに、前記スパッタ法においては、スパッタ時必要に
応じて被蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、
スパック終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。

第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とずろ
輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体原料を含有する有機
金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解する
ことにより、支持体」二に結着剤を含有しない輝尽性蛍
光体層を得る。

第４の方法として吹き着は法がある。該方法は輝尽性蛍
光体粉末を粘着層」二に吹き着けることにより支持体」
二に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得る。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の層厚
は、目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する
感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、結着剤
を含有しない場合で１．０　／ｌｒｎ〜１００’０μｍ
の範囲、さらに好ましくは２０．ｆＬｍ〜８００／Ｌｍ
の範囲から選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場
合で１０μｍ〜１．０００／１ｍの範囲、さらに好まし
くは２０μｍ〜５００μｍ　の範囲から選ばれるのが好
ましい。

本発明の放射線画像変換パネルは、得られる放射線画像
の鮮鋭性を向上させる目的で、たとえば、特願昭５９’
２６’６９１２号に述べられているような輝尽性蛍光体
層が前記支持体面にほぼ垂直方向に伸びた微細柱状ブロ
ック構造を有する構造、特願昭５９−２６６９１３号に
述べられているような表面に多数の微細な凹凸パターン
を有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造をその
まま引き継いだ、微細柱状ブロック構造から成る輝尽性
蛍光体層とを有する構造、特願昭５９　２６６９１４号
に述べられているような多数の微小タイル状板が微細な
間隙により互いに隔絶されて敷きつめられたごとき表面
構造を有する支持体と、前記支持体」ニに前記表面構造
をそのまま引き継いだ微細柱状ブロック構造から成る輝
尽性蛍光体層とを有する構造、特願昭５’９−２６６９
１５号に述べられているような、多数の微小タイル状板
と該微小タイル状板夫々を取り囲んでなり夫々を区画す
る細線網と該微小タイル状板上に厚み方向に伸びた輝尽
性蛍光体の微細柱状ブロック構造の輝尽性蛍光体層とを
有する構造、特願昭５９−２６６９１６号に述べられて
いるような支持体表面に多数分布し、且つ、間隙をもっ
て互いに離散している微小タイル状の面」二から厚み方
向に堆積された輝尽性蛍光体層にショック処理を加える
ことによって前記微小タイル状板間の間隙から該層表面
に向かって発達さ亡たフレバスを有する微細柱状ブロッ
ク構造から成る輝尽性蛍光体層を設けた構造としてもよ
い。

また・同じく本発明の放射線画像変換・ぐネルにおいて
得られる放射線画像の鮮鋭性向上の目的で、邦尽性蛍光
体層中に白色粉末を含有させてもよいし、輝尽性蛍光体
層を輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色してもよ
い。あるいは、支持体と輝尽性蛍光体層との間に白色顔
料を含有する光反射層を設けてもよい。

本発明の放射線画像変換パネルは第２図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられる。

すなわち、第２図において、２１は放射線発生装置、２
２は被写体、２３は本発明の放射線画像変換パネル、２
４は輝尽励起光源、２５は該放射線画像変換パネルより
放射された輝尽蛍光を検出する光電変換装置、２６は５
で検出された信号を画像として再生する装置、２７は再
生された画はを表示する装置、羽は輝尽励起光と輝尽蛍
光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルターで
ある。尚５以降は乙からの光情報を何らかの形で画像と
して再生できるものであればよく、上記に限定されるも
のではない。

第２図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル乙に入射する。この入射した放射線には放射線画像変
換パネル乙の輝尽性蛍光体層に吸収され、そのエネルギ
ーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次
にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの輝尽励起光で励
起して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線画
像変換パネル乙の好ましいひとつの実施態様においては
、輝尽性蛍光体層中に結着剤が含まれておらず輝尽性蛍
光体層の透明性が高いため上記輝尽励起光による走査の
際に、輝尽励起光が輝尽性蛍光体層中で拡散するのが抑
制される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線゛エネル
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置５で光電変換し、画像再生装置あに
よって画像として再生し、画像表示装置２７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

（実施例） 次に、実施例によって本発明を説明する。

実施例１ ５００μｍ厚のアルミニウム板に特願昭５９−２６６９
１４号に述べられた方法により陽極酸化処理、封孔処理
および加熱処理を施した支持体を蒸着器中に設置した。

