JP2696525B2 - 放射線画像変換パネル - Google Patents
放射線画像変換パネルInfo
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- JP2696525B2 JP2696525B2 JP63143045A JP14304588A JP2696525B2 JP 2696525 B2 JP2696525 B2 JP 2696525B2 JP 63143045 A JP63143045 A JP 63143045A JP 14304588 A JP14304588 A JP 14304588A JP 2696525 B2 JP2696525 B2 JP 2696525B2
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- radiation
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は放射線画像変換パネル、特に輝尽性蛍光体
を用いた放射線画像変換パネルの改良に関するものであ
る。
を用いた放射線画像変換パネルの改良に関するものであ
る。
Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
用いられている。
このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に
代わって蛍光体層から直接画像を取り出すＸ線画像変換
方法が知られている。
代わって蛍光体層から直接画像を取り出すＸ線画像変換
方法が知られている。
この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光
体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法である。
を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば
光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光
体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法である。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開
昭55−12144には、輝尽性蛍光体を用い可視又は赤外線
を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。
昭55−12144には、輝尽性蛍光体を用い可視又は赤外線
を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。
この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層（以後蛍光体
層と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後変換
パネルと略称）を使用するもので、この変換パネルに蛍
光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて
潜像を形成し、しかる後にこの蛍光体層を輝尽励起光で
走査することによって各部の蓄積された放射線エネルギ
ーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による
光信号により画像を得るものである。
層と略称）を形成した放射線画像変換パネル（以後変換
パネルと略称）を使用するもので、この変換パネルに蛍
光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の
放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて
潜像を形成し、しかる後にこの蛍光体層を輝尽励起光で
走査することによって各部の蓄積された放射線エネルギ
ーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による
光信号により画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよ
いし、CRT上に再生してもよい。
いし、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能で
ある。
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射
線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能で
ある。
そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画
質を劣化させるとなく長時間あるいは多数回繰り返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の蛍光体層が外部からの物理的ある
いは化学的刺激から十分に保護される必要がある。
質を劣化させるとなく長時間あるいは多数回繰り返しの
使用に耐える性能を有することが望ましい。そのために
は前記変換パネル中の蛍光体層が外部からの物理的ある
いは化学的刺激から十分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図
るため、変換パネルの支持体上の蛍光体層面を被覆する
保護層を設ける方法がとられてきた。この保護層は、た
とえば特開昭59−42500号に記述されているように、保
護層用塗布液を蛍光体層上に直接塗布して形成される
か、あるいは予め別途形成した保護層を蛍光体層上に接
着する方法により形成されている。
るため、変換パネルの支持体上の蛍光体層面を被覆する
保護層を設ける方法がとられてきた。この保護層は、た
とえば特開昭59−42500号に記述されているように、保
護層用塗布液を蛍光体層上に直接塗布して形成される
か、あるいは予め別途形成した保護層を蛍光体層上に接
着する方法により形成されている。
一般的には有機高分子からなる薄い保護層が用いられ
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性をほとんど低
下させないという利点がある。
ている。薄い保護層は変換パネルの鮮鋭性をほとんど低
下させないという利点がある。
蛍光体層を有する変換パネルの鮮鋭性と保護層の厚み
の関係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF（変調伝達
関数）を用いて第１表に示す。
の関係を空間周波数1lp/mm及び2lp/mmのMTF（変調伝達
関数）を用いて第１表に示す。
表に示すように保護層が厚いほど鮮鋭性が低下する。
