JP2677822B2 - 放射線画像変換パネル - Google Patents
放射線画像変換パネルInfo
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- JP2677822B2 JP2677822B2 JP14799888A JP14799888A JP2677822B2 JP 2677822 B2 JP2677822 B2 JP 2677822B2 JP 14799888 A JP14799888 A JP 14799888A JP 14799888 A JP14799888 A JP 14799888A JP 2677822 B2 JP2677822 B2 JP 2677822B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルに関するものであり、さらに詳しくは水分の侵入によ
り劣化されずに、初期性能が優れた輝尽性蛍光体層を有
する放射線画像変換パネルに関する。
ルに関するものであり、さらに詳しくは水分の侵入によ
り劣化されずに、初期性能が優れた輝尽性蛍光体層を有
する放射線画像変換パネルに関する。
（従来の技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
代って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法
が工夫されている。
この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化す
る方法である。具体的には、例えば、米国特許3,859,52
7号及び特開明55−12144号広報には輝尽性蛍光体を用い
可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換
方法が示されている。
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体
が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化す
る方法である。具体的には、例えば、米国特許3,859,52
7号及び特開明55−12144号広報には輝尽性蛍光体を用い
可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換
方法が示されている。
この方法は、輝尽性蛍光体層（以後輝尽層と略称）を
有する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）
を使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによっ
て各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。
有する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）
を使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を
透過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対
応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、し
かる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによっ
て各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれ
を光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を
得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能で
ある。
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能で
ある。
そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰り返し
の使用に耐える性能を有することが望ましい。そのため
には、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的ある
いは化学的刺激から十分に保護される必要がある。
質を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰り返し
の使用に耐える性能を有することが望ましい。そのため
には、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的ある
いは化学的刺激から十分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
るため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保
護層を設ける方法がとられてきた。
この保護層は、例えば特開昭59−42500号広報に開示
されているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗
布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成した
保護層を輝尽層上に接着する方法により形成されてい
る。
されているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗
布して形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成した
保護層を輝尽層上に接着する方法により形成されてい
る。
保護層としては、一般的には有機高分子からなる薄い
保護層（層厚数十μｍ程度）が用いられている。このよ
うな薄い保護層が用いられるのは、変換パネルの鮮鋭性
の低下を防ぐためである。
保護層（層厚数十μｍ程度）が用いられている。このよ
うな薄い保護層が用いられるのは、変換パネルの鮮鋭性
の低下を防ぐためである。
例えば、輝尽層を有する変換パネルの鮮鋭性と保護層
厚みの関係を空間周波数1lp/mmおよび2lp/mmのMTF（変
調伝達関数）を用いて以下の表に示す。
厚みの関係を空間周波数1lp/mmおよび2lp/mmのMTF（変
