JPS63141000A - 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐え
うる放射線画像変換パネルに関するものである。

【発明の背景】

Ｘ＃Ｘ画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を
透過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、
これにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真
をとるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射
して現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。 しかし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍
光体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるように
なった。 この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギで励起することによりこの蛍光体が上記吸収に
よりＭ積している放射線エネルギを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許Ｌ８５９１５２７号および特開昭
５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可視光線ま
たは赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示
されている。この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形
成した放射線画像変換パネルを使用するもので、この放
射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過し
た放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する
放射線エネルギを蓄積させて潜像を形成し、しかる後に
この輝尽性徴“光体層を輝尽励起光で走査することによ
って各部の蓄積された放射線エネルギを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。この最終的な画像はハードコピとして
再生してもよいし、ＣＲＴ上に再生してもよい。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画（２情報を蓄積した後１１Ｉｐ
！、ｒＩｆｈ起光の走査によって蓄積エネルギを放出す
るので、走査径再度放射線画像の蓄積を行うことができ
、ａ３！ＫＬ使用が可能である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間あるいは多数回
の繰返しの使用に耐える性能を有することが望ましい。 そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性蛍光
体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十分に
保護される必要がある。 とくに輝尽性蛍光体は吸湿性が強く前記輝尽性蛍光体層
が水分を吸収すると、弗化臭化バリウム系蛍光体（例え
ばＢａＦＢｒ：Ｅｕ）等は分解し放射線に対する感度が
低下する。またアルカリハライド系蛍光体（側光ばＲｂ
Ｂｒ：Ｔ２）等は吸湿、脱湿により放射線に対する感度
が変動し、また蓄積放射線エネルギの７工−デング速度
が上下し、撮影条件が不安定となり、また得られる放射
線画像の画質の劣化なもたらすため、前記輝尽性蛍光体
層に水分が含有されないよう保護することが望まれてき
た。 従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の問題の
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上のＩ
′ＩＩ尽性蛍光性蛍光体層面する保護層を設ける方法が
とられてきた。 この保護層は、たとえば特開昭５９−４２５００号に記
述されているように、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層
上に直接塗布して形成されるが、あるいはあらかじめ別
途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法に
より形成されている。 さらに本発明者等は特開昭６１−１７６９００号および
特願昭６０−１５６３４６号において、放射線照射およ
び／または加熱によって重縮合あるいは架橋反応して硬
化する樹脂素材を含有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光
体層上に塗布した後、放射線の照射および／または加熱
により前記？Ｊ４　Ｊｆｆｆ素材を硬化させて保護層を
形成する方法を提案している。 放射線画像変換パネルの艮か命化を達成するために特に
耐温性の点でのよりいっそうの改良が望まれでいるが、
１１１１記保護層の透湿性を低下させるための方法以外
