JPH0285800A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
に関するものであり、さらに詳しくは、放射線感度およ
び鮮鋭性のいずれもが優れている放射線画像変換パネル
に関する。

（従来の技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。

このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に代
わって蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。

この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）を
蛍光体に・吸収せしめ、しかるのち、この蛍光体を例え
ば光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光
体が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネ゛ル
ギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像
化する方法である。

具体的には、例えば、米国特許３，８５９，５２７号及
び特開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可
視光線または赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換
方法が開示されている。

この方法は支持体上に輝尽性蛍光体層（以下「輝尽層」
と略称する）を形成した放射線画像変換パネル（以下「
変換パネル」と略称する）を使用するもので、この変換
パネルの輝尽層に被写体を透過した放射線を当てて被写
体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄
積させて潜像を形成し、しかるのちにこの輝尽層を輝尽
励起光で走査することによって各部の蓄積された放射線
エネルギーを放射させてこれを光に変換し、この光の強
弱による光信号により画像を得るものである。

この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、ＣＲＴ上に再生してもよい。

一般に変換パネルの放射線感度は輝尽層の厚さが厚い方
が高く、一方、画像の鮮鋭性は輝尽層の厚さが薄いほど
高い傾向にある。

変換パネルに関する従来技術としては、例えば特開昭５
６−ＩＤ９３号に、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散して
なる輝尽性蛍光体の一方の層界面に金属光反射層を設け
る方法が開示されている。この方法によれば、輝尽層の
輝尽励起光入射側界面から内部に入った部分の輝尽層を
金属光反射層に代えることによって、前記輝尽層の層厚
をより薄くすることができ、これによって輝尽励起光の
輝尽層内での広がりをおさえることが可能となり、鮮鋭
性の高い放射線画像が得られるというものである。

しかし、この方法は輝尽層厚を薄膜化した分だけ輝尽励
起光の層内部での広がり（散乱）を抑制できるが、前記
層内で散乱しながら金属光反射層に到達した輝尽励起光
は、はとんど指向性を持たないので前記輝尽励起光の金
属反射層に対する入射角に応じて反射されて前記輝尽層
側にもどり、再び散乱を繰返して輝尽性蛍光体を広範囲
にわたって励起するので、画像の鮮鋭性はあまり改善さ
れていない。

まｌ；、特開昭５６−１２６００号には、前記特開昭５
６−１１３９３号に開示された金属光反射層の代りに輝
尽性蛍光体を結着剤中に分散してなる輝尽層の一方の面
に白色顔料光反射層を設ける方法が開示されている。こ
の方法によれば、輝尽層の輝尽励起光入射側の表面から
内部に入った部分の輝尽層を白色顔料光反射層に代るこ
とによって、前記輝尽層の層厚をより薄くすることがで
き、これによって輝尽励起光の輝尽層内での拡りをおさ
えることが可能となり、鮮鋭性の高い放射線画像が得ら
れるというものである。

しかし、この方法も、一種の白色顔料である輝尽性蛍光
体を結着剤中に分散してなる輝尽層の一部を、白色顔料
を結着剤中に分散してなる白色顔料に置換えただけであ
る。このため、この方法は輝尽層を薄くした分だけ輝尽
励起光の層内部で拡り（散乱）をおさえる効果はあるが
、前記層内部で散乱しながら白色顔料光反射層に到達し
た輝尽励起光は白色顔料光反射層表面で乱反射し、また
は白色顔料光反射層内部で散乱して輝尽層側に反射し、
輝尽層内で再び散乱して輝尽性蛍光体を広範囲にわたっ
て励起するので、画像の鮮鋭性はあまり改善されていな
い。

また、特開昭６１−７３１００号に記載されているよう
に、結着剤を含有しない輝尽層は蛍光体の充填率が著し
く向上するとともに、輝尽層中での輝尽励起光および輝
尽発光の指向性が向上するので、前記変換パネルの放射
線に対する感度が改善されると同時に、画像の鮮鋭性も
改善される。前記結着剤を含有しない輝尽層の形成方法
には、蒸着やスパッタリングが適しているため、支持体
には耐熱性が要求される。このため、結晶化ガラスや化
学強化ガラスが好ましく用いられるが、これらの支持体
は機械的強度を満足させるためにはある程度層厚を厚く
する必要があり、その内部で輝尽励起光の一部を強く散
乱してしまい、鮮鋭性を低下させることが問題になって
いる。