この原因としては、入射した輝尽励起光の蛍光体層53表
面での反射散乱光が保護層54の境界面で反射され、蛍光
体層53に再入射することが挙げられる（第５図）。保護
層が厚いほど反射散乱光はより遠くまで到達し、対象画
素外の画素情報を混入させ画像鮮鋭性を低下させる。
この原因としては、入射した輝尽励起光の蛍光体層53表
面での反射散乱光が保護層54の境界面で反射され、蛍光
体層53に再入射することが挙げられる（第５図）。保護
層が厚いほど反射散乱光はより遠くまで到達し、対象画
素外の画素情報を混入させ画像鮮鋭性を低下させる。
Ｘ線撮影に用いる一般型の増感紙−フィルム系におい
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値より劣ることは好ましくなく、従って保護
層の厚さは10μｍ以下が望ましい。
て、1lp/mmの場合のMTFは約65％、2lp/mmの場合は約35
％を示すので、変換パネルにおいても前記増感紙−フィ
ルム系の数値より劣ることは好ましくなく、従って保護
層の厚さは10μｍ以下が望ましい。
しかしながら、有機高分子からなる薄い保護層はある
程度の水分及び／または湿気に対し透過性であり、蛍光
体層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放射線感
度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの間での
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び／または劣化をもたらしていた。
程度の水分及び／または湿気に対し透過性であり、蛍光
体層が水分を吸収し、その結果、変換パネルの放射線感
度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまでの間での
蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像の
画質のばらつき及び／または劣化をもたらしていた。
例えば、厚さ＝10μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（以下単に「PET」と略記する）の湿度は約60
（g/m2・24hr）であり、一日に単位面積当たり60gもの
水分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）で約15（g/m2・24hr）である。
フィルム（以下単に「PET」と略記する）の湿度は約60
（g/m2・24hr）であり、一日に単位面積当たり60gもの
水分を透過する。膜厚10μｍのOPP（延伸ポリプロピレ
ン）で約15（g/m2・24hr）である。
また、上述のような薄い保護層を有する従来の変換パ
ネルにおいては、保護層の表面硬度が小さいため搬送時
における搬送ローラ等の機械部分との接触により保護層
表面に傷を生じたり、また薄い保護層では耐衝撃性が不
十分なため、蛍光体層中に亀裂、折れを生じ易く、得ら
れる放射線画像の画質が繰り返し使用回数の増大ととも
に劣化する欠点がある。一方保護層を厚くすれば薄いた
めの欠陥は消去できるが、前述のように鮮鋭性が低下す
るという問題点を有していた。
ネルにおいては、保護層の表面硬度が小さいため搬送時
における搬送ローラ等の機械部分との接触により保護層
表面に傷を生じたり、また薄い保護層では耐衝撃性が不
十分なため、蛍光体層中に亀裂、折れを生じ易く、得ら
れる放射線画像の画質が繰り返し使用回数の増大ととも
に劣化する欠点がある。一方保護層を厚くすれば薄いた
めの欠陥は消去できるが、前述のように鮮鋭性が低下す
るという問題点を有していた。
この発明は、上記問題点を解決するためのもので、鮮
鋭性を損なうことなく防湿性、強度、耐衝撃性の諸点に
も優れる放射線画像変換パネルを提供することを目的し
ている。
鋭性を損なうことなく防湿性、強度、耐衝撃性の諸点に
も優れる放射線画像変換パネルを提供することを目的し
ている。
上記の目的を達成するためこの発明は、支持体上に輝
尽性蛍光体と保護層とをこの順序で備え、放射線画像情
報を蓄積記録し、励起光を照射することにより蓄積記録
された画像情報を輝尽発光光として出力する放射線画像
変換パネルであって、前記保護層と前記支持体のうち少
なくとも前記励起光の入射側をファイバプレートで構成
し、ある画素に向かって入射した輝尽励起光が保護層
（または支持体）内で他画素内に散乱しないようにした
ものである。
尽性蛍光体と保護層とをこの順序で備え、放射線画像情
報を蓄積記録し、励起光を照射することにより蓄積記録
された画像情報を輝尽発光光として出力する放射線画像
変換パネルであって、前記保護層と前記支持体のうち少
なくとも前記励起光の入射側をファイバプレートで構成
し、ある画素に向かって入射した輝尽励起光が保護層
（または支持体）内で他画素内に散乱しないようにした
ものである。
以下、この発明を添付図面に示す一実施例に基づいて
説明する。
説明する。
第１図（ａ）はこの発明の放射線画像変換パネルの断
面図、（ｂ）はその保護層の正面図、第２図はこの発明
のファイバプレート内の光伝達を示す説明図、第３図は
ファイバプレートの構成を示す斜視図、第４図は放射線
画像計測装置の構成を示す原理図、第５図は従来型パネ
ルにおける光の反射散乱を示す説明図である。
面図、（ｂ）はその保護層の正面図、第２図はこの発明
のファイバプレート内の光伝達を示す説明図、第３図は
ファイバプレートの構成を示す斜視図、第４図は放射線
画像計測装置の構成を示す原理図、第５図は従来型パネ
ルにおける光の反射散乱を示す説明図である。
図において、１はこの発明の放射線画像変換パネルの
本体で、該変換パネル１は支持体２、輝尽性蛍光体層
３、保護層４をこの順序で備えた三層構造になってい
る。変換パネル１は、例えば人体のＸ線画像計測に適用
する場合、縦・横＝約50〜100cm程度の大型パネルであ
る。
本体で、該変換パネル１は支持体２、輝尽性蛍光体層
３、保護層４をこの順序で備えた三層構造になってい
る。変換パネル１は、例えば人体のＸ線画像計測に適用
する場合、縦・横＝約50〜100cm程度の大型パネルであ
る。
支持体２は輝尽性蛍光体層３を支持するためのもの
で、素材としては、各種高分子材料、ガラス、セラミッ
クス、金属等が用いられる。高分子材料としては、例え
ば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィ
ルムが挙げられる。金属としては、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を
有する金属シートが好ましい。ガラスとしては、化学強
化ガラス、結晶化ガラスなどが挙げられる。また、セラ
ミックスとしては、アルミナ、ジルコニアの焼結板など
が挙げられる。
で、素材としては、各種高分子材料、ガラス、セラミッ