は防湿性に関してほとんど検訂されていないのが現状で
ある。

【発明の目的】

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたしのであり
、本発明の目的は輝尽性蛍光体層の乾燥度を保ち、長期
間にわたり良好な状態で使用が可能である放射線画像変
換パネルを提供することにある。

【発明の構成】

前記した本発明の目的は、尤輝尽性蛍光体を用いる放射
線画像変換パネルに乾燥用発熱体が組込まれているとを
特徴とする放射線画像変換パネルによって達成される。 尚本発明の態（玉として前記乾燥用発熱体は放射線画像
変換パネルの構成層、支持体中に含有組込まれてもよい
し、発熱体からなる、層を別途設けてらよい。 次に本発明を具体的に説明する。 光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネル（以後変
換パネルと略称する）は、一般に支持体上に尤輝尽性蛍
尤体層（以後１１１尽層と略称する）と該輝尽層の機能
を補完するための各種構成層（例えば保護層、フィルタ
層或は接’６層等）からなっている。 第１図に本発明の変換パネルの各種態様を例示する。 第１図（ａ）において、１は支持体、２１１は乾燥用発
熱体く以後発熱体と略称する）が含有組込まれた発熱輝
尽層、３は保：１１層である。尚該保護層が輝尽層の周
側面まで被覆する例を示した。同図（ｂ）は輝尽層２に
対する支持体１の裏面に発熱体からなる発熱層１１１が
支持体１に接して設けられており、同図（ｃ）において
発熱体からなる発熱層Ｈ２は支持体に関し暉Ｅ、層２と
同側、支持体に接して設けられ、保護層３は輝尽層２の
みの全表面を被覆している。同図（ｄ）においてｉｌ＋
は支持体中に発熱体が含有組込まれた発熱支持体である
。同図（ｅ）においては、１１３は発熱体自身が支持体
を兼ねる支持発熱体であり、保護ノ１４３が輝尽層２及
び支持発熱体１１３の裏面を含め全表面を包んで被覆し
ている。同図（ｆ）は発熱層＋１４が輝尽Ｔｏ　２の上
面に接して設けられ、同図（ｇ）ではＸ１ｌＩ尽ＷＪ２
が発熱層＋１２および＋１４に差挟まれた態様である。 同図（１１）は発熱体が含有組込まれた発熱保護層３１
１を有する例である。 本発明の変換パネルは上側に限らないが、発熱体からな
るか或は発熱体が含有組込まれた層が輝尽層より保［ｉ
ｌ側にあり且つ画像読取りを保護層側から行う形態のと
きには該発熱体は透明な物質が用いられる。 前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末を用い
られることが好しい。 また発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インノウム
等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパッ
タリングによる薄膜、またはカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。 また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体には
、カーボンファイバシート等が用いられる。 変換パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は
４０〜１５０℃、好しくは４０〜８０°Ｃであって、該
温度範囲においては、支持体、保護層に非耐熱性素材（
例えばポリエチレンテレフタレート等）使用の自由が許
される。また加熱温度が高すぎると、読取り時には輝尽
層への放射線エネルギ蓄積にロスを生じたり、残光量が
増大したりして好しくない。 加熱の時期は放射線画像を輝尽励起する読取り時および
／または非読取り時の任意時期でよい。乾燥に要する時
間は含湿によす３０％相対感度に低下した変換パネルに
於ても８０’Ｃで１．０〜２．０時間でほぼ１００％に
回復できる。尚気相堆積によるバインダフリーの輝尽層
の方が乾燥効率（感度回復速度）がよい。 また読取り時よりも非読取り時の加熱温度を高め乾燥効
果および画像消去効率を上げる等の方策を講じてもよい
し、読取り時は加熱を中止するようにしてもよい。 また使用の度毎に逐次乾燥処理を行ってもよいし、夜間
等の非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回
復不能に陥入らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を
行ってもよい。 前記した態様例のように発熱体を変換パネルに組込む場
合、発熱体は電流回路を形成しパネル全面に充分加熱効
果を及しうる形態であれば如何様のパターンを採っても
よい。その例を第２図に示す。 同図（、）は発熱体に均一薄層回路を形成させた例であ
り、同図（Ｉ３）は櫛型、同図（ｃ）は屈曲単線型回路
とした例である。第２図においてＰは電極、１１は発熱
体である。 次に変換パネルの乾燥温度制御は熱電対等の温度検出器
に温度制御器、ヒータ用電源を組合せることによって容
易に行うことができる。ｆｊＳ３図にその１例のブロッ
ク図を示した。 上記詳述した本発明の変換パネルは、輝尽性蛍光体プレ
ートを内蔵した撮影・読取一体型放射線画像読取装置に
利用することが特に適しているが、撮影、読取Ｖｃｒ１
１が別個になっている場合にも利用できる。 また別個の装置の場合、加熱・乾燥装置を用いてもよい