さらに、本発明者らは、輝尽層のいずれか一方の層界面
側に光反射層を有する変換パネル（特開昭６２−１３３
３９９号参照）および輝尽層のいずれか一方の層界面側
に光散乱層を有する変換パネル（特開昭６２−１３３４
００号参照）を提案している。これらの変換パネルは、
いずれも優れた放射線画像感度および画像の鮮鋭性を有
するものであるが、より優れた変換パネルを得るために
はさらに改良の余地があった。

（発明が解決しようとする問題点） 従来の変換パネルにおいては放射線感度および鮮鋭性の
いずれもが優れているものは見出されていない。

そこで本発明は、放射線感度および鮮鋭性のいずれもが
Ｉれている変換パネルを提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） 本発明の放射線変換画像パネルは、支持体上に輝尽層を
有する放射線画像変換パネルにおいて、 前記支持体と前記輝尽層との間に、支持体側から光遮断
層および光散乱層をこの順序で有することを特徴とする
。

以下、本発明の変換パネルの構成を添付図面に基いて説
明する。第１図および第２図は本発明の変換パネルの一
例を示す断面概略図であり、第１図および第２図中にお
いて、ｌは支持体、２は輝尽層、３は光遮断層、４は光
散乱層、５は保護層を表す。

本発明の変換パネルは、第１図および第２図に示すとお
り、支持体ｌ上に、輝尽層２を有するものであるが、さ
らにその構成要素として光遮断層３および光散乱層４を
含むものである。光遮断層３および光散乱層４は、支持
体ｌと輝尽層２の間に支持体ｌの側から光遮断層３と光
散乱層４の順序で設けられているものである。また、本
発明の変換パネルには、第２図で示すように輝尽層２上
に、輝尽層２を外部の化学的および物理的刺激から保護
するために保護層５を設けたものも含まれる。

本発明の変換パネルにおいて輝尽層を構成する輝尽性蛍
光体とは、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射
された後に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的
等の刺激（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネ
ルギー放射線の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体
であるが、実用的な面からは５００ｎｍ以上の励起光に
よって輝尽発光を示す蛍光体が好ましい。

このような輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭４８−
８０４８７号に記載されているＢａ５Ｏ＋　：Ａｘ、特
開昭４８−８０４８９号に記載されている５ｒＳＯ４：
　ｋｘｓ特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬ
ｉＪ４０７：Ｃｕ、Ａｇ等、特開昭５４−４７８８３号
に記載されているＬｉ２Ｏ・（Ｂ２０２）ｘ：Ｃｕ及び
Ｌｉ２０（ＢｚＯｚ）：Ｃｕ、Ａｇ等、米国特許３，８
５９，５２７号のＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓｍ、　ＳｒＳ：Ｅｕ
、Ｓｍ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍおよび（Ｚｎ　、　
Ｃｄ）Ｓ　：Ｍｎ　、　Ｘで示される蛍光体が挙げられ
る。

また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ　：Ｃｕ　、　Ｐｂ蛍光体、一般式Ｂａ０−ｘＡ（２
２０，：Ｅｕで示されるアルミン酸バリウム蛍光体、お
よび一般式、Ｍ”０・ｘＳ　ｉｏ□二Ａで示されるアル
カリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開
昭５５−１２１４３号に記載されている一般式、 （Ｂａｔ−ｌ−ｙＭｇｍｃａｙ）　ＦＸ　：　Ｅｕ”で
示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭
５５−１２１４４号に記載されている一般式、ＬｎＯＸ
　：　　ｘＡ で示される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式、 （Ｂａｔ−＋　Ｍ　、）　ＦＸ：　ｙＡに示される蛍光
体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式
、 ＢａＦＸ　：　ｘＣｅ、　ｙＡ で示される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載
されている一般式、 Ｍ　　ＦＸ　−ｘＡ　：　　ｙＬｎ で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式、ＺｎＳ：　Ａ、　ＣｄＳ：　Ａ、　　（
Ｚｎ、　Ｃｄ）Ｓ　：　Ａ、　ＺｎＳ　：　Ａ、Ｘ及び
ＣｄＳ　：　Ａ、Ｘテ示される蛍光体、特開昭５９−３
８２７８号に記載されている下記いずれかの一般式、 ｘＭ３　（ＰＯ４）２・ＮＸｚ　’　ｙＡＭ３　（ＰＯ
４）　２　：　ｙＡ で示される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記のいずれかの一般式、 ｎＲｅＸ　、　・ｍＡＸ、’　−ｘＥｕｎＲｅＸ３　＃
ｍＡＸ、’　：　ｘＥｕ、ｙＳｍで示される蛍光体、お
よび特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一
般式、 Ｍ’Ｘ　・’　ａＭ　Ｘ、　・ｂＭ　Ｘ３　　、ｃＡで
示されるアルカリハライド蛍光体および特開昭６１−２
２８４００号に記載されている一般式、Ｍ’Ｘ　：　ｘ
Ｂｉ、で示されるビスマス付活アルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着
、スパッタリング等の方法で輝尽層を形成しやすく好ま
しい。

