JP2829607B2 - 低屈折率層を差挟んだ保護層を有する放射線画像変換パネル - Google Patents
低屈折率層を差挟んだ保護層を有する放射線画像変換パネルInfo
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- JP2829607B2 JP2829607B2 JP63006474A JP647488A JP2829607B2 JP 2829607 B2 JP2829607 B2 JP 2829607B2 JP 63006474 A JP63006474 A JP 63006474A JP 647488 A JP647488 A JP 647488A JP 2829607 B2 JP2829607 B2 JP 2829607B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
に関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐
えうる放射線画像変換パネルに関するものである。
に関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐
えうる放射線画像変換パネルに関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光
として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法
である。
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光
として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法
である。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開
昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤
外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。
昭55−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤
外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。
この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層（以後輝尽層
と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後変換パ
ネルと略称）を使用するもので、この変換パネルの輝尽
層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像
を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査す
ることによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放
射させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号
により画像を得るものである。
と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後変換パ
ネルと略称）を使用するもので、この変換パネルの輝尽
層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射
線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像
を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査す
ることによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放
射させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号
により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピィとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
そこで、前記変換パルスは、得られる放射線画像の画
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の輝尽層が外部からの物理的あるい
は化学的刺激から十分に保護される必要がある。
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の輝尽層が外部からの物理的あるい
は化学的刺激から十分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
この保護層は、たとえば特開昭59−42500号に記述さ
れているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布
して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成した保
護層を輝尽層上に接着する方法により形成されている。
れているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布
して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成した保
護層を輝尽層上に接着する方法により形成されている。
一般的には有機高分子から成る薄い保護層が用いられ
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性をほとんど低
下させないという利点がある。
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性をほとんど低
下させないという利点がある。
輝尽層を有する変換パネルの鮮鋭性と保護層厚みの関
係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF（変調伝達関
数）を用いて第１表に示す。
係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF（変調伝達関
数）を用いて第１表に示す。
表に示すように保護層を有することにより鮮鋭性が低
下し、さらに保護層が厚いほどより鮮鋭性が低下する。
この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表面で
の反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽層へ
再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反射散