。 次に本発明の変換パネルの除湿効率の一例を第４図に示
す。該変換パネルの清適は第１図（ｃ）の仕様であり、
光輝尽性蛍光体としてはＲｂＢｒ：Ｔｆ蛍光体を用いて
いる。 また第５図に前記変換パネルの輝尽層の含水率（水ｍｇ
／輝尽ＷＩ９）と感度の関係を示す。 図に明かなように輝）′！一層の加熱により、該層の除
湿及び防湿がなされ、変換パネルの使用恒久性が保証さ
れる。 本発明の変換パネルにおいて用いられる支持体としては
各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられる。情報記
録材料としての取扱い上可撓性のあるシート或いはウェ
ブに加工できるものでもよく、この点から例えばセルロ
ースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム
、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリ
カーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム、アル
ミニウム、鉄、鋸、クロム等の金属シート或いは該金属
酸化物の被ｒｆｉ層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ肩〜１０００μｓであ
り、取扱い上の点から、さらに好ましくは８０μｌ〜５
００μｍである。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、ＸｒＩＩ
尽層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよ
い。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔絶
された微小タイル状板を敷きつめた構造としてもよい。 さらに、これら支持体は、輝尽層との接着性を向上させ
る目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けてもよい
。 一般に変換パネルにおいて輝尽性蛍光体とは、最初の光
もしくは高エネルギ放射線が照射された後に光的、熱的
、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽ａ起）に
より、最初の光もしくは高エネルギの放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す蛍光体を謂うが、実際１光輝尽
性および熱輝尽性蛍光体が主体である。 前記熱輝尽性蛍光体を用いた変換パネルには発熱機構が
組込まれるか取入れられて、Ｍ積した放射線画像を熱励
起し画像読出しが行われる。尚熱励起に用いる熱量は高
々秒単位の熱励起時間では側底変換パネルの蛍光体を乾
燥するに足る熱量ではない。 前記、熱輝尽性蛍光体は励起に対する応答性が遅い、時
系列的に読取ることがむずかしい等の理由により実用１
光輝尽性蛍光体が有用であり、また５００ｚｚ以上の輝
尽励起光で１７１１尽発光するものが好しい。 本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍光体として
は、例えば米国特許３，８５９，５２７号に記載されて
いるＳｒＳ　：　Ｃｅ、Ｓｍ、ＳｒＳ　：　Ｅｕ、Ｓ＋
＋＋、Ｌａ２０ｚＳ　：　Ｅｕ。 ５ｌＩｔ−＋　ヨＶ　（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ　：　Ｍｎ、Ｘ
（（ｆｌ　ＬＸｌｉ　ハＣ１テン）テ表される蛍光体が
挙げられる。また、特開昭５５−１２１４２号に記載さ
れているＺｎＳ　：　Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａ
Ｏ・×へ１２０．　：　Ｅｕ（但し０．８≦Ｘ≦１０）
で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、および一般式１
４’０・ｘｓｉＯｚ：Δ（但しＭＩはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ
、Ｚｎ、ＣｄまたはＢａであり八はＣｅ、Ｔｂ、ＩＥｕ
、Ｔｍ、Ｐｂ、Ｔｊ！、ＤｉおよびＭ　１１　）うち少
なくとも１種であり、×は０．５≦Ｘ≦２．５である。 ）で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げら
れる。 また、特開昭５５−１２１４３号に記ａされている一般
式％式％ （但しｘｌ、ｔＤｒおよびＣｐの中の少なくとも１つで
あり、Ｘ、ｙお上りｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦０．６、
Ｘｙ≠０および１０−６≦Ｃ≦５Ｘ　１０−２なる条件
を満たす数である。）で表されるアルカリ上類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記＠され
ている一般式がＬｎＯＸ　：　ｘΔ （但しＬ　ｎはＬａ、ＹｔＧｄおよびＬｕの少なくとも
１つを、ＸはＣａおよび／またはＢｒを、ＡはＣｅおよ
び／またはＴｂを、×はＯ＜ｘ＜０．１を満足する数を
表す。）で表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号