しかし、本発明の変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体
は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照
射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍
光体であればいかなる蛍光体であってもよい。

本発明の変換パネルにおける輝尽層は、前記の輝尽性蛍
光体の少なくとも一種類を含むｌもしくは２以上の輝尽
層から成る輝尽層群であってもよい。また、それぞれの
輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが
異なっていてもよい。

輝尽層の形成方法としては、特開昭５６−１２６００号
に記載の塗布法を適用することができ、また蒸着などの
気相堆積法などを適用することができる。

気相堆積法で形成された輝尽層は、塗布法で形成された
輝尽層よりも蛍光体の充填密度が高くなり、放射線感度
が高くなる。

変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合１０−１０００μｍの
範囲、さらに好ましくは３０〜８００μｍの範囲から選
ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合で２０〜１
０００μｍの範囲、さらに好ましくは５０〜５００μｍ
の範囲から選ばれるのが好ましい。

本発明において使用される支持体としては各種高分子材
料、結晶化ガラスなどのガラス、セラミ・ンクス、金属
等が挙げられる。

高分子材料としては例えばセルロースアセテート、ホリ
エステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミ　ド
、ポリイミ　ド、　トリアセテート、ポリカーボネート
などのフィルムが挙（デられる。

金属としては、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属
ンートもしくは金属板または該金属酸化物の被覆層を有
する金属シートまたは金属板が挙けられる。ガラスとし
ては化学的強化ガラスおよび結晶化ガラスなどが挙げら
れる。まｌ：セラミックスとしてはアルミナおよびジル
コニアの焼結板などが挙げられる。気相堆積法で輝尽層
を形成する場合には結晶化ガラスが好ましい。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異な乙が、一般的には８０μｍ〜５ｎ＋ｎ＋であり
、取り扱いが容易であるという点から、好ましくは２０
０μｍ〜３ｍｍである。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、上層との
接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。また
、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個々に独立し
た微小タイル状板を密に配置した表面構造としてもよい
。

本発明の変換パネルにおいては、支持体と輝尽層との間
に支持体の側から光遮断層および光散乱層をこの順序で
有することを最大の特徴とするものである。ここで光遮
断層のみの場合には画像の感度が低下し、また、光散乱
層のみの場合には画像の鮮鋭性が低下してしまうことか
ら本発明の目的を達成することができない。

本発明の変換パネルは前記結晶化ガラスや化学強化ガラ
ス、セラミックス焼結板のように、輝尽励起光の一部を
その内部で散乱する性質をもつ支持体を用いた場合に特
に効果が高い。

本発明の変換パネルにおける光遮断層は、輝尽励起光を
吸収するかまたは層の表面で反射することによりそれら
の透過を防止する作用をする層である。

光遮断層は、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６
００〜８００ｎｍ）をおもに反射または吸収することに
より、その透過を防止するという目的から光透過率が５
％以下が好ましく、１％以下がさらに好ましい。

また、光遮断層は、輝尽励起光の反射を行う目的からは
光反射率が輝尽励起光に対して７０〜２００％が好まし
く、輝尽励起光の吸収を行う目的からは４０％以下が好
ましい。ただし、光反射率は、標準白板（Ｍｇ０）を１
００％とし、光透過率は空気を１００％として、厚さ１
０ｍｍのセルを用いていずれも（株）日立製５５７分光
光度計を用いて測定した。尚光透過率、光反射率とも実
際に用いる層の厚さで測定した場合の値を表す。以下に
おいて同様である。