調伝達関数）を用いて以下の表に示す。
表に示すように、保護層が厚いほど鮮鋭性が低下す
る。この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表
面での反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽
層へ再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反
射散乱光はより遠くまで到達し、対象画素外の画素の情
報を混入させるので、鮮鋭性が低下するのである。
る。この原因としては、入射した輝尽励起光の輝尽層表
面での反射散乱光が保護層−空気界面で反射され、輝尽
層へ再入射することが挙げられる。保護層が厚いほど反
射散乱光はより遠くまで到達し、対象画素外の画素の情
報を混入させるので、鮮鋭性が低下するのである。
Ｘ線撮影に用いる一般型の増感紙−フィルム系におい
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値により劣ることは好ましくなく、従って、
保護層の厚さは10μｍ以下が望ましい。
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値により劣ることは好ましくなく、従って、
保護層の厚さは10μｍ以下が望ましい。
（解決しようとする問題点） しかしながら、常用される有機高分子からなる薄い保
護層は、ある程度の水分、湿気等に対し透過性であり、
輝尽層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放射線
感度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの蓄積
エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の画質
のばらつきや劣化をもたらしていた。
護層は、ある程度の水分、湿気等に対し透過性であり、
輝尽層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放射線
感度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの蓄積
エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の画質
のばらつきや劣化をもたらしていた。
このように薄い保護層を有する変換パネルを過酷な温
湿度条件下で使用したり、水分に対して充分な耐性を有
しない輝尽性蛍光体を使用した変換パネルを用いる場合
には、保護層を透過して侵入する微量の水分による輝尽
層の劣化が問題となっている。例えば通常使用される保
護層である厚さ20μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（以下、PETフィルムと略記する）の場合、その
透湿度は25g/m2・24hrであり、１日に単位面積当り25g
もの水分を透過するのである。
湿度条件下で使用したり、水分に対して充分な耐性を有
しない輝尽性蛍光体を使用した変換パネルを用いる場合
には、保護層を透過して侵入する微量の水分による輝尽
層の劣化が問題となっている。例えば通常使用される保
護層である厚さ20μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（以下、PETフィルムと略記する）の場合、その
透湿度は25g/m2・24hrであり、１日に単位面積当り25g
もの水分を透過するのである。
このような変換パネルは、耐湿性を向上させるため、
支持体、輝尽性蛍光体および保護層からなる積層体の周
縁部を封止して製造される。その封止の方法としては、
例えば周縁部をシール剤により封止し、シール剤を固定
部剤により外側から固定する方法（特開昭61−237099号
公報）や周縁部が保護層の延長部分により被覆された状
態でシールする方法（特開昭61−237100号公報）等が用
いられている。
支持体、輝尽性蛍光体および保護層からなる積層体の周
縁部を封止して製造される。その封止の方法としては、
例えば周縁部をシール剤により封止し、シール剤を固定
部剤により外側から固定する方法（特開昭61−237099号
公報）や周縁部が保護層の延長部分により被覆された状
態でシールする方法（特開昭61−237100号公報）等が用
いられている。
しかしながら、このように封止しただけでは保護層を
透過する水分の輝尽層への影響を十分に防ぐことはでき
ない。
透過する水分の輝尽層への影響を十分に防ぐことはでき
ない。
そこで、本発明は輝尽性蛍光体の水分の侵入による劣
化を防ぎ、初期性能を向上させた輝尽層を有する変換パ
ネルの提供を目的とする。
化を防ぎ、初期性能を向上させた輝尽層を有する変換パ
ネルの提供を目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、支持体と保護層との間に、輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルにおいて、 前記輝尽性蛍光体層の周りに、封着部材を設け、 前記支持体、前記保護層および前記封着部材により形
成される空間内に、前記輝尽性蛍光体層および乾燥ガス
が封入されていることを特徴とする。
を有する放射線画像変換パネルにおいて、 前記輝尽性蛍光体層の周りに、封着部材を設け、 前記支持体、前記保護層および前記封着部材により形
成される空間内に、前記輝尽性蛍光体層および乾燥ガス
が封入されていることを特徴とする。
本発明の変換パネルの構成としては、支持体と保護層
が輝尽層をはさんで存在しており、輝尽層は支持体もし
くは保護層に接着されていてもよい。
が輝尽層をはさんで存在しており、輝尽層は支持体もし
くは保護層に接着されていてもよい。
第１図および第２図は本発明の変換パネルの一例を模
式的に表したものであり、１は輝尽層、２は保護層、３
は支持体、４は封着部材である。
式的に表したものであり、１は輝尽層、２は保護層、３
は支持体、４は封着部材である。
本発明において使用される輝尽性蛍光体とは、最初の
光もしくは高エネルギー放射線が照射された後、光的、
熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励