に記＠されている一般式が （Ｂａ、−ｘＭ”ｘ）Ｆ　Ｘ　　：　ｙＡ（但しＭＷは
、Ｍ　Ｈ＋　Ｃａ　ｒ　Ｓ　ｒ　ＨＺ　ｎおよびＣｄの
うちの少なくとも１つを、ＸはＣ１，ＢｒおよびＩのう
ち少なくとも１つを、Ａ１．ｔＥｕ＋Ｔｂ＋Ｃｅ＋Ｔ＋
ａｙＤｙ＋Ｐ　ｒ、Ｈｏ、Ｎ　ｄ、Ｙ　１１お上りＥｒ
のうちの少な（とも１つを、Ｘおよびｙは０≦Ｘ≦０．
６およびＯ≦ｙ≦０．２なる条件を満たす数を表す。）
で表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載さ
れている一般式がＢ　ａＦ　Ｘ　：ｘＣｃｖｙＡ （但し、ＸはＣ１，ＢｒおよＩ／Ｉのうちの少なくとも
１つ、ＡはＩ　ｎ、Ｔ　１．Ｇ　ｄ、Ｓ　ｍおよびＺｒ
のうちの少なくとも１つであり、Ｘおよびｙはそれぞれ
ＯくＸ≦２　Ｘ　１０−’およびＯ＜ｙ≦５Ｘ１０−２
である。）で及される蛍光体、特開昭５５−１６００７
８号に記載されている一般式が ＭＹＦ　Ｘ−ｘＡ　　：　ｙＬｎ （（旦しＭＹはＭｇ＋Ｃａ＋Ｂａ＋Ｓ　ｒ、Ｚｎおよび
Ｃｄのうちの少なくとも１種、Ａ１．ｔＢｅＯ，ＭｇＯ
，ＣａＯ＋ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｚ　ｎｏ　、Ａ　１２０３
．Ｙ　２０３−Ｌ　ａ２０３−Ｉ　ｎ□Ｏｚ、Ｓ　ｉｏ
　２．Ｔ　ｉｏ　２．Ｚ　ｒｏ　２−Ｇ　ｅｏ　ｚ−８
ｎ○２゜Ｎ１」２０５　ＨＴ　ａ　２　Ｄ　ｓおよびＴ
　ｂ　Ｏ２のうちの少なくとら　　１　　■虫　、　　
　■、　１１　　は　Ｅｕ＋Ｔｂ＋Ｃｃ＋Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ
＋　　Ｐ　ｒ　、　Ｉｌｏ＋Ｎｄ＋Ｙｌ）、Ｅｒ、Ｓｒ
ｎおよびＧ　ｄのうちの少なくとら１　ｆ！１１であり
、ＸはＣ１８，Ｂ＋・お上び工のうちの少なくと６１（
重であり、Ｘおよびｙはそれぞれ５Ｘ１０−５≦Ｘ≦０
゜５およびＯ＜ｙ≦０．２なる条件をＧ４だす数である
。）て・表される希土類元素付活２価金属フルオロハラ
イド蛍光体、特開昭５７−１４８２８５号に記載されて
いる下記いづれかの一般式 ％式％： （式中、ＭおよびＮはそれぞれＭｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ、Ｂａ
ｒＺ　ｎおよびＣｄのうち少な（とも１種、Ｘｌ、ｔＦ
、（１゜Ｉ’３ｒ、オｊよび■のうち少なくとも１秤、
ＡはＩ”：ｕ、Ｔｂ＋ｃｃ＋Ｔ＋ｎ＋Ｄｙ＋Ｐｒ、Ｈｏ
＋Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｓｂ、ＴＬＭ　ｎおよびＳ　ｎの
うち少なくとも１種を表す。また、ＸおよびｙはＯ＜ｘ
≦６．０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で表さ
れる蛍光体、下記いづれかの一般式 ％式％： （式中、ＲｅはＬ　ａ　ｌＧ　ｄ　＋　Ｙ　、Ｌ　ｕの
うち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａのうち少なくとも１種、ＸおよびＸ′はＦ、Ｃ
ｆ、Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、×およ
びｙは、Ｉ　Ｘ　１０−”　＜　Ｘ＜　３　Ｘ　１０−
’、Ｉ　Ｘ　１０−″＜　ｙ＜　ｉ　ｘ　ｔｏ−’なる
条件をγ閃たす数であり、ｎ　／　ｔｏはＩ　Ｘ　１０
−’　＜　１１／　ｍ　＜　７　Ｘ　１０−’なる条件
を満たす。）で表される蛍光体、および下記一般式 ％式％： （（旦し、ＭＹはＬ　ｉ、Ｎａ、Ｋ　、Ｒｂ、およびＣ
ｓから選ばれる少なくと６１！！１のアルカリ金属であ
り、ＭＷはＢ　ｅ　＋　Ｍ　Ｂ＋　Ｃａ　＋　Ｓ　ｒ　
＋　Ｉ３　ａ　＋　Ｚ　ｎ　ｒ　Ｃｄ　＋　Ｃｕおよび
Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の二価金属である。Ｍ
ｚはＳｃ、Ｙ　、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐ＋ｎ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ。 Ｄｙ、ｌｌ０ＩＥｒ、Ｔｌｌ１．Ｙｂ１ＬｕｌＡ１．Ｇ
ａ、およびＩｎから選ばれる少なくとも１種の二価金属
である。ＸＩＸ′およびｘ　”はＦ、ＣＮ、Ｂｒお上び
Ｉから選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。Ａは
Ｅ　ｕ、　Ｔ　ｂ。 Ｃｅ、Ｔｌｌ１．Ｄｙ、Ｐｒ、ＩＴｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅ
ｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、５ｔａｒＹｒ　Ｔ　ｌ　＋　Ｎ　ａ　
ｒ　Ａ　Ｂ＋　ＣｕおよびＭ　ｇから選ばれる少なくと
も１種の金属である。 またｄは０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、１〕は０
≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ＣはＯ＜ｃ≦０．２
の範囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍
光体等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は蒸
着・スパッタリング等の方法で輝尽層を形成させやすく
好ましい。 しかし、本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍尤
体は、前述の蛍光体に限られるものて゛はなく、放射線
を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝が発光を示
す蛍光体であればいがなる蛍光体であってもよい。 本発明の変換パネルは前記の尤輝尽性蛍尤体の少なくと
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群を有してもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる尤輝尽性蛍尤体は同一・であってもよいが異なっ
ていてもよい。 前記輝尽層は、特開昭１３１−７３１００号に述べられ
ているように尤輝尽性蛍尤体を蒸着法、スパッタリング
法等の方；よを用いることに上り結着側を合有しない層
状部分として支持体上に形成してもよいし、光輝尽性蛍
光体を適当な結着剤中に分散して塗布液を調製し、それ
を支持体上に塗布することにより形成してもよい。本発
明の変換パネルにおいて、結着剤を用いる場合には、例
えばゼラチンの如き蛋白質、デキストランの如きポリサ
ッカライドまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラード
、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロー
ス、塩化ビニリデン−塩化とニルコポリマ、ポリメチル
メタクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマ、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチラード、ポリビ
ニルアルコール等のような通常ＷＩ？Ａ成に用いられる
結着剤が使用される。 しかし、本発明の変換パネルに関しては、とくに前記特
開昭６１−７３１００号において提案されているように
、輝尽層が結着剤を含有しない構造を有することが好ま
しい。結着剤を含有しない輝尽層の形成法としては、以
下のような方法があげられる。 Ｐｔ５１の方法として蒸着法がある。該方法においては
、まず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を損気し
て１０−’Ｔｏｒｒ程度の真空度とする。次いで、前記
尤輝尽性蛍尤体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレク
トロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表
面に光輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない輝尽層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽層を形成すること
も可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。 また、重工蒸着法においては、光輝尽性蛍尤体原料を複
数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共
蒸着し、支持体上で目的とする光輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽層を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後Ｖ％尽層を加熱処理してもよい。 第２の方法としてスパッタリング法がある。該方法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスバ・／夕装置内に装
置した後装置内を一旦排気して１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の
真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとして△ｒ
、Ｎｃ等の不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０
−’Ｔｏｒｒ程度のブス圧とする。 次に、前記光輝尽性蛍尤体をターデッドとして、スパッ
タリングすることにより、前記支持体表面に光輝尽性蛍
毘体を所望の厚さにｌ［、積させ、前記蒸着法と同ｔｐ
に輝尽層を形成することができる。 第３の方法としてＣＶＤ法がある。該方法は目的とする
光輝尽性蛍尤体あるいは光輝尽性蛍光体原料を含有する
ｎ１金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギで分解゛
ｒることにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽層
を得る。 第４の方法として吹着は法がある。該方法は光暉尽性蛍
尤体粉末を粘着層上に吹き着けることにより支持体上に
結着剤を含有しない輝尽層を得る。 本発明の変換パドルの輝尽層の層１１７は、目的とする
変換パネルの放射線１こ対する感度、尤、暉尽性蛍尤体