クス、金属等が用いられる。高分子材料としては、例え
ば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミ
ドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィ
ルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィ
ルムが挙げられる。金属としては、アルミニウム、鉄、
銅、クロム等の金属シート或は該金属酸化物の被覆層を
有する金属シートが好ましい。ガラスとしては、化学強
化ガラス、結晶化ガラスなどが挙げられる。また、セラ
ミックスとしては、アルミナ、ジルコニアの焼結板など
が挙げられる。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等に
よって異なるが、一般的には80μｍ〜3mmであり、取り
扱い上の点で、さらに好ましくは200μｍ〜3mmである。
よって異なるが、一般的には80μｍ〜3mmであり、取り
扱い上の点で、さらに好ましくは200μｍ〜3mmである。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造
としてもよい。
さらに、これら支持体は、輝尽性蛍光体層との接着性
を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下
引層を設けてもよい。
を向上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下
引層を設けてもよい。
輝尽性蛍光体層３は、先に述べた様に放射線を照射し
た後輝尽励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であ
るが、実質的な面から望ましくは500〜800nmの輝尽励起
光によって輝尽発光を示す蛍光体である。この発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号記載のBaSO4:Ax（但しＡ
はDy,TbおよびTmのうち少なくとも１種であり、ｘは0.0
01≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光体、特開昭
48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHoおよびDyのう
ち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ≦１モル％で
ある。）で表される蛍光体、特開昭48−80489号記載のS
rSO4:Ax（但しＡはTm,TbおよびDyのうち少なくとも１種
であり,xは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表される
蛍光体、特開昭51−29889号記載のNa2SO4,CaSO4およびB
aSO4等にMn,DyおよびTbのうち少なくとも１種を添加し
た蛍光体、特開昭52−30487号記載のBeO,LiF,MgSO4およ
びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号記載のLi2B4O7:C
U,Agの蛍光体、特開昭54−47883号記載のLi2O・（B
2O2）x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、およびLi2O・（B2O
2）x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特
許第3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,S
m、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn、ｘ（但し,xはハロ
ゲン）で表わされる蛍光体。特開昭55−12142号記載のZ
nS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu（但し0.8≦
ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、および
一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIはMg,Ca,Sr,Zm,Cdまた
はBaであり、ＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiおよびMnのうち
の少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）
で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体。特開昭55
−12143号に記載の一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但し、ＸはBr及びClの中の少なくとも一つであり、x,
y及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6,xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但し、LnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも一つを、ＸはC
l及び／又はBrを,AはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、特
開昭55−12145号記載の一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但し、MIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも一
つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
一つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭
55−84389号に記載の一般式がBaFX:xCe,yA（但し、Ｘは
Cl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはIn,Tl,Gd,Sm及
びZrのうちの少なくとも一つであり、ｘ及びｙはそれぞ
れ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2である。）で
表わされる蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,SmおよびGdのうちの少なくとも一種であ
り、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ≦0.2
