JPH0631910B2 - 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル - Google Patents
発熱体を組込んだ放射線画像変換パネルInfo
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- JPH0631910B2 JPH0631910B2 JP61289691A JP28969186A JPH0631910B2 JP H0631910 B2 JPH0631910 B2 JP H0631910B2 JP 61289691 A JP61289691 A JP 61289691A JP 28969186 A JP28969186 A JP 28969186A JP H0631910 B2 JPH0631910 B2 JP H0631910B2
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Description
本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐え
うる放射線画像変換パネルに関するものである。
関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐え
うる放射線画像変換パネルに関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギで励起することによりこの蛍光体が上記吸収に
より蓄積している放射線エネルギを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許3,859,527号および特開昭55-1214
4号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または赤外線を輝
尽励起光とした放射線画像変換方法が示されている。こ
の方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画
像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パ
ネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当て
て被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギ
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光
体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギを放射させてこれを光に変換し、こ
の光の強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピとして再生してもよい
し、CRT上に再生してもよい。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光
の走査によって蓄積エネルギを放出するので、走査後再
度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可
能である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間あるいは多数回
の繰返しの使用に耐える性能を有することが望ましい。
そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性蛍光
体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十分に
保護される必要がある。 とくに輝尽性蛍光体は吸湿性が強く前記輝尽性蛍光体層
が水分を吸収すると、弗化臭化バリウム系蛍光体（例え
ばBaFBr：Eu）等は分解し放射線に対する感度が低下す
る。またアルカリハライド系蛍光体（例えばRbBr：Tl）
等は吸湿、脱湿により放射線に対する感度が変動し、ま
た蓄積放射線エネルギのフェーデング速度が上下し、撮
影条件が不安定となり、また得られる放射線画像の画質
の劣化をもたらすため、前記輝尽性蛍光体層に水分が含
有されないよう保護することが望まれてきた。 従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の問題の
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝
尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法がとられ
てきた。 この保護層は、たとえば特開昭59-42500号に記述されて
いるように、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接
塗布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成し
た保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により形成
されている。 さらに本発明者等は特開昭61-176900号および特願昭60-
156346号において、放射線照射および／または加熱によ
って重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹脂素材を含
有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に塗布した
後、放射線の照射および／または加熱により前記樹脂素
材を硬化させて保護層を形成する方法を提案している。 放射線画像変換パネルの長寿命化を達成するために特に
耐湿性の点でのよりいっそうの改良が望まれているが、
前記保護層の透湿性を低下させるための方法以外は防湿
性に関してほとんど検討されていないのが現状である。
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
とるときと同じように銀塩を使用したフィルムに照射し
て現像した、いわゆる放射線写真が利用されている。し
かし、近年銀塩を塗布したフィルムを使用しないで蛍光
体層から直接画像を取り出す方法が工夫されるようにな
った。 この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に
吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱
エネルギで励起することによりこの蛍光体が上記吸収に
より蓄積している放射線エネルギを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許3,859,527号および特開昭55-1214
4号には輝尽性蛍光体を用い可視光線または赤外線を輝
尽励起光とした放射線画像変換方法が示されている。こ
の方法は支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画
像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パ
ネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当て
て被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギ
を蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光
体層を輝尽励起光で走査することによって各部の蓄積さ
れた放射線エネルギを放射させてこれを光に変換し、こ
の光の強弱による光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピとして再生してもよい
し、CRT上に再生してもよい。 この放射線画像変換方法において使用される放射線画像
変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光
の走査によって蓄積エネルギを放出するので、走査後再
度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可
能である。 そこで、前記放射線画像変換パネルは、得られる放射線
画像の画質を劣化させることなく長期間あるいは多数回
の繰返しの使用に耐える性能を有することが望ましい。
そのためには前記放射線画像変換パネル中の輝尽性蛍光
体層が外部からの物理的あるいは化学的刺激から十分に
保護される必要がある。 とくに輝尽性蛍光体は吸湿性が強く前記輝尽性蛍光体層
が水分を吸収すると、弗化臭化バリウム系蛍光体（例え
ばBaFBr：Eu）等は分解し放射線に対する感度が低下す
る。またアルカリハライド系蛍光体（例えばRbBr：Tl）
等は吸湿、脱湿により放射線に対する感度が変動し、ま
た蓄積放射線エネルギのフェーデング速度が上下し、撮
影条件が不安定となり、また得られる放射線画像の画質
の劣化をもたらすため、前記輝尽性蛍光体層に水分が含
有されないよう保護することが望まれてきた。 従来の放射線画像変換パネルにおいては、上記の問題の
解決を図るため、放射線画像変換パネルの支持体上の輝
尽性蛍光体層面を被覆する保護層を設ける方法がとられ
てきた。 この保護層は、たとえば特開昭59-42500号に記述されて
いるように、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接
塗布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成し
た保護層を輝尽性蛍光体層上に接着する方法により形成
されている。 さらに本発明者等は特開昭61-176900号および特願昭60-
156346号において、放射線照射および／または加熱によ
って重縮合あるいは架橋反応して硬化する樹脂素材を含
有する保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に塗布した
後、放射線の照射および／または加熱により前記樹脂素
材を硬化させて保護層を形成する方法を提案している。 放射線画像変換パネルの長寿命化を達成するために特に
耐湿性の点でのよりいっそうの改良が望まれているが、
前記保護層の透湿性を低下させるための方法以外は防湿
性に関してほとんど検討されていないのが現状である。
本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
における前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は輝尽性蛍光体層の乾燥度を保ち、長
期間にわたり良好な状態で使用が可能である放射線画像
変換パネルを提供することにある。
における前述のような現状に鑑みてなされたものであ
り、本発明の目的は輝尽性蛍光体層の乾燥度を保ち、長
期間にわたり良好な状態で使用が可能である放射線画像
変換パネルを提供することにある。
前記した本発明の目的は、光輝尽性蛍光体を用いる放射
線画像変換パネルに乾燥用発熱体が組込まれていること
を特徴とする放射線画像変換パネルによって達成され
る。 尚本発明の態様として前記乾燥用発熱体は放射線画像変
換パネルの構成層、支持体中に含有組込まれてもよい