この光遮断層の構成材料としては、例えば、アルミラム
、ニッケル、クロム、銀、銅、白金、口ジウムなどの金
属が挙げられ、また、酸化チタン（ＴｌｏＸ％　　ｌ≦
Ｘ≦２）、酸化クロム（ｃｒｚｏｓ）、酸化アルミニウ
ムと酸化チタンの混合物（ｋＱ２０．・Ｘ　Ｔ　Ｉ　Ｏ
ｙ　％　　ただし、０．１≦Ｘ≦０．５、ｌ≦ｙ≦２）
などの黒色系セラミックスなどが挙げられる。

光遮断層の形成方法は、その構成材料により適宜選択さ
れる。例えば、前記金属を用いる場合には、蒸着法、ス
パッタリング法、イオンブレーティング法、めっき法お
よび溶射法などの方法が適用される。また、前記黒色系
セラミックスを用いる場合には、塗布法および溶射法な
どの方法が適用される。この溶射法としては、ガスの高
温火炎を熱源としたガス式熔射法またはアークもしくは
プラズマを熱源とした電気式。溶射法などが挙げられる
が、ガス式熔射法は製造コストが低いという利点をもち
、電気式溶射法は高密度で接着性の良い膜が得られると
いう利点をもっている。

光遮断層の厚さは蒸着、スパッタリング等の製法による
場合には０．０１〜０．５μｍが好ましく、めっき法、
溶射法等、の製法による場合には１０〜１００μｍが好
ましい。この光遮断層の厚さがあまり小さすぎる場合に
は、輝尽励起光の透過率が大となり、あまり大きすぎる
場合には、支持体との接着性が低下したり、反り、歪み
などを生ずる場合があり、いずれも好ましくない。

本発明の変換パネルにおける光散乱層は、輝尽励起光お
よび／または輝尽発光（３００〜９００ｎｍ）を散乱層
の内部で反射・散乱する作用を行うものである。また、
この光散乱層の厚さを適宜増減して光の散乱の度合を調
整することにより、所望の感度および鮮鋭性を有する変
換パネルが容易に得られる。

この光散乱層は、その目的を達成するためには光反射率
が４０％以上であることが好ましく、８０％以上である
ことがさらに好ましい。

光散乱層の構成材料としては、鉛白、硫化亜鉛、酸化チ
タン白などの白色顔料；酸化アルミニウム（ＡＱ２（ｈ
）　、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ，）　、あるいはそれ
らと酸化チタン（Ｔｉｅ、）　、二酸化珪素（ＳｉＯ２
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）　、酸化カルシウム（
Ｃａｂ）　、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）のうちの少
なくともひとつとの混合物、酸化アルミニウムー酸化チ
タン（ＡＱ１０３　・ｘＴｉｏｔ、ただし、Ｘは、０、
Ｏ１≦Ｘ≦０．０５である）、酸化アルミニウムー二酸
化素（Ａ（２２０，・ｘｓｉｏ、、ただし、Ｘは、０．
０１≦Ｘ≦０．５である）、酸化ジルコニウム−酸化マ
グネシウム（Ｚｒ０ｔ　＊　ｘＭｇｏ、ただし、Ｘは０
．０１≦Ｘ≦０．５である）などのセラミックス；ガラ
ス；などが挙げられる。これらの中でも、セラミックス
などのように、変換パネルの製造時に加えられる熱（例
えば、蒸着法により輝尽層を形成する場合）によっても
劣化することがない耐熱性の優れたものが好ましい。

光散乱層の形成方法は特に制限されないが、大面積にわ
たって均一な厚さの層を形成できることがら溶射法を適
用することが好ましい。

したがって光散乱層としては、前記セラミックス、特に
白色系セラミックスを用い、溶射法により形成したもの
が好ましい。

溶射材としては、粉末状、棒状のいずれの形態のものも
使用することができる。粉末状の溶射材の平均粒径は５
０μｍ以下であることが好ましく、さらに３０μｍ以下
であることが特に好ましい。

光散乱層の厚さは、上記のとおり反射散乱の度合に応じ
て適宜決定されるが、本発明の目的を達成するうえから
は５〜２００μｍが好ましく、２０〜１００μｍがさら
に好ましい。この光散乱層の厚さがあまり小さすぎる場
合には、光散乱層内で反射・散乱して輝尽層側に戻る輝
尽励起光の比率が小さくなるので感度が低くなり、あま
り大きすぎる場合には、光散乱層内での輝尽励起光の拡
がりが増大しすぎて鮮鋭性が低くなる。

本発明の変換パネルにおいては、光散乱層の厚さの増減
により感度を調整することができる特徴を利用して、特
開昭６３−２１４７００号に記載している被写体の放射
線吸収量のパターンに応じて感度を変化させた変換パネ
ルにすることも可能である。