なる条件を満たす数である。）で表される希土類元素付
活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZnS:A、C
dS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A,XおよびCdS:A,X（但しＡは
Cu,Ag,AuまたはMnであり、ｘはハロゲンである。）で表
される蛍光体、特開昭59−38278号に記載の一般式
〔Ｉ〕または〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 xM3（PO4）２・NX2:yA 一般式〔II〕 M3（PO4）2:yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ちの少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なく
とも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,
Mn及びSnのうちの少なくとも一種を表わす。また、ｘ及
びｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭59−155487号に記載
の一般式〔III〕または〔IV〕、 一般式〔III〕 nReX3・mAX′2:xEu 一般式〔IV〕 nReX3・mAX′2:xEu・ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも一種、Ａはア
ルカリ土類金属,Ba,Sr,Caのうち少なくとも一種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも一種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ
＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10-3
＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる蛍
光体等、および特開昭61−72087号に記載されている。
た後輝尽励起光を照射すると輝尽発光を示す蛍光体であ
るが、実質的な面から望ましくは500〜800nmの輝尽励起
光によって輝尽発光を示す蛍光体である。この発明の放
射線画像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体として
は、例えば特開昭48−80487号記載のBaSO4:Ax（但しＡ
はDy,TbおよびTmのうち少なくとも１種であり、ｘは0.0
01≦ｘ＜１モル％である。）で表される蛍光体、特開昭
48−80488号記載のMgSO4:Ax（但しＡはHoおよびDyのう
ち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦ｘ≦１モル％で
ある。）で表される蛍光体、特開昭48−80489号記載のS
rSO4:Ax（但しＡはTm,TbおよびDyのうち少なくとも１種
であり,xは0.001≦ｘ＜１モル％である。）で表される
蛍光体、特開昭51−29889号記載のNa2SO4,CaSO4およびB
aSO4等にMn,DyおよびTbのうち少なくとも１種を添加し
た蛍光体、特開昭52−30487号記載のBeO,LiF,MgSO4およ
びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号記載のLi2B4O7:C
U,Agの蛍光体、特開昭54−47883号記載のLi2O・（B
2O2）x:Cu（但しｘは２＜ｘ≦３）、およびLi2O・（B2O
2）x:Cu,Ag（但しｘは２＜ｘ≦３）等の蛍光体、米国特
許第3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,S
m、La2O2S:Eu,Sm及び（Zn,Cd）S:Mn、ｘ（但し,xはハロ
ゲン）で表わされる蛍光体。特開昭55−12142号記載のZ
nS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl2O3:Eu（但し0.8≦
ｘ≦10）で表されるアルミン酸バリウム蛍光体、および
一般式がMIIO・xSiO2:A（但しMIIはMg,Ca,Sr,Zm,Cdまた
はBaであり、ＡはCe,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiおよびMnのうち
の少なくとも１種であり、ｘは0.5≦ｘ≦2.5である。）
で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体。特開昭55
−12143号に記載の一般式が （Ba1-x-yMgxCay）FX:eEu2+ （但し、ＸはBr及びClの中の少なくとも一つであり、x,
y及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6,xy≠０及び10-6≦
ｅ≦５×10-2なる条件を満たす数である。）で表わされ
るアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12
144号に記載されている一般式が LnOX:xA （但し、LnはLa,Y,Gd及びLuの少なくとも一つを、ＸはC
l及び／又はBrを,AはCe及び／又はTbを、ｘは０＜ｘ＜
0.1を満足する数を表わす。）で表わされる蛍光体、特
開昭55−12145号記載の一般式が （Ba1−xMIIx）FX:yA （但し、MIIはMg,Ca,Sr,Zn及びCdのうちの少なくとも一
つを、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つを、ＡはE
u,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少なくとも
一つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦0.2なる条
件を満たす数を表わす。）で表わされる蛍光体、特開昭
55−84389号に記載の一般式がBaFX:xCe,yA（但し、Ｘは
Cl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはIn,Tl,Gd,Sm及
びZrのうちの少なくとも一つであり、ｘ及びｙはそれぞ
れ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10-2である。）で
表わされる蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2
O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5及びT