し、発熱体からなる層を別途設けてもよい。 次に本発明を具体的に説明する。 光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネル（以後変
換パネルと略称する）は、一般に支持体上に光輝尽性蛍
光体層（以後輝尽層と略称する）と該輝尽層の機能を補
完するための各種構成層（例えば保護層、フィルタ層或
は接着層等）からなっている。 第１図に本発明の変換パネルの各種態様を例示する。 第１図(a)において、１は支持体、２Ｈは乾燥用発熱体
（以後発熱体と略称する）が含有組込まれた発熱輝尽
層、３は保護層である。尚該保護層が輝尽層の周側面ま
で被覆する例を示した。同図(b)は輝尽層２に対する支
持体１の裏面に発熱体からなる発熱層Ｈ１が支持体１に
接して設けられており、同図(c)において発熱体からな
る発熱層Ｈ２は支持体に関し輝尽層２と同側、支持体に
接して設けられ、保護層３は輝尽層２のみの全表面を被
覆している。同図(d)において１Ｈは支持体中に発熱体
が含有組込まれた発熱支持体である。同図(e)において
は、Ｈ３は発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体であ
り、保護層３が輝尽層２及び支持発熱体Ｈ３の裏面を含
め全表面を包んで被覆している。同図(f)は発熱層Ｈ４
が輝尽層２の上面に接して設けられ、同図(g)では輝尽
層２が発熱層Ｈ２およびＨ４に差挟まれた態様である。
同図(h)は発熱体が含有組込まれた発熱保護層３Ｈを有
する例である。 本発明の変換パネルは上例に限らないが、発熱体からな
るか或は発熱体が含有組込まれた層が輝尽層より保護層
側にあり且つ画像読取りを保護層側から行う形態のとき
には該発熱体は透明な物質が用いられる。 前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末を用い
られることが好ましい。 また発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インジウム
等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパッ
タリングによる薄膜、またはカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。 また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体に
は、カーボンファイバシート等が用いられる。 変換パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は
40〜150℃、好しくは40〜80℃であって、該温度範囲に
おいては、支持体、保護層に非耐熱性素材（例えばポリ
エチレンテレフタレート等）使用の自由が許される。ま
た加熱温度が高すぎると、読取り時には輝尽層への放射
線エネルギ蓄積にロスを生じたり、残光量が増大したり
して好ましくない。 加熱の時期は放射線画像を輝尽励起する読取り時および
／または非読取り時の任意時期でよい。乾燥に要する時
間は含湿により30％相対感度に低下した変換パネルに於
ても80℃で1.0〜2.0時間でほぼ100％に回復できる。尚
気相堆積によるバインダフリーの輝尽層の方が乾燥効率
（感度回復速度）がよい。 また読取り時よりも非読取り時の加熱温度を高め乾燥効
果および画像消去効率を上げる等の方策を講じてもよい
し、読取り時は加熱を中止するようにしてもよい。 また使用の度毎に逐次乾燥処理を行ってもよいし、夜間
等の非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回
復不能に陥入らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を
行ってもよい。 前記した態様例のように発熱体を変換パネルに組込む場
合、発熱体は電流回路を形成しパネル全面に充分加熱効
果を及しうる形態であれば如何様のパターンを採っても
よい。その例を第２図に示す。同図(a)は発熱体に均一
薄層回路を形成させた例であり、同図(b)は櫛型、同図
(c)は屈曲単線型回路とした例である。第２図において
Ｐは電極、Ｈは発熱体である。 次に変換パネルの乾燥温度制御は熱電対等の温度検出器
に温度制御器、ヒータ用電源を組合せることによって容
易に行うことができる。第３図にその１例のブロツク図
を示した。 上記詳述した本発明の変換パネルは、輝尽性蛍光体プレ
ートを内蔵した撮影・読取一体型放射線画像読取装置に
利用することが特に適しているが、撮影、読取装置が別
個になっている場合にも利用できる。 また別個の装置の場合、加熱・乾燥装置を用いてもよ
い。 次に本発明の変換パネルの除湿効率の一例を第４図に示
す。該変換パネルの構造は第１図(c)の仕様であり、光
輝尽性蛍光体としてはRbBr：Tl蛍光体を用いている。 また第５図に前記変換パネルの輝尽層の含水率（水mg／
輝尽層９）と感度の関係を示す。 図に明かなように輝尽層の加熱により、該層の除湿及び
防湿がなされ、変換パネルの使用恒久性が保証される。 本発明の変換パネルにおいて用いられる支持体としては
各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられる。情報記
録材料としての取扱い上可撓性のあるシート或いはウェ
ブに加工できるものでもよく、この点から例えばセルロ
ースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート或は該金属
酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μｍ〜1000μｍであり、取
扱い上の点から、さらに好ましくは80μｍ〜500μｍで
ある。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽層と
の接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。ま
た、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔絶された
微小タイル状板を敷きつめた構造としてもよい。 さらに、これら支持体は、輝尽層との接着性を向上させ
る目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けてもよ
い。 一般に変換パネルにおいて輝尽性蛍光体とは、最初の光
もしくは高エネルギ放射線が照射された後に光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギの放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体を謂うが、実際上光輝
尽性および熱輝尽性蛍光体が主体である。 前記熱輝尽性蛍光体を用いた変換パネルには発熱機構が
組込まれるか取入れられて、蓄積した放射線画像を熱励
起し画像読出しが行われる。尚熱励起に用いる熱量は高
々秒単位の熱励起時間では到底変換パネルの蛍光体を乾
燥するに足る熱量ではない。 前記、熱輝尽性蛍光体は励起に対する応答性が遅い、時
系列的に読取ることがむずかしい等の理由により実用上
光輝尽性蛍光体が有用であり、また500mm以上の輝尽励
起光で輝尽発光するものが好ましい。 本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍光体として
は、例えば米国特許3,859,527号に記載されているSrS：
Ce,Sm、SrS：Eu,Sm、La2O2S：Eu,Smおよび(Zn,Cd)S：Mn,X
（但しＸはハロゲン）で表される蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55-12142号に記載されているZnS：Cu,Pb蛍
光体、一般式がBaO・xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で
表されるアルミン酸バリウム蛍光体、および一般式MIIO
・xSiO2：Ａ（但しMIIはMg,Ca,Sr,Zn,CdまたはBaであり
ＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiおよびMnのうち少なくとも１
種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表されるアル
カリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55-12143号に記載されている一般式が (Ba1-x-yMgxCay)FX：eEu2 + （但しｘはBrおよびClの中の少なくとも１つであり、x,
yおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０および10
-6≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表さ
れるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-1
2144号に記載されている一般式が ＬnOX：xA （但しＬｎはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも１つを、Ｘ
はＣｌおよび／またはＢｒを、ＡはＣｅおよび／または
Tbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表さ
れる蛍光体、特開昭55-12145号に記載されている一般式
が (Ba1-xMIIx)FX：yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,ZnおよびＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはCl,BrおよびＩのうち少なくとも１つ
を、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,YbおよびＥｒのうち
の少なくとも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および
０≦ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表す。）で表される
蛍光体、特開昭55-84389号に記載されている一般式が BaFX：xCe,yA （但し、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくとも１つ、
ＡはIn,Tl,Gd,SmおよびＺｒのうちの少なくとも１つで
あり、ｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０
＜ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開昭55
-160078号に記載されている一般式が ＭＩＩＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭＩＩはMg,Ca,Ba,Sr,ZnおよびＣｄのうちの少な
くとも１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y