乱光はより遠くまで到達し、対象画素外の画素の情報を
混入させる。
下し、さらに保護層が厚いほどより鮮鋭性が低下する。
この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表面で
の反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽層へ
再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反射散
乱光はより遠くまで到達し、対象画素外の画素の情報を
混入させる。
Ｘ線撮影に用いる一般型の増感紙−フィルム系におい
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルに於ても前記増感紙−フィル
ム系の数値より劣ることは好ましくなく、従って保護層
の厚さは10μｍ以下が望ましい。
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルに於ても前記増感紙−フィル
ム系の数値より劣ることは好ましくなく、従って保護層
の厚さは10μｍ以下が望ましい。
しかしながら、10μｍの保護層であっても保護層を有
することにより前述のように鮮鋭性の低下が生ずる。ま
た、例えば、厚さ10μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（以下単に「PET」と略記する」）の透湿度は
約60（g/m2・24hr）であり、１日に単位面積当り60gの
水分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）では約15（g/m2・24hr）である。従って、保護層の
透湿度を１（g/m2・24hr）以下とする場合にはPETで約6
00μｍ以上、OPPで約150μｍ以上の厚さとすることが好
ましい。
することにより前述のように鮮鋭性の低下が生ずる。ま
た、例えば、厚さ10μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（以下単に「PET」と略記する」）の透湿度は
約60（g/m2・24hr）であり、１日に単位面積当り60gの
水分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）では約15（g/m2・24hr）である。従って、保護層の
透湿度を１（g/m2・24hr）以下とする場合にはPETで約6
00μｍ以上、OPPで約150μｍ以上の厚さとすることが好
ましい。
また、保護層を厚くすれば透湿度を小さくできるが、
前述のように鮮鋭性がさらに低下する。
前述のように鮮鋭性がさらに低下する。
このような強度、耐衝撃性の改良のための保護層を設
けたことに起因する変換パネルの鮮鋭性の低下を防止す
ることが望まれていた。
けたことに起因する変換パネルの鮮鋭性の低下を防止す
ることが望まれていた。
輝尽性発光体を用いた変換パネルにおける前記要求に
沿い、本発明の目的は画像の鮮鋭性を損うことなく輝尽
層を外部からの化学的刺激、特に水分に対して十分保護
することができ、輝尽層の高感度、高鮮鋭性及び高粒状
性を長期間にわたり維持し、良好な状態で使用すること
が可能である耐久性及び耐用性の高い変換パネルを提供
することにある。
沿い、本発明の目的は画像の鮮鋭性を損うことなく輝尽
層を外部からの化学的刺激、特に水分に対して十分保護
することができ、輝尽層の高感度、高鮮鋭性及び高粒状
性を長期間にわたり維持し、良好な状態で使用すること
が可能である耐久性及び耐用性の高い変換パネルを提供
することにある。
また本発明の他の目的は、画像の鮮鋭性を損うことな
く前記輝尽層を外部からの物理的刺激に対して十分保護
することにより長期及び繰返し使用に対する耐久性及び
耐用性を向上させた変換パネルを提供することにある。
く前記輝尽層を外部からの物理的刺激に対して十分保護
することにより長期及び繰返し使用に対する耐久性及び
耐用性を向上させた変換パネルを提供することにある。
前記本発明の目的は、支持体上に輝尽性蛍光体層と、
少なくとも一層の保護層を有する放射画像変換パネルに
於て、前記輝尽性蛍光体層と前記保護層の間に前記保護
層よりも低屈折率でかつ屈折率が1.38以下の層を設けた
ことを特徴とする放射線画像変換パネルによって達成さ
れる。
少なくとも一層の保護層を有する放射画像変換パネルに
於て、前記輝尽性蛍光体層と前記保護層の間に前記保護
層よりも低屈折率でかつ屈折率が1.38以下の層を設けた
ことを特徴とする放射線画像変換パネルによって達成さ
れる。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の変換パネルの断面を模式的に表した
ものであり、１は保護層、２は低屈折率層、３は輝尽
層、４は支持体、である。
ものであり、１は保護層、２は低屈折率層、３は輝尽
層、４は支持体、である。
以下に各構成要件についてさらに詳しく説明する。
本発明の保護層としては、透光性が良くシート状に形
成できるものを用いることができる。例えば石英、硼珪
酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、PET、O
PP、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子が挙げられる。
成できるものを用いることができる。例えば石英、硼珪
酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、PET、O
PP、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子が挙げられる。
本発明の保護層は単一層であってもよいし、多層でも
よく材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出ラミネートま
たは共押出コーティングラミネートなどの方法があげら
れる。２層以上の保護層の組み合わせとしては有機高分
子どうしに限られるものではなく、板ガラスどうしや板
ガラスと有機高分子層などが挙げられる。例えば板ガラ
スと高分子層とを組合せる方法としては、保護層用塗布
液を板ガラス上に直塗布して形成するか、あるいはあら
かじめ別途形成した高分子保護層を板ガラス上に接着す
る方法があげられる。なお２層以上の保護層は互いに密
着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
よく材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出ラミネートま
たは共押出コーティングラミネートなどの方法があげら
れる。２層以上の保護層の組み合わせとしては有機高分
子どうしに限られるものではなく、板ガラスどうしや板
ガラスと有機高分子層などが挙げられる。例えば板ガラ
スと高分子層とを組合せる方法としては、保護層用塗布
液を板ガラス上に直塗布して形成するか、あるいはあら