また、光散乱層の表面および／または内部が前記公報に
記載されている着色剤により着色されていてもよい。

本発明の変換パネルにおける光遮断層および光反射層の
表面は滑面であってもよいし、凹凸面であってもよい。

本発明の変換パネルにおいては、変換パネルを構成する
各層の間に、各層の接着性を高める目的から必要に応じ
て補助的に接着層を設けることができる。

本発明の変換パネルにおいては、輝尽層を外部雰囲気か
らの化学的刺激、特に水分から保護するために、輝尽層
上にさらに少なくとも１以上の保護層を設けることがで
きる。

このような保護層を形成するものとしては、透光性がよ
く、シート状に成形できるものを用いることができる。

さらに、保護層は輝尽励起光および輝尽発光を効率よく
透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すもの
が好ましく、この透過率か８０％以上のものがさらに好
ましい。

このようなものとしては、例えば、石英、硼珪酸ガラス
、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＰＥＴ、　ＯＰ
Ｐ、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子化合物を挙げるこ
とができる。ここで例えば、硼珪酸ガラスは３３０ｎｍ
〜２．６μｍの波長範囲で８０％以上の透過率を示し、
石英ガラスではさらに短波長においても高い透過率を示
す。

保護層を形成するものとしては、透過率とともに防湿性
が優れていることから板ガラスが好ましい。

保護層の厚さは、実用上は１０μｍ〜３ｍｍであり、良
好な防湿性を得るためには１００μｍ以上が好ましい。

この保護層の厚さが５００μｍ以上の場合には耐久性、
耐用性に優れた変換パネルを得ることができ好ましい。

本発明の変換パネルにおいて、輝尽層と保護層との間に
保護層よりも低屈折率の層を設けてもよい。また、輝尽
層と前記低屈折率の層との間に、さらに前記低屈折率の
層よりも高屈折率の層を設けてもよい。これらの保護層
構成によれば、画像の鮮鋭性を損なうことなく、耐用性
を向上させることができ好ましい。

また、保護層の表面に、ＭｇＦ２等の反射防止層を設け
ると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過すると
ともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい
。

保護層の屈折率は特に制限されないが、実用上は１．４
〜２．０の範囲が一般的である。

保護層は、必要に応じて２層以上を設けることができる
。特に、特開昭６２−１５５００号に開示されている互
いに吸湿性の異なる２層以上を組み合せた構成は、防湿
性が高く好ましい。

本発明の変換パネルにおいては、保護層は支持体の役割
を兼ねることもできる。その場合は本発明でいう支持体
は実質的に輝尽層を支持する機能を発揮しなくてもよい
。

本発明の変換パネルは、第３図に概略的に示される放射
線画像変換方法において用いられる。

すなわち、第３図において、４１は放射線発生装置、４
２は被写体、４３は本発明に係る変換パネル、４４は輝
尽励起光源、４５は前記変換パネルより放射された輝尽
蛍光を検出する光電変換装置、４６は、４５で検出され
た信号を画像として再生する装置、４７は再生された画
像を表示する装置、４８は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分
離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタである。なお
、４５以降は４３からの光情報を何らかの形で画像とし
て再生できるものであればよく、上記に限定されるもの
ではない。

第３図に示されるように、放射線発生装置４１からの放
射線は被写体４２を通して変換パネル４３に入射する。

この入射した放射線はパネル４３の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。放射される輝尽
発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー量に比例する
ので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装
置４５で光電変換し、画像再生装置４６によって画像と
して再生し画像表示装置４７によって表示することによ
り、被写体の放射線透過像を観察することができる。

（実施例） 次に実施例により本発明をさらに詳しく説明する。

実施例１ 厚さｌ　ｍｍの結晶化ガラス板の表面をサンドブラスト
処理した。次に、その表面にローカイト・ロッド・スプ
レィ装置を用いてＡ１２２０．・４０％Ｔｉ０１を溶射
して厚さ４０μｍ１光透過率０％、光反射率１４％の光
遮断層を形成した。

その後前記光遮断層上に、さらにガス炎溶射装置により
粒度５〜２０μｍの９９％Ａ０．．Ｏ，粉末を溶射して
、厚さ約５０μｍ１光反射率７３％の光散乱層を形成し
　ｔこ　。