の種類等によって異なるが、結着剤を含有しない場合で
１０μｍ〜１０００μＩの範囲、さらに好ましくは２（
Ｊｌｌｚ〜８００μ屑の範囲から選ばれるのがｉＨ７ま
しく、精若斉りを含ｆ丁するＩ易会で１０μＩ〜１００
０メ！ｌの範囲、さらに好ましくは２０μｕ−５００７
７、＋１（７）　＠間から選ばれるのが好ましい。 本発明の変換パネルは、（：）られる放射線画像の鮮鋭
性を向上させる目的で、たとえば特開昭６１−２４６７
００５に述べられているような輝尽層が前記支持体面に
は（丁重直方向に伸びた微細柱状ブロック（）ユ逍を有
する構造、特開昭６１−１４２４９７号に述べられてい
るような人血に多数の微細な凹凸パターンを有する支持
体と、前記支持体上に曲記表面構造をそのまま引き継い
だ、微細柱状ブロック構造から成る輝尽層とを有する構
造、特開昭６１−１４２．４９８号に述べられているよ
うな多数の微小タイル状板が１攻１１１１な間隙により
互いに隔絶されて敷きつめられた如き表面構造を有する
支持体と、前記支持体上に重工表面（１η造をそのまま
引き雛いだ微細柱状ブロック（１弯造から成る輝尽層と
を有する構造、特開昭６１−１４２４９９号にｊ杢べら
れているような多数の微小タイル状板と該微小タイル状
板夫々を取り凹んでなっ夫々を区画する細線網と該微小
タイル状板上に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱
状プロ、り構造のＩＴＩ尽層とを有するｖＩ造、特開昭
６１−１４２５００号に述べられているような支持体表
面に多数分布し、且つ間隙をもって互いに＠散している
微小タイル状の面上から厚み方向に堆積された４尽層に
ショック処理を加えることによって前記微小タイル状板
間の間隙から該層表面に向って発達させたフレバスを有
する微細柱状ブロック構造から成る輝尽層を設けた構造
としてもよい。 また、本発明の変換パネルにおいて得られる放射線画像
の鮮鋭性向上の目的でＶ＄尽層中に白色粉末を含有させ
てもよいし、輝尽層を輝尽励起光を吸収するような着色
剤で着色してもよい。あるいは支持体と輝尽層との間に
白色含量を含有する光反射層を設けてもよい。 次に、輝尽層の支持体側とは反対側の面および必要に応
じてその他の面に保護層を設けることが好ましい。保護
層の形成方法としては、以下に述べるような方法が用い
られる。 第１の方法として、特開昭５９−４２５００号に開示さ
れているように透明性の高い高分子物質を適当な溶媒に
溶解して１ｇ！１８！した溶液を保護層を設置すべき面
に塗布し、乾燥させて保護層を形成する方法がある。 第２の方法として、同じく特開昭５９−４２５００号に
開示されているように透明な高分子物質より成る薄膜の
片面に適当な接着剤を付与し、保護層を設置すべき面に
接着する方法がある。 ！ｌ’ｓ１の方法および！ｌ！′Ｓ２の方法において用
いられる保２　Ｊ？’Ｊ用材料としては、たとえば酢酸
セルロース、ニトロセルロース、エチルセルロースなど
のセルロース誘導体、あるいはポリメチルメタクリレー
ト、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リカーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニトリ
ロニトリル、ポリメチルアリルアルフール、ポリメチル
ビニルケトン、セルロースノアセテート、セルロースト
リアセテート、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸
、ポリメタクリル酸、ポリグリシン、ポリアクリルアミ
ド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド（ナイロン）、ポリ
四弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロ
ピレン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、
ポリビニルイソブチルエーテル、ポリスチレンなどがあ
げられる。 第３の方法としては、特開昭６１−１７６９００号に述
べられているように放射線硬化型樹脂または熱硬化型樹
脂の少なくともいずれか一方を含有する塗布液を保ａ層
を設置すべき面に塗布し、特開昭６１−１７６９００号
に示したような装置を用いて紫外線あるいは電子線など
の放射線の照射および／または加熱を施して前記塗布液
を硬化させる方法がある。 重工数射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を２個以上有
するプレポリマおよび／またはオリゴマであり、さらに
、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビニルモノ
マ）を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記第１の方法、第２の方法または第３の方法により形
成される保：＆層の一層の層厚は１μｍ〜１０００μｌ
程度、さらに好ましくは２μＩＦ〜５０μ肩程度の範囲
ｉこあることが好ましい。 第４の方法としては、Ｓ１０□、ＳｉＣ，ＳｉＮ、Δ１
２０１等の無は物質層を真空蒸着法、スパンタリング法
等により形成する方法がある。前記無代物質層の層厚は
０．１μ屑〜１００μ屑程度が好ましい。 本発明の変換パネルは、支持体上に輝尽層を設けた後に