起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的
な面から好ましくは500nm以上の励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。そのような輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号公報に記載されているBaS
O4:AX、特開昭48−80489号公報に記載されているSrSO4:
AX、特開昭53−39277号公報のLi2B4O7:Cu,Ag等、特開昭
54−47883号公報のLi2O・（B2O2）X:CuおよびLi2O・（B
2O2）X:Cu,Ag等米国特許3,859,527号のSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Smおよび（Zn,Cd）S:Mn,で示される
蛍光体が挙げられる。
光もしくは高エネルギー放射線が照射された後、光的、
熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激（輝尽励
起）により、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的
な面から好ましくは500nm以上の励起光によって輝尽発
光を示す蛍光体である。そのような輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号公報に記載されているBaS
O4:AX、特開昭48−80489号公報に記載されているSrSO4:
AX、特開昭53−39277号公報のLi2B4O7:Cu,Ag等、特開昭
54−47883号公報のLi2O・（B2O2）X:CuおよびLi2O・（B
2O2）X:Cu,Ag等米国特許3,859,527号のSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Smおよび（Zn,Cd）S:Mn,で示される
蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55−12142号公報に記載されているZnS:C
u,Pb蛍光体、一般式BaOxAl2O3:Euで示されるアルミン酸
バリウム蛍光体、および一般式ＭIIＯ・xSiO2:Aで示さ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。ま
た、特開昭55−12143号公報に記載されている一般式 （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号公報に記載されている一般式 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号公報に記載され
ている一般式 （Ba1-xMII Ｘ）FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号公報に記載され
ている一般式 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号公報に記載され
ている一般式 ＭIIFX・xA:yLn で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
XおよびCdS:A,Xで示される蛍光体、特開昭59−38278号
公報に記載されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で示される蛍光体、時開昭59−155487号公報に記載され
ている下記いずれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,xSm で示される蛍光体、特開昭61−72087号公報に記載され
ている及び下記一般式 ＭＩＸ・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″3:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
u,Pb蛍光体、一般式BaOxAl2O3:Euで示されるアルミン酸
バリウム蛍光体、および一般式ＭIIＯ・xSiO2:Aで示さ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。ま
た、特開昭55−12143号公報に記載されている一般式 （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号公報に記載されている一般式 LnOX:xA で示される蛍光体、特開昭55−12145号公報に記載され
ている一般式 （Ba1-xMII Ｘ）FX:yA で示される蛍光体、特開昭55−84389号公報に記載され
ている一般式 BaFX:xCe,yA で示される蛍光体、特開昭55−160078号公報に記載され
ている一般式 ＭIIFX・xA:yLn で示される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A、CdS:A、（Zn,Cd）S:A、S:A,ZnS:A,
XおよびCdS:A,Xで示される蛍光体、特開昭59−38278号
公報に記載されている下記いずれかの一般式 xM3（PO4）２・NX2:yA M3（PO4）2:yA で示される蛍光体、時開昭59−155487号公報に記載され
ている下記いずれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,xSm で示される蛍光体、特開昭61−72087号公報に記載され
ている及び下記一般式 ＭＩＸ・aMIIＸ′２・bMIIIＸ″3:cA で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
しかし、本発明の変換パネルに用いられる輝尽性蛍光
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す
蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
本発明の変換パネルにおける輝尽層は、前記の輝尽性
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上
の輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。また、それ