hO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,H
o,Nd,Yb,Er,SmおよびGdのうちの少なくとも一種であ
り、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種であり、
ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜ｙ≦0.2
なる条件を満たす数である。）で表される希土類元素付
活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がZnS:A、C
dS:A、（Zn,Cd）S:A、ZnS:A,XおよびCdS:A,X（但しＡは
Cu,Ag,AuまたはMnであり、ｘはハロゲンである。）で表
される蛍光体、特開昭59−38278号に記載の一般式
〔Ｉ〕または〔II〕、 一般式〔Ｉ〕 xM3（PO4）２・NX2:yA 一般式〔II〕 M3（PO4）2:yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg,Ca,Sr,Ba,Zn及びCdのう
ちの少なくとも１種、ＸはF,Cl,Br及びＩのうち少なく
とも１種、ＡはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,
Mn及びSnのうちの少なくとも一種を表わす。また、ｘ及
びｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１なる条件を満たす数であ
る。）で表わされる蛍光体、特開昭59−155487号に記載
の一般式〔III〕または〔IV〕、 一般式〔III〕 nReX3・mAX′2:xEu 一般式〔IV〕 nReX3・mAX′2:xEu・ySm （式中、ReはLa,Gd,Y,Luのうち少なくとも一種、Ａはア
ルカリ土類金属,Ba,Sr,Caのうち少なくとも一種、Ｘ及
びＸ′はF,Cl,Brのうち少なくとも一種を表わす。ま
た、ｘ及びｙは１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ
＜１×10-1なる条件を満たす数であり、n/mは１×10-3
＜n/m＜７×10-1なる条件を満たす。）で表わされる蛍
光体等、および特開昭61−72087号に記載されている。
MIX・aMIIX′２・bMIIIX″3:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれ少なくとも１
種のアルカリ金属であり、MIIはBa,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選
ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びM
gから選ばれる少なくとも１種の金属である。
種のアルカリ金属であり、MIIはBa,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
Cu及びNiから選ばれる少なくとも１種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yb,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選
ばれる少なくとも１種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びM
gから選ばれる少なくとも１種の金属である。
また、ａは、０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは
０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着
・スパッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ
易く好ましい。また、アルカリ土類フルオロハライド蛍
光体、アルカリハライド蛍光体は、特に水分による劣化
が著しく、本発明による効果が大きい。
０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範
囲の数値である。）で表されるアルカリハライド蛍光体
等が挙げられる。特にアルカリハライド蛍光体は、蒸着
・スパッタリング等の方法で輝尽性蛍光体層を形成させ
易く好ましい。また、アルカリ土類フルオロハライド蛍
光体、アルカリハライド蛍光体は、特に水分による劣化
が著しく、本発明による効果が大きい。
しかしながら、この発明に係わる放射線画像変換方法
に用いられている蛍光体は上述の蛍光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場
合に輝尽発光を示すものであればいかなる蛍光体であっ
てもよいことは言うまでもない。
に用いられている蛍光体は上述の蛍光体に限られるもの
ではなく、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場
合に輝尽発光を示すものであればいかなる蛍光体であっ
てもよいことは言うまでもない。
輝尽性蛍光体層を塗布により形成する場合には、使用
する輝尽性蛍光体の平均粒子系は放射線画像変換パネル
の感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1〜100μｍの範
囲に於て適宜選択される。さらに好ましくは平均粒径が
１〜30μｍのものが使用される。ただし、後述のファイ
バプレートＰ内の光ファイバＦの直径より大きな粒状の
ものは望ましくない。
する輝尽性蛍光体の平均粒子系は放射線画像変換パネル
の感度と粒状性を考慮して平均粒子径0.1〜100μｍの範
囲に於て適宜選択される。さらに好ましくは平均粒径が
１〜30μｍのものが使用される。ただし、後述のファイ
バプレートＰ内の光ファイバＦの直径より大きな粒状の
ものは望ましくない。
また、蛍光体層は蒸着で設けてもよい。蒸着による場
合は、蛍光体層が柱状結晶構造となり、１本１本の結晶
がファイバ効果を示し、変換パネルの鮮鋭性がより向上
する。
合は、蛍光体層が柱状結晶構造となり、１本１本の結晶
がファイバ効果を示し、変換パネルの鮮鋭性がより向上
する。
保護層４は、蛍光体層３の表面を保護するためのもの
で、その全面を覆うように設けられている。また該保護
層４は第２図示の如く、多数本の光ファイバＦを集束の
後、一定厚にスライスして構成したファイバプレートＰ
からなっている。ファイバプレートＰは、接着剤を使っ
て光ファイバＦ同士を互いに密着接着して防湿性を保持
した後、板状にスライスしたもので、その厚さｄは、フ
ァイバＦの直径や材質に応じて、ｄ＝100〜5000μｍ程
度となっている。また、ファイバプレートＰの構成に使