かじめ別途形成した高分子保護層を板ガラス上に接着す
る方法があげられる。なお２層以上の保護層は互いに密
着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
本発明の保護層の厚さは、実用上は10μｍから3mmま
でである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得るためには保護
層の厚さは100μｍ以上が好ましく、特に500μｍ以上の
保護層を設けた場合、耐久性，耐用性にすぐれた変換パ
ネルが得られて、いっそう好ましい。
でである。良好な耐湿性と耐衝撃性を得るためには保護
層の厚さは100μｍ以上が好ましく、特に500μｍ以上の
保護層を設けた場合、耐久性，耐用性にすぐれた変換パ
ネルが得られて、いっそう好ましい。
また、保護層として板ガラスを用いた場合には、極め
て耐湿性にすぐれており特に好ましい。
て耐湿性にすぐれており特に好ましい。
保護層は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過する
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は80％以上が好ましい。例えば石英ガラス、
硼珪酸ガラスなどが挙げられる。硼珪酸ガラスは330nm
〜2.6μｍの波長範囲で80％以上の透過率を示し、石英
ガラスではさらに短波長においても高い透過率を示す。
ために、広い波長範囲で高い透過率を示すことが望まし
く、透過率は80％以上が好ましい。例えば石英ガラス、
硼珪酸ガラスなどが挙げられる。硼珪酸ガラスは330nm
〜2.6μｍの波長範囲で80％以上の透過率を示し、石英
ガラスではさらに短波長においても高い透過率を示す。
また、保護層の表面にMgF2などの反射防止層を設ける
と、輝尽励起光及び輝尽性発光を効率よく透過するとと
もに鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい。保
護層の屈折率は特に規定しないが、実用的に用い得る材
質では1.4から2.0の間にあるものが多い。
と、輝尽励起光及び輝尽性発光を効率よく透過するとと
もに鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ましい。保
護層の屈折率は特に規定しないが、実用的に用い得る材
質では1.4から2.0の間にあるものが多い。
本発明の低屈折率層は、保護層よりも屈折率の低い材
質からなり、この層が存在することにより、保護層を厚
くしても鮮鋭性の低下を小さくすることができる。例え
ば第２表に示す物質を用いることができ、気相堆積法で
形成された薄膜の状態で用いるのが好ましい。あるい
は、第３表に示す液体層を用いることもできる。また、
本発明の低屈折率層として、空気、窒素、アルゴンなど
の気体層や真空層など屈折率が実質的に１である層を用
いると、鮮鋭性の低下を防止する効果が高く特に好まし
い。
質からなり、この層が存在することにより、保護層を厚
くしても鮮鋭性の低下を小さくすることができる。例え
ば第２表に示す物質を用いることができ、気相堆積法で
形成された薄膜の状態で用いるのが好ましい。あるい
は、第３表に示す液体層を用いることもできる。また、
本発明の低屈折率層として、空気、窒素、アルゴンなど
の気体層や真空層など屈折率が実質的に１である層を用
いると、鮮鋭性の低下を防止する効果が高く特に好まし
い。
本発明の低屈折率層の厚さは0.05μｍから3mmまでが
実用的である。
実用的である。
本発明の低屈折率層は、輝尽層と密着状態にあっても
よいし、離れていてもよい。低屈折率層と輝尽層を密着
させるためには、接着剤を用いるのが１つの方法である
が、その場合、接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率または
低屈折率層の屈折率に近いことが好ましい。
よいし、離れていてもよい。低屈折率層と輝尽層を密着
させるためには、接着剤を用いるのが１つの方法である
が、その場合、接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率または
低屈折率層の屈折率に近いことが好ましい。
本発明において低屈折率層として、気体層や真空層を
設ける場合には、例えば第２図のように変換パネルの側
縁部にスペーサ５を設けて、一定の厚みを保つ方法があ
る。また第３図のように、保護層と輝尽層の間にスペー
サ材６を散布することにより、気体層または真空層を設
けてもよい。スペーサ材としては、例えば液晶パネルの
スペーサ材として用いられている直径数μｍの微細ガラ
スファイバ片を用いることができる。
設ける場合には、例えば第２図のように変換パネルの側
縁部にスペーサ５を設けて、一定の厚みを保つ方法があ
る。また第３図のように、保護層と輝尽層の間にスペー
サ材６を散布することにより、気体層または真空層を設
けてもよい。スペーサ材としては、例えば液晶パネルの
スペーサ材として用いられている直径数μｍの微細ガラ
スファイバ片を用いることができる。
本発明において用いる輝尽性蛍光体は、最初の光もし
くは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面
から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。該輝尽性蛍光体としては、例え
ば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:AX、特開
昭48−80489号に記載されているSrSO4:AX、特開昭53−3
9277号のLi2B4O7:Cu,Ag等、特開昭54−47883号のLi2O・
（B2O2）x:Cu及びLi2O・（B2O2）x:Cu,Ag等、米国特許
3,859,527号のSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及
び（Zn,Cd）S:Mnで表される蛍光体が挙げられる。
くは高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱
的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励起）
により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量
に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面
から好ましくは500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。該輝尽性蛍光体としては、例え
ば特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:AX、特開
昭48−80489号に記載されているSrSO4:AX、特開昭53−3