ぞれの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であっても
よいが異なっていてもよい。
蛍光体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上
の輝尽層から成る輝尽層群であってもよい。また、それ
ぞれの輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であっても
よいが異なっていてもよい。
変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネル
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μｍの
範囲、好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲から選ばれ、
結着剤を含有する場合で90μｍ〜1000μｍの範囲、好ま
しくは50μｍ〜500μｍの範囲から選ばれる。
の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって
異なるが、結着剤を含有しない場合10μｍ〜1000μｍの
範囲、好ましくは20μｍ〜800μｍの範囲から選ばれ、
結着剤を含有する場合で90μｍ〜1000μｍの範囲、好ま
しくは50μｍ〜500μｍの範囲から選ばれる。
このような輝尽層は支持体上に塗布法や気相成長法等
を用いて形成されるが、輝尽層を保護層上に形成せしめ
た後、支持体に積層してもよい。
を用いて形成されるが、輝尽層を保護層上に形成せしめ
た後、支持体に積層してもよい。
本発明において使用される支持体としては各種高分子
料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。
料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。
高分子材料としては例えセルロースアセテートフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカ
ーボネート等のフィルムが挙げられる。金属としては、
アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまたは金
属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートまた
は金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラ
ス、結晶化ガラス、石英、硼珪酸ガラスなどが挙げられ
る。またセラミックスとしてはアルミナやジルコニアの
焼結板などが挙げられる。
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカ
ーボネート等のフィルムが挙げられる。金属としては、
アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまたは金
属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートまた
は金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラ
ス、結晶化ガラス、石英、硼珪酸ガラスなどが挙げられ
る。またセラミックスとしてはアルミナやジルコニアの
焼結板などが挙げられる。
本発明に使用される支持体は透湿度が低いことが望ま
しく、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１
（g/m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性に優れ、
透湿度が実質的に０であるような金属シートまたは金属
板、ガラス、セラミックスなどが特に好ましい。
しく、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１
（g/m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性に優れ、
透湿度が実質的に０であるような金属シートまたは金属
板、ガラス、セラミックスなどが特に好ましい。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には80μｍ〜50mmであり、取り
扱いが容易であるという点から、好ましくは200μｍ〜3
mmである。
よって異なるが、一般的には80μｍ〜50mmであり、取り
扱いが容易であるという点から、好ましくは200μｍ〜3
mmである。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
上させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けて
もよいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けて
もよい。
本発明の変換パネルにおいて用いられる保護層として
は、透光性がよく、シート状に成形できるものが使用さ
れる。保護層は輝尽性励起光および輝尽性発光を効率よ
く透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すこ
とが望ましく、透過率は80％以上が好ましい。
は、透光性がよく、シート状に成形できるものが使用さ
れる。保護層は輝尽性励起光および輝尽性発光を効率よ
く透過するために、広い波長範囲で高い透過率を示すこ
とが望ましく、透過率は80％以上が好ましい。
そのようなものとしては、例えば、石英、硼珪酸ガラ
ス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、PET、延伸ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物が挙
げられる。硼珪酸ガラスは330nm〜2.6μｍの波長範囲で
80％以上の透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長
においても高い透過率を示す。
ス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、PET、延伸ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物が挙