次に、抵抗加熱用のタングステンボート中にアルカリハ
ライド輝尽性蛍光体（０，０１ＴＡ　）を入れ、抵抗加
熱用電極にセントし、続いて蒸着器を排気して２　Ｘ　
１０　　、Ｔｏｒｒの真空度とした。

次に、タングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法に
よってアルカリハライド輝尽性蛍光体を蒸発させアルミ
ニウム板上に輝尽性蛍光体層の層厚が３００μｍの厚さ
になるまで堆積さ亡、輝尽性蛍光体層を形成した。

そして、該輝尽性蛍光体層面に、市販の厚さ１２μｍの
ポリ三フッ化−塩化エチレンフイルムの片面にポリエス
テル系接着剤を付与したものを接着して保護層を作成し
、本発明の放射線画像変換パネルＡを得た。

実施例２ 実施例１において、ポリ三フッ化−塩化エチレンフィル
ムの代わりに市販の厚さ６μｍのポリ塩化ビニリデン（
サラン）フィルムを用いること以外は、実施例１の方法
と同様の作業を行なうことにより、本発明の放射線画像
変換パネルＢを製造した。

実施例３　　　。

実施例１において、ポリ三フッ化−塩化エチレンフィル
ムな輝尽性蛍光体層に接着する代わりに以下の作業を行
なった。。

下記の組成物をボールミルにて分散し、保護層用塗布液
を作成した。

ビスフェノールグリシジルエーテル　　　５６重量％ビ
スフェノールＦグリシジルエーテル　　２　ｏ重量％ア
ンチモン塩、　　　　　　　　　　　　　　７重量％こ
のよ、うにし、て作成した塗布液を輝尽性蛍光体層」二
にドクターコータで被覆厚が１０μｍとなるように塗布
した。この塗布層に出力８０Ｗ／ＣｎＬの高圧水銀灯に
より１０秒間紫外線を照射し、完全に硬化させで保護層
を作成し、本発明の放射線画像変換パネルＣを製造した
。

実施例４ 実施例１において、ポリ三フッ化−塩化エチレンフィル
ムの代わりに市販の厚さ１０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを用いること以外は、実施例１の方法
と同様の作業を行なうことにより、本発明の放射線画像
変換パネルＤを製造した。

実施例５ ＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ　２＋輝尽性蛍光体８重量部とポ
リビニルブチラール樹脂１重量部とを溶剤（シクロヘキ
サノン）５重量部を用いて混合分散し、輝尽性蛍光体層
用の塗布液を調整した。次に該塗布液を水平に置いた厚
さ３００／Ｌｍの黒色ポリエチレンテレフタレート支持
体上にドクターブレードを用いて均一に塗布し、自然乾
燥させて厚さ約２５０μｍの輝尽性蛍光体層を形成した
。

そして、該輝尽性蛍光体層面に、市、販の厚さ１２／１
ｍの四フッ化エチレンー六フッ化プロピレン共重合体フ
ィルムの片面にポリエステル系接着剤を伺力したものを
接着して保護層を作成し、本発明の放射線画像変換パネ
ルＥを製造した。

実施例６ 実施例５において、四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体フィルムの代わりに市販の厚さ６μｍの延
伸ポリプロピレンフィルムを用いること以外は、実施例
５の方法と同様の作業を行なうことにより、本発明の放
射線画像変換／ｌルＦを製造した。

実施例７ 実施例５において、四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体フィルムの代わりに市販の厚す１３μｍの
中密度ポリエチレンフィルムラ用いること以外は、実施
例５の方法と同様の作業を行なうことにより、本発明の
放射線画像変換パネルＧを製造した。

比較例１ 実施例１において、ポリ三フッ化−塩化エチレンフィル
ムの代わりに市販の厚さ３００μｍのナイロン６フィル
ムを用いること以外は、実施例１の方法と同様の作業を
行なうことにより、比較の放射線画像変換パネルＨを製
造した。

比較例２ 実施例１におしゝて、ポリ三フッ化−塩化エチレンフィ
ルムを輝尽性蛍光体層に接着する代わりに、ポリメチル
メタクリレート１重量部ヲトリオール６重量部に溶解し
た溶液を輝尽性蛍光体上に被覆厚２５μｍとなるように
塗布し、自然乾燥させて保護層を作成し、比較の放射線
画像変換パネル１を得た。