9277号のLi2B4O7:Cu,Ag等、特開昭54−47883号のLi2O・
（B2O2）x:Cu及びLi2O・（B2O2）x:Cu,Ag等、米国特許
3,859,527号のSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2O2S:Eu,Sm及
び（Zn,Cd）S:Mnで表される蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb
蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン酸バ
リウム蛍光体、及び一般式MIIO・xSiO2:Aで表されるア
ルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特
開昭55−12143号に記載されている一般式 （Ba1−ｘ−yMgxCay）FX:eEu2+ で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号に記載されている一般式 LnOX:xA で表され蛍光体、特開昭55−12145号に記載されている
一般式 （Ba1−xMIIIx）FX:yA で表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式 BaFX:xCe,yA で表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式 MIIFX・xA:yLn で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
X及CdS:A,Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記
載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で表される蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm で表される蛍光体、及び下記一般式 MIX・aMIIX′２・bMIIIX″3:cA で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成させやすく好ましい。
蛍光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン酸バ
リウム蛍光体、及び一般式MIIO・xSiO2:Aで表されるア
ルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特
開昭55−12143号に記載されている一般式 （Ba1−ｘ−yMgxCay）FX:eEu2+ で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号に記載されている一般式 LnOX:xA で表され蛍光体、特開昭55−12145号に記載されている
一般式 （Ba1−xMIIIx）FX:yA で表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式 BaFX:xCe,yA で表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式 MIIFX・xA:yLn で表される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
X及CdS:A,Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記
載されている下記いづれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で表される蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm で表される蛍光体、及び下記一般式 MIX・aMIIX′２・bMIIIX″3:cA で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着，スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成させやすく好ましい。
しかし、本発明に係る変換パネルに用いられる輝尽性
蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を
示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
蛍光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射
線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を
示す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
本発明の変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくと
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なってい
てもよい。
も一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る
輝尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含
まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なってい
てもよい。
本発明の輝尽層は塗布方法、気相成長方法のいづれに
よってもよい。
よってもよい。
本発明のパネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パ
ネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によ
って異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μ
ｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲か
ら選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合で20μ
ｍ〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは50μｍ〜500μ
ｍの範囲から選ばれるのが好ましい。
ネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によ
って異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μ
ｍの範囲、さらに好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲か