げられる。硼珪酸ガラスは330nm〜2.6μｍの波長範囲で
80％以上の透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長
においても高い透過率を示す。
さらに、保護層の表面に、MgF2等の反射防止層を設け
ると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過すると
ともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好まし
い。
ると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過すると
ともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好まし
い。
本発明に用いる保護層は透湿度が低いことが望まし
く、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１（g/
m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性に優れ透湿度
が実質的に０であるようなガラスが特に好ましい。
く、透湿度は10（g/m2・24hr）以下が好ましく、１（g/
m2・24hr）以下がさらに好ましい。気密性に優れ透湿度
が実質的に０であるようなガラスが特に好ましい。
また、保護層の厚さは、25μｍ〜5mmであり、良好な
防湿性と耐衝撃性を得るためには、100μｍ〜3mmが好ま
しい。
防湿性と耐衝撃性を得るためには、100μｍ〜3mmが好ま
しい。
保護層は輝尽層に接着していてもいなくてもよく、ま
た、両層間に保護層よりも屈折率の低い層が存在してい
てもよい。低屈折率層が存在すると、保護層を厚くして
も鮮鋭性の低下が小さいので好ましい。低屈折率層とし
ては屈折率が実質的に１であるような気体層が特に好ま
しく、空気、窒素、アルゴンなどが挙げられる。
た、両層間に保護層よりも屈折率の低い層が存在してい
てもよい。低屈折率層が存在すると、保護層を厚くして
も鮮鋭性の低下が小さいので好ましい。低屈折率層とし
ては屈折率が実質的に１であるような気体層が特に好ま
しく、空気、窒素、アルゴンなどが挙げられる。
この保護層は、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布
して形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成し
た保護層を輝尽層上に接着もしくは載置したり、保護層
上に輝尽層を形成してもよい。
して形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成し
た保護層を輝尽層上に接着もしくは載置したり、保護層
上に輝尽層を形成してもよい。
本発明の保護層は単一層であってもよいし、多層でも
よく、材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出しラミネート
または共押出しコーティングラミネートなどの方法が挙
げられる。２層以上の保護層の組み合わせとしては有機
高分子同志に限られるものではなく、板ガラス同志や板
ガラスと有機高分子層などが挙げられる。例えば、板ガ
ラスと高分子層とを組み合わせる方法としては、保護層
用塗布液を板ガラス上に直接塗布して形成するか、ある
いは予め別途形成した高分子保護層を板ガラス上に接着
する方法が挙げられる。なお２層以上の保護層は互いに
密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
よく、材質の異なる２種類以上の層からなっていてもよ
い。例えば２層以上の有機高分子膜を複合したフィルム
を用いることができる。このような複合高分子フィルム
の製法としては、ドライラミネート、押出しラミネート
または共押出しコーティングラミネートなどの方法が挙
げられる。２層以上の保護層の組み合わせとしては有機
高分子同志に限られるものではなく、板ガラス同志や板
ガラスと有機高分子層などが挙げられる。例えば、板ガ
ラスと高分子層とを組み合わせる方法としては、保護層
用塗布液を板ガラス上に直接塗布して形成するか、ある
いは予め別途形成した高分子保護層を板ガラス上に接着
する方法が挙げられる。なお２層以上の保護層は互いに
密着状態にあってもよいし、離れていてもよい。
本発明においては、上述した支持体と保護層の層間に
乾燥ガスが封入されているが、使用される乾燥ガスとし
ては、He、Ne、Ar等の不活性ガスやO2、H2、N2、CO2、
空気等が挙げられ、これらのガスを単一で用いても、ま
た、複数混合してもよい。好ましくは不活性ガスおよび
N2である。
乾燥ガスが封入されているが、使用される乾燥ガスとし
ては、He、Ne、Ar等の不活性ガスやO2、H2、N2、CO2、
空気等が挙げられ、これらのガスを単一で用いても、ま
た、複数混合してもよい。好ましくは不活性ガスおよび
N2である。
乾燥ガスの含水量は、5.0mg/以下であり、好ましく
は、0.2mg/以下であり、さらに好しくは0.02mg/以
下である。
は、0.2mg/以下であり、さらに好しくは0.02mg/以
下である。
乾燥ガスの圧力は、変換パネル内部に外部の水分が侵
入しないように、変換パネル使用時の圧力より少し高く
するのが好ましい。
入しないように、変換パネル使用時の圧力より少し高く
するのが好ましい。
乾燥ガスは、例えば図１〜４に示すように、支持体と
保護層の層間に封入されるが、厚くて透湿度の低い保護
層を使用し、かつ、乾燥ガスが輝尽層と保護層の層間に
あって、低屈折率層を形成している状態が防湿性、鮮鋭
性共に優れ好ましい。
保護層の層間に封入されるが、厚くて透湿度の低い保護
層を使用し、かつ、乾燥ガスが輝尽層と保護層の層間に
あって、低屈折率層を形成している状態が防湿性、鮮鋭
性共に優れ好ましい。
低屈折率層を形成している状態の場合には、輝尽層と
保護層が接しないようにスペーサを設けるが、スペーサ
としては、プラスチック、金属、ガラス、セラミックス
等が使用される。
保護層が接しないようにスペーサを設けるが、スペーサ
としては、プラスチック、金属、ガラス、セラミックス
等が使用される。
本発明に使用される封着部材としては、気密性が優