2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2
O5およびThO2のうちの少なくとも１種、ＬｎはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,SmおよびＧｄのうちの少なく
とも１種であり、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくと
も１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ５＜×10-5≦ｘ≦
0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で
表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光
体、特開昭57-148285号に記載されている下記いづれか
の一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,ZnおよびＣ
ｄのうちの少なくとも１種、ＸはＦ，Cl,BrおよびＩの
うち少なくとも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Y
b,Er,Sb,Tl,MnおよびＳｎのうち少なくとも１種を表
す。また、ｘおよびｙは０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条
件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、下記のいづ
れかの一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ2′：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ2′：xEu,ySm （式中、ＲｅはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａは
アルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ
およびＸ′はＦ，Cl,Brのうち少なくとも１種を表わ
す。また、ｘおよびｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１
×10-4＜ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／
ｍは１×10-3＜ｎ＜ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）
で表される蛍光体、および下記一般式 ＭIＸ・ａＭIIＸ2′・ｂＭIIIＸ3″：ｃＡ （但し、ＭIはLi,Na,K,Rb,およびCsから選ばれる少なく
とも１種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれる少なくとも１種の二価
金属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,およびInから選ばれる少な
くとも１種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′およびＸ″はF,
Cl,BrおよびＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲン
である。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,S
m,Y,Tl,Na,Ag,CuおよびMgから選ばれる少なくとも１種
の金属である。 またａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０≦ｃ＜0.2の範囲の数
値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙
げられる。特にアルカリハライド蛍光体は蒸着・スパッ
タリング等の方法で輝尽層を形成させやすく好ましい。 しかし、本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍光
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明の変換パネルは前記の光輝尽性蛍光体の少なくと
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群を有してもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる光輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なって
いてもよい。 前記輝尽層は、特開昭61-73100号に述べられているよう
に光輝尽性蛍光体を蒸着法、スパッタリング法等の方法
を用いることにより結着剤を含有しない層状部分として
支持体上に形成してもよいし、光輝尽性蛍光体を適当な
結着剤中に分散して塗布液を調製し、それを支持体上に
塗布することにより形成してもよい。本発明の変換パネ
ルにおいて、結着剤を用いる場合には、例えばゼラチン
の如き蛋白質、デキストランの如きポリサッカライドま
たはアラビアゴム、ポリビニルブチラート、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニ
リデン−塩化ビニルコポリマ、ポリメチルメタクリレー
ト、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマ、ポリウレタン、
セルロースアセテートブチラート、ポリビニルアルコー
ル等のような通常層構成に用いられる結着剤が使用され
る。 しかし、本発明の変換パネルに関しては、とくに前記特
開昭61-73100号において提案されているように、輝尽層
が結着剤を含有しない構造を有することが好ましい。結
着剤を含有しない輝尽層の形成法としては、以下のよう
な方法があげられる。 第１の方法として蒸着法がある。該方法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して10
-6Torr程度の真空度とする。次いで、前記光輝尽性蛍光
体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム
法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に光輝尽性
蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない輝尽層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽層を形成すること
も可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。 また、前記蒸着法においては、光輝尽性蛍光体原料を複
数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共
蒸着し、支持体上で目的とする光輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽層を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後輝尽層を加熱処理してもよい。 第２の方法としてスパッタリング法がある。該方法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に装置
した後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度と
し、次いでスパッタリング用のガスとしてAr,Ne等の不
活性ガスをスパッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガ
ス圧とする。 次に、前記光輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッ
タリングすることにより、前記支持体表面に光輝尽性蛍
光体を所望の厚さに堆積させ、前記蒸着法と同様に輝尽
層を形成することができる。 第３の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする光
輝尽性蛍光体あるいは光輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽層を得
る。 第４の方法として吹着け法がある。該方法は光輝尽性蛍
光体粉末を粘着層上に吹き着けることにより支持体上に
結着剤を含有しない輝尽層を得る。 本発明の変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換
パネルの放射線に対する感度、光輝尽性蛍光体の種類等
によって異なるが、結着剤を含有しない場合で10μｍ〜
1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜800μｍの
範囲から選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合
で10μｍ〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜
500μｍの範囲から選ばれるのが好ましい。 本発明の変換パネルは、得られる放射線画像の鮮鋭性を
向上させる目的で、たとえば特開昭61-246700号に述べ
られているような輝尽層が前記支持体面にほぼ垂直方向
に伸びた微細柱状ブロック構造を有する構造、特開昭61
-142497号に述べられているような表面に多数の微細な
凹凸パターンを有する支持体と、前記支持体上に前記表
面構造をそのまま引き継いだ、微細柱状ブロック構造か
ら成る輝尽層とを有する構造、特開昭61-142498号に述
べられているような多数の微小タイル状板が微細な間隙
により互いに隔絶されて敷きつめられた如き表面構造を
有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造をそのま
ま引き継いだ微細柱状ブロック構造から成る輝尽層とを
有する構造、特開昭61-142499号に述べられているよう
な多数の微小タイル状板と該微小タイル状板夫々を取り
囲んでなり夫々を区画する細線網と該微小タイル状板上
に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱状ブロック構
造の輝尽層とを有する構造、特開昭61-142500号に述べ
られているような支持体表面に多数分布し、且つ間隔を
もって互いに離散している微小タイル状の面上から厚み
方向に堆積された輝尽層にショック処理を加えることに
よって前記微小タイル状板間の間隙から該層表面に向っ
て発達させたクレバスを有する微細柱状ブロック構造か
ら成る輝尽層を設けた構造としてもよい。 また、本発明の変換パネルにおいて得られる放射線画像
の鮮鋭性向上の目的で輝尽層中に白色粉末を含有させて
もよいし、輝尽層を輝尽励起光を吸収するような着色剤
で着色してもよい。あるいは支持体と輝尽層との間に白
色含量を含有する光反射層を設けてもよい。 次に、輝尽層の支持体側とは反対側の面および必要に応