次に前記光散乱層上に、アルカリハライド輝尽性蛍光体
（ＲｂＢｒ　：　Ｉ　Ｘ　１０−’ＴＱ）を電子ビーム
蒸着法により約３００μｍの厚さに蒸着して本発明の変
換パネルＡを得た。

実施例２ 実施例１においてＡＱ２０．・４０％Ｔｉｅ、を溶射し
て設けた光遮断層の代わりに、ガス炎溶射装置を用いて
粒度５〜２０μｍのＮｉ−２０％Ｃ「粉末を溶射して厚
さ約２５μｍ１光透過率０％、光反射率３２％の光遮断
層を形成した以外は実施例１と同様にして本発明の変換
パネルＢを得た。

実施例３ 厚さ１．ｍｍの結晶化ガラス板を２０％弗化水素溶液に
２０秒間浸漬したのち洗浄することにより、表面を粗面
処理し、その上に抵抗加熱法によりＡＱを０．２５μｍ
の厚さに蒸着して光透過率０．３％、光反射率７５％の
光遮断層を形成した。前記光遮断層上に実施例１と同様
にして光散乱層および揮尽性蛍光体層を設けて本発明の
変換パネルＣを得た。

実施例４ 実施例１において、光散乱層の厚さを２０μｍ１光反射
率を５２％とした以外は実施例１と同様にして本発明の
変換パネルＤを得た。

実施例５ 実施例１において、光散乱層の厚さを７０％ｍとし、光
反射率を８０％とした以外は実施例１と同様にして本発
明の変換パネルＥを得た。

実施例６ 実施例１において、光散乱層の厚さを１００μｍとし、
光反射率を８８％とした以外は実施例１と同様にして本
発明の変換パネルＦを得た。

比較例（１） 実施例１において、光遮断層を形成しなかった以外は同
様にして本発明の変換パネルＰを得た。

比較例（２） 実施例１において、光散乱層を形成しなかった以外は同
様にして本発明の変換パネルＱを得た。

比較例（３） 実施例２において、光散乱層を形成しなかった以外は同
様にして本発明の変換パネルＲを得た。

比較例（４） 実施例３において、光散乱層を形成しなかった以外は同
様にして本発明の変換パネルＳを得た。

このようにして得られた各変換パネルを用い、その感度
および鮮鋭性を評価した、まず、変換パネルに管電圧８
０ＫＶｐのＸ線をｌｏｍＲ照射したのち、半導体レーザ
光（７８０ｎｍ）で輝尽励起し、輝尽層から放射される
輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、こ
の信号を画像再生装置によって画像として再生し、解析
した。信号の大きさから、変換パネルのＸ線に対する感
度を測定し、また得られる画像より画像の変調伝達関数
（ＭＴＦ）を測定した。その結果を第４図に示す。なお
、第４図中、横軸は感度であり、縦軸はＭＴＦである。

なお、Ｘ線に対する感度は比較例（１）の変換パネルＰ
の感度をｌＯＯとして相対値で示し、また、ＭＴＦは空
間周波数が２サイクル／　ｍｍの時の値である。

第４図から明らかなとおり、本発明の変換パネルＡ−Ｆ
は、光散乱層のみを有する比較例（１）の変換パネルＰ
に比べて感度をあまり低下させることなく、鮮鋭性が向
上した。また、光遮断層のみを有する比較例の変換パネ
ルＱ−３と比べれば鮮鋭性をあまり低下させることなく
感度が大幅に向上した。

さらに変換パネルＡ、Ｄ、ＥおよびＦの測定結果から明
かなとおり、光散乱層の層厚のみを変化させ、それ以外
の構成要素は全く同じにすることにより、本発明の変換
パネルを高感度タイプ、高鮮鋭性タイプなと種々の感度
−ＭＴＦ特性を有する変換パネルにすることができる。

〔発明の効果〕

本発明の変換パネルは、放射線画像感度および画像の鮮
鋭性のいずれも　非常に優れているものである。また、
本発明の変換パネルにおいては、光散乱層の厚さを適宜
選択することにより、所望の感度−ＭＴＦ特性（鮮鋭性
）を有する変換パネルにすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の変換パネルの概略断面図
であり、第３図は放射線画像変換方法の説明図であり、
第４図は実施例および比較例の各変換パネルの放射線感
度およびＭＴＦ特性を表す図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
   ルにおいて、 前記支持体と前記輝尽性蛍光体層との間に、支持体側か
   ら光遮断層および光散乱層をこの順序で有することを特
   徴とする放射線画像変換パネル。