れ、透湿度が低いものが適しており、具体的には、エポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系
樹脂、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレ
タン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニト
リル系ゴム、等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系
接着剤等が挙げられる。半導体や電子部品の封止に用い
られるエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂は耐湿性が優
れているので好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度
が低く好適である。また、前記のような接着剤の他、低
融点ガラス等の封着用ガラスを用いてガラス融着により
封着しても、保護層の延長部で封着してもよく、特にガ
ラス融着は、気密性が優れているので好ましい。
れ、透湿度が低いものが適しており、具体的には、エポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系
樹脂、酢酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレ
タン系樹脂、アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹
脂、ポリオレフィン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニト
リル系ゴム、等の有機高分子系接着剤や、シリコーン系
接着剤等が挙げられる。半導体や電子部品の封止に用い
られるエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂は耐湿性が優
れているので好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度
が低く好適である。また、前記のような接着剤の他、低
融点ガラス等の封着用ガラスを用いてガラス融着により
封着しても、保護層の延長部で封着してもよく、特にガ
ラス融着は、気密性が優れているので好ましい。
本発明の変換パネルにおいて、乾燥ガスを封入するに
は、例えば次のような方法を用いることができる。
は、例えば次のような方法を用いることができる。
支持体、輝尽層および保護層からなる変換パネルを、
上述したいずれの方法により形成し、その周縁を封着部
材にて封着する際、封着部に１箇所通気口（切欠き）を
設け、真空で吸引した後、前記乾燥ガスにてリークし、
通気口を封着する。真空で吸引する時に加熱下で行う
と、水分の除去を効率的に行うことができ好ましい。ま
た、切欠き部と真空ラインを直結し、乾燥ガス置換後、
封じ切ると水分の侵入をより効果的に防止することがで
きる。
上述したいずれの方法により形成し、その周縁を封着部
材にて封着する際、封着部に１箇所通気口（切欠き）を
設け、真空で吸引した後、前記乾燥ガスにてリークし、
通気口を封着する。真空で吸引する時に加熱下で行う
と、水分の除去を効率的に行うことができ好ましい。ま
た、切欠き部と真空ラインを直結し、乾燥ガス置換後、
封じ切ると水分の侵入をより効果的に防止することがで
きる。
また、封着部に２箇所以上の切欠きを設け、１つの切
欠き部より乾燥ガスを流入し、変換パネル内部に乾燥ガ
スを流通させた後、乾燥ガスで置換し、切欠きを封着す
る方法を用いてもよい。この際も、加熱下で行うと、水
分の侵入を効果的に防止できて好ましい。
欠き部より乾燥ガスを流入し、変換パネル内部に乾燥ガ
スを流通させた後、乾燥ガスで置換し、切欠きを封着す
る方法を用いてもよい。この際も、加熱下で行うと、水
分の侵入を効果的に防止できて好ましい。
本発明の変換パネルは、第６図に概略的に示される放
射線画像変換方法に用いられる。
射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、放射線発生装置41からの放射線は、被写体
42を通して変換パネル43に入射する。
42を通して変換パネル43に入射する。
この入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。
次にこの蓄積像を輝尽層励起光源44から輝尽励起光で
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等
の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によっ
て画像として再生し画像表示装置47によって表示するこ
とにより、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等
の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によっ
て画像として再生し画像表示装置47によって表示するこ
とにより、被写体の放射線透過像を観察することができ
る。
本発明の変換パネルは、乾燥ガスが封入されているの
で、従来の変換パネルに比較して、輝尽層が乾燥状態に
あり、変換パネルの初期性能が向上する。また、保護層
を厚くし、かつ、保護層や封着部材に透湿度の低いもの
を用いて、外部からの水分の侵入を防止すれば、この初
期性能を長時間保持することができる。
で、従来の変換パネルに比較して、輝尽層が乾燥状態に
あり、変換パネルの初期性能が向上する。また、保護層
を厚くし、かつ、保護層や封着部材に透湿度の低いもの
を用いて、外部からの水分の侵入を防止すれば、この初
期性能を長時間保持することができる。
さらに、変換パネル内の圧力は乾燥ガスにより一定に
保持されているので、内部が真空のものより、機械的強
度が優れている。
保持されているので、内部が真空のものより、機械的強
度が優れている。
（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。
実施例１ 1.0mm厚の結晶化ガラス支持体（400mm×550mm）を、
エレクトロンビーム法（FB法）による蒸着装置中に設置
した。次いで、水冷したルツボにアルカリハライド蛍光