じてその他の面に保護層を設けることが好ましい。保護
層の形成方法としては、以下に述べるような方法が用い
られる。 第１の方法として、同じく特開昭59-42500号に開示され
ているように透明性の高い高分子物質を適当な溶媒に溶
解して調製した溶液を保護層を設置すべき面に塗布し、
乾燥させて保護層を形成する方法がある。 第２の方法として、同じく特開昭59-42500号に開示され
ているように透明な高分子物質より成る薄膜の片面に適
当な接着剤を付与し、保護層を設置すべき面に接着する
方法がある。 第１の方法および第２の方法において用いられる保護層
用材料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、エチルセルロースなどのセルロース誘導体、あ
るいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢
酸ビニル、ポリアクリロニトリロニトリル、ポリメチル
アリルアルコール、ポリメチルビニルケトン、セルロー
スジアセテート、セルローストリアセテート、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リグリシン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド（ナイロン）、ポリ四弗化エチレン、ポリ三
弗化−塩化エチレン、ポリプロピレン、四弗化エチレン
−六弗化プロピレン共重合体、ポリビニルイソブチルエ
ーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 第３の方法としては、特開昭61-176900号に述べられて
いるように放射線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂の少な
くともいずれか一方を含有する塗布液を保護層を設置す
べき面に塗布し、特開昭61-176900号に示したような装
置を用いて紫外線あるいは電子線などの放射線の照射お
よび／または加熱を施して前記塗布液を硬化させる方法
がある。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を２個以上有
するプレポリマおよび／またはオリゴマであり、さら
に、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビニルモ
ノマ）を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記第１の方法、第２の方法または第３の方法により形
成される保護層の一層の層厚は１μｍ〜1000μｍ程度、
さらに好ましくは２μｍ〜50μｍ程度の範囲にあること
が好ましい。 第４の方法としては、SiO2,SiC,SiN,Al2O3等の無機物質
層を真空蒸着法、スパッタリング法等により形成する方
法がある。前記無機物質層の層厚は0.1μｍ〜100μｍ程
度が好ましい。 本発明の変換パネルは、支持体上に輝尽層を設けた後に
該輝尽層上に保護層を形成して製造してもよいし、あら
かじめ形成した保護層を前記輝尽層上に付設して製造し
てもよい。あるいは保護層上に輝尽層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の変換パネルにおいて、保護層は互いに吸湿性の
異なる二つ以上の層の組み合わせより成ってもよい。前
記保護層のうち、相対的に吸湿性の小さい保護層用に用
いられる材料としては、たとえばポリエチレン、ポリ四
弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロピ
レン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルイソブチルエーテル、ポ
リエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合
体、塩化ビニリデン−イソブチレン共重合体、ポリスチ
レン、エポキシ系ポリマおよびアクリル系ポリマなどが
好ましい。また、相対的に吸湿性の大きい保護層用に用
いられる材料としては、たとえばポリビニルアルコー
ル、ポリアクリルアミド、ポリグリシン、ポリメタクリ
ル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビ
ニルアミン、セルロースジアセテート、セルローストリ
アセテート、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン12、ナ
イロン66、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルアリルアルコー
ルなどが好ましい。 本発明の実施態様中好ましいのは、前記吸湿性の小さい
保護層用の材料として挙げた一群の材料の中から少なく
とも一種類を選び、また前記吸湿性の大きい保護層用の
材料として挙げた一群の材料の中から少なくとも一種類
を選んで前者を外側、後者を内側すなわち輝尽層に接す
る側に配置した複合保護層を有する変換パネルである。 本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられる。すなわち、第６図におい
て、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発
明の変換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該変換パ
ネルより放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、
２６は２５で検出された信号を画像として再生する装
置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は輝尽
励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させ
るフィルタである。なお、２５以降は２３からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。 第６図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２を通して変換パネル２３に入射する。
この入射した放射線は変換パネル２３の輝尽層に吸収さ
れ、そのエネルギが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が
形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。 放出される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
量に比例するので、この光信号は例えば光電子増倍管等
の光電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６に
よって画像として再生し、画像表示装置２７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。
線画像変換パネルに乾燥用発熱体が組込まれていること
を特徴とする放射線画像変換パネルによって達成され
る。 尚本発明の態様として前記乾燥用発熱体は放射線画像変
換パネルの構成層、支持体中に含有組込まれてもよい
し、発熱体からなる層を別途設けてもよい。 次に本発明を具体的に説明する。 光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パネル（以後変
換パネルと略称する）は、一般に支持体上に光輝尽性蛍
光体層（以後輝尽層と略称する）と該輝尽層の機能を補
完するための各種構成層（例えば保護層、フィルタ層或
は接着層等）からなっている。 第１図に本発明の変換パネルの各種態様を例示する。 第１図(a)において、１は支持体、２Ｈは乾燥用発熱体
（以後発熱体と略称する）が含有組込まれた発熱輝尽
層、３は保護層である。尚該保護層が輝尽層の周側面ま
で被覆する例を示した。同図(b)は輝尽層２に対する支
持体１の裏面に発熱体からなる発熱層Ｈ１が支持体１に
接して設けられており、同図(c)において発熱体からな
る発熱層Ｈ２は支持体に関し輝尽層２と同側、支持体に
接して設けられ、保護層３は輝尽層２のみの全表面を被
覆している。同図(d)において１Ｈは支持体中に発熱体
が含有組込まれた発熱支持体である。同図(e)において
は、Ｈ３は発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体であ
り、保護層３が輝尽層２及び支持発熱体Ｈ３の裏面を含
め全表面を包んで被覆している。同図(f)は発熱層Ｈ４
が輝尽層２の上面に接して設けられ、同図(g)では輝尽
層２が発熱層Ｈ２およびＨ４に差挟まれた態様である。
同図(h)は発熱体が含有組込まれた発熱保護層３Ｈを有
する例である。 本発明の変換パネルは上例に限らないが、発熱体からな
るか或は発熱体が含有組込まれた層が輝尽層より保護層
側にあり且つ画像読取りを保護層側から行う形態のとき
には該発熱体は透明な物質が用いられる。 前記発熱体が含有組込まれた層あるいは発熱支持体には
カーボンブラック、金属微粉末等の導電性微粉末を用い
られることが好ましい。 また発熱体からなる発熱層には、透明な酸化インジウム
等の電気抵抗体の金属酸化物或は金属等の蒸着、スパッ
タリングによる薄膜、またはカーボンブラック、金属微
粉末等を分散懸濁する塗料の塗布膜が用いられる。 また、前記発熱体自身が支持体を兼ねる支持発熱体に
は、カーボンファイバシート等が用いられる。 変換パネルの乾燥もしくは防湿のための加熱温度範囲は
40〜150℃、好しくは40〜80℃であって、該温度範囲に
おいては、支持体、保護層に非耐熱性素材（例えばポリ
エチレンテレフタレート等）使用の自由が許される。ま
た加熱温度が高すぎると、読取り時には輝尽層への放射
線エネルギ蓄積にロスを生じたり、残光量が増大したり
して好ましくない。 加熱の時期は放射線画像を輝尽励起する読取り時および
／または非読取り時の任意時期でよい。乾燥に要する時
間は含湿により30％相対感度に低下した変換パネルに於
ても80℃で1.0〜2.0時間でほぼ100％に回復できる。尚
気相堆積によるバインダフリーの輝尽層の方が乾燥効率
（感度回復速度）がよい。 また読取り時よりも非読取り時の加熱温度を高め乾燥効
果および画像消去効率を上げる等の方策を講じてもよい
し、読取り時は加熱を中止するようにしてもよい。 また使用の度毎に逐次乾燥処理を行ってもよいし、夜間
等の非使用時或は蛍光体が水分により分解しその機能回
復不能に陥入らない限度の長期貯留後に一括除湿処理を
行ってもよい。 前記した態様例のように発熱体を変換パネルに組込む場
合、発熱体は電流回路を形成しパネル全面に充分加熱効
果を及しうる形態であれば如何様のパターンを採っても
よい。その例を第２図に示す。同図(a)は発熱体に均一
薄層回路を形成させた例であり、同図(b)は櫛型、同図
(c)は屈曲単線型回路とした例である。第２図において
Ｐは電極、Ｈは発熱体である。 次に変換パネルの乾燥温度制御は熱電対等の温度検出器
に温度制御器、ヒータ用電源を組合せることによって容
易に行うことができる。第３図にその１例のブロツク図