該輝尽層上に保護層を形成して製造してもよいし、あら
かじめ形成した保護層を前記輝尽層」−に付設して製造
してもよい。あるいは保護層上に輝尽層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の変換パネルにおいて、保護層は互いに吸湿性の
異なる二つ以上の層の組み合わせより成ってもよい。前
記保護層のうち、相対的に吸湿性の小さい保：！！！層
用に用いられる材料としては、たとえばポリエチレン、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリ
プロピレン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルイソブチルエーテ
ル、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン−塩
化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−７クリロニトリル
共重合体、塩化ビニリデン−インブチレン共重合体、ポ
リスチレン、エポキシ系ポリマおよびアクリル系ポリマ
などが好ましい。また、相対的に吸湿性の大きし）保：
１１層用に用いられる材料としては、たとえばポリビニ
ルアルコール、ポリアクリル７ミド、ポリグリシン、ポ
リメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアミン、セルロースジアセテート、セル
ローストリアセテート、ナイロン４、ナイロン６、ナイ
ロン１２、ナイロン６６、ポリ酢酸ビニル、ポリメチル
アリルアルコールなどが好ましい。 本発明の実施態様中好ましいのは、前記吸湿性の小さい
保護層用の材料として挙げた一群の材料の中から少なく
とも一種類を選び、また前記吸湿性の大きい保護層用の
材料として挙げた一群の材料の中から少なくとも−Ｆ１
類を選んで前者を外側、後者を内側すなわち輝尽層に接
する側に配置した複合保？／ｌ　ｗＩを有する変換パネ
ルである。 本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられる。すなわち、第６図において
、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発明
の変換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該変換パネ
ルより放射された輝尽発光を検出する充電変換装置、２
６は２５で検出された信号を画像として再生する装置、
２７は再生された画像を表示する装置、２８は輝尽励起
光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフ
ィルタである。なお、２５以降は２３からの光情報を何
らかの形で画像として再生できるものであればよ（、上
記１こ限定されるしのではない。 第６図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２を通して変換パネル２３に入射する。 この入射した放射線は変換パネル２３の輝尽層に吸収さ
れ、そのエネルギが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が
形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。 放出される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
量に比例するので、この光信号は例えば光電子増倍管等
の充電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６に
よって画像として再生し、画像表示ｖｃ置２７によって
表示することにより、被写体の放射線透過像を観察する
ことができる。

【実施例］ 次に、実施例によって本発明を説明する。 実施例１ 支持体として５００μｚＦＩ−の化学強化ガラスを蒸着
器中に設置した。次に抵抗加熱用のタングステンボート
中にアルカリ／％ライド光輝尽性蛍光体（０，９旧ＪＢ
ｒ　・０．ＩＣ５Ｆ：０．０ＩＴＩ）を入れ、抵抗加熱
用電極にセットし、続いて蒸着器を排気して２Ｘ１０−
’Ｔｏｒｒの真空度としｒこ。 次にタングステンポー）１ｍ’ｉ流を流し、抵抗加熱法
によってアルカリノλライド光暉尽性蛍光体をμＩの１
７さになるまで′１１を積させた。 次にこのパネルを火気中に取出した後、化学強化ガラス
のＫ１１ｌ尽Ｍの、設けられていない面に、ポリイミド
フィルム上にＩＴＯを蒸着した導Ｔｉ膜シート（ミクロ
技術研究新製、１０Ω／口）を接着し、また輝尽層表面
には２０μｌ厚の透明ポリエチレンテレ７タレートンー
トを接着して、第１図（ｌＪ）に示した補遺の本発明の
変換パネル八を得た。 この変換パネル八に電極と１３図の様な温度制御回路を
取付け、８０℃に輝尽層を加熱しながら、３０°Ｃ１相
対湿度７０％の恒温室に放置し、経時による感度変化を
測定した結果をｉ７図曲線ａに示す。 実施例２ 実施例１において、輝尽層の加熱を１・１０℃にした以
外は実施例１と同様にして経時による感度変化を測定し
、第７図曲線すをえた。 実施例３ 実施例１において、支持体として予め輝尽層を設ける側
に透明導電膜（ＩＴｏ、１０Ω／口）が蒸ｒｉされて施