体（RbBr;0.0006T1）を入れ、プレスしてルツボの形状
に成形した。
エレクトロンビーム法（FB法）による蒸着装置中に設置
した。次いで、水冷したルツボにアルカリハライド蛍光
体（RbBr;0.0006T1）を入れ、プレスしてルツボの形状
に成形した。
続いて、蒸着装置内を排気し、５×10-6Torrの真空度
とした。次に、支持体を40〜45℃に保持しながら、EBガ
ンに電力を供給して輝尽性蛍光体を蒸発させた。
とした。次に、支持体を40〜45℃に保持しながら、EBガ
ンに電力を供給して輝尽性蛍光体を蒸発させた。
目的とする輝尽層を得るために膜厚モニタにより蒸着
速度が105Å/minとなるようにコントロールした。ま
た、電子ビームはルツボの輝尽性蛍光体表面をラスター
状にスキャンさせた。
速度が105Å/minとなるようにコントロールした。ま
た、電子ビームはルツボの輝尽性蛍光体表面をラスター
状にスキャンさせた。
輝尽層の層厚が300μｍとなったところで蒸着を終了
させた。輝尽層の蒸着領域はステンレス板のマスクを用
いて、370mm×470mmとした。
させた。輝尽層の蒸着領域はステンレス板のマスクを用
いて、370mm×470mmとした。
次いで前記輝尽層の支持体のある面と反対側の面に、
ポリ塩化ビニリデンの保護層をポリウレタン系樹脂剤
（Ｔ−600,日本曹達（株）製）にて接着した。この周縁
部を、１箇所切欠きを残してエポキシ系樹脂接着剤（AV
138＋HV998,日本チバガイギー（株）製）を用いて封着
した後、80℃に加熱しながら10-3mmHgの真空で引き、次
いで、切欠きより乾燥N2ガス（含水量0.01mg/）を吹
き込んで内部を乾燥N2で置換した。
ポリ塩化ビニリデンの保護層をポリウレタン系樹脂剤
（Ｔ−600,日本曹達（株）製）にて接着した。この周縁
部を、１箇所切欠きを残してエポキシ系樹脂接着剤（AV
138＋HV998,日本チバガイギー（株）製）を用いて封着
した後、80℃に加熱しながら10-3mmHgの真空で引き、次
いで、切欠きより乾燥N2ガス（含水量0.01mg/）を吹
き込んで内部を乾燥N2で置換した。
最後に切欠き口をエポキシ系樹脂接着剤（AV138＋HV9
98,日本チバガイギー（株）製）にて封着し、第３図に
示したような変換パネルを製造した。
98,日本チバガイギー（株）製）にて封着し、第３図に
示したような変換パネルを製造した。
かくして得られた放射線画像変換パネルについて、次
の特性を調べ、結果を表１に示した。
の特性を調べ、結果を表１に示した。
感度残存率 封着後40℃、相対湿度40％の条件で２時間経過後およ
び１週間経過後の変換パネルの感度残存率を次のように
して調べた。
び１週間経過後の変換パネルの感度残存率を次のように
して調べた。
管電圧80KVpのＸ線を10mR照射し、ｔ秒後に半導体レ
ーザ光（780nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放
射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変
換し、この信号の電圧値V(t)を求めた。後述する比較例
１で得られた変換パネルについて同様にして得られた信
号の電圧値をV0(t)とし、V(5)/V0(5)をもって相対感度
とした。
ーザ光（780nm）で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放
射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変
換し、この信号の電圧値V(t)を求めた。後述する比較例
１で得られた変換パネルについて同様にして得られた信
号の電圧値をV0(t)とし、V(5)/V0(5)をもって相対感度
とした。
次いで、V(120)/V(5)×100（％） により感度残存率を求めた。
鮮鋭性 空間周波数1lp/mmにおけるMTF（変調伝達関数％）を
求め、変換パネルの鮮鋭性を評価した。
求め、変換パネルの鮮鋭性を評価した。
実施例２ 保護層として厚さ550μｍのガラスを用いた他は実施
例１と同様にして変換パネルを製造し、その特性の評価
を行なった。結果を表１に示した。
例１と同様にして変換パネルを製造し、その特性の評価
を行なった。結果を表１に示した。
実施例３ 前記輝尽層上に700μｍ厚さの乾燥ガス層が設けられ
るように、層厚1mmで幅5mmのガラスのスペーサを第５図
に示したように配置し、その後、スペーサの上にポリ塩
化ビニリデン（層厚300μｍ）の保護層を載置した他は
実施例１と同様にして変換パネルを製造し、その特性の
評価を行なった。その結果を表１に示した。
るように、層厚1mmで幅5mmのガラスのスペーサを第５図
に示したように配置し、その後、スペーサの上にポリ塩
化ビニリデン（層厚300μｍ）の保護層を載置した他は
実施例１と同様にして変換パネルを製造し、その特性の
評価を行なった。その結果を表１に示した。
実施例４ 保護層として厚さ550μｍのガラスを用いた他は実施
例３と同様にして変換パネルを製造し、その特性の評価
を行なった。結果を表１に示した。
例３と同様にして変換パネルを製造し、その特性の評価
を行なった。結果を表１に示した。
実施例５ 乾燥ガスとして、乾燥Arガス（含水量0.01mg/）を
封入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造
し、その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
封入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造
し、その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
実施例６ 乾燥ガスとして、乾燥N2ガス（含水量0.1mg/）を封
入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造し、
その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造し、
その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
実施例７ 乾燥ガスとして、乾燥N2ガス（含水量2.0mg/）を封
入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造し、