を示した。 上記詳述した本発明の変換パネルは、輝尽性蛍光体プレ
ートを内蔵した撮影・読取一体型放射線画像読取装置に
利用することが特に適しているが、撮影、読取装置が別
個になっている場合にも利用できる。 また別個の装置の場合、加熱・乾燥装置を用いてもよ
い。 次に本発明の変換パネルの除湿効率の一例を第４図に示
す。該変換パネルの構造は第１図(c)の仕様であり、光
輝尽性蛍光体としてはRbBr：Tl蛍光体を用いている。 また第５図に前記変換パネルの輝尽層の含水率（水mg／
輝尽層９）と感度の関係を示す。 図に明かなように輝尽層の加熱により、該層の除湿及び
防湿がなされ、変換パネルの使用恒久性が保証される。 本発明の変換パネルにおいて用いられる支持体としては
各種高分子材料、ガラス、金属等が用いられる。情報記
録材料としての取扱い上可撓性のあるシート或いはウェ
ブに加工できるものでもよく、この点から例えばセルロ
ースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネイトフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート或は該金属
酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。 また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μｍ〜1000μｍであり、取
扱い上の点から、さらに好ましくは80μｍ〜500μｍで
ある。 これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽層と
の接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。ま
た、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、隔絶された
微小タイル状板を敷きつめた構造としてもよい。 さらに、これら支持体は、輝尽層との接着性を向上させ
る目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けてもよ
い。 一般に変換パネルにおいて輝尽性蛍光体とは、最初の光
もしくは高エネルギ放射線が照射された後に光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギの放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体を謂うが、実際上光輝
尽性および熱輝尽性蛍光体が主体である。 前記熱輝尽性蛍光体を用いた変換パネルには発熱機構が
組込まれるか取入れられて、蓄積した放射線画像を熱励
起し画像読出しが行われる。尚熱励起に用いる熱量は高
々秒単位の熱励起時間では到底変換パネルの蛍光体を乾
燥するに足る熱量ではない。 前記、熱輝尽性蛍光体は励起に対する応答性が遅い、時
系列的に読取ることがむずかしい等の理由により実用上
光輝尽性蛍光体が有用であり、また500mm以上の輝尽励
起光で輝尽発光するものが好ましい。 本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍光体として
は、例えば米国特許3,859,527号に記載されているSrS：
Ce,Sm、SrS：Eu,Sm、La2O2S：Eu,Smおよび(Zn,Cd)S：Mn,X
（但しＸはハロゲン）で表される蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55-12142号に記載されているZnS：Cu,Pb蛍
光体、一般式がBaO・xAl2O3：Eu（但し0.8≦ｘ≦10）で
表されるアルミン酸バリウム蛍光体、および一般式MIIO
・xSiO2：Ａ（但しMIIはMg,Ca,Sr,Zn,CdまたはBaであり
ＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiおよびMnのうち少なくとも１
種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）で表されるアル
カリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55-12143号に記載されている一般式が (Ba1-x-yMgxCay)FX：eEu2 + （但しｘはBrおよびClの中の少なくとも１つであり、x,
yおよびｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、xy≠０および10
-6≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表さ
れるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55-1
2144号に記載されている一般式が ＬnOX：xA （但しＬｎはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも１つを、Ｘ
はＣｌおよび／またはＢｒを、ＡはＣｅおよび／または
Tbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を表す。）で表さ
れる蛍光体、特開昭55-12145号に記載されている一般式
が (Ba1-xMIIx)FX：yA （但しMIIは、Mg,Ca,Sr,ZnおよびＣｄのうちの少なくと
も１つを、ＸはCl,BrおよびＩのうち少なくとも１つ
を、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,YbおよびＥｒのうち
の少なくとも１つを、ｘおよびｙは０≦ｘ≦0.6および
０≦ｙ≦0.2なる条件を満たす数を表す。）で表される
蛍光体、特開昭55-84389号に記載されている一般式が BaFX：xCe,yA （但し、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくとも１つ、
ＡはIn,Tl,Gd,SmおよびＺｒのうちの少なくとも１つで
あり、ｘおよびｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1および０
＜ｙ≦５×10-2である。）で表される蛍光体、特開昭55
-160078号に記載されている一般式が ＭＩＩＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎ （但しＭＩＩはMg,Ca,Ba,Sr,ZnおよびＣｄのうちの少な
くとも１種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y
2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2
O5およびThO2のうちの少なくとも１種、ＬｎはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,SmおよびＧｄのうちの少なく
とも１種であり、ＸはCl,BrおよびＩのうちの少なくと
も１種であり、ｘおよびｙはそれぞれ５＜×10-5≦ｘ≦
0.5および０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で
表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光
体、特開昭57-148285号に記載されている下記いづれか
の一般式 ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ Ｍ3（ＰＯ4）2・ｙＡ （式中、ＭおよびＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,ZnおよびＣ
ｄのうちの少なくとも１種、ＸはＦ，Cl,BrおよびＩの
うち少なくとも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Y
b,Er,Sb,Tl,MnおよびＳｎのうち少なくとも１種を表
す。また、ｘおよびｙは０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条
件を満たす数を表す。）で表される蛍光体、下記のいづ
れかの一般式 ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ2′：ｘＥｕ ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ2′：xEu,ySm （式中、ＲｅはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも１種、Ａは
アルカリ土類金属、Ba,Sr,Caのうち少なくとも１種、Ｘ
およびＸ′はＦ，Cl,Brのうち少なくとも１種を表わ
す。また、ｘおよびｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１
×10-4＜ｙ＜１×10-1なる条件を満たす数であり、ｎ／
ｍは１×10-3＜ｎ＜ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）
で表される蛍光体、および下記一般式 ＭIＸ・ａＭIIＸ2′・ｂＭIIIＸ3″：ｃＡ （但し、ＭIはLi,Na,K,Rb,およびCsから選ばれる少なく
とも１種のアルカリ金属であり、ＭIIはBe,Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cd,CuおよびNiから選ばれる少なくとも１種の二価
金属である。ＭIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,およびInから選ばれる少な
くとも１種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′およびＸ″はF,
Cl,BrおよびＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲン
である。ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,S
m,Y,Tl,Na,Ag,CuおよびMgから選ばれる少なくとも１種
の金属である。 またａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦ｂ
＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０≦ｃ＜0.2の範囲の数
値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙
げられる。特にアルカリハライド蛍光体は蒸着・スパッ
タリング等の方法で輝尽層を形成させやすく好ましい。 しかし、本発明の変換パネルに用いられる光輝尽性蛍光
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。 本発明の変換パネルは前記の光輝尽性蛍光体の少なくと
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群を有してもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる光輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なって