ら選ばれるのが好ましく、結着剤を含有する場合で20μ
ｍ〜1000μｍの範囲、さらに好ましくは50μｍ〜500μ
ｍの範囲から選ばれるのが好ましい。
本発明の変換パネルの支持体としては各種高分子材
料、ガラス、セラミックス、金属等が用いられる。
料、ガラス、セラミックス、金属等が用いられる。
高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィ
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムがあげられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまた
は金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
または金属板があげられる。ガラスとしては化学的強化
ガラスや結晶化ガラスなどがあげられる。またセラミッ
クスとしてはアルミナやジルコニアの焼結板などがあげ
られる。
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムがあげられる。金属として
は、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまた
は金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート
または金属板があげられる。ガラスとしては化学的強化
ガラスや結晶化ガラスなどがあげられる。またセラミッ
クスとしてはアルミナやジルコニアの焼結板などがあげ
られる。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には80μｍ〜2000μｍであり、
取り扱い上の点から、さらに好ましくは80μｍ〜1000μ
ｍである。
よって異なるが、一般的には80μｍ〜2000μｍであり、
取り扱い上の点から、さらに好ましくは80μｍ〜1000μ
ｍである。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
本発明の変換パネルは、よりいっそうの耐湿性を得る
ためには、保護層と支持体の側縁部を封止することが望
ましい。封止の方法としては例えばガラス融着や接着剤
を用いる方法があげられる。接着剤としては、例えばエ
ポキシ樹脂系接着剤などがあげられる。接着剤は透湿度
の低いものを選んで用いると良い。
ためには、保護層と支持体の側縁部を封止することが望
ましい。封止の方法としては例えばガラス融着や接着剤
を用いる方法があげられる。接着剤としては、例えばエ
ポキシ樹脂系接着剤などがあげられる。接着剤は透湿度
の低いものを選んで用いると良い。
また、特願昭61−220492に開示されているように支持
体と輝尽層からなる放射線画像変換パネル原体を高分子
フィルムよりなる保護袋中に収納し、側縁部をシールし
てもよい。この場合低屈折率層は予め輝尽層の表面に形
成しておいてもよいし、保護袋の輝尽層に対峙する表面
に形成しておいてもよい。あるいは保護層と輝尽層との
間に気体層や真空層を設けることにより、低屈折率層を
形成してもよい。
体と輝尽層からなる放射線画像変換パネル原体を高分子
フィルムよりなる保護袋中に収納し、側縁部をシールし
てもよい。この場合低屈折率層は予め輝尽層の表面に形
成しておいてもよいし、保護袋の輝尽層に対峙する表面
に形成しておいてもよい。あるいは保護層と輝尽層との
間に気体層や真空層を設けることにより、低屈折率層を
形成してもよい。
保護袋のシール方法としはヒートシール法、高周波シ
ール法、超音波シール法などが好ましいが接着剤を塗布
した後、圧着もしくは熱圧着する方法を用いてもよい。
ール法、超音波シール法などが好ましいが接着剤を塗布
した後、圧着もしくは熱圧着する方法を用いてもよい。
本発明の変換パネルにおいて、保護層は支持体の役割
を兼ねることもできる。その場合には、本発明でいう支
持体は実質的に輝尽層を支持する能力を有しなくてもよ
い。
を兼ねることもできる。その場合には、本発明でいう支
持体は実質的に輝尽層を支持する能力を有しなくてもよ
い。
本発明の変換パネルは第４図に概略的に示される放射
線画像変換方法に用いられる。
線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第４図において、41は放射線発生装置、42
は被写体、43は本発明に係る変換パネル、44は輝尽励起
光源、45は該変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出
する光電変換装置、46は45で検出された信号を画像とし
て再生する装置、47は再生された画像を表示する装置、
48は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを
透過させるフィルタである。尚45以降は43からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
は被写体、43は本発明に係る変換パネル、44は輝尽励起
光源、45は該変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出
する光電変換装置、46は45で検出された信号を画像とし
て再生する装置、47は再生された画像を表示する装置、
48は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを
透過させるフィルタである。尚45以降は43からの光情報
を何らかの形で画像として再生できるものであればよ
く、上記に限定されるものではない。
第４図に示されるように、放射線発生装置41からの放
射線は被写体42を通して変換パネル43に入射する。この
入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。
射線は被写体42を通して変換パネル43に入射する。この
入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、そのエ
ネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。
励起して輝尽発光として放出せしめる。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネル
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46に
よって画像として再生し画像表示装置47によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
ギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46に
よって画像として再生し画像表示装置47によって表示す
ることにより、被写体の放射線透過像を観察することが
できる。