用する光ファイバＦの直径φは、放射線画像変換パネル
として必要とされる画像分解能やプレートＰの厚さにも
よるが、NA＝0.8以下の開口数を有するファイバである
ことが好ましく、一般には輝尽励起用レーザ光のスポッ
ト径と同程度、即ちφ＝10〜400μｍ、好ましくは10〜1
50μｍの範囲内となっている。また光ファイバＦの材質
は、合成樹脂の場合、ポリアクリル樹脂、ポリエチレン
樹脂、軟質塩化ビニル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂ポリエチレ
ン樹脂などが、前記開口数を与えるような芯材及び鞘材
として適宜組み合わせて使用される。また、光ファイバ
Ｆは前記の開口数を与え得るものであれば、導光性プラ
スチックと石英ガラスを組み合わせた複合光ファイバ
や、多成分石英ガラス、あるいは一般の石英ガラスから
なるものであってもよい。
で、その全面を覆うように設けられている。また該保護
層４は第２図示の如く、多数本の光ファイバＦを集束の
後、一定厚にスライスして構成したファイバプレートＰ
からなっている。ファイバプレートＰは、接着剤を使っ
て光ファイバＦ同士を互いに密着接着して防湿性を保持
した後、板状にスライスしたもので、その厚さｄは、フ
ァイバＦの直径や材質に応じて、ｄ＝100〜5000μｍ程
度となっている。また、ファイバプレートＰの構成に使
用する光ファイバＦの直径φは、放射線画像変換パネル
として必要とされる画像分解能やプレートＰの厚さにも
よるが、NA＝0.8以下の開口数を有するファイバである
ことが好ましく、一般には輝尽励起用レーザ光のスポッ
ト径と同程度、即ちφ＝10〜400μｍ、好ましくは10〜1
50μｍの範囲内となっている。また光ファイバＦの材質
は、合成樹脂の場合、ポリアクリル樹脂、ポリエチレン
樹脂、軟質塩化ビニル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポ
リエステル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂ポリエチレ
ン樹脂などが、前記開口数を与えるような芯材及び鞘材
として適宜組み合わせて使用される。また、光ファイバ
Ｆは前記の開口数を与え得るものであれば、導光性プラ
スチックと石英ガラスを組み合わせた複合光ファイバ
や、多成分石英ガラス、あるいは一般の石英ガラスから
なるものであってもよい。
また、蛍光体層は支持体状に設けないでファイバプレ
ート上に蛍光体層を取付けてもよいし、支持体に取付け
た後にファイバプレートを貼り合わせてもよい。ファイ
バプレートと蛍光体層の間には他の層（例えば、接着
層、空気層等）が存在してもよいが、この層はできる限
り薄い方が好ましい。
ート上に蛍光体層を取付けてもよいし、支持体に取付け
た後にファイバプレートを貼り合わせてもよい。ファイ
バプレートと蛍光体層の間には他の層（例えば、接着
層、空気層等）が存在してもよいが、この層はできる限
り薄い方が好ましい。
この発明の放射線画像パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合優れた鮮鋭度
を有する画像を与える。
れる放射線画像変換方法に用いられた場合優れた鮮鋭度
を有する画像を与える。
すなわち、第４図において10は放射線発生装置、11は
被写体、12はこの発明の放射線画像変換パネル、13は放
射線画像変換パネルの放射線潜像を蛍光として放射させ
るための輝尽励起光源、14は放射線画像変換パネルより
放射された光源を検出する光電変換装置、15は光電変換
装置14で検出された光電変換信号を画像として再生する
画像再生装置、16は再生された画像を表示する画像表示
装置、17は光源13からの反射光をカットし、放射線画像
変換パネル12より放射された光のみを透過させるための
フィルターである。光電変換装置14〜画像表示装置16は
放射線変換パネル12からの光情報を何らかの形で画像と
して再生できるものであればよく、上記に限定されるも
のではない。
被写体、12はこの発明の放射線画像変換パネル、13は放
射線画像変換パネルの放射線潜像を蛍光として放射させ
るための輝尽励起光源、14は放射線画像変換パネルより
放射された光源を検出する光電変換装置、15は光電変換
装置14で検出された光電変換信号を画像として再生する
画像再生装置、16は再生された画像を表示する画像表示
装置、17は光源13からの反射光をカットし、放射線画像
変換パネル12より放射された光のみを透過させるための
フィルターである。光電変換装置14〜画像表示装置16は
放射線変換パネル12からの光情報を何らかの形で画像と
して再生できるものであればよく、上記に限定されるも
のではない。
また光源13からの反射光をカットするにはフィルター
17を用いずに特願昭57−124744号に示されている発光の
遅れを利用して分離する方法によってもよい。
17を用いずに特願昭57−124744号に示されている発光の
遅れを利用して分離する方法によってもよい。
第４図に示されるように、被写体11を放射線発生装置
10と放射線画像変換パネル12の間に配置して放射線Ｒを
照射すると、放射線は被写体11の各部の放射線透過率の
変化に従って投下し、その透過像RI（すなわち放射線の
強弱の像）が放射線画像変換パネル12に入射する。この
入射した透過像は放射線画像変換パネル12の蛍光体層に
吸収され、これによって蛍光体層中に吸収した放射線量
に比例した数の電子及び／又は正孔が発生し、これが蛍
光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透
過像の蓄積像（潜像）が形成される。
10と放射線画像変換パネル12の間に配置して放射線Ｒを
照射すると、放射線は被写体11の各部の放射線透過率の
変化に従って投下し、その透過像RI（すなわち放射線の
強弱の像）が放射線画像変換パネル12に入射する。この
入射した透過像は放射線画像変換パネル12の蛍光体層に
吸収され、これによって蛍光体層中に吸収した放射線量
に比例した数の電子及び／又は正孔が発生し、これが蛍
光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透
過像の蓄積像（潜像）が形成される。
次にこの潜像を輝尽励起光で励起して輝尽発光として
放射せしめ、顕在化する。この時、第２図示の如く、保
護層４の表面に入射した輝尽励起光は、ファイバプレー
トＰの光ファイバＦ内で反射しながら進行し、隣接のフ
ァイバ内に混入することなく蛍光体層３に到達する。し
かして、放射された蛍光の強弱は蓄積された電子及び／
又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル12の蛍光
体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例してお