いてもよい。 前記輝尽層は、特開昭61-73100号に述べられているよう
に光輝尽性蛍光体を蒸着法、スパッタリング法等の方法
を用いることにより結着剤を含有しない層状部分として
支持体上に形成してもよいし、光輝尽性蛍光体を適当な
結着剤中に分散して塗布液を調製し、それを支持体上に
塗布することにより形成してもよい。本発明の変換パネ
ルにおいて、結着剤を用いる場合には、例えばゼラチン
の如き蛋白質、デキストランの如きポリサッカライドま
たはアラビアゴム、ポリビニルブチラート、ポリ酢酸ビ
ニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビニ
リデン−塩化ビニルコポリマ、ポリメチルメタクリレー
ト、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマ、ポリウレタン、
セルロースアセテートブチラート、ポリビニルアルコー
ル等のような通常層構成に用いられる結着剤が使用され
る。 しかし、本発明の変換パネルに関しては、とくに前記特
開昭61-73100号において提案されているように、輝尽層
が結着剤を含有しない構造を有することが好ましい。結
着剤を含有しない輝尽層の形成法としては、以下のよう
な方法があげられる。 第１の方法として蒸着法がある。該方法においては、ま
ず支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して10
-6Torr程度の真空度とする。次いで、前記光輝尽性蛍光
体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム
法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に光輝尽性
蛍光体を所望の厚さに堆積させる。 この結果、結着剤を含有しない輝尽層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽層を形成すること
も可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。 また、前記蒸着法においては、光輝尽性蛍光体原料を複
数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共
蒸着し、支持体上で目的とする光輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽層を形成することも可能である。 さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後輝尽層を加熱処理してもよい。 第２の方法としてスパッタリング法がある。該方法にお
いては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に装置
した後装置内を一旦排気して10-6Torr程度の真空度と
し、次いでスパッタリング用のガスとしてAr,Ne等の不
活性ガスをスパッタ装置内に導入して10-3Torr程度のガ
ス圧とする。 次に、前記光輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッ
タリングすることにより、前記支持体表面に光輝尽性蛍
光体を所望の厚さに堆積させ、前記蒸着法と同様に輝尽
層を形成することができる。 第３の方法としてCVD法がある。該方法は目的とする光
輝尽性蛍光体あるいは光輝尽性蛍光体原料を含有する有
機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギで分解する
ことにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽層を得
る。 第４の方法として吹着け法がある。該方法は光輝尽性蛍
光体粉末を粘着層上に吹き着けることにより支持体上に
結着剤を含有しない輝尽層を得る。 本発明の変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換
パネルの放射線に対する感度、光輝尽性蛍光体の種類等
によって異なるが、結着剤を含有しない場合で10μｍ〜
1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜800μｍの
範囲から選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合
で10μｍ〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜
500μｍの範囲から選ばれるのが好ましい。 本発明の変換パネルは、得られる放射線画像の鮮鋭性を
向上させる目的で、たとえば特開昭61-246700号に述べ
られているような輝尽層が前記支持体面にほぼ垂直方向
に伸びた微細柱状ブロック構造を有する構造、特開昭61
-142497号に述べられているような表面に多数の微細な
凹凸パターンを有する支持体と、前記支持体上に前記表
面構造をそのまま引き継いだ、微細柱状ブロック構造か
ら成る輝尽層とを有する構造、特開昭61-142498号に述
べられているような多数の微小タイル状板が微細な間隙
により互いに隔絶されて敷きつめられた如き表面構造を
有する支持体と、前記支持体上に前記表面構造をそのま
ま引き継いだ微細柱状ブロック構造から成る輝尽層とを
有する構造、特開昭61-142499号に述べられているよう
な多数の微小タイル状板と該微小タイル状板夫々を取り
囲んでなり夫々を区画する細線網と該微小タイル状板上
に厚み方向に伸びた輝尽性蛍光体の微細柱状ブロック構
造の輝尽層とを有する構造、特開昭61-142500号に述べ
られているような支持体表面に多数分布し、且つ間隔を
もって互いに離散している微小タイル状の面上から厚み
方向に堆積された輝尽層にショック処理を加えることに
よって前記微小タイル状板間の間隙から該層表面に向っ
て発達させたクレバスを有する微細柱状ブロック構造か
ら成る輝尽層を設けた構造としてもよい。 また、本発明の変換パネルにおいて得られる放射線画像
の鮮鋭性向上の目的で輝尽層中に白色粉末を含有させて
もよいし、輝尽層を輝尽励起光を吸収するような着色剤
で着色してもよい。あるいは支持体と輝尽層との間に白
色含量を含有する光反射層を設けてもよい。 次に、輝尽層の支持体側とは反対側の面および必要に応
じてその他の面に保護層を設けることが好ましい。保護
層の形成方法としては、以下に述べるような方法が用い
られる。 第１の方法として、同じく特開昭59-42500号に開示され
ているように透明性の高い高分子物質を適当な溶媒に溶
解して調製した溶液を保護層を設置すべき面に塗布し、
乾燥させて保護層を形成する方法がある。 第２の方法として、同じく特開昭59-42500号に開示され
ているように透明な高分子物質より成る薄膜の片面に適
当な接着剤を付与し、保護層を設置すべき面に接着する
方法がある。 第１の方法および第２の方法において用いられる保護層
用材料としては、たとえば酢酸セルロース、ニトロセル
ロース、エチルセルロースなどのセルロース誘導体、あ
るいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラー
ル、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢
酸ビニル、ポリアクリロニトリロニトリル、ポリメチル
アリルアルコール、ポリメチルビニルケトン、セルロー
スジアセテート、セルローストリアセテート、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リグリシン、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアミン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド（ナイロン）、ポリ四弗化エチレン、ポリ三
弗化−塩化エチレン、ポリプロピレン、四弗化エチレン
−六弗化プロピレン共重合体、ポリビニルイソブチルエ
ーテル、ポリスチレンなどがあげられる。 第３の方法としては、特開昭61-176900号に述べられて
いるように放射線硬化型樹脂または熱硬化型樹脂の少な
くともいずれか一方を含有する塗布液を保護層を設置す
べき面に塗布し、特開昭61-176900号に示したような装
置を用いて紫外線あるいは電子線などの放射線の照射お
よび／または加熱を施して前記塗布液を硬化させる方法
がある。 前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を有す
る化合物またはこれを含む組成物であればよく、このよ
うな化合物は、好ましくは不飽和二重結合を２個以上有
するプレポリマおよび／またはオリゴマであり、さら
に、これらに不飽和二重結合を有する単量体（ビニルモ
ノマ）を反応性希釈剤として含有させることができる。 前記第１の方法、第２の方法または第３の方法により形
成される保護層の一層の層厚は１μｍ〜1000μｍ程度、
さらに好ましくは２μｍ〜50μｍ程度の範囲にあること
が好ましい。 第４の方法としては、SiO2,SiC,SiN,Al2O3等の無機物質
層を真空蒸着法、スパッタリング法等により形成する方
法がある。前記無機物質層の層厚は0.1μｍ〜100μｍ程
度が好ましい。 本発明の変換パネルは、支持体上に輝尽層を設けた後に
該輝尽層上に保護層を形成して製造してもよいし、あら
かじめ形成した保護層を前記輝尽層上に付設して製造し
てもよい。あるいは保護層上に輝尽層を形成した後、支
持体を設ける手順をとってもよい。 本発明の変換パネルにおいて、保護層は互いに吸湿性の
異なる二つ以上の層の組み合わせより成ってもよい。前
記保護層のうち、相対的に吸湿性の小さい保護層用に用
いられる材料としては、たとえばポリエチレン、ポリ四
弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプロピ
レン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合体、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルイソブチルエーテル、ポ
リエチレンテレフタレート、塩化ビニリデン−塩化ビニ
ル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合
体、塩化ビニリデン−イソブチレン共重合体、ポリスチ
レン、エポキシ系ポリマおよびアクリル系ポリマなどが
好ましい。また、相対的に吸湿性の大きい保護層用に用
いられる材料としては、たとえばポリビニルアルコー
ル、ポリアクリルアミド、ポリグリシン、ポリメタクリ
ル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリビ
ニルアミン、セルロースジアセテート、セルローストリ
アセテート、ナイロン４、ナイロン６、ナイロン12、ナ
イロン66、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルアリルアルコー
ルなどが好ましい。 本発明の実施態様中好ましいのは、前記吸湿性の小さい
保護層用の材料として挙げた一群の材料の中から少なく
とも一種類を選び、また前記吸湿性の大きい保護層用の
材料として挙げた一群の材料の中から少なくとも一種類
を選んで前者を外側、後者を内側すなわち輝尽層に接す
る側に配置した複合保護層を有する変換パネルである。 本発明の変換パネルは第６図に概略的に示される放射線
画像変換方法に用いられる。すなわち、第６図におい
て、２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は本発
明の変換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該変換パ
ネルより放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、
２６は２５で検出された信号を画像として再生する装
置、２７は再生された画像を表示する装置、２８は輝尽
励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させ
るフィルタである。なお、２５以降は２３からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。 第６図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２を通して変換パネル２３に入射する。
この入射した放射線は変換パネル２３の輝尽層に吸収さ
れ、そのエネルギが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が
形成される。次にこの蓄積像を輝尽励起光源２４からの
輝尽励起光で励起して輝尽発光として放出せしめる。 放出される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
量に比例するので、この光信号は例えば光電子増倍管等
の光電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６に
よって画像として再生し、画像表示装置２７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。
次に、実施例によって本発明を説明する。 実施例１ 支持体として500μｍ厚の化学強化ガラスを蒸着器中に
設置した。次に抵抗加熱用のタングステンボート中にア
ルカリハライド光輝尽性蛍光体（0.9RbBr・0.1CsF：0.01
Tl）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器
を排気して２×10-6Torrの真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド光輝尽性蛍光体を蒸発させ化学強
化ガラス上に輝尽層の層厚が300μｍの厚さになるまで
蓄積させた。 次にこのパネルを大気中に取出した後、化学強化ガラス
の輝尽層の設けられていない面に、ポリイミドフィルム
上にITOを蒸着した導電膜シート（ミクロ技術研究所
製、10Ω／□）を接着し、また輝尽層表面には20μｍ厚
の透明ポリエチレンテレフタレートシートを接着して、
第１図(b)に示した構造の本発明の変換パネルＡを得
た。 この変換パネルＡに電極と第３図の様な温度制御回路を
取付け、80℃に輝尽層を加熱しながら、30℃、相対湿度
70％の恒温室に放置し、経時による感度変化を測定した
結果を第７図曲線ａに示す。 実施例２ 実施例１において、輝尽層の加熱を140℃にした以外は
実施例１と同様にして経時による感度変化を測定し、第
７図曲線ｂをえた。 実施例３ 実施例１において、支持体として予め輝尽層を設ける側
に透明導電膜（ITO,10Ω／□）が蒸着されている500μ
ｍ厚の化学強化ガラスを用いた以外は実施例１と同様に
して本発明の変換パネルＢを得た。尚透明導電膜上には
透明導電膜と光輝尽性蛍光体との反応を防止するための
SiO膜(2000A)が設けてある。次にこの変換パネルＢの経
時による感度変化を実施例１と同様にして測定し、第７
図曲線Ｃとして示す。 比較例１ 実施例１で作製した変換パネルＡの輝尽層を加熱しない
で30℃で相対温度70％の恒温室に放置し、経時による感
度変化を測定した結果を第７図曲線ｐとして示す。 第７図より、本発明の変換パネルは輝尽層を加熱するこ
とによって吸湿による感度の低下を防止し、使用の恒久
性が保証される。 実施例４ アルカリハライド光輝尽性蛍光体(0.9RbBr・0.1CsF：0.0
1Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と
溶剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平
に置いた500μｍ厚の化学強化ガラス支持体上に均一に
塗布し、自然乾燥させて300μｍ厚の輝尽層を形成し
た。 このようにして得られたパネルの化学強化ガラスの輝尽
層の設けられていない面に実施例１と同様の導電性シー
トを接着し、また輝尽層表面には20μｍ厚の透明ポリエ
チレンテレフタレートシートを接着して本発明の変換パ
ネルＣを得た。 実施例１の変換パネルＡと本実施例の変換パネルＣとを
30℃で相対湿度80％の恒温室に十分長期間放置した後、
30℃で相対湿度60％の恒温室に取り出し、第３図の様な
温度制御回路を取付け、輝尽層を80℃に加熱して前記変
換パネルA,Cの感度回路の様子を調べた。結果を第８図
曲線ｄ（変換パネルＡ）、曲線ｅ（変換パネルＣ）とし
て示す。 比較例２ 実施例１の変換パネルＡと実施例４と同様に30℃で相対
湿度80％の恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相対
湿度60％の恒温室に取り出し、輝尽層を加熱しないで前
記変換パネルＡの感度回路の様子を調べた。結果を第８
図曲線ｑとして示す。 第８図より、本発明の変換パネルは吸湿により一旦感度
が低下しても、輝尽層の加熱により感度が回復すること
がわかる。尚、本発明の変換パネルのうち変換パネルＡ
は輝尽層に結着剤を含んでいないので、感度の回復が早
い。
設置した。次に抵抗加熱用のタングステンボート中にア
ルカリハライド光輝尽性蛍光体（0.9RbBr・0.1CsF：0.01
Tl）を入れ、抵抗加熱用電極にセットし、続いて蒸着器
を排気して２×10-6Torrの真空度とした。 次にタングステンボートに電流を流し、抵抗加熱法によ
ってアルカリハライド光輝尽性蛍光体を蒸発させ化学強
化ガラス上に輝尽層の層厚が300μｍの厚さになるまで
蓄積させた。 次にこのパネルを大気中に取出した後、化学強化ガラス
の輝尽層の設けられていない面に、ポリイミドフィルム
上にITOを蒸着した導電膜シート（ミクロ技術研究所
製、10Ω／□）を接着し、また輝尽層表面には20μｍ厚
の透明ポリエチレンテレフタレートシートを接着して、
第１図(b)に示した構造の本発明の変換パネルＡを得
た。 この変換パネルＡに電極と第３図の様な温度制御回路を
取付け、80℃に輝尽層を加熱しながら、30℃、相対湿度
70％の恒温室に放置し、経時による感度変化を測定した
結果を第７図曲線ａに示す。 実施例２ 実施例１において、輝尽層の加熱を140℃にした以外は
実施例１と同様にして経時による感度変化を測定し、第
７図曲線ｂをえた。 実施例３ 実施例１において、支持体として予め輝尽層を設ける側
に透明導電膜（ITO,10Ω／□）が蒸着されている500μ
ｍ厚の化学強化ガラスを用いた以外は実施例１と同様に
して本発明の変換パネルＢを得た。尚透明導電膜上には
透明導電膜と光輝尽性蛍光体との反応を防止するための
SiO膜(2000A)が設けてある。次にこの変換パネルＢの経
時による感度変化を実施例１と同様にして測定し、第７
図曲線Ｃとして示す。 比較例１ 実施例１で作製した変換パネルＡの輝尽層を加熱しない
で30℃で相対温度70％の恒温室に放置し、経時による感
度変化を測定した結果を第７図曲線ｐとして示す。 第７図より、本発明の変換パネルは輝尽層を加熱するこ
とによって吸湿による感度の低下を防止し、使用の恒久
性が保証される。 実施例４ アルカリハライド光輝尽性蛍光体(0.9RbBr・0.1CsF：0.0
1Tl）８重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部と
溶剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・分散
し、輝尽層用塗布液を調整した。次にこの塗布液を水平
に置いた500μｍ厚の化学強化ガラス支持体上に均一に
塗布し、自然乾燥させて300μｍ厚の輝尽層を形成し
た。 このようにして得られたパネルの化学強化ガラスの輝尽
層の設けられていない面に実施例１と同様の導電性シー
トを接着し、また輝尽層表面には20μｍ厚の透明ポリエ
チレンテレフタレートシートを接着して本発明の変換パ
ネルＣを得た。 実施例１の変換パネルＡと本実施例の変換パネルＣとを
30℃で相対湿度80％の恒温室に十分長期間放置した後、
30℃で相対湿度60％の恒温室に取り出し、第３図の様な
温度制御回路を取付け、輝尽層を80℃に加熱して前記変
換パネルA,Cの感度回路の様子を調べた。結果を第８図
曲線ｄ（変換パネルＡ）、曲線ｅ（変換パネルＣ）とし
て示す。 比較例２ 実施例１の変換パネルＡと実施例４と同様に30℃で相対
湿度80％の恒温室に十分長期間放置した後、30℃で相対
湿度60％の恒温室に取り出し、輝尽層を加熱しないで前
記変換パネルＡの感度回路の様子を調べた。結果を第８
図曲線ｑとして示す。 第８図より、本発明の変換パネルは吸湿により一旦感度
が低下しても、輝尽層の加熱により感度が回復すること
がわかる。尚、本発明の変換パネルのうち変換パネルＡ
は輝尽層に結着剤を含んでいないので、感度の回復が早
い。
以上述べたように加熱機構を内蔵させた本発明の変換パ
ネルは、 （１）加熱することにより、輝尽性蛍光体への水分の吸
着が防止され、放射線に対する感度の低下、フェーデン
グの増大等が阻止される。 （２）加熱することにより輝尽性蛍光体に吸着された水
分が放出され、水分吸着による輝尽性蛍光体の劣化性能
が回復する。 （３）加熱することにより、長寿命残光を引きおこすト
ラップレベルの蓄積エネルギが読取前に放出され、残光
が減少してS/Nが向上する。 等の好ましい挙動を有し、変換パネルの使用恒久性が上
る。
ネルは、 （１）加熱することにより、輝尽性蛍光体への水分の吸
着が防止され、放射線に対する感度の低下、フェーデン
グの増大等が阻止される。 （２）加熱することにより輝尽性蛍光体に吸着された水
分が放出され、水分吸着による輝尽性蛍光体の劣化性能
が回復する。 （３）加熱することにより、長寿命残光を引きおこすト
ラップレベルの蓄積エネルギが読取前に放出され、残光
が減少してS/Nが向上する。 等の好ましい挙動を有し、変換パネルの使用恒久性が上
る。
第１図は本発明の変換パネルの態様例の断面図である。
第２図は発熱体の回路パターンを示す図、第３図は温度
制御ブロック図である。 第４図は変換パネル輝尽層の除湿効率を示す図であり、
第５図は輝尽層の含水率と感度の関係を示す図である。 第６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像読取り