比較例３ 実施例５において、四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体フィルムの代わりに市販の厚さ２００μｍ
の塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体フィルムを用いるこ
と以外は、実施例５の方法と同様の作業を行なうことに
より、比較の放射線画像変換パネルＪを製造した。

比較例４ 実施例５において、四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体フィルムの代わりに市販の厚さ部μｍのポ
リビニルアルコール（ビニロン）フィルムを用いること
以外は、実施例５の方法と同様の作業を行なうことによ
り、比較の放射線画像変換パネルＫを製造した。

以上のように製造した本発明の放射線画像変換パネルＡ
、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇおよび比較の放射線画像変換
パネルＨ，■、Ｊ、にの画像鮮鋭性および耐湿性を以下
の方法を用いて試験し、評価した。

１）画像鮮鋭性 放射線画像変換パネルに、ＭＴＦチャートを介して管電
圧８Ｑ　ＫＶｐのＸ線を１０ｍＲ照射した後、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー光（６３’３　ｎｍ　）により励起し、輝尽
性蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子増倍管で光
電変換し、これを画像再生装置によって画像として再生
し、画像表示装置上に画像を得た。得られた画像の変調
伝達関数（ＭＴＦ）を測定した。

空間周波数２　ｃｙｃｌｅ／Ｈｍのときの変調伝達関数
（ＭＴＦ）の値を第１表の１鮮鋭性」の欄に示す。

２）耐湿性 放射線画像変換パネルを乾燥器内に２日間放置したのち
、放射線に対する感度を測定した。次に前記放射線画像
変換パネルを気温４０℃、相対湿度８０％の恒温恒湿槽
内に１２０時間放置した後再び放射線感度を測定した。

その値を最初に測定した放射線感度を１００％として相
対値で表し、第１表の「耐湿性」の欄に示す。

また、各々の放射線画像変換パネルの保護層に用いられ
ている高分子膜の透湿度をＪＩＳ（Ｚ−２０８）に基い
て測定し、防湿性の係数を求めた。その値第　　１　　
表 第１表より明らかなように、本発明の放射線画像変換パ
ネルはいずれも比較の放射線画像変換パネルとは異なり
画像鮮鋭性および耐湿性の双方において優れている。こ
れは本発明の放射線画像変換パネルの保護層を構成する
高分子膜の防湿性の係数が比較のパネルのそれに比べて
大であり、薄い保護層であっても防湿効果が高いためで
ある。

（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明の放射線画像変換パネル
は、保護層が防湿性の係数の高い高分子膜を含んでいる
ため、輝尽性蛍光体層の吸湿による劣化を防止乙、長期
間にわたり良好な状態で使用することができるとともに
、鮮鋭性の高い画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの基本的構造
例を示す断面図である。第２図は、本発明において用い
られる放射線画像変換方法の概略図である。 出願人　　　小西六写真工業株式会社□第１図 １１−ｍ−炎−Ｊ−！ｒイ本 １２−−一　　査」１（２ξ卜、＞ｌ−４二蛍め６イ〉
ト、仮に１３−保護層 第２ ２１−　　杷Ｉ寸縮冒を主装置 ２２−・娘１本 ２３−一一方丈月１４に逗フイｌ安、刹更バネ１し２４
−、蝉Ａ励起し凧 ２ｓ−４！＊順襞置 ２６一枚村渫画告再主装置 ２７−校射徨４表オ屓思 ２８−−−フィルター 図 手続補正書 昭和６０年８月２２０ 昭和６０年７月１２日特許出願（２） ２、発明の名称 放射線画像変換パネル ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 連絡先 〒１９１ 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真工業株式会手１（電話０４２５−８３−１５
２１）特　　許　　部 ４、補正命令の目付 自　　発 ５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体上に少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を有する放
   射線画像変換パネルにおいて、少なくとも一層の高分子
   膜を含む保護層を有し、該高分子膜の温度４０℃相対湿
   度９０％の条件下での防湿性の係数が１．５ｍ＾２２４
   ｈｒ／ｇ・ｍｍ以上であることを特徴とする放射線画像
   変換パネル。