例１と同様にして本発明の変換パネルＢを得た。 尚透明導電膜上には透明導電膜と光輝尽性蛍光体との反
応を防止するためのＳｉＯ膜（２０００＾）が設けであ
る。次にこの変換パネルＢの経時による感度変化を実施
例１と同様にして測定し、ｆｊＳ７図曲線Ｃとして示す
。 比較例１ 実施例１で作製した変換パネルへのＸ１ＴＩ尽層を加熱
しないで３０’Ｃで相対温度７０％の恒温室に放置し、
経口、テによる感度変化を測定した結果を１７図曲線ｐ
として示す。 第７図より、本発明の変換パネルは輝尽層を加熱するこ
とによって吸湿・による感度の低下を防止し、使用の恒
久性が保証される。 実施例４ アルカリハライド光輝尽性蛍光体（０，９ＲｂＢｒ・０
、ＩＣ５Ｆ：０．０１ＴＩ）８重量部とポリビニルブチ
ラール（邊（脂１重量部と溶剤（シクロヘキサノン）５
重量部を用いて混合・分散し、輝尽層重塗布液を調整し
た。 次にこの塗布液を水平に置いた５００μｌ厚の化学強化
〃う久支持体上に均一に塗布し、自然乾燥させて３００
μ屑厚の輝尽層を形成した。 このようにして得られたパネルの化学強化ガラスの輝尽
層の設けられていない面に実施例１と同様の導電性シー
トを接着し、また輝尽層表面には２０μｌ厚の透明ポリ
エチレンテレフタレートシートを接着して本発明の変換
パネルＣをｉＧだ。 実施例１の変換パネル八と本文施例の変換パネルＣとを
３０℃で相対湿度８０％の恒温室に十分長期間放置した
後、３０　”Ｃで相対湿度６０％の恒温室に取り出し、
第３図の様な温度制御回路を取付け、輝尽層を８０°Ｃ
に加熱して前記変換パネル＾、Ｃの感度回復の様子を調
べた。結果を第８図曲線ｄ（変換パネル層、曲線ｅ（変
換パネルＣ）として示す。 比較例２ 実施例１の変換パネル＾を実施例４と同様に３０°Ｃで
相対湿度８０％の恒温室に十分長期間放置した後、３０
°Ｃで相対湿度６０９６の恒温室に取り出し、輝尽層を
加熱しないで前記変換パネルへの感度回復の様子を調べ
た。結果を第８図曲線ｑとして示す。 第８図より、本発明の変換パネルは吸湿により一旦感度
が低下しても、輝尽層の加熱により感度が回復すること
がわかる。尚、本発明の変換パネルのうち変換パネル＾
は輝尽層に結着剤を含んでいないので、感度の回復が早
い。 【発明の効果】 以上述べたように加熱磯構を内蔵させた本発明の変換パ
ネルは、 （１）加熱することにより、輝尽性蛍光体への水分の吸
着が防止され、放射線に対する感度の低下、７エーデイ
ングの増大等が阻止される。 （２）加熱することに上り輝尽性蛍光体に吸着された水
分が放出され、水分１ｆｆ１着による輝尽性蛍光体の劣
化性能が回復する。 （３）加熱することにより、艮か命残光を引きおこすト
ラップレベルの：２！７積エネルギが読取前に放出され
、残光が減少してＳ／Ｎが向上する。 等の好ましい挙動を有し、変換パネルの使用恒久性が上
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の変換パネルの態様例の断面図である。 第２図は発熱体の回路パターンを示す図、第３図は温度
制御のブロック図である。 第４図は変換パネル輝尽層の除湿効率を示す図であｌ）
、１５図は１７Ｉ尽層の含水））・（と感度の関係を示
す図である。 １５５６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像読
取り方法を説明する概要図である。第７図は防湿に討す
る温度効果を示し、第８図は加熱による感度回復挙動を
示すグラフである。 １・・・支持体、　　　　２・・・輝尽層、３・・・保
護層、　　　　１１−１・・・発熱支持体、２Ｈ・・・
発熱輝Ｅ一層、　３　Ｈ・・・発熱保護層、Ｈ１、Ｈ２
及びＨ４・・・発熱層、 Ｈ３・・・支持発熱体。 出願人　　小西六写真工業株式会社 第１図 第２図 第３図 Ａ　　：、ｌ！Ｌ　Ｌ　し■１仁コニ、１？１Ｂ羞度訓
岬昏 第４図 吟間（吟） Ｏｆ　　　　　　　　　　Ｚ 含・Ｋ東（〃） 第６図 ２１・力（３１線発−及１ ２２　　恨与惨 ２３　、　　万に身丁キキヒ、ｔｌ＆セダしｌぜ土ｌし
２７・・ガ（紅穐Ｊｄ本表小臥工 Ｚ９・　〕４ルタ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネルに
   乾燥用発熱体が組込まれていることを特徴とする放射線
   画像変換パネル。
2. （２）前記乾燥用発熱体が放射線画像変換パネルの光輝
   尽性蛍光体層に接して設けられていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変換パネル。
3. （３）前記乾燥用発熱体が放射線画像変換パネルの支持
   体に接して設けられていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項または第２項記載の放射線画像変換パネル。
4. （４）前記乾燥用発熱体が前記放射線画像変換パネルの
   支持体を兼ねることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   乃至第３項のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。
5. （５）前記乾燥用発熱体が前記放射線画像変換パネルの
   保護層を兼ねることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   乃至第４項のいずれかに記載の放射線画像変換パネル。