方法を説明する概要図である。第７図は防湿に対する温
度効果を示し、第８図は加熱による感度回復挙動を示す
グラフである。 １…支持体、２…輝尽層、 ３…保護層、１Ｈ…発熱支持体、 ２Ｈ…発熱輝尽層、３Ｈ…発熱保護層、 Ｈ１，Ｈ２及びＨ４…発熱層、 Ｈ３…支持発熱体。
第２図は発熱体の回路パターンを示す図、第３図は温度
制御ブロック図である。 第４図は変換パネル輝尽層の除湿効率を示す図であり、
第５図は輝尽層の含水率と感度の関係を示す図である。 第６図は本発明の変換パネルを用いる放射線画像読取り
方法を説明する概要図である。第７図は防湿に対する温
度効果を示し、第８図は加熱による感度回復挙動を示す
グラフである。 １…支持体、２…輝尽層、 ３…保護層、１Ｈ…発熱支持体、 ２Ｈ…発熱輝尽層、３Ｈ…発熱保護層、 Ｈ１，Ｈ２及びＨ４…発熱層、 Ｈ３…支持発熱体。
Claims (5)
- 【請求項１】光輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換パ
ネルに乾燥用発熱体が組込まれていることを特徴とする
放射線画像変換パネル。 - 【請求項２】前記乾燥用発熱体が放射線画像変換パネル
の光輝尽性蛍光体層に接して設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の放射線画像変換パネ
ル。 - 【請求項３】前記乾燥用発熱体が放射線画像変換パネル
の支持体に接して設けられていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の放射線画像変換パ
ネル。 - 【請求項４】前記乾燥用発熱体が前記放射線画像変換パ
ネルの支持体を兼ねることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第３項のいずれかに記載の放射線画像変換パ
ネル。 - 【請求項５】前記乾燥用発熱体が前記放射線画像変換パ
ネルの保護層を兼ねることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第４項のいずれかに記載の放射線画像変換パ
ネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289691A JPH0631910B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
| US07/123,762 US4825085A (en) | 1986-12-03 | 1987-11-23 | Radiation image storage panel having assembled heat generating body |
| DE8787117742T DE3773155D1 (de) | 1986-12-03 | 1987-12-01 | Mit einem zusammengestellten waermeerzeugerkoerper vorgesehener schirm zum speichern eines strahlungsbildes. |
| EP87117742A EP0273219B1 (en) | 1986-12-03 | 1987-12-01 | Radiation image storage panel having assembled heat generating body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61289691A JPH0631910B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141000A JPS63141000A (ja) | 1988-06-13 |
| JPH0631910B2 true JPH0631910B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=17746499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61289691A Expired - Fee Related JPH0631910B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4825085A (ja) |
| EP (1) | EP0273219B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0631910B2 (ja) |
| DE (1) | DE3773155D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0631910B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1994-04-27 | コニカ株式会社 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
| US6221516B1 (en) * | 1988-10-20 | 2001-04-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image storage panel |
| JPH05158174A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Konica Corp | 放射線画像読取装置 |
| WO1999066345A1 (fr) * | 1998-06-18 | 1999-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillateur et capteur d'image de rayonnement |
| US20030038249A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-02-27 | Peter Hackenschmied | Moistureproof phosphor screens for use in radiation detectors |
| US6992305B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-01-31 | Konica Corporation | Radiation image converting panel and production method of the same |
| EP1598833B1 (de) * | 2004-05-21 | 2011-03-02 | Agfa-Gevaert HealthCare GmbH | Speicherleuchtstoffplatte zur Speicherung von Röntgeninformation |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3859527A (en) * | 1973-01-02 | 1975-01-07 | Eastman Kodak Co | Apparatus and method for producing images corresponding to patterns of high energy radiation |
| GB1462769A (en) * | 1973-10-12 | 1977-01-26 | Kodak Ltd | Methods of producing luminescent images |
| JPS5228284A (en) * | 1975-08-28 | 1977-03-03 | Dainippon Toryo Co Ltd | Antistatic radioactive ray intensifier screen |
| SU585470A1 (ru) * | 1975-12-15 | 1977-12-25 | Предприятие П/Я Г-4665 | Регистрирующий элемент дл рентгенографии |
| JPS5944339B2 (ja) * | 1978-07-12 | 1984-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法 |
| NL7905433A (nl) * | 1978-07-12 | 1980-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het registreren en weergeven van een stralingsbeeld. |
| JPS5942500A (ja) * | 1982-09-01 | 1984-03-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
| JPS61176900A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-08 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
| JPS6215500A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
| JPH0631910B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1994-04-27 | コニカ株式会社 | 発熱体を組込んだ放射線画像変換パネル |
| JPH01237099A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-21 | Mutsuo Momose | ローラプレス装置 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP61289691A patent/JPH0631910B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-11-23 US US07/123,762 patent/US4825085A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-01 DE DE8787117742T patent/DE3773155D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-01 EP EP87117742A patent/EP0273219B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPS63141000A (ja) | 1988-06-13 |
| EP0273219B1 (en) | 1991-09-18 |
| US4825085A (en) | 1989-04-25 |
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|---|---|---|---|
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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