り、この光信号を例えば光電子倍増管等の光電変換装置
14で電気信号に変換し、画像再生装置15によって画像と
して再生し、画像表示装置16によってこの画像を表示す
る。
放射せしめ、顕在化する。この時、第２図示の如く、保
護層４の表面に入射した輝尽励起光は、ファイバプレー
トＰの光ファイバＦ内で反射しながら進行し、隣接のフ
ァイバ内に混入することなく蛍光体層３に到達する。し
かして、放射された蛍光の強弱は蓄積された電子及び／
又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル12の蛍光
体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例してお
り、この光信号を例えば光電子倍増管等の光電変換装置
14で電気信号に変換し、画像再生装置15によって画像と
して再生し、画像表示装置16によってこの画像を表示す
る。
尚、上記実施例では輝尽励起光を保護層側から照射し
て蛍光画像を読み取る場合を説明したが、輝尽励起光を
支持体側から照射する場合は、支持体をファイバプレー
トで構成して鮮鋭性低下を防止できる。この場合保護層
は、支持体としての機能を有する材料で構成することが
望ましいが、所定の防湿性と強度を満足するものであれ
ば、ファイバプレートで構成してもよい。また、輝尽励
起光照射側と読み取り側は同一方向でなくてもよい。
て蛍光画像を読み取る場合を説明したが、輝尽励起光を
支持体側から照射する場合は、支持体をファイバプレー
トで構成して鮮鋭性低下を防止できる。この場合保護層
は、支持体としての機能を有する材料で構成することが
望ましいが、所定の防湿性と強度を満足するものであれ
ば、ファイバプレートで構成してもよい。また、輝尽励
起光照射側と読み取り側は同一方向でなくてもよい。
（比較実験例） 以下、この発明の放射線画像変換パネルについて行っ
た比較実験例について述べる。
た比較実験例について述べる。
まず、使用するファイバとしては、径、開口数、厚
さ、材質などを表１に示すような組み合わせで選択し、
50mm角の実験用ファイバプレートを３種類構成した。次
に、各プレートに、アルカリハライド（RbBr:0.0006T
l）からなる厚さ＝300μｍの蛍光体層を蒸着装置によっ
て形成した。
さ、材質などを表１に示すような組み合わせで選択し、
50mm角の実験用ファイバプレートを３種類構成した。次
に、各プレートに、アルカリハライド（RbBr:0.0006T
l）からなる厚さ＝300μｍの蛍光体層を蒸着装置によっ
て形成した。
次いで各プレートは、80℃、10-3Torrの条件で約一時
間真空乾燥処理した後、蛍光体層の非ファイバプレート
側に、厚さ500μｍの結晶化ガラスシート（支持体）を
密着し、さらにファイバプレートと結晶化ガラスの周縁
部をエポキシ樹脂系接着剤で密封して三種類の実験用放
射線画像変換パネル（実験例Ａ、Ｂ、Ｃ）を構成した。
間真空乾燥処理した後、蛍光体層の非ファイバプレート
側に、厚さ500μｍの結晶化ガラスシート（支持体）を
密着し、さらにファイバプレートと結晶化ガラスの周縁
部をエポキシ樹脂系接着剤で密封して三種類の実験用放
射線画像変換パネル（実験例Ａ、Ｂ、Ｃ）を構成した。
次に、実験例Ａのファイバプレートを厚さ＝1.5mmの
ガラスシートで置き換え、他の条件は同じにしたものを
比較例１とした。
ガラスシートで置き換え、他の条件は同じにしたものを
比較例１とした。
また、実験例Ａのファイバプレートで、ファイバプレ
ートに蛍光体層を設けるのではなく、厚さ＝500μｍの
結晶化ガラスシート（支持体）上に蛍光体層を設けた
後、ウレタン系樹脂を使ってファイバプレートを接着し
たもの（他の条件は同じとする）で、実験例Ｄを構成し
た。さらに、このファイバプレートＤを厚さ＝10μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムに置き換えたファ
イバプレートを構成し、比較例２とした。
ートに蛍光体層を設けるのではなく、厚さ＝500μｍの
結晶化ガラスシート（支持体）上に蛍光体層を設けた
後、ウレタン系樹脂を使ってファイバプレートを接着し
たもの（他の条件は同じとする）で、実験例Ｄを構成し
た。さらに、このファイバプレートＤを厚さ＝10μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムに置き換えたファ
イバプレートを構成し、比較例２とした。
次に、各実験例および比較例の変換パネルについて、
防湿性と鮮鋭性を比較評価したところ表２のような結果
を得た。
防湿性と鮮鋭性を比較評価したところ表２のような結果
を得た。
防湿性は、気温45℃、相対湿度80％の条件下に変換パ
ネルを60日間放置して強制劣化させた後、感度低下率及
びフェーディング低下率から評価した。各項目の試験方
法は下記の通りである。
ネルを60日間放置して強制劣化させた後、感度低下率及
びフェーディング低下率から評価した。各項目の試験方
法は下記の通りである。
感度低下率 強制劣化試験前の変換パネルに、管電圧80kVpのＸ線
を10mR照射後、５秒間おいて半導体レーザ光（780nm、2
0mW）で輝尽励起し、輝尽発光を光電子増倍管で光電変
換し、得られた電気信号の大きさから劣化試験前の変換
パネルの感度SST(5SEC)を求めた。また、同様にして劣
化試験後の変換パネル感度S60(5SEC)を求めた。
を10mR照射後、５秒間おいて半導体レーザ光（780nm、2
0mW）で輝尽励起し、輝尽発光を光電子増倍管で光電変
換し、得られた電気信号の大きさから劣化試験前の変換
パネルの感度SST(5SEC)を求めた。また、同様にして劣
化試験後の変換パネル感度S60(5SEC)を求めた。
得られた各感度から次式、 により感度低下率を求めた。
フェーディング低下率 強制劣化試験前の変換パネルのフェーディングF
ST（Ｘ線を照射してからレーザ光で信号を読み取るまで
の間における蓄積エネルギーの減衰率）を下記の方法で
求めた。まず、管電圧80kVpのＸ線を10mR照射後、５秒
間おいて半導体レーザ光（780nm、20mW）で輝尽励起
し、輝尽発光を光電子増倍管で光電変換して得られた電
気信号の大きさから感度SST(5SEC)を求めた。同様にし
て、Ｘ線照射後120秒間において輝尽励起して得られた
電気信号の大きさから感度SST(120SEC)を求めた。得ら
れた各感度から次式； により劣化試験前のフェーディングFSTを求めた。
ST（Ｘ線を照射してからレーザ光で信号を読み取るまで
の間における蓄積エネルギーの減衰率）を下記の方法で
求めた。まず、管電圧80kVpのＸ線を10mR照射後、５秒
間おいて半導体レーザ光（780nm、20mW）で輝尽励起
し、輝尽発光を光電子増倍管で光電変換して得られた電
気信号の大きさから感度SST(5SEC)を求めた。同様にし
て、Ｘ線照射後120秒間において輝尽励起して得られた