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例 １ 500μｍ厚の結晶化ガラス支持体に、蒸着装置でアル
カリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μｍ蒸着し
た。
カリハライド蛍光体（RbBr;0.0006Tl）を300μｍ蒸着し
た。
次いで前記輝尽層上に550μｍ厚の保護層及び低屈折
率層を第４表の組合せで設けた。ただし表中の（ ）内
の数値は屈折率を示す。
率層を第４表の組合せで設けた。ただし表中の（ ）内
の数値は屈折率を示す。
また比較例として実施例と同様の支持体、輝尽層を用
い低屈折率層を設けることなく輝尽層に保護層を接着剤
で密着させた比較例Ａを第５表の如く設けた。
い低屈折率層を設けることなく輝尽層に保護層を接着剤
で密着させた比較例Ａを第５表の如く設けた。
比較例 上記試料においても80℃、10-3torrの条件で真空乾燥
を１時間行った後に支持体と保護層の側縁部をエポキシ
樹脂系接着剤で封止した。
を１時間行った後に支持体と保護層の側縁部をエポキシ
樹脂系接着剤で封止した。
前記の試料につき、防湿性及びMTFによる鮮鋭性のチ
ェックを行った。
ェックを行った。
実施例1,2,3及び比較例Ａは良好な防湿性を示し、気
温40℃、湿度90％の条件下に48時間放置しても放射線感
度の低下は全くおこらず、輝尽励起光照射を受けるまで
の蓄積エネルギーの減衰もわずかであった。
温40℃、湿度90％の条件下に48時間放置しても放射線感
度の低下は全くおこらず、輝尽励起光照射を受けるまで
の蓄積エネルギーの減衰もわずかであった。
試料４では多少の劣化が認められたが実用上は問題の
ない程度であった。
ない程度であった。
第６表に各試料の空間周波数1lp/mmと2lp/mmにおける
MTFを示した。比較例Ａは550μｍのガラス保護層を設け
たことによって著しく鮮鋭性が低下しているのに対し、
試料1,2,3,4は同じ550μｍの厚い保護層を有しているに
もかかわらず、鮮鋭性の低下は少なかった。
MTFを示した。比較例Ａは550μｍのガラス保護層を設け
たことによって著しく鮮鋭性が低下しているのに対し、
試料1,2,3,4は同じ550μｍの厚い保護層を有しているに
もかかわらず、鮮鋭性の低下は少なかった。
特に試料2,3,4では高い鮮鋭性を有し、臨床に耐える
性能を示した。
性能を示した。
〔発明の効果〕 本発明は支持体上に輝尽性蛍光体層と少なくとも一層
の保護層を有する放射線画像変換パネルに於て、前記輝
尽性蛍光体層と保護層の間に保護層よりも低屈折率の層
を設けたことにより化学的および物理的刺激から保護す
るために設けられた保護層を有する場合において、パネ
ルの鮮鋭性を向上させることを可能とした。
の保護層を有する放射線画像変換パネルに於て、前記輝
尽性蛍光体層と保護層の間に保護層よりも低屈折率の層
を設けたことにより化学的および物理的刺激から保護す
るために設けられた保護層を有する場合において、パネ
ルの鮮鋭性を向上させることを可能とした。
第１図は本発明の基本構成を表す図、第２図、第３図は
本発明の構成例を表す図である。 第４図は変換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明
図である。
本発明の構成例を表す図である。 第４図は変換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体層と、少なくとも
一層の保護層を有する放射画像変換パネルに於て、前記
輝尽性蛍光体層と前記保護層の間に前記保護層よりも低
屈折率でかつ屈折率が1.38以下の層を設けたことを特徴
とする放射線画像変換パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63006474A JP2829607B2 (ja) | 1987-08-18 | 1988-01-13 | 低屈折率層を差挟んだ保護層を有する放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-206017 | 1987-08-18 | ||
| JP20601787 | 1987-08-18 | ||
| JP63006474A JP2829607B2 (ja) | 1987-08-18 | 1988-01-13 | 低屈折率層を差挟んだ保護層を有する放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131498A JPH01131498A (ja) | 1989-05-24 |
| JP2829607B2 true JP2829607B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=16516527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63006474A Expired - Lifetime JP2829607B2 (ja) | 1987-08-18 | 1988-01-13 | 低屈折率層を差挟んだ保護層を有する放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829607B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7315031B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-01-01 | Fujifilm Corporation | Radiation image storage panel |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6215500A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP63006474A patent/JP2829607B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7315031B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-01-01 | Fujifilm Corporation | Radiation image storage panel |
| US7368746B2 (en) | 2002-08-14 | 2008-05-06 | Fujifilm Corporation | Phosphor panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01131498A (ja) | 1989-05-24 |
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Legal Events
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