その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
入した他は実施例４と同様にして変換パネルを製造し、
その特性の評価を行なった。結果を表１に示した。
比較例１ 保護層として厚さ20μｍのポリ塩化ビニリデンを使用
し、乾燥ガスの代わりに20℃、湿度60％の空気を封入し
た他は実施例１と同様にして変換パネルを製造し、その
特性の評価を行なった。結果を表１に併記した。
し、乾燥ガスの代わりに20℃、湿度60％の空気を封入し
た他は実施例１と同様にして変換パネルを製造し、その
特性の評価を行なった。結果を表１に併記した。
比較例２ 乾燥ガスの代わりに20℃、湿度60％の空気（含水量1
0.9mg/）を封入した他は実施例１と同様にして変換パ
ネルを製造し、その特性の評価を行なった。結果を表１
に併記した 上記の表からわかるように、乾燥ガスを封入した変換
パネルは耐湿性が優れ、初期性能が良好であることがわ
かる。特に、第５図のスペーサを有する構造のものは、
鮮鋭性が優れている。それに対して、比較例の変換パネ
ルは耐湿性が劣り、初期性能が低下している。
0.9mg/）を封入した他は実施例１と同様にして変換パ
ネルを製造し、その特性の評価を行なった。結果を表１
に併記した 上記の表からわかるように、乾燥ガスを封入した変換
パネルは耐湿性が優れ、初期性能が良好であることがわ
かる。特に、第５図のスペーサを有する構造のものは、
鮮鋭性が優れている。それに対して、比較例の変換パネ
ルは耐湿性が劣り、初期性能が低下している。
［発明の効果］ 本発明の放射線画像変換パネルは、乾燥ガスが封入さ
れているため、変換パネル内部が乾燥した状態に保た
れ、また、内部の圧力が外圧より高く保たれているの
で、保護層や周縁部の封着部分より水分が侵入しにく
い。
れているため、変換パネル内部が乾燥した状態に保た
れ、また、内部の圧力が外圧より高く保たれているの
で、保護層や周縁部の封着部分より水分が侵入しにく
い。
したがって、本発明によれば、輝尽層が水分により劣
化しにくく、初期性能が向上した変換パネルを提供する
ことができる。
化しにくく、初期性能が向上した変換パネルを提供する
ことができる。
第１図、第３図、第４図および第５図は、本発明の放射
線画像変換パネルの実施例の断面図であり、第２図は、
第１図のＡ−Ａ′断面図であり、第６図は放射線画像変
換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明図である。 １……輝尽層 ２……保護層 ３……支持体 ４……封着部材 ５……スペーサ 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……放射線画像再生装置 47……放射線画像表示装置 48……フィルタ
線画像変換パネルの実施例の断面図であり、第２図は、
第１図のＡ−Ａ′断面図であり、第６図は放射線画像変
換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明図である。 １……輝尽層 ２……保護層 ３……支持体 ４……封着部材 ５……スペーサ 41……放射線発生装置 42……被写体 43……放射線画像変換パネル 44……輝尽励起光源 45……光電変換装置 46……放射線画像再生装置 47……放射線画像表示装置 48……フィルタ
Claims (1)
- 【請求項１】支持体と保護層の層との間に、輝尽性蛍光
体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、 前記輝尽性蛍光体層の周りに、封着部材を設け、 前記支持体、前記保護層および前記封着部材により形成
される空間内に、前記輝尽性蛍光体層および乾燥ガスが
封入されていることを特徴とする放射線画像変換パネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799888A JP2677822B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799888A JP2677822B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01316697A JPH01316697A (ja) | 1989-12-21 |
| JP2677822B2 true JP2677822B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=15442826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14799888A Expired - Lifetime JP2677822B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677822B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164140B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Stimulable phosphor panel and method of producing stimulable phosphor panel |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP14799888A patent/JP2677822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164140B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Stimulable phosphor panel and method of producing stimulable phosphor panel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01316697A (ja) | 1989-12-21 |
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Legal Events
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