電気信号の大きさから感度SST(120SEC)を求めた。得ら
れた各感度から次式； により劣化試験前のフェーディングFSTを求めた。
同様にして強制劣化試験後の変換パネルのフェーディ
ングF60を次式； により求めた。
ングF60を次式； により求めた。
このようにして得られたFSTとF60とから次式 によりフェーディング低下率を求めた。
鮮鋭性 鮮鋭性は強制劣化試験前の変換パネルについて、変調
伝達関数（MTF）を空間周波数1lp/mおよび2lp/mmで求め
て評価した。
伝達関数（MTF）を空間周波数1lp/mおよび2lp/mmで求め
て評価した。
実験例Ａ〜Ｄの放射線画像変換パネルは、上記の試験
において高温・高湿度下に長期間保存してもパネルの初
期性能の低下はほとんど発生しなかった。また、厚い保
護層（＝ファイバプレート）を設けたことによる鮮鋭性
の低下も認められなかった。
において高温・高湿度下に長期間保存してもパネルの初
期性能の低下はほとんど発生しなかった。また、厚い保
護層（＝ファイバプレート）を設けたことによる鮮鋭性
の低下も認められなかった。
一方、比較例１の放射線画像変換パネルは、保護層と
して厚いガラスのシートを用いたため鮮鋭性の劣化が著
しかった。また、比較例２の放射線画像変換パネルは、
薄い保護層を用いているため鮮鋭性の劣化はないが、吸
湿現象による劣化が発生し、初期性能が維持できなかっ
た。
して厚いガラスのシートを用いたため鮮鋭性の劣化が著
しかった。また、比較例２の放射線画像変換パネルは、
薄い保護層を用いているため鮮鋭性の劣化はないが、吸
湿現象による劣化が発生し、初期性能が維持できなかっ
た。
上記のようにこの発明は、支持体上に輝尽性蛍光体と
保護層とをこの順序で備え、放射線画像情報を蓄積記録
し、励起光を照射することにより蓄積記録された画像情
報を輝尽発光光として出力する放射線画像変換パネルで
あって、前記保護層と前記支持体のうち少なくとも前記
励起光の入射側をファイバプレートで構成したことを特
徴としているので、保護層または支持体のある画素に入
射した輝尽励起光が他画素に混入せずに保護層に到達
し、鮮鋭性が損なわれることがない。また、ファイバプ
レートの厚さや光ファイバの径、及びこれらを構成する
材質は適宜選択できるため、防湿性、強度、耐衝撃性な
どを所定の値域に設定することができる。従って、放射
線画像変換パネルの画質向上と長寿命化を同時に実現で
きるという優れた効果を奏するものである。
保護層とをこの順序で備え、放射線画像情報を蓄積記録
し、励起光を照射することにより蓄積記録された画像情
報を輝尽発光光として出力する放射線画像変換パネルで
あって、前記保護層と前記支持体のうち少なくとも前記
励起光の入射側をファイバプレートで構成したことを特
徴としているので、保護層または支持体のある画素に入
射した輝尽励起光が他画素に混入せずに保護層に到達
し、鮮鋭性が損なわれることがない。また、ファイバプ
レートの厚さや光ファイバの径、及びこれらを構成する
材質は適宜選択できるため、防湿性、強度、耐衝撃性な
どを所定の値域に設定することができる。従って、放射
線画像変換パネルの画質向上と長寿命化を同時に実現で
きるという優れた効果を奏するものである。
第１図（ａ）はこの発明の放射線画像変換パネルの断面
図、（ｂ）はその保護層の正面図、第２図はこの発明の
ファイバプレート内の光伝達を示す説明図、第３図はフ
ァイバプレートの構成を示す斜視図、第４図は放射線画
像計測装置の構成を示す原理図、第５図は従来型パネル
における光の反射散乱を示す説明図である。 １、12……放射線画像変換パネル ２……支持体 ３……輝尽性蛍光体層 ４……保護層 Ｆ……光ファイバ Ｐ……ファイバプレート
図、（ｂ）はその保護層の正面図、第２図はこの発明の
ファイバプレート内の光伝達を示す説明図、第３図はフ
ァイバプレートの構成を示す斜視図、第４図は放射線画
像計測装置の構成を示す原理図、第５図は従来型パネル
における光の反射散乱を示す説明図である。 １、12……放射線画像変換パネル ２……支持体 ３……輝尽性蛍光体層 ４……保護層 Ｆ……光ファイバ Ｐ……ファイバプレート
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に輝尽性蛍光体と保護層とをこの
順序で備え、放射線画像情報を蓄積記録し、励起光を照
射することにより蓄積記録された画像情報を輝尽発光光
として出力する放射線画像変換パネルであって、前記保
護層と前記支持体のうち少なくとも前記励起光の入射側
をファイバプレートで構成したことを特徴とする放射線
画像変換パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143045A JP2696525B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 放射線画像変換パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143045A JP2696525B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 放射線画像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01312499A JPH01312499A (ja) | 1989-12-18 |
| JP2696525B2 true JP2696525B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=15329625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143045A Expired - Lifetime JP2696525B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 放射線画像変換パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2696525B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59150400A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-28 | 株式会社東芝 | 螢光スクリ−ン及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63143045A patent/JP2696525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01312499A (ja) | 1989-12-18 |
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